JP2009194192A

JP2009194192A - Method for processing substrate and processing apparatus therefor, and method of manufacturing substrate for electrooptical device

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Publication number: JP2009194192A
Application number: JP2008034104A
Authority: JP
Inventors: Yoshikatsu Kato; 好活加藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-02-15
Filing date: 2008-02-15
Publication date: 2009-08-27

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for processing a substrate, wherein wiring or elements on the substrate can be prevented from being electrostatically broken, and to provide an apparatus for processing the substrate. SOLUTION: The method for processing the substrate 210 in which the substrate 210 mounted on a processing stage 211 is rotated about a perpendicular axis Y and a processing liquid is supplied to one surface of the substrate 210 to process the substrate 210 includes: a step A of mounting the substrate 210 on the processing stage 211; a step B of supplying an atomized liquid onto the substrate 210; and a step C of supplying the processing liquid onto the substrate 210 after the step B. Thus, the atomized processing liquid is supplied to the substrate 210 having been electrostatically charged to suppress abrupt electric charge migration from the substrate 210, thereby preventing the wiring or elements on the substrate 210 from being electrostatically broken. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、回転する基板上に薬液などの処理液を供給して基板を処理する、基板の処理方法および基板の処理装置並びに電気光学装置用基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device, in which a processing solution such as a chemical solution is supplied onto a rotating substrate.

半導体装置用基板、電気光学装置用基板などの基板の処理において、回転する基板上に薬液などの処理液を供給して基板を処理する処理装置が知られている。
このような基板の処理装置において、基板を処理ステージに載置したときに基板が帯電し、処理液を供給したときに処理液を通して電荷の流れが起こり、基板に形成された絶縁膜を突き破る静電破壊が生ずる問題がある。
この問題を解消するために、例えば特許文献１に、イオン化エアーを基板に噴射させることで静電気を除去する基板の処理装置が提案されている。 2. Description of the Related Art In processing of a substrate such as a substrate for a semiconductor device or a substrate for an electro-optical device, a processing apparatus is known that processes a substrate by supplying a processing solution such as a chemical solution onto a rotating substrate.
In such a substrate processing apparatus, the substrate is charged when the substrate is placed on the processing stage, and when the processing liquid is supplied, a flow of electric charges occurs through the processing liquid, and the static electricity that breaks through the insulating film formed on the substrate. There is a problem that electric breakdown occurs.
In order to solve this problem, for example, Patent Document 1 proposes a substrate processing apparatus that removes static electricity by spraying ionized air onto a substrate.

特開平７−６６１６３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-66163

しかしながら、上記のような基板の処理装置では、基板の広い範囲にわたってイオン化エアーを噴射させて、確実にしかも短時間に除電することは困難であり、静電気を除去する充分な効果が得られない。このため、基板に静電破壊が生ずる問題が残っている。 However, in the substrate processing apparatus as described above, it is difficult to discharge ionized air reliably and in a short time over a wide range of the substrate, and a sufficient effect of removing static electricity cannot be obtained. For this reason, the problem that an electrostatic breakdown arises in a board | substrate remains.

本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例にかかる基板の処理方法は、処理ステージに載置された基板を鉛直軸周りに回転させ、該基板の一方の面に処理液を供給することにより前記基板を処理する基板の処理方法であって、前記処理ステージ上に前記基板を載置する工程Ａと、前記基板の上に霧状の液体を供給する工程Ｂと、前記工程Ｂの後に、前記基板の上に前記処理液を供給する工程Ｃと、を備えることを特徴とする。 [Application Example 1] In the substrate processing method according to this application example, the substrate placed on the processing stage is rotated around the vertical axis, and the substrate is processed by supplying the processing liquid to one surface of the substrate. A substrate processing method comprising: a step A for placing the substrate on the processing stage; a step B for supplying a mist-like liquid on the substrate; and a step B after the step B. And a step C of supplying the treatment liquid.

この方法によれば、上記工程Ｂにおいて処理ステージに載置された基板に霧状の液体を供給する。処理ステージに載置された基板が帯電している状態において、基板に霧状の液体を供給することで、基板からの急激な電荷移動が抑制されて基板の静電破壊を防止することができる。そして、その後、所定の処理を行うことで、基板上の配線または素子の静電破壊を抑制可能な基板の処理方法を提供できる。 According to this method, the mist liquid is supplied to the substrate placed on the processing stage in the step B. By supplying a mist-like liquid to the substrate while the substrate placed on the processing stage is charged, rapid charge transfer from the substrate can be suppressed and electrostatic breakdown of the substrate can be prevented. . Then, a substrate processing method capable of suppressing electrostatic breakdown of wiring or elements on the substrate can be provided by performing predetermined processing thereafter.

［適用例２］上記適用例にかかる基板の処理方法において、前記霧状の液体は、水、炭酸水および薬液のうち、少なくとも一つを含むことが望ましい。 Application Example 2 In the substrate processing method according to the application example, it is preferable that the mist-like liquid includes at least one of water, carbonated water, and a chemical solution.

この方法によれば、霧状の液体は、基板の処理工程に応じて水、炭酸水および薬液の中から選択することが可能であり、様々な処理工程に対応できる基板の処理方法を提供できる。 According to this method, the mist-like liquid can be selected from water, carbonated water, and a chemical solution according to the substrate processing step, and can provide a substrate processing method that can cope with various processing steps. .

［適用例３］上記適用例にかかる基板の処理方法において、前記基板は、該基板上にスイッチング素子または容量素子を具備して構成される電気光学装置用基板であって、前記スイッチング素子または前記容量素子を前記電気光学装置用基板上に形成する工程において、前記工程Ａ乃至Ｃをこの順で実施することを特徴とする。 Application Example 3 In the substrate processing method according to the application example, the substrate is a substrate for an electro-optical device configured to include a switching element or a capacitor element on the substrate, and the switching element or the substrate In the step of forming the capacitor element on the electro-optical device substrate, the steps A to C are performed in this order.

この方法によれば、電気光学装置の製造工程において、静電破壊が生じやすいスイッチング素子および容量素子に静電破壊が生じることなく形成することが可能となり、電気光学装置の製造歩留まりを向上させることができる。 According to this method, in the manufacturing process of the electro-optical device, it becomes possible to form the switching element and the capacitive element that are likely to cause electrostatic breakdown without causing electrostatic breakdown, thereby improving the manufacturing yield of the electro-optical device. Can do.

［適用例４］本適用例にかかる基板の処理装置は、基板を鉛直軸周りに回転させ、該基板の一方の面に処理液を供給することにより前記基板を処理する基板の処理装置であって、前記基板が載置される処理ステージと、前記基板上に霧状の液体を供給するミスト供給ノズルと、前記基板上に前記処理液を供給する処理液供給ノズルと、が備えられていることを特徴とする。 Application Example 4 A substrate processing apparatus according to this application example is a substrate processing apparatus that processes a substrate by rotating the substrate around a vertical axis and supplying a processing liquid to one surface of the substrate. And a processing stage on which the substrate is placed, a mist supply nozzle for supplying a mist-like liquid onto the substrate, and a processing liquid supply nozzle for supplying the processing liquid onto the substrate. It is characterized by that.

