JP2009147061A - Substrate processing method - Google Patents
Substrate processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009147061A JP2009147061A JP2007321957A JP2007321957A JP2009147061A JP 2009147061 A JP2009147061 A JP 2009147061A JP 2007321957 A JP2007321957 A JP 2007321957A JP 2007321957 A JP2007321957 A JP 2007321957A JP 2009147061 A JP2009147061 A JP 2009147061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- spin rotor
- liquid
- sample stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Abstract
Description
本発明は、特に半導体素子等を基板に形成する各種製造プロセスにおいて用いられる基板処理方法に関する。 The present invention particularly relates to a substrate processing method used in various manufacturing processes for forming a semiconductor element or the like on a substrate.
枚葉式の基板処理方法は、基板毎にウェットエッチング、ウェット洗浄等の薬液処理を行う。この基板処理方法は、基板を回転させながら薬液を供給することで、基板に対して各種処理を行うものである（例えば特許文献１）。
しかし、特許文献１のように回転させた基板表面に薬液を供給し、遠心力で基板外周に吹き飛ばす方法では、排液が空気と混じり合うために、ミスト状になり回収ポット以外にも飛散してしまう。
また、乾燥段階で減圧装置を用いなければ、ウオーターマークを生じてしまうといった問題もある。
However, in the method of supplying a chemical solution to the rotated substrate surface as in Patent Document 1 and blowing it off to the outer periphery of the substrate by centrifugal force, the waste liquid mixes with air, and thus becomes mist and splashes in addition to the recovery pot. End up.
In addition, there is a problem that if a decompression device is not used in the drying stage, a water mark is generated.
本発明はこのような課題を解決するもので、遠心力とロータによる排液、排気効率を高めることのできる基板処理方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a substrate processing method capable of improving centrifugal efficiency, drainage by a rotor, and exhaust efficiency.
請求項１記載の本発明の基板処理方法は、被処理基板を載置する試料ステージと、前記試料ステージ内に配置するスピンロータと、前記スピンロータの中心部から液体を供給する供給ノズルとを備え、前記スピンロータの回転によって、前記供給ノズルから供給される前記液体を前記被処理基板の外周方向に排出させることを特徴とする。
請求項２記載の本発明の基板処理方法は、被処理基板を載置する試料ステージと、前記試料ステージ内に配置する第１のスピンロータと、前記第１のスピンロータの中心部から液体を供給する第１の供給ノズルと、前記被処理基板の上方に配置する第２のスピンロータと、前記第２のスピンロータの中心部から液体を供給する第２の供給ノズルとを備え、前記第１のスピンロータ及び前記第２のスピンロータの回転によって、前記第１の供給ノズル及び前記第２の供給ノズルから供給される前記液体を前記被処理基板の外周方向に排出させることを特徴とする。
請求項３記載の本発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記供給ノズルからの前記液体の供給を停止した状態で前記スピンロータを回転することで、前記試料ステージと前記被処理基板との間の空間を減圧状態とすることを特徴とする。
請求項４記載の本発明は、請求項２に記載の基板処理方法において、前記第１の供給ノズル及び前記第２の供給ノズルからの前記液体の供給を停止した状態で前記第１のスピンロータ及び前記第２のスピンロータを回転することで、前記試料ステージと前記被処理基板との間の空間を減圧状態とすることを特徴とする。
請求項５記載の本発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記スピンロータを前記試料ステージとともに回転することを特徴とする。
請求項６記載の本発明は、請求項２に記載の基板処理方法において、前記第１のスピンロータ及び前記第２のスピンロータを前記試料ステージとともに回転することを特徴とする。
請求項７記載の本発明は、請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法において、前記試料ステージの外縁部と前記被処理基板の外縁部との間に絞りが形成され、前記被処理基板の外周方向に排出する前記液体に圧力が付加されることを特徴とする。
請求項８記載の本発明は、請求項７に記載の基板処理方法において、前記第２のスピンロータの外縁部と前記被処理基板の外縁部との間に絞りが形成され、前記被処理基板の外周方向に排出する前記液体に圧力が付加されることを特徴とする。
請求項９記載の本発明は、請求項２に記載の基板処理方法において、前記試料ステージの外縁部と前記被処理基板の外縁部との間、前記第２のスピンロータの外縁部と前記被処理基板の外縁部との間にそれぞれ絞りが形成され、前記第１の供給ノズル及び前記第２の供給ノズルからの前記液体の供給を停止した状態で前記第１のスピンロータ及び前記第２のスピンロータを回転することで、前記被処理基板の両面に減圧空間を形成することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method comprising: a sample stage on which a substrate to be processed is placed; a spin rotor disposed in the sample stage; and a supply nozzle that supplies liquid from a central portion of the spin rotor. And the liquid supplied from the supply nozzle is discharged in the outer peripheral direction of the substrate to be processed by the rotation of the spin rotor.
