JP2009171832A - High-tension power supply, image forming device having the same, and circuit board of the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To save time in a manually soldering process, reduce a mounting cost, and further eliminate a mounting error due to the manual processing in a piezotransducer-type high tension power supply. <P>SOLUTION: The high-tension power supply having a circuit board including the piezotransducer, a frequency control transmitter that generates a frequency signal to operate the piezotransducer in response to a control signal, a switching element that is connected to a primary side of the piezotransducer and performs switching operations in response to the frequency signal, a capacitor and an inductor composing a parallel resonant circuit that performs resonant operations with the switching element and switching operations, and a capacitive element that is connected between the power supply side of the inductor and a gland, wherein the capacitive element and inductor are disposed on the circuit substrate so as to be dipped in a solder flow tank prior to the dipping of the piezotransducer is provided. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、圧電トランスを用いた高電圧出力回路とその高電圧出力回路を有する高電圧電源装置、その高電圧電源装置を有する画像形成装置とその回路基板に関するものである。   The present invention relates to a high voltage output circuit using a piezoelectric transformer, a high voltage power supply apparatus having the high voltage output circuit, an image forming apparatus having the high voltage power supply apparatus, and a circuit board thereof.

近年のカラーレーザプリンタなどでは、それぞれが各色に対応して設けられた複数の感光体に対して複数の光学装置より光ビームをそれぞれ独立に走査して各色の画像を形成している。そして、これら各色の画像を中間転写ベルト上に重ね合わせてから記録紙へ転写している。このような方式はタンデム方式と呼ばれ、並行して複数色のトナー画像を形成し、それらを中間転写ベルト上で重ね合わせて記録紙に転写するため、最終的なカラー画像を形成するまでの時間を大幅に短縮することができる。   In recent color laser printers or the like, an image of each color is formed by independently scanning light beams from a plurality of optical devices on a plurality of photoconductors provided corresponding to the respective colors. These color images are superimposed on the intermediate transfer belt and then transferred onto the recording paper. Such a method is called a tandem method, in which a plurality of color toner images are formed in parallel, and these are superimposed on an intermediate transfer belt and transferred onto a recording sheet, so that a final color image is formed. Time can be significantly reduced.

このようなカラーレーザプリンタで採用されている電子写真プロセスでは、帯電ローラに印加する帯電バイアス、及び現像器に印加する現像バイアス、更には、転写ローラに印加する転写バイアスに、例えば直流電圧を用いている。これら各バイアスには高電圧が必要であり、例えば転写バイアスにおいては良好な転写を行うために、通常3kV以上の直流電圧が必要となる。   In the electrophotographic process employed in such a color laser printer, for example, a DC voltage is used as a charging bias applied to the charging roller, a developing bias applied to the developing device, and a transfer bias applied to the transfer roller. ing. Each of these biases requires a high voltage. For example, in order to perform good transfer in the transfer bias, a DC voltage of 3 kV or more is usually required.

従来は、レーザプリンタで高電圧を生成するために巻線式の電磁トランスが使用されていた。しかしながらこの電磁トランスは、銅線、ボビン、磁芯で構成されており、上記のような3kV以上の電圧を印加して用いる場合は、出力電流値が数μAという微小な電流のために漏れ電流を最小限にしなければならなかった。そのため、トランスの巻線を絶縁物によりモールドする必要があり、供給電力と比較して大きなトランスを必要とする。このため、高電圧電源装置の小型化及び軽量化の妨げとなっていた。   Conventionally, a wound electromagnetic transformer has been used to generate a high voltage in a laser printer. However, this electromagnetic transformer is composed of a copper wire, a bobbin, and a magnetic core. When a voltage of 3 kV or more is applied as described above, an output current value is a small current of several μA, and thus a leakage current. Had to be minimized. Therefore, it is necessary to mold the winding of the transformer with an insulating material, and a large transformer is required as compared with the supplied power. For this reason, it has been an obstacle to miniaturization and weight reduction of the high-voltage power supply device.

そこで、高電圧電源装置の小型化及び軽量化を実現するために、薄型で軽量の高出力の圧電トランス(圧電セラミックトランス)を用いて高電圧を発生させる高電圧発生装置が採用され始めている。このようなセラミックを素材とした圧電素子を圧電トランスとして用いることにより、電磁トランス以上の効率で高電圧を生成することが可能となる。しかも、一次側及び二次側間の結合に関係なく一次側と二次側の電極間の距離を離すことが可能になるため、絶縁のために特別なモールド加工をする必要がない。これにより、高電圧発生装置を小型かつ軽量にできるという利点があり、巻線式の電磁トランスを用いる場合と比べて装置の小型化に寄与できる。このような圧電トランスを用いた高電圧電源装置としては、例えば、特許文献1に記載されたものがある。   Therefore, in order to realize a reduction in size and weight of a high-voltage power supply device, a high-voltage generator that generates a high voltage using a thin and lightweight high-output piezoelectric transformer (piezoelectric ceramic transformer) has begun to be adopted. By using such a piezoelectric element made of ceramic as a piezoelectric transformer, a high voltage can be generated with efficiency higher than that of an electromagnetic transformer. In addition, since the distance between the primary and secondary electrodes can be increased regardless of the coupling between the primary side and the secondary side, it is not necessary to perform a special molding process for insulation. Thereby, there is an advantage that the high voltage generator can be made small and light, and it can contribute to the miniaturization of the device as compared with the case where the winding type electromagnetic transformer is used. As a high-voltage power supply device using such a piezoelectric transformer, for example, there is one described in Patent Document 1.

図12は、圧電トランスを用いた従来の高電圧電源装置の一例を示すブロック図である。この図12は、一例として負バイアス(負の高電圧)を出力する回路例を示している。   FIG. 12 is a block diagram showing an example of a conventional high-voltage power supply device using a piezoelectric transformer. FIG. 12 shows an example of a circuit that outputs a negative bias (negative high voltage) as an example.

図において、101は高電圧電源の圧電トランスである。この圧電トランス101の出力はダイオード102,103及び高電圧コンデンサ104によって負電圧に整流平滑され、出力端116より負荷である帯電ローラ(不図示)に供給される。また、この出力電圧は抵抗105,106,107によって分圧され、保護用抵抗108を介してオペアンプ109の非反転入力端子(+端子)に入力される。一方、この高電圧電源装置を収容しているプリンタの制御部(不図示)から接続端子118を介して、アナログ信号である高電圧電源の制御信号Vcontが入力される。この制御信号は抵抗114を介してオペアンプ109の反転入力端子(−端子)に入力される。ここでオペアンプ109と抵抗114とコンデンサ113により積分回路が構成されている。   In the figure, reference numeral 101 denotes a piezoelectric transformer of a high voltage power source. The output of the piezoelectric transformer 101 is rectified and smoothed to a negative voltage by the diodes 102 and 103 and the high voltage capacitor 104, and supplied from an output end 116 to a charging roller (not shown) as a load. The output voltage is divided by the resistors 105, 106, and 107 and input to the non-inverting input terminal (+ terminal) of the operational amplifier 109 through the protective resistor 108. On the other hand, a control signal Vcont of a high voltage power source, which is an analog signal, is input via a connection terminal 118 from a control unit (not shown) of a printer housing the high voltage power source device. This control signal is input to the inverting input terminal (− terminal) of the operational amplifier 109 via the resistor 114. Here, the operational amplifier 109, the resistor 114, and the capacitor 113 constitute an integrating circuit.

このオペアンプ109の出力は電圧制御発振器(VCO)110に接続され、その電圧制御発振器110の出力がインダクタ112とコンデンサ115によって形成されるLC並列共振回路に接続されたFET111に接続されている。電圧制御発振器110から出力される信号の周波数は、電圧制御発振器110の入力電圧が上昇すると上がり、入力電圧が下降すると低下する。従って、電圧制御発振器110は、その入力電圧のレベルに応じた周波数の信号を出力する。そして電圧制御発振器110の出力信号が上述のLC共振回路を駆動することで、最終的に制御信号(Vcont)に応じた電圧が圧電トランス101の一次側に供給されることになる。   The output of the operational amplifier 109 is connected to a voltage controlled oscillator (VCO) 110, and the output of the voltage controlled oscillator 110 is connected to an FET 111 connected to an LC parallel resonant circuit formed by an inductor 112 and a capacitor 115. The frequency of the signal output from the voltage controlled oscillator 110 increases as the input voltage of the voltage controlled oscillator 110 increases, and decreases as the input voltage decreases. Therefore, the voltage controlled oscillator 110 outputs a signal having a frequency corresponding to the level of the input voltage. The output signal of the voltage controlled oscillator 110 drives the above-described LC resonance circuit, so that a voltage corresponding to the control signal (Vcont) is finally supplied to the primary side of the piezoelectric transformer 101.

図13は、この圧電トランス101の駆動周波数に対する出力電圧の特性を表した図である。   FIG. 13 is a diagram showing the characteristics of the output voltage with respect to the drive frequency of the piezoelectric transformer 101.

