JP2009161829A - Method for producing deposited film - Google Patents

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JP2009161829A JP2008002048A JP2008002048A JP2009161829A JP 2009161829 A JP2009161829 A JP 2009161829A JP 2008002048 A JP2008002048 A JP 2008002048A JP 2008002048 A JP2008002048 A JP 2008002048A JP 2009161829 A JP2009161829 A JP 2009161829A
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Akira Nakabayashi
亮 中林
Shigeru Kobayashi
茂 小林
Toru Nakazawa
徹 中澤
Hisato Koshiba
寿人 小柴
Takao Mizushima
隆夫 水嶋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a deposited film by which heat radiation effect particularly upon physical vapor deposition is enhanced and a vapor deposition film can be suitably deposited on a resin sheet. <P>SOLUTION: While a heat radiation sheet 20 is tightly stuck to a space between a base 8 and a resin sheet 9 within a vacuum chamber 12 of an RF magnetron sputtering apparatus 1, a vapor deposited film 11 is deposited on the resin sheet 9. Thereby, heat radiation effect to the resin sheet 9 can be enhanced, a fault in which the resin sheet 9 is dissolved can be suppressed compared with the conventional case, and the vapor deposited film 11 having desired characteristics can be deposited on the resin sheet 9. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、物理蒸着法により樹脂シート上に蒸着膜を成膜する際の前記蒸着膜の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing the vapor deposition film when a vapor deposition film is formed on a resin sheet by physical vapor deposition.

下記特許文献１には、透明プラスチックフィルム基材上に、スパッタ法により、金属薄膜を成膜することが記載されている。また特許文献１の［００７４］欄には−１０℃の冷却ロールで冷却しながら、スパッタリングを行うことが記載されている。   Patent Document 1 listed below describes forming a metal thin film on a transparent plastic film substrate by sputtering. Further, in the [0074] column of Patent Document 1, it is described that sputtering is performed while cooling with a -10 ° C. cooling roll.

特許文献２，特許文献３及び特許文献４には、樹脂シートに物理蒸着膜を成膜することが記載されている。
特開２００１−２２９７３６号公報 特開２００５−５９３８２号公報 特開平１０−３９１２４号公報 ＷＯ２００５／０８１６０９ Patent Document 2, Patent Document 3 and Patent Document 4 describe forming a physical vapor deposition film on a resin sheet.
JP 2001-229736 A JP 2005-59382 A JP-A-10-39124 WO2005 / 081609

ところで物理蒸着法により蒸着膜を樹脂シート上に成膜する際、樹脂シートが高熱に曝され、樹脂シートが溶解するといった問題があった。そして上記した特許文献１のように樹脂シートを設置する基台に冷却機構を設けて冷却しながら蒸着膜を成膜しても、樹脂シート表面の温度を適切に下げることができず、樹脂シートが溶解する問題を解決できなかった。その結果、樹脂シート上に均一に蒸着膜を成膜できず、また樹脂シートの溶解成分が蒸着膜に混入すること等で、所望の特性を備える蒸着膜を成膜できなかった。また樹脂シートの溶解成分の気化による真空ポンプ（クライオポンプ）の能力低下の問題もあった。   By the way, when forming a vapor deposition film on a resin sheet by a physical vapor deposition method, there existed a problem that a resin sheet was exposed to high heat and a resin sheet melt | dissolved. And even if it forms a vapor deposition film | membrane while providing a cooling mechanism in the base which installs a resin sheet like said patent document 1 and cooling, the temperature of the resin sheet surface cannot be lowered | hung appropriately, but a resin sheet Could not solve the problem of dissolution. As a result, a vapor deposition film could not be uniformly formed on the resin sheet, and a vapor deposition film having desired characteristics could not be formed due to the dissolved components of the resin sheet being mixed into the vapor deposition film. In addition, there has been a problem that the capacity of the vacuum pump (cryopump) is reduced due to vaporization of the dissolved components of the resin sheet.

