JP2009146576A - Transparent conductive coating, transparent conductive film, and flexible transparent plane electrode - Google Patents

Transparent conductive coating, transparent conductive film, and flexible transparent plane electrode Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive coating which has a high conductivity and an excellent transparency as well and can be manufactured easily by a liquid phase deposition, to provide a transparent film employing the coating, and to provide a flexible transparent plane electrode in which a voltage drop in the electrode in a large area is controlled. <P>SOLUTION: In the transparent conductive coating containing at least metal nano-wires, at least some parts of the metal nano-wires are bonded each other by an electric conduction process. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示素子、有機発光素子、無機電界発光素子、太陽電池、電磁波シールド、タッチパネル等の各種分野において好適に用いることができる、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜であり、液相成膜により容易に製造できる透明導電膜に関するものであり、さらに、それを用いた透明導電性フィルム及びフレキシブル透明面電極に関するものである。   The present invention is a transparent conductive film having both high conductivity and good transparency, which can be suitably used in various fields such as liquid crystal display elements, organic light emitting elements, inorganic electroluminescent elements, solar cells, electromagnetic wave shields, touch panels and the like. The present invention relates to a transparent conductive film that can be easily manufactured by liquid phase film formation, and further relates to a transparent conductive film and a flexible transparent surface electrode using the transparent conductive film.

透明導電フィルムは、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル、電子ペーパー等の透明電極、ならびに電磁波シールド材等に用いられている。   Transparent conductive films are used in liquid crystal displays, electroluminescence displays, plasma displays, electrochromic displays, transparent electrodes such as solar cells, touch panels, electronic paper, and electromagnetic shielding materials.

一般に透明導電膜としては、例えば金属酸化物が用いられており、具体的には、錫や亜鉛をドープした酸化インジウム(ITO、IZO)、アルミニウムやガリウムをドープした酸化亜鉛(AZO、GZO)、フッ素やアンチモンをドープした酸化錫(FTO、ATO)等が挙げられる。一般に、金属酸化物透明導電膜の作製には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の気相製膜法が用いられる。しかしながら、これらの製膜方法は真空環境を必要とするため装置が大掛りかつ複雑なものとなり、また製膜に大量のエネルギーを消費するため、製造コストや環境負荷を軽減できる技術の開発が求められていた。また、一方で、液晶ディスプレイやタッチディスプレイに代表されるように、透明導電膜の大面積化が指向されており、それに伴い透明導電膜の軽量化や柔軟性に対する要請が高まっていた。さらに、大面積の透明電極においては、透明電極の電圧降下の影響が大きくなり、さらなる低抵抗化が求められてきた。   In general, for example, a metal oxide is used as the transparent conductive film. Specifically, indium oxide doped with tin or zinc (ITO, IZO), zinc oxide doped with aluminum or gallium (AZO, GZO), Examples thereof include tin oxide (FTO, ATO) doped with fluorine or antimony. In general, the metal oxide transparent conductive film is produced by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method. However, since these film forming methods require a vacuum environment, the apparatus is large and complicated, and since a large amount of energy is consumed for film forming, it is necessary to develop a technology that can reduce the manufacturing cost and environmental load. It was done. On the other hand, as represented by a liquid crystal display and a touch display, an increase in the area of the transparent conductive film has been aimed at, and accordingly, demands for weight reduction and flexibility of the transparent conductive film have increased. Furthermore, in a large-area transparent electrode, the effect of the voltage drop of the transparent electrode becomes large, and further reduction in resistance has been demanded.

このような要請に対して、導電性微粒子を含有する液状材料を用いて塗布や印刷のような液相成膜法により透明導電膜を形成する方法が提案されている。   In response to such a demand, a method of forming a transparent conductive film by a liquid phase film forming method such as coating or printing using a liquid material containing conductive fine particles has been proposed.

しかしながら、従来の方法では、コーティング液を塗布し乾燥して塗膜を形成後、高導電率の導電性被膜を作製するためには、200℃以上の加熱処理を施す必要があった。樹脂をはじめとする高分子材料をこのような高温にさらすと、変形や溶融、劣化等の損傷を受けることから、プラスチックフィルムのような樹脂基材上に透明導電膜を形成する場合には適用できない。   However, in the conventional method, after forming a coating film by applying a coating liquid and drying, it is necessary to perform a heat treatment at 200 ° C. or higher in order to produce a conductive film having a high conductivity. When polymer materials such as resins are exposed to such high temperatures, they are damaged by deformation, melting, deterioration, etc., so it is applicable when forming a transparent conductive film on a resin substrate such as a plastic film. Can not.

金属酸化物に比べ、Ag、Cu、Au等の金属材料の導電率は2桁以上高く、導電性の観点では好ましいが、透明性を確保できないという問題があった。これに対して、均質な金の超薄膜を形成することにより導電性と透明性を両立できることが報告されている。しかし、均質な金の超薄膜を形成するには、デュアルイオンビームスパッタ法という特殊な真空成膜法が必要であり、製造コストや環境負荷の軽減は実現できない。   Compared to metal oxides, the conductivity of metal materials such as Ag, Cu, and Au is two orders of magnitude higher, which is preferable from the viewpoint of conductivity, but has a problem that transparency cannot be secured. On the other hand, it has been reported that both conductivity and transparency can be achieved by forming a uniform ultra-thin gold film. However, in order to form a uniform ultra-thin gold film, a special vacuum film forming method called a dual ion beam sputtering method is required, and reduction of manufacturing cost and environmental load cannot be realized.

また、液相成膜が可能な透明導電膜技術として、CNT(カーボンナノチューブ)や金属ナノワイヤを導電体として用いる方法(例えば、特許文献1、2参照)が提案されている。CNTや金属ナノワイヤのような導電性繊維を導体として用いる透明導電膜においては、導電性繊維間の電気的なネットワーク形成によって導電性が発現する。従って、理想的には全ての導電性繊維が他の導電性繊維と少なくとも2つ以上の接点を有して、空間的に広く分布してネットワークを形成している状態であることが、導電性と透明性を両立するために好ましい。しかし、導電性繊維のネットワーク形成を制御できないため、満足できる導電性を得ることが難しかった。   Further, as a transparent conductive film technology capable of liquid phase film formation, a method using CNT (carbon nanotube) or metal nanowire as a conductor (for example, see Patent Documents 1 and 2) has been proposed. In a transparent conductive film using conductive fibers such as CNTs or metal nanowires as a conductor, conductivity is exhibited by forming an electrical network between the conductive fibers. Therefore, ideally, all the conductive fibers have at least two or more contacts with other conductive fibers, and are in a state where they are widely distributed spatially to form a network. And transparency are preferable. However, it is difficult to obtain satisfactory conductivity because the network formation of the conductive fibers cannot be controlled.

一方、金属微粒子で形成した回路や塗膜に通電して導電性を改良することは知られている(例えば、特許文献3、4参照)。しかしながら、粒子接合界面でのロスは完全にはなくならないため、金属微粒子からなる塗膜では金属本来の導電性は発現できていない。さらに、面電極として面全体に導電性膜を形成すると透明性は得られないという問題があった。
特表2004−526838号公報 特表2004−526838号公報 特開平11−97849号公報 特開2004−79243号公報
On the other hand, it is known to improve electrical conductivity by energizing a circuit or coating film formed of metal fine particles (see, for example, Patent Documents 3 and 4). However, since the loss at the particle bonding interface is not completely eliminated, the inherent conductivity of the metal cannot be expressed in the coating film made of metal fine particles. Further, when a conductive film is formed on the entire surface as a surface electrode, there is a problem that transparency cannot be obtained.
Japanese translation of PCT publication No. 2004-526838 Japanese translation of PCT publication No. 2004-526838 JP 11-97849 A JP 2004-79243 A

本発明の目的は、高い導電性と良好な透明性を併せ持ち、液相製膜により容易に製造できる透明導電膜を提供することにあり、さらに、この透明導電膜を用いた透明導電性フィルム、さらには大面積においても電極での電圧降下が抑えられたフレキシブル透明面電極を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a transparent conductive film that has both high conductivity and good transparency and can be easily produced by liquid phase film formation. Further, a transparent conductive film using the transparent conductive film, Furthermore, it is providing the flexible transparent surface electrode by which the voltage drop in an electrode was suppressed also in a large area.

本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。   The above object of the present invention is achieved by the following configurations.

1.少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜において、通電処理により少なくとも一部の該金属ナノワイヤ同士が接合されていることを特徴とする透明導電膜。   1. A transparent conductive film containing at least metal nanowires, wherein at least some of the metal nanowires are bonded to each other by energization treatment.

2.さらに金属微粒子を含有し、通電処理により少なくとも一部の金属ナノワイヤが該金属微粒子を介して接合されていることを特徴とする前記1記載の透明導電膜。   2. 2. The transparent conductive film according to 1 above, further comprising metal fine particles, wherein at least some of the metal nanowires are bonded via the metal fine particles by an energization treatment.

3.前記通電処理がパルス電流通電処理であることを特徴とする前記1または2記載の透明導電膜。   3. 3. The transparent conductive film according to 1 or 2, wherein the energization process is a pulse current energization process.

