JP2009218279A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱性が良好で大電流駆動の可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記第1の面に当接する板状体からなる第1のリードと、前記半導体素子の前記第2の面に当接する板状体からなる第2のリードとを備え、前記第1のリードは、少なくとも先端が前記第2のリードと同一レベルになるように折り曲げ部を有することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記第1の面に当接する板状体からなる第1のリードと、前記半導体素子の前記第2の面に当接する板状体からなる第2のリードとを備え、前記第1のリードは、少なくとも先端が前記第2のリードと同一レベルになるように折り曲げ部を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置およびその製造方法にかかり、特にパワー用半導体装置に適した放熱性の高い半導体装置に用いられる実装構造に関するものである。
近年、携帯電話に代表される移動体通信機器の高性能化や小型化、さらには製品の需要サイクルの短期化が進む中、モジュール部品等に搭載されるトランジスタには、高性能化・小型薄型化・低コスト化への要求はいうまでもなく、接続抵抗を低減し、高出力のトランジスタの調整、短期間での開発および供給への要求が高まっている。
パワーMOSFETは、電源、携帯端末装置および自動車の電子装置を含む多数のアプリケーションに使用されている。このようなパワーMOSFETなどのパワーデバイスは、放熱性が重要であることから、ボンディングワイヤに代えてボンディングリボンを用いたボンディングが用いられることがある。ボンディング強度は、デバイスの信頼性に大きな影響を与えるものであることから、複数の部分でボンディングを行なうようにし、ボンディングの接合強度を維持しつつ、ボンディングの差異にボンディングリボンに加える圧着荷重や超音波振動を小さくする方法が提案されている(特許文献1)。
しかしながら上記構成では、パワーデバイスの場合、半導体素子が動作することによって生じる発熱によって接合温度が高くなり、永久破壊につながるという問題があった。そこで図11に示すように、半導体素子102の裏面にリードフレームの素子搭載部101を固着し、このリードフレームの素子搭載部は樹脂パッケージ104を介することなく、直接プリント基板(図示せず)に半田を配して実装される半導体装置が提案されている。103はボンディングワイヤである。このように放熱性を考慮した結果、永久破壊に至る前に、半導体素子からの発熱はリードフレームの素子搭載部を経由して放熱されることから、有効であるとされている。
しかしながら、近年の樹脂パッケージの軽薄短小化の影響を受け、市場では更なる小型パッケージが要求されており、それに伴い、リードフレームのチップアイランド部の面積も小さくなり、その結果半導体素子からのプリント基板への放熱面積も小さくなり、半導体素子からの発熱による放熱特性が限界となっている。
しかしながら、近年の樹脂パッケージの軽薄短小化の影響を受け、市場では更なる小型パッケージが要求されており、それに伴い、リードフレームのチップアイランド部の面積も小さくなり、その結果半導体素子からのプリント基板への放熱面積も小さくなり、半導体素子からの発熱による放熱特性が限界となっている。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、放熱性が良好で大電流駆動の可能な半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記第1の面に当接する板状体からなる第1のリードと、前記半導体素子の前記第2の面に当接する板状体からなる第2のリードとを備え、前記第1のリードは、少なくとも先端が前記第2のリードと同一レベルになるように折り曲げ部を有することを特徴とする。
この構成によれば、第1および第2のリード間に半導体素子を装着し、半導体素子を囲むように第1および第2のリードを成型し先端が前記第2のリードと同一レベルになるようにしていることから、この2つのリードから放熱が効率よく行なわれ放熱性が大幅に向上する。また第1のリードは、半導体素子の上面および側面を覆うため、空気との接触による放熱性も高い。さらにまたこれらに第1および第2のリードは直接プリント基板などの実装基板に接続されることになるため、接触抵抗も低減可能である。
この構成によれば、第1および第2のリード間に半導体素子を装着し、半導体素子を囲むように第1および第2のリードを成型し先端が前記第2のリードと同一レベルになるようにしていることから、この2つのリードから放熱が効率よく行なわれ放熱性が大幅に向上する。また第1のリードは、半導体素子の上面および側面を覆うため、空気との接触による放熱性も高い。さらにまたこれらに第1および第2のリードは直接プリント基板などの実装基板に接続されることになるため、接触抵抗も低減可能である。
また、上記リードフレームにおいて、前記半導体素子は前記第1および第2のリード間で樹脂封止されたものを含む。
この構成によれば、封止樹脂と第1および第2のリードとで、半導体素子の略周囲を囲むことになり、強度が高くさらには耐湿性も高い。
この構成によれば、封止樹脂と第1および第2のリードとで、半導体素子の略周囲を囲むことになり、強度が高くさらには耐湿性も高い。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは第2のリードよりも板厚が小さいものを含む。