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、物理蒸着の際の放熱効果を高めて樹脂シート上に適切に蒸着膜を成膜することが可能な蒸着膜の製造方法を提供することを目的としている。   Therefore, the present invention is for solving the above-described conventional problems, and in particular, a method for producing a vapor deposition film capable of appropriately forming a vapor deposition film on a resin sheet by enhancing a heat dissipation effect during physical vapor deposition. The purpose is to provide.

本発明における蒸着法の製造方法は、真空チャンバ内にて、基台と樹脂シートの間に放熱シートを密着させた状態で、前記樹脂シート上に物理蒸着法により蒸着膜を成膜することを特徴とするものである。これにより、樹脂シートに対する放熱効果を高めることができ、従来に比べて、樹脂シートが溶解する不具合を抑制でき、樹脂シート上に均一に且つ所望の特性を備える蒸着膜を成膜できる。   The manufacturing method of the vapor deposition method in the present invention is to form a vapor deposition film on the resin sheet by a physical vapor deposition method in a vacuum chamber in a state where a heat radiation sheet is in close contact between the base and the resin sheet. It is a feature. Thereby, the heat dissipation effect with respect to the resin sheet can be enhanced, the problem that the resin sheet dissolves can be suppressed as compared with the conventional case, and a vapor deposition film having uniform and desired characteristics can be formed on the resin sheet.

本発明では、前記放熱シートにシリコーン系ゴムを用いることが好ましい。
また本発明では、前記基台に冷却機構が設けられており、冷却しながら前記蒸着膜を成膜することが好ましい。より効果的に樹脂シートが溶解する不具合を抑制できる。 In the present invention, it is preferable to use silicone rubber for the heat dissipation sheet.
In the present invention, it is preferable that the base is provided with a cooling mechanism, and the deposited film is formed while cooling. The malfunction which a resin sheet melt | dissolves more effectively can be suppressed.

また本発明では、具体的に物理蒸着法を限定するものではないが、例えば、ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＲＦコンベンショナルスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＤＣコンベンショナルスパッタ法、ＲＦ−ＦＴＳ（対向ターゲット）スパッタ法、ＲＦ−ＦＴＳ（対向ターゲット）スパッタ法、ＤＣパルススパッタ法のいずれかにて前記蒸着膜を成膜する場合に、本発明を効果的に適用できる。   In the present invention, the physical vapor deposition method is not specifically limited. For example, the RF magnetron sputtering method, the RF conventional sputtering method, the DC magnetron sputtering method, the DC conventional sputtering method, and the RF-FTS (opposite target) sputtering method are used. The present invention can be effectively applied to the case where the deposited film is formed by any one of RF-FTS (opposite target) sputtering method and DC pulse sputtering method.

本発明の蒸着膜の製造方法によれば、樹脂シートに対する放熱効果を高めることができ、従来に比べて、樹脂シートが溶解する不具合を抑制でき、樹脂シート上に均一に且つ所望の特性を備える蒸着膜を成膜できる。   According to the manufacturing method of the vapor deposition film of the present invention, it is possible to enhance the heat dissipation effect on the resin sheet, and it is possible to suppress the problem that the resin sheet dissolves compared to the conventional case, and the resin sheet has uniform and desired characteristics. A vapor deposition film can be formed.

図１は、本実施形態におけるＲＦマグネトロンスパッタ装置の概念図である。
図１に示すように、ＲＦマグネトロンスパッタ装置１の真空チャンバ１２内には、ターゲット２を取り付けるための電極部４と、ターゲット２と対向する位置に、基台８とが設けられている。 FIG. 1 is a conceptual diagram of an RF magnetron sputtering apparatus in the present embodiment.
As shown in FIG. 1, in the vacuum chamber 12 of the RF magnetron sputtering apparatus 1, an electrode unit 4 for attaching the target 2 and a base 8 are provided at a position facing the target 2.