4.透明樹脂フィルム上に、前記1〜3のいずれか1項記載の透明導電膜を有することを特徴とする透明導電性フィルム。   4). The transparent conductive film which has a transparent conductive film of any one of said 1-3 on a transparent resin film.

5.透明導電膜上に、さらに導電性高分子または導電性微粒子含有層が積層されていることを特徴とする前記4記載の透明導電性フィルム。   5). 5. The transparent conductive film as described in 4 above, wherein a conductive polymer or a conductive fine particle-containing layer is further laminated on the transparent conductive film.

6.前記4または5記載の透明導電性フィルムを用いることを特徴とするフレキシブル透明面電極。   6). 6. The transparent transparent electrode according to claim 4, wherein the transparent conductive film is used.

本発明によれば、高い導電性と良好な透明性を併せ持ち、液相製膜により容易に製造できる透明導電膜、さらに、この透明導電膜を用いた透明導電性フィルム、さらには大面積においても電極での電圧降下が抑えられたフレキシブル透明面電極を提供することができる。   According to the present invention, a transparent conductive film that has both high conductivity and good transparency and can be easily manufactured by liquid phase film formation, a transparent conductive film using this transparent conductive film, and even a large area A flexible transparent electrode in which a voltage drop at the electrode is suppressed can be provided.

本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜において、通電処理により少なくとも一部の該金属ナノワイヤ同士が接合されている透明導電膜により、高い導電性と良好な透明性を併せ持ち、液相製膜により容易に製造できる透明導電膜が得られることを見出し、本発明に至った。   As a result of intensive studies in view of the above problems, the present inventor has found that a transparent conductive film containing at least metal nanowires has a high conductivity by virtue of a transparent conductive film in which at least some of the metal nanowires are joined by an energization process. Thus, the inventors have found that a transparent conductive film having both properties and good transparency and can be easily produced by liquid phase film formation is obtained, and the present invention has been achieved.

本発明の透明導電膜は、通電処理によって、少なくとも一部の金属ナノワイヤ同士が直接、あるいは金属微粒子を介して金属ナノワイヤが接合していることを特徴とする透明導電膜である。本発明によれば、バルク金属に近い導電性をもった導電性パスが形成できることから、高い透明性と導電性を持った透明導電膜を形成することが可能となる。   The transparent conductive film of the present invention is a transparent conductive film characterized in that at least some of the metal nanowires are joined directly or via metal fine particles by energization treatment. According to the present invention, since a conductive path having conductivity close to that of a bulk metal can be formed, a transparent conductive film having high transparency and conductivity can be formed.

なお、本願において「接合している」とは、金属ナノワイヤや金属微粒子が融着して、電気的に一つの連続体と看做せる状態を意味する。単に接触している場合には、接触抵抗による導電性のロスが発生するが、接合体の場合にはその影響がないため導電性を向上できる。   In the present application, “bonded” means a state in which metal nanowires or metal fine particles are fused and can be regarded as one continuous body electrically. In the case of simple contact, a loss of conductivity due to contact resistance occurs, but in the case of a joined body, there is no influence, so that the conductivity can be improved.

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態等について詳細な説明をする。   Hereinafter, the present invention, its components, and the best mode for carrying out the present invention will be described in detail.

〔金属ナノワイヤ〕
本発明の透明導電膜において、金属ナノワイヤは主要な導電体として機能する。本発明では、金属ナノワイヤの金属元素として、バルク状態での導電率が1×106S/m以上の元素を用いることができる。本発明で好ましく用いることができる金属ナノワイヤの金属元素の具体例としては、Ag、Cu、Au、Al、Rh、Ir、Co、Zn、Ni、In、Fe、Pd、Pt、Sn、Ti等を挙げることができる。本発明においては2種類以上の金属ナノワイヤを組み合わせて用いることもできるが、導電性の観点から、少なくともAg、Cu、Au、Al、Coより選択される元素を用いることが好ましい。
[Metal nanowires]
In the transparent conductive film of the present invention, the metal nanowire functions as a main conductor. In the present invention, an element having a conductivity in a bulk state of 1 × 10 6 S / m or more can be used as the metal element of the metal nanowire. Specific examples of metal elements of the metal nanowire that can be preferably used in the present invention include Ag, Cu, Au, Al, Rh, Ir, Co, Zn, Ni, In, Fe, Pd, Pt, Sn, Ti, and the like. Can be mentioned. In the present invention, two or more kinds of metal nanowires can be used in combination, but from the viewpoint of conductivity, it is preferable to use at least an element selected from Ag, Cu, Au, Al, and Co.

本発明において、金属ナノワイヤの製造手段には特に制限はなく、例えば、液相法や気相法等の公知の手段を用いることができる。また、具体的な製造方法にも特に制限はなく、公知の製造方法を用いることができる。例えば、Agナノワイヤの製造方法としては、Adv.Mater.,2002,14,833〜837;Chem.Mater.,2002,14,4736〜4745等、Auナノワイヤの製造方法としては特開2006−233252号公報等、Cuナノワイヤの製造方法としては特開2002−266007号公報等、Coナノワイヤの製造方法としては特開2004−149871号公報等を参考にすることができる。特に、上述した、Adv.Mater.及びChem.Mater.で報告されたAgナノワイヤの製造方法は、水系で簡便にかつ大量に銀ナノワイヤを製造することができ、また銀の導電率は金属中で最大であることから、本発明に関わる金属ナノワイヤの製造方法として好ましく適用することができる。   In the present invention, the means for producing the metal nanowire is not particularly limited, and for example, known means such as a liquid phase method and a gas phase method can be used. Moreover, there is no restriction | limiting in particular in a specific manufacturing method, A well-known manufacturing method can be used. For example, as a method for producing Ag nanowires, Adv. Mater. , 2002, 14, 833-837; Chem. Mater. , 2002, 14, 4736-4745, etc. As a method for producing Co nanowires, a method for producing Au nanowires is disclosed in JP 2006-233252A, and a method for producing Cu nanowires is disclosed in JP 2002-266007 A, etc. Reference can be made to Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-149871. In particular, Adv. Mater. And Chem. Mater. The method for producing Ag nanowires reported in 1 can produce silver nanowires easily and in large quantities in an aqueous system, and the conductivity of silver is the largest among metals, so that the production of metal nanowires according to the present invention is possible. It can be preferably applied as a method.

本発明において金属ナノワイヤの平均直径は、透明性の観点から200nm以下であることが好ましく、導電性の観点から10nm以上であることが好ましい。平均直径が200nm以下であれば光散乱の影響を軽減でき、平均直径がより小さい方が光透過率低下やヘイズ劣化を抑制することができるため好ましい。一方で、平均直径が10nm以上であれば導電体としての機能を有意に発現でき、平均直径がより大きい方が導電性が向上するため好ましい。従って、より好ましくは20〜150nmであり、40〜150nmであることがさらに好ましい。   In the present invention, the average diameter of the metal nanowires is preferably 200 nm or less from the viewpoint of transparency, and preferably 10 nm or more from the viewpoint of conductivity. If the average diameter is 200 nm or less, the influence of light scattering can be reduced, and a smaller average diameter is preferable because light transmittance reduction and haze deterioration can be suppressed. On the other hand, if the average diameter is 10 nm or more, the function as a conductor can be expressed significantly, and a larger average diameter is preferable because conductivity is improved. Therefore, it is more preferably 20 to 150 nm, and further preferably 40 to 150 nm.

本発明において金属ナノワイヤの平均長さは、導電性の観点から1μm以上であることが好ましく、凝集による透明性への影響から100μm以下であることが好ましい。より好ましくは1〜50μmであり、3〜50μmであることがさらに好ましい。   In the present invention, the average length of the metal nanowires is preferably 1 μm or more from the viewpoint of conductivity, and preferably 100 μm or less from the viewpoint of the effect on the transparency due to aggregation. More preferably, it is 1-50 micrometers, and it is still more preferable that it is 3-50 micrometers.

本発明において上記金属ナノワイヤの平均直径及び平均長さは、SEMやTEMを用いて十分な数のナノワイヤについて電子顕微鏡写真を撮影し、個々のナノワイヤ像の計測値の算術平均から求めることができる。ナノワイヤの長さは、本来直線状に伸ばした状態で求めるべきであるが、現実には屈曲している場合が多いため、電子顕微鏡写真から画像解析装置を用いてナノワイヤの投影径及び投影面積を算出し、円柱体を仮定して算出する(長さ=投影面積/投影径)ものとする。計測対象のナノワイヤ数は、少なくとも100個以上が好ましく、300個以上のナノワイヤを計測するのがさらに好ましい。   In the present invention, the average diameter and average length of the metal nanowires can be obtained from the arithmetic average of the measured values of individual nanowire images by taking electron micrographs of a sufficient number of nanowires using SEM or TEM. The length of the nanowire should be calculated in a straight line, but in reality, it is often bent, so the projection diameter and projected area of the nanowire can be determined from an electron micrograph using an image analyzer. The calculation is performed assuming a cylindrical body (length = projected area / projected diameter). The number of nanowires to be measured is preferably at least 100 or more, and more preferably 300 or more nanowires.

