JP2009187737A - Light-emitting device and electronic equipment - Google Patents

Light-emitting device and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2009187737A
JP2009187737A JP2008025170A JP2008025170A JP2009187737A JP 2009187737 A JP2009187737 A JP 2009187737A JP 2008025170 A JP2008025170 A JP 2008025170A JP 2008025170 A JP2008025170 A JP 2008025170A JP 2009187737 A JP2009187737 A JP 2009187737A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
organic
light
light emitting
auxiliary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008025170A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Karasawa
康史 柄沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008025170A priority Critical patent/JP2009187737A/en
Publication of JP2009187737A publication Critical patent/JP2009187737A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device which realizes low resistance of electrodes to constitute an organic EL element and is easy to manufacture. <P>SOLUTION: The organic EL element 8 includes a first and a second electrode layers formed on a substrate and a light-emitting functional layer pinched by these. The second electrode layer furthermore includes a main electrode formed all over so as to cover the surface of the substrate and N pieces of auxiliary electrodes 501 (N is a positive integer) which extend respectively along a row direction. Out of these, the auxiliary electrodes are made of a material having lower electric resistance than the main electrode and at least one piece of auxiliary electrode out of the N pieces of auxiliary electrodes includes at least one fracture portion 502 on the way of its extension direction, and furthermore, the sheet resistance of the second electrode layer is a prescribed value or less. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、エレクトロルミネセンスにより発光する発光装置及び電子機器に関する。   The present invention relates to a light emitting device and an electronic device that emit light by electroluminescence.

薄型で軽量な発光源として、OLED(organic light emitting diode)、即ち有機EL(electro luminescent)素子が提供されている。有機EL素子は、有機材料で形成された少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。この場合、画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると同時に、前記有機薄膜にも電流が流れ、これにより、当該有機薄膜、ないしは有機EL素子は発光する。この場合、その発光の輝度は、有機薄膜に流れる電流の大きさに応じるので、当該電流の制御、言い換えれば、画素電極及び対向電極それぞれについての電位設定等に関しては、十分な注意を払う必要がある。
このような有機EL素子を多数並べ、かつ、その各々につき発光及び非発光を適当に制御すれば、所望の意味内容をもつ画像等の表示が可能となる。
かかる有機EL素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献1に開示されているようなものが知られている。
特開2001−296819号公報
As a thin and light-emitting source, an organic light emitting diode (OLED), that is, an organic EL (electro luminescent) element is provided. The organic EL element has a structure in which at least one organic thin film formed of an organic material is sandwiched between a pixel electrode and a counter electrode. In this case, the pixel electrode functions as, for example, an anode, and the counter electrode functions as a cathode. At the same time as a current flows between them, a current also flows in the organic thin film, whereby the organic thin film or the organic EL element emits light. In this case, since the luminance of the light emission depends on the magnitude of the current flowing in the organic thin film, it is necessary to pay sufficient attention to the control of the current, in other words, the potential setting for each of the pixel electrode and the counter electrode. is there.
If a large number of such organic EL elements are arranged and light emission and non-light emission are appropriately controlled for each of them, an image having a desired meaning can be displayed.
As such an organic EL element or an image display apparatus provided with the organic EL element, for example, one disclosed in Patent Document 1 is known.
JP 2001-296819 A

ところで、上述のような画像表示装置においては、既述の電流制御に関わる問題に関連して、画素電極あるいは対向電極の電気抵抗特性に関する問題がある。すなわち、有機EL素子は、前述のように、これら両電極で有機薄膜を挟持する構成を持つため、当該有機薄膜から発した光を装置外部へと導くためには、これら画素電極及び対向電極の少なくとも一方は、透明でなければならない。したがって、当該少なくとも一方は、透明であって導電性がある材料、例えばITO(Indium Tin Oxide)や、IZO(Indium Zinc Oxide)、あるいは光透過が可能となるまで薄膜化した銀、アルミニウム及び金その他の金属や合金等で作られる必要がある。しかし、これら透明導電性の材料は電気抵抗値が比較的高い。そのため、これらの電極の電位の安定的な設定・維持、ひいては有機薄膜への電流制御、あるいは画像表示面における輝度均一性の維持が困難となってしまうのである。   By the way, in the image display apparatus as described above, there is a problem related to the electric resistance characteristics of the pixel electrode or the counter electrode in relation to the problem related to the current control described above. That is, since the organic EL element has a configuration in which the organic thin film is sandwiched between these two electrodes as described above, in order to guide light emitted from the organic thin film to the outside of the apparatus, the pixel electrode and the counter electrode At least one must be transparent. Therefore, at least one of them is a transparent and conductive material, such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), or silver, aluminum, gold, etc. that have been thinned until light transmission is possible Need to be made of any metal or alloy. However, these transparent conductive materials have a relatively high electrical resistance value. For this reason, it is difficult to stably set and maintain the potentials of these electrodes, and consequently to control the current to the organic thin film, or to maintain the luminance uniformity on the image display surface.

このような不具合は特に、いわゆるトップエミッション型の画像表示装置において顕著である。ここにトップエミッション型とは、有機EL素子中の有機薄膜から発した光が、当該有機EL素子が形成されている基板が存在する位置とは反対側に向かって、装置外部へと導かれるタイプを意味する(ちなみに、当該基板の側に向かって当該光が導かれるタイプは、ボトムエミッション型と呼ばれる。)。このトップエミッション型の場合、例えば、前記対向電極が前記透明導電性材料から作られ、かつ、この対向電極が基板全面を覆うかのようなベタ状電極として形成される。したがって、前述した電気抵抗の問題は、このような対向電極においてより深刻になる。   Such a problem is particularly noticeable in a so-called top emission type image display device. Here, the top emission type is a type in which light emitted from an organic thin film in an organic EL element is guided to the outside of the apparatus toward the side opposite to the position where the substrate on which the organic EL element is formed exists. (Incidentally, the type in which the light is guided toward the substrate side is called a bottom emission type). In the case of the top emission type, for example, the counter electrode is made of the transparent conductive material, and is formed as a solid electrode as if the counter electrode covers the entire surface of the substrate. Therefore, the above-described problem of electrical resistance becomes more serious in such a counter electrode.

このような問題に対処するため、従来、いわゆる“補助電極”を形成することが行われている。すなわち、前述の構成例で言えば、比較的高抵抗の対向電極の上層又は下層として、かつ、発光領域を避けるように、比較的低抵抗の材料からなる導電性膜(即ち、補助電極)を形成するのである。これにより、当該補助電極が付設された対向電極の全体的な抵抗値は低くなり得る。   Conventionally, so-called “auxiliary electrodes” are formed in order to cope with such problems. That is, in the above-described configuration example, a conductive film (that is, an auxiliary electrode) made of a relatively low resistance material is used as an upper layer or a lower layer of a relatively high resistance counter electrode and so as to avoid a light emitting region. It forms. As a result, the overall resistance value of the counter electrode provided with the auxiliary electrode can be lowered.

しかし、この補助電極の形成は、それ自体に困難が伴う。例えば、前述した“発光領域を避けるように”という条件を満たすため、補助電極は、マトリクス状に配列された有機EL素子の行間を縫うように直線状に形成されるのが好ましいと通常は考えられるが、これ自体が、相当程度困難である。というのも、この場合、当該補助電極は極めて微細な線幅をもつ必要があり、しかも、それが前記行間領域に亘って線状に連続している必要があることになるからである。かかる成膜は、アライメント一つとっても困難である。また、画面サイズが大きくなればなるほど、その困難性は高まる。   However, the formation of this auxiliary electrode is difficult in itself. For example, in order to satisfy the above-mentioned condition “to avoid the light emitting region”, it is usually considered that the auxiliary electrode is preferably formed in a straight line so as to sew between the rows of the organic EL elements arranged in a matrix. However, this is quite difficult in itself. This is because, in this case, the auxiliary electrode needs to have a very fine line width, and further, it needs to be continuous in a line shape across the inter-row region. Such film formation is difficult even with a single alignment. In addition, the difficulty increases as the screen size increases.

このような困難性を回避しようとするなら、例えば前記の特許文献1に記載されているように、そのような線状の電極を一挙に成膜するのではなくて、これを適当な数の、いわば部品としての電極の集合と考え、それら「複数の電極の一部が互いに重なりあ」うようにすることで(特許文献1の〔請求項1〕)、線状の補助電極を成膜するということが考えられる。しかしながら、この場合であっても、蒸着時に発生する輻射熱の影響によって蒸着マスクの伸縮が生じ、それら1個1個の電極の形状制御が困難(したがって、例えば、最終的に形成しようとする補助電極が線状に繋がらない)という問題がある。
前記の特許文献1でも、このような不具合、即ち「輻射熱を受けても開口部の精度が変化しない金属マスク」の使用の重要性が指摘されているが(特許文献1の〔0006〕)、特許文献1は、このような不具合を回避するため、「パターン加工されたパターンマスクを…平行移動させることで、前記複数の電極ラインを形成する」技術を開示する(特許文献1の〔請求項3〕等、あるいは〔図2〕乃至〔図4〕等参照)。しかしながら、この技術にも問題はある。すなわち、この技術では、1枚のマスクを少なくとも2回以上の蒸着に使用することになるので、例えば1回目の蒸着で当該マスクが汚染された場合、その汚染が2回目の蒸着で基板側に転写される、などということが生じ得るからである。
If it is intended to avoid such difficulty, for example, as described in Patent Document 1 described above, instead of forming such a linear electrode all at once, an appropriate number of such electrodes may be used. In other words, it is considered as a collection of electrodes as parts, and by making them “a part of a plurality of electrodes overlap each other” (Claim 1 of Patent Document 1), a linear auxiliary electrode is formed. It is possible to do. However, even in this case, expansion and contraction of the vapor deposition mask occurs due to the influence of radiant heat generated during vapor deposition, and it is difficult to control the shape of each of these electrodes (for example, the auxiliary electrode to be finally formed) Is not connected linearly).
Even in the above-mentioned Patent Document 1, it is pointed out that such a problem, that is, the importance of using a “metal mask in which the accuracy of the opening does not change even when subjected to radiant heat” ([0006] of Patent Document 1), In order to avoid such a problem, Patent Document 1 discloses a technique of “forming the plurality of electrode lines by translating a pattern-processed pattern mask ...” (claims of Patent Document 1). 3] etc. or [FIG. 2] to [FIG. 4] etc.). However, there are problems with this technology. That is, in this technique, since one mask is used for at least two times of vapor deposition, for example, when the mask is contaminated by the first vapor deposition, the contamination is caused on the substrate side by the second vapor deposition. This is because it can be transferred.

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、発光素子を構成する電極の低抵抗化を中心とした、前記の課題の幾つかの全部又は一部を解決することの可能な発光装置及び電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and light emission capable of solving some or all of the above-mentioned problems centering on the reduction in resistance of electrodes constituting the light-emitting elements. It is an object to provide an apparatus and an electronic device.

本発明の発光装置は、上述した課題を解決するため、基板と、当該基板上にマトリクス状配列に従って並ぶ発光素子と、を備え、前記発光素子は、前記基板上に形成される第1及び第2電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含み、前記第2電極層は更に、前記基板の面を覆うように形成される主電極と、それぞれが、前記主電極と直接の接点をもつように形成されるとともに、前記マトリクス状配列に従って並ぶ前記発光素子の間に延びるN本の補助電極(Nは正の整数)と、を含み、前記補助電極は、前記主電極に比べて、より低い電気抵抗をもつ材料から作られ、前記N本の補助電極のうち少なくとも1本の補助電極は、その延在方向の途中で少なくとも1箇所の破断部分をもち、かつ、前記第2電極層のシート抵抗は所定値以下である。   In order to solve the above-described problems, a light-emitting device of the present invention includes a substrate and light-emitting elements arranged on the substrate according to a matrix arrangement, and the light-emitting elements are first and first elements formed on the substrate. The second electrode layer further includes a main electrode formed so as to cover the surface of the substrate, and each of the second electrode layers is in direct contact with the main electrode. N auxiliary electrodes (N is a positive integer) extending between the light emitting elements arranged in accordance with the matrix arrangement, the auxiliary electrodes being in comparison with the main electrodes The second electrode is made of a material having a lower electrical resistance, and at least one of the N auxiliary electrodes has at least one broken portion in the extending direction thereof. The sheet resistance of the layer is a predetermined value It is below.