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method of the present invention, a sample stage on which a substrate to be processed is placed, a first spin rotor disposed in the sample stage, and a liquid from a central portion of the first spin rotor. A first supply nozzle for supplying, a second spin rotor disposed above the substrate to be processed, and a second supply nozzle for supplying a liquid from a central portion of the second spin rotor, The liquid supplied from the first supply nozzle and the second supply nozzle is discharged in the outer peripheral direction of the substrate to be processed by rotation of one spin rotor and the second spin rotor. .
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first aspect, the sample stage and the target object are processed by rotating the spin rotor in a state where the supply of the liquid from the supply nozzle is stopped. The space between the substrate is in a reduced pressure state.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method according to the second aspect, wherein the first spin rotor is stopped in a state where the supply of the liquid from the first supply nozzle and the second supply nozzle is stopped. And the space between the sample stage and the substrate to be processed is brought into a reduced pressure state by rotating the second spin rotor.
The present invention according to claim 5 is the substrate processing method according to claim 1, wherein the spin rotor is rotated together with the sample stage.
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the second aspect, the first spin rotor and the second spin rotor are rotated together with the sample stage.
According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first or second aspect, a diaphragm is formed between an outer edge portion of the sample stage and an outer edge portion of the substrate to be processed, and the processing target A pressure is applied to the liquid discharged in the outer peripheral direction of the substrate.
According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the seventh aspect, a diaphragm is formed between an outer edge portion of the second spin rotor and an outer edge portion of the substrate to be processed, and the substrate to be processed Pressure is applied to the liquid discharged in the outer peripheral direction.
According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the second aspect, between the outer edge of the sample stage and the outer edge of the substrate to be processed, the outer edge of the second spin rotor and the object to be processed. A diaphragm is formed between each of the processing substrate and the outer edge of the processing substrate, and the first spin rotor and the second spin rotor are stopped while the supply of the liquid from the first supply nozzle and the second supply nozzle is stopped. A reduced pressure space is formed on both surfaces of the substrate to be processed by rotating the spin rotor.
本発明によれば、スピンロータによって液体を攪拌するため、遠心力と攪拌とによって、液体が被処理基板の表面と接触することになり、被処理基板表面の洗浄などの処理能力を高めることができる。
また、本発明によれば、たとえば洗浄後の被処理基板表面の乾燥効率を高めることができる。
また、本発明によれば、スピンロータとともに被処理基板を回転するため、被処理基板に大きな負荷をかけることなく、洗浄などの処理を行うことができる。
また、本発明によれば、被処理基板の表面に、液体を十分に接触させることができるとともに、液体が空気と混じることによるミストの発生を防ぎ、回収ポット以外へのミスト飛散を防止できる。
According to the present invention, since the liquid is agitated by the spin rotor, the liquid comes into contact with the surface of the substrate to be treated by the centrifugal force and the agitation, thereby improving the processing capability such as cleaning of the surface of the substrate to be treated. it can.
Further, according to the present invention, for example, the drying efficiency of the surface of the substrate to be processed after cleaning can be increased.
Further, according to the present invention, since the substrate to be processed is rotated together with the spin rotor, it is possible to perform processing such as cleaning without applying a large load to the substrate to be processed.
In addition, according to the present invention, the liquid can be sufficiently brought into contact with the surface of the substrate to be processed, the generation of mist due to the liquid being mixed with air can be prevented, and the mist can be prevented from being scattered outside the recovery pot.
本発明の第１の実施の形態による基板処理方法は、被処理基板を載置する試料ステージと、試料ステージ内に配置するスピンロータと、スピンロータの中心部から液体を供給する供給ノズルとを備え、スピンロータの回転によって、供給ノズルから供給される液体を被処理基板の外周方向に排出させるものである。本実施の形態によれば、スピンロータによって液体を攪拌するため、遠心力と攪拌とによって、液体が被処理基板の表面と接触することになり、たとえば被処理基板の表面の洗浄力を高めることができる。
本発明の第２の実施の形態による基板処理方法は、被処理基板を載置する試料ステージと、試料ステージ内に配置する第１のスピンロータと、第１のスピンロータの中心部から液体を供給する第１の供給ノズルと、被処理基板の上方に配置する第２のスピンロータと、第２のスピンロータの中心部から液体を供給する第２の供給ノズルとを備え、第１のスピンロータ及び第２のスピンロータの回転によって、第１の供給ノズル及び第２の供給ノズルから供給される液体を被処理基板の外周方向に排出させるものである。本実施の形態によれば、第１のスピンロータと第２のスピンロータによって液体を攪拌するため、遠心力と攪拌とによって、液体が被処理基板の両面と接触することになり、たとえば被処理基板の表面の洗浄力を高めることができる。
本発明の第３の実施の形態は、第１の実施の形態による基板処理方法において、供給ノズルからの液体の供給を停止した状態でスピンロータを回転することで、試料ステージと被処理基板との間の空間を減圧状態とするものである。本実施の形態によれば、たとえば洗浄後の被処理基板表面の乾燥効率を高めることができる。
本発明の第４の実施の形態は、第２の実施の形態による基板処理方法において、第１の供給ノズル及び第２の供給ノズルからの液体の供給を停止した状態で第１のスピンロータ及び第２のスピンロータを回転することで、試料ステージと被処理基板との間の空間を減圧状態とするものである。本実施の形態によれば、たとえば洗浄後の被処理基板両面の乾燥効率を高めることができる。
本発明の第５の実施の形態は、第１の実施の形態による基板処理方法において、スピンロータを試料ステージとともに回転するものである。本実施の形態によれば、スピンロータとともに被処理基板を回転するため、被処理基板に大きな負荷をかけることなく、洗浄などの処理を行うことができる。
本発明の第６の実施の形態は、第２の実施の形態による基板処理方法において、第１のスピンロータ及び第２のスピンロータを試料ステージとともに回転するものである。本実施の形態によれば、第１のスピンロータとともに被処理基板を回転し、一方で被処理基板の回転と同じ回転で第２のスピンロータを回転するため、被処理基板に大きな負荷をかけることなく、洗浄などの処理を行うことができる。
本発明の第７の実施の形態は、第１又は第２の実施の形態による基板処理方法において、試料ステージの外縁部と被処理基板の外縁部との間に絞りが形成され、被処理基板の外周方向に排出する液体に圧力が付加されるものである。本実施の形態によれば、被処理基板の表面に、液体を十分に接触させることができるとともに、液体が空気と混じることによるミストの発生を防ぎ、回収ポット以外へのミスト飛散を防止できる。
本発明の第８の実施の形態は、第７の実施の形態による基板処理方法において、第２のスピンロータの外縁部と被処理基板の外縁部との間に絞りが形成され、被処理基板の外周方向に排出する液体に圧力が付加されるものである。本実施の形態によれば、被処理基板の両面に、液体を十分に接触させることができるとともに、液体が空気と混じることによるミストの発生を防ぎ、回収ポット以外へのミスト飛散を防止できる。
本発明の第９の実施の形態は、第２の実施の形態による基板処理方法において、試料ステージの外縁部と被処理基板の外縁部との間、第２のスピンロータの外縁部と被処理基板の外縁部との間にそれぞれ絞りが形成され、第１の供給ノズル及び第２の供給ノズルからの液体の供給を停止した状態で第１のスピンロータ及び第２のスピンロータを回転することで、被処理基板の両面に減圧空間を形成するものである。本実施の形態によれば、たとえば洗浄後の被処理基板両面の乾燥効率を高めることができる。
A substrate processing method according to a first embodiment of the present invention includes a sample stage on which a substrate to be processed is placed, a spin rotor disposed in the sample stage, and a supply nozzle that supplies liquid from the center of the spin rotor. The liquid supplied from the supply nozzle is discharged in the outer peripheral direction of the substrate to be processed by the rotation of the spin rotor. According to the present embodiment, since the liquid is agitated by the spin rotor, the liquid comes into contact with the surface of the substrate to be treated by centrifugal force and agitation, for example, increasing the cleaning power of the surface of the substrate to be treated. Can do.
A substrate processing method according to a second embodiment of the present invention includes a sample stage on which a substrate to be processed is placed, a first spin rotor disposed in the sample stage, and a liquid from the center of the first spin rotor. A first supply nozzle for supplying, a second spin rotor disposed above the substrate to be processed, and a second supply nozzle for supplying a liquid from a central portion of the second spin rotor. The liquid supplied from the first supply nozzle and the second supply nozzle is discharged in the outer peripheral direction of the substrate to be processed by the rotation of the rotor and the second spin rotor. According to the present embodiment, since the liquid is stirred by the first spin rotor and the second spin rotor, the liquid comes into contact with both surfaces of the substrate to be processed by centrifugal force and stirring. The cleaning power of the substrate surface can be increased.
According to the third embodiment of the present invention, in the substrate processing method according to the first embodiment, the spin rotor is rotated in a state where the supply of the liquid from the supply nozzle is stopped. The space between is made into a pressure-reduced state. According to the present embodiment, for example, the drying efficiency of the surface of the substrate to be processed after cleaning can be increased.
