JP2009200418A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】黒色フィルタを形成しても、一定の膜厚のカラーフィルタを形成することができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオード12が配列形成された半導体基板11上にベース層16を形成する工程と、このベース層16上でありかつ、各フォトダイオード12の上部に、それぞれ青色、緑色、赤色のいずれか1種類の波長帯域のみを透過させるカラーフィルタ17を形成する工程と、これらのカラーフィルタ17が形成されたベース層16上に、黒色レジスト層18´を全面塗布する工程と、カラーフィルタ17が上部に露出するように黒色レジスト層18´を除去して平坦化することで黒色フィルタ18を形成する工程と、を具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【選択図】図5

Description

本発明は、固体撮像装置の製造方法に関するものであり、特に、固体撮像装置の画素間に形成される黒色フィルタの製造方法に関する。
従来の固体撮像装置は、半導体基板に複数のフォトダイオードが2次元配列形成され、これら各フォトダイオード上には青色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタまたは赤色カラーフィルタのいずれか1種類のカラーフィルタが形成されていた。さらに、これら青、緑、赤色カラーフィルタの上部には外部から入射される光を集光するためのマイクロレンズが形成されており、これらフォトダイオード、カラーフィルタ、マイクロレンズの積層構造により画素が形成されていた。このような固体撮像装置は、青、緑、赤色カラーフィルタそれぞれの間に可視光を遮断する黒色フィルタが形成されており、この黒色フィルタによって配線金属による入射光の乱反射や、斜め入射によって、画素領域外からフォトダイオードに入射される光の受光を防止していた。
この黒色フィルタの製造方法として、次の2通りの方法が知られている。すなわち、透明樹脂層をパターニングにより所望の位置に形成し、これに黒染料で染色する方法(特許文献1)と、赤色、青色、緑色の各カラーフィルタを所望の位置に積層する方法(特許文献2)である。しかし、黒染料で染色する方法は、パターニング透明な樹脂層に感光性を持たせるために環境汚染物質であるクロムを使用するため、好ましい方法ではない。また、一般に黒色顔料の染色工程のランニングコストは高いため、現在はあまり使用されておらず、各カラーフィルタを積層する方法が主流である。
一方、赤色、青色、緑色の各カラーフィルタを所望の位置に積層する方法は、以下のように形成していた。すなわち、フォトダイオードが形成された半導体基板の上部に緑色カラーフィルタをスピンコート法によって全面塗布した後、緑色の光を受光するフォトダイオードの上部のみを除去する。これと同様に赤色カラーフィルタ、青色カラーフィルタをそれぞれのフォトダイオードの上部に形成する。このとき、画素領域間には各カラーフィルタが積層されおり、このカラーフィルタの積層構造により、黒色フィルタを形成していた。
しかし、凹凸のある表面に対してこのスピンコート法を適用すると、凸部ではカラーフィルタ層に切れが生じ、凹部ではカラーフィルタ層にレジスト溜りが生じ、均一な膜厚のカラーフィルタ層を得ることは困難であった。従って、このような塗布ムラを有する層上に他の層が積層される場合、さらに大きな塗布ムラを生じてしまう。このため、上層に積層されるほどカラーフィルタの膜厚に大きな差が生じ、カラーフィルタの透過特性にばらつきが生じるという問題があった。
特開平6−125071号公報 特開2000−329928号公報
本発明の課題は、カラーフィルタを制御よく形成することができる固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
本発明による固体撮像装置の製造方法は、フォトダイオードが配列形成された半導体基板上にベース層を形成する工程と、このベース層上でありかつ、前記各フォトダイオードの上部に、複数色のうちのいずれか1種類の波長帯域のみを透過させるカラーフィルタを形成する工程と、これらのカラーフィルタが形成された前記ベース層上に、黒色レジスト層を全面塗布する工程と、前記カラーフィルタが上部に露出するように前記黒色レジスト層を除去して平坦化することで黒色フィルタを形成する工程と、を具備することを特徴とするものである。
本発明によれば、カラーフィルタを制御よく形成することができる固体撮像装置の製造方法を提供することができる。
以下に、本発明による固体撮像装置の実施形態について、図1〜図10を用いて詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態による固体撮像装置の上面図を示す。さらに図2(a)は、図1に示す固体撮像装置の破線A-A’に沿った構造断面図を示し、同図(b)は図1に示す固体撮像装置の破線B-B’に沿った構造断面図を示す。
