JP2009188045A - 有機el素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】ドーパントの添加量の制御が容易であり、かつ流す電流の電流密度に依存しない安定な発光が得られる有機EL素子の提供。
【解決手段】第1電極と、正孔注入輸送層、有機発光層および電子注入輸送層を含む有機EL層と、第2電極とを含み、有機発光層は、正孔注入輸送層または電子注入輸送層のいずれかと接触する2つの外層と、2つの外層に挟持される内層とを有し、2つの外層はホスト材料および第1蛍光性ドーパントから構成され、内層はホスト材料、第1蛍光性ドーパントおよび第2蛍光性ドーパントから構成され、第1蛍光性ドーパントのバンドギャップは、前記第2蛍光性ドーパントのバンドギャップよりも大きいことを特徴とする有機EL素子。
【選択図】図1
【解決手段】第1電極と、正孔注入輸送層、有機発光層および電子注入輸送層を含む有機EL層と、第2電極とを含み、有機発光層は、正孔注入輸送層または電子注入輸送層のいずれかと接触する2つの外層と、2つの外層に挟持される内層とを有し、2つの外層はホスト材料および第1蛍光性ドーパントから構成され、内層はホスト材料、第1蛍光性ドーパントおよび第2蛍光性ドーパントから構成され、第1蛍光性ドーパントのバンドギャップは、前記第2蛍光性ドーパントのバンドギャップよりも大きいことを特徴とする有機EL素子。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機EL素子に関する。特に、高精細度、高視認性、および優れた耐環境性を有し、かつ優れた多色表示を可能とする色変換方式有機ELディスプレイに用いる有機EL素子に関する。
有機EL素子を用いてフルカラーディスプレイを実現する方法の1つに、色変換方式がある。色変換方式カラーディスプレイにおいては、各ピクセルの光源として青色または青緑色に発光する有機EL素子を用い、青色(B)ピクセルにおいては青色のカラーフィルタを用いて青色光を透過させ、赤色(R)ピクセルにおいては色変換層を用いて波長変換を行い赤色光を得る。緑色(G)ピクセルにおいては、用いる有機EL素子の発光色に応じて、緑色カラーフィルタを用いて緑色光を透過させるか、あるいは緑色光を発する色変換層を用いることによって、緑色光を得る。
有機EL素子は、RGB各ピクセルの光源として共通に用いられる。カラーディスプレイとして使用する際には、白色を表示する際にRGB各ピクセルの駆動電流を可能な限り等しくすることが重要である。RGB各ピクセル間で白色表示の際の駆動電流が大きく異なる場合、ディスプレイを長時間点灯した際に、RGB各ピクセルにおける輝度の低下割合が変化し、その結果として色バランスが崩れる。これは、色再現性、特に長期使用の際の色再現性に関して、重大な欠陥となる。
色変換方式カラーディスプレイに用いられる際の有機EL素子の発光における赤色領域、緑色領域および青色領域それぞれの発光輝度には、ある程度のマージンがある。白色表示の際の駆動電流の均一化のために、有機EL素子のRGB各領域の発光輝度のバランスを補うことが必要である。この問題に関して、一般的には、有機EL素子の発光層にごく微量(0.1%以下)の赤色発光ゲストを添加し、有機EL素子の発光スペクトルを広帯域化して、RGB各領域のバランスを改善することが試みられている。
たとえば、有機発光層を、青色発光層と赤色発光ゲストをドープされた緑色発光層とで構成することが提案されている(特許文献1参照)。この提案において、赤色発光ゲストのドープ量は10-3〜10モル%であることが好ましいとされている。
また、1つまたは複数のバンドからなる有機発光層中に複数の発光ドーパントがドープされ、少なくとも1種の発光ドーパントがりん光発光性である有機EL素子が提案されている(特許文献2参照)。
しかしながら、ごく微量の赤色発光ゲストをドープする方法は、添加量が微量であるために添加量の制御が困難であり、単一の有機EL素子の発光面内の特性のバラツキ、および製造ロット間の性能のバラツキが大きくなるという問題点があった。
また、多層構成の有機発光層を用いる場合、有機EL素子に流す電流の電流密度が変化すると正孔−電子対の再結合による励起子の発生位置が変化し、それによって発光極大の位置ならびに発光極大における発光輝度が大きく変化する恐れがある。
したがって、本発明の課題は、上記の問題点を解決するために、ドーパントの添加量の制御が容易であり、かつ流す電流の電流密度に依存しない安定な発光が得られる有機EL素子を提供することである。