この構成によれば、第1のリードは加工性が良好で所望の形状にリードを成型することができる。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは第2のリードよりも板厚が大きいものを含む。
この構成によれば、第1のリードの方が、プリント基板までの距離が長く配線長が長いが、ここでは、第1のリードは板厚が大きいため、比抵抗が小さく、低インピーダンスでかつ良好な接続が可能となる。
この構成によれば、第1のリードは加工性が良好で所望の形状にリードを成型することができる。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは第2のリードよりも板厚が大きいものを含む。
この構成によれば、第1のリードの方が、プリント基板までの距離が長く配線長が長いが、ここでは、第1のリードは板厚が大きいため、比抵抗が小さく、低インピーダンスでかつ良好な接続が可能となる。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1および第2のリードは板厚が同一であるものを含む。
この構成によれば、第1および第2のリードは板厚が同一であるため、均一な放熱特性を得ることが可能である。
この構成によれば、第1および第2のリードは板厚が同一であるため、均一な放熱特性を得ることが可能である。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは第2のリードよりも硬度が小さいものを含む。
この構成により、第1のリードの曲げ加工が容易である。
この構成により、第1のリードの曲げ加工が容易である。
また、上記リードフレームにおいて、第1のリードおよび第2のリードは異なる材料で構成されたものを含む。
この構成によれば、第1および第2のリードそれぞれに要求される特性を考慮した材料の選択が可能で、より小型化をはかることができる。
この構成によれば、第1および第2のリードそれぞれに要求される特性を考慮した材料の選択が可能で、より小型化をはかることができる。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードおよび第2のリードは同一材料で構成されたものを含む。
この構成によれば、一括したプレス成型で容易に形成でき製造作業性が良好である。
この構成によれば、一括したプレス成型で容易に形成でき製造作業性が良好である。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは前記第2のリードの近傍で外側に折り曲げられたガルウィング形状であるものを含む。
この構成によれば、第1のリードからの放熱性を高めることができるとともに、経常的に安定な実装が可能である。
この構成によれば、第1のリードからの放熱性を高めることができるとともに、経常的に安定な実装が可能である。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは前記第2のリードの近傍で内側に折り曲げられたJベンド形状であるものを含む。
この構成によれば、さらなる実装面積の低減をはかることが可能である。
この構成によれば、さらなる実装面積の低減をはかることが可能である。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードの先端は前記第2のリードのリード面と同一面に位置するものを含む。
この構成によれば、実装基板への電気的接続が確実となり、さらに均一な放熱特性を得ることが可能である。
この構成によれば、実装基板への電気的接続が確実となり、さらに均一な放熱特性を得ることが可能である。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは封止樹脂の外端よりも外方に突出し、前記封止樹脂の外端から所定の距離を隔てた位置で折り曲げられたものを含む。
この構成によれば、封止樹脂と、第1のリードとの間に空気の流れができ、第1のリードは両面から放熱するため、より効率よい放熱特性を得ることが可能である。
この構成によれば、封止樹脂と、第1のリードとの間に空気の流れができ、第1のリードは両面から放熱するため、より効率よい放熱特性を得ることが可能である。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは封止樹脂の外端よりも外方に突出し、前記封止樹脂の外端に密着するように折り曲げられたものを含む。
この構成によれば、封止樹脂と、第1のリードとを密着性よく実装でき、半導体素子からの熱は第1のリード及び第2のリードから放熱するため、より効率よい放熱特性を得ることが可能である。
この構成によれば、封止樹脂と、第1のリードとを密着性よく実装でき、半導体素子からの熱は第1のリード及び第2のリードから放熱するため、より効率よい放熱特性を得ることが可能である。
また本発明は、第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とに電気的接続用の電極を備えた半導体素子と、板状体からなる第1のリードを用意する工程と、板状体からなる第2のリードを用意する工程と、前記半導体素子の前記第1の面に当接するように板状体からなる第1のリードに、前記半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の第2の面に当接するように板状体からなる第2のリードを装着する工程と、前記半導体素子を覆うように樹脂封止を行なう工程と、前記第1のリードを、少なくとも先端が前記第2のリードと同一レベルになるように成型する工程とを有することを特徴とする。