この構成によれば、基板に霧状の液体を供給するミスト供給ノズルが備えられていることから、処理ステージに載置された基板に霧状の液体を供給できる。処理ステージに載置された基板が帯電している状態において、基板に霧状の液体を供給することで、急激な電荷移動が抑制されて基板上の配線または素子の静電破壊を抑制することができる。
このように、本適用例によれば、基板上の配線または素子の静電破壊を抑制できる基板の処理装置を提供できる。 According to this configuration, since the mist supply nozzle that supplies the mist-like liquid to the substrate is provided, the mist-like liquid can be supplied to the substrate placed on the processing stage. In a state where the substrate placed on the processing stage is charged, supplying a mist-like liquid to the substrate suppresses rapid charge movement and suppresses electrostatic breakdown of wiring or elements on the substrate. Can do.
Thus, according to this application example, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing electrostatic breakdown of wiring or elements on the substrate.

［適用例５］上記適用例にかかる基板の処理装置において、前記ミスト供給ノズルから、水、炭酸水および薬液のうち、少なくとも一つの霧状の液体が前記基板上に供給されることが望ましい。 Application Example 5 In the substrate processing apparatus according to the application example described above, it is preferable that at least one mist-like liquid among water, carbonated water, and a chemical solution is supplied onto the substrate from the mist supply nozzle.

この構成によれば、霧状の液体は、基板の処理工程に応じて水、炭酸水および薬液の中から選択することができ、様々な処理工程に対応できる基板の処理装置を提供できる。 According to this configuration, the mist-like liquid can be selected from water, carbonated water, and a chemical solution according to the substrate processing process, and a substrate processing apparatus that can cope with various processing processes can be provided.

本発明の実施形態の説明に先立ち、本実施形態の理解のために基板上の配線または素子が静電破壊される原因について考察する。
図１０は、ウェット処理装置における基板に形成された素子に静電破壊が生ずる状態を説明する説明図である。 Prior to the description of the embodiment of the present invention, the cause of electrostatic breakdown of wirings or elements on a substrate will be considered for understanding the present embodiment.
FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining a state in which electrostatic breakdown occurs in an element formed on a substrate in a wet processing apparatus.

図１０（ａ）に示すように、ウェット処理装置には基板２１０が載置されて処理が行われる処理ステージ２１１と、処理ステージ２１１に設けられ基板２１０をチャックするチャックピン２１２と、処理ステージ２１１の周りに配置され薬液などを捕集するカップ２５０を備えている。
処理ステージ２１１に載置される前の基板２１０は、表面に絶縁膜が形成され静電気として中性の状態である。
また、処理ステージ２１１およびカップ２５０はフッ素樹脂などで形成され、処理ステージ２１１の回転による空気との摩擦などにより、負の静電気を帯びている。 As shown in FIG. 10A, a processing stage 211 on which a substrate 210 is placed and processed, a chuck pin 212 provided on the processing stage 211 and chucking the substrate 210, and the processing stage 211. A cup 250 that is disposed around and collects chemicals and the like is provided.
The substrate 210 before being placed on the processing stage 211 is in a neutral state as static electricity with an insulating film formed on the surface.
Further, the processing stage 211 and the cup 250 are made of fluororesin or the like, and are negatively charged due to friction with air due to rotation of the processing stage 211.

そして、図１０（ｂ）に示すように、基板２１０が処理ステージ２１１に載置されチャックピン２１２で保持されると、基板２１０内の自由電子が処理ステージ２１１およびカップ２５０からの斥力を受けて基板２１０内で電荷の偏りが生じる。電荷の偏りは処理ステージ２１１から遠い位置にある基板２１０の上面側に偏り、基板２１０は負の帯電値を示す。 Then, as shown in FIG. 10B, when the substrate 210 is placed on the processing stage 211 and held by the chuck pins 212, free electrons in the substrate 210 receive repulsive force from the processing stage 211 and the cup 250. Charge bias occurs in the substrate 210. The charge bias is biased toward the upper surface side of the substrate 210 located far from the processing stage 211, and the substrate 210 exhibits a negative charge value.

次に、図１０（ｃ）に示すように、負に帯電した処理液供給ノズル２２２が基板２１０に接近すると、基板２１０の自由電子はさらに斥力を受ける。
ここで、図１０（ｄ）に示すように、処理液供給ノズル２２２から処理液が吐出され、処理液が基板２１０に触れたとき、斥力を受けていた電荷が処理液に逃げる。また、この処理液が基板２１０に触れる直前において、処理液と基板２１０の間で放電が発生する。電荷は基板２１０内を移動して処理液の接触位置で基板２１０上の絶縁膜を通り抜けて、処理液へ移動する。このようにして、基板２１０上の絶縁膜を破壊する静電破壊が生ずると考えられる。例えば基板２１０の絶縁膜の下に素子が形成されている場合には、絶縁膜が破壊されることで素子としての機能を失う。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
（実施形態） Next, as shown in FIG. 10C, when the negatively charged processing liquid supply nozzle 222 approaches the substrate 210, the free electrons of the substrate 210 are further subjected to repulsive force.
Here, as illustrated in FIG. 10D, when the processing liquid is discharged from the processing liquid supply nozzle 222 and the processing liquid touches the substrate 210, the recharged electric charge escapes to the processing liquid. In addition, immediately before the processing liquid touches the substrate 210, a discharge occurs between the processing liquid and the substrate 210. The electric charge moves through the substrate 210, passes through the insulating film on the substrate 210 at the contact position of the processing liquid, and moves to the processing liquid. In this manner, it is considered that electrostatic breakdown that destroys the insulating film on the substrate 210 occurs. For example, in the case where an element is formed under the insulating film of the substrate 210, the function as the element is lost due to destruction of the insulating film.
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment)

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は本実施形態における基板の処理装置としてのウェット処理装置の概略構成を示す模式断面図である。図２はウェット処理装置の概略斜視図である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a wet processing apparatus as a substrate processing apparatus in the present embodiment. FIG. 2 is a schematic perspective view of the wet processing apparatus.

以下に述べる本実施形態は、液晶装置、プラズマディスプレイ装置、有機エレクトロルミネッセンス装置などの電気光学装置用の基板において、基板のエッチング、洗浄などを行う処理装置の一例である。 The present embodiment described below is an example of a processing apparatus that performs etching, cleaning, and the like on a substrate for an electro-optical device such as a liquid crystal device, a plasma display device, or an organic electroluminescence device.