本発明の有機EL素子は、第1電極と、正孔注入輸送層、有機発光層および電子注入輸送層を含む有機EL層と、第2電極とを含み、前記有機発光層は、前記正孔注入輸送層または前記電子注入輸送層のいずれかと接触する2つの外層と、前記2つの外層に挟持される内層とを有し、前記2つの外層はホスト材料および第1蛍光性ドーパントから構成され、前記内層はホスト材料、第1蛍光性ドーパントおよび第2蛍光性ドーパントから構成され、前記第1蛍光性ドーパントのバンドギャップは、前記第2蛍光性ドーパントのバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。ここで、前記2つの外層のそれぞれは、5nm以上の膜厚を有することが望ましい。また、有機発光層の2つの外層は、ホスト材料および第1蛍光性ドーパントの共蒸着によって形成ることができ、および有機発光層の内層は、ホスト材料、第1蛍光性ドーパントおよび第2蛍光性ドーパントの共蒸着によって形成することができる。
以上の構成を採ることによって、蛍光性ドーパント、特に第2蛍光性ドーパントの添加量を、有機発光層全体に均一にドープする場合に比較して1桁大きくすることが可能となり、それによって添加量の制御が容易となる。このことは、有機EL素子の発光面内における特性のバラツキ、および製造ロット間の性能のバラツキを抑制することを可能とする。また、第2蛍光性ドーパントを添加する位置を有機発光層の内層として、正孔注入輸送層および電子注入輸送層との界面から離隔することによって、電流密度依存性の少ない安定した発光スペクトルを得ることができる。
本発明の有機EL素子の一例を図1に示す。本発明の有機EL素子は、基板10上に、第1電極20、正孔注入輸送層31、有機発光層32、電子注入輸送層33、および第2電極40がこの順に積層されている。有機発光層32は、正孔注入輸送層または電子注入輸送層のいずれかと接触する2つの外層32aと、2つの外層32aに挟持される内層32bとで構成されている。なお、図1においては第1電極20が陽極であり、第2電極40が陰極である例を示している。
基板10は、透明であっても不透明であってもよく、ガラス、シリコン、セラミック、各種プラスチック、各種フィルムなどを用いて形成することができる。後述するように、複数の独立して制御できる発光部を有する有機EL素子を作製する場合、基板10の表面上の有機EL素子の発光部に対応する位置に、複数のスイッチング素子を設けてもよい。複数のスイッチング素子は、たとえばTFT、MIMなど当該技術において知られている任意の素子であってもよい。また、基板10の表面上に、有機EL素子を駆動するための配線、駆動回路などをさらに設けてもよい。
第1電極20および第2電極40のいずれか一方は陽極であり、他方は陰極である。第1電極20および第2電極40は、いずれか一方が透明であることを条件として、透明であっても、反射性(不透過性)であってもよい。透明な電極は、たとえば、ITO、酸化スズ、酸化インジウム、IZO、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物に対してF、Sbなどのドーパントを添加した導電性透明金属酸化物などを用いて形成することができる。一方、反射性の電極は、高反射率の金属、アモルファス合金、微結晶性合金を用いて形成さすることができる。高反射率の金属は、Al、Ag、Mo、W、Ni、Crなどを含む。高反射率のアモルファス合金は、NiP、NiB、CrPおよびCrBなどを含む。高反射率の微結晶性合金は、NiAlなどを含む。
正孔の注入の容易さを考慮すると、陽極として用いる電極(第1電極20または第2電極40のいずれか)を透明とすることが望ましい。しかしながら、反射性の陽極が所望される場合は、前述の反射層材料からなる層と、前述の導電性透明金属酸化物からなる層との積層体を陽極として用いることができる。
また、陰極として用いる電極(第1電極20または第2電極40のいずれか)と有機EL層30との界面に陰極バッファ層を設けて電子注入効率を向上させることができる。陰極バッファ層は、Li、Na、KまたはCsなどのアルカリ金属、BaまたはSrなどのアルカリ土類金属、希土類金属、それら金属を含む合金、あるいはそれら金属のフッ化物などから形成することができる。特に透明性の陰極が所望される場合、透明性を確保する観点から、陰極バッファ層の膜厚を10nm以下とすることが望ましい。一方、反射性の陰極が所望される場合には、前述の高反射率材料に対して、仕事関数が小さい材料であるリチウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属を添加して合金化した材料を用いて、反射性の陰極を形成してもよい。