図１に示すように、真空チャンバ１２には、ガス導入口６と、ガス排気口７とが設けられており、ガス導入口６からＡｒ（アルゴン）ガス等の不活性ガスやＯ2ガス、Ｎ2ガス等が導入される。 As shown in FIG. 1, the vacuum chamber 12 is provided with a gas inlet 6 and a gas outlet 7. From the gas inlet 6, an inert gas such as Ar (argon) gas or O 2 gas, N 2 gas or the like is introduced.

図１に示すように電極部４内には、磁石５が設けられている。電極部４に、高周波電源（ＲＦ電源）１５から高周波が印加されることによって、電場と磁場の相互作用により、マグネトロン放電が発生し、ターゲット２がスパッタされ、ターゲット２と対向する位置に配置された基台８上に設置された樹脂シート９上に、蒸着膜１１が成膜される。   As shown in FIG. 1, a magnet 5 is provided in the electrode portion 4. When a high frequency is applied to the electrode unit 4 from a high frequency power source (RF power source) 15, a magnetron discharge is generated by the interaction between an electric field and a magnetic field, the target 2 is sputtered, and is disposed at a position facing the target 2. A vapor deposition film 11 is formed on the resin sheet 9 installed on the base 8.

本実施形態では蒸着膜１１の具体的組成等を限定しないが、例えば蒸着膜１１は、電磁波吸収膜やＲＦＩＤ用磁性膜である。一例を挙げると、電磁波吸収膜あるいはＲＦＩＤ用磁性膜である蒸着膜１１は、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａのうち少なくともいずれか一種を表す）から成る。ここで、蒸着膜１１は、Ａ−Ｍ−Ｏ膜の元素ＡがＦｅであり、ＦｅaＭbＯcの組成式からなり、元素Ｏの組成比ｃが、２７〜４７ａｔ％の範囲内、元素Ｍの組成比ｂが１１〜１７ａｔ％の範囲内、残部が元素Ｆｅの組成比ａであり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ａｔ％の関係を満たす高抵抗軟磁性膜である。元素Ｏの組成比ｃの最大値を３６ａｔ％とすることが、電磁波吸収膜やＲＦＩＤ用磁性膜として使用するとき、より好適である。また、元素ＭはＨｆであることが電磁波吸収膜やＲＦＩＤ用磁性膜として使用するとき、好適である。 Although the specific composition of the vapor deposition film 11 is not limited in this embodiment, for example, the vapor deposition film 11 is an electromagnetic wave absorption film or a magnetic film for RFID. For example, the deposited film 11 which is an electromagnetic wave absorbing film or a magnetic film for RFID is AMO (where the element A represents Fe or Co or a mixture thereof, and the element M represents Hf, Ti, Zr, V). , Nb, Ta, Mo, W, Al, Mg, Zn, and Ca). Here, the vapor deposition film 11 has the element A of the A-M-O film as Fe, and is composed of a composition formula of Fe a M b O c , and the composition ratio c of the element O is within a range of 27 to 47 at%. The element M has a composition ratio b in the range of 11 to 17 at%, the balance being the element Fe composition ratio a, and a high resistance soft magnetic film satisfying the relationship of a + b + c = 100 at%. It is more preferable that the maximum value of the composition ratio c of the element O is 36 at% when used as an electromagnetic wave absorbing film or a magnetic film for RFID. The element M is preferably Hf when used as an electromagnetic wave absorbing film or a magnetic film for RFID.

蒸着膜１１は、樹脂シート９の表面全体に成膜されても部分的に成膜されるように制御されてもよい。   The vapor deposition film 11 may be controlled so as to be formed on the entire surface of the resin sheet 9 or partially.

蒸着膜１１の膜厚は、特に限定されないが、上記した電磁波吸収膜やＲＦＩＤ用磁性膜では、１〜３０μｍ程度の薄い膜厚で形成される。   The film thickness of the vapor deposition film 11 is not particularly limited, but the above-described electromagnetic wave absorption film or RFID magnetic film is formed with a thin film thickness of about 1 to 30 μm.