この構成によれば、成型する工程で第1および第2のリードのレベルを調整することができるため、第1の端子と第2の端子との高さのばらつきを低減し、信頼性の高い雰囲気を提供することができる。なお第1および第2のリードを形成する工程は、プレス加工などによってなされる。また、これら第1および第2のリードをタイバーによってサイドレールに接続して一体化しておくことにより、実装作業性が良好となる
この構成によれば、成型する工程で第1および第2のリードのレベルを調整することができるため、第1の端子と第2の端子との高さのばらつきを低減し、信頼性の高い雰囲気を提供することができる。なお第1および第2のリードを形成する工程は、プレス加工などによってなされる。また、これら第1および第2のリードをタイバーによってサイドレールに接続して一体化しておくことにより、実装作業性が良好となる
以上詳述したように、本発明のリードフレームによれば、半導体素子の相対向する面およびこれらの間の面を囲むことになり、放熱性が良好で、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、周囲は完全に覆われていなくてもよい。
また、本発明の半導体装置によれば、放熱性が良好で信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1および第2の端子の位置を自由度をもたせて、揃えることができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
また、本発明の半導体装置によれば、放熱性が良好で信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1および第2の端子の位置を自由度をもたせて、揃えることができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1の半導体装置を示す断面説明図、図2は上面図である。この半導体装置は、第1の面2aと、前記第1の面に対向する第2の面2bとを有する半導体素子2としてのダイオードチップと、前記半導体素子2の前記第1の面に当接する板状体からなる第1のリード1aと、前記半導体素子2の前記第2の面2bに当接する板状体からなる第2のリード1bとを備え、前記第1のリード1aは、少なくとも先端が前記第2のリード1bと同一レベルになるように折り曲げ部を有することを特徴とする。
ここで半導体素子2は半田6a、6bを介してそれぞれ第1および第2の面2a、2bを第1および第2のリード1a、1bに接続され、第1および第2のリード1a、1bの表面が露呈するように、封止樹脂(エポキシ樹脂)4で被覆されている。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1の半導体装置を示す断面説明図、図2は上面図である。この半導体装置は、第1の面2aと、前記第1の面に対向する第2の面2bとを有する半導体素子2としてのダイオードチップと、前記半導体素子2の前記第1の面に当接する板状体からなる第1のリード1aと、前記半導体素子2の前記第2の面2bに当接する板状体からなる第2のリード1bとを備え、前記第1のリード1aは、少なくとも先端が前記第2のリード1bと同一レベルになるように折り曲げ部を有することを特徴とする。
ここで半導体素子2は半田6a、6bを介してそれぞれ第1および第2の面2a、2bを第1および第2のリード1a、1bに接続され、第1および第2のリード1a、1bの表面が露呈するように、封止樹脂(エポキシ樹脂)4で被覆されている。
この構成によれば、第1および第2のリード間に半導体素子を装着し、半導体素子を囲むように第1および第2のリードを成型し先端が前記第2のリードと同一レベルになるようにしていることから、この第1および第2のリードから放熱が効率よく行なわれ放熱性が大幅に向上する。また第1および第2のリードは直接プリント基板に接続されることになるため、接触抵抗も大幅に低減することが可能である。
次に、本発明の実施の形態の半導体装置の実装方法について説明する。
まず、厚さ0.15mm程度のCU板を用意し、金型成型により、図3に示すように、第1のリード1aを多数個配列し、タイバー12を介してサイドレール11に接続するように形状加工する。この成型の結果点板1aと側板1bと第2の端子1cとが形成される。
また、別途厚さ0.15mm程度のCU板を用意し、金型成型により、図4に示すように、第2のリード1bを多数個配列し、タイバー14を介してサイドレール13に接続するように形状加工する。
まず、厚さ0.15mm程度のCU板を用意し、金型成型により、図3に示すように、第1のリード1aを多数個配列し、タイバー12を介してサイドレール11に接続するように形状加工する。この成型の結果点板1aと側板1bと第2の端子1cとが形成される。
また、別途厚さ0.15mm程度のCU板を用意し、金型成型により、図4に示すように、第2のリード1bを多数個配列し、タイバー14を介してサイドレール13に接続するように形状加工する。
次いで、図5(a)に示すように、第2のリード1b上に、半田6bを介して半導体素子2を接合する。
この後、図5(b)に示すように、第1のリード1aを、半導体素子2上に位置決めし、半田6aを介して半導体素子2を第1のリード1aに接合する。
この後、図5(b)に示すように、第1のリード1aを、半導体素子2上に位置決めし、半田6aを介して半導体素子2を第1のリード1aに接合する。
この後、図5(c)に示すように、射出成型により、封止樹脂4を形成する。
そして最後に、第2のリード1bのタイバー14を切除すると共に第1のリード1aのタイバー12を切除し、第1のリードを成型する。
このようにして図1および図2に示したような半導体装置が形成される。
そして最後に、第2のリード1bのタイバー14を切除すると共に第1のリード1aのタイバー12を切除し、第1のリードを成型する。
