JP2009215212A - リン含有化合物およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】１分子で複数の金属へ配位できるような１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する新規配位子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】例えば（ジフェニルホスフィノ）ベンゼンスルホン酸に類する化合物と塩基性化合物とを反応させた後、ハロゲン化ホスフィンを反応させて得られる下記一般式ＩＩＩで表される化合物またはその塩の製造方法。

（ＩＩＩ中、Ｒ^１は、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２ＮＨ（Ｒ^２）、−ＣＯ_２Ｈ、−ＰＯ_３Ｈ、−ＡｓＯ_３Ｈ、−ＳｉＯ_２Ｈ、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨから選択される基を表す。Ｒ^２は置換基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、及びＸ^４は、炭素数１〜２０の置換または無置換の炭化水素基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。）
【選択図】なし

Description

本発明は、オレフィン重合反応、Ｈｅｃｋ反応等の触媒前駆体として極めて重要な、リン原子を複数有する配位性化合物、およびその製造方法に関するものである。

リン原子を有する配位性化合物は金属あるいはそのカチオンと金属錯体を形成し、この形成された金属錯体はオレフィン重合反応、Ｈｅｃｋ反応等の様々な反応に有効であることが知られている。例えば、モノホスフィンスルホン酸類を含む錯体はオレフィン重合反応に有効であり、モノホスフィンスルホン酸類を製造する方法が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。しかしながらこれらの手法で合成されるホスフィンスルホン酸配位子を含む金属錯体は極性オレフィンモノマーの配位重合反応において触媒活性、極性オレフィンモノマー導入率ともに十分とは言えず、従来とは異なるコンセプトの新規配位子、例えば１分子で複数の金属へ配位できるような、１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する新規配位子やその製造方法が必要とされている。これまでこのような１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する新規配位子やその製造方法は知られていなかった。従来のモノホスフィンスルホン酸類を製造する方法では、ベンゼンスルホン酸類とアルキルリチウム等とを反応させた後、アルコキシホスフィン類あるいはハロゲン化ホスフィン類とを反応させてスルホン酸部位の隣接位にホスフィン部を導入していたが、１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する化合物を合成する場合、位置を制御するのが困難である、すなわちホスフィン部の導入は、スルホン酸等の１つの配位性基、あるいはもう一方のホスフィン部の隣接位の２通りの導入部位が考えられ、構造を制御するのが難しいと考えられた。
特開２００７−６３２８０号公報 米国特許第５７６０２８６号明細書

本発明の目的は１分子で複数の金属へ配位できるような１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する新規配位子及びその製造方法を提供することである。

前記の課題は下記のような構成によって、選択的にかつ高収率にて１分子で複数の金属へ配位できるような１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する化合物が合成できることを見出し達成された。

（１）下記一般式Ｉで表される化合物またはその塩と塩基性化合物とを反応させた後、下記一般式ＩＩで表される化合物を反応させて得られる下記一般式ＩＩＩで表される化合物またはその塩の製造方法。

（一般式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩ中、Ｒ^１は、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２ＮＨ（Ｒ^２）、−ＣＯ_２Ｈ、−ＰＯ_３Ｈ、−ＡｓＯ_３Ｈ、−ＳｉＯ_２Ｈ、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨから選択される基を表す。Ｒ^２は置換基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、及びＸ^４は、炭素数１〜２０の置換または無置換の炭化水素基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基を表す。Ｙはハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基、アリールオキシ基、またはアミノ基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。）
（２）前記一般式Ｉ及びＩＩＩにおけるＲ^１が−ＳＯ_３Ｈ基である（１）に記載の製造方法。
（３）下記一般式ＩＩＩで表される化合物またはその塩。

（一般式ＩＩＩ中、Ｒ^１は、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２ＮＨ（Ｒ^２）、−ＣＯ_２Ｈ、−ＰＯ_３Ｈ、−ＡｓＯ_３Ｈ、−ＳｉＯ_２Ｈ、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨから選択される基を表す。Ｒ^２は置換基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、及びＸ^４は、炭素数１〜２０の置換または無置換の炭化水素基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。）