基台８は金属製であり、図１に示すように基台８には冷却機構１０が設けられている。冷却機構１０は例えば基台８内に冷水を流すことで基台８を冷却する機構である。   The base 8 is made of metal, and a cooling mechanism 10 is provided on the base 8 as shown in FIG. The cooling mechanism 10 is a mechanism that cools the base 8 by flowing cold water through the base 8, for example.

本実施形態では、基台８の表面に放熱シート２０が密着して設けられている。そして放熱シート２０上に蒸着膜１１を蒸着するための樹脂シート９が密着して設置されている。   In the present embodiment, the heat dissipation sheet 20 is provided in close contact with the surface of the base 8. And the resin sheet 9 for vapor-depositing the vapor deposition film 11 on the heat radiating sheet 20 is closely attached.

放熱シート２０は、シリコーン系ゴムで形成されることが好適である。例えば、放熱シート２０はシリコーンゴムの他に添加剤（例えばカーボン）が混入された構成である。放熱シート２０は、熱抵抗が０．２〜２℃／Ｗの範囲内で、硬さが５〜９０（デュロメータＡ）の範囲内で、厚さが、０．１〜５ｍｍである。硬さは、特に、放熱シート２０と樹脂シート９との間の密着性に重要なパラメータである。放熱シート２０が硬いと樹脂シート９との密着性は低下するので放熱シート２０の硬さは上記程度とする。また放熱シート２０の厚さを上記程度にすることで、熱エネルギーの放射効果及び冷却効率を大きくできる。放熱シート２０には、例えば、信越化学工業（株）製の放熱シリコーンゴム加工品TC Seriesや、星和電機（株）製の導電性シリコンゴム（型式Ｅ１２Ｓ１０）を使用できる。   The heat dissipation sheet 20 is preferably formed of silicone rubber. For example, the heat dissipation sheet 20 has a configuration in which an additive (for example, carbon) is mixed in addition to silicone rubber. The heat dissipation sheet 20 has a thermal resistance of 0.2 to 2 ° C./W, a hardness of 5 to 90 (durometer A), and a thickness of 0.1 to 5 mm. The hardness is an especially important parameter for the adhesion between the heat dissipation sheet 20 and the resin sheet 9. Since the adhesiveness with the resin sheet 9 will fall if the heat-radiation sheet 20 is hard, the hardness of the heat-radiation sheet 20 shall be the above grade. Moreover, the radiation effect and cooling efficiency of a heat energy can be enlarged by making the thickness of the thermal radiation sheet 20 into the above-mentioned level. For example, TC Series manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. or conductive silicone rubber (model E12S10) manufactured by Seiwa Electric Co., Ltd. can be used for the heat dissipation sheet 20.

放熱シート２０は可撓性のシート状である。また放熱シート２０には粘着性があることが望ましいが、粘着性が無くても放熱シート２０を基台８の表面に真空密着させることが可能である。また密着力が強すぎても、放熱シート２０上から樹脂シート９を剥がしにくくなるので、密着力が強すぎるのは好ましくない。   The heat radiation sheet 20 is a flexible sheet. Although it is desirable that the heat radiation sheet 20 has adhesiveness, the heat radiation sheet 20 can be vacuum-adhered to the surface of the base 8 even without the adhesiveness. Moreover, since it becomes difficult to peel off the resin sheet 9 from the heat radiation sheet 20 even if the adhesion is too strong, it is not preferable that the adhesion is too strong.

また放熱シート２０に粘着性があることで、放熱シート２０と樹脂シート９間の密着性を向上させることが可能である。   Moreover, it is possible to improve the adhesiveness between the thermal radiation sheet 20 and the resin sheet 9 because the thermal radiation sheet 20 has adhesiveness.

樹脂シート９は可撓性のシート状である。また樹脂シート９の材質は特に限定しない。樹脂シート９には熱可塑性樹脂を使用でき、その中でも耐熱性に優れたポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）の使用が好適であるものの、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の使用も可能である。   The resin sheet 9 has a flexible sheet shape. The material of the resin sheet 9 is not particularly limited. A thermoplastic resin can be used for the resin sheet 9, and among them, use of polyphenylene sulfide (PPS) having excellent heat resistance is preferable, but use of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), etc. is also possible. Is possible.

