JP2009158695A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ビット線コンタクトの接続不良や高抵抗不良等の発生を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板1上に不揮発性のメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイを備え、各メモリセルにおけるビット線コンタクトCBを1つおきにビット線方向にずらして2列に配置するように構成し、ビット線コンタクトCBを、活性領域3に下端を接続する下部コンタクトプラグ7と、下部コンタクトプラグ7に縦積みされビット線BLに上端を接続する上部コンタクトプラグ5とから構成し、更に、上部コンタクトプラグ5を、ビット線BLに接続される第1のプラグ部5aと、この第1のプラグ部5aの上端の内径寸法より内径寸法が大きな大径部を有し、下部コンタクトプラグ7に接続された第2のプラグ部5bとから構成した。
【選択図】図4
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板1上に不揮発性のメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイを備え、各メモリセルにおけるビット線コンタクトCBを1つおきにビット線方向にずらして2列に配置するように構成し、ビット線コンタクトCBを、活性領域3に下端を接続する下部コンタクトプラグ7と、下部コンタクトプラグ7に縦積みされビット線BLに上端を接続する上部コンタクトプラグ5とから構成し、更に、上部コンタクトプラグ5を、ビット線BLに接続される第1のプラグ部5aと、この第1のプラグ部5aの上端の内径寸法より内径寸法が大きな大径部を有し、下部コンタクトプラグ7に接続された第2のプラグ部5bとから構成した。
【選択図】図4
Description
本発明は、例えばNAND型またはNOR型フラッシュメモリなどの半導体記憶装置を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
半導体装置の開発において、大容量化・低コストを達成するため素子の微細化が年々進められている。NAND型フラッシュメモリ装置においても、ビット線やワード線といった各配線ピッチの微細化が進行している。各配線ピッチの微細化を行う場合に、ライン配線と同程度に微細化したコンタクトホールを高アスペクトで開口することは困難なため、ビット線コンタクトの配置を1つおきにビット線方向にずらした所謂チドリ配置が提案されている。このチドリ配置の一例を、特許文献1に示す。
また、ビット線コンタクトとして、半導体基板の活性領域に下端が接続された下部コンタクトプラグと、層間絶縁膜を介して活性領域の上方に配置されたビット線に上端が接続された上部コンタクトプラグとを、縦積みして構成されたものが知られている(例えば特許文献2参照)。このように下部コンタクトプラグと上部コンタクトプラグを縦積みする構成であって、しかも、上記したようにビット線コンタクトをチドリ配置する構成の場合、下部コンタクトプラグは、その上端部の寸法を大きくすることができる。しかし、上部コンタクトプラグは、その上端部の寸法をビット線の配線ピッチと同程度の小さい寸法にしなければならなかった。
ここで、上記した各コンタクトプラグの形状は、上端部から下端部へ向けて先細りとなる形状の場合、下部コンタクトプラグのように、上端部の寸法を大きくすることができると、下端部の寸法も必要十分な程度に大きくなり、活性領域に良好に接続することができる。これに対して、上部コンタクトプラグの場合は、上端部の寸法がビット線の配線ピッチと同程度の小さい寸法であるため、下端部の寸法が更に小さくなり、コンタクトプラグを形成するためのコンタクトホールの未開口によるオープン不良や高抵抗不良等が発生するという問題点があった。
特開平7−202143号公報
特開平10−308446号公報
本発明は、コンタクトホールの開口不良によるコンタクトプラグの接続不良や高抵抗不良等の発生を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、半導体基板上にメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイを備え、前記各メモリセルにおけるビット線コンタクトを1つおきにビット線方向にずらして2列に配置するように構成したものにおいて、前記半導体基板上に形成された第1のシリコン酸化膜と、前記第1のシリコン酸化膜上に形成された第2のシリコン酸化膜と、前記第2のシリコン酸化膜上に形成されたシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜上に配置されたビット線とを備え、前記ビット線コンタクトは、前記第1のシリコン酸化膜中に形成され、前記半導体基板に接続された下部コンタクトプラグと、前記下部コンタクトプラグ上に位置すると共に前記ビット線に接続されるよう前記第2のシリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜中に形成される上部コンタクトプラグであって、前記シリコン窒化膜中に形成された第1プラグ部と前記第2のシリコン酸化膜中に形成された第2プラグ部からなり、前記第2プラグ部には前記第1プラグ部の内径寸法より大きい内径寸法を有する大径部を備えた上部コンタクトプラグとを具備したところに特徴を有する。
本発明によれば、コンタクトプラグの接続不良や高抵抗不良等の発生を防止することができる。
以下、本発明をNAND型フラッシュメモリ装置に適用した場合の一実施形態について図1〜図11を参照しながら説明する。尚、以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。
まず、本実施形態のNAND型フラッシュメモリ装置の構成を説明する。
図1は、NAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域に形成されるメモリセルアレイの一部を示す等価回路図である。
図1は、NAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域に形成されるメモリセルアレイの一部を示す等価回路図である。
NAND型フラッシュメモリ装置のメモリセルアレイは、2個の選択ゲートトランジスタTrsと、当該選択ゲートトランジスタTrs間に対して直列接続された複数個(例えば32個)のメモリセルトランジスタTrmとからなるNANDセルユニットSUが行列状に形成されることにより構成されている。NANDセルユニットSU内において、複数個のメモリセルトランジスタTrmは隣接するもの同士でソース/ドレイン領域を共用して形成されている。
図1中X方向(ワード線方向、ゲート幅方向に相当)に配列されたメモリセルトランジスタTrmは、ワード線(コントロールゲート線)WLにより共通接続されている。また、図1中X方向に配列された選択ゲートトランジスタTrs1は選択ゲート線SGL1で共通接続され、選択ゲートトランジスタTrs2は選択ゲート線SGL2で共通接続されている。選択ゲートトランジスタTrs1のドレイン領域にはビット線コンタクトCBが接続されている。このビット線コンタクトCBは図1中X方向に直交するY方向(ゲート長方向、ビット線方向に相当)に延びるビット線配線BLに接続されている。また、選択ゲートトランジスタTrs2はソース領域を介して図1中X方向に延びるソース線配線SLに接続されている。
図2はメモリセル領域の一部のレイアウトパターンを示す。この図2において、半導体基板としてのシリコン基板1に、素子分離領域としてのSTI(shallow trench isolation)2が図2中Y方向に沿って所定間隔で複数本形成され、これによって活性領域3が図2中X方向に分離形成されている。この場合、活性領域3は幅50nmおよび間隔50nmのラインアンドスペース状に形成されている。尚、活性領域3において、(幅+間幅)/2=50nmは所謂ハーフピッチ(hp)であり、このハーフピッチ(hp)は微細化の指標として小さい方が好ましい。上記活性領域3と直交する図2中X方向に沿って所定間隔でメモリセルトランジスタのワード線WLが形成されている。
また、ワード線WL32本を一組とするNAND列の両端には、それぞれ一対の選択ゲートトランジスタの選択ゲート線SGL1、SGL2が形成されている。一対の選択ゲート線SGL1がドレイン側であり、一対の選択ゲート線SGL2がソース側である。一対の選択ゲート線SGL1間の活性領域3にはビット線コンタクトCBがそれぞれ形成されている。ビット線コンタクトCBは、ホール配置を1つおきにビット線方向に例えば100nm(オフセット)ずらして2列に配置(即ち、隣接するもの同士でビット線方向に交互に例えば100nmずらして2列に配置)されており、これにより所謂チドリ配置される構成となっている。また、一対の選択ゲート線SGL2間の活性領域3にはソース線コンタクトCSがそれぞれ形成されている。ソース線コンタクトCSも、ビット線コンタクトCBと同様に、ホール配置を1つおきにビット線方向に例えば100nmずらして2列に配置(即ち、隣接するもの同士でビット線方向に交互にずらして2列に配置)されており、これにより所謂チドリ配置される構成となっている。この構成の場合、NAND列をひとつおきにソース/ドレイン反転させて、ビット線コンタクトCBおよびソース線コンタクトCSを隣接NAND列間で共用し、繰り返し配置することにより、セルアレイを形成している。また、ワード線WLと交差する活性領域3上にはメモリセルトランジスタのゲート電極MGが形成され、選択ゲート線SGL1、2と交差する活性領域3上には選択ゲートトランジスタのゲート電極SGが形成されている。なお、ソース線コンタクトCSはチドリ配置されたコンタクトである必要はなく、1本の溝配線構造であってもよい。