〔金属微粒子〕
少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子を含有する透明導電膜において、金属微粒子は、金属ナノワイヤの隙間に入り込んだり表面に付着したりしており、ここに通電処理することで金属ナノワイヤだけのときに比べてはるかに多くのパスを形成できる。
[Metal fine particles]
In a transparent conductive film containing at least metal nanowires and metal fine particles, the metal fine particles have entered the gaps between the metal nanowires or adhered to the surface. Many paths can be formed.

本発明では、金属微粒子の金属元素として、バルク状態での導電率が1×106S/m以上の元素を用いることができる。本発明で好ましく用いることができる金属微粒子の金属元素として具体例としては、Ag、Cu、Au、Al、Rh、Ir、Co、Zn、Ni、In、Fe、Pd、Pt、Sn、Ti等を挙げることができる。また、これらの合金であってもよい。本発明においては2種類以上の金属微粒子を組み合わせて用いることもできるが、導電性と接合操作の観点から、少なくともAg、Cu、Auより選択される元素を含んだ粒子を用いることが好ましい。 In the present invention, an element having a bulk conductivity of 1 × 10 6 S / m or more can be used as the metal element of the metal fine particles. Specific examples of metal elements of the fine metal particles that can be preferably used in the present invention include Ag, Cu, Au, Al, Rh, Ir, Co, Zn, Ni, In, Fe, Pd, Pt, Sn, Ti, and the like. Can be mentioned. Moreover, these alloys may be sufficient. In the present invention, two or more kinds of metal fine particles can be used in combination, but from the viewpoint of conductivity and bonding operation, it is preferable to use particles containing at least an element selected from Ag, Cu, and Au.

本発明において金属微粒子の製造手段には特に制限はなく、例えば、液相法や気相法等の公知の方法を用いて製造することができる。液相法としては、例えば液相還元法やアルコキシド法、逆ミセル法、ホットソープ法、水熱反応法のような化学的液相法や、噴霧乾燥法のような物理的液相法等を用いることができる。気相法としては、例えば一般的な化学気相析出法(CVD法)や物理気相析出法(PVD)等を用いることができる。また、具体的な製造方法にも特に制限はなく、公知の製造方法を用いることができる。例えば、Ag、Rh、Pd、Pt微粒子の製造方法としては、J.Phys.Chem.,B205,109,16326〜16331、Au微粒子の製造方法としては、Nature(London)Phys.Sci.,241,20(1973);J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,1994,801、Cu微粒子の製造方法としては、特開2005−281781号公報等を参考にすることができる。   In the present invention, the means for producing metal fine particles is not particularly limited, and can be produced by using a known method such as a liquid phase method or a gas phase method. Examples of the liquid phase method include a liquid phase reduction method, an alkoxide method, a reverse micelle method, a hot soap method, a chemical liquid phase method such as a hydrothermal reaction method, and a physical liquid phase method such as a spray drying method. Can be used. As the vapor phase method, for example, a general chemical vapor deposition method (CVD method), a physical vapor deposition method (PVD), or the like can be used. Moreover, there is no restriction | limiting in particular in a specific manufacturing method, A well-known manufacturing method can be used. For example, as a method for producing Ag, Rh, Pd, and Pt fine particles, J.A. Phys. Chem. , B205, 109, 16326-16331, and methods for producing Au fine particles include Nature (London) Phys. Sci. , 241, 20 (1973); Chem. Soc. , Chem. Commun. 1994, 801, as a method for producing Cu fine particles, reference can be made to JP-A-2005-281781.

本発明において金属微粒子の平均粒径としては、2〜500nmが好ましく、5〜100nmがより好ましく、10〜80nmが特に好ましい。有効に導電パスを形成するのには多数の粒子を使用することが有効だが、500nmを超える粒子では多数使用すると透過性が著しく劣化する。粒径が100nm以下であれば、光散乱の影響を軽減でき、光透過率低下やヘイズ劣化を抑制することができため好ましい。一方で、安定性の観点から2nmより大きいことが好ましく、さらに導電性の観点から5nmより大きいことが好ましく、10nm以上であることがより好ましい。   In the present invention, the average particle diameter of the metal fine particles is preferably 2 to 500 nm, more preferably 5 to 100 nm, and particularly preferably 10 to 80 nm. Although it is effective to use a large number of particles to effectively form a conductive path, if a large number of particles exceeding 500 nm are used, the permeability is remarkably deteriorated. A particle size of 100 nm or less is preferable because the influence of light scattering can be reduced, and a decrease in light transmittance and haze deterioration can be suppressed. On the other hand, it is preferably larger than 2 nm from the viewpoint of stability, more preferably larger than 5 nm from the viewpoint of conductivity, and more preferably 10 nm or more.

本発明において、上記金属微粒子の平均粒径は、SEMやTEMを用いて十分な数の微粒子について電子顕微鏡写真を撮影し、個々の微粒子像の計測値の算術平均から求めることができる。なお、平均粒径は、電子顕微鏡写真から画像解析装置を用いて微粒子の投影面積を算出し、その値と等価な面積を有する円の直径として求めるものとする。計測対象の金属微粒子数は、少なくとも100個以上が好ましく、300個以上の金属微粒子を計測するのがさらに好ましい。   In the present invention, the average particle diameter of the metal fine particles can be obtained from an arithmetic average of measured values of individual fine particle images obtained by taking an electron micrograph of a sufficient number of fine particles using SEM or TEM. Note that the average particle diameter is obtained as the diameter of a circle having an area equivalent to the calculated area of the fine particles calculated from an electron micrograph using an image analyzer. The number of metal fine particles to be measured is preferably at least 100 or more, and more preferably 300 or more metal fine particles are measured.

金属ナノワイヤに対する金属微粒子の比率は、特に制限はないが、質量%で金属ナノワイヤよりも金属微粒子の量が多くなると透明性が著しく劣ったものとなるため、金属ナノワイヤの質量%よりも少ないことが好ましく、この領域においては、透明性と導電性のどちらを優先させるかで比率を適宜決めることができる。透明性を優先する場合は、金属微粒子の比率は金属ナノワイヤの質量%の1/10以下であることが好ましく、1/100以下であることがより好ましい。   The ratio of the metal fine particles to the metal nanowires is not particularly limited, but if the amount of metal fine particles is larger than that of the metal nanowires by mass%, the transparency is remarkably inferior, and may be less than the mass% of the metal nanowires. Preferably, in this region, the ratio can be determined as appropriate depending on which of transparency and conductivity is prioritized. When priority is given to transparency, the ratio of the metal fine particles is preferably 1/10 or less of the mass% of the metal nanowires, and more preferably 1/100 or less.

〔通電処理〕
本発明においては、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子を含有する透明導電膜に通電処理をすることで、金属ナノワイヤ間、あるいは、金属ナノワイヤと金属微粒子間を接合させるが、通電の方法としては特に限定されない。電気的刺激を加える方法であれば公知の方法を用いることができる。例えば、少なくとも金属ナノワイヤを含有する塗布膜、あるいは、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子を含有する塗布膜を作製して、塗布膜の両端に電源端子を接続し通電する方法等を挙げることができる。また、通電する電流としては特に限定されず、例えば、直流、交流、誘導電流、パルス電流通電等を挙げることができるが、パルス電流通電であれば、通電による金属ナノワイヤ間や、金属微粒子と金属ナノワイヤ間の接触抵抗による発熱での融着だけでなく、金属ナノワイヤ間や、金属微粒子と金属ナノワイヤ間でプラズマ放電が繰り返し発生して、表面の酸化膜や付着物を除去し、活性な状態となっていわゆる溶接された状態にできることから、最も好ましく用いることができる。通電による昇温も100℃以下に抑えられ、プラスチックフィルムのような樹脂基材上の透明導電膜にも適用できる。
[Energizing treatment]
In the present invention, the conductive film containing at least metal nanowires or the transparent conductive film containing at least metal nanowires and fine metal particles is energized to bond between the metal nanowires or between the metal nanowires and the metal fine particles. However, the energization method is not particularly limited. Any known method can be used as long as an electrical stimulus is applied. For example, a coating film containing at least metal nanowires, or a coating film containing at least metal nanowires and metal fine particles, and a method in which a power supply terminal is connected to both ends of the coating film and energized can be exemplified. In addition, the current to be energized is not particularly limited, and examples thereof include direct current, alternating current, induction current, pulse current energization, and the like. In addition to fusing due to heat generation due to contact resistance between nanowires, plasma discharge repeatedly occurs between metal nanowires or between metal fine particles and metal nanowires, removing the oxide film and deposits on the surface, and active state Since it can be in a so-called welded state, it can be most preferably used. The temperature rise by energization is also suppressed to 100 ° C. or less, and it can be applied to a transparent conductive film on a resin substrate such as a plastic film.

パルス電流通電処理を施す場合、印加するパルス電流の最適条件としては、電流密度が1〜2000A/cm2、パルス幅が0.01〜1000msの条件が良好に用いられる。電流密度が1A/cm2より低いと、溶接されずに金属粉末間の界面に存在する酸化膜や樹脂の除去が難しく、また2000A/cm2を越えると、部分的に発熱が起こり樹脂基板を傷める場合がある。また、望ましくは、1パルスの通電時間3秒以下がよい。なお、望ましくは、このパルス電流の印加は、5秒〜5分間、特に10秒〜1分間が望ましい。 In the case of applying the pulse current energization process, as the optimum conditions for the pulse current to be applied, a condition with a current density of 1 to 2000 A / cm 2 and a pulse width of 0.01 to 1000 ms is preferably used. The current density is less than 1A / cm 2, the removal of the oxide film and resin present in the interface between the metal powder without being welded is difficult, also exceeds 2000A / cm 2, the resin substrate takes place partially heating It may be hurt. Desirably, the energization time of one pulse is 3 seconds or less. Desirably, the pulse current is applied for 5 seconds to 5 minutes, particularly 10 seconds to 1 minute.