ＲＦマグネトロンスパッタ装置１内は、樹脂シート９上に蒸着膜１１を成膜する際、数百℃の高温となる。   The RF magnetron sputtering apparatus 1 has a high temperature of several hundred degrees Celsius when the vapor deposition film 11 is formed on the resin sheet 9.

本実施形態では、基台８と樹脂シート９との間に放熱シート２０を密着させることで、樹脂シート９が高熱に曝されても、従来よりも樹脂シート９に対する放熱効果を高めることができるため、樹脂シート９が溶解する従来の問題を効果的に解決できる。   In this embodiment, even if the resin sheet 9 is exposed to high heat, the heat radiation effect with respect to the resin sheet 9 can be improved more than before by sticking the heat radiating sheet 20 between the base 8 and the resin sheet 9. Therefore, the conventional problem that the resin sheet 9 is dissolved can be effectively solved.

放熱シート２０は、熱伝導性が高く、また基台８及び樹脂シート９との密着性にも優れており、ターゲット２からの熱エネルギーを放熱シート２０にて効率良く吸収・熱放射できる。特に図１のように基台８に冷却機構１０を設けることで、冷熱効果を飛躍的に向上させることが出来る。この結果、従来のように樹脂シート９が溶解する不具合を解消することが可能になり、樹脂シート９上に均一に蒸着膜１１を成膜することが出来る。従来のように放熱シート２０を設けない場合、樹脂シート９の表面は数百℃の高温に達するが、本実施形態では、樹脂シート９の表面を１００℃以下に抑えることができる。よって、従来では樹脂シート９が溶解して、その溶解成分が蒸着膜１１内に混入したり、溶解成分が気化することで、真空ポンプ（クライオポンプ）の能力低下の問題があったが、本実施形態では、このような問題も生じない。以上により本実施形態では、所望の特性を備える蒸着膜１１を適切且つ容易に形成することができる。また本実施形態では、適切に樹脂シート９表面の高温化を抑制できるため、従来よりもスパッタレートを上げて製造効率を上げることも可能になる。   The heat radiating sheet 20 has high thermal conductivity and excellent adhesion to the base 8 and the resin sheet 9, and the heat energy from the target 2 can be efficiently absorbed and radiated by the heat radiating sheet 20. In particular, by providing the cooling mechanism 10 on the base 8 as shown in FIG. 1, the cooling effect can be drastically improved. As a result, it is possible to eliminate the problem that the resin sheet 9 is dissolved as in the conventional case, and the vapor deposition film 11 can be uniformly formed on the resin sheet 9. When the heat dissipation sheet 20 is not provided as in the conventional case, the surface of the resin sheet 9 reaches a high temperature of several hundred degrees Celsius, but in the present embodiment, the surface of the resin sheet 9 can be suppressed to 100 degrees Celsius or less. Therefore, conventionally, the resin sheet 9 is dissolved and the dissolved component is mixed into the vapor deposition film 11 or the dissolved component is vaporized, which causes a problem of a reduction in the capacity of the vacuum pump (cryopump). In the embodiment, such a problem does not occur. As described above, in the present embodiment, the vapor deposition film 11 having desired characteristics can be appropriately and easily formed. Moreover, in this embodiment, since the high temperature of the resin sheet 9 surface can be suppressed appropriately, it is also possible to increase the production rate by increasing the sputtering rate as compared with the prior art.