本発明によれば、１分子で複数の金属へ配位できるような１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する新規配位子及びその製造方法を提供することができる。１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する新規配位子を用いた錯体は重合触媒などに使用できると期待される。

本発明で用いられる一般式Ｉで表される化合物について詳しく述べる。

一般式Ｉ中、Ｒ^１は、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２ＮＨ（Ｒ^２）、−ＣＯ_２Ｈ、−ＰＯ_３Ｈ、−ＡｓＯ_３Ｈ、−ＳｉＯ_２Ｈ、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨから選択される基を表す。このうち−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２ＮＨ（Ｒ^２）、−ＣＯ_２Ｈ、−ＰＯ_３Ｈが好ましく、−ＳＯ_３Ｈが最も好ましい。

一般式Ｉ中、Ｒ^２は置換基を表す。置換基の例としては、アルキル基（直鎖もしくは分岐鎖の置換又は無置換のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のアルキル基で、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｔ−ペンチル、シクロプロピル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、ドデシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜５０、より好ましくは炭素数２〜１８の置換又は無置換のアルケニル基で、例えばビニル）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜５０、より好ましくは炭素数２〜１８の置換又は無置換のアルキニル基で、例えばエチニル）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜５０、より好ましくは炭素数３〜１８の置換又は無置換のシクロアルキル基で、例えばシクロヘキシル）、アリール基（好ましくは炭素数６〜５０、より好ましくは炭素数６〜２５の置換または無置換アリール基で、例えば、フェニル、ナフチル、アントリル）、

ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、沃素）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のアシルアミノ基で、例えば、アセチルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、トリフルオロアセチルアミノ、ピコリノイルアミノ）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数１〜５０のアシルオキシ基で、例えば、アセトキシ、テトラデカノイルオキシ、ベンゾイルオキシ）、アシル基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のアシル基で、例えば、ホルミル、アセチル、ピバロイル、テトラデカノイル、シクロヘキシルカルボニル、ベンゾイル、トリフルオロアセチル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜５０、より好ましくは炭素数７〜２５のアリールオキシカルボニル基で、例えば、フェノキシカルボニル、ナフトキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のカルバモイル基で、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ,Ｎ−ジエチルカルバモイル、Ｎ−メシルカルバモイル）、カルバモイルオキシ基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のカルバモイルオキシ基で、例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ）、カルボンアミド基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のカルボンアミド基で、例えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ベンツアミド）、スルホンアミド基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のスルホンアミド基で、例えば、メタンスルホンアミド、ドデカンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンアミド）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、オクチルオキシ、ｔ−オクチルオキシ、ドデシルオキシ、２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）エトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜５０、より好ましくは炭素数６〜２５のアリールオキシ基で、例えば、フェノキシ、４−メトキシフェノキシ、ナフトキシ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜５０、より好ましくは炭素数０〜２５のスルファモイル基で、例えば、スルファモイル、Ｎ−ブチルスルファモイル、Ｎ,Ｎ−ジエチルスルファモイル、Ｎ−メチルーＮ−（４―メトキシフェニル）スルファモイル）、

アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜５０、より好ましくは炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基で、例えば、シクロヘキシルオキシカルボニル、メトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル）、Ｎ−アシルスルファモイル基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のＮ−アシルスルファモイル基で、例えば、Ｎ−テトラデカノイルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル）、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のアルキルスルホニル基で、例えば、メタンスルホニル、イソプロピルスルホニル、シクロヘキシルスルホニル、オクチルスルホニル、２−メトキシエチルスルホニル、２−ヘキシルデシルスルホニル）、アリールスルホニル基（好ましくは炭素数６〜５０、より好ましくは炭素数６〜２５のアリールスルホニル基で、例えば、ベンゼンスルホニル、ｐ−トルエンスルホニル、４−フェニルスルホニル）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜５０、より好ましくは炭素数２〜１８のアルコキシカルボニルアミノ基で、例えば、エトキシカルボニルアミノ、イソプロピルカルボニルアミノ、シクロヘキシルカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜５０、より好ましくは炭素数７〜２５のアリールオキシカルボニルアミノ基で、例えば、フェニルカルボニルアミノ、ナフトキシカルボニルアミノ）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜５０、より好ましくは炭素数０〜１８のアミノ基で、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、アニリノ）、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、スルホ基、メルカプト基、アルキルスルフィニル基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のアルキルスルフィニル基で、例えば、メタンスルフィニル、オクタンスルフィニル）、アリールスルフィニル基（好ましくは炭素数６〜５０、より好ましくは炭素数６〜２５のアリールスルフィニル基で、例えば、ベンゼンスルフィニル、４―クロロフェニルスルフィニル、ｐ−トルエンスルフィニル）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜１８のアルキルチオ基で、例えば、メチルチオ、オクチルチオ、シクロヘキシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜５０、より好ましくは炭素数６〜２５のアリールチオ基で、例えばフェニルチオ、ナフチルチオ）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数1〜１８のウレイド基で、例えば３−メチルウレイド、３，３−ジメチルウレイド、１，３−ジフェニルウレイド）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数２〜５０、より好ましくは炭素数２〜２５のヘテロ環基で、ヘテロ原子としては例えば、窒素、酸素及びイオウ等を少なくとも１個以上含み、３ないし１２員環の単環、縮合環で、例えば、２−フリル、２−ピラニル、２−ピリジル、２−チエニル、２−イミダゾリル、モルホリノ、２−キノリル、２−ベンツイミダゾリル、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、２−キナゾリノン−３−イル、１，１−ジオキソ−１，２，４−ベンゾチアジアジン−３−イルなど）、スルファモイルアミノ基（好ましくは炭素数０〜５０、より好ましくは炭素数０〜１８のスルファモイルアミノ基で、例えば、Ｎ−ブチルスルファモイルアミノ、Ｎ−フェニルスルファモイルアミノ）、シリル基（好ましくは炭素数３〜５０のシリル基で、例えば、トリメチルシリル、ジメチル−ｔ−ブチルシリル、トリフェニルシリル）、ホスホニル基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜１８のホスホニル基で、例えばフェノキシホスホニル、オクチルオキシホスホニル、フェニルホスホニル）、アゾ基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜１８のアゾ基で、例えばフェニルアゾ）、イミド基（好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜１８のイミド基で、例えば、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）等が挙げられる。これらの置換基および環はさらに置換基により置換されていてもよく、その置換基の例としては前記の置換基として挙げた基が挙げられる。

一般式Ｉ中、ｎは０〜３の整数を表す。

一般式Ｉ中、Ｘ^１、Ｘ^２は、炭素数１〜２０の置換または無置換の炭化水素基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基を表す。上記炭素数１〜２０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基等の直鎖、分枝鎖または環状の脂肪族炭化水素基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、フルオレニル基、アズレニル基等の芳香族炭化水素基が挙げられる。またこれらの基の置換基としては、前述の置換基が挙げられる。

Ｘ^１、Ｘ^２の好ましい例としてはそれぞれ置換基を有してもよい炭素数１〜２０の炭化水素基が挙げられ、フェニル基がより好ましく、さらにオルト位に置換基を有するフェニル基が好ましく、オルト位にアルコキシ基等の極性の置換基を有するフェニル基が最も好ましい。

次に本発明で用いられる一般式ＩＩで表される化合物について詳しく述べる。

一般式ＩＩ中、Ｘ^３、Ｘ^４は、炭素数１〜２０の置換または無置換の炭化水素基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基を表す。Ｘ^３、Ｘ^４の例および好ましい範囲についてはＸ^１、Ｘ^２と同様である。

Ｙはハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基、アリールオキシ基、またはアミノ基を表す。
ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、沃素が挙げられ、塩素、臭素が好ましく、塩素が最も好ましい。
アルコキシ基として好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、オクチルオキシ、ｔ−オクチルオキシ、ドデシルオキシ、２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）エトキシが挙げられ、アリールオキシ基として好ましくは炭素数６〜２０のアリールオキシ基で、例えば、フェノキシ、４−メトキシフェノキシ、ナフトキシが挙げられ、アミノ基として好ましくは炭素数２〜２０のアミノ基で、例えば、メチルアミノ、ジエチルアミノが挙げられる。置換基の例としては、前述の置換基が挙げられる。

次に本発明の一般式ＩＩＩで表される化合物について詳しく述べる。

一般式ＩＩＩ中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４およびｎは、一般式Ｉおよび一般式ＩＩにおいて述べたものと同じものを表す。その例および好ましい範囲についても同様である。

本発明においては一般式Ｉで表される化合物またはその塩と塩基性化合物とを反応させた後、一般式ＩＩで表される化合物を反応させることにより一般式ＩＩＩで表される化合物あるいはその塩が製造される。

一般式Ｉで表される化合物または一般式ＩＩＩで表される化合物の塩としては、Ｒ^１において水素で示される部分がカチオン成分に置き換わった化合物であり、そのカチオン成分としては、アルカリ金属（例えばリチウム、ナトリウム、カリウム）、アルカリ土類金属（例えばマグネシウム、カルシウム）、４級アンモニウムカチオン（例えばテトラブチルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム）などの成分が挙げられる。

一般式Ｉで表される化合物を塩基性化合物と反応させる工程において、用いる塩基性化合物としてはアルキルあるいはアリールリチウム化合物（例えばｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、フェニルリチウム等）、アルキルあるいはアリールグリニャール試薬（例えばメチルマグネシウムブロマイド、ｎ−ブチルマグネシウムクロライド、フェニルマグネシウムブロマイドなど）等の有機金属化合物、アルカリ金属の水酸化物（例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等）、アルカリ土類金属の水酸化物（例えば水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等）、アルカリ金属の水素化物（例えば水素化ナトリウム等）、アルカリ土類金属の水素化物（例えば水素化カルシウム）等の無機の化合物が挙げられる。好ましくは有機金属化合物、アルカリ金属の水素化物であり、より好ましくはアルキルリチウム化合物である。
この工程において使用する塩基性化合物の量は一般式Ｉで表される化合物に対して０．５〜１００当量、好ましくは１〜１０当量の割合で使用される。
得られた中間体は塩として単離しても良いし、単離せずそのまま次の工程に用いても良い。

一般式Ｉで表される化合物と塩基性化合物とを反応させてできた中間体と一般式ＩＩで表される化合物とを反応させる工程において使用する化合物の割合は、一般式Ｉで表される化合物の塩基性化合物と反応させる前のモル数に対して一般式ＩＩで表される化合物を０．１〜１０当量、好ましくは０．５〜５当量の割合で使用する。

一般式Ｉで表される化合物を塩基性化合物と反応させる工程、及びその後の中間体と一般式ＩＩで表される化合物との反応により一般式ＩＩＩで表される化合物を製造する工程において、用いることができる溶媒の具体例としてはジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール、イソプロパノール、水などが挙げられ、これらの溶媒は単一で使用しても良いし、２種類以上を混合して使用しても良い。それぞれの工程において、溶媒は同一でも異なっていてもよい。溶媒は一般式Ｉで表される化合物１質量部あたり、または一般式ＩＩで表される化合物１質量部あたり０．５〜１０００質量部、好ましくは１〜５０質量部の割合で使用される。

一般式Ｉで表される化合物を塩基性化合物と反応させる工程、及びその中間体と一般式ＩＩで表される化合物との反応により一般式ＩＩＩで表される化合物を製造する工程において、反応温度は−２００〜１００℃が好ましく、−１００〜５０℃が好ましく、さらに好ましくは−８０〜２０℃である。反応時間は反応温度により異なり、通常数時間で反応が終結するが、より低い温度で反応を行った場合は長時間を要することもある。