ウェット処理装置２０１は、処理室２０２内に、基板２１０の被処理面２１０ａを上向きに支持し鉛直軸Ｙ周りに回転させる処理ステージ２１１と、処理ステージ２１１上に支持されている基板２１０の被処理面２１０ａ上に霧状の液体を供給するミスト供給ノズル２２１と、処理液を供給する処理液供給ノズル２２２と、を備えている。このミスト供給ノズル２２１および処理液供給ノズル２２２は、処理ステージ２１１上方に進入、退出可能に構成されている。
ここで、処理液とは純水、炭酸水などの洗浄液、エッチング液などの薬液などを指している。エッチング液としては、例えば、フッ酸、希フッ酸、フッ酸と硝酸との混合液である混酸（フッ硝酸）および水酸化カリウムなどが挙げられる。 In the processing chamber 202, the wet processing apparatus 201 supports the processing surface 210a of the substrate 210 upward and rotates it around the vertical axis Y, and the processing target of the substrate 210 supported on the processing stage 211. A mist supply nozzle 221 for supplying a mist-like liquid and a processing liquid supply nozzle 222 for supplying a processing liquid are provided on the surface 210a. The mist supply nozzle 221 and the processing liquid supply nozzle 222 are configured to be able to enter and exit above the processing stage 211.
Here, the treatment liquid refers to a cleaning liquid such as pure water or carbonated water, or a chemical liquid such as an etching liquid. Examples of the etchant include hydrofluoric acid, dilute hydrofluoric acid, mixed acid (hydrofluoric nitric acid) that is a mixed liquid of hydrofluoric acid and nitric acid, and potassium hydroxide.

また、ウェット処理装置２０１には、図示しないが、処理室２０２内に基板２１０を搬入および搬出する基板搬送装置や、処理室２０２内に窒素ガスなどを供給するガス供給装置などが設けられている。また、処理室２０２の底部には開口部２０４が設けられ、処理液回収経路２５６を経て、回収液貯蔵タンク２７２に繋がっている。 In addition, although not shown, the wet processing apparatus 201 is provided with a substrate transfer apparatus that carries the substrate 210 into and out of the processing chamber 202, a gas supply apparatus that supplies nitrogen gas or the like into the processing chamber 202, and the like. . In addition, an opening 204 is provided at the bottom of the processing chamber 202, and is connected to the recovered liquid storage tank 272 through the processing liquid recovery path 256.

なお、以下の説明において、純水と複数種類の薬液とを特に明確に区別して述べる場合を除き、電気光学装置用の基板上に供給される液体である純水と複数種類の薬液とを一括して、単に処理液と称する。 In the following description, pure water and a plurality of types of chemical liquids are collectively supplied to the substrate for the electro-optical device, except when specifically distinguishing between pure water and a plurality of types of chemical liquids. Thus, it is simply referred to as a processing liquid.

円板状の処理ステージ２１１上面には、基板２１０を挟持するための複数のチャックピン２１２が設けられている。また、処理ステージ２１１の下面には、回転軸２１３が突設されている。処理ステージ２１１は、回転軸２１３が、処理室２０２内に設けられた基台２１４に軸受を介して支持されることにより、鉛直軸Ｙ周りに回転自在に構成されている。 A plurality of chuck pins 212 for sandwiching the substrate 210 are provided on the upper surface of the disk-shaped processing stage 211. In addition, a rotation shaft 213 protrudes from the lower surface of the processing stage 211. The processing stage 211 is configured to be rotatable about the vertical axis Y by supporting a rotating shaft 213 on a base 214 provided in the processing chamber 202 via a bearing.

また、基台２１４の下方には、基板回転駆動手段としてのモータ２１８が設けられており、モータ２１８の回転駆動力は、モータ２１８の回転軸に嵌合されたドライブプーリ２１６、ベルト２１７および回転軸２１３の下端に嵌合されたドリブンプーリ２１５を介して、回転軸２１３へ伝えられる。すなわち、ウェット処理装置２０１では、モータ２１８の作動により、処理ステージ２１１が回転駆動される。 A motor 218 as a substrate rotation driving means is provided below the base 214, and the rotational driving force of the motor 218 is driven by the drive pulley 216, the belt 217 and the rotation that are fitted to the rotation shaft of the motor 218. This is transmitted to the rotating shaft 213 via a driven pulley 215 fitted to the lower end of the shaft 213. That is, in the wet processing apparatus 201, the processing stage 211 is rotationally driven by the operation of the motor 218.

ミスト供給ノズル２２１と、処理液供給ノズル２２２は、処理液を貯留するタンクや、このタンクから処理液を送出するためのポンプおよびバルブなどを備えた処理液供給手段２２０に連通されており、ウェット処理の工程に応じて、純水と複数種類の薬液とを個別に基板２１０の被処理面２１０ａ上に供給する。 The mist supply nozzle 221 and the treatment liquid supply nozzle 222 are connected to a treatment liquid supply means 220 having a tank for storing the treatment liquid, a pump and a valve for sending the treatment liquid from the tank, and the like. In accordance with the processing step, pure water and a plurality of types of chemical solutions are individually supplied onto the surface to be processed 210a of the substrate 210.

ウェット処理装置２０１には、処理ステージ２１１および基台２１４を囲うように、処理液回収用のカップ２５０が配設されている。カップ２５０は、処理ステージ２１１および基台２１４の側面部を覆うような、鉛直軸Ｙを中心軸とした略円筒状の形状を有し、処理液回収経路２５５に連通され、回収液貯蔵タンク２７１に繋がっている。 The wet processing apparatus 201 is provided with a processing liquid recovery cup 250 so as to surround the processing stage 211 and the base 214. The cup 250 has a substantially cylindrical shape with the vertical axis Y as the central axis so as to cover the side surfaces of the processing stage 211 and the base 214, communicated with the processing liquid recovery path 255, and the recovered liquid storage tank 271. It is connected to.

カップ２５０は、処理液に対する耐液性を有する材料により構成されており、本実施形態では、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）もしくは塩化ビニルにより構成されている。なお、カップ２５０は、全体がＰＴＦＥまたは塩化ビニルにより構成される必要はなく、表面がＰＴＦＥまたは塩化ビニルにより被覆された構成であってもよい。 The cup 250 is made of a material having liquid resistance to the processing liquid. In the present embodiment, the cup 250 is made of PTFE (polytetrafluoroethylene) or vinyl chloride. The cup 250 does not need to be entirely made of PTFE or vinyl chloride, and may have a structure in which the surface is covered with PTFE or vinyl chloride.

上述した基板搬送装置、モータ２１８、処理液供給手段２２０は、制御手段２１９に電気的に接続されている。制御手段２１９は、演算装置、入出力装置および記憶装置などを具備して構成され、基板搬送装置、モータ２１８、ミスト供給ノズル２２１、処理液供給ノズル２２２の動作を制御する装置である。すなわち、制御手段２１９により、ウェット処理装置２０１の動作が制御されている。 The substrate transfer device, the motor 218, and the processing liquid supply unit 220 described above are electrically connected to the control unit 219. The control unit 219 includes an arithmetic device, an input / output device, a storage device, and the like, and is a device that controls operations of the substrate transport device, the motor 218, the mist supply nozzle 221, and the processing liquid supply nozzle 222. That is, the operation of the wet processing apparatus 201 is controlled by the control means 219.