同図に示すように、この圧電トランス101は、共振周波数f0において出力電圧が最大となる特性を有し、周波数による出力電圧の制御が可能であることが判る。ここで、例えば規定出力電圧Edc出力時の駆動周波数をfxとする。上述したように電圧制御発振器110は、制御信号Vcontに応じて出力する周波数が変化する。そこで出力電圧Edcよりも高い出力電圧を得るように圧電トランス101を制御する場合には、電圧制御発振器110の出力周波数をfxよりも低い周波数にする。また出力電圧Edcよりも低い電圧を得るように制御する場合には、電圧制御発振器110の出力周波数をfxよりも高い周波数にする。即ち、図12に示す回路は、オペアンプ109の反転入力端子(−端子)に入力される制御信号Vcontの電圧で決定される電圧に等しくなるように、出力端116の出力電圧が定電圧制御される負帰還制御回路を構成している。
特開平11−206113号公報
As shown in the figure, the piezoelectric transformer 101 has a characteristic that the output voltage becomes maximum at the resonance frequency f0, and it can be seen that the output voltage can be controlled by the frequency. Here, for example, the drive frequency when the specified output voltage Edc is output is fx. As described above, the output frequency of the voltage controlled oscillator 110 changes according to the control signal Vcont. Therefore, when the piezoelectric transformer 101 is controlled to obtain an output voltage higher than the output voltage Edc, the output frequency of the voltage controlled oscillator 110 is set to a frequency lower than fx. When the control is performed so as to obtain a voltage lower than the output voltage Edc, the output frequency of the voltage controlled oscillator 110 is set to a frequency higher than fx. That is, in the circuit shown in FIG. 12, the output voltage of the output terminal 116 is controlled at a constant voltage so as to be equal to the voltage determined by the voltage of the control signal Vcont input to the inverting input terminal (−terminal) of the operational amplifier 109. A negative feedback control circuit.
JP-A-11-206113

しかしながら、上記従来の圧電トランス式の高電圧電源装置では、次のような課題がある。   However, the conventional piezoelectric transformer type high voltage power supply device has the following problems.

圧電トランス式の高電圧電源装置の回路基板に各種部品を自動実装する際、半田フロー槽(半田槽)の熱による圧電トランスの焦電効果によって端子間に過大な電圧が発生する。この過大な電圧のため、基板上の配線を経由して接続される圧電トランスを駆動するためのFET111に印加される電圧が、その耐電圧を超えてしまい、FET111を破壊してしまうという問題があった。   When various components are automatically mounted on the circuit board of the piezoelectric transformer type high voltage power supply device, an excessive voltage is generated between the terminals due to the pyroelectric effect of the piezoelectric transformer due to the heat of the solder flow tank (solder tank). Due to this excessive voltage, the voltage applied to the FET 111 for driving the piezoelectric transformer connected via the wiring on the substrate exceeds the withstand voltage, and the FET 111 is destroyed. there were.

この問題に対して、従来の圧電トランス式の高電圧電源装置では、基板の実装時に圧電トランス以外の部品を半田フロー槽を使用して自動実装し、その後に人手によって基板に圧電トランスの半田付けを行っていた。しかし、例えばタンデム方式のカラーレーザプリンタに用いられる高電圧電源装置の回路基板に搭載される圧電トランスは個数が多く、人手による半田付け工程に多くの時間を要し、実装コストが上昇する。また、人の手による半田付けの作業であるため実装ミスが発生する可能性があり、歩留まりや生産性の向上の点で限界がある。   To solve this problem, conventional piezoelectric transformer type high-voltage power supply devices automatically mount parts other than the piezoelectric transformer using a solder flow tank when mounting the board, and then manually solder the piezoelectric transformer to the board. Had gone. However, for example, a large number of piezoelectric transformers are mounted on a circuit board of a high-voltage power supply device used in a tandem color laser printer, and a lot of time is required for a manual soldering process, resulting in an increase in mounting cost. Further, since it is a soldering operation by human hands, there is a possibility that a mounting error may occur, and there is a limit in terms of improvement in yield and productivity.

本発明は、上述の問題点を解決することを目的としてなされたものである。   The present invention has been made for the purpose of solving the above-mentioned problems.

本願発明の特徴は、基板への圧電トランスの自動実装を可能にした高電圧出力回路、及びその高電圧出力回路を有するした高電圧電源装置及び、その高電圧電源装置を使用した画像形成装置を提供することを目的とする。   The present invention is characterized by a high voltage output circuit that enables automatic mounting of a piezoelectric transformer on a substrate, a high voltage power supply device having the high voltage output circuit, and an image forming apparatus using the high voltage power supply device. The purpose is to provide.

上記目的を達成するために本発明の一態様に係る高電圧電源装置は以下のような構成を備える。即ち、
圧電トランスと、前記圧電トランスを駆動する周波数信号を発生する周波数制御発振器と、前記圧電トランスの一次側に接続され、前記周波数信号に応じてスイッチング動作を行うスイッチング素子と、前記スイッチング素子によるスイッチング動作により共振動作を行う並列共振回路を構成するコンデンサ及びインダクタとを有する回路基板を有する高電圧電源装置であって、
前記回路基板は、前記インダクタの電源側とグランドとの間に接続された容量素子を有し、
前記回路基板を半田フロー方式によって半田付けする際に、前記容量素子及び前記インダクタが実装されてから、前記圧電トランスが実装されるように、前記容量素子と前記インダクタと前記圧電トランスを配置することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a high-voltage power supply device according to one embodiment of the present invention has the following configuration. That is,
Piezoelectric transformer, frequency-controlled oscillator that generates a frequency signal for driving the piezoelectric transformer, a switching element that is connected to a primary side of the piezoelectric transformer and performs a switching operation according to the frequency signal, and a switching operation by the switching element A high-voltage power supply device having a circuit board having a capacitor and an inductor constituting a parallel resonant circuit that performs a resonant operation by:
The circuit board has a capacitive element connected between the power supply side of the inductor and the ground,
When the circuit board is soldered by the solder flow method, the capacitive element, the inductor, and the piezoelectric transformer are arranged so that the piezoelectric transformer is mounted after the capacitive element and the inductor are mounted. It is characterized by.

上記目的を達成するために本発明の一態様に係る高電圧電源装置は以下のような構成を備える。即ち、
圧電トランスと、前記圧電トランスを駆動する周波数信号を発生する周波数制御発振器と、前記圧電トランスの一次側に接続され、前記周波数信号に応じてスイッチング動作を行うスイッチング素子と、前記スイッチング素子によるスイッチング動作により共振動作を行うためのインダクタとを有する高電圧電源装置であって、
前記回路基板は、前記インダクタの電源側とグランドとの間に接続された容量素子を有し、
前記回路基板を半田フロー方式によって半田付けする際に、前記容量素子及び前記インダクタが実装されてから、前記圧電トランスが実装されるように、前記容量素子と前記インダクタと前記圧電トランスを配置することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a high-voltage power supply device according to one embodiment of the present invention has the following configuration. That is,
Piezoelectric transformer, frequency-controlled oscillator that generates a frequency signal for driving the piezoelectric transformer, a switching element that is connected to a primary side of the piezoelectric transformer and performs a switching operation according to the frequency signal, and a switching operation by the switching element A high-voltage power supply device having an inductor for performing resonance operation by
The circuit board has a capacitive element connected between the power supply side of the inductor and the ground,
When the circuit board is soldered by the solder flow method, the capacitive element, the inductor, and the piezoelectric transformer are arranged so that the piezoelectric transformer is mounted after the capacitive element and the inductor are mounted. It is characterized by.

本発明によれば、圧電トランスの駆動回路を形成している部品の破壊を防止し、圧電トランスの自動実装を可能にできるという効果がある。   According to the present invention, there is an effect that it is possible to prevent the components forming the drive circuit of the piezoelectric transformer from being broken and to automatically mount the piezoelectric transformer.

以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る本発明を限定するものでなく、また本実施形態で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments do not limit the present invention according to the claims, and all combinations of features described in the embodiments are not necessarily essential to the solution means of the present invention. .

図1は、本実施形態に係る高電圧電源装置を備えたタンデム方式のカラーレーザプリンタの具体的な構成例を示す図である。   FIG. 1 is a diagram illustrating a specific configuration example of a tandem color laser printer including a high voltage power supply device according to the present embodiment.

帯電ローラ(15Y,15M,15C,15K)に印加される帯電バイアスによって帯電された感光体(13Y,13M,13C,13K)の表面にレーザスキャナ(11Y,11M,11C,11K)からレーザ光を照射する。これにより各感光体には、各色に対応した画像の静電潜像が形成される。この静電潜像は、現像器(16Y,16M,16C,16K)に印加される現像バイアスにより、各対応する色のトナーが付着されて可視化される。続いて、各感光体に付着したトナーは順次、転写ローラ(18Y,18M,18C,18K)に印加される転写バイアスにより中間転写ベルト19上に重ね合わせられて転写され、カラーのトナー画像を形成する。なお、図におけるYはイエロー、Mはマゼンタ、Cはシアン、Kはブラックを意味する記号であって、帯電ローラ、レーザスキャナ、現像器の夫々は各色(Y,M,C,K)毎に設けられている。   Laser light from the laser scanner (11Y, 11M, 11C, 11K) is applied to the surface of the photoconductor (13Y, 13M, 13C, 13K) charged by the charging bias applied to the charging roller (15Y, 15M, 15C, 15K). Irradiate. Thereby, an electrostatic latent image of an image corresponding to each color is formed on each photoconductor. The electrostatic latent image is visualized by attaching toner of each corresponding color by a developing bias applied to the developing devices (16Y, 16M, 16C, 16K). Subsequently, the toner adhering to each photoconductor is sequentially superimposed and transferred onto the intermediate transfer belt 19 by the transfer bias applied to the transfer rollers (18Y, 18M, 18C, 18K) to form a color toner image. To do. In the drawing, Y is yellow, M is magenta, C is cyan, and K is black. The charging roller, laser scanner, and developing unit are for each color (Y, M, C, K). Is provided.