また、第1電極20および第2電極40のそれぞれをストライプ形状の複数の部分電極で構成し、第1電極20の部分電極のストライプが延びる方向と、第2電極40の部分電極のストライプが延びる方向とを交差(好ましくは直交)させることによって、複数の独立して制御可能な発光部を有するパッシブマトリクス駆動型有機EL素子を得ることができる。あるいはまた、基板10の上に複数のスイッチング素子を設け、第1電極20をスイッチング素子と1対1に接続される複数の部分電極に分割し、第2電極40を一体型の共通電極とすることによって、複数の独立して制御可能な発光部を有するアクティブマトリクス駆動型有機EL素子を得ることができる。
第1電極20および第2電極40は、用いる材料に依存するが、蒸着、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーションなどの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる
正孔注入輸送層31は、陽極からの正孔注入性に優れ、正孔輸送能力の高い材料を用いた単一の層として形成することができる。しかしながら、一般的には、陽極から有機層への正孔注入を促進する正孔注入層と、有機発光層32へ電子を輸送する正孔輸送層の2層に分けて形成することが望ましい。2層構成の正孔注入輸送層31を用いる場合、正孔注入層を陽極に接触させ、正孔輸送層を発光層32に接触させる構造を採ることが望ましい。
正孔注入輸送層31を形成するための材料としては、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料など、一般に有機EL素子で用いられている正孔輸送材料を用いることができる。具体的には、正孔輸送材料は、たとえば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メトキシフェニル)−ベンジジン(MeO−TPD)、4,4’,4”−トリス{1−ナフチル(フェニル)アミノ}トリフェニルアミン(1−TNATA)、4,4’,4”−トリス{2−ナフチル(フェニル)アミノ}トリフェニルアミン(2−TNATA)、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、4,4’−ビス{N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ}ビフェニル(NPB)、2,2’,7,7’−テトラキス(N,N−ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン(Spiro−TAD)、N,N’−ジ(ビフェニル−4−イル)−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(p−BPD)、トリ(o−ターフェニル−4−イル)アミン(o−TTA)、トリ(p−ターフェニル−4−イル)アミン(p−TTA)、1,3,5−トリス[4−(3−メチルフェニルフェニルアミノ)フェニル]ベンゼン(m−MTDAPB)、4,4’,4”−トリス−9−カルバゾリルトリフェニルアミン(TCTA)等を含む。
正孔注入輸送層31を正孔注入層および正孔輸送層の積層構造で形成する場合、正孔輸送層を前述の正孔輸送材料で形成し、正孔注入層を銅フタロシアニン錯体(CuPc)などを用いて形成することができる。あるいはまた、前述の正孔輸送材料に電子受容性ドーパントを添加(p型ドーピング)した材料を用いて、正孔注入層を形成してもよい。用いることができる電子受容性ドーパントは、たとえば、テトラシアノキノジメタン誘導体などの有機半導体を含む。代表的なテトラシアノキノジメタン誘導体は、2,3,5,6−テトラフロロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4−TCNQ)である。あるいはまた、酸化モリブデン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化バナジウム(V2O5)などの無機半導体を、電子受容性ドーパントとして用いることができる。
電子注入輸送層33は、陰極からの電子注入性に優れ、電子輸送能力の高い材料を用いた単一の層として形成することができる。しかしながら、一般的には、陰極から有機層への電子注入を促進する電子注入層と、有機発光層32へ電子を輸送する電子輸送層の2層に分けて形成することが望ましい。2層構成の電子注入・輸送層33を用いる場合、電子注入層を陰極に接触させ、電子輸送層を有機発光層32に接触させる構造を採ることが望ましい。