以上の構成のウェット処理装置２０１は、以下の動作を行い、基板２１０の処理が行われる。
図３はウェット処理装置を用いた基板処理の一例を示すフローチャートである。図４は基板処理工程を説明する説明図である。以下、図３のフローチャートに従い、図４を参照して基板処理工程について説明する。 The wet processing apparatus 201 having the above configuration performs the following operation to process the substrate 210.
FIG. 3 is a flowchart showing an example of substrate processing using a wet processing apparatus. FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the substrate processing step. Hereinafter, the substrate processing process will be described with reference to FIG. 4 according to the flowchart of FIG.

まず、図４（ａ）に示すように、基板２１０を処理ステージ２１１に載置し、チャックピン２１２で保持する（ステップＳ１０）。この状態は、図１０（ｂ）で説明したように、基板２１０内で電荷の偏りが生じ、基板２１０は負の帯電値を示している。
次に、図４（ｂ）に示すように、ミスト供給ノズル２２１が処理ステージ２１１上方に移動して、エッチング液などの薬液を霧状した液体を基板２１０上に供給する（ステップＳ１１）。 First, as shown in FIG. 4A, the substrate 210 is placed on the processing stage 211 and held by the chuck pins 212 (step S10). In this state, as described with reference to FIG. 10B, the electric charge is biased in the substrate 210, and the substrate 210 shows a negative charge value.
Next, as shown in FIG. 4B, the mist supply nozzle 221 moves above the processing stage 211 to supply a liquid in which a chemical solution such as an etching solution is atomized onto the substrate 210 (step S11).

このとき、霧状の薬液を供給する前では、図１０（ｃ）で説明したように、負に帯電した処理液供給ノズル２２２が基板２１０に接近すると、基板２１０の自由電子はさらに斥力を受ける。そして、霧状の薬液が基板２１０に供給されるが、薬液が霧状、つまり粒子状の液体が基板２１０に供給されるため、基板２１０から薬液に急激な電荷移動が起こらず、基板２１０の静電破壊を防止することができる。 At this time, before supplying the mist-like chemical solution, as described in FIG. 10C, when the negatively charged processing solution supply nozzle 222 approaches the substrate 210, the free electrons of the substrate 210 are further subjected to repulsive force. . The atomized chemical solution is supplied to the substrate 210. However, since the chemical solution is atomized, that is, the particulate liquid is supplied to the substrate 210, a rapid charge transfer from the substrate 210 to the chemical solution does not occur. Electrostatic breakdown can be prevented.

続いて、図４（ｃ）に示すように、ミスト供給ノズル２２１が後退して、処理液供給ノズル２２２が回転する処理ステージ２１１上方に移動して、エッチング液などの薬液を基板２１０上に供給する（ステップＳ１２）。
図４（ｄ）に示すように、所定の時間にて処理が終わると、その後、処理液供給ノズル２２２から吐出する処理液が純水に切り替わり、基板２１０に純水を供給する（ステップＳ１３）。このようにして、純水により薬液が洗い流されて基板２１０がリンスされる。
最後に、図４（ｅ）に示すように、処理液供給ノズル２２２が後退して、処理ステージ２１１を高速に回転して基板２１０をスピン乾燥する（ステップＳ１４）。
なお、上記の基板の処理方法では、霧状の薬液を基板２１０上に供給した後に、液状の薬液を供給して基板の処理をしているが、霧状の薬液を供給し続けて基板の処理を行ってもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 4C, the mist supply nozzle 221 moves backward and the process liquid supply nozzle 222 moves above the rotating process stage 211 to supply a chemical liquid such as an etching liquid onto the substrate 210. (Step S12).
As shown in FIG. 4D, when the processing is completed at a predetermined time, the processing liquid discharged from the processing liquid supply nozzle 222 is switched to pure water, and pure water is supplied to the substrate 210 (step S13). . In this way, the chemical solution is washed away with pure water and the substrate 210 is rinsed.
Finally, as shown in FIG. 4E, the processing liquid supply nozzle 222 moves backward, and the processing stage 211 is rotated at high speed to spin dry the substrate 210 (step S14).
In the above-described substrate processing method, the mist chemical solution is supplied onto the substrate 210 and then the liquid chemical solution is supplied to process the substrate. However, the mist chemical solution is continuously supplied to the substrate. Processing may be performed.

また、ウェット処理装置を用いた他の基板の処理方法として、図５のフローチャートに示す実施も可能である。
ステップＳ２０にて、基板２１０を処理ステージ２１１に載置し、チャックピン２１２で保持する。
次に、ステップＳ２１にて、ミスト供給ノズル２２１が処理ステージ２１１上方に移動して、純水を霧状した液体を基板２１０上に供給する。
続いて、ステップＳ２２にて、処理液供給ノズル２２２が回転する処理ステージ２１１上方に移動して、エッチング液などの薬液を基板２１０上に供給する。
そして所定の時間にて処理が終わると、ステップＳ２３にて、処理液供給ノズル２２２から吐出する処理液が純水に切り替わり、基板２１０に純水を供給する。このようにして、純水により薬液が洗い流されて基板２１０がリンスされる。
最後に、ステップ２４にて、処理ステージ２１１を高速に回転して基板２１０をスピン乾燥する。
このように、霧状の液体はエッチング液などの薬液でも、純水、炭酸水などを用いても実施することが可能である。 Further, as another substrate processing method using a wet processing apparatus, the implementation shown in the flowchart of FIG. 5 can be performed.
In step S 20, the substrate 210 is placed on the processing stage 211 and held by the chuck pins 212.
Next, in step S 21, the mist supply nozzle 221 moves above the processing stage 211 to supply a liquid in which pure water is atomized onto the substrate 210.
Subsequently, in step S 22, the processing liquid supply nozzle 222 moves above the rotating processing stage 211 to supply a chemical liquid such as an etching liquid onto the substrate 210.
When the processing is completed within a predetermined time, the processing liquid discharged from the processing liquid supply nozzle 222 is switched to pure water and the pure water is supplied to the substrate 210 in step S23. In this way, the chemical solution is washed away with pure water and the substrate 210 is rinsed.
Finally, in step 24, the processing stage 211 is rotated at high speed to spin dry the substrate 210.
Thus, the mist-like liquid can be carried out by using a chemical solution such as an etching solution, or using pure water, carbonated water, or the like.

以上、本実施形態の基板の処理方法では、処理ステージ２１１に載置された基板２１０に霧状の液体を供給する。処理ステージ２１１に載置された基板２１０が帯電している状態において、基板２１０に霧状の液体を供給することで、基板２１０からの急激な電荷移動が抑制されて基板２１０上の配線または素子の静電破壊を防止することができる。そして、その後、所定の処理を行うことで、基板２１０上の配線または素子の静電破壊を抑制できる基板２１０の処理方法を提供できる。 As described above, in the substrate processing method of the present embodiment, the mist liquid is supplied to the substrate 210 placed on the processing stage 211. In a state where the substrate 210 placed on the processing stage 211 is charged, by supplying a mist-like liquid to the substrate 210, a rapid charge movement from the substrate 210 is suppressed, and a wiring or an element on the substrate 210 is supplied. Can be prevented. Then, a processing method for the substrate 210 that can suppress the electrostatic breakdown of the wiring or the element on the substrate 210 can be provided by performing predetermined processing thereafter.

