JP2009145717A - Method of manufacturing electrooptical device - Google Patents
Method of manufacturing electrooptical device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009145717A JP2009145717A JP2007324317A JP2007324317A JP2009145717A JP 2009145717 A JP2009145717 A JP 2009145717A JP 2007324317 A JP2007324317 A JP 2007324317A JP 2007324317 A JP2007324317 A JP 2007324317A JP 2009145717 A JP2009145717 A JP 2009145717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electro
- optical device
- mother
- coat layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、透光性の基板を分断して複数の電気光学装置用の基板を形成する電気光学装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device in which a light-transmitting substrate is divided to form a plurality of electro-optical device substrates.
従来より、電気光学装置として、液晶表示装置等の表示装置が知られている。例えば、液晶表示装置の製造方法として、貼り合わせた一枚のマザー基板から複数の液晶表示装置用の基板を切り出す、いわゆる多面取りにより液晶表示装置を製造する方法が知られている。そして、この個々の基板を切り出す際には、例えば、特許文献1に開示されているような、切断時にブレードを用いての分断が行われている。
Conventionally, a display device such as a liquid crystal display device is known as an electro-optical device. For example, as a method of manufacturing a liquid crystal display device, a method of manufacturing a liquid crystal display device by so-called multiple chamfering is known in which a plurality of substrates for a liquid crystal display device are cut out from a single bonded mother substrate. When the individual substrates are cut out, for example, as disclosed in
ところで、前述のようにブレードを用いてマザー基板の表面に分断のための溝を形成する際に、ガラス粉が発生する。そして、このガラス粉によって、個々の液晶表示装置用の基板の表面に傷が発生してしまうことがあるという問題がある。液晶表示装置用の基板の表面に傷がついてしまうと、基板の強度が劇的に低下してしまい、この液晶表示装置を搭載した電子機器を落下させた場合などの衝撃により、液晶表示装置が破損してしまう恐れが高くなる。 By the way, glass powder is generated when the groove for dividing is formed on the surface of the mother substrate using the blade as described above. And there exists a problem that a damage | wound may generate | occur | produce on the surface of the board | substrate for each liquid crystal display device by this glass powder. If the surface of the substrate for a liquid crystal display device is damaged, the strength of the substrate will drop dramatically, and the liquid crystal display device may be affected by an impact such as dropping an electronic device equipped with this liquid crystal display device. The risk of breakage increases.
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態、又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]透光性のマザー基板を分断して複数の電気光学装置用の基板を形成する電気光学装置の製造方法であって、前記マザー基板を分断する工程に先立って、前記マザー基板の少なくとも一方の表面上に、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層を形成する工程を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 Application Example 1 A method for manufacturing an electro-optical device in which a light-transmitting mother substrate is divided to form a plurality of electro-optical device substrates, and the mother substrate is separated prior to the step of dividing the mother substrate. A method of manufacturing an electro-optical device, comprising a step of forming a hard coat layer including a silicon-based material on at least one surface.
このような構成によれば、マザー基板を分断する工程に先立って、マザー基板の少なくとも一方の表面上に、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層が形成される。このハードコート層により、マザー基板を分断する際に生じるガラス粉が直接マザー基板に触れることを防止できるため、このガラス粉によりマザー基板の表面に生じる傷を防止することができる。これにより、マザー基板が分断された個々の基板の割れの起点となる傷も防止することが可能な電気光学装置の製造方法を提供することができる。 According to such a configuration, prior to the step of dividing the mother substrate, a hard coat layer including a silicon-based material is formed on at least one surface of the mother substrate. Since the hard coat layer can prevent the glass powder generated when the mother substrate is divided from coming into direct contact with the mother substrate, the glass powder can prevent scratches on the surface of the mother substrate. Accordingly, it is possible to provide a method for manufacturing an electro-optical device that can prevent scratches that are the starting points of cracking of individual substrates from which the mother substrate is divided.
[適用例2]上記電気光学装置の製造方法であって、前記ハードコート層を形成する工程に先立って、前記基板の少なくとも一方の表面上に樹脂コート層を形成する工程を具備する電気光学装置の製造方法。 [Application Example 2] A method for manufacturing the electro-optical device, comprising: a step of forming a resin coat layer on at least one surface of the substrate prior to the step of forming the hard coat layer. Manufacturing method.
このような構成によれば、樹脂コート層が外部から電気光学装置に加えられる衝撃を分散し、吸収もしくは緩和するため、より衝撃や荷重に対する耐久性が高く、信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となる。 According to such a configuration, since the resin coat layer disperses, absorbs, or alleviates the impact applied to the electro-optical device from the outside, an electro-optical device having higher durability against impact and load and higher reliability is provided. It becomes possible to do.