電子注入輸送層33は、具体的には、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)のようなトリアゾール誘導体;1,3−ビス[(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]フェニレン(OXD−7)、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、1,3,5−トリス(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)ベンゼン(TPOB)のようなオキサジアゾール誘導体;5,5’−ビス(ジメシチルボリル)−2,2’−ビチオフェン(BMB−2T)、5,5’−ビス(ジメシチルボリル)−2,2’:5’2’−ターチオフェン(BMB−3T)のようなチオフェン誘導体;アルミニウムトリス(8−キノリノラート)(Alq3)のようなアルミニウム錯体;4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BPhen)、2,9−ヂメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP)のようなフェナントロリン誘導体;2,5−ジ−(3−ビフェニル)−1,1,−ジメチル−3,4−ジフェニルシラシクロペンタジエン(PPSPP)、1,2−ビス(1−メチル−2,3,4,5−テトラフェニルシラシクロペンタジエニル)エタン(2PSP)、2,5−ビス−(2,2−ビピリジン−6−イル)−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシラシクロペンタジエン(PyPySPyPy)のようなシロール誘導体などの電子輸送材料を用いて形成することができる。
電子注入輸送層33が電子注入層および電子輸送層の2層構成である場合、電子輸送層を前述の電子輸送材料で形成することができる。一方、電子注入層は、Li2O、LiO、Na2S 、Na2Se、およびNaOなどのアルカリ金属カルコゲナイド、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、およびCaSeなどのアルカリ土類金属カルコゲナイド、LiF、NaF、KF、CsF、LiCl、KClおよびNaClなどのアルカリ金属ハロゲン化物、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2およびBeF2等のアルカリ土類金属のハロゲン化物、Cs2CO3等のアルカリ金属炭酸塩などを用いて形成することができる。これらの材料を用いて電子注入層を形成する場合、電子注入層の膜厚を0.5〜1.0nm程度にすることが望ましい。
あるいはまた、Li、Na、K、Cs等のアルカリ金属、Ca、Ba、Sr、Mg等のアルカリ土類金属の薄膜(膜厚1.0〜5.0nm程度)を電子注入層として用いることもできる。
あるいはまた、前述の電子輸送材料中に、Li、Na、K、Cs等のアルカリ金属、LiF、NaF、KF、CsF等のアルカリ金属ハロゲン化物、Cs2CO3等アルカリ金属炭酸塩をドープした材料を用いて、陰極からの電子注入を促進する電子注入輸送層33を形成することができる。
本発明の有機発光層32は、ホスト材料、第1蛍光性ドーパントおよび第2蛍光性ドーパントから形成される。本発明における「蛍光性ドーパント」とは、励起子からエネルギーを受容して一重項励起状態となり、一重項励起状態から基底状態への遷移の際に蛍光を発する化合物を意味する。第1蛍光性ドーパントは、青色から青緑色の発光を得るための化合物であり、第2蛍光性ドーパントは、赤色の発光を得るための化合物である。第1蛍光性ドーパントのバンドギャップ(Eg1)は、第2蛍光性ドーパントのバンドギャップ(Eg2)よりも大きい。用いることができる第1蛍光性ドーパントは、たとえば、ベンゾチアソール系、ベンゾイミダゾール系またはベンゾオキサゾール系の蛍光増白剤;金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物(4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)など);芳香族ジメチリディン系化合物などを含む。用いることができる第2蛍光性ドーパントは、たとえば、ルブレン、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピランのようなシアニン色素、ルモゲンFレッド、ナイルレッドなどの公知の材料を含む。