また、霧状の液体は、基板２１０の処理工程に応じて水、炭酸水および薬液の中から選択することができ、様々な処理工程に対応できる基板２１０の処理方法を提供できる。 Further, the mist-like liquid can be selected from water, carbonated water, and a chemical solution according to the processing process of the substrate 210, and a processing method of the substrate 210 that can cope with various processing processes can be provided.

さらに、本実施形態のウェット処理装置２０１では、基板２１０に霧状の液体を供給するミスト供給ノズル２２１が備えられていることから、処理ステージ２１１に載置された基板２１０に霧状の液体を供給できる。処理ステージ２１１に載置された基板２１０が帯電している状態において、基板２１０に霧状の液体を供給することで、急激な電荷移動が抑制されて基板２１０の静電破壊を抑制することができる。
このように、本実施形態によれば、基板２１０上の配線または素子の静電破壊を抑制できるウェット処理装置２０１を提供できる。 Furthermore, since the wet processing apparatus 201 of the present embodiment includes the mist supply nozzle 221 that supplies the mist-like liquid to the substrate 210, the mist-like liquid is applied to the substrate 210 placed on the processing stage 211. Can supply. In a state where the substrate 210 placed on the processing stage 211 is charged, supplying the mist-like liquid to the substrate 210 suppresses rapid charge movement and suppresses electrostatic breakdown of the substrate 210. it can.
As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide the wet processing apparatus 201 that can suppress the electrostatic breakdown of the wiring or the element on the substrate 210.

また、霧状の液体は、基板２１０の処理工程に応じて水、炭酸水および薬液の中から選択することができ、様々な処理工程に対応できるウェット処理装置２０１を提供できる。 Further, the mist-like liquid can be selected from water, carbonated water, and a chemical solution according to the treatment process of the substrate 210, and the wet treatment apparatus 201 that can cope with various treatment processes can be provided.

次に、上記で説明した基板の処理方法を電気光学装置の製造に利用した実施形態について説明する。
まず、本実施形態の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図６および図７を参照して説明する。ここで、図６は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図７は、図６のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとって説明する。 Next, an embodiment in which the substrate processing method described above is used for manufacturing an electro-optical device will be described.
First, the overall configuration of the embodiment according to the electro-optical device of this embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. Here, FIG. 6 is a plan view of the electro-optical device when the TFT array substrate is viewed from the side of the counter substrate together with each component formed thereon, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG. It is. Here, a description will be given using a TFT active matrix driving type liquid crystal device with a built-in driving circuit as an example of an electro-optical device.

図６および図７において、本実施形態に係る電気光学装置５００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。 6 and 7, in the electro-optical device 500 according to the present embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are disposed to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are provided with a sealing material 52 provided in a seal region positioned around the image display region 10a. Are bonded to each other.

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂などからなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱などにより硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズなどのギャップ材が散らばって設けられている。なお、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。 The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. Further, in the sealing material 52, gap materials such as glass fibers or glass beads are provided in a scattered manner so that the distance (inter-substrate gap) between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 is a predetermined value. Note that such a gap material may be included in the liquid crystal layer 50 as long as the liquid crystal device is a large-sized liquid crystal device that performs the same magnification display as a liquid crystal display or a liquid crystal television.

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部または全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。 A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. A part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.

シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１および外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。さらに、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。 A data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in a region located outside the sealing region where the sealing material 52 is disposed. The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to the one side so as to be covered with the frame light shielding film 53. Further, in order to connect the two scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display area 10a in this way, the frame light shielding film 53 is covered along the remaining side of the TFT array substrate 10. A plurality of wirings 105 are provided.

また、対向基板２０上の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０上にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６および上下導通端子によって、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的な導通がなされる。 In addition, vertical conduction members 106 functioning as vertical conduction terminals between the two substrates are disposed at the four corners on the counter substrate 20. On the other hand, vertical conduction terminals are provided on the TFT array substrate 10 in regions facing these corner portions. Electrical conduction between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 is made by the vertical conductive member 106 and the vertical conductive terminal.

図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線などの配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状またはストライプ状の遮光膜２３が設けられており、さらには最上層部分に配向膜２２が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種または数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。 In FIG. 7, on the TFT array substrate 10, an alignment film 16 is formed on the pixel electrode 9a after the pixel switching TFT, the scanning line, the data line and the like are formed. On the other hand, on the counter substrate 20, in addition to the counter electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 is provided, and an alignment film 22 is formed in the uppermost layer portion. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one kind or several kinds of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.

なお、図６および図７に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４などに加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥などを検査するための検査回路などを形成してもよい。 In addition to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, the image signal on the image signal line is sampled and supplied to the data line on the TFT array substrate 10 shown in FIGS. Sampling circuit, precharge circuit for supplying a precharge signal of a predetermined voltage level to a plurality of data lines in advance of the image signal, for inspecting the quality, defects, etc. of the electro-optical device during production or at the time of shipment An inspection circuit or the like may be formed.

本発明の本実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図８を参照して説明する。ここに図８は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線などの等価回路である。図９は、画素部における積層構造を説明するための概略断面図である。 A configuration of the pixel portion of the electro-optical device according to this embodiment of the invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is an equivalent circuit of various elements and wirings in a plurality of pixels formed in a matrix that constitutes an image display area of the electro-optical device. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining the stacked structure in the pixel portion.

図８において、本実施形態における電気光学装置５００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。 In FIG. 8, each of the plurality of pixels formed in a matrix that forms the image display area of the electro-optical device 500 according to the present embodiment includes a pixel electrode 9a and a switching element for controlling the switching of the pixel electrode 9a. A TFT 30 is formed, and a data line 6 a to which an image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2,..., Sn written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. Good.

また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａおよびゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで選択された走査線１１ａの画素に書き込まれる。 Further, the gate electrode 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and at predetermined timing, the scanning signals G1, G2,..., Gm are pulse-sequentially sequentially applied to the scanning line 11a and the gate electrode 3a in this order. It is comprised so that it may apply. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6a is obtained by closing the TFT 30 as a switching element for a certain period. Data is written in the pixels of the scanning line 11a selected at a predetermined timing.

画素に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９ａと対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。 Image signals S1, S2,..., Sn written to the pixels are held for a certain period between the pixel electrode 9a and the counter electrode formed on the counter substrate. The liquid crystal modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to the image signal is emitted from the electro-optical device as a whole.

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に容量素子７０を付加する。この容量素子７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極が、一定電位に固定された容量配線４００に電気的に接続されている。 In order to prevent the image signal held here from leaking, a capacitor element 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. The capacitive element 70 is provided side by side with the scanning line 11a, and the fixed potential side capacitive electrode is electrically connected to the capacitive wiring 400 fixed at a constant potential.

以下に、データ線６ａ、走査線１１ａ、ゲート電極３ａおよびＴＦＴ３０などからなる、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の具体的な構成について、図９を参照して説明する。 Hereinafter, a specific configuration of the electro-optical device, which includes the data line 6a, the scanning line 11a, the gate electrode 3a, the TFT 30, and the like and realizes the circuit operation as described above, will be described with reference to FIG.