According to a fourth embodiment of the present invention, in the substrate processing method according to the second embodiment, the first spin rotor and the first spin rotor in a state where the supply of liquid from the first supply nozzle and the second supply nozzle is stopped, By rotating the second spin rotor, the space between the sample stage and the substrate to be processed is reduced. According to the present embodiment, for example, the drying efficiency of both surfaces of the substrate to be processed after cleaning can be increased.
In the substrate processing method according to the first embodiment, a fifth embodiment of the present invention rotates a spin rotor together with a sample stage. According to this embodiment, since the substrate to be processed is rotated together with the spin rotor, it is possible to perform processing such as cleaning without imposing a large load on the substrate to be processed.
In the substrate processing method according to the second embodiment, the sixth embodiment of the present invention rotates the first spin rotor and the second spin rotor together with the sample stage. According to this embodiment, the substrate to be processed is rotated together with the first spin rotor, while the second spin rotor is rotated at the same rotation as that of the substrate to be processed. Therefore, a large load is applied to the substrate to be processed. It is possible to perform processing such as cleaning without any problems.
According to a seventh embodiment of the present invention, in the substrate processing method according to the first or second embodiment, a diaphragm is formed between the outer edge portion of the sample stage and the outer edge portion of the substrate to be processed, and the substrate to be processed Pressure is applied to the liquid discharged in the outer circumferential direction. According to the present embodiment, it is possible to sufficiently bring the liquid into contact with the surface of the substrate to be processed, to prevent generation of mist due to the liquid being mixed with air, and to prevent mist from scattering other than the recovery pot.
According to an eighth embodiment of the present invention, in the substrate processing method according to the seventh embodiment, a diaphragm is formed between the outer edge portion of the second spin rotor and the outer edge portion of the substrate to be processed. Pressure is applied to the liquid discharged in the outer circumferential direction. According to the present embodiment, it is possible to sufficiently bring the liquid into contact with both surfaces of the substrate to be processed, to prevent generation of mist due to the liquid being mixed with air, and to prevent mist from being scattered outside the recovery pot.
According to a ninth embodiment of the present invention, in the substrate processing method according to the second embodiment, between the outer edge of the sample stage and the outer edge of the substrate to be processed, the outer edge of the second spin rotor and the object to be processed. Rotating the first spin rotor and the second spin rotor in a state where a diaphragm is formed between the outer edge portion of the substrate and the liquid supply from the first supply nozzle and the second supply nozzle is stopped. Thus, a reduced pressure space is formed on both surfaces of the substrate to be processed. According to the present embodiment, for example, the drying efficiency of both surfaces of the substrate to be processed after cleaning can be increased.
以下本発明の実施例について図面とともに説明する。
図１は本発明の一実施例による基板処理装置の構成図、図２は同装置の要部分解斜視図、図３は同装置に関する説明図である。
本実施例による基板処理装置は、被処理基板１を載置する試料ステージ２と、試料ステージ２内に配置する第１のスピンロータ３と、第１のスピンロータ３の中心部から液体を供給する第１の供給ノズル４と、被処理基板１の上方に配置する第２のスピンロータ５と、第２のスピンロータ５の中心部から液体を供給する第２の供給ノズル６とを備えている。
試料ステージ２の上面の外縁部には、被処理基板１の載置面２Ａを形成し、リング状の載置面２Ａには、複数のチャック部材２Ｂが設けられている。
また、試料ステージ２の下面には、回転軸２Ｃが設けられ、図示しないモータによって回転される。
試料ステージ２の載置面２Ａの内周は凹部が形成され、この凹部に第１のスピンロータ３が設けられている。
第１の供給ノズル４は回転軸２Ｃ内部を貫通し、第１の供給ノズル４の一端は、試料ステージ２の凹部内に突出し、第１のスピンロータ３の中心部に配置される。また、第１の供給ノズル４の他端は、薬液供給路７Ａ、７Ｂや、ガス供給路８Ａに接続される。
第２のスピンロータ５は、試料ステージ２の上面を覆うカバー５Ａ内に設けられている。カバー５Ａの開口は、試料ステージ２の載置面２Ａに対応する大きさの外縁部によって形成されている。カバー５Ａには、回転軸５Ｂが設けられ、図示しないモータによって回転される。
第２の供給ノズル６は回転軸５Ｂ内部を貫通し、第２の供給ノズル６の一端は、カバー５Ａ内部に突出し、第２のスピンロータ５の中心部に配置される。また、第２の供給ノズル６の他端は、薬液供給路９Ａ、９Ｂや、ガス供給路１０Ａに接続される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of the main part of the apparatus, and FIG.