図１では、放熱シート２０上に単に樹脂シート９を設置した状態で示してあるが、図２のように、若干凸状に湾曲させた基台８の表面８ａ上に放熱シート２０を密着設置し、さらに放熱シート２０上に樹脂シート９を設置するときに、樹脂シート９にテンションをかけて樹脂シート９の両側を固定部材２５により固定することが樹脂シート９と放熱シート２０間、及び放熱シート２０と基台８間の密着性を向上させることができ好適である。なお図２では、放熱シート２０を固定部材２５により固定していないが、樹脂シート９と共に放熱シート２０も固定部材２５により固定する形態でもよい。   In FIG. 1, the resin sheet 9 is simply installed on the heat radiating sheet 20, but as shown in FIG. 2, the heat radiating sheet 20 is installed in close contact with the surface 8 a of the base 8 that is slightly convexly curved. Further, when the resin sheet 9 is installed on the heat radiating sheet 20, tension is applied to the resin sheet 9 and both sides of the resin sheet 9 are fixed by the fixing members 25, and between the resin sheet 9 and the heat radiating sheet 20 and heat dissipation. The adhesion between the sheet 20 and the base 8 can be improved, which is preferable. In FIG. 2, the heat dissipation sheet 20 is not fixed by the fixing member 25, but the heat dissipation sheet 20 may be fixed by the fixing member 25 together with the resin sheet 9.

また本実施形態では、放熱シート２０を設けたことで、樹脂シート９に対する放熱効果を高めることが出来るため、蒸着膜１１に対する加熱工程を別に設けることも出来る。   Moreover, in this embodiment, since the thermal radiation effect with respect to the resin sheet 9 can be improved by providing the thermal radiation sheet | seat 20, the heating process with respect to the vapor deposition film 11 can also be provided separately.

また図１と異なって、図３では、真空チャンバ１２内に冷却ローラ３０、巻き取りローラ３１及び巻き出しローラ３２が設けられている。冷却ローラ３０の表面３０ａには、放熱シート２０が密着して貼り付けられている。そして巻き出しローラ３２から出された樹脂シート９が冷却ローラ３０に巻き付けられた放熱シート２０の表面に密着しながら冷却ローラ３０の中心を回転軸として回転して、巻き取りローラ３１に巻き取られるようになっている。なお、樹脂シート９が放熱シート２０から離れて適切に巻き取りローラ３１に巻き取られるために、図３の実施形態では、放熱シート２０に粘着性が無いほうが好適である。   Unlike FIG. 1, in FIG. 3, a cooling roller 30, a take-up roller 31, and an unwind roller 32 are provided in the vacuum chamber 12. On the surface 30a of the cooling roller 30, the heat radiating sheet 20 is adhered and adhered. The resin sheet 9 taken out from the take-out roller 32 rotates around the center of the cooling roller 30 while being in close contact with the surface of the heat radiating sheet 20 wound around the cooling roller 30, and is taken up by the take-up roller 31. It is like that. In addition, in order for the resin sheet 9 to leave | separate from the thermal radiation sheet 20 and to be appropriately wound up by the winding roller 31, in the embodiment of FIG. 3, it is suitable that the thermal radiation sheet 20 does not have adhesiveness.

上記では、ＲＦマグネトロンスパッタを例に挙げたが、これは一例であって、ＲＦマグネトロンスパッタに限定するものではない。例えば、ＲＦマグネトロンスパッタ以外のスパッタ法であるＲＦコンベンショナルスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＤＣコンベンショナルスパッタ法、ＲＦ−ＦＴＳ（対向ターゲット）スパッタ法、ＲＦ−ＦＴＳ（対向ターゲット）スパッタ法、ＤＣパルススパッタ法などや、金属蒸着法、イオンビームデポジションを提示できる。直流電流（ＤＣ）を使用した各スパッタ法やＦＴＳ（対向ターゲット）を用いたスパッタ法では、より低温での成膜が可能であるため、より高パワーを投入でき、高速成膜が可能になることが期待できる。次の実施例ではＲＦマグネトロンスパッタ法に本実施形態を適用し、樹脂シートの溶解を適切に防止できることを説明する。   In the above description, RF magnetron sputtering has been described as an example. However, this is an example, and the present invention is not limited to RF magnetron sputtering. For example, RF conventional sputtering, DC magnetron sputtering, DC conventional sputtering, RF-FTS (opposite target) sputtering, RF-FTS (opposite target) sputtering, DC pulse sputtering, which are sputtering methods other than RF magnetron sputtering Etc., metal deposition method, ion beam deposition can be presented. In each sputtering method using direct current (DC) and sputtering method using FTS (opposite target), film formation can be performed at a lower temperature, so that higher power can be applied and high-speed film formation is possible. I can expect that. In the following examples, it will be described that the present embodiment is applied to the RF magnetron sputtering method and the resin sheet can be appropriately prevented from being dissolved.