また、パルス電流は矩形波であることが望ましい。正弦波等も用いられるが、矩形波が最も効果的である。また、パルス電流は直流パルスであることが望ましい。それは、正弦波よりも矩形波の方が、粒子間の放電が起こりやすく、表面の清浄効果が高く、パルス電流は交流よりも直流の方が一旦清浄された粒子表面に汚れ等が付着しにくいためである。   The pulse current is preferably a rectangular wave. A sine wave or the like is also used, but a rectangular wave is most effective. The pulse current is preferably a direct current pulse. The rectangular wave is more likely to cause discharge between particles than the sine wave, and the surface cleaning effect is higher, and the direct current of the pulse current is less likely to adhere to the cleaned particle surface than the alternating current. Because.

上記パルス電流の印加の後に、導電膜に通電により加熱処理を施すことにより、さらに低抵抗化と結合力向上による透明導電膜の強度アップを図ることもできる。通電処理は、電流密度1〜4000A/cm2の直流、交流でもよい。 By applying heat treatment to the conductive film by applying current after the pulse current is applied, the resistance of the transparent conductive film can be further increased by lowering the resistance and improving the bonding force. The energization process may be a direct current or an alternating current having a current density of 1 to 4000 A / cm 2 .

また、この通電加熱は、前述したパルス電流の印加と同時に行うこともできる。具体的には、直流のパルス電流と直流電流とを合わせた波形、つまり直流電流波形の上部が矩形波となった電流を印加すると、通電加熱による作用とパルス電流印加による放電溶接作用とを同時に付加することができる。   Further, this energization heating can be performed simultaneously with the application of the pulse current described above. Specifically, when a waveform in which a DC pulse current and a DC current are combined, that is, a current in which the upper portion of the DC current waveform is a rectangular wave, is applied, the action of current heating and the discharge welding action by the application of the pulse current are simultaneously performed. Can be added.

本発明においては、通電処理の前後で金属微粒子の形状が変化する場合があり、金属ナノワイヤや金属微粒子の粒径や材質、接合操作時の様々な条件等によって多様な接合状態を形成することができる。例えば、本発明において「少なくとも一部の金属ナノワイヤが金属微粒子を介して接合されている」状態とは、
a)少なくとも1つの金属微粒子が、処理前の金属微粒子の形状をほとんど保持したままで、2つ以上の金属ナノワイヤに接合している状態、
b)少なくとも1つの金属微粒子が、処理前の金属微粒子とは大きく形状を変えて2つ以上の金属ナノワイヤに接合している状態、
c)複数の金属微粒子が、紐状に連なって2つ以上の金属ナノワイヤに接合している状態や、
d)複数の金属微粒子が、凝集した状態で2つ以上の金属ナノワイヤに接合している状態等をいう。
In the present invention, the shape of the metal fine particles may change before and after the energization treatment, and various bonding states can be formed depending on the particle size and material of the metal nanowires and metal fine particles, various conditions during the bonding operation, and the like. it can. For example, in the present invention, “at least a part of the metal nanowires are bonded via metal fine particles”
a) a state in which at least one metal fine particle is bonded to two or more metal nanowires while maintaining almost the shape of the metal fine particle before treatment;
b) A state in which at least one metal fine particle is joined to two or more metal nanowires in a greatly different shape from the metal fine particle before treatment,
c) A state in which a plurality of metal fine particles are joined in a string shape and bonded to two or more metal nanowires,
d) A state in which a plurality of metal fine particles are bonded to two or more metal nanowires in an aggregated state.

本発明において、透明導電膜における金属ナノワイヤと金属微粒子の換算膜厚は、導電性と透明性の関係から5〜100nmであることが好ましく、10〜80nmであることがより好ましい。ここで換算膜厚とは、透明導電素子単位面積当たりの金属ナノワイヤ及び金属微粒子の平均質量と等しい質量を有する均一な金属膜の厚みを意味する。   In the present invention, the equivalent film thickness of the metal nanowires and the metal fine particles in the transparent conductive film is preferably 5 to 100 nm, more preferably 10 to 80 nm, from the relationship between conductivity and transparency. Here, the equivalent film thickness means the thickness of a uniform metal film having a mass equal to the average mass of the metal nanowires and metal fine particles per unit area of the transparent conductive element.

〔透明樹脂〕
また、本発明の透明導電膜は、金属ナノワイヤと金属微粒子の他に、透明樹脂を含有してもよい。透明樹脂としては、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリルウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、セルロース系樹脂、ブチラール系樹脂等を単独あるいは複数併用して用いることができる。これらは、少なくとも金属ナノワイヤを含有する塗布液や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子を含有する塗布液等に含有させて塗布膜とすることもできるが、別の塗布液として準備してオーバーコートしてもよい。塗布量としては金属ナノワイヤが完全には埋もれてしまわない量であることが好ましい。
[Transparent resin]
The transparent conductive film of the present invention may contain a transparent resin in addition to the metal nanowires and the metal fine particles. As the transparent resin, a polyester resin, a polystyrene resin, an acrylic resin, a polyurethane resin, an acrylic urethane resin, a polycarbonate resin, a cellulose resin, a butyral resin, or the like can be used alone or in combination. These can be included in a coating solution containing at least metal nanowires, or a coating solution containing at least metal nanowires and metal fine particles, etc., but can be prepared as another coating solution and overcoated. Also good. The coating amount is preferably an amount that does not completely bury the metal nanowires.

〔導電性高分子化合物〕
本発明の透明導電膜は、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子とを含む透明導電膜の他に、導電性高分子化合物や導電性微粒子含有層を積層してもよい。これは、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子とを含む透明導電膜のどちらの側に設けてもよいが、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子とを含む透明導電膜の少なくとも一部が、導電性高分子化合物あるいは導電性微粒子含有層と重なっていることがより好ましい。例えば、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子とを含む透明導電膜上に、導電性高分子化合物や導電性微粒子含有塗布液をオーバーコートすることにより形成できる。前述のように透明樹脂を金属ナノワイヤが完全には埋もれてしまわない量含んだ金属ナノワイヤと金属微粒子とを含む透明導電膜上に、導電性高分子化合物や導電性微粒子含有塗布液を金属ナノワイヤが完全に埋もれる量オーバーコートすれば、導電性高分子化合物や導電性微粒子含有層による透明性の低下を最低限に収めつつ、かつ、表面を平坦化できるのでより好ましい形態となる。
[Conductive polymer compound]
The transparent conductive film of the present invention is formed by laminating a conductive polymer compound or a conductive fine particle-containing layer in addition to a transparent conductive film containing at least metal nanowires or a transparent conductive film containing at least metal nanowires and metal fine particles. Also good. This may be provided on either side of the transparent conductive film containing at least metal nanowires or the transparent conductive film containing at least metal nanowires and metal fine particles, but at least the transparent conductive film containing metal nanowires or at least metal More preferably, at least part of the transparent conductive film containing nanowires and metal fine particles overlaps with the conductive polymer compound or the conductive fine particle-containing layer. For example, it can be formed by overcoating a conductive polymer compound or a coating solution containing conductive fine particles on a transparent conductive film containing at least metal nanowires or a transparent conductive film containing at least metal nanowires and metal fine particles. As described above, the conductive polymer compound or the conductive fine particle-containing coating solution is applied to the metal nanowire on the transparent conductive film including the metal nanowire and the metal fine particles containing the transparent resin in an amount that the metal nanowire is not completely buried. Overcoating in an amount that can be completely buried provides a more preferable form because the surface can be flattened while minimizing the decrease in transparency due to the conductive polymer compound or the conductive fine particle-containing layer.

本発明に用いられる導電性高分子として、例えば、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリアズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリフェニルアセチレン、ポリジアセチレン及びポリナフタレンからなる群より選ばれる化合物を挙げることができる。これらの導電性高分子は、1種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the conductive polymer used in the present invention include polypyrrole, polyaniline, polythiophene, polythienylene vinylene, polyazulene, polyisothianaphthene, polycarbazole, polyacetylene, polyphenylene, polyphenylene vinylene, polyacene, polyphenylacetylene, polydiacetylene and Mention may be made of compounds selected from the group consisting of polynaphthalene. One type of these conductive polymers may be used alone, or two or more types may be used in combination.

