JP2009179828A - 蒸着方法及び蒸着装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この蒸着装置は、複数の基板3を保持する基板保持部材2と、基板3上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源4と、基板3面にガスイオンを放射するためのイオン銃5と、イオン銃5から照射されるガスイオンの放射方向D1を整流するための補正板6とを有している。そして、補正板6を調整することにより、基板保持部材2内のガスイオンの濃度分布を均一にすることができる。
【選択図】図1
Description
また、本発明の蒸着装置では、補正板は、イオン銃の銃口付近に備えられる構成であることが好ましい。本発明において、銃口付近とは、銃口から放射されるガスイオンの放射方向に影響を及ぼすことができる程度の範囲内に定義されるものであり、銃口直上であって、銃口に近接する位置であってもよい。
また、本発明の蒸着装置では、補正板は可動式であることが好ましい。補正板を可動式とすることにより、補正板の位置を適宜調整することができる。
また、本発明の補正板は、非金属で構成されることが好ましく、特に、カーボンで構成されることが好ましい。補正板を非金属、特にカーボンで構成することにより、ガスイオン放射時に、補正板に由来するコンタミを防止することができる。
本実施形態例では、この制御駆動回路8からの制御信号により、エアシリンダー10が駆動され、補正板6が支持部に対して回動することにより、補正板6の位置が調節されるようになっている。
また、銃口5a付近に補正板6を備える場合は、蒸着源4から飛散される蒸着物質の飛散行路を妨げることがない。
本実施形態例では、補正板6をイオン衝撃に対して強い非金属で構成することにより、スパッタリング現象の発生を効果的に抑制することができる。そしてこのように、補正板6を非金属で構成する例は、補正板6がガスイオンの放射強度が強い領域、例えばイオン銃5の銃口5aに備えられている場合に特に効果的である。
本実施形態例では、遮蔽膜9を制御して、蒸着源4の遮蔽面積を調節することで、飛散される蒸着量を制御することができ、その結果、基板3に成膜される蒸着膜の膜厚を調整することができる。また、補正板6の位置を調節して、ガスイオンの放射方向D1を適宜整流することにより、基板保持部材内2のガスイオンの濃度分布を均一にすることができる。その結果、基板保持部材2に保持された複数の基板3に均質な蒸着膜を成膜することができる。
本実施形態例の蒸着装置1において、材料の異なる蒸着物質を用いて、順に蒸着膜を成膜する際は、その蒸着物質毎に、遮蔽膜9及び補正板6の位置を調節して、基板3上に蒸着膜を成膜するようにする。
[成膜条件]
蒸着物質:酸化タンタル(Ta2O5)
蒸着源の加熱機構:電子銃
補正板の材料:カーボン
イオン銃のDC電源の出力:加速電圧400V、加速電流400mA、サプレッサ電圧400V、バイアス電流1500mA
ガス条件:酸素(O2)ガス
ここで、蒸着源4直上に配置された遮蔽膜9は、酸化タンタル(Ta2O5)用の配置とされる。すなわち、Ta2O5の飛散特性に合わせて、蒸着源4の遮蔽面積が調整され、各基板3表面に成膜されるTa2O5膜の膜厚が制御されるように遮蔽膜9が配置される。
この実験においては、イオンガスの濃度分布はイオン電流密度として測定した。
[成膜条件]
蒸着物質:二酸化珪素(SiO2)
蒸着源の加熱機構:電子銃
補正板の材料:カーボン
イオン銃のDC電源の出力:加速電圧400V、加速電流400mA、サプレッサ電圧400V、バイアス電流1500mA
ガス条件:酸素(O2)ガス
ここで、蒸着源4の直上に配置された遮蔽膜9は、SiO2用の遮蔽膜である。すなわち、SiO2の飛散特性に合わせて、蒸着源4の遮蔽面積が調整されており、各基板3表面に成膜されるSiO2膜の膜厚が制御されるように構成されている。
この実験においては、イオンガスの濃度分布はイオン電流密度として測定した。
また、本実施形態例においては、蒸着源4直上に遮蔽膜9を構成する例を用いたが、遮蔽膜9が構成されない蒸着装置においても本発明の補正板を用いる構成は適応可能である。
Claims (8)
- 複数の基板を基板保持部材に保持させる工程と、
イオン銃から放射されるガスイオンの放射方向を整流するための補正板を調節する工程と、
蒸着物質を保持した蒸着源から蒸着物質を前記基板面に蒸着する工程と、
前記蒸着物質を前記基板面に蒸着すると同時に、イオン銃から基板面にガスイオンを放射する工程と、
を含むことを特徴とする蒸着方法。 - 更に、前記基板面に蒸着する蒸着物質の蒸着量を調整するための遮蔽膜を調節する工程
を有することを特徴とする請求項1記載の蒸着方法。 - 複数の基板を保持する基板保持部材と、
前記基板上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源と、
前記基板面にガスイオンを放射するためのイオン銃と、
前記イオン銃から放射されるガスイオンの放射方向を整流するための補正板と、
を備えることを特徴とする蒸着装置。 - 前記補正板は、前記イオン銃の銃口付近に備えられている
ことを特徴とする請求項3記載の蒸着装置。 - 前記補正板は、可動式である
ことを特徴とする請求項3又は4記載の蒸着装置。 - 前記補正板は、非金属で構成されている
ことを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項記載の蒸着装置。 - 前記補正板は、カーボンで構成されている
ことを特徴とする請求項6記載の蒸着装置。 - 前記蒸着源には、基板上に成膜される蒸着物質の蒸着量を調整する遮蔽膜が設けられている
ことを特徴とする請求項3〜7のいずれか1項記載の蒸着装置。
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