図3は、図2の上に形成されるビット線BLおよびソース線SLを重ねて示したものである。ビット線BLは、活性領域3と同じ配線幅50nm及び配線間幅50nmのハーフピッチ(hp)のラインアンドスペースで形成される。ビット線BLは、各NAND列とビット線コンタクトCBを介して接続され、書込み/読出し動作において対象NAND列の活性領域3と電圧の授受が行われる。ソース線SLは、各NAND列とソース線コンタクトCSを介して接続され、読出し動作において対象セルのデータ状態に応じてビット線BLと電気的に接続(或いは分断)され、ビット線電圧を変化させる。尚、書込み/読出しの対象NAND列は、選択ゲートトランジスタ(SGL1、SGL2)により選択される。
図4は、図3中のA−A線に沿う断面図であり、ビット線コンタクトCBの断面を示している。本実施例では、ビット線コンタクトCBはチドリ配置されているため、A−A線に沿う断面では、ひとつおきにビット線コンタクトCBが明示されるが、ビット線方向に例えば100nmずらした位置に残りのビット線コンタクトCBが同様に存在する。ビット線コンタクトCBは、上部コンタクトホール4の内部に導体を埋め込み形成した上部コンタクトプラグ5と、下部コンタクトホール6の内部に導体を埋め込み形成した下部コンタクトプラグ7とを縦積みした構造を有している。この上部コンタクトプラグ5、下部コンタクトプラグ7は、それぞれ上端部の内径(幅)寸法が下端部の内径(幅)寸法より大きく、上端部から下端部へ向けて先細りとなる形状を有している。
なお、本実施形態においては、上部コンタクトプラグ5と下部コンタクトプラグ7とは直接接続されているが、上部コンタクトプラグ5と下部コンタクトプラグ7との間に導電体からなる別部材を設け、台座部の機能をもたせる構成であっても良い。
ビット線コンタクトCBは、シリコン基板1上に形成されたシリコン酸化膜8およびシリコン酸化膜8上に形成された第1のシリコン窒化膜9中に形成されている。このシリコン窒化膜9上には第3のシリコン酸化膜10が形成され、このシリコン酸化膜10中にビット線BLが形成されている。このシリコン酸化膜10上には第2のシリコン窒化膜11が形成されている。
ビット線コンタクトCBのうち下部コンタクトプラグ7は、第1のシリコン酸化膜8aの上面からシリコン基板1の表面にわたり第1のシリコン酸化膜8a中に形成されている。また、上部コンタクトプラグ5は、第1のシリコン窒化膜9の上面から下部コンタクトプラグ7の上面にわたり第1のシリコン窒化膜9および第2のシリコン酸化膜8bに形成されている。上部コンタクトプラグ5は、第1のシリコン窒化膜9中に位置する第1プラグ部5aと第2のシリコン酸化膜8b中に位置する第2プラグ部5bとから構成されている。
本実施形態においては、ビット線コンタクトCBをチドリ配置する構成であるため、隣接する下部コンタクトホール6間の間隔は活性領域の間隔およびビット線BLの配線間隔より広い。したがって、下部コンタクトホール6の上端部の開口部の内径寸法を活性領域の間隔およびビット線BLの配線間隔より広く、例えば90nm程度に形成することができる。これにより、下部コンタクトホール6形成時のリソグラフィ及び加工において余裕が得られる。これが、チドリ配置した各コンタクトCBの大きなメリットである。
上記下部コンタクトプラグ7の下端部は、ハーフピッチ(hp)の幅で形成された活性領域3に接続されている。ドライエッチング法によるコンタクトホールを形成すると、通常、コンタクトホールの加工形状は、下方ほど小さくなる円錐様の形状(即ち、下方に向かって先細りとなる形状)になる。本実施形態においては、下部コンタクトホール6の上端部の開口部の内径寸法を活性領域の間隔より広く形成できるので、下部コンタクトホール6の下端部の開口部の内径寸法はハーフピッチ(hp)に近い大きさに形成できる。このため、隣りの活性領域3とのショートに対して余裕が確保される。
また、ビット線コンタクトCBの上部コンタクトプラグ5の第2のシリコン酸化膜8bに形成された第2プラグ部5bは、上端部から下端部へ向けて先細りとなる形状を有し、その下端は下部コンタクトプラグ7に接続されている。第2プラグ部5bの上に位置する第1のシリコン窒化膜9に形成された第1プラグ部5aは、その上端がビット線BLに接続されている。第1プラグ部5aの上端部分の内径寸法は、ビット線BLの配線幅寸法である50nm、即ち、ハーフピッチ(hp)に近い大きさの寸法に設定されている。これにより、隣接するビット線BLとのショートを回避している。