まず、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜などを含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜などからなる。平面的に見て走査線１１ａとデータ線６ａとが交差する箇所において、走査線１１ａとデータ線６ａとの間の層に、半導体層１ａとゲート電極３ａを有して構成されるＴＦＴ３０が設けられている。また、走査線１１ａは、ゲート電極３ａとコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されている。 First, a plurality of pixel electrodes 9a are provided in a matrix on the TFT array substrate 10, and data lines 6a and scanning lines 11a are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrodes 9a. As will be described later, the data line 6a has a laminated structure including an aluminum film, and the scanning line 11a is made of, for example, a conductive polysilicon film. A TFT 30 having a semiconductor layer 1a and a gate electrode 3a is provided in a layer between the scanning line 11a and the data line 6a at a location where the scanning line 11a and the data line 6a intersect in plan view. It has been. The scanning line 11a is electrically connected to the gate electrode 3a via the contact hole 12cv.

ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図９に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理などの所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その上層側には、ラビング処理などの所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。 As shown in FIG. 9, the pixel electrode 9a is provided on the TFT array substrate 10, and an alignment film 16 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided above the pixel electrode 9a. ing. The pixel electrode 9a is made of a transparent conductive film such as an ITO film. On the other hand, a counter electrode 21 is provided on the entire surface of the counter substrate 20, and an alignment film 22 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided on the upper layer side thereof. . The counter electrode 21 is made of a transparent conductive film such as an ITO film, for example, like the pixel electrode 9a described above.

このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０間には、前述のシール材５２（図６および図７参照）により囲まれた空間に液晶などの電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、電圧が印加されていない状態においては配向膜１６および２２により所定の配向状態をとる。 Between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 arranged so as to face each other, an electro-optical material such as liquid crystal is sealed in a space surrounded by the above-described sealing material 52 (see FIGS. 6 and 7). 50 is formed. The liquid crystal layer 50 assumes a predetermined alignment state by the alignment films 16 and 22 in a state where no voltage is applied.

一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａおよび配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図９に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０などを含む第２層、容量素子７０を含む第３層、データ線６ａなどを含む第４層、容量配線４００などを含む第５層、前記の画素電極９ａおよび配向膜１６などを含む第６層（最上層）からなる。また、第１層および第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層および第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層および第４間には第２層間絶縁膜４２が、第４層および第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層および第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３および４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホールなどもまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下層側から順に説明を行う。 On the other hand, on the TFT array substrate 10, in addition to the pixel electrode 9a and the alignment film 16, various configurations including these are provided in a laminated structure. As shown in FIG. 9, the stacked structure includes, in order from the bottom, the first layer including the scanning line 11a, the second layer including the TFT 30 including the gate electrode 3a, the third layer including the capacitor element 70, and the data line 6a. And the like, a fifth layer including the capacitor wiring 400, and the like, and a sixth layer (uppermost layer) including the pixel electrode 9a and the alignment film 16 described above. In addition, the base insulating film 12 is provided between the first layer and the second layer, the first interlayer insulating film 41 is provided between the second layer and the third layer, and the second interlayer insulating film 42 is provided between the third layer and the fourth layer. A third interlayer insulating film 43 is provided between the fourth layer and the fifth layer, and a fourth interlayer insulating film 44 is provided between the fifth layer and the sixth layer, so that the above-described elements are short-circuited. Is preventing. Further, these various insulating films 12, 41, 42, 43 and 44 are also provided with, for example, a contact hole for electrically connecting the high concentration source region 1d in the semiconductor layer 1a of the TFT 30 and the data line 6a. It has been. Hereinafter, each of these elements will be described in order from the lower layer side.

まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコンなどからなる走査線１１ａが設けられている。 First, for example, the first layer includes at least one of refractory metals such as Ti, Cr, W, Ta, and Mo, a simple metal, an alloy, a metal silicide, a polysilicide, and a stack of these, Alternatively, a scanning line 11a made of conductive polysilicon or the like is provided.

次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。 Next, the TFT 30 including the gate electrode 3a is provided as the second layer. The TFT 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and includes the gate electrode 3a described above, for example, a semiconductor layer 1a made of a polysilicon film and having a channel formed by an electric field from the gate electrode 3a. Channel region 1a ′, insulating film 2 including a gate insulating film that insulates gate electrode 3a from semiconductor layer 1a, low-concentration source region 1b and low-concentration drain region 1c, and high-concentration source region 1d and high-concentration drain in semiconductor layer 1a A region 1e is provided.

また、本実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されており、後者が例えば導電性ポリシリコン膜などからなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜などからなる。 In the present embodiment, a relay electrode 719 is formed on the second layer as the same film as the gate electrode 3a described above. The relay electrode 719 and the gate electrode 3a are formed as the same film. When the latter is made of a conductive polysilicon film or the like, the former is also made of a conductive polysilicon film or the like.

走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜などからなる下地絶縁膜１２が設けられている。 A base insulating film 12 made of, for example, a silicon oxide film is provided on the scanning line 11 a and below the TFT 30.

前述の第２層上の第３層には、容量素子７０が設けられている。容量素子７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅおよび画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての上部電極である容量電極３００とが、誘電体層７５を介して対向配置されることにより形成されている。 A capacitive element 70 is provided in the third layer above the second layer. The capacitive element 70 includes a lower electrode 71 as a pixel potential side capacitive electrode electrically connected to the high concentration drain region 1e of the TFT 30 and the pixel electrode 9a, and a capacitive electrode 300 as an upper electrode as a fixed potential side capacitive electrode. Are formed so as to face each other through the dielectric layer 75.

より詳細には、下部電極７１は、例えば金属、合金、導電性のポリシリコンまたは導電性の金属シリサイド（例えばＷＳｉ）などからなる単層膜もしくは多層膜から構成される。ここでは、一具体例として、下部電極７１は、リン（Ｐ）がイオン注入されたポリシリコンから構成され、その膜厚は約１５０ｎｍである。なお、下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能を持つ他、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を持ち、中継電極７１９を介して画素電極９ａと電気的に接続されている。 More specifically, the lower electrode 71 is composed of a single layer film or a multilayer film made of, for example, a metal, an alloy, conductive polysilicon, or conductive metal silicide (for example, WSi). Here, as one specific example, the lower electrode 71 is made of polysilicon into which phosphorus (P) is ion-implanted and has a film thickness of about 150 nm. The lower electrode 71 has a function as a pixel potential side capacitance electrode, and also has a function of relay-connecting the pixel electrode 9a and the high-concentration drain region 1e of the TFT 30, and is electrically connected to the pixel electrode 9a via the relay electrode 719. Connected.