The substrate processing apparatus according to this embodiment supplies a liquid from the sample stage 2 on which the substrate 1 to be processed is placed, the first spin rotor 3 disposed in the sample stage 2, and the central portion of the first spin rotor 3. A first supply nozzle 4, a second spin rotor 5 disposed above the substrate 1 to be processed, and a second supply nozzle 6 for supplying a liquid from the center of the second spin rotor 5. Yes.
A mounting surface 2A of the substrate 1 is formed on the outer edge of the upper surface of the sample stage 2, and a plurality of chuck members 2B are provided on the ring-shaped mounting surface 2A.
A rotating shaft 2C is provided on the lower surface of the sample stage 2 and is rotated by a motor (not shown).
A concave portion is formed on the inner periphery of the mounting surface 2A of the sample stage 2, and the first spin rotor 3 is provided in the concave portion.
The first supply nozzle 4 penetrates the inside of the rotating shaft 2 </ b> C, and one end of the first supply nozzle 4 protrudes into the concave portion of the sample stage 2 and is arranged at the center of the first spin rotor 3. The other end of the first supply nozzle 4 is connected to the chemical solution supply paths 7A and 7B and the gas supply path 8A.
The second spin rotor 5 is provided in a cover 5 </ b> A that covers the upper surface of the sample stage 2. The opening of the cover 5 </ b> A is formed by an outer edge portion having a size corresponding to the mounting surface 2 </ b> A of the sample stage 2. The cover 5A is provided with a rotating shaft 5B and is rotated by a motor (not shown).
The second supply nozzle 6 penetrates through the rotary shaft 5B, and one end of the second supply nozzle 6 protrudes into the cover 5A and is disposed at the center of the second spin rotor 5. The other end of the second supply nozzle 6 is connected to the chemical liquid supply paths 9A and 9B and the gas supply path 10A.
第１のスピンロータ３及び第２のスピンロータ５は、放射状に配置された複数の羽根より構成され、軸方向から吸い込み遠心方向に送風する。たとえば、ターボファンのような遠心ファンが適している。
試料ステージ２の外縁部とカバー５Ａの外縁部との間は、絞りを形成するのに十分な寸法に設定されている。絞りを形成するのに十分な寸法は、第１のスピンロータ３及び第２のスピンロータ５の処理風量によって設定されるが、試料ステージ２の外縁部とカバー５Ａの外縁部との間から排出される液体又は気体が、この絞りによって抵抗を受けるように設定する。試料ステージ２とカバー５Ａによって形成される空間内圧力が大気圧を超える圧力となることが好ましい。
試料ステージ２の外縁部とカバー５Ａの外縁部との間に絞りを形成することで、試料ステージ２の外縁部と被処理基板１の外縁部との間、第２のスピンロータの外縁部と被処理基板１の外縁部との間にそれぞれ絞りが形成される。
The first spin rotor 3 and the second spin rotor 5 are composed of a plurality of blades arranged radially, and suck in from the axial direction and blow in the centrifugal direction. For example, a centrifugal fan such as a turbo fan is suitable.
The dimension between the outer edge of the sample stage 2 and the outer edge of the cover 5A is set to a dimension sufficient to form a diaphragm. The dimension sufficient to form the aperture is set by the processing air volume of the first spin rotor 3 and the second spin rotor 5, but is discharged from between the outer edge of the sample stage 2 and the outer edge of the cover 5A. The liquid or gas to be applied is set to receive resistance by this restriction. It is preferable that the pressure in the space formed by the sample stage 2 and the cover 5A is a pressure exceeding the atmospheric pressure.
By forming a diaphragm between the outer edge of the sample stage 2 and the outer edge of the cover 5A, the outer edge of the second spin rotor is formed between the outer edge of the sample stage 2 and the outer edge of the substrate 1 to be processed. A diaphragm is formed between each of the outer edges of the substrate 1 to be processed.