一般式Ｉで表される化合物を塩基性化合物と反応させる工程、及びその中間体と一般式ＩＩで表される化合物との反応により一般式ＩＩＩで表される化合物を製造する工程において、反応は大気中で行ってもよいが、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気下で行うほうが好ましい。

本発明の方法により合成できる一般式ＩＩＩで表される化合物またはその塩は再結晶、蒸留、カラムクロマトグラフィー等の方法を単独又は組み合わせて精製してもよい。

一般式Ｉで表される化合物は特開昭６３−２２７６３１号公報に記載の方法あるいはその他公知の方法にて合成できる。一般式ＩＩで表される化合物はＣｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ ２００２ ９６４に記載の方法あるいはその他公知の方法にて合成できる。塩基性化合物は市販のものをそのまま用いることができる。

次に一般式Ｉで表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらだけに限定されない。

次に一般式ＩＩで表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらだけに限定されない。

次に一般式ＩＩＩで表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらだけに限定されない。

以下の実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
下記実施例において、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）は市販の脱水グレードのものを用いた。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ、ヘキサン溶液）は市販のものを用いた。原料は特開昭６３−２２７６３１号公報に記載の方法あるいはその他公知の方法にて合成した。その他、溶媒および試薬は市販のものをそのまま用いた。

〔実施例１：２，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼンスルホン酸（前記例示化合物（ＩＩＩ−１））の合成〕
アルゴン置換したシュレンクフラスコに(ジフェニルホスフィノ)ベンゼンスルホン酸(１．４１ｇ、４．１３ｍｍｏｌ)と１０ｍＬのＴＨＦを加えた。次いでシュレンクフラスコをドライアイス／メタノール浴中に置き、約−７８℃まで冷却した。ここにｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ、ヘキサン溶液）５．４ｍＬ（８．６７ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。次いで室温まで加温し４時間撹拌した。次にシュレンクフラスコを約−７８℃まで冷却後、ジフェニルクロロホスフィン（０．７４ｍＬ、４．１３ｍｍｏｌ）を添加した。室温まで加温後１時間攪拌した。
蒸留水１ｍＬを滴下した後、ジエチルエーテル１５ｍＬ、蒸留水２０ｍＬを加え攪拌し、次いで静置することで２つの層を形成させた。上部の有機相を除去した上で、水相に分散した白色固体を濾別し、蒸留水で洗浄後、乾燥することで前記例示化合物（ＩＩＩ−１）を得た（収量:１．３４ｇ、 収率６２％）。

実施例１で得られた２，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼンスルホン酸の重水素化クロロホルム溶液の^１ＨＮＭＲスペクトルである。

Claims (3)

1. 下記一般式Ｉで表される化合物またはその塩と塩基性化合物とを反応させた後、下記一般式ＩＩで表される化合物を反応させて得られる下記一般式ＩＩＩで表される化合物またはその塩の製造方法。
   

   

   （一般式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩ中、Ｒ^１は、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２ＮＨ（Ｒ^２）、−ＣＯ_２Ｈ、−ＰＯ_３Ｈ、−ＡｓＯ_３Ｈ、−ＳｉＯ_２Ｈ、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨから選択される基を表す。Ｒ^２は置換基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、及びＸ^４は、炭素数１〜２０の置換または無置換の炭化水素基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基を表す。Ｙはハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基、アリールオキシ基、またはアミノ基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。）
2. 前記一般式Ｉ及びＩＩＩにおけるＲ^１が−ＳＯ_３Ｈ基である請求項１に記載の製造方法。
3. 下記一般式ＩＩＩで表される化合物またはその塩。
   

   

   （一般式ＩＩＩ中、Ｒ^１は、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２ＮＨ（Ｒ^２）、−ＣＯ_２Ｈ、−ＰＯ_３Ｈ、−ＡｓＯ_３Ｈ、−ＳｉＯ_２Ｈ、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨから選択される基を表す。Ｒ^２は置換基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、及びＸ^４は、炭素数１〜２０の置換または無置換の炭化水素基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。）

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