誘電体層７５は、約５〜３０ｎｍ程度の膜厚を有する高温酸化膜（ＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜）、高密度プラズマ酸化膜（ＨＤＰ（High Density Plasma）膜）などの酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜などの絶縁性材料から構成される。ここでは、一具体例として、誘電体層７５は、下層に酸化シリコン膜、上層に窒化シリコン膜を積層した二層構造を有する。なお、誘電体層７５は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸化シリコン膜などというような三層構造、或いはそれ以上の積層構造やＨｆＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、ＭｇＯなどの金属酸化膜を少なくとも１つ有するように構成されてもよい。また、誘電体層７５は、単層構造としてもよい。 The dielectric layer 75 is a silicon oxide film such as a high temperature oxide film (HTO (High Temperature Oxide) film), a high density plasma oxide film (HDP (High Density Plasma) film) having a film thickness of about 5 to 30 nm, or It is made of an insulating material such as a silicon nitride film. Here, as a specific example, the dielectric layer 75 has a two-layer structure in which a silicon oxide film is stacked in a lower layer and a silicon nitride film is stacked in an upper layer. The dielectric layer 75 has a three-layer structure such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon oxide film, or a laminated structure of more than that, or a metal such as HfO ₂ , Ta ₂ O ₅ , TiO ₂ , or MgO. It may be configured to have at least one oxide film. The dielectric layer 75 may have a single layer structure.

容量電極３００は、容量素子７０の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするために、容量電極３００は、固定電位とされた後述する容量配線４００と電気的に接続されている。また、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。この容量電極３００の構成材料は、下部電極７１と同様に、例えば金属、合金、導電性のポリシリコンまたは導電性の金属シリサイド（例えばＷＳｉ）などからなる単層膜もしくは多層膜から構成される。ここでは、一具体例として、容量電極３００は、上層から順に、ＷＳｉ層およびポリシリコン層という二層構造により構成され、その膜厚は約１５０ｎｍである。ＷＳｉ層およびポリシリコン層からなる二層構造を有する容量電極３００は、ＷＳｉ層の存在によりＴＦＴ３０に対する遮光性を有し、ポリシリコン層の存在により良好な電気伝導性を有する。また、このＷＳｉ層は、他に、アルミニウムなどの金属からなる層とすることもできる。 The capacitive electrode 300 functions as a fixed potential side capacitive electrode of the capacitive element 70. In the present embodiment, in order to set the capacitor electrode 300 to a fixed potential, the capacitor electrode 300 is electrically connected to a later-described capacitor wiring 400 having a fixed potential. Further, the capacitor electrode 300 has a function of blocking light that is about to enter the TFT 30 from above. Similar to the lower electrode 71, the constituent material of the capacitor electrode 300 is formed of a single layer film or a multilayer film made of, for example, a metal, an alloy, conductive polysilicon, or conductive metal silicide (for example, WSi). Here, as a specific example, the capacitor electrode 300 is configured by a two-layer structure of a WSi layer and a polysilicon layer in order from the upper layer, and has a film thickness of about 150 nm. The capacitive electrode 300 having a two-layer structure composed of a WSi layer and a polysilicon layer has a light shielding property to the TFT 30 due to the presence of the WSi layer, and has a good electrical conductivity due to the presence of the polysilicon layer. In addition, the WSi layer may be a layer made of a metal such as aluminum.

以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａおよび中継電極７１９の上、かつ、容量素子７０の下には、例えば、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。 A first interlayer insulating film 41 made of, for example, a silicon nitride film or a silicon oxide film is formed on the TFT 30 to the gate electrode 3a and the relay electrode 719 described above and below the capacitor element 70.

そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通して形成されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと容量素子７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が形成されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、容量素子７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が形成されている。また、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通して形成されている。 In the first interlayer insulating film 41, a contact hole 81 for electrically connecting the high concentration source region 1d of the TFT 30 and a data line 6a described later is formed so as to penetrate the second interlayer insulating film 42 described later. Has been. The first interlayer insulating film 41 is formed with a contact hole 83 that electrically connects the high-concentration drain region 1 e of the TFT 30 and the lower electrode 71 constituting the capacitor element 70. Further, the first interlayer insulating film 41 is formed with a contact hole 881 for electrically connecting the lower electrode 71 as the pixel potential side capacitor electrode constituting the capacitor element 70 and the relay electrode 719. Further, a contact hole 882 for electrically connecting the relay electrode 719 and a second relay electrode 6a2 described later is formed in the first interlayer insulating film 41 so as to penetrate the second interlayer insulating film 42 described later. ing.

前述の第３層の上層である第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、例えば、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。 A data line 6a is provided in the fourth layer, which is an upper layer of the third layer. For example, the data line 6a is formed as a film having a three-layer structure of an aluminum layer 41A, a titanium nitride layer 41TN, and a silicon nitride layer 401 in order from the lower layer.

また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１および第２中継電極６ａ２が形成されている。 In the fourth layer, the capacitor wiring relay layer 6a1 and the second relay electrode 6a2 are formed as the same film as the data line 6a.

また容量素子７０の上、かつ、データ線６ａの下には、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が形成されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と容量素子７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が形成されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。 A second interlayer insulating film 42 made of a silicon nitride film, a silicon oxide film or the like is formed on the capacitor element 70 and below the data line 6a. In the second interlayer insulating film 42, the contact hole 81 for electrically connecting the high concentration source region 1d of the TFT 30 and the data line 6a is formed, and the capacitor wiring relay layer 6a1 and the capacitor are connected. A contact hole 801 that electrically connects the capacitor electrode 300 that is the upper electrode of the element 70 is formed. Further, the contact hole 882 is formed in the second interlayer insulating film 42 for electrically connecting the second relay electrode 6a2 and the relay electrode 719.

前述の第４層の上層である第５層には、容量配線４００が形成されている。容量配線４００は、画素電極９ａが配置された図６に示す画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。 In the fifth layer, which is an upper layer of the fourth layer, the capacitor wiring 400 is formed. The capacitor wiring 400 is extended from the image display area 10a shown in FIG. 6 where the pixel electrode 9a is disposed to the periphery thereof, and is electrically connected to a constant potential source to be a fixed potential.

また、第４層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４および８９を介して、第２中継電極６ａ２と画素電極９ａとを電気的に接続する機能を有する。 In the fourth layer, the third relay electrode 402 is formed as the same film as the capacitor wiring 400. The third relay electrode 402 has a function of electrically connecting the second relay electrode 6a2 and the pixel electrode 9a through contact holes 804 and 89 described later.

容量配線４００および第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。 The capacitor wiring 400 and the third relay electrode 402 have a two-layer structure in which a lower layer is made of aluminum and an upper layer is made of titanium nitride.

データ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、および、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ形成されている。 A third interlayer insulating film 43 made of a silicon nitride film, a silicon oxide film or the like is formed on the data line 6a and below the capacitor wiring 400. The third interlayer insulating film 43 includes a contact hole 803 for electrically connecting the capacitor wiring 400 and the capacitor wiring relay layer 6a1, and the third relay electrode 402 and the second relay electrode 6a2. Contact holes 804 are formed for electrical connection.

第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａおよび前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が形成されている。 In the sixth layer, the pixel electrodes 9a are formed in a matrix as described above, and the alignment film 16 is formed on the pixel electrodes 9a. A fourth interlayer insulating film 44 made of a silicon nitride film, a silicon oxide film, or the like is formed under the pixel electrode 9a. In the fourth interlayer insulating film 44, a contact hole 89 for electrically connecting the pixel electrode 9a and the third relay electrode 402 is formed.