一方、カセット22に収容された記録紙21は、二次転写ローラ29により中間転写ベルト19上のトナー画像が転写されるように、その搬送タイミングが調整されて給紙ローラ25により給送される。そして記録紙21はレジローラ27により搬送され、二次転写ローラ29により、中間転写ベルト19上のカラーのトナー画像が転写される。さらにカラーのトナー画像を載せた記録紙21は定着器30により定着され、最終的にカラーの印刷物が得られる。
[第1実施形態]
以下、本発明の第1実施形態を図2〜図8を参照して説明する。但し、後述する各実施形態に示す回路図はあくまでも一例であり、本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
On the other hand, the recording paper 21 accommodated in the cassette 22 is fed by the paper feed roller 25 with its conveyance timing adjusted so that the toner image on the intermediate transfer belt 19 is transferred by the secondary transfer roller 29. . The recording paper 21 is conveyed by a registration roller 27, and a color toner image on the intermediate transfer belt 19 is transferred by a secondary transfer roller 29. Further, the recording paper 21 on which the color toner image is placed is fixed by the fixing device 30, and finally a color printed matter is obtained.
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. However, the circuit diagrams shown in the embodiments described later are merely examples, and the present invention is not limited to these configurations.

この第1実施形態では、圧電トランスの焦電効果による電圧上昇を低減するための容量素子(コンデンサ)を電源電圧Vccとグランドとの間に接続する。そして、その容量素子により、圧電トランスが半田フロー槽にて熱せられて発生する過大な電圧が圧電トランスの駆動回路の部品に印加されるのを低減させる。これにより、圧電トランスの駆動回路に使用する部品の破壊を防止できる。また、過大な耐電圧を持つ部品にする必要が無くなる。   In the first embodiment, a capacitive element (capacitor) for reducing a voltage increase due to the pyroelectric effect of the piezoelectric transformer is connected between the power supply voltage Vcc and the ground. The capacitive element reduces the application of an excessive voltage generated by heating the piezoelectric transformer in the solder flow tank to the components of the drive circuit of the piezoelectric transformer. Thereby, destruction of the components used for the drive circuit of the piezoelectric transformer can be prevented. Moreover, it is not necessary to use a component having an excessive withstand voltage.

図2は、第1実施形態に係る高電圧電源装置における電源回路部としての圧電トランスの駆動回路の構成を示す回路図である。尚、ここでは代表的に負バイアスを出力する高電圧電源装置の例で説明する。尚、以下に説明する各実施形態に係る高電圧電源装置の構成は、正電圧、負電圧のいずれの出力に対しても有効である。また、以下の各実施形態に係る高電圧電源装置を備えた画像形成装置としては図1に示すタンデム方式のカラー画像形成装置が一例として挙げられる。   FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a drive circuit of a piezoelectric transformer as a power supply circuit unit in the high voltage power supply device according to the first embodiment. Here, a high voltage power supply device that typically outputs a negative bias will be described as an example. The configuration of the high-voltage power supply device according to each embodiment described below is effective for both positive voltage and negative voltage outputs. As an example of the image forming apparatus provided with the high voltage power supply apparatus according to each of the following embodiments, a tandem color image forming apparatus shown in FIG.

図2は、イエロー(Y)の画像が形成される感光体を帯電する帯電ローラとマゼンタ(M)の画像が形成される感光体を帯電するための帯電ローラに電圧を印加するための駆動回路が並列に接続された回路である。図2においてイエロー(Y)用とマゼンタ用(Y)の夫々の駆動回路の各部の符号の末尾にY、Mをつけている。なお駆動回路の構成は同様である。   FIG. 2 shows a driving circuit for applying a voltage to a charging roller for charging a photoconductor on which a yellow (Y) image is formed and a charging roller for charging a photoconductor on which a magenta (M) image is formed. Is a circuit connected in parallel. In FIG. 2, Y and M are added to the end of the reference numerals of the respective drive circuits for yellow (Y) and magenta (Y). The configuration of the drive circuit is the same.

図2において、各駆動回路はバイパス用のコンデンサ200より分岐して配線された構成となっている。電源の分岐点に設けられたバイパス用コンデンサ200は、各駆動回路が異なる周波数で駆動する時の周波数の干渉を防止するために設けられるものである。従って、バイパス用コンデンサ200は、各駆動回路に対して電源が分岐される電源供給ラインの間近に配置されることが望ましく、一般的に電源供給コネクタ(不図示)の近傍に配置される。   In FIG. 2, each drive circuit is configured to be branched from a bypass capacitor 200 and wired. The bypass capacitor 200 provided at the branch point of the power supply is provided to prevent frequency interference when each drive circuit is driven at a different frequency. Therefore, the bypass capacitor 200 is preferably disposed in the vicinity of a power supply line from which power is branched to each drive circuit, and is generally disposed in the vicinity of a power supply connector (not shown).

図2に示す第1実施形態の高電圧電源装置の駆動回路の構成において、図12の従来例と異なる点は、インダクタ112Yの電源側Vcc端子とグランドとの間にコンデンサ120Yが接続されている点にある。さらに、このコンデンサ120Yは前述したバイパス用コンデンサ200とは異なり、図のように各駆動回路毎に配置される。なお、圧電トランス101の制御に関しては、図12を参照して前述した動作と同様である。よって前述の図12と共通する部分は同じ記号で示し、それらの説明を省略する。   In the configuration of the drive circuit of the high voltage power supply device of the first embodiment shown in FIG. 2, the difference from the conventional example of FIG. 12 is that a capacitor 120Y is connected between the power supply side Vcc terminal of the inductor 112Y and the ground. In the point. Further, unlike the bypass capacitor 200 described above, the capacitor 120Y is arranged for each drive circuit as shown in the figure. The control of the piezoelectric transformer 101 is the same as the operation described above with reference to FIG. Therefore, the same parts as those in FIG. 12 described above are denoted by the same symbols, and description thereof is omitted.

次に、この第1実施形態に係る圧電トランス駆動回路の動作に関して、図3を参照して説明する。   Next, the operation of the piezoelectric transformer driving circuit according to the first embodiment will be described with reference to FIG.

図3は、第1実施形態に係る圧電トランスを用いた高電圧電源装置の各部の動作波形を示す波形図である。   FIG. 3 is a waveform diagram showing operation waveforms of each part of the high-voltage power supply device using the piezoelectric transformer according to the first embodiment.

300は、FET(スイッチング素子)111のゲートに印加される信号121(図2)の電圧波形を示している。301は、FET111のドレインに現れる電圧波形を示している。また302は、インダクタ112に流れる電流を表している。   Reference numeral 300 denotes a voltage waveform of the signal 121 (FIG. 2) applied to the gate of the FET (switching element) 111. Reference numeral 301 denotes a voltage waveform appearing at the drain of the FET 111. Reference numeral 302 denotes a current flowing through the inductor 112.

300で示す電圧がFET111のゲートの閾値電圧以上になってFET111がオンするとインダクタ112に電流が流れて、インダクタ112のエネルギが蓄積される。次に300で示す電圧が低下してFET111がオフすると、このインダクタ112とコンデンサ115との間で、301で示すように共振が起こる。この共振電圧が0Vの時にFET111のオン期間が始まるようにFET111を駆動することにより、効率良く共振が連続的に繰り返される。   When the voltage indicated by 300 becomes equal to or higher than the threshold voltage of the gate of the FET 111 and the FET 111 is turned on, a current flows through the inductor 112 and the energy of the inductor 112 is accumulated. Next, when the voltage indicated by 300 decreases and the FET 111 is turned off, resonance occurs between the inductor 112 and the capacitor 115 as indicated by 301. By driving the FET 111 so that the on-period of the FET 111 starts when the resonance voltage is 0V, the resonance is efficiently and continuously repeated.

一方、この共振動作中のインダクタ112に流れる電流波形は302で示されている。いまFET111がオンした場合、インダクタ112を通過して電流がFET111に流れる。続いてFET111をオフすると、その後も、インダクタ112の誘導性作用によりコンデンサ115を充電するように電流が流れ続ける。更に、インダクタ112に流れる電流が0になって、FET111のドレインに現れる電圧が最大となった後は、逆に電流の回生動作が開始される。これにより、コンデンサ115及びFET111内の回生ダイオード(不図示)より電流が電源Vcc側に流れ込む。こうして圧電トランス101は、上記共振動作により十分に昇圧された電圧が印加されて振動を起こして二次側に高電圧を発生させることとなる。   On the other hand, a current waveform flowing through the inductor 112 during the resonance operation is indicated by 302. If the FET 111 is turned on now, the current flows through the FET 111 through the inductor 112. Subsequently, when the FET 111 is turned off, the current continues to flow so as to charge the capacitor 115 by the inductive action of the inductor 112. Further, after the current flowing through the inductor 112 becomes zero and the voltage appearing at the drain of the FET 111 becomes the maximum, the current regeneration operation is started conversely. As a result, current flows into the power supply Vcc side from the capacitor 115 and a regenerative diode (not shown) in the FET 111. Thus, the piezoelectric transformer 101 is vibrated by applying a voltage sufficiently boosted by the resonance operation, and generates a high voltage on the secondary side.