以下に、本装置による基板処理方法について説明する。
試料ステージ２に、被処理基板１を載置し、被処理基板１の上部をカバー５Ａで覆う。この状態で、第１の供給ノズル４からは、薬液供給路７Ａ、７Ｂからの液体、又はガス供給路８Ａからのガスを供給し、第２の供給ノズル６からは、薬液供給路９Ａ、９Ｂからの液体、又はガス供給路１０Ａからのガスを供給するとともに、第１のスピンロータ３及び第２のスピンロータ５を回転させる。
第１の供給ノズル４から試料ステージ２の凹部に供給された液体又はガスは、第１のスピンロータ３の回転によって、被処理基板１の下面と接触し、被処理基板１の中心から外周方向に流動し、試料ステージ２の外縁部と被処理基板１の外縁部との間から排出される。
また、第２の供給ノズル６からカバー５Ａ内部に供給された液体又はガスは、第２のスピンロータ５の回転によって、被処理基板１の上面と接触し、被処理基板１の中心から外周方向に流動し、カバー５Ａの外縁部と被処理基板１の外縁部との間から排出される。
第１の供給ノズル４及び第２の供給ノズル６から供給される液体又はガスを切り替えることで、被処理基板１の表面処理を行うことができる。
図３は、被処理基板１の下面又は上面での液体又はガスの流れを示している。同図に示すように、液体又はガスは、被処理基板１の中心から外周に向けた流れとなる。
試料ステージ２の外縁部とカバー５Ａの外縁部との間は排出口が形成され、この排出口からは、液体又はガスが排出される。
排出口の外周には、図示しない回収ポットが配置される。
回収ポットには複数の通路が形成され、回収ポットを回転軸２Ｃ方向に移動でき、各通路を切り換える構成が好ましい。このように通路を切り換えることで薬液を分別回収することができる。
Below, the substrate processing method by this apparatus is demonstrated.
The substrate 1 to be processed is placed on the sample stage 2, and the upper portion of the substrate 1 to be processed is covered with the cover 5A. In this state, the liquid from the chemical liquid supply paths 7A and 7B or the gas from the gas supply path 8A is supplied from the first supply nozzle 4, and the chemical liquid supply paths 9A and 9B are supplied from the second supply nozzle 6. The liquid from the gas or the gas from the gas supply path 10A is supplied, and the first spin rotor 3 and the second spin rotor 5 are rotated.
The liquid or gas supplied from the first supply nozzle 4 to the recess of the sample stage 2 comes into contact with the lower surface of the substrate 1 to be processed by the rotation of the first spin rotor 3, and the outer periphery direction from the center of the substrate 1 to be processed. And is discharged from between the outer edge of the sample stage 2 and the outer edge of the substrate 1 to be processed.
Further, the liquid or gas supplied from the second supply nozzle 6 to the inside of the cover 5 </ b> A comes into contact with the upper surface of the substrate 1 to be processed by the rotation of the second spin rotor 5, and from the center of the substrate 1 to the outer peripheral direction And discharged from between the outer edge of the cover 5A and the outer edge of the substrate 1 to be processed.
By switching the liquid or gas supplied from the first supply nozzle 4 and the second supply nozzle 6, the surface treatment of the substrate 1 to be processed can be performed.
FIG. 3 shows the flow of liquid or gas on the lower surface or upper surface of the substrate 1 to be processed. As shown in the figure, the liquid or gas flows from the center of the substrate 1 to be processed toward the outer periphery.
A discharge port is formed between the outer edge of the sample stage 2 and the outer edge of the cover 5A, and liquid or gas is discharged from the discharge port.
A collection pot (not shown) is arranged on the outer periphery of the discharge port.
A configuration is preferable in which a plurality of passages are formed in the collection pot, the collection pot can be moved in the direction of the rotation shaft 2C, and each passage is switched. Thus, the chemical solution can be collected separately by switching the passages.
基板処理の他の方法として、第１の供給ノズル４及び第２の供給ノズル６からの液体及び気体の供給を停止した状態で第１のスピンロータ３及び第２のスピンロータ５を回転する。
第１の供給ノズル４及び第２の供給ノズル６からの液体及び気体の供給を停止した状態で第１のスピンロータ３及び第２のスピンロータ５を回転することで、試料ステージ２とカバー５Ａとの間の空間を減圧状態とする。
本処理方法によれば、たとえば洗浄後の被処理基板両面の乾燥効率を高めることができる。
As another method of substrate processing, the first spin rotor 3 and the second spin rotor 5 are rotated while the supply of liquid and gas from the first supply nozzle 4 and the second supply nozzle 6 is stopped.
The sample stage 2 and the cover 5A are rotated by rotating the first spin rotor 3 and the second spin rotor 5 with the supply of the liquid and gas from the first supply nozzle 4 and the second supply nozzle 6 stopped. The space between and is in a reduced pressure state.
According to this processing method, for example, the drying efficiency of both surfaces of the substrate to be processed after cleaning can be increased.