本発明においては、上記導電性高分子の導電性をより高めるために、ドーピング処理を施すことができる。導電性高分子に対するドーパントとしては、例えば、炭素数が6〜30の炭化水素基を有するスルホン酸(以下「長鎖スルホン酸」ともいう。)あるいはその重合体(例えば、ポリスチレンスルホン酸)、ハロゲン、ルイス酸、プロトン酸、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、MClO4(M=Li+、Na+)、R4+(R=CH3、C49、C65)、またはR4+(R=CH3、C49、C65)からなる群から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。中でも、上記長鎖スルホン酸が好ましい。 In the present invention, a doping treatment can be performed in order to further increase the conductivity of the conductive polymer. As a dopant for the conductive polymer, for example, a sulfonic acid having a hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms (hereinafter also referred to as “long-chain sulfonic acid”) or a polymer thereof (for example, polystyrene sulfonic acid), halogen Lewis acid, proton acid, transition metal halide, transition metal compound, alkali metal, alkaline earth metal, MClO 4 (M = Li + , Na + ), R 4 N + (R = CH 3 , C 4 H 9 , C 6 H 5 ), or R 4 P + (R═CH 3 , C 4 H 9 , C 6 H 5 ). Of these, the long-chain sulfonic acid is preferable.

また、本発明の透明導電膜は、水溶性有機化合物を含有してもよい。水溶性有機化合物の中で、導電性高分子材料に添加することによって導電性を向上させる効果を有する化合物が知られており、2nd.ドーパント(あるいは増感剤)と称する場合がある。本発明で用いることができる2nd.ドーパントには特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、酸素含有化合物が好適に挙げられる。中でも、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、ジエチレングリコールから選ばれる少なくとも1種を用いることが特に好ましい。   Moreover, the transparent conductive film of the present invention may contain a water-soluble organic compound. Among water-soluble organic compounds, compounds having an effect of improving conductivity by adding to a conductive polymer material are known, and 2nd. Sometimes referred to as a dopant (or sensitizer). 2nd. Which can be used in the present invention. There is no restriction | limiting in particular in a dopant, It can select suitably from well-known things, For example, an oxygen containing compound is mentioned suitably. Among these, it is particularly preferable to use at least one selected from dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, and diethylene glycol.

導電性微粒子としては、透明性から無機半導体微粒子であることが好ましく、例えば、錫や亜鉛をドープした酸化インジウム(ITO、IZO)、アルミニウムやガリウムをドープした酸化亜鉛(AZO、GZO)、フッ素やアンチモンをドープした酸化錫(FTO、ATO)等の微粒子を挙げることができる。   The conductive fine particles are preferably inorganic semiconductor fine particles because of transparency. For example, indium oxide doped with tin or zinc (ITO, IZO), zinc oxide doped with aluminum or gallium (AZO, GZO), fluorine, Examples thereof include fine particles such as tin oxide (FTO, ATO) doped with antimony.

〔添加剤〕
本発明の、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子を含む透明導電膜においてには、目的に応じて、可塑剤、酸化防止剤等の安定剤、マイグレーション防止剤、界面活性剤、分散剤、染料や顔料等の着色剤等の添加物を含んでいてもよい。
〔Additive〕
In the transparent conductive film containing at least metal nanowires and the transparent conductive film containing at least metal nanowires and metal fine particles of the present invention, depending on the purpose, stabilizers such as plasticizers, antioxidants, migration inhibitors, Additives such as surfactants, dispersants, colorants such as dyes and pigments may be included.

〔疎水化処理〕
本発明においては、水系にて製造した金属ナノワイヤや金属ナノ粒子を、必要に応じて疎水化処理することができる。例えば、金属ナノワイヤを疎水化処理する方法としては、特開2007−500606号公報等を参考にできる。金属ナノ粒子を疎水化する方法としては、特開2006−299329号公報等を参考にできる。
[Hydrophobic treatment]
In the present invention, metal nanowires and metal nanoparticles produced in an aqueous system can be hydrophobized as necessary. For example, as a method for hydrophobizing metal nanowires, JP 2007-500606 A can be referred to. JP, 2006-299329, A, etc. can be referred as a method of hydrophobizing metal nanoparticles.

〔液相成膜法〕
本発明の、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子を含む透明導電膜を形成する方法としては、高生産性と生産コスト低減の両立、及び環境負荷軽減の観点から、塗布法や印刷法等の液相成膜法を用いて基材上に形成する方法が好ましい。塗布法としては、ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法等を用いることができる。印刷法としては、凸版(活版)印刷法、孔版(スクリーン)印刷法、平版(オフセット)印刷法、凹版(グラビア)印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法等を用いることができる。
[Liquid phase deposition]
As a method of forming a transparent conductive film containing at least metal nanowires or a transparent conductive film containing at least metal nanowires and metal fine particles according to the present invention, both high productivity and reduction in production cost and environmental load reduction are considered. A method of forming on a substrate using a liquid phase film forming method such as a coating method or a printing method is preferable. As coating methods, roll coating method, bar coating method, dip coating method, spin coating method, casting method, die coating method, blade coating method, bar coating method, gravure coating method, curtain coating method, spray coating method, doctor coating method Etc. can be used. As a printing method, a letterpress (letter) printing method, a stencil (screen) printing method, a lithographic (offset) printing method, an intaglio (gravure) printing method, a spray printing method, an ink jet printing method, or the like can be used.

液相成膜法で本発明に係る透明導電膜を形成した後、適宜乾燥処理を施すことができる。乾燥処理の条件として特に制限はないが、透明樹脂フィルムや透明導電層が損傷しない範囲の温度で処理することが好ましい。また、透明導電膜を形成した後、いずれかのタイミングで、必要に応じて加圧または加圧加熱処理処理を施すこともできる。これにより、より高い導電性を得たり、表面の平滑化が可能となる。加圧に際しては、プレート上でプレートで加圧する面/面加圧や、ロールとロールの間に基材フィルムを通過させながら加圧させるニップロール加圧、プレート上をロールで加圧する組み合わせた加圧を採用することができる。また、加圧に際して加熱すると効果的になるので、40〜300℃の範囲で加熱することが好ましい。特に透明樹脂を併用する場合は透明樹脂のTg以上に加熱することが好ましい。加熱時間は温度との関係で調節し、高い温度では短く、低温では長くというようにすることができる。加熱の方法は、ニップロールの場合には、ロールを予め所定の温度に加熱しておく方法やオートクレーブ室のような加熱室内で加熱する方法がある。   After forming the transparent conductive film according to the present invention by a liquid phase film forming method, a drying process can be appropriately performed. Although there is no restriction | limiting in particular as conditions of a drying process, It is preferable to process at the temperature of the range which does not damage a transparent resin film or a transparent conductive layer. Moreover, after forming a transparent conductive film, a pressurization or pressurization heat processing can also be performed as needed at any timing. Thereby, higher conductivity can be obtained and the surface can be smoothed. In pressurizing, the surface is pressed on the plate with the plate, the nip roll pressurizing while the base film is passed between the rolls, and the combined pressurizing with the rolls on the plate Can be adopted. Moreover, since it becomes effective when it heats at the time of pressurization, it is preferable to heat in the range of 40-300 degreeC. In particular, when a transparent resin is used in combination, it is preferable to heat to a Tg or higher of the transparent resin. The heating time is adjusted in relation to the temperature, and can be short at a high temperature and long at a low temperature. In the case of a nip roll, the heating method includes a method of heating the roll to a predetermined temperature in advance and a method of heating in a heating chamber such as an autoclave chamber.

〔透明導電性フィルム〕
本発明の、少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子とを含む透明導電膜を、透明樹脂フィルム(透明樹脂支持体)上に設けることにより透明導電性フィルムとすることができる。少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜や、少なくとも金属ナノワイヤと金属微粒子を含む透明導電膜の基材として、透明樹脂フィルムを用いて直接透明樹脂フィルム上に設けてもよいし、別の基材上に作製した後に、透明樹脂フィルムに転写してもよい。
[Transparent conductive film]
A transparent conductive film containing at least metal nanowires or a transparent conductive film containing at least metal nanowires and fine metal particles according to the present invention is provided on a transparent resin film (transparent resin support). Can do. As a substrate of a transparent conductive film containing at least metal nanowires or a transparent conductive film containing at least metal nanowires and metal fine particles, a transparent resin film may be used directly on the transparent resin film, or on another substrate Then, it may be transferred to a transparent resin film.

本発明に用いられる透明樹脂フィルムには特に制限はなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることができるが、可視域の波長(380〜780nm)における透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することができる。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in the transparent resin film used for this invention, About the material, a shape, a structure, thickness, etc., it can select suitably from well-known things. For example, polyester resin films such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, modified polyester, polyethylene (PE) resin films, polypropylene (PP) resin films, polystyrene resin films, polyolefin resin films such as cyclic olefin resins, Vinyl resin films such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride, polyether ether ketone (PEEK) resin film, polysulfone (PSF) resin film, polyether sulfone (PES) resin film, polycarbonate (PC) resin film, polyamide resin A film, a polyimide resin film, an acrylic resin film, a triacetyl cellulose (TAC) resin film, and the like can be given. If the resin film transmittance of 80% or more in nm), can be preferably applied to a transparent resin film according to the present invention. Among these, from the viewpoint of transparency, heat resistance, ease of handling, strength and cost, it is preferably a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, a biaxially stretched polyethylene naphthalate film, a polyethersulfone film, or a polycarbonate film, and biaxially stretched. More preferred are polyethylene terephthalate films and biaxially stretched polyethylene naphthalate films.