すなわち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとの間は、このコンタクトホール８９、第３中継層４０２、コンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１およびコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。 That is, the contact hole 89, the third relay layer 402, the contact hole 804, the second relay layer 6a2, the contact hole 882, the relay electrode 719, and the contact hole 881 are provided between the pixel electrode 9a and the high concentration drain region 1e of the TFT 30. Then, they are electrically connected through the lower electrode 71 and the contact hole 83.

上記の構成を有する電気光学装置である液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０を製造する場合、特に、ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜である絶縁膜２をパターニングした後の工程および容量素子７０の誘電体層７５をパターニングした後の工程において、帯電したＴＦＴアレイ基板１０に処理液が供給される際の放電により、絶縁膜２および誘電体層７５が静電破壊されやすい。その結果、液晶装置の歩留まりの悪化や、表示品位の低下を招いてしまう。 When manufacturing the TFT array substrate 10 of the liquid crystal device that is an electro-optical device having the above-described configuration, in particular, the step after patterning the insulating film 2 that is the gate insulating film of the TFT 30 and the dielectric layer 75 of the capacitive element 70 are formed. In the process after the patterning, the insulating film 2 and the dielectric layer 75 are easily electrostatically damaged by the discharge when the processing liquid is supplied to the charged TFT array substrate 10. As a result, the yield of the liquid crystal device is deteriorated and the display quality is deteriorated.

このような、液晶装置の画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０や、容量素子７０の形成工程において、上記の基板の処理方法を用いれば、回路素子の静電破壊を効果的に防止することが可能である。例えば、ＴＦＴ３０の絶縁膜２の形成後における、ゲート電極３ａのエッチング後のレジスト剥離処理もしくは剥離処理後の洗浄処理または、その後の洗浄処理において、本実施形態の基板の処理方法を適用することにより、電気光学装置における不良の発生を効果的に防止することが可能である。また、容量素子７０の誘電体層７５の形成後における、容量電極３００のエッチング後のレジスト剥離処理または剥離処理後の洗浄処理にも同様に不良の発生を効果的に防止することができる。 In such a process of forming the TFT 30 which is a pixel switching element of the liquid crystal device and the capacitor element 70, it is possible to effectively prevent electrostatic breakdown of the circuit element by using the above substrate processing method. . For example, by applying the substrate processing method of the present embodiment in the resist peeling process after the etching of the gate electrode 3a after the formation of the insulating film 2 of the TFT 30, the cleaning process after the peeling process, or the subsequent cleaning process. It is possible to effectively prevent the occurrence of defects in the electro-optical device. In addition, after the formation of the dielectric layer 75 of the capacitor element 70, the occurrence of defects can be effectively prevented in the resist stripping process after the etching of the capacitor electrode 300 or the cleaning process after the stripping process.

もちろん、ＴＦＴアレイ基板１０の他の製造工程においても、本実施形態の基板の処理方法は有効であり、例えば、ＴＦＴ３０の絶縁膜２形成後の工程にも適用すれば、より液晶装置の歩留まりが向上する。 Of course, the substrate processing method of the present embodiment is also effective in other manufacturing processes of the TFT array substrate 10. For example, the yield of the liquid crystal device can be further improved by applying it to the process after the formation of the insulating film 2 of the TFT 30. improves.

ウェット処理装置の概略構成を示す模式断面図。The schematic cross section which shows schematic structure of a wet processing apparatus. ウェット処理装置の概略斜視図。The schematic perspective view of a wet processing apparatus. ウェット処理装置を用いた基板処理の一例を示すフローチャート。7 is a flowchart illustrating an example of substrate processing using a wet processing apparatus. 基板処理工程を説明する説明図。Explanatory drawing explaining a substrate processing process. ウェット処理装置を用いた他の基板処理の例を示すフローチャート。The flowchart which shows the example of the other board | substrate process using a wet processing apparatus. ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た電気光学装置の平面図。The top view of the electro-optical apparatus which looked at the TFT array board | substrate from the opposing board | substrate side with each component formed on it. 図６のＨ−Ｈ’断面図。H-H 'sectional drawing of FIG. 画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線などの等価回路。Equivalent circuits such as various elements and wirings in a plurality of pixels formed in a matrix that forms an image display area. 画素部における積層構造を説明するための概略断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining a stacked structure in a pixel portion. ウェット処理装置における基板上の配線または素子に静電破壊が生ずる状態を説明する説明図。Explanatory drawing explaining the state which an electrostatic breakdown produces in the wiring or element on a board | substrate in a wet processing apparatus.

Explanation of symbols

２０１…ウェット処理装置、２０２…処理室、２１０…基板、２１１…処理ステージ、２１２…チャックピン、２１３…回転軸、２１４…基台、２１５…ドリブンプーリ、２１６…ドライブプーリ、２１７…ベルト、２１８…モータ、２１９…制御手段、２２０…処理液供給手段、２２１…ミスト供給ノズル、２２２…処理液供給ノズル、２５０…カップ、２５５，２５６…処理液回収経路、２７１，２７２…回収液貯蔵タンク、５００…電気光学装置。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 201 ... Wet processing apparatus, 202 ... Processing chamber, 210 ... Substrate, 211 ... Processing stage, 212 ... Chuck pin, 213 ... Rotating shaft, 214 ... Base, 215 ... Driven pulley, 216 ... Drive pulley, 217 ... Belt, 218 ... motor, 219 ... control means, 220 ... treatment liquid supply means, 221 ... mist supply nozzle, 222 ... treatment liquid supply nozzle, 250 ... cup, 255, 256 ... treatment liquid collection path, 271 and 272 ... collection liquid storage tank, 500: Electro-optical device.

Claims

A substrate processing method for processing a substrate by rotating a substrate placed on a processing stage around a vertical axis and supplying a processing liquid to one surface of the substrate,
Placing the substrate on the processing stage; and
Supplying a mist-like liquid onto the substrate;
And a step C of supplying the processing liquid onto the substrate after the step B.

In the processing method of the board | substrate of Claim 1,
The mist-like liquid contains at least one of water, carbonated water, and a chemical solution.

In the processing method of the board | substrate of Claim 1,
The substrate is a substrate for an electro-optical device configured to include a switching element or a capacitive element on the substrate,
In the step of forming the switching element or the capacitive element on the electro-optical device substrate, the steps A to C are performed in this order, and the method for manufacturing the electro-optical device substrate is characterized in that:

A substrate processing apparatus for processing a substrate by rotating the substrate around a vertical axis and supplying a processing liquid to one surface of the substrate,
A processing stage on which the substrate is placed;
A mist supply nozzle for supplying a mist-like liquid onto the substrate;
A processing liquid supply nozzle for supplying the processing liquid onto the substrate;
An apparatus for processing a substrate, comprising:

The substrate processing apparatus according to claim 5,
A substrate processing apparatus, wherein at least one mist-like liquid among water, carbonated water, and a chemical solution is supplied from the mist supply nozzle onto the substrate.