図2に示すように、本実施形態による固体撮像装置は、半導体基板11に2次元配列状に埋め込みフォトダイオード12が形成されており、これら複数のフォトダイオード12が形成された半導体基板11上には配線層13が形成されている。この配線層13は、半導体基板11上において、複数形成されたフォトダイオード12の間に形成された転送電極14上に、第1の絶縁層15−1を介して形成されている。なお、本実施形態において配線層13は、第1の配線層13−1と、この上部に形成され、第2の絶縁層15−2を介して形成された第2の配線層13−2からなる2層配線構造である。このような配線層13上にはベース層16が形成されおり、このベース層16上にカラーフィルタ17が形成されている。このカラーフィルタ17は、フォトダイオード12の上部に位置するように形成されており、本実施形態においては、青色カラーフィルタ17−1、緑色カラーフィルタ17−2、赤色カラーフィルタ17−3の3種類がベイヤー配列状に形成されている。さらにこれらのカラーフィルタ17間には黒色フィルタ18が形成されており、これらカラーフィルタ17および黒色フィルタ18上にはオーバーコート層19が形成され、この上部にマイクロレンズ20が形成されている。
次に、本実施形態による固体撮像装置の製造方法について、図3〜図7を参照して説明する。なお、図3〜図7の各図は、図2に示す構造断面図と同じ箇所について示している。
はじめに、図3に示すように、フォトダイオード12が埋め込み形成された半導体基板11に、配線層13を形成し、この配線層13上に、ベース層16を上部が平坦になるように形成する。
次に、図4に示すように、ベース層16の上部にそれぞれ緑色カラーフィルタ17−2、赤色カラーフィルタ17−3、青色カラーフィルタ17−1の順で、ベイヤー配列になるように各カラーフィルタ17−1、17−2、17−3を、カラーレジストをスピン塗布後、パターニングすることで形成する。
次に、図5に示すように、カラーフィルタ17が形成されたベース層16上に、黒色レジスト層18´をスピン塗布により全面塗布する。このとき粘性の低い黒色レジスト18´を塗布することで、黒色レジスト層18´の上面は平坦化される。
次に、図6に示すように、各カラーフィルタ17−1、17−2、17−3が上部に露出するように黒色レジスト層18´の上面をエッチバックにより平坦化し、黒色フィルタ18を形成する。
次に、図7に示すように、各カラーフィルタ17−1、17−2、17−3及び黒色フィルタ18上に、透明層であるオーバーコート層19を形成する。このオーバーコート層19は、平坦化層として機能する層であるが、図6に示すように、オーバーコート層19が形成される前にすでに平坦化されているため、従来のように厚く形成することで平坦化する必要はない。
最後に、オーバーコート層19上にマイクロレンズ20を形成することで、図1および図2に示すような本実施形態の固体撮像装置が製造できる。
以上のように、本実施形態による固体撮像装置の製造方法によれば、ベース層16上に各カラーフィルタ17を覆うように黒色レジスト18´を、上面が平坦化されるように塗布し、各カラーフィルタ17が上部に出現するまでこの黒色レジスト18´をエッチバックすることで黒色フィルタ18を形成する。このため、黒色フィルタ18を形成しても、各カラーフィルタ17の表面がほぼ均一な固体撮像装置を形成することができる。また、オーバーコート層19が形成される前にすでに上部が平坦化されているため、従来のように厚く形成することで平坦化する必要がなく、従来より画素の薄膜化を実現することができる。さらに、本実施形態によれば、パターニングにより黒色フィルタ18を形成する必要がないため、黒色レジスト18´を使用することができる。この黒色レジスト18´は、透明樹脂に黒色顔料を混ぜて形成する黒色フィルタに比べて遮光性も高い。
(第2の実施形態)
図8は、他の実施形態による固体撮像装置を示す。なお、本実施形態において上面図は図1と同様であるため省略し、図8(a)には、図1に示す固体撮像装置の破線A-A’に沿った構造断面図を示し、同図(b)は図1に示す固体撮像装置の破線B-B’に沿った構造断面図を示す。
図8に示すように、本実施形態による固体撮像装置は、配線層13上に形成されたベース層16が平坦化されていないことを特徴とするものであり、他の構成は第1の実施形態と同様である。
次に、このような第2の実施形態による固体撮像装置の製造方法について、図9及び図10を参照して説明する。なお、図9及び図10は、図8に示す構造断面図と同じ箇所について示している。また、本実施形態による固体撮像装置の製造方法も、第1の実施形態とほぼ同様であるため、カラーフィルタ17及び黒色レジスト18´を製造する工程のみを説明する。
まず図9に示すように、フォトダイオード12上に凹部が形成される程度の膜厚で薄く形成されたベース層16の凹部に、緑色カラーフィルタ17−2、赤色カラーフィルタ17−3、青色カラーフィルタ17−1の順で、ベイヤー配列になるように各カラーフィルタ17−1、17−2、17−3を形成する。
次に、図10に示すように、凹部にカラーフィルタ17が形成されたベース層16上に、黒色レジスト18´を全面塗布する。
以下の製造工程は、第1の実施形態と同様である。