[適用例3]上記電気光学装置の製造方法であって、前記マザー基板は、ガラス基板である電気光学装置の製造方法。 Application Example 3 A method for manufacturing an electro-optical device, wherein the mother substrate is a glass substrate.
このような構成によれば、表面の傷を起点とする割れなどが起こり易いガラス基板の、落下や荷重による破損が生じにくい電気光学装置の製造方法を提供することが可能となる。 According to such a configuration, it is possible to provide a method for manufacturing an electro-optical device in which a glass substrate that is likely to be cracked starting from a scratch on the surface is less likely to be damaged by dropping or loading.
[適用例4]上記電気光学装置の製造方法であって、前記マザー基板を一対用い、該一対のマザー基板を貼り合わせた後、該一対のマザー基板の分断を行う電気光学装置の製造方法。 Application Example 4 A method for manufacturing an electro-optical device according to the above-described method, wherein the mother substrate is used as a pair, the pair of mother substrates are bonded together, and then the pair of mother substrates are divided.
このような構成によれば、一対のマザー基板を貼り合わせた後、該マザー基板の分断を行う。一対のマザー基板の少なくとも一方の表面上に、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層が形成される。このハードコート層により、一対のマザー基板を分断する際に生じるガラス粉が直接マザー基板に触れることを防止できるため、このガラス粉によりマザー基板の表面に生じる傷を防止することができる。これにより、貼り合わされた一対のマザー基板が分断された個々の基板の割れの起点となる傷も防止することが可能となる。 According to such a structure, after bonding a pair of mother substrates, the mother substrates are divided. A hard coat layer including a silicon-based material is formed on at least one surface of the pair of mother substrates. Since the hard coat layer can prevent the glass powder generated when the pair of mother substrates are divided from coming into direct contact with the mother substrate, the glass powder can prevent scratches on the surface of the mother substrate. As a result, it is possible to prevent the scratches that are the starting points of the cracks of the individual substrates from which the pair of bonded mother substrates are separated.
[適用例5]上記電気光学装置の製造方法であって、前記マザー基板を一対用い、該一対のマザー基板を貼り合わせた後、前記ハードコート層を形成する工程を具備する電気光学装置の製造方法。 Application Example 5 A method for manufacturing the electro-optical device, the method including: a step of using the mother substrate as a pair, and bonding the pair of mother substrates, and then forming the hard coat layer. Method.
このような構成によれば、貼り合わされた一対のマザー基板が分断されるに先立って、マザー基板の少なくとも一方の表面上にハードコート層が形成される。このハードコート層により、一対のマザー基板を分断する際に生じるガラス粉が直接マザー基板に触れることを防止できるため、このガラス粉によりマザー基板の表面に生じる傷を防止することができる。これにより、貼り合わされた一対のマザー基板が分断された個々の基板の割れの起点となる傷も防止することが可能となる。 According to such a configuration, the hard coat layer is formed on at least one surface of the mother substrate before the pair of bonded mother substrates are divided. Since the hard coat layer can prevent the glass powder generated when the pair of mother substrates are divided from coming into direct contact with the mother substrate, the glass powder can prevent scratches on the surface of the mother substrate. As a result, it is possible to prevent the scratches that are the starting points of the cracks of the individual substrates from which the pair of bonded mother substrates are separated.
[適用例6]上記電気光学装置の製造方法であって、前記ハードコート層は、ディッピング法により形成する電気光学装置の製造方法。 Application Example 6 In the method for manufacturing the electro-optical device, the hard coat layer is formed by a dipping method.
このような構成によれば、電気光学装置の両面に一度にハードコート層を形成することが可能であるため、効率よく信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。 According to such a configuration, it is possible to form hard coat layers on both sides of the electro-optical device at a time, so that it is possible to efficiently manufacture a highly reliable electro-optical device.
[適用例7]上記電気光学装置の製造方法であって、前記ハードコート層は、スピンコート法により形成する電気光学装置の製造方法。 Application Example 7 In the method for manufacturing the electro-optical device, the hard coat layer is formed by a spin coating method.
このような構成によれば、電気光学装置の両面にそれぞれ形成されるハードコート層の膜厚を個別に制御することが可能である。したがって、電気光学装置の使用形態にハードコート層の膜厚を適合させることにより、より耐久性が高く、信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。 According to such a configuration, it is possible to individually control the film thicknesses of the hard coat layers formed on both surfaces of the electro-optical device. Therefore, by adapting the film thickness of the hard coat layer to the usage pattern of the electro-optical device, it is possible to manufacture an electro-optical device with higher durability and higher reliability.