本発明によれば、発光素子を構成する第2電極層が、前述したような主電極及びN本の補助電極を含む。ここで“N”は、好適には例えば、発光素子の行の数に一致するとよいが、そこから適当に間引きされた数に一致してもよい(つまり、前記マトリクス状配列の行数がAであるなら、A>Nでもよい。)。
そして、本発明においては、N本の補助電極のうちの少なくとも1本の補助電極は、その延在方向の途中で少なくとも1箇所の破断部分を持つ。したがって、当該少なくとも1本の補助電極では、それ以外の補助電極のように、電荷の移動がスムースには行われない。
とはいえ、本発明では、第2電極層のシート抵抗は所定値以下である。ここで「所定値」とは、例えば「前記発光素子の全部が所定の輝度以上で発光するための値」、「前記発光素子の全部に含まれる前記発光機能層に所定の大きさ以上の電流が流れるための値」、あるいは「前記第1及び第2電極層間にかけられる電圧が前記発光機能層に係る障壁電圧以上となるための値」等々と言い換えられえ、あるいは定義されうる。これらの場合、第2電極層を全体としてみたとき、その電位設定は好適に行われ得るから、発光素子における電流制御が好適に行われ得ることになる(なお、上述でいう「障壁電圧」については、後述する図9(A)及びそれに関する実施形態中の説明、参照)。
According to the present invention, the second electrode layer constituting the light emitting element includes the main electrode and N auxiliary electrodes as described above. Here, “N” preferably corresponds to, for example, the number of rows of the light emitting elements, but may match the number appropriately thinned therefrom (that is, the number of rows of the matrix arrangement is A). If it is, A> N may be sufficient.)
In the present invention, at least one of the N auxiliary electrodes has at least one broken portion in the middle of the extending direction. Therefore, in the at least one auxiliary electrode, the movement of charges is not performed smoothly unlike the other auxiliary electrodes.
However, in the present invention, the sheet resistance of the second electrode layer is not more than a predetermined value. Here, the “predetermined value” means, for example, “a value for all the light emitting elements to emit light with a predetermined luminance or higher”, “a current of a predetermined magnitude or more in the light emitting functional layer included in all of the light emitting elements. Can be paraphrased or defined as “a value for flowing a current” or “a value for causing a voltage applied between the first and second electrode layers to be equal to or higher than a barrier voltage of the light emitting functional layer”. In these cases, when the second electrode layer is viewed as a whole, the potential setting can be suitably performed, so that the current control in the light emitting element can be suitably performed (Note that the “barrier voltage” referred to above) (Refer to FIG. 9A described later and the description in the embodiment related thereto).

以上により、次のようなことが言える。すなわち、発光素子における電流制御は好適に行われながらも、そのようなことをいわば舞台裏でバックアップする補助電極は、「破断部分」をもっていてよい。この破断部分は、前述のように電荷移動を阻害こそすれ、スムースにすることはないのだから、本来、あってはならないものと考えられる。しかし、本願発明者は、シート抵抗が前記所定値以下のときには、そのような破断部分の存在も許容されることを見出した。そして、これが許容されるということは、N本の補助電極のすべてについて、必ずしもこれらを厳密に連続した線状形状をもつ電極として形成する必要がないということを意味する。つまり、本発明においては、上述したような、輻射熱による蒸着マスクの変形とか、1枚のマスクの使い回しによる汚染等々といった問題について特段の配慮を払う必要のない製造方法によって、補助電極は、製造され得るのである。これは当然、当該発光装置の製造容易性を極めて高める。
このように、本発明においては、「シート抵抗」に係る規定により、発光素子の電流制御好適化あるいはその輝度維持が、「破断部分」の存在により製造容易性が、それぞれ担保され、これらいわば相反する関係にある要求が同時に満たされることになる。
以上の事項は、後述する実施形態において、より具体的な数値等の裏づけをもって説明される。
From the above, the following can be said. That is, while the current control in the light emitting element is suitably performed, the auxiliary electrode that backs up behind the scenes may have a “breaking portion”. As described above, the fracture portion is inhibited from charge transfer and does not become smooth. However, the inventor of the present application has found that such a broken portion is allowed when the sheet resistance is equal to or less than the predetermined value. The fact that this is allowed means that it is not always necessary to form all of the N auxiliary electrodes as electrodes having a strictly continuous linear shape. In other words, in the present invention, the auxiliary electrode is manufactured by a manufacturing method that does not need to pay particular attention to the problems such as the deformation of the vapor deposition mask due to radiant heat or the contamination due to the reuse of one mask as described above. It can be done. This naturally increases the manufacturability of the light emitting device.
As described above, according to the present invention, according to the provisions relating to “sheet resistance”, the current control optimization of the light emitting element or the brightness maintenance thereof is ensured by the presence of the “breaking portion”, respectively. The demands that are related to each other will be satisfied at the same time.
The above items will be described with more specific numerical values and the like in the embodiments described later.

この発明の発光装置では、前記補助電極は、前記発光素子の行方向に沿って延びるように配置されている、ように構成してもよい。
この態様によれば、補助電極の最適な形成態様の1つが提供される。
なお、本態様にいう「行方向」とは、前記の「マトリクス状配列」の中において観念される縦方向又は横方向のいずれか1つの方向を意味する。この場合、例えば、当該「マトリクス状配列」の横方向を“行”と意味づけるなら、縦方向は“列”となるが、これを90度回転させてみれば、従前の横方向(即ち、“行”)は縦方向となって“列”となり、従前の縦方向(即ち、“列”)は横方向となって“行”となる。要するに、「行」及び「列」は、いま述べた意味においては相対的な概念であって、その意味では、本態様にいう「行」は、「列」と言い換えられうる。
In the light emitting device of the present invention, the auxiliary electrode may be arranged so as to extend along a row direction of the light emitting element.
According to this aspect, one of the optimal formation aspects of the auxiliary electrode is provided.
Note that the “row direction” in this aspect means any one of the vertical direction and the horizontal direction conceived in the “matrix-like arrangement”. In this case, for example, if the horizontal direction of the “matrix-like arrangement” is meant to be “row”, the vertical direction is “column”, but if this is rotated 90 degrees, the previous horizontal direction (ie, “Row”) becomes the “column” in the vertical direction, and the previous vertical direction (ie, “column”) becomes the “row” in the horizontal direction. In short, “row” and “column” are relative concepts in the meaning just described, and in that sense, “row” in this aspect can be rephrased as “column”.

この発明の発光装置では、前記所定値は1〔Ω/sq.〕である、ように構成してもよい。
この態様によれば、第2電極層のシート抵抗が比較的低く抑制されるので、発光素子における電流制御が上述にも増して極めて好適に行われる。なお、本態様に言う「1〔Ω/sq.〕」という表記は、厳密に、“1〔Ω/sq.〕”を意味するだけでなく、各種の理論的推定、種々の環境に応じた物性値の揺らぎ、あるいは技術的常識等によってその存在が当然に見込まれるべき一定程度の範囲内の値(即ち、1±α〔Ω/sq.〕)をも含意する。
In the light emitting device of the present invention, the predetermined value is 1 [Ω / sq. It may be configured as follows.
According to this aspect, since the sheet resistance of the second electrode layer is suppressed to be relatively low, the current control in the light emitting element is performed extremely favorably in addition to the above. Note that the notation “1 [Ω / sq.]” In the present embodiment strictly means not only “1 [Ω / sq.]” But also various theoretical estimations and various environments. It also implies a value within a certain range (that is, 1 ± α [Ω / sq.]) Whose existence should naturally be expected by fluctuations in physical properties or technical common sense.

また、本発明の発光装置では、前記基板の面の上に占める、前記破断部分の面積の、前記破断部分を含む前記補助電極の形成領域の面積に対する割合は、50〔%〕を下回る、ように構成してもよい。
この態様は、発光素子の電流制御の好適化と、製造容易性の向上との間のバランスを保つという観点からの最適な例の1つを提供する。すなわち、本願発明者は、上述のような“50〔%〕”規定を外れると、発光素子の電流制御が困難になることを見出している。この点については、後の実施形態の説明において改めて触れる。
なお、前述のように、N本の補助電極は適当に間引きされて(即ち、N<A(=発光素子行数)で)形成されてもよいが、この場合、本態様でいうのと同様の趣旨(即ち、破断部分の、いわば“量”が、それを除く補助電極の“量”に比べて、あまりに大きくなってはならない、という趣旨)に基づく制約が存在すると考えられる。
Further, in the light emitting device of the present invention, the ratio of the area of the broken portion on the surface of the substrate to the area of the formation region of the auxiliary electrode including the broken portion is less than 50%. You may comprise.
This aspect provides one of the optimal examples from the viewpoint of maintaining a balance between the optimization of the current control of the light emitting element and the improvement of the manufacturability. That is, the inventor of the present application has found that it is difficult to control the current of the light-emitting element if the “50 [%]” regulation as described above is not satisfied. This point will be touched on later in the description of the embodiment.
As described above, the N auxiliary electrodes may be formed by being thinned out appropriately (that is, N <A (= the number of light emitting element rows)), but in this case, as in the present embodiment It is considered that there is a restriction based on the above (that is, the “amount” of the fractured portion should not be too large compared to the “amount” of the auxiliary electrode excluding it).

また、本発明の発光装置では、前記基板上に前記第2電極層と電気的に接続される電源線を更に備える、ように構成してもよい。
この態様によれば、第2電極層に対する電位設定が、電源線を通じて好適に行われる。
The light emitting device of the present invention may further include a power supply line electrically connected to the second electrode layer on the substrate.
According to this aspect, the potential setting for the second electrode layer is preferably performed through the power supply line.

この態様では、前記主電極は平面視して略四辺形状をもち、前記電源線は、前記主電極の相対向する2つの辺それぞれに対向する部分をもつ、ように構成してもよい。
この態様によれば、略四辺形状をもつ主電極の二辺に対向する部分をもつ電源線が備えられているので、第2電極層に対する電源供給を行う電源線としては最好適な態様の1つをとるということができる。
しかし、このような態様は同時に、当該電源線から当該主電極の中央部分までの距離を相当程度隔てることになり、当該主電極全体の電位を維持することをより困難にする。しかるに、本発明においては、このような場合であっても、上述した、破断部分をもつN本の補助電極が存在すれば、発光素子の電流制御好適化及び製造容易性の向上という2つの効果が、変わりなく奏される。逆に言えば、このような態様においてこそ、本発明の効果はより一層実効的に享受されるということができる。
In this aspect, the main electrode may have a substantially quadrilateral shape in plan view, and the power supply line may have a portion facing each of two opposite sides of the main electrode.
According to this aspect, since the power supply line having a portion facing the two sides of the main electrode having a substantially quadrilateral shape is provided, the power supply line for supplying power to the second electrode layer is the most suitable aspect. It can be said that one is taken.
However, such an aspect simultaneously separates the distance from the power supply line to the central portion of the main electrode to a considerable extent, making it more difficult to maintain the potential of the entire main electrode. However, in the present invention, even in such a case, if the above-described N auxiliary electrodes having broken portions exist, the two effects of optimizing the current control of the light emitting element and improving the manufacturability are achieved. Is played unchanged. Conversely, it can be said that the effect of the present invention can be enjoyed more effectively only in such an aspect.

また、本発明の発光装置では、前記主電極は、透明導電性材料から作られる、ように構成してもよい。
この態様によれば、主電極が透明導電性材料から作られるので、当該主電極を透過させるようにして発光素子から発した光を装置外部に取り出すことが可能である。
また、当該透明導電性材料は、通常、比較的高抵抗であることが予想されるが、その場合においても、上述した、破断部分をもつN本の補助電極が存在すれば、発光素子の電流制御好適化及び製造容易性の向上という2つの効果が、変わりなく奏される。逆に言えば、このような態様においてこそ、本発明の効果はより一層実効的に享受されるということができる。
In the light emitting device of the present invention, the main electrode may be made of a transparent conductive material.
According to this aspect, since the main electrode is made of a transparent conductive material, light emitted from the light emitting element can be taken out of the apparatus so as to transmit the main electrode.
In addition, the transparent conductive material is normally expected to have a relatively high resistance. However, even in this case, if the N auxiliary electrodes having the broken portions described above are present, the current of the light emitting element can be reduced. The two effects of optimizing control and improving manufacturability remain unchanged. Conversely, it can be said that the effect of the present invention can be enjoyed more effectively only in such an aspect.

一方、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種態様の発光装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の発光装置を備えてなるので、画像表面で輝度均一であるなど高品質な画像を表示することが可能であるとともに、その製造は容易である。
On the other hand, in order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described various types of light emitting devices.
Since the electronic apparatus of the present invention includes the various light emitting devices described above, it is possible to display a high-quality image such as uniform brightness on the image surface, and the manufacture thereof is easy.

