JP2009176717A - 高い質量エネルギー性能を備えた広幅リボン形ビーム用イオン注入装置の構造 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 177
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 claims abstract description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 87
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 20
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
- H01J2237/057—Energy or mass filtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
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Abstract
【解決手段】イオン源102から幅w1のリボン形イオンビームを引き出して質量分析磁石110に入れ、非分散平面(xz面)内で発散させ、分散平面(xy面)内で集束させる。所望のイオン種を質量分析スリット118で選別し、角度補正装置120に入れ、水平面(xz面)内で平行な幅w2のリボン形イオンビームに変換して、エンドステーション122内の加工物124にイオン注入する。イオンビームの幅の狭い部分がどこにも現れないようにしたので、空間電荷による広がりを抑制でき、輸送損失を少なくできる。
【選択図】図4B
Description
Claims (25)
- 第1ビーム経路に沿ってリボン形イオンビームを発生するように構成されたイオン源を含み、
前記リボン形イオンビームは、高さ寸法(h1)とxy平面に垂直な長さ寸法(h2)を有して質量分析磁石に入り、
該質量分析磁石は、運動量の分散性平面(xy平面)を備え、前記リボン形イオンビームを受け入れて、前記リボン形イオンビームを第2ビーム経路に沿って伝播させる磁界を発生するように構成されており、
前記質量分析磁石から出射した前記リボン形イオンビームは、非分散性平面(xz平面)内で発散し、かつxy平面内で集束し、
さらに、発散する前記リボン形イオンビームを受け入れて、前記質量分析磁石から出射した前記イオンビームから所望のイオン種を選別するための質量選別スリットと、
前記質量選別スリットから出射した発散する前記リボン形イオンビームを受け入れて、第3ビーム経路に沿って水平面(xz平面)内では平行であり、かつ、xz平面内では発散する前記リボン形イオンビームに変換する角度補正装置と、を含んでおり、
平行な前記リボン形イオンビームは、可変高さ(h2)と、長さ(幅)寸法(w2)とを有することを特徴とするリボン形イオンビームシステム。 - 前記角度補正装置の下流のエンドステーションは、前記角度補正装置から出射した平行な前記リボン形イオンビームによる加工物への注入のために、前記加工物を支持するように作動可能であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記質量分析磁石の入口シム角及び出口シム角は、出射した前記リボン形イオンビームが、前記非分散性平面内で発散し、前記分散性平面内で集束するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記質量分析磁石の入口シム角及び出口シム角は、前記角度補正装置から出射した平行な前記リボン形イオンビームが所望の幅(w2)を有するために前記リボン形イオンビームのxz平面内の発散を調整できるように、機械的に調整可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記質量分析磁石から出射した前記リボン形イオンビームのxz平面内の発散を調整可能とするために、前記質量分析磁石の直後に四重極子単レンズが配置されていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記角度補正装置は、角度補正用磁石、点/平行型集束用に構成された静電レンズ(pレンズ)、磁気四重極子レンズアセンブリ及び静電四重極子レンズアセンブリのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記質量分析磁石は、該質量分析磁石に入った前記リボン形イオンビーム中のイオンを、xy平面内の約30度から90度の範囲の角度で偏向することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記リボン形イオンビームはxy平面内で交差し、前記リボン形イオンビームの交差部は、前記質量選別スリットの略中央に生じることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- イオン源を使用して第1ビーム経路に沿って導かれるリボン形イオンビームを発生する段階と、
高さ寸法(h1)とxy平面に垂直な長さ寸法(w1)を備えた前記リボン形イオンビームを、質量分析磁石に入口シム角で受け入れる段階と、
前記リボン形イオンビームを、出口シム角で第2ビーム経路に沿って伝播させて、前記質量分析磁石から出射した前記リボン形イオンビームをxz平面内で発散させ、かつxy平面内で集束させる段階と、
前記質量分析磁石を出射した前記リボン形イオンビーム中の所望のイオンを、質量選別スリットを使用して選別する段階と、
前記質量選別スリットから出射した前記リボン形イオンビームを、角度補正装置を使用して、高さ(h2)と長さ(幅)寸法(w2)を有し、第3軸に沿ってxz平面内では平行であり、かつ、xy平面内では発散する前記リボン形イオンビームに変換する段階と、
を含むことを特徴とするリボン形イオンビームを生成するための方法。 - 前記角度補正装置は、双極子磁石、点/平行型集束用に構成された静電レンズ(pレンズ)、点/平行型集束用に構成された静電レンズ(pレンズ)のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記リボン形イオンビームの経路の前記質量分析磁石の直後に焦点調節装置が配置され、該焦点調節装置は四重極子レンズを含んでおり、該四重極子レンズは、選択されたイオン種の軌道を調整するための可変焦点を備えるように構成されていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記角度補正装置の下流のエンドステーションは、前記角度補正装置から出射した平行な前記リボン形イオンビームによる加工物への注入のために前記加工物を支持するように作動可能であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記角度補正装置から出射する平行な前記リボン形イオンビームの幅(w2)を調整可能とするため、前記リボン形イオンビームのxz平面内の発散が、前記質量分析磁石の入口シム角及び出口シム角を機械的に調整することによって調整可能であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記リボン形イオンビームのxz平面内の発散を調整可能とするために、前記質量分析磁石の直後に四重極子単レンズが配置されていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記角度補正装置は、角度補正用磁石、点/平行型集束用に構成された静電レンズ(pレンズ)、磁気四重極子レンズアセンブリ及び静電四重極子レンズアセンブリのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記質量分析磁石は、前記リボン形イオンビーム中のイオンを、xy平面内の約30度から90度の範囲の角度で偏向することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記リボン形イオンビームはxy平面内で交差し、前記リボン形イオンビームの交差部は、前記質量選別スリットの略中央に生じることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記角度補正装置は、双極子磁石、点/平行型集束用に構成された静電レンズ(pレンズ)及び点/平行型集束用に構成された静電レンズ(pレンズ)のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 加工物を制御可能に処置するためのリボン形イオンビーム注入システムであって、