これに対し、第2のシリコン酸化膜8bに形成された第2プラグ部5bは、第1のプラグ部5aの上端部分の内径寸法より大きな内径寸法を有する大径部を備えている。第2プラグ部5bは、ビット線コンタクトCBをチドリ配置する構成であるため、隣り合う第2プラグ部5b間に余裕がある。本実施形態の場合、三平方の定理から、隣接する第2プラグ部5bの中心間に、141nmの距離が存在することが分かり、第2プラグ部5bの内径寸法はビット線BLの配線間隔に拘束されず、例えば内径が90nm程度あっても支障がない。
本実施形態の場合、第2プラグ部5bの形状は下方へ向けて少しずつ径小となる円錐様の形状(即ち、下方に向かって先細りとなる形状)に形成されており、第2プラグ部5bの上端部分の内径寸法が最も大きく、かつ第2プラグ部5b全体にわたり内径寸法が第1プラグ部5aの上端部分の内径寸法より大きな内径寸法を有している。すなわち、第2プラグ部5b全体が第1プラグ部5aの上端部分の内径寸法より大きな大径部となっている。
第2プラグ部5bの下端部の内径寸法は、下部コンタクトプラグ7との間の接続がとれるだけの必要十分な大きさ(例えばハーフピッチ(hp)よりも大きい程度の寸法)に形成されており、上部コンタクトプラグ5と下部コンタクトプラグ7との間が良好に接続される。
なお、上部コンタクトプラグ5の第2プラグ部5bの形状は円錐状に限らず、隣接する第2プラグ部5bとショートしない範囲で、中央部分の内径寸法が極大な樽形状などであってもよい。この場合、大径部は第2プラグ部5bの一部分のみであっても良い。
尚、図5は、図4に示す構成から第2のシリコン窒化膜11を除いた状態のビット線コンタクトCB周辺を示す上面図、即ち、図4に示す構成の上面図である。
一方、ソース線コンタクトCSは、下部コンタクトホールの内部に導体を埋め込み形成した下部コンタクトプラグ(図示せず)のみで構成されており、各下部コンタクトプラグの上端部に、ワード線WL方向に形成された1つの幅広のソース線SL(図3参照)が接続されている。この構成の場合、ビット線配線BLとソース線SLの高さ方向位置が異なるため、それぞれ独立して配線を引き廻すことが可能な構成となっている。
一方、ソース線コンタクトCSは、下部コンタクトホールの内部に導体を埋め込み形成した下部コンタクトプラグ(図示せず)のみで構成されており、各下部コンタクトプラグの上端部に、ワード線WL方向に形成された1つの幅広のソース線SL(図3参照)が接続されている。この構成の場合、ビット線配線BLとソース線SLの高さ方向位置が異なるため、それぞれ独立して配線を引き廻すことが可能な構成となっている。
次に、上記した構成を製造する製造方法について、図6〜図11を参照しながら説明する。まず、図6(a)に示すように、周知技術と同様にして、素子分離絶縁膜により活性領域3が区画形成されたシリコン基板1上に第1のシリコン酸化膜8aを形成し、この第1のシリコン酸化膜8a中に活性領域3に達する下部コンタクトプラグ7を形成した構成に対して、第2のシリコン酸化膜8bを例えば300nm堆積する。続いて、第2のシリコン酸化膜8bの上に第1のシリコン窒化膜9を例えば50nm積層する。尚、図6(b)は、図6(a)の構成を上方から見た上面図である。
上述したように、本実施形態において、下部コンタクトプラグ7は上端部の内径寸法が下端部の内径寸法より大きく、上端部から下端部へ向けて先細りとなる形状を有している。ビット線コンタクトCBのチドリ配置により、隣接する下部コンタクトプラグ7間の間隔は活性領域の間隔より広いため、下部コンタクトプラグ7の上端部の内径寸法を活性領域の間隔より広く、例えば90nm程度に形成すると共に、下端部の内径寸法を活性領域の幅寸法(50nm)に近い大きさに形成している。
次に、図7(a)、(b)に示すように、リソグラフィー法とドライエッチング法を用いて、シリコン窒化膜9及び第2のシリコン酸化膜8bに下部コンタクトプラグ7の上面に達する上部コンタクトホール4を、上端部の開口部4aの内径寸法が50nmとなるように形成する。通常のドライエッチング法を適用することにより、この段階では、上部コンタクトホール4は、下方に向かうほど開口径寸法が小さくなる形状となり、下端部の開口部の内径寸法は上端部の開口部4aの内径寸法に比べ小さく形成される。