このようにして図1および図2に示したような半導体装置が形成される。
そして、この半導体装置を第1の端子1aと、第2の端子1bとによってプリント基板上に実装する。
この構成によれば、第1及び第2のリード間に樹脂封止のなされた半導体素子2を装着しているため、この第1の端子1aと、第2の端子1bから放熱が効率よく行なわれ、半導体素子の大電流化が容易となる。また、動作時に半導体素子が発熱しても、この半導体素子の周囲を囲む第1および第2のリードを経由して空気中およびプリント基板側に逃がすことができ、その結果半導体装置の長寿命化をはかることができる。従ってパワーデバイスなどの大電流素子への適用が可能となる。
なお、封止樹脂4は金型を用いた射出成型によって行なうようにしたが、これに限定されるものではなく、ポッティングなどの方法を用いることも可能である。また、第1のリードの成型は封止樹脂4と間隔を隔てて形成したが、封止樹脂の側面に密着するように形成することも可能である。
さらにまた第1のリードの先端位置の調整が必要である場合も多いが、第1および第2の端子の成型を調整することで、プリント基板などの実装基板との接触性を高めることができる。
また、CU板の板厚は0.15mmとしたが、0.1mmから0.2mmの場合に、有効であることが確認されている。0.1mmに満たないと、放熱性と強度とが十分ではない。また0.2mmを越えるとCU板の場合、加工性が低下する。なお、封止樹脂との接触面などにおいては凹凸面を形成してもよい。また、プレス加工などの凹凸加工に先立ち、コイニングにより薄肉化しておくことで、より成型が容易となる。
さらにまた、封止樹脂としては熱可塑性樹脂のほか熱硬化性樹脂でもよい。従って、射出成型を用いてもよいし、液状樹脂をポッティングにより充填して硬化させるようにしてもよい。
(実施の形態2)
図6は本発明の実施の形態2の半導体装置を示す断面説明図、図7は斜視図(封止樹脂を除く)である。この半導体装置は、第1のリードの先端が外側方向に広がっていわゆるガルウィング形状を構成したものである。
他部については前記実施の形態1の半導体装置と同様に形成されているため、同一部位には同一符号を付した。
図6は本発明の実施の形態2の半導体装置を示す断面説明図、図7は斜視図(封止樹脂を除く)である。この半導体装置は、第1のリードの先端が外側方向に広がっていわゆるガルウィング形状を構成したものである。
他部については前記実施の形態1の半導体装置と同様に形成されているため、同一部位には同一符号を付した。
この構成によれば、効率よい放熱が実現される。
なお、第1および第2のリードの構造については、この構造に限定されることなく、適宜変更可能である。
(実施の形態3)
図8および図9は本発明の実施の形態3の半導体装置を示す説明図である。図8は断面説明図、図9は上面説明図である。この半導体装置においては、となる。
この半導体装置においては、封止樹脂4に沿ってリード1aの周縁部1dを折り曲げ、Jベンド形状にしたものである。
他部については前記実施の形態1の半導体装置と同様に形成されているため、同一部位には同一符号を付した。
図8および図9は本発明の実施の形態3の半導体装置を示す説明図である。図8は断面説明図、図9は上面説明図である。この半導体装置においては、となる。
この半導体装置においては、封止樹脂4に沿ってリード1aの周縁部1dを折り曲げ、Jベンド形状にしたものである。
他部については前記実施の形態1の半導体装置と同様に形成されているため、同一部位には同一符号を付した。
この構成によれば、上記実施の形態2と比較して、放熱性は若干劣るかもしれないが、占有面積が小さくなり、また取り扱いも容易である。
(実施の形態4)
図10は本発明の実施の形態4の半導体装置を示す説明図である。この半導体装置においては、前記実施の形態1の半導体装置の第1のリードを封止樹脂4の側面に密着させた点で前記実施の形態1の半導体装置と異なるのみであり他部については前記実施の形態1の半導体装置と同様に形成されているため、同一部位には同一符号を付した。
図10は本発明の実施の形態4の半導体装置を示す説明図である。この半導体装置においては、前記実施の形態1の半導体装置の第1のリードを封止樹脂4の側面に密着させた点で前記実施の形態1の半導体装置と異なるのみであり他部については前記実施の形態1の半導体装置と同様に形成されているため、同一部位には同一符号を付した。
この構成によれば、第1のリード1aが封止樹脂を介して半導体素子と密着しているため熱伝導により効率よく放熱がなされる。また、封止樹脂4と第1および第2のリードとで、半導体素子の略周囲を囲むことになり、強度が高くさらには耐湿性も高い。
なお、前記実施の形態では、第1および第2のリードを銅(Cu)で構成したがこのほか、リードフレーム材料としては、銅(Cu)系材料、又はその合金など、熱伝導性の良好な材料であれば適用可能である。また、導電性も良好であるのが望ましい。
また、前記実施の形態では、第1および第2のリードを同一材料でかつ同一の板厚で形成したが、第1のリードを第2のリードよりも薄く形成してもよい。この構成によれば、第1のリードは加工性が良好で所望の形状にリードを成型することができる。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードを第2のリードよりも板厚が大きくしてもよい。第1のリードの方が、プリント基板までの距離が長く配線長が長いが、ここでは、第1のリードは板厚が大きいため、比抵抗が小さく、低インピーダンスでかつ良好な接続が可能となる。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードを第2のリードよりも板厚が大きくしてもよい。第1のリードの方が、プリント基板までの距離が長く配線長が長いが、ここでは、第1のリードは板厚が大きいため、比抵抗が小さく、低インピーダンスでかつ良好な接続が可能となる。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードは第2のリードよりも硬度が小さいもので形成すれば、第1のリードの曲げ加工が容易となる。