(第1の実施形態)
以下、図面を参照して本発明の第1の実施形態を、電気光学装置の一例としての透過型の液晶パネルを例にして説明する。図1は電気光学装置の斜視図である。図2は図1のII−II断面図である。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings, taking a transmissive liquid crystal panel as an example of an electro-optical device as an example. FIG. 1 is a perspective view of an electro-optical device. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
図1及び図2に示すように、本実施形態の電気光学装置1は、透光性を有するガラス、石英、樹脂等で構成された一対の基板であるTFT基板10と対向基板20との間に電気光学物質である液晶41が挟持されて構成される。電気光学装置1は、電気的に接続される図示しない外部装置から入力された画像信号に基づいて液晶41の配向を変化させ、画像信号に応じて画像表示領域1aを透過する光を変調する装置である。
As shown in FIGS. 1 and 2, the electro-
TFT基板10と対向基板20とは、それぞれ平面視で矩形状の平板であり、枠状のシール材40を介して所定の間隔で貼り合わせられている。両基板とシール材40とに囲まれた領域には、液晶41が封入されている。
The
TFT基板10の対向基板20側の表面の画像表示領域1a内には、互いに交差して配設された複数の走査線及びデータ線、該走査線とデータ線の交差に対応して設けられた画素電極、及び該画素電極をスイッチングする薄膜トランジスタ等の積層構造11が形成されている。一方、対向基板20のTFT基板10側の表面の画像表示領域1a内には、共通電極や画素電極に対応して設けられるカラーフィルタ等の積層構造21が形成されている。
In the
TFT基板10は対向基板20よりも大きく形成されており、電気光学装置1を対向基板20の側から平面視した状態で、TFT基板10は、対向基板20よりも一方向に延出する張り出し部42を有している。
The
TFT基板10の張り出し部42の対向基板20側の表面上には複数の実装端子32が形成されており、該実装端子32上に、駆動回路であるドライバIC30及び、フレキシブル配線基板(以下、FPC(Flexible Printed Circuit)と称する)31が実装されている。ドライバIC30は、FPC31を介して外部装置と電気的に接続される。なお、ドライバIC30は、FPC31上に実装されるものであってもよい。
A plurality of
TFT基板10に形成された走査線及びデータ線は、ドライバIC30に電気的に接続されており、ドライバIC30は、外部装置から供給される画像信号に応じて所定のタイミングで走査線及びデータ線に信号を供給することで、電気光学装置1を駆動する。
The scanning lines and data lines formed on the
また、TFT基板10の対向基板20とは反対側の面上、及び対向基板20のTFT基板10とは反対側の面上には、それぞれ被膜14及び24が形成されている。すなわち、本実施形態の電気光学装置1は、第1の基板であるTFT基板10と第2の基板である対向基板20とを貼り合わせて構成されるものであって、その表面に被膜14及び24が形成されているのである。さらに、被膜14及び24のそれぞれの表面には、偏光板15,25が貼り付けられている。
被膜14及び24は、双方とも2層からなる同一の構造を有するものであって、TFT基板10及び対向基板20に接する側(下層側)に形成された樹脂コート層13及び23と、その上層すなわち最外表面に形成されたシリコン系コート層12及び22とにより構成されている。
The
樹脂コート層13及び23は、ポリエステル、ポリウレタン等の樹脂からなる透明な薄膜で、およそ0.1μmから10μmの膜厚を有する。本実施形態では、樹脂コート層13及び23の膜厚は1μmである。
The
一方、シリコン系コート層12及び22は、シリカ(SiO2)の微粒子がバインダ中に分散されてなる透明かつ硬質な薄膜で、シリコン系材料からなるいわゆるハードコート層である。シリコン系コート層12及び22の膜厚は、およそ0.1μmから10μmであり、本実施形態では、1μmである。シリコン系コート層12及び22は、シリカ系微粒子、樹脂、有機ケイ素化合物からなるバインダ、界面活性剤、その他の添加物等を含有する液を塗布し、焼成することで形成されるものである。 On the other hand, the silicon-based coat layers 12 and 22 are so-called hard coat layers made of a silicon-based material, which are transparent and hard thin films in which fine particles of silica (SiO 2 ) are dispersed in a binder. The film thickness of the silicon-based coat layers 12 and 22 is about 0.1 μm to 10 μm, and in this embodiment, 1 μm. The silicon-based coating layers 12 and 22 are formed by applying and baking a liquid containing a silica-based fine particle, a resin, a binder made of an organic silicon compound, a surfactant, and other additives.