以下では、本発明に係る実施の形態について図1乃至図5を参照しながら説明する。なお、これらの図面及び後に参照する図6以降の各図面においては、各部の寸法の比率、あるいは各要素間の距離等は実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。   Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. It should be noted that in these drawings and each drawing after FIG. 6 referred to later, the ratio of the dimensions of each part, the distance between the elements, and the like may be appropriately different from the actual ones.

図1は、本実施形態の有機EL装置(発光装置)の一例を示す平面図である。
この図1において、有機EL装置は、素子基板7と、この素子基板7上に形成される各種の要素を備えている。ここで各種の要素とは、有機EL素子8、走査線3及びデータ線6、走査線駆動回路103A及び103B、データ線駆動回路106、プリチャージ回路106A、並びに対向電極用電源線201である。
FIG. 1 is a plan view showing an example of the organic EL device (light emitting device) of the present embodiment.
In FIG. 1, the organic EL device includes an element substrate 7 and various elements formed on the element substrate 7. Here, the various elements are the organic EL element 8, the scanning line 3 and the data line 6, the scanning line driving circuits 103A and 103B, the data line driving circuit 106, the precharge circuit 106A, and the counter electrode power supply line 201.

有機EL素子(発光素子)8は、図1に示すように、素子基板7上に複数備えられており、それら複数の有機EL素子8はマトリクス状に配列されている。有機EL素子8の各々は、画素電極、発光機能層及び対向電極から構成されている。このうち対向電極には、その機能を補助するための補助電極が設けられている。これら各要素に関しては後に改めて触れる。
画像表示領域7aは、素子基板7上、これら複数の有機EL素子8が配列されている領域である。画像表示領域7aでは、各有機EL素子8の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板7の面のうち、この画像表示領域7aを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
As shown in FIG. 1, a plurality of organic EL elements (light emitting elements) 8 are provided on an element substrate 7, and the plurality of organic EL elements 8 are arranged in a matrix. Each of the organic EL elements 8 includes a pixel electrode, a light emitting functional layer, and a counter electrode. Among these, the counter electrode is provided with an auxiliary electrode for assisting its function. Each of these elements will be discussed later.
The image display area 7 a is an area where the plurality of organic EL elements 8 are arranged on the element substrate 7. In the image display area 7 a, a desired image can be displayed based on individual light emission and non-light emission of each organic EL element 8. Hereinafter, the area excluding the image display area 7a on the surface of the element substrate 7 is referred to as a “peripheral area”.

走査線3及びデータ線6は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機EL素子8の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線3は、図1に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路103A及び103Bに接続されている。一方、データ線6は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路106に接続されている。これら各走査線3及び各データ線6の各交点の近傍には、前述の有機EL素子8等を含む単位回路(画素回路)Pが設けられている。   The scanning lines 3 and the data lines 6 are arranged so as to correspond to the respective rows and columns of the organic EL elements 8 arranged in a matrix. More specifically, as shown in FIG. 1, the scanning line 3 extends in the left-right direction in the drawing and is connected to scanning line driving circuits 103A and 103B formed on the peripheral region. On the other hand, the data line 6 extends along the vertical direction in the drawing and is connected to the data line driving circuit 106 formed on the peripheral region. A unit circuit (pixel circuit) P including the organic EL element 8 and the like described above is provided in the vicinity of each intersection of the scanning lines 3 and the data lines 6.

この単位回路Pは、図2に示すように、前述の有機EL素子8を含むほか、nチャネル型の第1トランジスタ68、pチャネル型の第2トランジスタ9、及び容量素子69を含む。
単位回路Pは、電流供給線113から給電を受ける。複数の電流供給線113は、図示しない電源に接続されている。
また、pチャネル型の第2トランジスタ9のソース電極は電流供給線113に接続される一方、そのドレイン電極は有機EL素子8の画素電極に接続される。この第2トランジスタ9のソース電極とゲート電極との間には、容量素子69が設けられている。一方、nチャネル型の第1トランジスタ68のゲート電極は走査線3に接続され、そのソース電極はデータ線6に接続され、そのドレイン電極は第2トランジスタ9のゲート電極と接続される。
単位回路Pは、その単位回路Pに対応する走査線3を走査線駆動回路103A及び103Bが選択すると、第1トランジスタ68がオンされて、データ線6を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子69に保持する。そして、第2トランジスタ9が、データ信号のレベルに応じた電流を有機EL素子8に供給する。これにより、有機EL素子8は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
As shown in FIG. 2, the unit circuit P includes the organic EL element 8 described above, and also includes an n-channel first transistor 68, a p-channel second transistor 9, and a capacitor element 69.
The unit circuit P receives power from the current supply line 113. The plurality of current supply lines 113 are connected to a power source (not shown).
The source electrode of the p-channel type second transistor 9 is connected to the current supply line 113, and the drain electrode thereof is connected to the pixel electrode of the organic EL element 8. A capacitive element 69 is provided between the source electrode and the gate electrode of the second transistor 9. On the other hand, the gate electrode of the n-channel first transistor 68 is connected to the scanning line 3, its source electrode is connected to the data line 6, and its drain electrode is connected to the gate electrode of the second transistor 9.
In the unit circuit P, when the scanning line driving circuits 103A and 103B select the scanning line 3 corresponding to the unit circuit P, the first transistor 68 is turned on, and the data signal supplied via the data line 6 is transferred to the internal circuit P. It is held in the capacitor element 69. Then, the second transistor 9 supplies a current corresponding to the level of the data signal to the organic EL element 8. As a result, the organic EL element 8 emits light with a luminance corresponding to the level of the data signal.

素子基板7上の周辺領域上には、プリチャージ回路106Aが備えられている。このプリチャージ回路106Aは、有機EL素子8へのデータ信号の書込み動作に先立って、データ線6を所定の電位に設定するための回路である。
また、対向電極用電源線201(以下、単に「電源線201」という。)は、素子基板7の外形輪郭線にほぼ沿うように、平面視してΠ字状の形状をもつ。この電源線201は、有機EL素子8の対向電極に例えばグランドレベル等の電源電圧を供給する。
なお、前述では、走査線駆動回路103A及び103B、データ線駆動回路106、並びにプリチャージ回路106Aのすべてが素子基板7上に形成される例について説明しているが、場合によっては、そのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板に形成するのであってもよい。この場合、当該のフレキシブル基板と素子基板7との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続を可能とする。
On the peripheral region on the element substrate 7, a precharge circuit 106A is provided. The precharge circuit 106A is a circuit for setting the data line 6 to a predetermined potential prior to a data signal write operation to the organic EL element 8.
The counter electrode power supply line 201 (hereinafter simply referred to as “power supply line 201”) has a square shape in plan view so as to substantially follow the outline of the element substrate 7. The power supply line 201 supplies a power supply voltage such as a ground level to the counter electrode of the organic EL element 8.
In the above description, an example in which all of the scanning line driving circuits 103A and 103B, the data line driving circuit 106, and the precharge circuit 106A are formed on the element substrate 7 has been described. Or a part may be formed in a flexible substrate. In this case, by providing appropriate terminals at both contact portions between the flexible substrate and the element substrate 7, electrical connection between the two can be achieved.

平面視した場合に以上述べたような構成を備える有機EL装置は、図3に示すような積層構造物250を備えている。この積層構造物250は、図3に示すように、素子基板7を基準として、図中下から順に、回路素子薄膜11、第1層間絶縁膜301、反射層34、第2層間絶縁膜302、画素電極13、発光機能層18、対向電極5、及び補助電極501を含む。   An organic EL device having the above-described configuration when viewed in plan includes a stacked structure 250 as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the stacked structure 250 includes a circuit element thin film 11, a first interlayer insulating film 301, a reflective layer 34, a second interlayer insulating film 302, The pixel electrode 13, the light emitting functional layer 18, the counter electrode 5, and the auxiliary electrode 501 are included.

このうち、第1及び第2層間絶縁膜301及び302(以下、単に「絶縁膜301及び302」ということがある。)は、その他の残る導電性要素間の短絡が生じないように、あるいは、これら導電性要素の積層構造物250中の好適な配置を実現するため等に貢献する。これら絶縁膜301及び302は、様々な厚さでもって様々な絶縁性材料から作られうるが、好適には、各絶縁膜の積層構造物250中の配置位置や役割等に応じて、適宜適当な厚さ及び材料が選択されるとよい。
より具体的には例えば、絶縁膜301及び302は、SiO、SiN、SiON等々で作られて好ましい。
Among these, the first and second interlayer insulating films 301 and 302 (hereinafter, simply referred to as “insulating films 301 and 302”) may prevent a short circuit between other conductive elements, or This contributes to realizing a suitable arrangement of the conductive elements in the laminated structure 250. Although these insulating films 301 and 302 can be made of various insulating materials with various thicknesses, it is preferable that the insulating films 301 and 302 are appropriately selected according to the arrangement position and role of each insulating film in the laminated structure 250. A suitable thickness and material may be selected.
More specifically, for example, the insulating films 301 and 302 are preferably made of SiO 2 , SiN, SiON, or the like.

回路素子薄膜11は、前述の単位回路Pに含まれる第1トランジスタ68や第2トランジスタ9等を含む。図では極めて簡略化されて描かれているが、この回路素子薄膜11は、これら各種のトランジスタを構成する半導体層、ゲート絶縁膜、ゲートメタル等や容量素子69を構成する電極用薄膜(いずれも不図示)、その他の金属薄膜から構成される。なお、図3に示す積層構造物250中には、前述した走査線3及びデータ線6も当然構築されているが、その図示は省略されている。   The circuit element thin film 11 includes the first transistor 68 and the second transistor 9 included in the unit circuit P described above. Although the circuit element thin film 11 is drawn in a very simplified manner in the figure, the circuit element thin film 11 is composed of a semiconductor layer, a gate insulating film, a gate metal, etc. constituting these various transistors and an electrode thin film (capacitor element 69). (Not shown) and other metal thin films. In addition, in the laminated structure 250 shown in FIG. 3, the scanning line 3 and the data line 6 are naturally constructed, but the illustration thereof is omitted.

一方、前述の有機EL素子8の各々は、図3に示すように、積層構造物を構成する前述の各種の要素のうち、画素電極13、発光機能層18、及び対向電極5から構成される。   On the other hand, each of the aforementioned organic EL elements 8 is composed of the pixel electrode 13, the light emitting functional layer 18, and the counter electrode 5 among the above-described various elements constituting the laminated structure, as shown in FIG. .

このうち画素電極13は、素子基板7上に、マトリクス状に配列するように形成されている。有機EL素子8がマトリクス状に配列されているということは、このように画素電極13がマトリクス状に配列されているということに相応する(図1及び図3参照)。
この画素電極13は、コンタクトホール360を介して、前述の回路素子薄膜11と電気的に接続されている。これにより、この画素電極13は、図2に示した第2トランジスタ9を介して電流供給線113から供給される電流を、発光機能層18に印加可能である。なお、コンタクトホール360は、第1及び第2層間絶縁膜301及び302を貫通するようにして形成されている。
このような画素電極13は、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透光性かつ導電性の材料から作られている。
Among these, the pixel electrodes 13 are formed on the element substrate 7 so as to be arranged in a matrix. The fact that the organic EL elements 8 are arranged in a matrix corresponds to the fact that the pixel electrodes 13 are arranged in a matrix as described above (see FIGS. 1 and 3).
The pixel electrode 13 is electrically connected to the circuit element thin film 11 through the contact hole 360. Thereby, the pixel electrode 13 can apply the current supplied from the current supply line 113 to the light emitting functional layer 18 via the second transistor 9 shown in FIG. The contact hole 360 is formed so as to penetrate through the first and second interlayer insulating films 301 and 302.
The pixel electrode 13 is made of a light-transmitting and conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).

反射層34は、このような画素電極13の形成領域に対応するように、第1層間絶縁膜301上、且つ、第2層間絶縁膜302下に形成されている。反射層34は、図3に示すように、発光機能層18から発せられた光を反射する。この反射光は、図中上方に向かって進行する(図3中の矢印参照。)。このように、本実施形態に係る有機EL装置は、いわゆるトップエミッション型である。なお、このことから、素子基板7は、セラミックスや金属等の不透明材料で作られてよい(これとは反対に、ボトムエミッション型の場合、素子基板7は、透光性材料から作られている必要がある。)。
このような反射層34は、上述の反射機能をよりよく発揮するため、光反射性能の比較的高い材料から作られているとよい。例えば、アルミニウムや銀等の金属を利用することができる。
The reflective layer 34 is formed on the first interlayer insulating film 301 and below the second interlayer insulating film 302 so as to correspond to the formation region of the pixel electrode 13. The reflection layer 34 reflects the light emitted from the light emitting functional layer 18 as shown in FIG. This reflected light travels upward in the figure (see arrow in FIG. 3). Thus, the organic EL device according to this embodiment is a so-called top emission type. From this, the element substrate 7 may be made of an opaque material such as ceramics or metal (in contrast, in the case of the bottom emission type, the element substrate 7 is made of a translucent material. There is a need.).
Such a reflective layer 34 is preferably made of a material having a relatively high light reflection performance in order to better exhibit the above-described reflection function. For example, a metal such as aluminum or silver can be used.