透明樹脂フィルムには、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることができる。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。透明樹脂フィルムが二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムである場合は、フィルムに隣接する易接着層の屈折率が1.57〜1.63とすることで、フィルム基材と易接着層との界面反射を低減して透過率を向上させることができるのでより好ましい。屈折率を調整する方法としては、酸化スズゾルや酸化セリウムゾル等の比較的屈折率の高い酸化物ゾルとバインダー樹脂との比率を適宜調整して塗設することで作製できる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。   In order to ensure the wettability and adhesiveness of the coating solution, the transparent resin film can be subjected to a surface treatment or an easy adhesion layer. A conventionally well-known technique can be used about a surface treatment or an easily bonding layer. For example, the surface treatment includes surface activation treatment such as corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet treatment, high frequency treatment, glow discharge treatment, active plasma treatment, and laser treatment. Examples of the easy adhesion layer include polyester, polyamide, polyurethane, vinyl copolymer, butadiene copolymer, acrylic copolymer, vinylidene copolymer, and epoxy copolymer. When the transparent resin film is a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, the refractive index of the easy-adhesion layer adjacent to the film is 1.57 to 1.63, so that the interface reflection between the film substrate and the easy-adhesion layer can be reduced. Since it can reduce and can improve the transmittance | permeability, it is more preferable. As a method for adjusting the refractive index, the refractive index can be prepared by appropriately adjusting the ratio of the oxide sol having a relatively high refractive index such as tin oxide sol or cerium oxide sol and the binder resin. The easy adhesion layer may be a single layer, but may be composed of two or more layers in order to improve adhesion.

本発明の透明導電性フィルムの全光線透過率は、60%以上、好ましくは70%以上、特に好ましくは80%以上であることが望ましい。全光透過率は、分光光度計やヘイズメーター等を用いた公知の方法に従って測定することができる。   The total light transmittance of the transparent conductive film of the present invention is 60% or more, preferably 70% or more, and particularly preferably 80% or more. The total light transmittance can be measured according to a known method using a spectrophotometer, a haze meter or the like.

本発明の透明導電性フィルムにおける電気抵抗値としては、表面抵抗率として104Ω/□以下であることが好ましく、103Ω/□以下であることがより好ましく、102Ω/□以下であることが特に好ましい。表面抵抗率は、例えば、JIS K6911、ASTM D257等に準拠して測定することができ、また市販の表面抵抗率計を用いて簡便に測定することができる。 The electrical resistance value in the transparent conductive film of the present invention is preferably 10 4 Ω / □ or less, more preferably 10 3 Ω / □ or less, and more preferably 10 2 Ω / □ or less as the surface resistivity. It is particularly preferred. The surface resistivity can be measured based on, for example, JIS K6911, ASTM D257, etc., and can be easily measured using a commercially available surface resistivity meter.

本発明の透明導電性フィルムは、下記の各種透明電極や電磁波シールドフィルムとして好ましく用いることができる。   The transparent conductive film of the present invention can be preferably used as the following various transparent electrodes and electromagnetic shielding films.

〔フレキシブル透明面電極〕
本発明の透明導電性フィルムは、フレキシブル透明面電極として好ましく使用でき、例えば、有機ELや無機ELディスプレイや照明、各種電子ペーパー、太陽電池等の透明電極として好ましく使用できる。特に、10cmやA4サイズ程度、あるいはそれ以上といった大きな面積の電極として使用する場合、従来のITOフィルム等では、給電からの距離が遠い部分では電極でのわずかな電圧降下が無視できなくなり悪影響が出る。一方、本発明のフレキシブル透明面電極では、低抵抗の金属ナノワイヤ部により給電から遠い部分にもほとんど電圧降下なく電流を供給できることから、本発明が特に有効となる。
[Flexible transparent electrode]
The transparent conductive film of this invention can be preferably used as a flexible transparent surface electrode, for example, can be preferably used as transparent electrodes, such as organic EL, an inorganic EL display, illumination, various electronic paper, a solar cell. In particular, when used as an electrode having a large area of about 10 cm, A4 size or more, with a conventional ITO film, a slight voltage drop at the electrode is not negligible at a portion far from the power supply, resulting in an adverse effect. . On the other hand, in the flexible transparent electrode of the present invention, the present invention is particularly effective because a low resistance metal nanowire portion can supply a current with little voltage drop to a portion far from the power supply.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量%」を表す。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "mass%" is represented.

実施例1
〔透明導電性フィルムの作製〕
(下引き済みPETフィルム)
100μmの二軸延伸PETフィルムの両面に12W・min/m2のコロナ放電処理を施し、それぞれの面に下引き塗布液B−1を乾燥膜厚0.1μmになるように塗布し、さらに、それぞれの面のB−1乾燥膜上に12W・min/m2のコロナ放電処理を施し、下引き塗布液B−2を乾燥膜厚0.2μmになるように塗布した。その後、120℃で1.5分の熱処理を実施し、下引き済みPETフィルムを得た。
Example 1
[Production of transparent conductive film]
(Underdrawn PET film)
Applying a corona discharge treatment of 12 W · min / m 2 on both sides of a 100 μm biaxially stretched PET film, applying an undercoating solution B-1 to each surface to a dry film thickness of 0.1 μm; The B-1 dry film on each surface was subjected to a corona discharge treatment of 12 W · min / m 2 , and the undercoat coating liquid B-2 was applied to a dry film thickness of 0.2 μm. Thereafter, a heat treatment was performed at 120 ° C. for 1.5 minutes to obtain an underdrawn PET film.

〈下引き塗布液B−1〉
スチレン20質量部、グリシジルメタクリレート40質量部、ブチルアクリレート40質量部の共重合体ラテックス液(固形分質量30%) 50g
SnO2ゾル(A) 440g
化合物(UL−1) 0.2g
水で仕上げる 1000ml
〈下引き塗布液B−2〉
変性ポリエステルA(固形分18%) 215g
化合物(UL−3) 0.4g
真球状シリカマット剤 シーホスターKE−P50(日本触媒社製) 0.3g
水で1000mlに仕上げる。
<Undercoat coating liquid B-1>
Copolymer latex liquid of 20 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate and 40 parts by mass of butyl acrylate (solid content: 30%) 50 g
SnO 2 sol (A) 440g
Compound (UL-1) 0.2g
Finish with water 1000ml
<Undercoat coating liquid B-2>
Modified polyester A (solid content 18%) 215 g
Compound (UL-3) 0.4g
True spherical silica matting agent Seahoster KE-P50 (Nippon Shokubai Co., Ltd.) 0.3g
Finish up to 1000 ml with water.

Figure 2009146576
Figure 2009146576

(SnO2ゾル(A)の合成)
SnCl4・5H2O 65gを蒸留水2000mlに溶解して均一溶液とし、次いでこれを煮沸し沈澱物を得た。生成した沈澱物をデカンテーションにより取り出し、蒸留水にて何度も水洗した。沈澱を水洗した蒸留水中に硝酸銀を滴下し、塩素イオンの反応がないことを確認後、洗浄した沈澱物に蒸留水を添加し全量を2000mlとした。これに30%アンモニア水40mlを加え加温することにより、均一なゾルを得た。さらに、アンモニア水を添加しながらSnO2の固型分濃度が8.3質量%になるまで加熱濃縮し、SnO2ゾル(A)を得た。
(Synthesis of SnO 2 sol (A))
65 g of SnCl 4 .5H 2 O was dissolved in 2000 ml of distilled water to obtain a homogeneous solution, which was then boiled to obtain a precipitate. The formed precipitate was taken out by decantation and washed with distilled water many times. Silver nitrate was added dropwise to distilled water in which the precipitate was washed, and after confirming that there was no reaction of chlorine ions, distilled water was added to the washed precipitate to make a total volume of 2000 ml. To this, 40 ml of 30% aqueous ammonia was added and heated to obtain a uniform sol. Further, while adding ammonia water, the solution was concentrated by heating until the solid content concentration of SnO 2 became 8.3% by mass to obtain SnO 2 sol (A).

〈変性水性ポリエステルAの合成〉
重縮合用反応容器に、テレフタル酸ジメチル35.4質量部、イソフタル酸ジメチル33.63質量部、5−スルホ−イソフタル酸ジメチルナトリウム塩17.92質量部、エチレングリコール62質量部、酢酸カルシウム一水塩0.065質量部、酢酸マンガン四水塩0.022質量部を投入し、窒素気流下において、170〜220℃でメタノールを留去しながらエステル交換反応を行った後、リン酸トリメチル0.04質量部、重縮合触媒とし三酸化アンチモン0.04質量部及び1,4−シクロヘキサンジカルボン酸6.8質量部を加え、220〜235℃で、ほぼ理論量の水を留去しエステル化を行った。その後、さらに反応系内を約1時間かけて減圧、昇温し最終的に280℃、133Pa以下で約1時間重縮合を行い、変性水性ポリエステルAの前駆体を得た。前駆体の固有粘度は0.33であった。
<Synthesis of modified aqueous polyester A>
In a reaction vessel for polycondensation, 35.4 parts by mass of dimethyl terephthalate, 33.63 parts by mass of dimethyl isophthalate, 17.92 parts by mass of 5-sulfo-isophthalic acid dimethyl sodium salt, 62 parts by mass of ethylene glycol, calcium acetate monohydrate 0.065 parts by mass of salt and 0.022 parts by mass of manganese acetate tetrahydrate were added, and the ester exchange reaction was performed while distilling off methanol at 170 to 220 ° C. in a nitrogen stream. 04 parts by mass, 0.04 parts by mass of antimony trioxide as a polycondensation catalyst and 6.8 parts by mass of 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid were added, and the theoretical amount of water was distilled off at 220 to 235 ° C. for esterification. went. Thereafter, the reaction system was further depressurized and heated for about 1 hour, and finally subjected to polycondensation at 280 ° C. and 133 Pa or less for about 1 hour to obtain a precursor of modified aqueous polyester A. The intrinsic viscosity of the precursor was 0.33.