図１に示す平行平板型のＲＦマグネトロンスパッタ装置１を用いて、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ膜（蒸着膜１１）を樹脂シート９に成膜した。ターゲット２にＦｅ−Ｈｆを用いた。条件としては、ＲＦ＝６００Ｗ、圧力＝３ｍＴｏｒｒ、Ｔ／Ｓ＝０％、混合ガスをＡｒ及びＡｒ＋５％Ｏ2とした。 An Fe—Hf—O film (evaporated film 11) was formed on the resin sheet 9 using the parallel plate type RF magnetron sputtering apparatus 1 shown in FIG. 1. Fe—Hf was used for the target 2. As conditions, RF = 600 W, pressure = 3 mTorr, T / S = 0%, and mixed gas was Ar and Ar + 5% O 2 .

樹脂シート９にはＰＰＳ（ポリフェニレンスルファイド）を用いた。樹脂シート９の厚さは１００μｍであった。また樹脂シートの熱変形温度（ＨＤＴ）は２６０℃、融点は２８５℃であった。   PPS (polyphenylene sulfide) was used for the resin sheet 9. The thickness of the resin sheet 9 was 100 μm. The resin sheet had a heat distortion temperature (HDT) of 260 ° C. and a melting point of 285 ° C.

放熱シート２０には、信越化学工業（株）製の放熱シリコーンゴム加工品（ＴＣ５０ＴＸＥ）を用いた。放熱シート２０の膜厚は０．５ｍｍであった。   For the heat dissipation sheet 20, a heat dissipation silicone rubber processed product (TC50TXE) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was used. The film thickness of the heat dissipation sheet 20 was 0.5 mm.

この放熱シート２０の上に図２に示すように、樹脂シート９を密着させ、基台８内に冷水を流して冷却機構１０を働かせた状態で、Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ膜を成膜した。Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ膜を概ね１μｍの厚さで成膜した。組成比は、Ｆｅ50.19at%Ｈｆ13.72at%Ｏ36.09at%であった。 As shown in FIG. 2, the Fe—Hf—O film was formed in a state where the resin sheet 9 was brought into close contact with the heat radiating sheet 20 and the cooling mechanism 10 was operated by flowing cold water into the base 8. An Fe—Hf—O film was formed with a thickness of approximately 1 μm. The composition ratio was Fe 50.19 at% Hf 13.72 at% O 36.09 at% .

図４が実施例の写真である。また従来例として放熱シート２０を設けず基台８上に直接、樹脂シート９を設け、基台８内に冷水を流して冷却機構１０を働かせた状態で、樹脂シート９上にＦｅ−Ｈｆ−Ｏ膜を成膜した。図５が従来例の写真である。   FIG. 4 is a photograph of the example. Further, as a conventional example, the resin sheet 9 is provided directly on the base 8 without providing the heat radiating sheet 20, and the cooling mechanism 10 is operated by flowing cold water into the base 8, and the Fe—Hf— An O film was formed. FIG. 5 is a photograph of a conventional example.

図４に示す実施例では、樹脂シート９の表面に溶解した箇所が見られず、樹脂シート９上にＦｅ−Ｈｆ−Ｏ膜を均一に成膜できた。Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ膜の成膜中の温度を測定すべくＰＰＳ上に貼り付けたサーモラベルは１００℃以下を示していた。   In the example shown in FIG. 4, no dissolved portion was found on the surface of the resin sheet 9, and an Fe—Hf—O film could be uniformly formed on the resin sheet 9. The thermolabel affixed on the PPS to measure the temperature during the formation of the Fe—Hf—O film showed 100 ° C. or lower.