一方、隔壁(バンク)340は、図3、あるいは図4に示すように、上述のような画素電極13のうち、平面視して隣接する画素電極13間の領域に形成されている。この隔壁340の図3中上下方向の実際上の高さは概ね1〜2μmである。この隔壁340は、各有機EL素子8を区画する役割を担う。
このような隔壁340は、例えば絶縁性の透明樹脂材料、その中でも特に撥液性をもつ材料で作られて好適である。より具体的には例えば、フッ素系樹脂、あるいは更に、アクリル樹脂の他、エポキシ樹脂、あるいはポリイミドなどを挙げることができる。
なお、隔壁340がこのような各種の樹脂材料から作られている場合には、その基層を、例えばSiO等の無機材料で作るようにするとよい(即ち、この場合、隔壁340は下層側に無機物質、上層側に有機物質という積層構造を持つことになる。)。これによれば、画素電極13が上述のようにITO等から作られている場合においても、当該画素電極13と隔壁340との密着性を高めることができる。
On the other hand, as shown in FIG. 3 or FIG. 4, the partition wall (bank) 340 is formed in a region between the adjacent pixel electrodes 13 in plan view among the above-described pixel electrodes 13. The actual height of the partition wall 340 in the vertical direction in FIG. 3 is approximately 1 to 2 μm. The partition 340 plays a role of partitioning each organic EL element 8.
Such a partition 340 is preferably made of, for example, an insulating transparent resin material, particularly a material having liquid repellency. More specifically, for example, fluorine resin, or acrylic resin, epoxy resin, polyimide or the like can be used.
In addition, when the partition 340 is made of such various resin materials, the base layer may be made of an inorganic material such as SiO 2 (that is, in this case, the partition 340 is on the lower layer side). It has a laminated structure of an inorganic substance and an organic substance on the upper layer side.) According to this, even when the pixel electrode 13 is made of ITO or the like as described above, the adhesion between the pixel electrode 13 and the partition wall 340 can be improved.

発光機能層18は、図3に示すように、画素電極13の上に形成されている。この発光機能層18は、少なくとも有機発光層を含み、有機発光層は正孔と電子が結合して発光する有機EL物質から構成されている。この有機EL物質が例えば高分子材料である場合、当該有機EL物質は、例えば液滴塗布法(インクジェット法)により、前記隔壁340により区画された各空間内のみに(即ち、画素ごとに)供給される。
このように、隔壁340により区画された空間のみに有機EL物質を供給する態様によると、図4に示すように、発光機能層18を、色毎に、区別して設けることができる。図4では、図中左右方向に沿って、赤色光、緑色光及び青色光それぞれ専用の有機EL物質を含む発光機能層18R,18G及び18Bが、この順に形成されている例が示されている。なお、図中縦方向に沿っては、発光機能層18Rのみが並ぶ列、発光機能層18Gのみが並ぶ列、及び発光機能層18Bのみが並ぶ列、がそれぞれ列設されている。
発光機能層18を構成する他の層として、電子ブロック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
The light emitting functional layer 18 is formed on the pixel electrode 13 as shown in FIG. The light emitting functional layer 18 includes at least an organic light emitting layer, and the organic light emitting layer is composed of an organic EL material that emits light by combining holes and electrons. When the organic EL material is, for example, a polymer material, the organic EL material is supplied only within each space partitioned by the partition wall 340 (that is, for each pixel) by, for example, a droplet coating method (inkjet method). Is done.
As described above, according to the aspect in which the organic EL material is supplied only to the space partitioned by the partition wall 340, the light emitting functional layer 18 can be provided separately for each color as shown in FIG. FIG. 4 shows an example in which the light emitting functional layers 18R, 18G, and 18B including organic EL materials dedicated for red light, green light, and blue light are formed in this order along the horizontal direction in the drawing. . Note that along the vertical direction in the figure, there are arranged a row in which only the light emitting functional layers 18R are arranged, a row in which only the light emitting functional layers 18G are arranged, and a row in which only the light emitting functional layers 18B are arranged.
As other layers constituting the light-emitting functional layer 18, part or all of an electron block layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole block layer may be provided.

対向電極5は、図3に示すように、複数の有機EL素子8の発光機能層18に接触している。つまり、対向電極5は、複数の画素電極13に共通するように、隔壁340で画定された発光機能層18の区域及び隔壁340の上に広がっている。
この対向電極5は、平面視して、素子基板7の全面を覆うかのような矩形状(その内部に特別な開口、間隙等をもたない、いわゆるベタ状)に形成される。対向電極5の周囲は、図1に示した電源線201に電気的に接続される(その接続態様は不図示)。なお、電源線201は、前述のように平面視してΠ字状であり、対向電極5は矩形状であるから、後者は前者の“Π”字に囲まれた領域に入り込むように形成される。この場合、Π字のいわば2つの足の部分が、対向電極5の両辺に対向することになる。
この実施の形態では、対向電極5は陰極で、画素電極13は陽極だが、その逆であってもよい。
このような対向電極5は、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透光性かつ導電性の材料から作られている。
As shown in FIG. 3, the counter electrode 5 is in contact with the light emitting functional layers 18 of the plurality of organic EL elements 8. That is, the counter electrode 5 extends over the area of the light emitting functional layer 18 defined by the partition 340 and the partition 340 so as to be common to the plurality of pixel electrodes 13.
The counter electrode 5 is formed in a rectangular shape as if it covers the entire surface of the element substrate 7 in plan view (a so-called solid shape having no special opening, gap, or the like therein). The periphery of the counter electrode 5 is electrically connected to the power supply line 201 shown in FIG. 1 (the connection mode is not shown). Since the power line 201 has a square shape in plan view as described above, and the counter electrode 5 has a rectangular shape, the latter is formed so as to enter the region surrounded by the former “Π” character. The In this case, the two leg portions of the character are opposed to both sides of the counter electrode 5.
In this embodiment, the counter electrode 5 is a cathode and the pixel electrode 13 is an anode, but the opposite may be possible.
Such a counter electrode 5 is made of a translucent and conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).

以上の構成に加えて、本実施形態に係る有機EL装置は特に、補助電極501を備えている。
この補助電極501は、図3に示すように、隔壁340の上に位置する対向電極5の上に形成されている。この補助電極501は、図3からも明らかなように、対向電極5の上に直接形成されているから、補助電極501の図中下面(対向電極5と接する面)の全部は、当該対向電極5の図中上面との間の接点の集合からなるとみることができる。要するに、両者間における電気的連絡はほぼ完全である。
In addition to the above configuration, the organic EL device according to this embodiment particularly includes an auxiliary electrode 501.
As shown in FIG. 3, the auxiliary electrode 501 is formed on the counter electrode 5 positioned on the partition wall 340. As is clear from FIG. 3, the auxiliary electrode 501 is formed directly on the counter electrode 5, so that the entire lower surface (surface in contact with the counter electrode 5) of the auxiliary electrode 501 is the counter electrode. It can be seen that it consists of a set of contacts between the top surface in FIG. In short, the electrical communication between the two is almost perfect.

この補助電極501の平面視した場合における形状は、図4、あるいは図5に示すように略長方形状である。ただし、この略長方形状の短辺の長さは、長辺の長さに比して極めて短い。したがって、補助電極501は、殆ど“線状”といい得る形状をもつ。このような線状の補助電極501は、図4、あるいは図5に示すように複数存在し、その複数は図中縦方向相隣接して並ぶ有機EL素子8間の領域それぞれを縫うようにして延びる。そして、これら複数の補助電極501の一端は、同じく図4、あるいは図5に示すように電源線201に達する。   The shape of the auxiliary electrode 501 in a plan view is substantially rectangular as shown in FIG. 4 or FIG. However, the length of the short side of the substantially rectangular shape is extremely shorter than the length of the long side. Therefore, the auxiliary electrode 501 has a shape that can be almost called “linear”. There are a plurality of such linear auxiliary electrodes 501 as shown in FIG. 4 or FIG. 5, and a plurality of such auxiliary electrodes 501 are sewn in each region between the organic EL elements 8 arranged adjacent to each other in the vertical direction in the figure. Extend. Then, one ends of the plurality of auxiliary electrodes 501 reach the power supply line 201 as shown in FIG. 4 or FIG.

これら複数の補助電極501のそれぞれは、図4、あるいは図5に示すように、その延在方向の途中で破断部分502をもつ。本実施形態では、この破断部分502は、特に図5によく示されているように、3つの有機EL素子8ごとに1個ずつ設けられている。なお、ここでいう“3つの有機EL素子8”は、前述のように、赤色光、緑色光及び青色光それぞれ専用の有機EL物質を含む発光機能層18R,18G及び18Bを含む。したがって、このような3つの有機EL素子8を一まとまりとし、本実施形態において特にこれを“1ピクセル”と呼ぶなら、本実施形態に係る破断部分502は、1ピクセルごとに1個ずつ設けられているといえる。
この破断部分502の、補助電極501の延在方向に沿った長さtは、具体的には様々に定められ得るが、この点については後に述べる。
Each of the plurality of auxiliary electrodes 501 has a fractured portion 502 in the middle of its extending direction, as shown in FIG. 4 or FIG. In the present embodiment, one broken portion 502 is provided for each of the three organic EL elements 8 as shown particularly well in FIG. Note that the “three organic EL elements 8” herein include the light emitting functional layers 18R, 18G, and 18B including organic EL materials dedicated to red light, green light, and blue light, respectively, as described above. Therefore, if such three organic EL elements 8 are grouped and are specifically referred to as “one pixel” in the present embodiment, one broken portion 502 according to the present embodiment is provided for each pixel. It can be said that.
The length t of the fractured portion 502 along the extending direction of the auxiliary electrode 501 can be specifically determined in various ways, which will be described later.

以上述べたような補助電極501は、少なくとも前記対向電極5の抵抗値よりは低い抵抗値をもつ材料、更に具体的には、アルミニウム、銀、金、銅、等々で作られて好適である。それぞれの電気抵抗値(比抵抗)は、2.62〔μΩ・cm〕、1.62〔μΩ・cm〕、2.4〔μΩ・cm〕、1.69〔μΩ・cm〕であり、いずれも極めて低い。
また、本実施形態に係る補助電極501の形状を具体的に規定する各数値は、以下のように定められて好適である。すなわち、その幅W(図4参照)は10〜50μm程度、その高さT(図3参照)は100〜500nm程度とされて好適である。なお、前者の幅Wは、実際上は、図4からもわかるように、図中上下方向に隣接する有機EL素子8間の距離WAをどの程度に設定するかにもかかっている。通常は、後者の“距離WA”を定めた後、前者の“幅W”を定めるという手順がとられて好適であるが、幅Wが30nmであれば、距離WAは50nm程度という関係が成立するとよい(即ち、補助電極501の両側端から、そのそれぞれに対向する有機EL素子8の端部までの距離が15nm程度(=(WA−W)/2)に設定されるとよい。)。このように、WA>Wとする理由は、補助電極501の形成プロセスに関わる位置公差を考える必要があるからである。
The auxiliary electrode 501 as described above is preferably made of a material having a resistance value lower than that of the counter electrode 5, more specifically, aluminum, silver, gold, copper, or the like. Each electric resistance value (specific resistance) is 2.62 [μΩ · cm], 1.62 [μΩ · cm], 2.4 [μΩ · cm], and 1.69 [μΩ · cm]. Is extremely low.
Further, each numerical value that specifically defines the shape of the auxiliary electrode 501 according to the present embodiment is preferably determined as follows. That is, the width W (see FIG. 4) is about 10 to 50 μm, and the height T (see FIG. 3) is about 100 to 500 nm. Note that the former width W actually depends on how much the distance WA between the organic EL elements 8 adjacent in the vertical direction in the figure is set, as can be seen from FIG. Usually, the latter “distance WA” is determined, and then the former “width W” is preferably determined. However, if the width W is 30 nm, the distance WA is about 50 nm. (In other words, the distance from the both ends of the auxiliary electrode 501 to the end of the organic EL element 8 facing each of the auxiliary electrodes 501 may be set to about 15 nm (= (WA−W) / 2)). Thus, the reason for WA> W is that it is necessary to consider the position tolerance related to the formation process of the auxiliary electrode 501.