攪拌翼、環流冷却管、温度計を付した2Lの三つ口フラスコに、純水850mlを入れ、攪拌翼を回転させながら、150gの上記前駆体を徐々に添加した。室温でこのまま30分間攪拌した後、1.5時間かけて内温が98℃になるように加熱し、この温度で3時間加熱溶解した。加熱終了後、1時間かけて室温まで冷却し、一夜放置して、固形分濃度が15質量%の溶液を調製した。   850 ml of pure water was put into a 2 L three-necked flask equipped with a stirring blade, a reflux condenser, and a thermometer, and 150 g of the precursor was gradually added while rotating the stirring blade. After stirring for 30 minutes at room temperature, the mixture was heated to an internal temperature of 98 ° C. over 1.5 hours, and heated and dissolved at this temperature for 3 hours. After completion of the heating, the mixture was cooled to room temperature over 1 hour and left overnight to prepare a solution having a solid content concentration of 15% by mass.

攪拌翼、環流冷却管、温度計、滴下ロートを付した3Lの四つ口フラスコに、上記前駆体溶液1900mlを入れ、攪拌翼を回転させながら、内温度を80℃まで加熱した。この中に、過硫酸アンモニウムの24%水溶液を6.52ml加え、単量体混合液(メタクリル酸グリシジル28.5g、アクリル酸エチル21.4g、メタクリル酸メチル21.4g)を30分間かけて滴下し、さらに3時間反応を続けた。その後、30℃以下まで冷却し、濾過して、固形分濃度が18質量%の変性水性ポリエステルAの溶液を調製した(ポリエステル成分/アクリル成分=80/20)。   1900 ml of the precursor solution was placed in a 3 L four-necked flask equipped with a stirring blade, a reflux condenser, a thermometer, and a dropping funnel, and the internal temperature was heated to 80 ° C. while rotating the stirring blade. To this, 6.52 ml of a 24% aqueous solution of ammonium persulfate was added, and a monomer mixture (28.5 g of glycidyl methacrylate, 21.4 g of ethyl acrylate, 21.4 g of methyl methacrylate) was dropped over 30 minutes. The reaction was continued for another 3 hours. Then, it cooled to 30 degrees C or less, and filtered, and prepared the solution of the modified aqueous polyester A whose solid content concentration is 18 mass% (polyester component / acrylic component = 80/20).

(透明導電フィルム101の作製)
Chem.Mater.,2002,14,4736〜4745に記載の方法を参考に、平均直径60nm、平均長さ5.5μmの銀ナノワイヤを作製し、フィルターを用いて銀ナノワイヤを濾別、水洗処理を施した後、エタノール中に再分散して銀ナノワイヤ分散液W−10(銀ナノワイヤ含有量0.5%)を調製した。
(Preparation of transparent conductive film 101)
Chem. Mater. , 2002, 14, 4736-4745, silver nanowires having an average diameter of 60 nm and an average length of 5.5 μm were prepared, and the silver nanowires were filtered using a filter, and washed with water. Silver nanowire dispersion liquid W-10 (silver nanowire content: 0.5%) was prepared by redispersion in ethanol.

また、J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,1994,801に記載の方法を参考に、平均粒径25nmの金微粒子を作製し、限外濾過膜を用いて金微粒子を濾別かつ水洗処理を施した後、エタノール中に再分散して金微粒子分散液G−10(金ナノ粒子含有量0.5%)を調製した。得られたW−10とG−10を、銀ナノワイヤと金微粒子の質量比が300:1の比率になるよう混合し、銀ナノワイヤと金微粒子の混合分散液M−10を調製した。   In addition, J.H. Chem. Soc. , Chem. Commun. , 1994, 801, the gold fine particles having an average particle diameter of 25 nm are prepared, and the gold fine particles are filtered and washed with an ultrafiltration membrane, and then redispersed in ethanol. A gold fine particle dispersion G-10 (gold nanoparticle content: 0.5%) was prepared. The obtained W-10 and G-10 were mixed so that the mass ratio of silver nanowires and gold fine particles was 300: 1 to prepare a mixed dispersion M-10 of silver nanowires and gold fine particles.

塗布液M−10を、前述の下引き済みPETフィルム上に換算膜厚が30nmになるように塗布した後、80℃にて乾燥処理した。続いて、ブチラール樹脂BM−S(積水化学社製)の溶液(メチルエチルケトン/トルエン=2/1の質量比の混合溶媒)を乾燥後の換算厚さが40nm相当になるように塗布した。   The coating liquid M-10 was applied on the above-described underdrawn PET film so that the equivalent film thickness was 30 nm, and then dried at 80 ° C. Subsequently, a solution of butyral resin BM-S (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) (a mixed solvent having a mass ratio of methyl ethyl ketone / toluene = 2/1) was applied so that the converted thickness after drying was equivalent to 40 nm.

このフィルムを10cm×12cmに切り出し、両側の10cm側の端部に5mmの幅で十分に銀ペーストを塗布し、この両側の端部を電源に接続して、1000A/cm2、パルス幅0.02secで30秒間パルス通電処理をして、本発明の透明導電性フィルム101を作製した。 This film was cut into 10 cm × 12 cm, and a silver paste was sufficiently applied to the end portions on both sides of the 10 cm side with a width of 5 mm. The end portions on both sides were connected to a power source, 1000 A / cm 2 , pulse width 0. The transparent conductive film 101 of the present invention was produced by applying a pulse current treatment at 02 seconds for 30 seconds.

(透明導電性フィルム102の作製)
透明導電性フィルム101の作製において、金微粒子分散液G−10を使用せず、銀ナノワイヤ分散液W−10のみを用いた以外は同様にして本発明の透明導電性フィルム102を作製した。
(Preparation of transparent conductive film 102)
In producing the transparent conductive film 101, the transparent conductive film 102 of the present invention was produced in the same manner except that only the silver nanowire dispersion W-10 was used without using the gold fine particle dispersion G-10.

(透明導電性フィルム103の作製)
透明導電性フィルム101の作製において、W−10とP−10を、銀ナノワイヤと金微粒子の質量比が100:1の比率になるよう混合した以外は同様にして本発明の透明導電性フィルム103を作製した。
(Preparation of transparent conductive film 103)
In the production of the transparent conductive film 101, the transparent conductive film 103 of the present invention was similarly prepared except that W-10 and P-10 were mixed so that the mass ratio of the silver nanowires to the gold fine particles was 100: 1. Was made.

(透明導電性フィルム201の作製)
透明導電性フィルム101の作製において、パルス通電処理をしなかった以外は同様にして比較の透明導電性フィルム201を作製した。
(Preparation of transparent conductive film 201)
In the production of the transparent conductive film 101, a comparative transparent conductive film 201 was produced in the same manner except that the pulse current treatment was not performed.

〔透明導電性フィルムの評価〕
作製した各透明導電性フィルムの表面抵抗率及び全光線透過率(以下、単に「透過率」という。)を、各々JIS K 7194:1994及びJIS K 7361−1:1997に準拠した方法で測定した。得られた結果を表1に示す。
[Evaluation of transparent conductive film]
The surface resistivity and total light transmittance (hereinafter simply referred to as “transmittance”) of each of the produced transparent conductive films were measured by methods according to JIS K 7194: 1994 and JIS K 7361-1: 1997, respectively. . The obtained results are shown in Table 1.

Figure 2009146576
Figure 2009146576

表より、本発明の透明導電性フィルムは比較の透明導電性フィルムに比べ、高い導電性と良好な透明性を有することが分かる。また、各透明導電性フィルムを電子顕微鏡観察したところ、本発明の透明導電性フィルム102は金属ナノワイヤ同士が接合し、透明導電性フィルム101、103は金属(金)微粒子を介して金属ナノワイヤが接合している状態を観察できたが、比較の透明導電性フィルム201では金属ナノワイヤに接触している金属(金)微粒子は存在するが接合はしていなかった。   From the table, it can be seen that the transparent conductive film of the present invention has higher conductivity and better transparency than the comparative transparent conductive film. Further, when each transparent conductive film was observed with an electron microscope, the transparent conductive film 102 of the present invention was bonded to metal nanowires, and the transparent conductive films 101 and 103 were bonded to each other through metal (gold) fine particles. However, in the comparative transparent conductive film 201, metal (gold) fine particles in contact with the metal nanowire were present but were not joined.