ホスト材料は、正孔注入輸送層から注入される正孔と、電子注入輸送層から注入される電子との再結合によって励起子を生成し、そのエネルギーを第1および第2蛍光性ドーパントに移動させる機能を有する化合物である。蛍光性ドーパントに一旦移動したエネルギーがホスト材料を介してカスケード移動することを防止するために、ホスト材料のバンドギャップ(Egh)は、第1蛍光性ドーパントのバンドギャップ(Eg1)、および第2蛍光性ドーパントのバンドギャップ(Eg2)よりも大きいことが望ましい。本発明において用いることができるホスト材料は、たとえば、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(β−ADN)、2−メチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(MADN)、9,10−ビス−(9,9−ジ(n−プロピル)フルオレン−2−イル)アントラセン(ADF)、9−(2−ナフチル)−10−(9,9−ジ(n−プロピル)−フルオレン−2−イル)アントラセン(ANF)などのアントラセン系化合物を含む。
本発明の有機発光層32は、正孔注入輸送層31または電子注入輸送層33のいずれかと接触する2つの外層32aと、2つの外層32aに挟持される内層32bから構成される。外層32aは、ホスト材料および第1蛍光性ドーパントから構成される層である。一方、内層32bは、ホスト材料、第1蛍光性ドーパントおよび第2蛍光性ドーパントから構成される層である。本発明において、外層32aは、5nm以上、好ましくは10nm以上の膜厚を有することが必要である。
以上のような構成を有する有機発光層32の中に、正孔注入輸送層および電子注入輸送層から、それぞれ正孔および電子が注入された際に、注入された正孔および電子はホスト材料分子上で再結合し励起子を生成する。この励起子は、有機発光層32中を拡散しながら近傍に存在する励起エネルギーが低い蛍光性ドーパント分子にエネルギーを移動させる。そしてエネルギーを得た蛍光性ドーパントは、各ドーパント固有の発光色で発光する。この機構において、励起子の拡散距離は使用する材料の種類および濃度に依存するが、一般的には5nmから10nm程度である。
励起子の生成は、通常、有機発光層32と正孔注入輸送層31との界面、あるいは有機発光層32と電子注入輸送層33との界面のいずれかで行われる。なぜなら、有機発光層と隣接する層(正孔注入輸送層31または電子注入輸送層33のいずれか)との間に発生するHOMOまたはLUMOのバンドオフセットによって、正孔および電子が両界面のいずれかの近傍に蓄積されやすいためである。有機発光層32/正孔注入輸送層31の界面または有機発光層32/電子注入輸送層33の界面のいずれにおいて励起子が選択的に生成するかは、正孔および電子の注入バランスに支配されるため、有機EL素子を流れる電流の電流密度に依存する。
仮に、同数の第1および第2蛍光性ドーパントが有機発光層32/正孔注入輸送層31の界面および有機発光層32/電子注入輸送層33の界面に存在する場合には、励起子のエネルギーはEg1よりも小さいEg2を有する第2蛍光性ドーパントに選択的に移動する。その結果として、第1蛍光性ドーパントが発光せず、第2蛍光性ドーパントが選択的に発光することになる。従来は、この発光の不均一を解消するために、小さなEg2を有する第2蛍光性ドーパントの添加量をごく微量に制御することを必要としていた。
これに対して、本発明の構成においては、有機発光層32/正孔注入輸送層31の界面および有機発光層32/電子注入輸送層33の界面は、ホスト材料と第1蛍光性ドーパントからなる外層32aで形成され、第2蛍光性ドーパントが存在しない。したがって、両界面のいずれかで発生した励起子の一部が外層32a中で第1蛍光性ドーパントにエネルギーを与えて、第1蛍光性ドーパントを発光させる。また、生成した励起子の一部は、外層32aから内層32bへと拡散し、内層32b中に存在する第2蛍光性ドーパントにエネルギーを与えて、第2蛍光性ドーパントを発光させる。以上のように、第2蛍光性ドーパントを含まない2つの外層32aと第2蛍光性ドーパントを含む内層32bとを有する構成をとることによって、第1および第2蛍光性ドーパントの両者をバランス良く発光させることが可能となる。
このように、第1および第2蛍光性ドーパントが発光する位置を分離することによって、第2蛍光性ドーパントの添加量を、従来の有機発光層全体にわたって均一に添加する場合に比較して、1桁大きくすることができる。そして、添加量が増大したことによって添加量の制御が容易となり、第2蛍光性ドーパントの面内分布およびロット間格差を改善することができる。すなわち、有機EL素子の発光面内の発光輝度バラツキおよびロット間の発光輝度バラツキを抑制することができる。
加えて、有機発光層32/正孔注入輸送層31および有機発光層32/電子注入輸送層33の界面に位置する2つの外層32aに第2蛍光性ドーパントが存在しないことから、電流密度に依存する励起子の生成位置の変化による発光スペクトルの変化(すなわち発光色の変化)を抑制することができる。本発明の構成においては、いずれの界面に位置する外層32aにおいて励起子が生成されたとしても、当該位置の外層32a中では第1蛍光性ドーパントの発光が起こり、および外層32aから内層32bへと拡散した励起子によって第2蛍光性ドーパントの発光が起こるため、前述の作用効果が得られるのである。