一方、図５の従来例では、樹脂シート９の表面が所々溶解し、その上に成膜されたＦｅ−Ｈｆ−Ｏ膜を均一に成膜できないことがわかった。ＰＰＳ製の樹脂シート９が溶解していることから成膜中の温度は２８５℃（融点）以上に達していることがわかった。   On the other hand, in the conventional example of FIG. 5, it was found that the surface of the resin sheet 9 was dissolved in some places, and the Fe—Hf—O film formed thereon could not be formed uniformly. Since the PPS resin sheet 9 was dissolved, it was found that the temperature during film formation reached 285 ° C. (melting point) or higher.

本実施形態におけるＲＦマグネトロンスパッタ装置の概念図、The conceptual diagram of the RF magnetron sputtering apparatus in this embodiment, 本実施形態の好ましい基台上での樹脂シートの設置の仕方を説明するための拡大断面図、The expanded sectional view for demonstrating how to install the resin sheet on the preferable base of this embodiment, 図１と異なる本実施形態におけるＲＦマグネトロンスパッタ装置の概念図、The conceptual diagram of the RF magnetron sputtering apparatus in this embodiment different from FIG. 本実施例（放熱シートあり）における樹脂シート上に形成されたＦｅ−Ｈｆ−Ｏ膜の状態を示す写真、A photograph showing the state of the Fe—Hf—O film formed on the resin sheet in this example (with heat dissipation sheet), 従来例（放熱シートなし）における樹脂シート上に形成されたＦｅ−Ｈｆ−Ｏ膜の状態を示す写真、A photograph showing the state of the Fe—Hf—O film formed on the resin sheet in the conventional example (without heat dissipation sheet),

符号の説明Explanation of symbols

１ ＲＦマグネトロンスパッタ装置
４ 電極部
８ 基台
９ 樹脂シート
１０ 冷却機構
１１ 蒸着膜
１２ 真空チャンバ
１５ 高周波電源（ＲＦ電源）
２０ 放熱シート
３０ 冷却ローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 RF magnetron sputtering apparatus 4 Electrode part 8 Base 9 Resin sheet 10 Cooling mechanism 11 Deposition film 12 Vacuum chamber 15 High frequency power supply (RF power supply)
20 Heat dissipation sheet 30 Cooling roller

Claims (4)

真空チャンバ内にて、基台と樹脂シートの間に放熱シートを密着させた状態で、前記樹脂シート上に物理蒸着法により蒸着膜を成膜することを特徴とする蒸着膜の製造方法。   A method for producing a vapor deposition film, comprising depositing a vapor deposition film on the resin sheet by a physical vapor deposition method in a vacuum chamber in a state in which a heat radiation sheet is in close contact between a base and the resin sheet. 前記放熱シートにシリコーン系ゴムを用いる請求項１記載の蒸着膜の製造方法。   The manufacturing method of the vapor deposition film of Claim 1 which uses a silicone type rubber for the said heat radiating sheet. 前記基台に冷却機構が設けられており、冷却しながら前記蒸着膜を成膜する請求項１又は２に記載の蒸着膜の製造方法。   The manufacturing method of the vapor deposition film of Claim 1 or 2 with which the cooling mechanism is provided in the said base, and forms the said vapor deposition film, cooling. ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＲＦコンベンショナルスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＤＣコンベンショナルスパッタ法、ＲＦ−ＦＴＳ（対向ターゲット）スパッタ法、ＲＦ−ＦＴＳ（対向ターゲット）スパッタ法、ＤＣパルススパッタ法のいずれかにて前記蒸着膜を成膜する請求項１ないし３のいずれかに記載の蒸着膜の製造方法。   RF magnetron sputtering method, RF conventional sputtering method, DC magnetron sputtering method, DC conventional sputtering method, RF-FTS (opposite target) sputtering method, RF-FTS (opposite target) sputtering method, DC pulse sputtering method The manufacturing method of the vapor deposition film in any one of Claim 1 thru | or 3 which forms a vapor deposition film.
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