以上の補助電極501及び前述した対向電極5の一体は、本発明にいう「第2電極層」の一具体例に該当する。そして、本実施形態に係る、これら補助電極501及び対向電極5の一体は、その全体としてのシート抵抗が、1〔Ω/sq.〕以下となっている。   The integration of the auxiliary electrode 501 and the counter electrode 5 described above corresponds to a specific example of “second electrode layer” in the present invention. The integral of the auxiliary electrode 501 and the counter electrode 5 according to the present embodiment has a sheet resistance of 1 [Ω / sq. It is as follows.

以上のような構成をもつ有機EL装置によれば、次のような効果が奏される。
(1) まず、本実施形態の有機EL装置では、上述のように、対向電極5及び補助電極501の一体のシート抵抗が1〔Ω/sq.〕以下となっていることから、電源線201を介した電位の設定が比較的安定的に行われる。この対向電極5の電位は、画素電極13との間の電位差の設定、ひいては発光機能層18に流れる電流に影響を及ぼすから、結局、本実施形態では、有機EL素子8の電流制御、あるいはその発光輝度の制御を極めて安定的に行うことができる。
なお、このような比較的低いシート抵抗値が実現される背景には、補助電極501の存在が大きく貢献していることは言うまでもない。ただし、本実施形態に係る補助電極501には、前述のように破断部分502が存在するので、事情は然程簡単ではない。この点も含め、補助電極501及び破断部分502の配置態様等とシート抵抗との関係については、後においても改めて述べる。
According to the organic EL device having the above configuration, the following effects are exhibited.
(1) First, in the organic EL device of the present embodiment, as described above, the integral sheet resistance of the counter electrode 5 and the auxiliary electrode 501 is 1 [Ω / sq. Therefore, the setting of the potential via the power line 201 is performed relatively stably. Since the potential of the counter electrode 5 affects the setting of the potential difference with respect to the pixel electrode 13 and consequently the current flowing through the light emitting functional layer 18, the current control of the organic EL element 8 or the The emission luminance can be controlled very stably.
Needless to say, the existence of the auxiliary electrode 501 greatly contributes to the background of realizing such a relatively low sheet resistance value. However, since the auxiliary electrode 501 according to the present embodiment has the broken portion 502 as described above, the situation is not so simple. Including this point, the relationship between the layout of the auxiliary electrode 501 and the broken portion 502 and the sheet resistance will be described later.

(2) また、本実施形態の有機EL装置では、その製造(特に、補助電極501の形成)が極めて容易という効果が享受される。これは、補助電極501が破断部分502を持つから、あるいは、持っていてもよいからである。かかる効果は、補助電極501が仮に、図5の左右に示された各電源線201に挟まれた領域の全部に亘って常に連続した線状をもたなければならない場合(図8参照。なお、この図については後述する。)を想定すると明らかである。この場合、補助電極501の製造は、例えば、当該補助電極501の全線を一挙に形成するか、あるいはその一部を形成した後、その一部の端部に他の一部の端部が重なり合うように当該他の一部を形成する(以後、必要があれば、これを繰り返す)、等といったように行われる必要がある。しかしながら、前者の手法は殆ど実用不可能に近く、また、後者の手法についても、蒸着マスクの輻射熱による変形等々の問題が発生することは既に述べたとおりである(前述の〔発明が解決しようとする課題〕の項、参照)。
しかるに、本実施形態では、破断部分502が、積極的に設けられてよい。つまり、補助電極501は、先に述べた各手法に比べても、いわば極めてラフに製造され得るのである。
このようなことから、本実施形態の有機EL装置は、その製造容易性が極めて高められている。また、「ラフに製造され得る」ことの反面として、当該有機EL装置が大量生産される場合、その歩留まりは極めて向上する。
(2) Moreover, in the organic EL device of the present embodiment, the effect that the manufacture (particularly, formation of the auxiliary electrode 501) is extremely easy is enjoyed. This is because the auxiliary electrode 501 has or may have the fracture portion 502. Such an effect is provided when the auxiliary electrode 501 has to have a continuous linear shape over the entire region sandwiched between the power supply lines 201 shown on the left and right of FIG. 5 (see FIG. 8). This figure will be described later). In this case, the auxiliary electrode 501 is manufactured, for example, by forming all the lines of the auxiliary electrode 501 at once, or forming a part of the auxiliary electrode 501 and then overlapping some other end with the other end. The other part is formed as follows (hereinafter, if necessary, this is repeated) and so on. However, the former method is almost impractical, and the latter method also has problems such as deformation due to radiant heat of the vapor deposition mask as described above (see the above [Invention to solve) Refer to the section entitled “Problems to be addressed”).
However, in the present embodiment, the fracture portion 502 may be positively provided. In other words, the auxiliary electrode 501 can be manufactured very roughly compared to the above-described methods.
For this reason, the organic EL device of the present embodiment has extremely high manufacturability. On the other hand, when the organic EL device is mass-produced, the yield is extremely improved.

なお、本実施形態に係る有機EL装置において、補助電極501は、例えば、図5中左から、第1,3,5,…の各列に位置する補助電極片(補助電極501中、2つの破断部分502(又は、1つの破断部分502と電源線201と)に挟まれた部分。以下、図11に関する説明でも同趣旨の用語として使う。)を形成するための開口部をもつ第1マスクと、同じく第2,4,6,…の各列に位置する補助電極片を形成するための開口部をもつ第2マスクとを用いた、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等の蒸着法を用いることによって製造することができる。
この場合、前述の製造容易性の向上は、第1マスクと第2マスクとの相対的な位置関係の厳密な設定等が必要ないという意味で、享受され得ることを含む。なお、このように2枚のマスクを利用すれば、1枚のマスクをいわば使い回しする場合に懸念される汚染の転写等について心配する必要がないという効果も得られる。
In the organic EL device according to the present embodiment, the auxiliary electrode 501 includes, for example, auxiliary electrode pieces (in the auxiliary electrode 501, two auxiliary electrodes 501 positioned in the first, third, fifth, and so on columns from the left in FIG. 5). A first mask having an opening for forming a rupture portion 502 (or a portion sandwiched between one rupture portion 502 and the power supply line 201). And a vapor deposition method such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method using a second mask having openings for forming auxiliary electrode pieces located in the second, fourth, sixth,... Rows. Can be manufactured.
In this case, the above-described improvement in manufacturability includes that it can be enjoyed in the sense that it is not necessary to strictly set the relative positional relationship between the first mask and the second mask. If two masks are used in this way, there is also an effect that there is no need to worry about transfer of contamination which is a concern when one mask is reused.

本実施形態の有機EL装置によれば、以上述べたような効果が奏されるが、以下では、これに関する補足事項について、図6乃至図8(<実施例1>、<比較例1>及び<比較例2>にそれぞれ対応する。)、及び、図9を参照しながら説明する。   According to the organic EL device of the present embodiment, the effects as described above can be obtained. In the following, supplementary matters regarding this will be described with reference to FIGS. 6 to 8 (<Example 1>, <Comparative Example 1>, and Each corresponds to <Comparative Example 2>), and will be described with reference to FIG.

<実施例1>
まず、補助電極501が、図6に示すように、その全長の1/3に相当する長さをもち、かつ、該補助電極501の中央部分を破断する破断部分501Aをもつ場合に、対向電極5のシート抵抗がどうなるかを実験により測定した。この際、以下の各前提が置かれている。すなわち、画像表示領域7aのサイズは2インチ(なお、図6中上下方向の長さ、あるいは電源線201の延在方向の当該画像表示領域7aの長さは48mm)、解像度はQVGA(Quarter Video Graphics Array;320×240ピクセル)条件であり、対向電極5は、その材料が組成重量比10:1のMgAg(マグネシウム・銀)、その膜厚が10nmであり、補助電極501は、その材料がアルミニウム、前述の幅Wが15μm、厚さTが400nmである。
なお、この前提の下、補助電極501を設けない場合の対向電極5のシート抵抗は、4.15〔Ω/sq.〕(理論値)となった。
<Example 1>
First, as shown in FIG. 6, when the auxiliary electrode 501 has a length corresponding to 1/3 of its entire length and has a broken portion 501A for breaking the central portion of the auxiliary electrode 501, the counter electrode The sheet resistance of 5 was measured by experiment. At this time, the following assumptions are made. That is, the size of the image display area 7a is 2 inches (note that the length in the vertical direction in FIG. 6 or the length of the image display area 7a in the extending direction of the power line 201 is 48 mm), and the resolution is QVGA (Quarter Video). Graphics Array: 320 × 240 pixels), the counter electrode 5 is made of MgAg (magnesium / silver) with a composition weight ratio of 10: 1, the film thickness is 10 nm, and the auxiliary electrode 501 is made of the material Aluminum, the aforementioned width W is 15 μm, and the thickness T is 400 nm.
Under this assumption, the sheet resistance of the counter electrode 5 when the auxiliary electrode 501 is not provided is 4.15 [Ω / sq. ] (Theoretical value).

このような図6の場合、当該対向電極5のシート抵抗は、0.815〔Ω/sq.〕(理論値)となった。
また、この場合、図6中、左端及び右端、並びにその周囲に位置する有機EL素子8は、十分視認に耐え得る輝度で発光したが、素子基板7の中央部分に位置する有機EL素子8は、それよりも若干輝度が低下することが確認された。
In the case of FIG. 6, the sheet resistance of the counter electrode 5 is 0.815 [Ω / sq. ] (Theoretical value).
In this case, in FIG. 6, the organic EL elements 8 located at the left end and the right end and the periphery thereof emit light with a luminance sufficient to be visually recognized, but the organic EL element 8 located at the central portion of the element substrate 7 It was confirmed that the luminance was slightly reduced.

このように、破断部分の長さt(図5参照)が、図6に示すような、1本の補助電極501の全長の1/3に相当するという比較的大きな値をとっても、実用上十分な輝度での発光が行われ得る。   As described above, even if the length t (see FIG. 5) of the fracture portion is a relatively large value corresponding to 1/3 of the total length of one auxiliary electrode 501 as shown in FIG. Light emission with a proper luminance can be performed.

<比較例1>
次に、補助電極501が、図7に示すように、その全長の2/3に相当する長さをもつ破断部分501Bをもつ場合に、対向電極5のシート抵抗がどうなるかを実験により算出した。ただし、この「破断部分501B」は、図7からわかるように、1本の補助電極501につき2つの部分からなり、これらそれぞれは両電源線201の一側端からすぐにはじまっている。1個1個の破断部分501Bの長さは、前記の破断部分501Aと同様、補助電極501の全長の1/3に相当する。
また、この破断部分501Bをもつ補助電極501は、電源線201と直接的に接続される部分をもたない。つまり、図7において、補助電極501は、両側の電源線201からみて、素子基板7の中央部分に、いわば浮かんでいるかのような状態で形成されているのである。
なお、画像表示領域7aのサイズ等の前提条件は、上記<実施例1>と同じである。
<Comparative Example 1>
Next, as shown in FIG. 7, when the auxiliary electrode 501 has a fractured portion 501B having a length corresponding to 2/3 of the total length, the sheet resistance of the counter electrode 5 was calculated by experiment. . However, as can be seen from FIG. 7, the “breaking portion 501 </ b> B” is composed of two portions per one auxiliary electrode 501, and each of them immediately starts from one side end of both power supply lines 201. The length of each broken portion 501B corresponds to 1/3 of the total length of the auxiliary electrode 501 as in the case of the broken portion 501A.
Further, the auxiliary electrode 501 having the broken portion 501B does not have a portion that is directly connected to the power supply line 201. In other words, in FIG. 7, the auxiliary electrode 501 is formed in a state as if floating in the central portion of the element substrate 7 when viewed from the power supply lines 201 on both sides.
The preconditions such as the size of the image display area 7a are the same as in the above <Example 1>.

このような図7の場合、当該対向電極5のシート抵抗は、1.36〔Ω/sq.〕(理論値)となった。
また、この場合、図7に示す、いずれの有機EL素子8も、満足し得るに足りる輝度では発光しないことが確認された(図では、当該有機EL素子8を黒く塗りつぶすことで、かかる事態が表現されている。)。
In the case of FIG. 7, the sheet resistance of the counter electrode 5 is 1.36 [Ω / sq. ] (Theoretical value).
In addition, in this case, it was confirmed that none of the organic EL elements 8 shown in FIG. 7 emits light with sufficient luminance (in the figure, such a situation is caused by painting the organic EL elements 8 black). It is expressed.)