この後、図8(a)、(b)に示すように、フッ酸或いはフッ酸・フッ化アンモニウム混合溶液によるウェットエッチング法により、第2のシリコン酸化膜8bを等方的に後退させ、第2のシリコン酸化膜8b中の上部コンタクトホール4の内径を拡大させる。このとき、上部コンタクトホール4の上端部4aは、シリコン窒化膜9に開けられた開口部であるため、フッ酸或いはフッ酸・フッ化アンモニウム混合溶液ではウェットエッチングされず、内径寸法が50nmのままである。本実施形態においては、このウェットエッチング法によるコンタクトホールの拡大により、上部コンタクトホール4のうちの第1のシリコン窒化膜9の直下の部位4bに内径寸法が最大(例えば90nm)の開口部を、上部コンタクトホール4の下端部4cに内径寸法が下部コンタクトプラグ7との接続に必要十分な大きさ(例えばハーフピッチ(hp)、即ち、50nmより大きい寸法)を有する開口部を形成する。
なお、本実施形態においては、拡大された上部コンタクトホール4の形状は下方に向かうにつれ徐々に内径寸法が小さくなる円錐状であるが、本発明はこれに限らず、下端部4cの内径寸法が下部コンタクトプラグ7との接続に必要十分な大きさに形成されれば、上部コンタクトホール4の中央部分に内径寸法が最大の樽形状などであってもよい。
次に、図9(a)、(b)に示すように、上部コンタクトホール4内に、例えばCVD法によりバリアメタルのTiNおよびタングステンを埋め込むことにより、上部コンタクトプラグ5、即ち、コンタクト配線を形成する。この後、図10に示すように、第1のシリコン窒化膜9及び上部コンタクトプラグ5の上に第3のシリコン酸化膜10を積層する。続いて、図11に示すように、リソグラフィー法とドライエッチング法により第3のシリコン酸化膜10にビット線配線溝12を形成する。次に、ビット線配線溝12に例えば銅メッキを施して銅を埋め込んだ後、CMP法により平坦化することにより、ビット線BLを形成し、図4に示すように、第3のシリコン酸化膜10及びビット線BLの上に第2のシリコン窒化膜11を例えばCVD法により堆積する。これにより、本実施形態のビット線コンタクトCBが製造される。
このような構成の本実施形態によれば、ビット線コンタクトCBをチドリ配置する構成とし、ビット線コンタクトCBの上部コンタクトプラグ5を下端が下部コンタクトプラグと接続される第2プラグ部5bと、ビット線BLと接続され、第2プラグ部5bの上端部の内径寸法より内径寸法が狭い第1プラグ部5aとで構成したので、コンタクトプラグの接続不良や高抵抗不良等の発生を防止することができる。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
上記実施形態では、上部コンタクトホール4内にCVD法によりバリアメタルのTiNおよびタングステンを埋め込むことにより、上部コンタクトプラグ5を形成するように構成したが、ALD法によるTiNのバリアメタル、及び、CVD法によるタングステンを埋め込むように構成しても良い。また、上記実施形態においては、ビット線BLを形成するに際して、ダマシン法による銅メッキと、それに続くCMP法で形成する構成としたが、スパッタ法によるAlデポと、それに続くリソグラフィー法及びドライエッチング法で形成する構成としても良い。更に、上部コンタクトホールを、デュアルダマシン法により銅メッキとそれに続くCMP法でビット線と同時に埋め込むことにより形成する構成としても良い。
図面中、1はシリコン基板、2はSTI、3は活性領域、4は上部コンタクトホール、5は上部コンタクトプラグ、6は下部コンタクトホール、7は下部コンタクトプラグ、8aは第1のシリコン酸化膜、8bは第2のシリコン酸化膜、9は第1のシリコン窒化膜、10は第3のシリコン酸化膜、11は第2のシリコン窒化膜、12はビット線配線溝である。
Claims (5)
- 半導体基板上にメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイを備え、前記各メモリセルにおけるビット線コンタクトを1つおきにビット線方向にずらして2列に配置するように構成した半導体装置において、
前記半導体基板上に形成された第1のシリコン酸化膜と、
前記第1のシリコン酸化膜上に形成された第2のシリコン酸化膜と、
前記第2のシリコン酸化膜上に形成されたシリコン窒化膜と、
前記シリコン窒化膜上に配置されたビット線とを備え、
前記ビット線コンタクトは、
前記第1のシリコン酸化膜中に形成され、前記半導体基板に接続された下部コンタクトプラグと、
前記下部コンタクトプラグ上に位置すると共に前記ビット線に接続されるよう前記第2のシリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜中に形成される上部コンタクトプラグであって、前記シリコン窒化膜中に形成された第1プラグ部と前記第2のシリコン酸化膜中に形成された第2プラグ部からなり、前記第2プラグ部には前記第1プラグ部の内径寸法より大きい内径寸法を有する大径部を備えた上部コンタクトプラグと