このように、第2の実施形態による固体撮像装置の製造方法であっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることが可能である。さらに本実施形態においては、ベース層16を平坦化しない程度に薄く形成しているため、第1の実施形態と比較して、より画素の薄膜化を実現することができる。
以上に本発明の実施形態を示したが、実施形態はこれに限るものではない。
例えば、各カラーフィルタ17−1、17−2、17−3を製造する順序は、上記に示した順序に限るものではなく、どんな順序であってもよい。また、カラーフィルタは緑、赤、青に限らず、Ye(黄)、Cy(シアン)、Mg(マゼンタ)、Gr(緑)等の補色フィルタであってもよい。
また、配線層13は2層配線構造に限らず、何層の配線構造であってもよい。
さらに、カラーフィルタがベイヤー配列状に形成された固体撮像装置に限らず、各カラーフィルタの配列が異なるもの、マイクロレンズを採用しないもの、リニヤセンサ等についても、本実施の形態を適用することができる。
第1及び第2の実施形態による固体撮像装置の上面図を示す。 第1の実施形態による固体撮像装置の構造断面図であり、同図(a)は、図1に示す固体撮像装置の破線A-A’に沿った構造断面図を示し、同図(b)は図1に示す固体撮像装置の破線B-B’に沿った構造断面図を示す。 第1の実施形態による固体撮像装置の製造方法を説明するための説明図である。 第1の実施形態による固体撮像装置の製造方法を説明するための説明図である。 第1の実施形態による固体撮像装置の製造方法を説明するための説明図である。 第1の実施形態による固体撮像装置の製造方法を説明するための説明図である。 第1の実施形態による固体撮像装置の製造方法を説明するための説明図である。 第2の実施形態による固体撮像装置の構造断面図であり、同図(a)は、図1に示す固体撮像装置の破線A-A’に沿った構造断面図を示し、同図(b)は図1に示す固体撮像装置の破線B-B’に沿った構造断面図を示す。 第2の実施形態による固体撮像装置の製造方法を説明するための説明図である。 第2の実施形態による固体撮像装置の製造方法を説明するための説明図である。
符号の説明
11・・・半導体基板
12・・・フォトダイオード
13・・・配線層
13−1・・・第1の配線層
13−2・・・第2の配線層
14・・・転送電極
15−1・・・第1の絶縁層
15−2・・・第2の絶縁層
16・・・ベース層
17・・・カラーフィルタ
17−1・・・青色カラーフィルタ
17−2・・・緑色カラーフィルタ
17−3・・・赤色カラーフィルタ
18・・・黒色フィルタ
18´・・・黒色レジスト層
19・・・オーバーコート層
20・・・マイクロレンズ

Claims (3)

  1. フォトダイオードが配列形成された半導体基板上にベース層を形成する工程と、
    このベース層上でありかつ、前記各フォトダイオードの上部に、複数色のうちのいずれか1種類の波長帯域のみを透過させるカラーフィルタを形成する工程と、
    これらのカラーフィルタが形成された前記ベース層上に、黒色レジスト層を全面塗布する工程と、
    前記カラーフィルタが上部に露出するように前記黒色レジスト層を除去して平坦化することで黒色フィルタを形成する工程と、
    を具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. 前記黒色フィルタを形成する工程は、前記塗布された黒色レジスト層をエッチバックにより平坦化する工程であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記ベース層を形成する工程は、前記フォトダイオード上に凹部を有するように形成することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677202A (en) * 1995-11-20 1997-10-14 Eastman Kodak Company Method for making planar color filter array for image sensors with embedded color filter arrays
US5776641A (en) * 1997-01-24 1998-07-07 Eastman Kodak Company Method of making color filter arrays by colorant transfer using chemical mechanical polishing
JP2003332547A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2005086186A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置とその製造方法
US7180044B2 (en) * 2004-12-03 2007-02-20 United Microelectronics Corp. Image sensor device with color filters and manufacturing method thereof

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