(a)第1ビーム経路に沿って導かれ、ビーム断面中心を備えたリボン形イオンビームを発生させるための発生手段と、
(b)可変高さ寸法(h1)とxy平面に垂直な一定の長さ寸法(w1)を備えた断面を有して質量分析磁石に入る前記リボン形イオンビームを質量分析するための質量分析手段と、
(c)前記リボン形イオンビームを入口シム角で受け入れるための受け入れ手段と、
(d)xz平面に沿って発散する前記リボン形イオンビームを出口シム角で第2ビーム経路に沿って伝播させるための伝播手段と、
(e)質量選別スリットを使用して、xz平面に沿って発散する前記リボン形イオンビーム中の所望のイオン種を選別するための選別手段と、
(f)角度補正装置を使用して、xz平面に沿って発散する前記リボン形イオンビームを、第3ビーム経路に沿って伝播し、xz平面内で平行な前記リボン形イオンビームに変換する変換手段と、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記発生手段によって生成される前記ビーム断面は、高さ(h1)と一定の長さ寸法(w1)を有し、前記角度補正装置の下流のエンドステーションは、前記角度補正装置から出射した平行な前記リボン形イオンビームによる加工物への注入のために前記加工物を支持するように作動可能である請求項19に記載のシステム。
- 前記角度補正装置は、角度補正用磁石、点/平行型集束用に構成された静電レンズ(pレンズ)、磁気四重極子レンズアセンブリ及び静電四重極子レンズアセンブリのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項19に記載のシステム。
- 前記リボン形イオンビームのxz平面内の発散を調整可能とするために、前記質量分析磁石の直後に四重極子単レンズが配置されていることを特徴とする請求項19に記載のシステム。
- 前記角度補正装置は、角度補正用磁石、点/平行型集束用に構成された静電レンズ(pレンズ)、磁気四重極子レンズアセンブリ及び静電四重極子レンズアセンブリのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項19に記載のシステム。
- 前記質量分析磁石は、前記リボン形イオンビーム中のイオンを、xy平面内の約30度から90度の範囲の角度で偏向することを特徴とする請求項19に記載のシステム。
- 前記リボン形イオンビームはxy平面内で交差し、前記リボン形イオンビームの交差部は、前記質量選別スリットの略中央に生じることを特徴とする請求項19に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/932117 | 2007-10-31 | ||
US11/932,117 US7705328B2 (en) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | Broad ribbon beam ion implanter architecture with high mass-energy capability |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009176717A true JP2009176717A (ja) | 2009-08-06 |
JP5532470B2 JP5532470B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=40581632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008279675A Active JP5532470B2 (ja) | 2007-10-31 | 2008-10-30 | 高い質量エネルギー性能を備えた広幅リボン形ビーム用イオン注入装置の構造 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7705328B2 (ja) |
JP (1) | JP5532470B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013012301A (ja) * | 2011-05-27 | 2013-01-17 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110186748A1 (en) * | 2008-08-15 | 2011-08-04 | John Ruffell | Systems And Methods For Scanning A Beam Of Charged Particles |
WO2010129901A2 (en) | 2009-05-08 | 2010-11-11 | Vandermeulen Peter F | Methods and systems for plasma deposition and treatment |
US20130206738A1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | First Solar, Inc. | In situ inductive ablation meter |
TW201635326A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-10-01 | 艾克塞利斯科技公司 | 在具有射束減速的離子植入器中用於射束角度調整的系統及方法 |
US10861667B2 (en) | 2017-06-27 | 2020-12-08 | Peter F. Vandermeulen | Methods and systems for plasma deposition and treatment |
WO2019005288A1 (en) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | Vandermeulen Peter F | METHODS AND SYSTEMS FOR PLASMA DEPOSITION AND TREATMENT |
US10037877B1 (en) | 2017-06-29 | 2018-07-31 | Axcelis Technologies, Inc | Ion implantation system having beam angle control in drift and deceleration modes |
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JP2007220522A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2648642B2 (ja) * | 1990-04-17 | 1997-09-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 巾広ビームでイオンインプランテーションを行なう方法及び装置 |
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-
2007
- 2007-10-31 US US11/932,117 patent/US7705328B2/en active Active
-
2008
- 2008-10-30 JP JP2008279675A patent/JP5532470B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220522A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
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JP2013012301A (ja) * | 2011-05-27 | 2013-01-17 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090108198A1 (en) | 2009-04-30 |
JP5532470B2 (ja) | 2014-06-25 |
US7705328B2 (en) | 2010-04-27 |
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