実施例2
〔表示素子の作製〕
(透明導電性フィルム104の作製)
実施例1で作製した透明導電性フィルム101上に、導電性高分子層として、スルホン酸系ドーパントを含有する導電性ポリアニリンの分散液ORMECON D1033(ドイツ オルメコン社製)を用いて、乾燥膜厚が130nmとなるように塗布乾燥して、本発明の透明導電性フィルム104を作製した。
Example 2
[Production of display element]
(Preparation of transparent conductive film 104)
On the transparent conductive film 101 produced in Example 1, a conductive polyaniline dispersion ORMECON D1033 (manufactured by Olmecon, Germany) containing a sulfonic acid dopant as a conductive polymer layer is used. The transparent conductive film 104 of the present invention was produced by applying and drying to 130 nm.

(透明導電性フィルム105の作製)
透明導電性フィルム104の作製において、導電性高分子を下記のITO微粒子に換え、ブチラール樹脂BM−S(積水化学社製)の溶液(メチルエチルケトン/トルエン=2/1の質量比の混合溶媒)にITO粒子とブチラール樹脂の体積比率が2:1になるように混合して用いた以外は同様にして、本発明の透明導電性フィルム105を作製した。
(Preparation of transparent conductive film 105)
In the production of the transparent conductive film 104, the conductive polymer is replaced with the following ITO fine particles, and a solution of butyral resin BM-S (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) (a mixed solvent having a mass ratio of methyl ethyl ketone / toluene = 2/1) is used. A transparent conductive film 105 of the present invention was produced in the same manner except that the ITO particles and butyral resin were mixed at a volume ratio of 2: 1.

(ITO微粒子)
InCl3を35質量%含む水溶液と、SnCl4を80質量%含む水溶液を混合し、27℃に溶液温度を保ちながら6.3%のアンモニア水を徐々に加えて、水溶液のpHが9になるように調整した。この溶液を27℃で50分間攪拌しIn、Snの共沈水酸化物を得た。この共沈物を濾別し、イオン交換水で洗浄した後、500℃で2.5時間焼成することにより針状ITO粒子の凝集体を得た。この粒子を機械的に粉砕することにより、ITO微粒子を得た。
(ITO fine particles)
An aqueous solution containing 35% by mass of InCl 3 and an aqueous solution containing 80% by mass of SnCl 4 are mixed, and 6.3% ammonia water is gradually added while maintaining the solution temperature at 27 ° C., so that the pH of the aqueous solution becomes 9. Adjusted as follows. This solution was stirred at 27 ° C. for 50 minutes to obtain a coprecipitated hydroxide of In and Sn. The coprecipitate was separated by filtration, washed with ion exchange water, and then fired at 500 ° C. for 2.5 hours to obtain an aggregate of acicular ITO particles. The particles were mechanically pulverized to obtain ITO fine particles.

(透明導電性フィルム202の作製)
前述の膜厚100μmの二軸延伸PETフィルムに、公知のスパッタリング法でITO膜を作製して比較の透明導電性フィルム202を作製した。表面抵抗は100Ω/□であった。
(Preparation of transparent conductive film 202)
A comparative transparent conductive film 202 was produced by producing an ITO film on the biaxially stretched PET film having a thickness of 100 μm by a known sputtering method. The surface resistance was 100Ω / □.

(表示素子S−101の作製)
透明導電性フィルム101を準備して、透明面電極101とした。
(Preparation of display element S-101)
A transparent conductive film 101 was prepared and used as a transparent surface electrode 101.

(電解質溶液1の調製)
ジメチルスルホキシド2.5g中に、ヨウ化ナトリウム90mg、ヨウ化銀75mgを加えて完全に溶解した後、酸化チタン0.5gを加えて超音波分散機にて酸化チタンを分散した。この溶液にポリビニルアルコール(ケン化度約87〜89%、重合度4500)を150mg加えて120℃に加熱しながら1時間攪拌し、電解質溶液1を得た。
(Preparation of electrolyte solution 1)
In 2.5 g of dimethyl sulfoxide, 90 mg of sodium iodide and 75 mg of silver iodide were added and completely dissolved, then 0.5 g of titanium oxide was added, and the titanium oxide was dispersed with an ultrasonic disperser. 150 mg of polyvinyl alcohol (degree of saponification: about 87-89%, degree of polymerization: 4500) was added to this solution and stirred for 1 hour while heating at 120 ° C. to obtain an electrolyte solution 1.

(金属電極の作製)
厚さ1.5mmで10cm×12cmのガラス基板上に、公知のスパッタリング法でCu膜を全面に形成した後、電解メッキによりCu極上に銀を10μm堆積させて、銀電極(電極2)を得た。
(Production of metal electrodes)
A Cu film was formed on the entire surface of a glass substrate having a thickness of 1.5 mm and 10 cm × 12 cm by a known sputtering method, and then 10 μm of silver was deposited on the Cu electrode by electrolytic plating to obtain a silver electrode (electrode 2). It was.

(表示素子の作製)
上記調製した電解質溶液1に、平均粒子径が20μmのポリアクリル製の球形ビーズを体積分率として4体積%になるように加えて攪拌した溶液を、上記電極2の上に塗布し、その上から透明面電極101を直角方向に組合せて表示素子S−101を作製した。重ね合わされた10cm×10cmの部分が表示部(黒/白ベタ)であり、残りの部分がリード部として用いられる。リード部には十分な量の銀ペーストを塗布した。
(Production of display element)
A solution prepared by adding polyacrylic spherical beads having an average particle diameter of 20 μm to the prepared electrolyte solution 1 so that the volume fraction is 4% by volume is applied onto the electrode 2, and Thus, the display element S-101 was manufactured by combining the transparent surface electrodes 101 in the perpendicular direction. The overlapped 10 cm × 10 cm portion is a display portion (black / white solid), and the remaining portion is used as a lead portion. A sufficient amount of silver paste was applied to the lead portion.

透明導電性フィルム101を、透明導電性フィルム104、105、201、202に変更し、同様にしてそれぞれ表示素子S−104、S−105、S−201、S−202を作製した。   The transparent conductive film 101 was changed to the transparent conductive films 104, 105, 201, and 202, and display elements S-104, S-105, S-201, and S-202 were produced in the same manner.

〔表示素子の評価〕
作製した各表示素子について、単一乾電池を2個直列に接続した電源を用いて、透明電極側に−、電極2側に+を接続し、全体の表示状態を目視観察で、微小領域の表示状態をルーペ観察でした。
[Evaluation of display element]
About each produced display element, using a power source in which two single dry batteries are connected in series,-is connected to the transparent electrode side and + is connected to the electrode 2 side, and the entire display state is visually observed to display a minute region. The state was loupe observation.

その結果、本発明の透明面電極を用いたS−101は目視では全面ほぼ均一な黒表示となった。ルーペで観察すると問題とならないレベルであるが、微妙な濃度ムラが見られた。本発明の透明面電極を用いたS−104及びS−105は目視、ルーペ観察とも均一な黒表示となった。これに対し、比較の透明面電極を用いたS−201はリードから遠い部分は濃度がわずかに低下し、目視で分かるレベルであり、NGレベルである。ルーペで観察すると微妙な濃度ムラも見られた。比較の透明面電極を用いたS−202はリードから遠い部分は濃度が明らかに低下し、NGである。   As a result, S-101 using the transparent electrode of the present invention displayed a substantially uniform black display on the entire surface. Although it was at a level that would not cause a problem when observed with a magnifying glass, subtle density unevenness was observed. S-104 and S-105 using the transparent surface electrode of the present invention showed a uniform black display for both visual observation and loupe observation. On the other hand, S-201 using the comparative transparent surface electrode has a slightly lower density at a portion far from the lead, which is a level that can be visually observed, and is an NG level. When observed with a magnifying glass, subtle density unevenness was also observed. In the case of S-202 using a comparative transparent electrode, the density is clearly reduced in the portion far from the lead, and it is NG.

Claims (6)

少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜において、通電処理により少なくとも一部の該金属ナノワイヤ同士が接合されていることを特徴とする透明導電膜。 A transparent conductive film containing at least metal nanowires, wherein at least some of the metal nanowires are bonded to each other by energization treatment. さらに金属微粒子を含有し、通電処理により少なくとも一部の金属ナノワイヤが該金属微粒子を介して接合されていることを特徴とする請求項1記載の透明導電膜。 2. The transparent conductive film according to claim 1, further comprising metal fine particles, wherein at least some of the metal nanowires are bonded via the metal fine particles by an energization treatment. 前記通電処理がパルス電流通電処理であることを特徴とする請求項1または2記載の透明導電膜。 The transparent conductive film according to claim 1, wherein the energization process is a pulse current energization process. 透明樹脂フィルム上に、請求項1〜3のいずれか1項記載の透明導電膜を有することを特徴とする透明導電性フィルム。 A transparent conductive film comprising the transparent conductive film according to any one of claims 1 to 3 on a transparent resin film. 透明導電膜上に、さらに導電性高分子または導電性微粒子含有層が積層されていることを特徴とする請求項4記載の透明導電性フィルム。 The transparent conductive film according to claim 4, wherein a conductive polymer or a conductive fine particle-containing layer is further laminated on the transparent conductive film. 請求項4または5記載の透明導電性フィルムを用いることを特徴とするフレキシブル透明面電極。 A flexible transparent electrode using the transparent conductive film according to claim 4.
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