次に、図2に示す高電圧電源装置の電源回路基板の実装時の焦電効果を説明する。なお、図2において点線部分で囲んだ電源回路部を含む基板がフロー実装される際の搬送方向を矢印Aで示している。図2においては駆動回路を2つ有する電源回路構成を示しているが、駆動回路は2つに限らず、必要な電圧出力数に応じて設けられて、1つの基板に配置することができる。また、駆動回路以外のその他の回路についても駆動回路が実装される基板と同じ基板に配置することができる。   Next, the pyroelectric effect when the power supply circuit board of the high voltage power supply device shown in FIG. 2 is mounted will be described. In FIG. 2, an arrow A indicates the transport direction when the substrate including the power supply circuit portion surrounded by the dotted line portion is flow-mounted. Although FIG. 2 shows a power supply circuit configuration having two drive circuits, the number of drive circuits is not limited to two, and it can be provided according to the required number of voltage outputs and arranged on one substrate. Also, other circuits other than the drive circuit can be arranged on the same substrate as the substrate on which the drive circuit is mounted.

圧電トランス101と、その駆動回路とを具備する高電圧電源装置は、回路基板上に各部品を自動実装するのに際して半田フロー槽に入れられる。このときに圧電トランス101に熱が加わり圧電トランス表面の分極バランスが崩れる。分極バランスが崩れることにより、圧電トランス101の一次側端子間に焦電電荷量Qconstが発生する。この焦電電荷量Qconstは、この圧電トランス101の長さや厚みに依存する電荷量であり、圧電トランス101の形状によって異なるものである。この焦電電荷量Qconstは、圧電トランス単体に半田フロー槽の温度プロファイルと同等の熱を与えたときの発生電圧V0と、圧電トランス101Yの一次側寄生容量C0とにより、Qconst=C0×V0で求めることができる。   A high voltage power supply device including the piezoelectric transformer 101 and its driving circuit is placed in a solder flow tank when each component is automatically mounted on a circuit board. At this time, heat is applied to the piezoelectric transformer 101 and the polarization balance on the surface of the piezoelectric transformer is lost. When the polarization balance is lost, a pyroelectric charge amount Qconst is generated between the primary side terminals of the piezoelectric transformer 101. This pyroelectric charge amount Qconst is a charge amount depending on the length and thickness of the piezoelectric transformer 101 and varies depending on the shape of the piezoelectric transformer 101. This pyroelectric charge amount Qconst is Qconst = C0 × V0 based on a generated voltage V0 when a heat equivalent to the temperature profile of the solder flow tank is applied to the piezoelectric transformer alone and a primary side parasitic capacitance C0 of the piezoelectric transformer 101Y. Can be sought.

図4〜図7を参照して、半田フロー槽を通過していく時の圧電トランス101の端子間に発生する電圧上昇を説明する。   With reference to FIGS. 4-7, the voltage rise which generate | occur | produces between the terminals of the piezoelectric transformer 101 when passing a solder flow tank is demonstrated.

図4及び図5では、第1実施形態の構成に基づく効果を説明するための対比的説明として、図2のようなコンデンサ120が設けられていない従来の高電圧電源装置(図12)の場合で説明する。   4 and 5, as a comparative explanation for explaining the effect based on the configuration of the first embodiment, the case of the conventional high-voltage power supply device (FIG. 12) not provided with the capacitor 120 as shown in FIG. I will explain it.

図4は、基板400上に圧電トランス101、共振用のコンデンサ115、共振用のインダクタ112、FET111が配置されている具体例を示す図である。ここで基板400は、図中矢印A方向に搬送されて半田フロー槽に進入していき、基板400は半田フロー槽で下降され、溶融している半田に基板の下方から接触する。   FIG. 4 is a diagram showing a specific example in which the piezoelectric transformer 101, the resonance capacitor 115, the resonance inductor 112, and the FET 111 are arranged on the substrate 400. Here, the substrate 400 is conveyed in the direction of arrow A in the drawing and enters the solder flow tank, and the substrate 400 is lowered in the solder flow tank and comes into contact with the molten solder from below the substrate.

図5は、図4に示す基板400を半田フロー槽で自動で実装する場合の圧電トランスの温度上昇及び電圧上昇を説明する図である。   FIG. 5 is a diagram for explaining the temperature rise and voltage rise of the piezoelectric transformer when the substrate 400 shown in FIG. 4 is automatically mounted in the solder flow tank.

図において、510は、横軸の時間軸に対する、圧電トランス101の一次側端子の電圧上昇を表している。また511は、圧電トランス101の一次側端子の電圧上昇を示しており、その時間軸は一次側端子の電圧上昇510と一致させている。   In the figure, reference numeral 510 denotes a voltage increase of the primary side terminal of the piezoelectric transformer 101 with respect to the time axis on the horizontal axis. Reference numeral 511 denotes a voltage rise at the primary side terminal of the piezoelectric transformer 101, and the time axis thereof is matched with the voltage rise 510 at the primary side terminal.

基板400は、時間軸に沿って半田フロー槽に向かって搬送される。まずタイミング520で、予備加熱工程に進入する。521は、半田フロー槽に浸ける前の予備加熱工程を示している。この工程では、基板400や、実装する部品の急激な温度変化を防止するために徐々に基板400を高温にする。この予備加熱工程521により、510で示すように圧電トランス101の一次側端子間で電圧が徐々に発生する。続いてタイミング522で、予備加熱工程を終了し、半田フロー槽に進入される。更に、タイミング523で、圧電トランス101が半田フロー槽に浸される。この時、圧電トランス101の温度は最も高くなり、圧電トランス101の一次側端子の両端には最大電荷Qconstが発生する。   The substrate 400 is conveyed toward the solder flow tank along the time axis. First, at timing 520, the preheating process is entered. Reference numeral 521 denotes a preheating step before being immersed in the solder flow tank. In this step, the temperature of the substrate 400 is gradually raised to prevent a rapid temperature change of the substrate 400 and components to be mounted. By this preheating step 521, a voltage is gradually generated between the primary side terminals of the piezoelectric transformer 101 as indicated by 510. Subsequently, at a timing 522, the preheating process is terminated and the solder flow tank is entered. Further, at timing 523, the piezoelectric transformer 101 is immersed in the solder flow tank. At this time, the temperature of the piezoelectric transformer 101 becomes the highest, and the maximum charge Qconst is generated at both ends of the primary side terminal of the piezoelectric transformer 101.

この圧電トランス101の一次側端子に発生する電圧は、その一次側端子がクリンチ等によりランド或いはスルーホールにて銅はくパターンと接触することにより図4に示す配線130に直接印加される。この圧電トランス101の一次側端子及び配線130に発生する電圧を、図5の511で示している。   The voltage generated at the primary terminal of the piezoelectric transformer 101 is directly applied to the wiring 130 shown in FIG. 4 when the primary terminal comes into contact with the copper foil pattern at the land or through hole by clinch or the like. A voltage generated at the primary terminal and the wiring 130 of the piezoelectric transformer 101 is indicated by 511 in FIG.

この配線130には、共振駆動用のコンデンサ115が接続されている。ここで配線130に発生する電圧V1は、以下の式(1)で表される。尚、ここで圧電トランス101の一次側寄生容量C0、圧電トランス101の一次側端子の発生電荷Qconst、コンデンサ115の容量をC1とする。   A capacitor 115 for resonance driving is connected to the wiring 130. Here, the voltage V1 generated in the wiring 130 is expressed by the following equation (1). Here, the primary side parasitic capacitance C0 of the piezoelectric transformer 101, the generated charge Qconst of the primary side terminal of the piezoelectric transformer 101, and the capacitance of the capacitor 115 are C1.

V1=Qconst/(C1+C0) ...式(1)
そして次にタイミング524で、圧電トランス101の一次側端子のもう一方の端子が半田フロー槽に浸されるまで、配線130に発生する電圧V1は維持されたままとなる。そしてタイミング524で、圧電トランス101の一次側端子のもう一方の端子が半田フロー槽に浸されることにより、圧電トランス101の一次側の両端子がショートして、その電位V1は「0」となる。
V1 = Qconst / (C1 + C0) (1)
Then, at timing 524, the voltage V1 generated in the wiring 130 remains maintained until the other terminal of the primary terminal of the piezoelectric transformer 101 is immersed in the solder flow tank. At timing 524, the other terminal on the primary side of the piezoelectric transformer 101 is immersed in the solder flow tank, so that both terminals on the primary side of the piezoelectric transformer 101 are short-circuited, and the potential V1 is "0". Become.