<比較例2>
次に、補助電極501が、図8に示すように、破断部分を全くもたない場合に、対向電極5のシート抵抗がどうなるかを実験により算出した。これは即ち、従来の態様を想定している。
なお、画像表示領域7aのサイズ等の前提条件は、上記<実施例1>と同じである。
<Comparative Example 2>
Next, when the auxiliary electrode 501 does not have a fracture part at all as shown in FIG. 8, the sheet resistance of the counter electrode 5 is calculated by experiments. That is, the conventional mode is assumed.
The preconditions such as the size of the image display area 7a are the same as in the above <Example 1>.

このような図8の場合、当該対向電極5のシート抵抗は、0.58〔Ω/sq.〕(理論値)となった。
また、この場合、当然ながら、図8に示すいずれの有機EL素子8も、十分視認に耐え得る輝度で発光することが確認された。もっとも、既に述べたように、この図8のような破断部分をもたない補助電極501の形成は、前記の図6及び図7に比べてより困難である。
In the case of FIG. 8, the sheet resistance of the counter electrode 5 is 0.58 [Ω / sq. ] (Theoretical value).
Further, in this case, it was naturally confirmed that any of the organic EL elements 8 shown in FIG. However, as already described, it is more difficult to form the auxiliary electrode 501 having no broken portion as shown in FIG. 8 than in FIGS.

以上述べた図6乃至図8から、まず、本実施形態に係る有機EL装置では、破断部分(501A、501B、あるいは502)をもつ補助電極501の存在によっても、対向電極5、あるいはこれと補助電極501全体のシート抵抗を一定程度低く抑制することが可能であることが確認される。ただし、この場合、破断部分のいわば“量”が問題である。すなわち、かかる“量”が一定程度以上となると、前述した(1)に係る効果が思うほどには得られないのである。その限界は、図6の結果と図7の結果との間にあることは明らかである。   From FIG. 6 to FIG. 8 described above, first, in the organic EL device according to the present embodiment, the counter electrode 5 or the auxiliary electrode is also provided by the presence of the auxiliary electrode 501 having the broken portion (501A, 501B, or 502). It is confirmed that the sheet resistance of the entire electrode 501 can be suppressed to a certain level. However, in this case, the so-called “amount” of the broken portion is a problem. That is, when the “amount” becomes a certain level or more, the above-described effect (1) cannot be obtained as much as expected. It is clear that the limit is between the results of FIG. 6 and FIG.

ここに、比ゆ的に述べた“量”なるものは、より正確に言うならば、“素子基板7の面の上に占める破断部分(501A、501B、あるいは502)の面積の、当該破断部分を含む補助電極501の形成領域の面積に対する割合“と定義しえる。そして、この割合は、前記の図6では約33.3〔%〕であり、図7では約66.7〔%〕であるから、前記限界は、概ね50〔%〕であると導くことが可能である。   Here, the “quantity” described in comparison here is more precisely, “the fracture portion of the area of the fracture portion (501A, 501B, or 502) occupying the surface of the element substrate 7”. It can be defined as “a ratio to the area of the formation region of the auxiliary electrode 501 including“. This ratio is about 33.3 [%] in FIG. 6 and about 66.7 [%] in FIG. 7, so that the limit can be derived to be approximately 50 [%]. Is possible.

あるいは、図6及び図7の結果たるシート抵抗の値を直接的にみることで、このシート抵抗それ自体の値に好適な限界値を設定することも可能である。すなわち、図6では0.815〔Ω/sq.〕であり、図7では1.36〔Ω/sq.〕であるから、前記限界は、概ね1〔Ω/sq.〕であると導くことが可能である。上述の実施形態で、対向電極5のシート抵抗が1〔Ω/sq.〕以下とされることには、以上のような点に根拠をもつ。ちなみに、より低いシート抵抗を実現する上で、上記実施形態における破断部分502の配置態様は、図6に示す破断部分501Aのそれよりも好条件であると考えられる。   Alternatively, it is possible to set a suitable limit value for the value of the sheet resistance itself by directly viewing the value of the sheet resistance as a result of FIGS. 6 and 7. That is, in FIG. 6, 0.815 [Ω / sq. In FIG. 7, 1.36 [Ω / sq. Therefore, the limit is approximately 1 [Ω / sq. ] Can be derived. In the above embodiment, the sheet resistance of the counter electrode 5 is 1 [Ω / sq. ] The following is based on the above points. Incidentally, in order to realize a lower sheet resistance, it is considered that the arrangement mode of the fracture portion 502 in the above embodiment is more favorable than that of the fracture portion 501A shown in FIG.

あるいは更に、以下に述べるような考え方に基づき、より一般的な形で、上述したと同趣旨の“限界”を定めることも可能である。
すなわち、図6乃至図8、あるいは前述の実施形態の図5等において、対向電極5が高抵抗であることの影響は、電源線201からみてより遠くに位置する有機EL素子8が、より近くに位置するそれよりも大きく受けるということがいえる。このことから、前記図6等において、電源線201から最も遠く隔たった有機EL素子8(図6等では、図面上下方向に走る素子基板7の中心線上の有機EL素子8がそれに該当する。以下、便宜上、「最遠素子8」ということがある。)が位置する対向電極5の電位E1に着目する。この場合、電源線201における電位がE0であるとするなら、このE1は、
E1=E0−ri … (1)
と表すことができる。ただし、ここでrは、当該最遠素子8と電源線201との間の電気抵抗、iは電流値である。
いま、仮に、ある有機EL素子8を構成する対向電極5に電位E0が設定されたとき、図9(A)及び(B)に示すように、その有機EL素子8の輝度がL0〔cd/m〕であり、また、電流効率がa〔cd/A〕であるとするなら、前記の(1)式は、
E1=E0−r(L0/a) … (1’)
と書き換えられる。なお、電流効率aとは、当該有機EL素子8に流れる電流と輝度との関係(比例関係)を表現する直線の、傾きに一致する(即ち、a=(L0/i)。図9(B)参照)。
この式(1’)を変形すれば、
r=a(E0−E1)/L0 … (2)
となる。
Alternatively, it is also possible to define “limits” having the same meaning as described above in a more general form based on the concept described below.
That is, in FIGS. 6 to 8 or FIG. 5 of the above-described embodiment, the influence of the high resistance of the counter electrode 5 is that the organic EL element 8 located farther from the power supply line 201 is closer. It can be said that it receives larger than that located in. Therefore, in FIG. 6 and the like, the organic EL element 8 farthest from the power supply line 201 (in FIG. 6 and the like, the organic EL element 8 on the center line of the element substrate 7 running in the vertical direction of the drawing corresponds to this. For convenience, the potential E1 of the counter electrode 5 where the “farthest element 8” may be located will be noted. In this case, if the potential in the power supply line 201 is E0, this E1 is
E1 = E0−ri (1)
It can be expressed as. Here, r is the electrical resistance between the farthest element 8 and the power supply line 201, and i is the current value.
Now, if the potential E0 is set to the counter electrode 5 that constitutes a certain organic EL element 8, as shown in FIGS. 9A and 9B, the luminance of the organic EL element 8 is L0 [cd / m 2 ] and the current efficiency is a [cd / A], the above equation (1) is
E1 = E0−r (L0 / a) (1 ′)
It can be rewritten as The current efficiency a corresponds to the slope of a straight line representing the relationship (proportional relationship) between the current flowing through the organic EL element 8 and the luminance (that is, a = (L0 / i). FIG. )reference).
If this equation (1 ′) is transformed,
r = a (E0−E1) / L0 (2)
It becomes.

この式(2)中、L0とE0との間には、前者を任意に定めれば後者が定まり、後者を任意に定めれば前者が定まる、という関係が一応成立する。一方、E1は、例えば、最遠素子8で達成されるべき輝度(以下、「希望輝度」という。)が前記L0を基準にして定められることに基づいて、定められ得る。図を使って説明すれば、図9(B)で希望輝度L*を定めれば、その最遠素子8に流されるべき電流I*が定まり、このI*と図9(A)とにより、E1が定まる、というようである。
いずれによせ、このE1、更に前記L0及びE0は既定値として取得可能であるから、式(2)により、rが定まる。そして、rが定まれば、当該対向電極5のシート抵抗は、これを適当に換算することによって求められ得ることになる。
In this formula (2), a relationship is established between L0 and E0 that the former is determined if the former is arbitrarily determined, and the former is determined if the latter is arbitrarily determined. On the other hand, E1 can be determined based on, for example, that the luminance to be achieved by the farthest element 8 (hereinafter referred to as “desired luminance”) is determined with reference to the L0. If the desired luminance L * is determined in FIG. 9B, the current I * to be passed through the farthest element 8 is determined, and this I * and FIG. It seems that E1 is determined.
In any case, since E1, L0, and E0 can be acquired as default values, r is determined by Equation (2). If r is determined, the sheet resistance of the counter electrode 5 can be obtained by appropriately converting it.

以上のようにして、上述したと同趣旨の“限界”が、希望輝度L*を定めることに基づき、より一般的な形で定められ得る。なお、この場合、E1、E0、L0、及びaは、現実の有機EL素子8を前提に定めるのが好適である。この場合更に、当該有機EL素子8間では、有機EL素子8それ自体、あるいはこれに電流を供給する駆動トランジスタ(図2中の第2トランジスタ9、参照。)等に関し、特性の相違等があり得る。したがって、これら各変数の具体値を決定するに当たっては、その特性の相違等が配慮されるとよい。
なお、図9(A)に示す電位Efは、上述の〔課題を解決するための手段〕の項で述べた、「障壁電圧」の一例を表している。
As described above, the “limit” having the same meaning as described above can be determined in a more general form based on determining the desired luminance L *. In this case, E1, E0, L0, and a are preferably determined based on the actual organic EL element 8. Further, in this case, there is a difference in characteristics between the organic EL elements 8 with respect to the organic EL element 8 itself or a driving transistor (see the second transistor 9 in FIG. 2) for supplying a current to the organic EL element 8. obtain. Therefore, in determining the specific values of these variables, it is preferable to consider differences in characteristics.
Note that the potential Ef illustrated in FIG. 9A represents an example of the “barrier voltage” described in the above section [Means for Solving the Problems].

以上のほか、全有機EL素子8を好適に発光させるためには、より微細な視点に基づき、破断部分の長さt(図5参照)を直接的に設定することも考えられる。この長さtの設定にあたっては、以下の点を考慮するとよい。
すなわち、長さtがとるべき好適な値は、画像表示領域7aの精細度に影響を受ける。例えば、t=T1(=constant)であるとして、この同じtが、精細度が100〔ppi(pixel per inch)〕である有機EL装置と、300〔ppi〕であるそれとに適用されるとした場合、後者の方が、断線部分の領域(即ち、長さT1の領域)に含まれ得るピクセルの数は一般に多くなる。そうすると、前者の場合では特に不具合は生じないが、後者の場合では、その長さT1の領域の中央付近に位置する有機EL素子8の発光に不具合が生じるおそれがある。以上のことから、精細度が高ければ高いほど、長さtは小さいほうが好ましい、という基準を導くことができる。
In addition to the above, in order to make all the organic EL elements 8 emit light appropriately, it is also conceivable to directly set the length t (see FIG. 5) of the fractured part based on a finer viewpoint. In setting the length t, the following points should be considered.
In other words, the preferred value that the length t should take is affected by the definition of the image display area 7a. For example, assuming that t = T1 (= constant), the same t is applied to an organic EL device having a definition of 100 [ppi (pixel per inch)] and a resolution of 300 [ppi]. In the latter case, in general, the number of pixels that can be included in the area of the disconnected portion (that is, the area of the length T1) is larger. In this case, there is no particular problem in the former case, but in the latter case, a problem may occur in the light emission of the organic EL element 8 located near the center of the region of the length T1. From the above, a criterion can be derived that the higher the definition, the smaller the length t is preferable.

以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る発光装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
(1) 上記各実施形態では、補助電極501の破断部分502は、1ピクセルごとに1個ずつ形成される態様について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。本発明に係る「補助電極」、あるいは「破断部分」は、例えば図10乃至図12に示すように様々な態様をとりうる。
As mentioned above, although embodiment concerning this invention was described, the light-emitting device concerning this invention is not limited to the form mentioned above, Various deformation | transformation are possible.
(1) In each of the above embodiments, a description has been given of a mode in which one broken portion 502 of the auxiliary electrode 501 is formed for each pixel, but the present invention is not limited to such a mode. The “auxiliary electrode” or “broken portion” according to the present invention can take various forms as shown in FIGS. 10 to 12, for example.