以上のように本実施例によれば、第１のスピンロータ３と第２のスピンロータ５によって液体を攪拌するため、遠心力と攪拌とによって、液体が被処理基板１の両面と接触することになり、たとえば被処理基板１の表面の洗浄力を高めることができる。
また、本実施例によれば、第１のスピンロータ３とともに被処理基板１を回転し、一方で被処理基板１の回転と同じ回転で第２のスピンロータ５を回転するため、被処理基板１に大きな負荷をかけることなく、洗浄などの処理を行うことができる。
また、本実施例によれば、試料ステージ２の外縁部と被処理基板１の外縁部との間に絞りが形成され、また第２のスピンロータ５の外縁部と被処理基板１の外縁部との間にも絞りが形成され、被処理基板１の外周方向に排出する液体に圧力が付加されるため、被処理基板１の表面に、液体を十分に接触させることができるとともに、液体が空気と混じることによるミストの発生を防ぎ、回収ポット以外へのミスト飛散を防止できる。
また、本実施例によれば、試料ステージ２の外縁部と被処理基板１の外縁部との間、第２のスピンロータ５の外縁部と被処理基板１の外縁部との間にそれぞれ絞りが形成され、第１の供給ノズル４及び第２の供給ノズル６からの液体の供給を停止した状態で第１のスピンロータ３及び第２のスピンロータ５を回転することで、被処理基板１の両面に減圧空間を形成するので、たとえば洗浄後の被処理基板１両面の乾燥効率を高めることができる。
なお、本実施例では、被処理基板１の上方に第２のスピンロータ５を配置する装置で説明したが、第２のスピンロータ５を備えず、試料ステージ２内に配置する第１のスピンロータ３だけを備えた装置であってもよい。この場合、カバー５Ａを設けてもよい。
また、第２のスピンロータ５を備えず、被処理基板１の上方に第２のスピンロータ５を配置する装置であってもよい。
また、本実施例では、試料ステージ２自体を回転させる構成としたが、試料ステージ２を回転させずに、第１のスピンロータ３だけを回転させてもよい。
また、同様に、カバー５Ａを回転させずに、第２のスピンロータ５だけを回転させてもよい。
As described above, according to this embodiment, since the liquid is agitated by the first spin rotor 3 and the second spin rotor 5, the liquid comes into contact with both surfaces of the substrate 1 to be processed by centrifugal force and agitation. For example, the cleaning power of the surface of the substrate 1 to be processed can be increased.
In addition, according to this embodiment, the substrate 1 to be processed is rotated together with the first spin rotor 3, while the second spin rotor 5 is rotated at the same rotation as the rotation of the substrate 1 to be processed. Processing such as washing can be performed without applying a large load to 1.
Further, according to the present embodiment, a diaphragm is formed between the outer edge of the sample stage 2 and the outer edge of the substrate 1 to be processed, and the outer edge of the second spin rotor 5 and the outer edge of the substrate 1 to be processed. A diaphragm is formed between the substrate and the liquid to be discharged in the outer peripheral direction of the substrate 1 to be processed, so that the liquid can be brought into sufficient contact with the surface of the substrate 1 to be processed and the liquid Generation of mist due to mixing with air can be prevented, and mist can be prevented from scattering outside the collection pot.
In addition, according to the present embodiment, the diaphragm is provided between the outer edge portion of the sample stage 2 and the outer edge portion of the substrate 1 to be processed, and between the outer edge portion of the second spin rotor 5 and the outer edge portion of the substrate 1 to be processed. And the first spin rotor 3 and the second spin rotor 5 are rotated in a state where the supply of the liquid from the first supply nozzle 4 and the second supply nozzle 6 is stopped. Since the decompression space is formed on both surfaces of the substrate, for example, the drying efficiency of both surfaces of the substrate 1 to be processed after cleaning can be increased.
In the present embodiment, the apparatus in which the second spin rotor 5 is disposed above the substrate 1 to be processed has been described. However, the first spin rotor that is not provided with the second spin rotor 5 and is disposed in the sample stage 2 is described. The apparatus provided only with the rotor 3 may be sufficient. In this case, a cover 5A may be provided.
Further, the second spin rotor 5 may be provided without the second spin rotor 5 and the second spin rotor 5 may be disposed above the substrate 1 to be processed.
In the present embodiment, the sample stage 2 itself is rotated. However, only the first spin rotor 3 may be rotated without rotating the sample stage 2.
Similarly, only the second spin rotor 5 may be rotated without rotating the cover 5A.
本発明による基板処理方法は、半導体素子の製造工程における半導体ウェハの洗浄や、液晶ディスプレイなどの製造工程における液晶素子の洗浄、プリント基板の製造工程などにおけるＦＰＤ基板などの洗浄に用いることができる。 The substrate processing method according to the present invention can be used for cleaning a semiconductor wafer in a manufacturing process of a semiconductor element, cleaning a liquid crystal element in a manufacturing process of a liquid crystal display, and cleaning an FPD substrate in a manufacturing process of a printed circuit board.