更に、半田フロー槽に浸されたまま圧電トランス101が通過している期間525を経て、タイミング526で、基板400が半田フロー槽から引き上げられると、前述の両端子のショートが解除される。この時、再び、圧電トランス101の一次側端子に電圧が発生する。そして、この電圧は、圧電トランス101の熱が冷めていくに従って徐々に低下していく。   Further, when the substrate 400 is pulled out of the solder flow tank at a timing 526 through a period 525 in which the piezoelectric transformer 101 passes while being immersed in the solder flow tank, the above-described short circuit between both terminals is released. At this time, a voltage is generated again at the primary side terminal of the piezoelectric transformer 101. This voltage gradually decreases as the heat of the piezoelectric transformer 101 cools.

以上説明した工程において、配線130に発生する電圧V1は、FET111のソースとドレイン間に印加される。この電圧V1は、コンデンサ115の容量C1により圧電トランス101単体が発生する焦電電圧V0より低い電圧となる。しかしながら、このコンデンサ115は共振動作のために設けられているもので、その容量C1は、具体的には数百pF程度の値であり、十分に電圧を低下させる役割は果たせない。そのため、電圧V1は高電圧となり、FET111のドレイン−ソース間の耐電圧を超えてしまうことにより、FET111を破壊するおそれがある。   In the process described above, the voltage V 1 generated in the wiring 130 is applied between the source and drain of the FET 111. This voltage V 1 is lower than the pyroelectric voltage V 0 generated by the piezoelectric transformer 101 alone due to the capacitance C 1 of the capacitor 115. However, this capacitor 115 is provided for the resonance operation, and its capacitance C1 is specifically a value of about several hundred pF, and cannot play the role of sufficiently reducing the voltage. For this reason, the voltage V1 becomes a high voltage and may exceed the withstand voltage between the drain and source of the FET 111, thereby possibly destroying the FET 111.

次に、図6及び図7を参照して、第1実施形態に係る高電圧電源装置の回路構成とその効果を説明する。第1実施形態に係る高電圧電源装置の特徴は、図2で前述しているコンデンサ120の存在である。このコンデンサ120は、インダクタ112の電源供給ラインとグランド間に挿入されている。またコンデンサ120の容量C2は、圧電トランス101の一次側寄生容量C0に対して十分に大きな値であることが特徴である。   Next, with reference to FIG.6 and FIG.7, the circuit structure of the high voltage power supply device which concerns on 1st Embodiment, and its effect are demonstrated. A feature of the high voltage power supply according to the first embodiment is the presence of the capacitor 120 described above with reference to FIG. The capacitor 120 is inserted between the power supply line of the inductor 112 and the ground. Further, the capacitance C2 of the capacitor 120 is characterized by a sufficiently large value with respect to the primary side parasitic capacitance C0 of the piezoelectric transformer 101.

図6は、本発明の第1実施形態に係る高電圧電源装置の駆動回路の基板401における圧電トランス、共振用コンデンサ、共振用インダクタ、スイッチングFETの具体的配置の一例を示す図である。   FIG. 6 is a diagram showing an example of a specific arrangement of the piezoelectric transformer, the resonance capacitor, the resonance inductor, and the switching FET on the substrate 401 of the drive circuit of the high voltage power supply device according to the first embodiment of the present invention.

尚、圧電トランス101、共振用のコンデンサ115、共振用のインダクタ112、FET111は図2に示す構成と同じである。   The piezoelectric transformer 101, the resonance capacitor 115, the resonance inductor 112, and the FET 111 have the same configuration as shown in FIG.

図7は、図6の基板401が矢印Aの方向に搬送され、予備加熱から半田フローの実装工程に進入した際の圧電トランスの温度上昇と電圧上昇を説明する図である。尚、図7では前述の図5と同様に、圧電トランス101の一次側端子に発生する電圧は、その端子がクリンチ等によりランド或いはスルーホールにて銅はくパターンと接触して配線130に印加される。図7において、図5と共通する部分は同じ記号で示している。   FIG. 7 is a diagram for explaining the temperature rise and voltage rise of the piezoelectric transformer when the substrate 401 of FIG. 6 is conveyed in the direction of arrow A and enters the solder flow mounting process from preheating. In FIG. 7, as in FIG. 5, the voltage generated at the primary terminal of the piezoelectric transformer 101 is applied to the wiring 130 in contact with the copper foil pattern at the land or through hole by clinch or the like. Is done. In FIG. 7, portions common to FIG. 5 are denoted by the same symbols.

712は、圧電トランス101の一次側端子及び配線130に発生する電圧を示している。521は予備加熱工程で、この間、圧電トランス101には前述の図5と同様の電圧が発生する。続いて基板401は、半田フロー槽に搬送され、タイミング523で圧電トランス101が半田フロー槽の半田と接触する前に、タイミング527でコンデンサ120及びインダクタ112が半田フロー槽に浸されて銅はくパターンに接続される。そのタイミング527で、圧電トランス101の一次側端子に発生した電荷がインダクタ112を経由してコンデンサ120に充電される経路が確立される。これにより、配線130に発生する電圧が低下する。   Reference numeral 712 denotes a voltage generated at the primary side terminal of the piezoelectric transformer 101 and the wiring 130. Reference numeral 521 denotes a preheating step, during which a voltage similar to that shown in FIG. Subsequently, the substrate 401 is transported to the solder flow tank, and before the piezoelectric transformer 101 contacts the solder in the solder flow tank at timing 523, the capacitor 120 and the inductor 112 are immersed in the solder flow tank at timing 527, and the copper foil is removed. Connected to the pattern. At the timing 527, a path is established in which the charge generated at the primary side terminal of the piezoelectric transformer 101 is charged to the capacitor 120 via the inductor 112. Thereby, the voltage generated in the wiring 130 is reduced.

従って、タイミング523で圧電トランス101が半田フロー槽に浸された際に、焦電効果により上昇する電圧V2は、コンデンサ120Yの容量をC2とすると、以下の式(2)で表される。   Accordingly, when the piezoelectric transformer 101 is immersed in the solder flow bath at the timing 523, the voltage V2 that rises due to the pyroelectric effect is expressed by the following equation (2), where C2 is the capacitance of the capacitor 120Y.

V2=Qconst/(C2+C1+C0) ...式(2)
こうして、この電圧V2がFET111に印加されることとなる。ここで、電圧V2はFET111のドレイン−ソース間の最大定格電圧Vdss以下にする必要がある。即ち、必要なコンデンサ120の容量C2は、式(3)の条件を満たす必要がある。
V2 = Qconst / (C2 + C1 + C0) (2)
Thus, this voltage V2 is applied to the FET 111. Here, the voltage V2 needs to be lower than the maximum rated voltage Vdss between the drain and source of the FET 111. That is, the necessary capacitance C2 of the capacitor 120 needs to satisfy the condition of the expression (3).

C2>(Qconst/Vdss)−C1−C0 ...式(3)
一般的には、C2>(Q/V)−C1−C0で表される。
C2> (Qconst / Vdss) -C1-C0 (3)
Generally, it is represented by C2> (Q / V) -C1-C0.

コンデンサ120の容量C2が、この条件を満たすことにより、焦電効果により上昇する電圧V2は、FET111のドレイン−ソース間の最大定格電圧以下となる。   When the capacitance C2 of the capacitor 120 satisfies this condition, the voltage V2 that rises due to the pyroelectric effect becomes equal to or lower than the maximum rated voltage between the drain and source of the FET 111.

ここで図5と図7とを比較すると明らかなように、第1実施形態に係る高電圧電源装置では、圧電トランス101の一次側端子に発生する電圧V2は、712で示すように、前述の電圧V1に比べて大幅に低下している。これによりFET111の半田フロー槽による自動実装時における駆動回路の部品の破壊を防止することが可能となる。   As is apparent from a comparison between FIG. 5 and FIG. 7, in the high voltage power supply device according to the first embodiment, the voltage V 2 generated at the primary side terminal of the piezoelectric transformer 101 is Compared to the voltage V1, it is greatly reduced. As a result, it is possible to prevent destruction of the components of the drive circuit during automatic mounting of the FET 111 by the solder flow bath.

尚、ここで図6で説明した配置構成では、FET111のソース−ドレイン間の最大定格電圧のみを対象にした。   In the arrangement configuration described with reference to FIG. 6, only the maximum rated voltage between the source and the drain of the FET 111 is targeted.

図8は、第1実施形態の他の例である高電圧電源装置の駆動回路の基板801における圧電トランス、共振用コンデンサ、共振用インダクタ、スイッチングFETの具体的配置例を示す図である。尚、図8において、図6と共通する部分は同じ記号で示している。   FIG. 8 is a diagram illustrating a specific arrangement example of the piezoelectric transformer, the resonance capacitor, the resonance inductor, and the switching FET on the substrate 801 of the drive circuit of the high-voltage power supply device as another example of the first embodiment. In FIG. 8, the same parts as those in FIG. 6 are indicated by the same symbols.