有機EL層30を構成する各層、すなわち正孔注入輸送層31、有機発光層32および電子注入輸送層33は、蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。有機発光層32を構成する外層32aおよび内層32bは、たとえば所定の材料の共蒸着によって形成することができる。
<実施例1>
最初に、スパッタ法を用いて、ガラス基板の全面にわたって膜厚200nmのIZO膜を堆積させた。次いで、レジスト剤「OFPR−800」(東京応化工業製)を用いたフォトリソグラフィー法にてパターニングを行い、幅2mmのストライプ形状を有する透明な第1電極を得た。
最初に、スパッタ法を用いて、ガラス基板の全面にわたって膜厚200nmのIZO膜を堆積させた。次いで、レジスト剤「OFPR−800」(東京応化工業製)を用いたフォトリソグラフィー法にてパターニングを行い、幅2mmのストライプ形状を有する透明な第1電極を得た。
次いで、第1電極を形成したガラス基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層および正孔輸送層からなる正孔注入輸送層を形成した。成膜に際して、真空槽内圧を1×10-4Paまで減圧した。銅フタロシアニン(CuPc)を蒸着して膜厚100nmの正孔注入層を形成した。そして、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を蒸着して、膜厚20nmの正孔輸送層を形成した。
次いで、真空を破ることなしに、正孔注入輸送層の上に有機発光層を形成した。本実施例ではホスト材料としてβ−ADN(Egh=3.0eV)を用い、第1蛍光性ドーパントとしてDPVBi(Eg1=2.8eV)を用い、第2蛍光性ドーパントとしてルブレン(Eg2=2.5eV)を用いた。最初に、β−ADNおよびDPVBiを共蒸着して、膜厚15nmの第1の外層を形成した。この際、β−ADNの蒸着速度を1.9Å/sとし、DPVBiの蒸着速度を0.1Å/sとした。次いで、β−ADN、DPVBiおよびルブレンを共蒸着して、膜厚5nmの内層を形成した。この際、β−ADNおよびDPVBiの蒸着速度を前述と同様とし、ルブレンの蒸着速度を0.01Å/sとした。最後に、第1の外層と同様の条件を用いて、膜厚15nmの第2の外層を形成した。得られた外層および内層中の第1蛍光性ドーパント(DPVBi)の含有量は5体積%であり、内層中の第2蛍光性ドーパント(ルブレン)の含有量は0.5体積%であった。
次いで、真空を破ることなしに、有機発光層の上にAlq3を蒸着して膜厚20nmの電子注入輸送層を形成した。
次いで、真空を破ることなしに、電子注入輸送層の上に第2電極を形成した。第1電極のストライプと直交する方向に延びる幅2mmのストライプ形状が得られるマスクを用いて、Mg/Ag(質量比10/1)を蒸着して、200nmの膜厚および2mmの幅を有するストライプ形状の第2電極(反射性)を得た。
最後に、得られた積層体を、グローブボックス内の乾燥窒素雰囲気(酸素濃度および水分濃度の両方ともに10ppm以下)下において、封止ガラスおよびUV硬化型接着剤を用いて封止し、有機EL素子を得た。
<比較例1>
有機発光層の形成を以下の手順で行ったことを除いて実施例1の手順を繰り返して、有機EL素子を得た。正孔注入輸送層の上に、β−ADN、DPVBiおよびルブレンを共蒸着して、膜厚35nmの有機発光層を形成した。この際、β−ADNの蒸着速度を1.9Å/sとし、DPVBiの蒸着速度を0.1Å/sとし、ルブレンの蒸着速度を0.001Å/sとした。得られた有機発光層は、5体積%の第1蛍光性ドーパント(DPVBi)、および層全体にわたって均一に添加された0.05%の第2蛍光性ドーパント(ルブレン)を含有した。
有機発光層の形成を以下の手順で行ったことを除いて実施例1の手順を繰り返して、有機EL素子を得た。正孔注入輸送層の上に、β−ADN、DPVBiおよびルブレンを共蒸着して、膜厚35nmの有機発光層を形成した。この際、β−ADNの蒸着速度を1.9Å/sとし、DPVBiの蒸着速度を0.1Å/sとし、ルブレンの蒸着速度を0.001Å/sとした。得られた有機発光層は、5体積%の第1蛍光性ドーパント(DPVBi)、および層全体にわたって均一に添加された0.05%の第2蛍光性ドーパント(ルブレン)を含有した。
<比較例2>
ルブレンの蒸着速度を0.01Å/sとしたことを除いて比較例1の手順を繰り返して、有機EL層を得た。得られた有機発光層は、5体積%の第1蛍光性ドーパント(DPVBi)、および層全体にわたって均一に添加された0.5%の第2蛍光性ドーパント(ルブレン)を含有した。