１ 被処理基板
２ 試料ステージ
３ 第１のスピンロータ
４ 第１の供給ノズル
５ 第２のスピンロータ
６ 第２の供給ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Sample stage 3 1st spin rotor 4 1st supply nozzle 5 2nd spin rotor 6 2nd supply nozzle
Claims (9)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007321957A JP2009147061A (en) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | Substrate processing method |
| PCT/JP2008/003316 WO2009075060A1 (en) | 2007-12-13 | 2008-11-14 | Substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007321957A JP2009147061A (en) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | Substrate processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009147061A true JP2009147061A (en) | 2009-07-02 |
Family
ID=40755310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007321957A Withdrawn JP2009147061A (en) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | Substrate processing method |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009147061A (en) |
| WO (1) | WO2009075060A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110622290A (en) * | 2017-02-06 | 2019-12-27 | 平面半导体公司 | Sub-nanometer substrate cleaning mechanism |
| JP2020505783A (en) * | 2017-02-06 | 2020-02-20 | プレイナー・セミコンダクター・インコーポレイテッド | Sub-nanometer level light-based substrate cleaning mechanism |
| US10892172B2 (en) | 2017-02-06 | 2021-01-12 | Planar Semiconductor, Inc. | Removal of process effluents |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115581511A (en) * | 2022-07-26 | 2023-01-10 | 上海鸿脉医疗科技有限公司 | Rotary grinding system and rotary grinding assembly |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3556043B2 (en) * | 1996-03-19 | 2004-08-18 | 株式会社荏原製作所 | Substrate drying equipment |
| JP2001135610A (en) * | 1999-05-25 | 2001-05-18 | Ebara Corp | Substrate processing device and its operating method |
| JP2005259874A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment device and substrate treatment method |
| US20090032188A1 (en) * | 2004-11-10 | 2009-02-05 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | Single-wafer processor |
-
2007
- 2007-12-13 JP JP2007321957A patent/JP2009147061A/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-11-14 WO PCT/JP2008/003316 patent/WO2009075060A1/en active Application Filing
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110622290A (en) * | 2017-02-06 | 2019-12-27 | 平面半导体公司 | Sub-nanometer substrate cleaning mechanism |
| JP2020505783A (en) * | 2017-02-06 | 2020-02-20 | プレイナー・セミコンダクター・インコーポレイテッド | Sub-nanometer level light-based substrate cleaning mechanism |
| US10892172B2 (en) | 2017-02-06 | 2021-01-12 | Planar Semiconductor, Inc. | Removal of process effluents |
| US10985039B2 (en) | 2017-02-06 | 2021-04-20 | Planar Semiconductor, Inc. | Sub-nanometer-level substrate cleaning mechanism |
| US11069521B2 (en) | 2017-02-06 | 2021-07-20 | Planar Semiconductor, Inc. | Subnanometer-level light-based substrate cleaning mechanism |
| CN110622290B (en) * | 2017-02-06 | 2023-11-07 | 平面半导体公司 | Sub-nanometer substrate cleaning mechanism |
| US11830726B2 (en) | 2017-02-06 | 2023-11-28 | Planar Semiconductor Corporation Pte. Ltd. | Subnanometer-level light-based substrate cleaning mechanism |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009075060A1 (en) | 2009-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6026241B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
| KR101019445B1 (en) | Liquid treatment device | |
| JP4648973B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
| JP4723001B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and drainage cup cleaning method | |
| CN102934201B (en) | Substrate board treatment | |
| JP2000260739A (en) | Substrate treatment device and method | |
| JP2009147061A (en) | Substrate processing method | |
| TW200921771A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2007330927A (en) | Liquid-treating device and liquid-treating method | |
| JP2015050263A (en) | Spin processing apparatus | |
| JP2009076878A (en) | Substrate processing apparatus, method for processing substrate, and storage medium | |
| JP4933945B2 (en) | Liquid processing equipment | |
| JP4832176B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
| US6736906B2 (en) | Turbine part mount for supercritical fluid processor | |
| JP4805051B2 (en) | Liquid processing equipment | |
| JP2007311775A (en) | Liquid processing apparatus | |
| JP4912020B2 (en) | Liquid processing equipment | |
| JP3948963B2 (en) | Spin processing equipment | |
| JP2009141279A (en) | Substrate treatment equipment, method for treatment substrate, and storage medium | |
| JP2006013218A (en) | Spin processor for substrate, method for manufacturing substrate and electronic device | |
| JPH11176787A (en) | Sheet substrate processing system | |
| KR20180124271A (en) | Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method using the same | |
| JP2008060203A (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
| JP4825177B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2005109167A (en) | Substrate treating device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110301 |