この図8に示す配置構成の場合には、半田フロー槽への進入順により、先にFET111のゲートとドレインがショートする。この場合は、焦電効果により上昇する電圧V2が、FET111のゲート―ソース間に印加されてしまう。よって、このFET111の破壊を防止するためには、この電圧V2は、FET111のゲート―ソース間の最大定格電圧Vgss以下にする必要がある。即ち、必要なコンデンサ120の容量C2は、以下の式(4)の条件を満たす必要がある
C2>(Qconst/Vgss)−C1−C0 ...式(4)
こうすることにより、焦電効果により上昇する電圧V2は、FET111のゲート−ソース間の最大定格電圧以下となり、FET111の半田フロー槽による自動実装時の破壊を防止することが可能となる。
In the arrangement shown in FIG. 8, the gate and drain of the FET 111 are short-circuited first in the order of entry into the solder flow bath. In this case, a voltage V 2 that rises due to the pyroelectric effect is applied between the gate and source of the FET 111. Therefore, in order to prevent the breakdown of the FET 111, the voltage V2 needs to be lower than the maximum rated voltage Vgss between the gate and the source of the FET 111. That is, the required capacitance C2 of the capacitor 120 needs to satisfy the condition of the following formula (4): C2> (Qconst / Vgss) −C1−C0 ... Formula (4)
By doing so, the voltage V2 that rises due to the pyroelectric effect is equal to or lower than the maximum rated voltage between the gate and the source of the FET 111, and it is possible to prevent the FET 111 from being destroyed during automatic mounting by the solder flow bath.

次に、コンデンサ120の容量C2に関して具体的数値を用いて説明する。   Next, the capacitance C2 of the capacitor 120 will be described using specific numerical values.

いま半田フロー槽による自動実装時の温度約260℃における圧電トランス単体での発生電圧を900Vとする。また、この圧電トランスの一次側寄生容量を500pF、共振用コンデンサの容量を470pF、FETのゲート−ソース間電圧の最大定格電圧を30Vとする。このときのコンデンサ120の容量C2は、以下の式(5)の条件を満たす必要がある。   Now, the generated voltage of the piezoelectric transformer alone at a temperature of about 260 ° C. during automatic mounting in the solder flow tank is set to 900V. The primary parasitic capacitance of this piezoelectric transformer is 500 pF, the capacitance of the resonance capacitor is 470 pF, and the maximum rated voltage of the gate-source voltage of the FET is 30V. The capacitance C2 of the capacitor 120 at this time must satisfy the condition of the following formula (5).

C2>(Qconst/Vgss)−C1−C0
>(900V×500pF/30)−470pF−500pF
>0.014μF ...式(5)
これから、FET111の破壊を防止するためには、コンデンサ120は、0.014μF以上の容量が必要となることが分かる。
C2> (Qconst / Vgss) -C1-C0
> (900V × 500pF / 30) -470pF-500pF
> 0.014 μF (5)
From this, it can be seen that the capacitor 120 needs to have a capacitance of 0.014 μF or more in order to prevent the FET 111 from being destroyed.

以上説明したように第1実施形態に係る高電圧電源装置の駆動回路は、圧電トランス101と、電圧制御発振器110と、電圧制御発振器110から出力される周波数信号の周波数に応じてスイッチング駆動するFET111とを有する。更に、そのスイッチング素子のスイッチング動作により共振動作を行うように並列共振回路を形成されたコンデンサ115とインダクタ112とを備える。そして更に、インダクタ112に接続される電源供給側端子とグランド間に接続された焦電電圧低減用のコンデンサ120とを有する。そしてコンデンサ120とインダクタ112が、圧電トランス101の半田フロー槽を使用した自動実装時に、圧電トランス101よりも先に半田フローに浸されるように基板上に配置されている。これにより、半田フロー槽を使用した自動実装時に発生する圧電トランス101の焦電効果による電圧上昇を低減させることができる。   As described above, the drive circuit of the high voltage power supply apparatus according to the first embodiment includes the piezoelectric transformer 101, the voltage controlled oscillator 110, and the FET 111 that performs switching driving according to the frequency of the frequency signal output from the voltage controlled oscillator 110. And have. Furthermore, a capacitor 115 and an inductor 112 are provided in which a parallel resonance circuit is formed so as to perform a resonance operation by the switching operation of the switching element. In addition, a power supply side terminal connected to the inductor 112 and a pyroelectric voltage reducing capacitor 120 connected between the grounds are provided. The capacitor 120 and the inductor 112 are arranged on the substrate so as to be immersed in the solder flow before the piezoelectric transformer 101 during automatic mounting using the solder flow tank of the piezoelectric transformer 101. Thereby, the voltage rise by the pyroelectric effect of the piezoelectric transformer 101 which generate | occur | produces at the time of automatic mounting using a solder flow tank can be reduced.

更に第1実施形態では、コンデンサ120の容量を、電源装置に最適なコンデンサ及びスイッチング素子を選定可能な値に設定する。これにより、スイッチング素子であるFETの破壊を確実に防止しつつ、半田フロー槽による自動実装が可能となる。   Further, in the first embodiment, the capacitance of the capacitor 120 is set to a value that allows selection of the capacitor and the switching element that are optimal for the power supply device. As a result, automatic mounting by the solder flow tank is possible while reliably preventing the FET as a switching element from being destroyed.

これにより手作業による圧電トランスの半田付けなどの作業が不要になるので、実装コストを削減でき、かつ半田フローによる自動実装後の部品の信頼性を向上できるという効果がある。   This eliminates the need for manual operation such as soldering of the piezoelectric transformer, thereby reducing the mounting cost and improving the reliability of the parts after automatic mounting by the solder flow.

尚、第1実施形態に係る図6及び図8に示す回路素子(部品)の配置はあくまでも一例であり、本発明はこれに限定されるものでない。但し、半田フローによる自動実装を行う基板においては、圧電トランス101より先にコンデンサ120及びインダクタ112が半田フローに浸されるように実装されることが、本実施形態の重要な構成要素である。
[第2実施形態]
以下、本発明の第2実施形態を説明する。
The arrangement of the circuit elements (components) shown in FIGS. 6 and 8 according to the first embodiment is merely an example, and the present invention is not limited to this. However, in a board that performs automatic mounting by solder flow, mounting the capacitor 120 and the inductor 112 so as to be immersed in the solder flow before the piezoelectric transformer 101 is an important component of this embodiment.
[Second Embodiment]
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described.

図9は、本発明の第2実施形態に係る高電圧電源装置における圧電トランスの駆動回路の構成を説明する図である。尚、図9では図2と共通する部分は同じ記号で示し、それらの説明を省略する。   FIG. 9 is a diagram illustrating the configuration of a piezoelectric transformer drive circuit in the high-voltage power supply device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 9, the same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same symbols, and the description thereof is omitted.

前述の第1実施形態に係る高電圧電源装置の駆動回路と比較すると、図2の並列共振用のコンデンサ115が存在しない点が異なっている。ここでは、共振回路として、圧電トランス101の寄生容量を共振用コンデンサとして代用している。この構成の場合においても第1実施形態と同様に、図10のように基板1001上に配置し、下記の式(5)によりコンデンサ120の容量C2を決定する。   Compared with the drive circuit of the high voltage power supply device according to the first embodiment described above, the difference is that the parallel resonance capacitor 115 of FIG. 2 does not exist. Here, as a resonance circuit, the parasitic capacitance of the piezoelectric transformer 101 is used as a resonance capacitor. Even in the case of this configuration, as in the first embodiment, it is arranged on the substrate 1001 as shown in FIG. 10, and the capacitance C2 of the capacitor 120 is determined by the following equation (5).

C2>(Qconst/Vgss)−C0 ...式(5)
図10は、第2実施形態に係る高電圧電源装置の駆動回路の基板に圧電トランス、共振用コンデンサ、共振用インダクタ、スイッチングFETを配置した具体例を示す図である。図10では、図6と共通する部分は同じ記号で示している。
C2> (Qconst / Vgss) -C0 (5)
FIG. 10 is a diagram showing a specific example in which a piezoelectric transformer, a resonance capacitor, a resonance inductor, and a switching FET are arranged on the substrate of the drive circuit of the high voltage power supply device according to the second embodiment. In FIG. 10, portions common to FIG. 6 are denoted by the same symbols.

上述の式(5)により算出される容量のコンデンサ120を、電源Vccとグランドとの間に接続する。これにより図10に示すように、半田フロー槽を使用した自動実装時には圧電トランス101よりもコンデンサ120とインダクタ112が先に半田フローに浸される。   The capacitor 120 having the capacity calculated by the above equation (5) is connected between the power supply Vcc and the ground. As a result, as shown in FIG. 10, the capacitor 120 and the inductor 112 are immersed in the solder flow before the piezoelectric transformer 101 during automatic mounting using the solder flow bath.

即ち、前述の図6の場合と同様に、コンデンサ120及びインダクタ112が半田フロー槽に浸されて銅はくパターンに接続される。これにより、圧電トランス101の一次側端子に発生した電荷がインダクタ112を経由してコンデンサ120に充電される経路が確立される。こうして配線130に発生する電圧が低下する。   That is, as in the case of FIG. 6 described above, the capacitor 120 and the inductor 112 are immersed in the solder flow bath and connected to the copper foil pattern. As a result, a path is established in which the charge generated at the primary terminal of the piezoelectric transformer 101 is charged to the capacitor 120 via the inductor 112. Thus, the voltage generated in the wiring 130 is reduced.