(1‐i) 図10において、破断部分503は、いわば市松模様状に並ぶ。
より詳細に、例えば、図中最上方の補助電極501をみると、当該補助電極501は、その左端部分から順に、最初の1ピクセルについては破断部分503をもたず、次の1ピクセルについては破断部分503をもち、更にその次の1ピクセルについては破断部分503をもたない、…というように、当該破断部分503は、いわば1ピクセル飛び毎に現れる。他方、図中上から2番目の補助電極501については、その延在方向にそってみた破断部分503の登場パターンが、前記の場合と逆である(即ち、1ピクセルごとに、破断部分503をもち、もたず、もつ、…というようになっている。)。
以後、図中上から3,5,7,…行目の補助電極501は、前記図中最上方の補助電極501と同じであり、図中上から4,6,8,…行目の補助電極501は、前記図中上から2番目の補助電極501と同じである。
以上のようなことから、破断部分503は、市松模様状に並ぶようにみえる。
(1-i) In FIG. 10, the broken portions 503 are arranged in a checkered pattern.
More specifically, for example, when looking at the uppermost auxiliary electrode 501 in the figure, the auxiliary electrode 501 does not have a broken portion 503 for the first pixel in order from the left end portion, and for the next one pixel. The rupture portion 503 has a broken portion 503, and the next one pixel does not have a rupture portion 503. On the other hand, with respect to the second auxiliary electrode 501 from the top in the figure, the appearance pattern of the breakage portion 503 along the extending direction is opposite to the above case (that is, the breakage portion 503 is formed for each pixel. Mochi, mochi, mochi, etc ...).
Thereafter, the auxiliary electrode 501 in the third, fifth, seventh,. The electrode 501 is the same as the second auxiliary electrode 501 from the top in the drawing.
From the above, the broken portions 503 appear to be arranged in a checkered pattern.

このような形態であっても、上記実施形態によって奏された効果と本質的に相違のない効果が奏されることに変わりはない。
加えて、この態様では、上記実施形態の場合よりも、破断部分503が占める面積が増大しているので、これを形成するためのマスクはより簡易な構成をとりうることになる。より言えば、本態様に係る破断部分503をもつ補助電極501は、マスクを1枚のみ用いた蒸着を1回実行するだけでも、比較的容易に製造され得る。つまり、前述した、2枚のマスクを用いる蒸着を実行する必要は必ずしもない。したがって、当該有機EL装置の製造容易性は更に高まる。
Even if it is such a form, the effect which is not essentially different from the effect show | played by the said embodiment is still changed.
In addition, in this aspect, since the area occupied by the fractured portion 503 is larger than in the case of the above-described embodiment, the mask for forming this can have a simpler configuration. In other words, the auxiliary electrode 501 having the fractured portion 503 according to this aspect can be manufactured relatively easily even by performing vapor deposition using only one mask once. That is, it is not always necessary to perform the vapor deposition using the two masks described above. Therefore, the manufacturability of the organic EL device is further enhanced.

(1‐ii) 図11において、補助電極501が破断部分503をもつことは、上述した図10の場合と同じである。
ただ、この図11では、これに加えて、補助電極504が形成されている。この補助電極504は、同図に示すように、電源線201の延在方向に、その長手方向を一致させる略長方形状をもつ。また、この補助電極504は、行方向に沿って相隣接する有機EL素子8の間(あるいは、より正確に言えば、各ピクセル間)に配置される。なお、補助電極504と補助電極501とは接続されてはおらず、両者間には隙間がある(あるいは、あってもよい。)。
このような補助電極504は、本発明に言う「第2電極層」を構成する一要素として、これに含まれる。
(1-ii) In FIG. 11, the auxiliary electrode 501 has the broken portion 503 as in the case of FIG. 10 described above.
However, in FIG. 11, in addition to this, an auxiliary electrode 504 is formed. As shown in the figure, the auxiliary electrode 504 has a substantially rectangular shape whose longitudinal direction coincides with the extending direction of the power supply line 201. The auxiliary electrodes 504 are disposed between the organic EL elements 8 adjacent to each other along the row direction (or more precisely, between the pixels). Note that the auxiliary electrode 504 and the auxiliary electrode 501 are not connected, and there is a gap (or may be) between them.
Such an auxiliary electrode 504 is included as one element constituting the “second electrode layer” in the present invention.

このような形態であっても、上記実施形態によって奏された効果と本質的に相違のない効果が奏されることに変わりはない。
加えて、この態様では、図11の場合では、対向電極5の低抵抗化が、図10の場合に比べて、より実効的になり得る。これは以下の事情による。
すなわち、図11の場合は、上記実施形態の場合よりも、破断部分503が占める面積が増大しているから、前述した図6及び図7に関する説明からもわかるように、対向電極5を低抵抗にする効果は一定程度抑制される可能性がある。しかるに、図11の態様では、補助電極504が、その低下分をいわば補償するかのような働きを担い得る。したがって、図11の場合では、対向電極5の低抵抗化が、図10の場合に比べて、より実効的になり得るのである。
Even if it is such a form, the effect which is not essentially different from the effect show | played by the said embodiment is still changed.
In addition, in this aspect, in the case of FIG. 11, the resistance reduction of the counter electrode 5 can be more effective than in the case of FIG. This is due to the following circumstances.
That is, in the case of FIG. 11, the area occupied by the fractured portion 503 is larger than in the case of the above-described embodiment. Therefore, as can be understood from the description regarding FIG. 6 and FIG. There is a possibility that the effect is reduced to a certain extent. However, in the embodiment of FIG. 11, the auxiliary electrode 504 can play the role of compensating for the decrease. Therefore, in the case of FIG. 11, the resistance reduction of the counter electrode 5 can be more effective than in the case of FIG.

なお、図11では、例えば図中左下隅付近において、図中最下行且つ最左方に位置する補助電極片の左端及び右端はそれぞれ、2つの補助電極504各々の図中下端と対向するようになっており、これら補助電極504各々の図中上端は、図の下から2番目の行且つ最左方に位置する補助電極片の右端、及び、その右隣の補助電極片の左端、に対向するようになっている。
このことは、1個の補助電極片の長さが、1個の破断部分503の長さよりも大きいことを意味する。したがって、この場合、破断部分503全体が占める面積は、該破断部分503を含む補助電極501全体の面積の中で、1/2を下回る。つまり、図11に示す態様は、本発明にいう「割合は、50〔%〕を下回る」を満たす好適な具体例の1つである。
なお、以上のことは、前記の図10、及び、後述する図12においても同様にあてはまる。
In FIG. 11, for example, in the vicinity of the lower left corner of the drawing, the left end and the right end of the auxiliary electrode piece located at the bottom row and the leftmost in the drawing are respectively opposed to the lower ends of the two auxiliary electrodes 504 in the drawing. The upper end of each auxiliary electrode 504 in the figure is opposed to the right end of the auxiliary electrode piece located in the second row and the leftmost row from the bottom of the figure, and the left end of the auxiliary electrode piece adjacent to the right. It is supposed to be.
This means that the length of one auxiliary electrode piece is larger than the length of one broken portion 503. Therefore, in this case, the area occupied by the entire broken portion 503 is less than ½ in the entire area of the auxiliary electrode 501 including the broken portion 503. That is, the embodiment shown in FIG. 11 is one of the preferred specific examples that satisfy the “ratio is less than 50%” according to the present invention.
The above also applies to FIG. 10 and FIG. 12 described later.

(1‐iii) 図12において、破断部分505は、上述の図10の破断部分503と同様の市松模様状に並ぶ。
ただ、この図12では、破断部分505は、ほぼ2ピクセルに対応する長さをもつ。また、補助電極501中、破断部分505を除く部分も、ほぼ2ピクセルに対応する長さをもつ。ただし、前者の長さは、後者の長さよりも小さい。つまり、この図12に示す態様も、「割合は、50〔%〕を下回る」を満たす好適な具体例の1つである(図11に関する「補助電極片」についての説明を参照の上、図12と図11とを対比参照。)。
(1-iii) In FIG. 12, the broken portions 505 are arranged in a checkered pattern similar to the broken portion 503 in FIG.
However, in FIG. 12, the broken portion 505 has a length corresponding to approximately 2 pixels. In addition, the portion of the auxiliary electrode 501 excluding the broken portion 505 has a length corresponding to about 2 pixels. However, the former length is smaller than the latter length. That is, the mode shown in FIG. 12 is also one of the preferable specific examples that satisfy “the ratio is less than 50%” (see the explanation about “auxiliary electrode piece” in FIG. 12 and FIG. 11 in comparison).

このような形態であっても、上記実施形態によって奏された効果と本質的に相違のない効果が奏されることに変わりはない。
加えて、この態様では、上記図10の場合に比べても、破断部分505が占める面積が増大しているので、これを形成するためのマスクは更に簡易な構成をとりうることになる。より言えば、この場合、当該マスク中の開口部(当該開口部は破断部分505以外の補助電極501形成領域に対応する)の形成密度は、この図12の場合の方が図10の場合に比べて、小さくなる(なお、ここで「形成密度」とは、図12及び図10に関して、(マスク上の開口部の個数)/(画像表示領域7aの面積)を意味する。)。したがって、このマスクは、開口部によって囲まれた1つ1つの領域がより広いという意味では、その剛性が高まり、蒸着時の輻射熱の影響等を受けにくい可能性がある。図12のような態様の場合、そのような意味においても、当該有機EL装置の製造容易性が高まるといえる。
Even if it is such a form, the effect which is not essentially different from the effect show | played by the said embodiment is still changed.
In addition, in this aspect, since the area occupied by the fractured portion 505 is increased as compared with the case of FIG. 10 described above, the mask for forming this can have a simpler configuration. More specifically, in this case, the formation density of the opening in the mask (the opening corresponds to the auxiliary electrode 501 formation region other than the fractured portion 505) is higher in the case of FIG. 12 than in the case of FIG. Compared to FIGS. 12 and 10, “the formation density” means (the number of openings on the mask) / (the area of the image display region 7 a). Therefore, in the sense that each region surrounded by the opening is wider, this mask has a higher rigidity and may be less susceptible to the influence of radiant heat during vapor deposition. In the case of the embodiment as shown in FIG. 12, it can be said that the manufacturing ease of the organic EL device is enhanced also in such a meaning.

(2) 上記各実施形態の有機EL装置はトップエミッション型であり、本発明はかかる形態に適用されて最も好適ではあるが、本発明が、ボトムエミッション型やデュアルエミッション型について適用されることを積極的に排除するわけではない。 (2) The organic EL device of each of the above embodiments is a top emission type, and the present invention is most preferably applied to such a form. However, the present invention is applied to a bottom emission type and a dual emission type. It is not positively excluded.

これに関連して、上記実施形態では、対向電極5がITO等の透明導電性材料から作られているが、本発明は、これにも限定されない。既に図6乃至図8を参照して説明しているように、対向電極5は、ITO等以外にも、MgAgで作られうるし、あるいは、Ag、Al、Au等のその他の材料でも作られうる。そして、この場合、当該材料が不透明な材料であっても、当該対向電極5の厚さを十分に薄くする(例えば10nm以下)なら、トップエミッション型の有機EL装置を構成することはなお可能である。
ただし、この場合、対向電極5の厚さが極めて薄くなるため、それが低抵抗材料から作られるとしても、その抵抗は非常に大きくなる。
とはいえ、高抵抗の対向電極に起因する問題の解決は、まさに本発明が課題とするところの1つであるから、当該事情をおそれることはない。
要するに、本発明においては、対向電極5が具体的に如何なる材料によって作られているかについて特に限定することはなく、また、対向電極5がどのような材料によって作られていたとしても、本発明の適用は可能であり、かつ、それ相応の効果が享受され得る。
In this regard, in the above embodiment, the counter electrode 5 is made of a transparent conductive material such as ITO, but the present invention is not limited to this. As already described with reference to FIGS. 6 to 8, the counter electrode 5 can be made of MgAg in addition to ITO, or can be made of other materials such as Ag, Al, and Au. . In this case, even if the material is an opaque material, it is still possible to construct a top emission type organic EL device if the thickness of the counter electrode 5 is sufficiently reduced (for example, 10 nm or less). is there.
However, in this case, since the thickness of the counter electrode 5 is extremely thin, even if it is made of a low resistance material, its resistance becomes very large.
However, since the solution of the problem caused by the high-resistance counter electrode is exactly one of the objects of the present invention, there is no fear of the situation.
In short, in the present invention, there is no particular limitation as to what material the counter electrode 5 is specifically made of, and even if the counter electrode 5 is made of any material, Application is possible and a corresponding effect can be enjoyed.