を具備したことを特徴とする半導体装置。 - 前記上部コンタクトプラグは前記下部コンタクトプラグと直接接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体基板上に不揮発性のメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイを備え、前記各メモリセルにおけるビット線コンタクトを1つおきにビット線方向にずらして2列に配置するように構成した半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の活性領域上に第1のシリコン酸化膜を形成し、前記第1のシリコン酸化膜に前記活性領域に達する下部コンタクトホールを形成し、前記下部コンタクトホールの内部に導体を埋め込んで下部コンタクトプラグを形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化膜および前記下部コンタクトプラグの上に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、
第2のシリコン酸化膜の上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜及び前記第2のシリコン酸化膜に、ドライエッチング法により上部コンタクトホールを形成する工程と、
ウエットエッチング法により前記上部コンタクトホールのうちの前記第2のシリコン酸化膜に形成された部分の内径を拡大する工程と、
前記上部コンタクトホールに導体を埋め込むことにより上部コンタクトプラグを形成する工程と、
前記シリコン窒化膜及び前記上部コンタクトプラグの上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜中にビット線を形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に不揮発性のメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイを備え、前記各メモリセルにおけるビット線コンタクトを1つおきにビット線方向にずらして2列に配置するように構成した半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の活性領域上に第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化膜に前記活性領域に達する下部コンタクトホールを形成する工程であって、前記第1のシリコン酸化膜の上端部分での開口部の内径寸法が前記第1のシリコン酸化膜の下端部分での開口部の内径寸法より大きい下部コンタクトホールを、ドライエッチング法により形成する工程と、
前記下部コンタクトホールの内部に導体を埋め込んで下部コンタクトプラグを形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化膜および前記下部コンタクトプラグの上に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第2のシリコン酸化膜の上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜及び前記第2のシリコン酸化膜に前記下部コンタクトプラグに達する上部コンタクトホールを形成する工程であって、前記シリコン窒化膜の上端部分での開口部の内径寸法が前記第2のシリコン酸化膜の下端部分の開口部の内径寸法より大きい上部コンタクトホールを、ドライエッチング法により形成する工程と、
前記上部コンタクトホールのうちの前記第2のシリコン酸化膜に形成された部分の内径をウエットエッチング法により拡大する工程と、
前記上部コンタクトホールに導体を埋め込むことにより上部コンタクトプラグを形成する工程と、
前記シリコン窒化膜及び前記上部コンタクトプラグの上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜中にビット線を形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウエットエッチング法により内径寸法が拡大された際の前記上部コンタクトホールの下端部分の開口部の内径寸法は前記ドライエッチング法により形成された際の前記上部コンタクトホールの下端部分の開口部の内径寸法よりも大きいことを特徴とする請求項3または4記載の半導体装置の製造方法。
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