JP2009224619A - 研磨終了時点の予測・検出方法とその装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所定の導電性膜28に高周波インダクタ型センサにおけるインダクタ36を近接させ、該インダクタ36で形成される磁束により所定の導電性膜28に誘起される磁束変化をモニタし、研磨中の膜厚が所定の導電性膜28の材質を一因子として決まる表皮深さと同等もしくはその付近になった場合の独特な磁束変化を基に特徴のある変化を検出し、該特徴のある変化からその場で研磨終了時のウェーハW面内表面が均一面になるように仕上げ研磨条件を変更する。
【選択図】図3
Description
(研磨条件)
スラリー:株式会社フジミインコーポレーテッド社製 プレーナソリューション7101
パッド:ニッタ・ハウス(株)社製 IC1400同心円溝
(粗研磨条件)
ウェーハ/リテーナ加圧:1.0/2.0psi
プラテン/ヘッド回転数:120/120rpm
スラリー流量:300cc/min
ゾーン加圧1/2/3/4:0/0/0/1.1psi
(仕上げ研磨条件)
ウェーハ/リテーナ加圧:0.5/2.0psi
プラテン/ヘッド回転数:120/120rpm
スラリー流量:300cc/min
ゾーン加圧1/2/3/4:0/0/0/0psi
(インターバルドレス条件)
ドレス荷重:3kgf
プラテン/ドレス回転数:80/88rpm
時間:30sec
プラテン/ヘッド回転数:120/120rpm
スラリー流量:300cc/min
ゾーン加圧1/2/3/4:0/0/0.6/0.7psi
(インターバルドレス条件)
ドレス荷重:3kgf
プラテン/ドレス回転数:80/88rpm
時間:30sec
2 プラテン
3 研磨ヘッド
4 回転軸
5 モータ
6 研磨パッド
7 ヘッド本体
8 キャリア
9 リテーナリング
10 リテーナリング押圧手段
11 弾性シート
12 回転軸
13 ドライプレート
14 ピン
15 作動トランス
16 キャリア押圧手段
17 エアーフロートライン
19 エアー吹出し口
20 エアーフィルタ
21 給気ポンプ
22 孔
23 真空ポンプ
24 バキュームライン
25 エアバック
27 リテーナリングホルダ
28 導電性膜
29 エアー室
30 取付部材
31 スナップリング
32 スリップリング
33 研磨終了時点の予測・検出装置
34 高周波インダクタ型センサ
35 発振回路
36 平面状インダクタ
37 集中定数キャパシタ
38 増幅器
39 フィードバック・ネットワーク
40 周波数カウンタ
41 平面状インダクタ
V 特徴のある変化
W ウェーハ
Claims (4)
- 導電性膜を研磨して、所定の導電性膜が適正に除去されたときの研磨終了時点を予測して検出する研磨終了時点の予測・検出方法であって、
前記所定の導電性膜に高周波インダクタ型センサにおけるインダクタを近接させ、該インダクタで形成される磁束により前記所定の導電性膜に誘起される磁束変化をモニタし、研磨中の膜厚が前記所定の導電性膜の材質を一因子として決まる表皮深さと同等もしくはその付近になった場合の独特な磁束変化を基に特徴のある変化を検出し、該特徴のある変化からその場で研磨終了時のウェーハ面内表面が均一面になるように前記研磨における仕上げ研磨条件を変更することを特徴とする研磨終了時点の予測・検出方法。 - 上記磁束の特徴のある変化は、研磨の進行による膜厚減少に伴って形成される渦電流が増大する過程と、そのまま研磨を進めた場合に膜厚減少に伴って形成される渦電流が実質的に減少する過程との存在により発生するものであることを特徴とする請求項1記載の研磨終了時点の予測・検出方法。
- 上記特徴のある変化は、上昇開始点、上昇率、上昇量、変曲点、下降率もしくは上昇から下降の変化量の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1又は2記載の研磨完了時点の予測・検出方法。
- 平面インダクタとキャパシタからなるセンサ回路系を構成する発振回路を備えた高周波インダクタ型センサを有し、導電性膜を研磨して、所定の導電性膜が適正に除去されたときの研磨終了時点を予測して検出する研磨終了時点の予測・検出装置であって、
請求項1,2又は3記載の研磨終了時点の予測・検出方法を実行することを特徴とする研磨終了時点の予測・検出装置。
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CN108366751A (zh) * | 2015-12-15 | 2018-08-03 | 皇家飞利浦有限公司 | 表面处理装置和方法 |
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JP2000340537A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Ebara Corp | ポリッシング装置及び方法 |
JP2003092274A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nikon Corp | 加工装置および方法、この装置を用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス |
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