以上説明したように第2実施形態によれば、FETのような半導体素子であるスイッチング素子が使用される圧電トランスの駆動回路部品の耐電圧を考慮した容量素子を選定できる。これにより、使用部品の破壊を確実に防止しつつ半田フローによる自動実装が可能となる。これにより、FETの半田フロー槽を使用した自動実装時の部品の破壊を防止することが可能となる。
[第3実施形態]
以下、本発明の第3実施形態を説明する。ここでは第1実施形態と異なり、基板1101がリフロー実装であった場合を説明する。
As described above, according to the second embodiment, it is possible to select a capacitive element in consideration of a withstand voltage of a driving circuit component of a piezoelectric transformer in which a switching element that is a semiconductor element such as an FET is used. As a result, it is possible to perform automatic mounting by a solder flow while reliably preventing destruction of used parts. As a result, it is possible to prevent the component from being destroyed during automatic mounting using the solder flow tank of the FET.
[Third Embodiment]
The third embodiment of the present invention will be described below. Here, unlike the first embodiment, a case where the substrate 1101 is reflow mounted will be described.

図11は、第3実施形態の一例として、全てが面実装タイプの素子で構成された、圧電トランスの駆動回路の部品が配置された基板を説明する図である。図中の番号は、前述の第1実施形態で説明した図2で表記されている同じ番号に対応する。   FIG. 11 is a diagram illustrating a substrate on which components of a driving circuit of a piezoelectric transformer, which are all configured by surface mount type elements, are arranged as an example of the third embodiment. The numbers in the figure correspond to the same numbers described in FIG. 2 described in the first embodiment.

リフロー実装の場合は、先にクリーム半田にて基板1101上に実装される部品の端子がそれぞれプリントパターンを介して接続されている状態となる。そのため、第3実施形態の図11に示す配置は、本発明の重要な構成要素ではなく、説明のための一例として記載しているに過ぎない。   In the case of reflow mounting, the terminals of the components mounted on the substrate 1101 with cream solder are connected to each other via the print pattern. Therefore, the arrangement shown in FIG. 11 of the third embodiment is not an important component of the present invention, but is merely described as an example for explanation.

また、前述の第1実施形態と異なり、FET111のドレインとゲートが半田によりショート状態になることがない。このため、コンデンサ120の容量決定に際して、FET111のドレイン−ソース間の最大定格電圧Vdssのみを考慮すれば良いことになる。即ち、コンデンサ120の容量値C2は、圧電トランス101の一次側端子間に発生する電荷量Qconst、圧電トランス101の一次側寄生容量をC0、共振駆動用のコンデンサ115の容量をC1とすると、以下の式(6)を満足する値にする。   Further, unlike the first embodiment, the drain and gate of the FET 111 are not short-circuited by solder. Therefore, when determining the capacitance of the capacitor 120, only the maximum rated voltage Vdss between the drain and source of the FET 111 needs to be considered. That is, the capacitance value C2 of the capacitor 120 is as follows, assuming that the charge amount Qconst generated between the primary terminals of the piezoelectric transformer 101, the primary parasitic capacitance of the piezoelectric transformer 101 is C0, and the capacitance of the resonance driving capacitor 115 is C1. (6) is satisfied.

C2>(Qconst/Vdss)−C1−C0 ...式(6)
これにより、リフロー実装時に圧電トランス101の焦電効果により発生する電圧がFET111の最大定格電圧以下となる。こうしてFETにダメージを与えることなく、リフロー実装を行うことが可能となる。
C2> (Qconst / Vdss) -C1-C0 (6)
Thereby, the voltage generated by the pyroelectric effect of the piezoelectric transformer 101 during the reflow mounting becomes equal to or lower than the maximum rated voltage of the FET 111. In this way, reflow mounting can be performed without damaging the FET.

以上説明したように第3実施形態に係る高電圧電源装置の駆動回路は以下のような構成を備える。即ち、圧電トランスと、周波数制御発振器と、周波数制御発振器からの出力信号でスイッチング駆動するスイッチング素子と、そのスイッチング動作により共振動作を行うように並列共振回路を形成するコンデンサとインダクタとを備える。更に、インダクタに接続される電源供給側端子とグランドとの間に接続されたコンデンサを有する。そして、インダクタに接続される電源供給側端子とグランドとの間に接続されるコンデンサの容量を、上述の式(6)により決定する。   As described above, the drive circuit of the high voltage power supply device according to the third embodiment has the following configuration. That is, a piezoelectric transformer, a frequency control oscillator, a switching element that is driven to switch by an output signal from the frequency control oscillator, and a capacitor and an inductor that form a parallel resonance circuit so as to perform a resonance operation by the switching operation. Furthermore, it has a capacitor connected between the power supply side terminal connected to the inductor and the ground. And the capacity | capacitance of the capacitor | condenser connected between the power supply side terminal connected to an inductor, and a ground is determined by the above-mentioned Formula (6).

これにより本実施形態に係る高電圧電源装置に最適な容量素子(コンデンサ)及びスイッチング素子を選定することが可能となる。またスイッチング素子の破壊を確実に防止しつつ、リフロー実装が可能となる。   As a result, it is possible to select the most suitable capacitive element (capacitor) and switching element for the high-voltage power supply device according to this embodiment. Further, reflow mounting is possible while reliably preventing the switching element from being destroyed.

第3実施形態によれば、圧電トランスの焦電効果による電圧上昇を低減するための容量素子を設けることにより、基板がリフロー実装される際にも、圧電トランスの駆動回路部品に印加される電圧を低減させることが可能となる。これにより、使用部品の破壊を確実に防止することが可能となり、装置の信頼性に繋がる。また人手による実装を行わないことによるコストの削減や、リフロー実装後の部品信頼性が向上できる効果がある。   According to the third embodiment, by providing a capacitive element for reducing a voltage increase due to the pyroelectric effect of the piezoelectric transformer, the voltage applied to the drive circuit component of the piezoelectric transformer even when the substrate is reflow-mounted. Can be reduced. As a result, it is possible to reliably prevent the use parts from being destroyed, leading to the reliability of the apparatus. In addition, there is an effect that cost can be reduced by not performing manual mounting, and that component reliability after reflow mounting can be improved.

本実施形態に係る高電圧電源装置を備えたタンデム方式のカラーレーザプリンタの具体的な構成例を示す図である。It is a figure which shows the specific structural example of the tandem type color laser printer provided with the high voltage power supply device which concerns on this embodiment. 第1実施形態に係る圧電トランスを有する高電圧電源装置の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the high voltage power supply device which has a piezoelectric transformer which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る圧電トランスを用いた高電圧電源装置の各部の動作波形を示す波形図である。It is a wave form diagram which shows the operation | movement waveform of each part of the high voltage power supply device using the piezoelectric transformer which concerns on 1st Embodiment. 従来の高電圧電源装置の基板上の圧電トランス、共振用コンデンサ、共振用インダクタ、スイッチングFETの具体的な配置例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of arrangement | positioning of the piezoelectric transformer, resonance capacitor, resonance inductor, and switching FET on the board | substrate of the conventional high voltage power supply device. 図4に示す基板を半田フロー槽により自動実装する場合の圧電トランスの温度上昇及び電圧上昇を説明する図である。It is a figure explaining the temperature rise and voltage rise of a piezoelectric transformer when the board | substrate shown in FIG. 4 is mounted automatically by a solder flow tank. 第1実施形態に係る高電圧電源装置の基板における、圧電トランス、共振用コンデンサ、共振用インダクタ、スイッチングFETの具体的な配置例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of arrangement | positioning of the piezoelectric transformer, the capacitor | condenser for resonance, the inductor for resonance, and switching FET in the board | substrate of the high voltage power supply device which concerns on 1st Embodiment. 図6の基板が矢印の方向に搬送され、予備加熱から半田フロー槽を使用した自動実装工程を実施する際の圧電トランスの温度上昇と電圧上昇を説明する図である。It is a figure explaining the temperature rise and voltage rise of a piezoelectric transformer when the board | substrate of FIG. 6 is conveyed in the direction of the arrow and the automatic mounting process using a solder flow tank is implemented from preheating. 第1実施形態に係る高電圧電源装置の基板における、圧電トランス、共振用コンデンサ、共振用インダクタ、スイッチングFETの具体的な他の配置例を示す図である。It is a figure which shows the other example of specific arrangement | positioning of the piezoelectric transformer, the capacitor | condenser for resonance, the inductor for resonance, and switching FET in the board | substrate of the high voltage power supply device which concerns on 1st Embodiment. 本発明の第2実施形態に係る高電圧電源装置の構成を説明するブロック図である。It is a block diagram explaining the structure of the high voltage power supply device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 第2実施形態に係る高電圧電源装置の基板における、圧電トランス、共振用コンデンサ、共振用インダクタ、スイッチングFETの具体的な配置例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of arrangement | positioning of the piezoelectric transformer, the capacitor | condenser for resonance, the inductor for resonance, and switching FET in the board | substrate of the high voltage power supply device which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る高電圧電源装置の基板において、全てが面実装タイプの素子で構成された基板を説明する図である。It is a figure explaining the board | substrate comprised in the board | substrate of the high-voltage power supply device which concerns on 3rd Embodiment by all the elements of a surface mount type. 圧電トランスを用いた従来の高電圧電源回路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the conventional high voltage power supply circuit using a piezoelectric transformer. 図12の圧電トランスの駆動周波数に対する出力電圧の特性を表した図である。It is a figure showing the characteristic of the output voltage with respect to the drive frequency of the piezoelectric transformer of FIG.