ルブレンの蒸着速度を0.01Å/sとしたことを除いて比較例1の手順を繰り返して、有機EL層を得た。得られた有機発光層は、5体積%の第1蛍光性ドーパント(DPVBi)、および層全体にわたって均一に添加された0.5%の第2蛍光性ドーパント(ルブレン)を含有した。
<評価>
実施例1、比較例1および比較例2の手順を用いて、それぞれ5ロットの有機EL素子を測定した。作製された有機EL素子に、0.1A/cm2の電流密度が得られる電圧を印加し、2mm×2mmの発光領域をガラス基板側から観測して、その際の発光輝度(測定波長400〜700nm)を測定した。5ロットの有機EL素子の測定値の平均値を求め、平均値からの各ロットの素子の測定値のバラツキを評価した。結果を第1表に示す。
実施例1、比較例1および比較例2の手順を用いて、それぞれ5ロットの有機EL素子を測定した。作製された有機EL素子に、0.1A/cm2の電流密度が得られる電圧を印加し、2mm×2mmの発光領域をガラス基板側から観測して、その際の発光輝度(測定波長400〜700nm)を測定した。5ロットの有機EL素子の測定値の平均値を求め、平均値からの各ロットの素子の測定値のバラツキを評価した。結果を第1表に示す。
また、実施例1、比較例1および比較例2で得られた有機EL素子に種々の電流密度の電流を流した際の発光スペクトル変化を図2(比較例1)、図3(比較例2)、および図4(実施例1)に示した。なお、図2〜図4中に示した各スペクトルは、波長470nmの発光強度を1とするように規格化して示した。ここで、波長470nm付近および波長504nm付近をピークとする発光が第1蛍光性ドーパント(DPVBi)によるものであり、波長576nm付近の発光が第2蛍光性ドーパント(ルブレン)によるものである。さらに、電流密度と波長576nmの発光強度(波長470nmの発光強度で規格化)との関係を図5に示した。
図3および図5から分かるように、第2蛍光性ドーパントを比較的に大きい添加量で有機発光層全体に添加した比較例2の有機EL素子は、電流密度の変化に応じてその発光スペクトルが大きく変化し、安定した発光特性が得られていない。加えて、第1表に示すように、ロット間バラツキも許容可能とはいえないレベルである。
一方、図2および図5から分かるように、有機発光層全体に添加する第2蛍光性ドーパントの添加量を1桁小さくした比較例1の有機EL素子は、電流密度が変化しても、その発光スペクトルの変化は小さく、安定した発光特性が示した。しかしながら、第2蛍光性ドーパントの添加量がごく微量であるため、第1表に示すようにロット間の発光輝度のバラツキが大きい。すなわち、安定した発光特性を有する有機EL素子の大量生産が困難であるという製造上の問題点を呈する。
前述の比較例の有機EL素子に比較して、有機発光層を内層および2つの外層から構成し、第2蛍光性ドーパントを内層のみに添加した実施例1の有機EL素子は、電流密度が変化しても、その発光スペクトルの変化は小さく、安定した発光特性が示した。また、第1表に示すように、ロット間バラツキも抑制されていることが分かる。
10 基板
20 第1電極
30 有機EL層
31 正孔注入輸送層
32 有機発光層
32a 外層
32b 内層
33 電子注入輸送層
40 第2電極
20 第1電極
30 有機EL層
31 正孔注入輸送層
32 有機発光層
32a 外層
32b 内層
33 電子注入輸送層
40 第2電極
Claims (3)
- 第1電極と、正孔注入輸送層、有機発光層および電子注入輸送層を含む有機EL層と、第2電極とを含む有機EL素子であって、
前記有機発光層は、前記正孔注入輸送層または前記電子注入輸送層のいずれかと接触する2つの外層と、前記2つの外層に挟持される内層とを有し、
前記2つの外層はホスト材料および第1蛍光性ドーパントから構成され、前記内層はホスト材料、第1蛍光性ドーパントおよび第2蛍光性ドーパントから構成され、
前記第1蛍光性ドーパントのバンドギャップは、前記第2蛍光性ドーパントのバンドギャップよりも大きい
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記2つの外層のそれぞれは、5nm以上の膜厚を有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記外層は、ホスト材料および第1蛍光性ドーパントの共蒸着によって形成され、および前記内層は、ホスト材料、第1蛍光性ドーパントおよび第2蛍光性ドーパントの共蒸着によって形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子。
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