また、上記リードフレームにおいて、第1のリードおよび第2のリードは異なる材料で構成すれば、第1および第2のリードそれぞれに要求される特性を考慮した材料の選択が可能で、より小型化をはかることができる。
また、上記リードフレームにおいて、前記第1のリードおよび第2のリードは同一材料で構成すれば、一括したプレス成型で容易に形成でき製造作業性が良好である。
またダイボンディングに際しては、半田を用いたが、導電性ペーストなど、熱伝導性の良好な導電性材料であればよい。また、半導体素子とリードフレームとの電気的接続を行なわない場合には熱伝導性の絶縁性接着剤を用いるのが望ましい。
また第2の端子を構成する突起は、真空蒸着、めっき、スタッドバンプ法など適宜形成可能である。
また第2の端子を構成する突起は、真空蒸着、めっき、スタッドバンプ法など適宜形成可能である。
また、前記実施の形態では2端子素子について説明したが、3端子素子以上あるいは多端子素子にも適用可能であることはいうまでもない。例えば他の端子は第1および第2のリードに直交した側を用いて形成するようにしてもよい。
さらにまた、前記実施の形態では、ダイオードについて説明したが、シリコン基板を用いたバイポーラトランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、化合物半導体基板を用いたHBTにも適用可能である。
本発明の半導体装置によれば、放熱性の向上をはかることができることから、大電流用デバイスを必要とする種々の電子機器に適用可能である。
1a 第1のリード
1b 第2のリード
2 半導体素子
4 樹脂
6 半田
1b 第2のリード
2 半導体素子
4 樹脂
6 半田
Claims (9)
- 第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とを有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記第1の面に当接する板状体からなる第1のリードと、
前記半導体素子の前記第2の面に当接する板状体からなる第2のリードとを備え、
前記第1のリードは、少なくとも先端が前記第2のリードと同一レベルになるように折り曲げ部を有する半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記半導体素子は前記第1および第2のリード間で樹脂封止された半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置であって、
前記第1のリードは第2のリードよりも板厚が小さい半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第1のリードは前記第2のリードの近傍で外側に折り曲げられたガルウィング形状である半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第1のリードは前記第2のリードの近傍で内側に折り曲げられたJベンド形状である半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第1のリードの先端は前記第2のリードのリード面と同一面に位置する半導体装置。 - 請求項2乃至6のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第1のリードは封止樹脂の外端よりも外方に突出し、前記封止樹脂の外端から所定の距離を隔てた位置で折り曲げられた半導体装置。 - 請求項2乃至6のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第1のリードは封止樹脂の外端よりも外方に突出し、前記封止樹脂の外端に密着するように折り曲げられた半導体装置。 - 第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とに電気的接続用の電極を備えた半導体素子と、
板状体からなる第1のリードを用意する工程と、
板状体からなる第2のリードを用意する工程と、
前記半導体素子の前記第1の面に当接するように板状体からなる第1のリードに、前記半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の第2の面に当接するように板状体からなる第2のリードを装着する工程と、
前記半導体素子を覆うように樹脂封止を行なう工程と、
前記第1のリードを、少なくとも先端が前記第2のリードと同一レベルになるように成型する工程とを有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008058177A JP2009218279A (ja) | 2008-03-07 | 2008-03-07 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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2008
- 2008-03-07 JP JP2008058177A patent/JP2009218279A/ja not_active Withdrawn
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