Claims (9)

圧電トランスと、前記圧電トランスを駆動する周波数信号を発生する周波数制御発振器と、前記圧電トランスの一次側に接続され、前記周波数信号に応じてスイッチング動作を行うスイッチング素子と、前記スイッチング素子によるスイッチング動作により共振動作を行う並列共振回路を構成するコンデンサ及びインダクタとを有する回路基板を有する高電圧電源装置であって、
前記回路基板は、前記インダクタの電源側とグランドとの間に接続された容量素子を有し、
前記回路基板を半田フロー方式によって半田付けする際に、前記容量素子及び前記インダクタが実装されてから、前記圧電トランスが実装されるように、前記容量素子と前記インダクタと前記圧電トランスを配置することを特徴とする高電圧電源装置。
Piezoelectric transformer, frequency-controlled oscillator that generates a frequency signal for driving the piezoelectric transformer, a switching element that is connected to a primary side of the piezoelectric transformer and performs a switching operation according to the frequency signal, and a switching operation by the switching element A high-voltage power supply device having a circuit board having a capacitor and an inductor constituting a parallel resonant circuit that performs a resonant operation by:
The circuit board has a capacitive element connected between the power supply side of the inductor and the ground,
When the circuit board is soldered by the solder flow method, the capacitive element, the inductor, and the piezoelectric transformer are arranged so that the piezoelectric transformer is mounted after the capacitive element and the inductor are mounted. A high-voltage power supply device.
前記容量素子の容量C2は、前記半田フロー方式で半田付けされる際に前記圧電トランスに生じる焦電電荷量をQ、前記圧電トランスの一次側の寄生容量をC0、前記コンデンサの容量をC1、前記圧電トランスの一次側に接続される前記スイッチング素子の耐電圧をVとすると、C2>Q/V−C0−C1の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の高電圧電源装置。   The capacitance C2 of the capacitive element is defined as Q, the amount of pyroelectric charge generated in the piezoelectric transformer when soldered by the solder flow method, C0, the parasitic capacitance of the primary side of the piezoelectric transformer, C1, 2. The high-voltage power supply apparatus according to claim 1, wherein the voltage of the switching element connected to the primary side of the piezoelectric transformer satisfies a condition of C2> Q / V-C0-C1 where V is a withstand voltage. . 圧電トランスと、前記圧電トランスを駆動する周波数信号を発生する周波数制御発振器と、前記圧電トランスの一次側に接続され、前記周波数信号に応じてスイッチング動作を行うスイッチング素子と、前記スイッチング素子によるスイッチング動作により共振動作を行うためのインダクタとを有する高電圧電源装置であって、
前記回路基板は、前記インダクタの電源側とグランドとの間に接続された容量素子を有し、
前記回路基板を半田フロー方式によって半田付けする際に、前記容量素子及び前記インダクタが実装されてから、前記圧電トランスが実装されるように、前記容量素子と前記インダクタと前記圧電トランスを配置することを特徴とする高電圧電源装置。
Piezoelectric transformer, frequency-controlled oscillator that generates a frequency signal for driving the piezoelectric transformer, a switching element that is connected to a primary side of the piezoelectric transformer and performs a switching operation according to the frequency signal, and a switching operation by the switching element A high-voltage power supply device having an inductor for performing resonance operation by
The circuit board has a capacitive element connected between the power supply side of the inductor and the ground,
When the circuit board is soldered by the solder flow method, the capacitive element, the inductor, and the piezoelectric transformer are arranged so that the piezoelectric transformer is mounted after the capacitive element and the inductor are mounted. A high-voltage power supply device.
前記容量素子の容量C2は、前記半田フロー方式で半田付けされる際に前記圧電トランスに生じる焦電電荷量をQ、前記圧電トランスの一次側の寄生容量をC0、前記圧電トランスの一次側に接続されるスイッチング素子の耐電圧をVとすると、C2>Q/V−C0の条件を満足することを特徴とする請求項3に記載の高電圧電源装置。   The capacitance C2 of the capacitive element is defined as Q, the amount of pyroelectric charge generated in the piezoelectric transformer when soldered by the solder flow method, C0, the parasitic capacitance on the primary side of the piezoelectric transformer, and the primary side of the piezoelectric transformer. 4. The high-voltage power supply device according to claim 3, wherein a condition of C2> Q / V-C0 is satisfied, where V is a withstand voltage of the connected switching element. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の高電圧電源装置を備えた画像形成装置。   An image forming apparatus comprising the high voltage power supply device according to claim 1. 高電圧を出力する素子を実装する回路基板であって、
圧電トランスと、
前記圧電トランスを駆動する周波数信号を発生する周波数制御発振器と、
前記圧電トランスの一次側に接続され、前記周波数信号に応じてスイッチング動作を行うスイッチング素子と、
前記スイッチング素子によるスイッチング動作により共振動作を行う共振回路であって、前記共振回路はコンデンサ及びインダクタとを有し、
前記インダクタの電源側とグランドとの間に接続された容量素子を有し、
前記回路基板を半田フロー方式によって半田付けする際に、前記容量素子及び前記インダクタが実装されてから、前記圧電トランスが実装されるように、前記容量素子と前記インダクタと前記圧電トランスを配置することを特徴とする回路基板。
A circuit board on which an element that outputs high voltage is mounted,
A piezoelectric transformer,
A frequency controlled oscillator for generating a frequency signal for driving the piezoelectric transformer;
A switching element connected to a primary side of the piezoelectric transformer and performing a switching operation according to the frequency signal;
A resonance circuit that performs a resonance operation by a switching operation by the switching element, the resonance circuit including a capacitor and an inductor;
A capacitive element connected between the power supply side of the inductor and the ground;
When the circuit board is soldered by the solder flow method, the capacitive element, the inductor, and the piezoelectric transformer are arranged so that the piezoelectric transformer is mounted after the capacitive element and the inductor are mounted. A circuit board characterized by.
前記容量素子の容量C2は、前記半田フロー方式で半田付けされる際に前記圧電トランスに生じる焦電電荷量をQ、前記圧電トランスの一次側の寄生容量をC0、前記コンデンサの容量をC1、前記圧電トランスの一次側に接続される前記スイッチング素子の耐電圧をVとすると、C2>Q/V−C0−C1の条件を満足することを特徴とする請求項6に記載の回路基板。   The capacitance C2 of the capacitive element is defined as Q, the amount of pyroelectric charge generated in the piezoelectric transformer when soldered by the solder flow method, C0, the parasitic capacitance of the primary side of the piezoelectric transformer, C1, 7. The circuit board according to claim 6, wherein a voltage of the switching element connected to the primary side of the piezoelectric transformer satisfies a condition of C2> Q / V-C0-C1 where V is a withstand voltage. 高電圧を出力する素子を実装する回路基板であって、
圧電トランスと、
前記圧電トランスを駆動する周波数信号を発生する周波数制御発振器と、
前記圧電トランスの一次側に接続され、前記周波数信号に応じてスイッチング動作を行うスイッチング素子と、
前記スイッチング素子によるスイッチング動作により共振動作を行うためのインダクタと、
前記インダクタの電源側とグランドとの間に接続された容量素子とを有し、
前記回路基板を半田フロー方式によって半田付けする際に、前記容量素子及び前記インダクタが実装されてから、前記圧電トランスが実装されるように、前記容量素子と前記インダクタと前記圧電トランスを配置することを特徴とする回路基板。
A circuit board on which an element that outputs high voltage is mounted,
A piezoelectric transformer,
A frequency controlled oscillator for generating a frequency signal for driving the piezoelectric transformer;
A switching element connected to a primary side of the piezoelectric transformer and performing a switching operation according to the frequency signal;
An inductor for performing a resonance operation by a switching operation by the switching element;
A capacitive element connected between the power supply side of the inductor and the ground;
When the circuit board is soldered by the solder flow method, the capacitive element, the inductor, and the piezoelectric transformer are arranged so that the piezoelectric transformer is mounted after the capacitive element and the inductor are mounted. A circuit board characterized by.
前記容量素子の容量C2は、前記半田フロー方式で半田付けされる際に前記圧電トランスに生じる焦電電荷量をQ、前記圧電トランスの一次側の寄生容量をC0、前記圧電トランスの一次側に接続されるスイッチング素子の耐電圧をVとすると、C2>Q/V−C0の条件を満足することを特徴とする請求項8に記載の回路基板。   The capacitance C2 of the capacitive element is defined as Q, the amount of pyroelectric charge generated in the piezoelectric transformer when soldered by the solder flow method, C0, the parasitic capacitance on the primary side of the piezoelectric transformer, and the primary side of the piezoelectric transformer. 9. The circuit board according to claim 8, wherein when the withstand voltage of the connected switching element is V, the condition of C2> Q / V-C0 is satisfied.
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