(3) 上記各実施形態では、発光機能層18が高分子材料からなる有機EL物質を含んでいるが、本発明は、この形態に限定されない。例えば、発光機能層18は低分子材料からなる有機EL物質を含んでよい。この場合、その製造方法は、前記液滴塗布法(インクジェット法)ではなくて、蒸着法等が用いられて好適である。 (3) In each of the above embodiments, the light emitting functional layer 18 includes an organic EL substance made of a polymer material, but the present invention is not limited to this form. For example, the light emitting functional layer 18 may include an organic EL material made of a low molecular material. In this case, the manufacturing method is preferably not the droplet coating method (inkjet method) but the vapor deposition method or the like.

<応用例>
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図13ないし図15には、以上に説明した実施形態に係る有機EL装置を採用した電子機器の形態が図示されている。
<Application example>
Next, an electronic apparatus using the light emitting device according to the present invention will be described. FIG. 13 to FIG. 15 show forms of electronic devices that employ the organic EL device according to the embodiment described above.

図13は、有機EL装置を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、各種の画像を表示する有機EL装置100と、電源スイッチ2001やキーボード2002が設置された本体部2010とを具備する。   FIG. 13 is a perspective view showing a configuration of a mobile personal computer employing an organic EL device. The personal computer 2000 includes an organic EL device 100 that displays various images, and a main body 2010 on which a power switch 2001 and a keyboard 2002 are installed.

図14は、有機EL装置100を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002と、各種の画像を表示する有機EL装置100とを備える。スクロールボタン3002を操作することによって、有機EL装置100に表示される画面がスクロールされる。   FIG. 14 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone to which the organic EL device 100 is applied. The cellular phone 3000 includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and the organic EL device 100 that displays various images. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the organic EL device 100 is scrolled.

図15は、有機EL装置100を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す斜視図である。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002と、各種の画像を表示する有機EL装置100とを備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が有機EL装置100に表示される。   FIG. 15 is a perspective view showing a configuration of a personal digital assistant (PDA) to which the organic EL device 100 is applied. The portable information terminal 4000 includes a plurality of operation buttons 4001, a power switch 4002, and the organic EL device 100 that displays various images. When the power switch 4002 is operated, various information such as an address book and a schedule book are displayed on the organic EL device 100.

本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図13から図15に例示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、カーナビゲーションシステムを備えた機器等などが挙げられる。   As electronic devices to which the light emitting device according to the present invention is applied, in addition to the devices illustrated in FIGS. 13 to 15, a digital still camera, a television, a video camera, a pager, an electronic notebook, electronic paper, a calculator, a word processor, a workstation Video phones, POS terminals, printers, scanners, copiers, video players, devices equipped with a car navigation system, and the like.

本発明の本実施形態に係る有機EL装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the organic EL apparatus which concerns on this embodiment of this invention. 図1の単位回路の詳細を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing details of a unit circuit in FIG. 1. 図1に示す有機EL装置の適当な破断面を臨んだ断面図であって、特に補助電極及びそれに関わる要素の形成態様が示されるように選ばれた破断面に基づく断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a suitable fracture surface of the organic EL device shown in FIG. 1, in particular, a cross-sectional view based on a fracture surface selected so as to show the formation of auxiliary electrodes and related elements. 図1に示す有機EL装置の一部拡大平面図であって、特に補助電極及びそれに関わる要素の形成態様を示す図である(以下、この後者の点については図5乃至図8及び図10乃至図12において同じ。)。FIG. 2 is a partially enlarged plan view of the organic EL device shown in FIG. 1 and particularly shows a formation mode of auxiliary electrodes and elements related thereto (hereinafter, the latter point is shown in FIGS. 5 to 8 and FIGS. 10 to 10). Same in FIG. 12). 図1に示す有機EL装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the organic EL device shown in FIG. 1. <実施例1>(=破断部分501Aの全長が補助電極501の1/3)に係る有機EL装置の平面図である。It is a top view of the organic electroluminescent apparatus which concerns on <Example 1> (= full length of the fracture | rupture part 501A is 1/3 of the auxiliary electrode 501). <比較例1>(=破断部分501Bの全長が補助電極501の2/3)に係る有機EL装置の平面図である。It is a top view of the organic electroluminescent apparatus which concerns on <Comparative example 1> (= full length of the fracture | rupture part 501B is 2/3 of the auxiliary electrode 501). <比較例2>(=破断部分をもたない)に係る有機EL装置の平面図である。It is a top view of the organic electroluminescent apparatus which concerns on <Comparative example 2> (= it does not have a fracture | rupture part). 有機EL素子がもつ一般的な特性を示す図であって、(A)は電圧‐電流特性、(B)は電流‐輝度特性である。It is a figure which shows the general characteristic which an organic EL element has, Comprising: (A) is a voltage-current characteristic, (B) is a current-luminance characteristic. 変形例1(=破断部分503が市松模様状に並ぶ)に係る有機EL素子の平面図である。12 is a plan view of an organic EL element according to Modification 1 (= broken portions 503 are arranged in a checkered pattern). FIG. 変形例2(=列方向に延びる補助電極504をもつ)に係る有機EL素子の平面図である。It is a top view of the organic EL element which concerns on the modification 2 (= it has the auxiliary electrode 504 extended in a column direction). 変形例3(=破断部分505の形成密度が図10に比べて小さい)に係る有機EL素子の平面図である。It is a top view of the organic EL element which concerns on the modification 3 (= the formation density of the fracture | rupture part 505 is small compared with FIG. 10). 本発明に係る電子機器の形態(パーソナルコンピュータ)を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the form (personal computer) of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の形態(携帯電話機)を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the form (cellular phone) of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の形態(携帯情報端末)を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the form (mobile information terminal) of the electronic device which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

7……素子基板、7a……画像表示領域、8……有機EL素子、13……画素電極、18……発光機能層、5……対向電極、501、504……補助電極、502、501A、501B、503、505……破断部分、W……(補助電極の)幅、T……(補助電極の)厚さ、
11……回路素子薄膜、301……第1層間絶縁膜、302……第2層間絶縁膜、34……反射層、340……隔壁、103A,103B……走査線駆動回路、106……データ線駆動回路、106A……プリチャージ回路、201……電源線
7: Element substrate, 7a: Image display area, 8: Organic EL element, 13: Pixel electrode, 18: Light emitting functional layer, 5: Counter electrode, 501, 504 ... Auxiliary electrode, 502, 501A , 501B, 503, 505... Fractured portion, W... (Auxiliary electrode) width, T... (Auxiliary electrode) thickness,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Circuit element thin film, 301 ... 1st interlayer insulation film, 302 ... 2nd interlayer insulation film, 34 ... Reflection layer, 340 ... Partition, 103A, 103B ... Scan line drive circuit, 106 ... Data Line drive circuit, 106A... Precharge circuit, 201.

Claims (8)

基板と、
当該基板上にマトリクス状配列に従って並ぶ発光素子と、
を備え、
前記発光素子は、
前記基板上に形成される第1及び第2電極層、及び、これらに挟持される発光機能層を含み、
前記第2電極層は更に、
前記基板の面を覆うように形成される主電極と、
それぞれが、前記主電極と直接の接点をもつように形成されるとともに、前記マトリクス状配列に従って並ぶ前記発光素子の間に延びるN本の補助電極(Nは正の整数)と、
を含み、
前記補助電極は、前記主電極に比べて、より低い電気抵抗をもつ材料から作られ、
前記N本の補助電極のうち少なくとも1本の補助電極は、
その延在方向の途中で少なくとも1箇所の破断部分をもち、
かつ、
前記第2電極層のシート抵抗は所定値以下である、
ことを特徴とする発光装置。
A substrate,
Light-emitting elements arranged in a matrix on the substrate,
With
The light emitting element is
Including first and second electrode layers formed on the substrate, and a light emitting functional layer sandwiched between the first and second electrode layers,
The second electrode layer further includes
A main electrode formed to cover the surface of the substrate;
N auxiliary electrodes (N is a positive integer) that are formed so as to have direct contact with the main electrode and extend between the light emitting elements arranged in accordance with the matrix arrangement,
Including
The auxiliary electrode is made of a material having a lower electrical resistance than the main electrode,
At least one auxiliary electrode among the N auxiliary electrodes is:
Having at least one break in the middle of its extending direction,
And,
The sheet resistance of the second electrode layer is a predetermined value or less,
A light emitting device characterized by that.
前記補助電極は、前記発光素子の行方向に沿って延びるように配置されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
The auxiliary electrode is disposed so as to extend along the row direction of the light emitting element.
The light-emitting device according to claim 1.
前記所定値は1〔Ω/sq.〕である、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
The predetermined value is 1 [Ω / sq. ]
The light-emitting device according to claim 1 or 2.
前記基板の面の上に占める、前記破断部分の面積の、
前記破断部分を含む前記補助電極の形成領域の面積に対する割合は、
50〔%〕を下回る、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
Occupying the surface of the substrate, the area of the fractured portion,
The ratio to the area of the formation region of the auxiliary electrode including the fracture portion is,
Below 50%,
The light-emitting device according to claim 1 or 2.
前記基板上に前記第2電極層と電気的に接続される電源線を更に備える、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。
A power line electrically connected to the second electrode layer on the substrate;
The light-emitting device according to any one of claims 1 to 3.
前記主電極は平面視して略四辺形状をもち、
前記電源線は、
前記主電極の相対向する2つの辺それぞれに対向する部分をもつ、
ことを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
The main electrode has a substantially quadrilateral shape in plan view,
The power line is
Having a portion facing each of two opposite sides of the main electrode;
The light emitting device according to claim 5.
前記主電極は、透明導電性材料から作られる、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置。
The main electrode is made of a transparent conductive material,
The light emitting device according to any one of claims 1 to 6.
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
The light-emitting device according to claim 1 is provided.
An electronic device characterized by that.
JP2008025170A 2008-02-05 2008-02-05 Light-emitting device and electronic equipment Pending JP2009187737A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008025170A JP2009187737A (en) 2008-02-05 2008-02-05 Light-emitting device and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008025170A JP2009187737A (en) 2008-02-05 2008-02-05 Light-emitting device and electronic equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009187737A true JP2009187737A (en) 2009-08-20

Family

ID=41070778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008025170A Pending JP2009187737A (en) 2008-02-05 2008-02-05 Light-emitting device and electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009187737A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8710735B2 (en) 2011-02-22 2014-04-29 Panasonic Corporation Organic electroluminescence element
US8759821B2 (en) 2010-03-31 2014-06-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Transparent organic electroluminescent element and production method therefor
CN111834396A (en) * 2019-12-13 2020-10-27 云谷(固安)科技有限公司 Light-transmitting display panel, display panel and display device
CN113437115A (en) * 2021-06-03 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 OLED display panel and preparation method thereof
CN114883512A (en) * 2022-05-31 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 Electroluminescent display panel, preparation method thereof and display device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8759821B2 (en) 2010-03-31 2014-06-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Transparent organic electroluminescent element and production method therefor
US8710735B2 (en) 2011-02-22 2014-04-29 Panasonic Corporation Organic electroluminescence element
CN111834396A (en) * 2019-12-13 2020-10-27 云谷(固安)科技有限公司 Light-transmitting display panel, display panel and display device
CN113437115A (en) * 2021-06-03 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 OLED display panel and preparation method thereof
CN114883512A (en) * 2022-05-31 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 Electroluminescent display panel, preparation method thereof and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4650495B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
KR100804859B1 (en) Display and array substrate
JP5250960B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP2009283304A (en) Light-emitting device, method of manufacturing the same, and electronic equipment
JP2009122652A (en) Display device and electronic apparatus
JP7168749B2 (en) Display device
KR20090060175A (en) Light-emitting device, electronic apparatus, and film forming method
JP2007148216A (en) Light emitting device and electronic equipment
JP2007148217A (en) Light emitting device and electronic equipment
JP2007156058A (en) Light emitting device and electronic apparatus
JP2007157374A (en) Light-emitting device and electronic equipment
JP7185733B2 (en) Display devices and electronic devices
JP2009187737A (en) Light-emitting device and electronic equipment
KR20110023996A (en) Organic light emitting display device
CN112753064B (en) Display device
JP4517804B2 (en) Display panel
JP2018181579A (en) Organic el display device
JP2009199853A (en) Light-emitting device and electronic equipment
JP2009129605A (en) Light-emitting device and electronic apparatus
JP2007148219A (en) Light emitting device and electronic equipment
JP2006317740A (en) Light emitting device, driving method thereof, manufacturing method thereof, and electronic device
JP2006276143A (en) Display panel
JP4747543B2 (en) Display panel
JP2019129221A (en) Display device and method for manufacturing the same
JP2008235499A (en) Transistor panel and manufacturing method therefor