上述した本実施形態の電気光学装置1は、その表面に、ポリエステル、ポリウレタン等の樹脂からなる樹脂コート層13及び23と、シリコン系材料からなるシリコン系コート層12及び22とからなる被膜14及び24を有するものである。
The electro-
ここで、樹脂コート層13及び23は、その弾性により、外部から電気光学装置1に加えられる衝撃を分散し、吸収もしくは緩和する効果を有する。また、シリコン系コート層12及び22は、硬質な被膜であることから、電気光学装置1の表面の耐擦傷性を向上させる効果を有する。
Here, the resin coat layers 13 and 23 have an effect of dispersing, absorbing or mitigating the impact applied to the electro-
したがって、本実施形態の電気光学装置1は、その表面にシリコン系コート層12及び22が形成されていることにより、ガラス等からなる基板の割れの起点となる傷が発生せず、また樹脂コート層13及び23が形成されていることにより外部から加えられる衝撃が緩和されるため、高い耐衝撃性を有するのである。すなわち、本実施形態によれば、落下や荷重による破損が生じにくい電気光学装置を提供することが可能となる。
Therefore, the electro-
なお、ガラスからなる電気光学装置1を構成するTFT基板10及び対向基板20は、表面に傷が存在することで特に割れやすくなるものである。したがって、上述した実施形態では、電気光学装置1の表面に樹脂コート層とシリコン系コート層の2層からなる被膜を形成するものとしたが、電気光学装置1の表面の耐擦傷性を向上させるシリコン系コート層のみを形成した場合であっても、電気光学装置1の耐衝撃性を向上させる効果を有する。
Note that the
また、上述した実施形態では、電気光学装置1の両面に被膜14及び24を形成しているが、片面、例えば対向基板20側にのみ被膜24を形成する場合であっても同様の効果を有するものである。
In the above-described embodiment, the
次に、上述した電気光学装置の製造方法、特に被膜14及び24の形成方法について以下に説明する。図3は、本実施形態の電気光学装置の製造方法を示すフローチャートである。図4は、複数の電気光学装置1を構成する2枚のマザー基板51、52の貼り合わせを説明するための図である。被膜14及び24の形成方法以外の電気光学装置の製造方法については、周知であるため、その説明は省略するか、簡単に説明する。
Next, a method for manufacturing the above-described electro-optical device, particularly a method for forming the
なお、本実施形態においては、一枚のマザー基板から複数の電気光学装置用の基板を切り出す、いわゆる多面取りにより電気光学装置を製造するものである。このマザー基板は、透光性を有している。 In the present embodiment, the electro-optical device is manufactured by so-called multiple chamfering, in which a plurality of electro-optical device substrates are cut out from a single mother substrate. This mother substrate has translucency.
先ず、図4に示すようなマザー基板(TFTアレイ基板)51上において、後にTFT基板10となる複数のTFT基板形成領域10aに、それぞれ積層構造11を形成する(ステップS1)。積層構造11は上述したように、データ線、走査線、TFT、画素電極等からなり、例えばCVD法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、熱処理などによって形成される。
First, on the mother substrate (TFT array substrate) 51 as shown in FIG. 4, the
一方、マザー基板52上において、後に対向基板20となる複数の対向基板形成領域20aに、それぞれ積層構造21を形成する(ステップS3)。積層構造21は、共通電極やカラーフィルタ及びブラックマトリクス等からなり、例えばCVD法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、熱処理などによって形成される。
On the other hand, on the
次に、マザー基板51及び52の一方の対向面上に、個々の電気光学装置の形成領域(10a,20a)に対応して設けられた枠状のシール材40と、複数の電気光学装置の形成領域を取り囲み、後の被膜形成工程において溶液がマザー基板間に浸入することを防止するための、マザー基板外周に設けられた枠状のシール材53を形成する(ステップS2)。本実施形態では、シール材40及び53をマザー基板51上に形成する。
Next, a frame-shaped
そして、真空雰囲気中において、マザー基板51上であって、シール材40により囲まれた領域に所定量の液晶41を滴下し、さらにシール材40及び53を介してマザー基板51及び52を所定に位置決めして貼り合わせる(ステップS4)。これにより、後に電気光学装置1となる構造が複数形成された集合体が作成される。
Then, in a vacuum atmosphere, a predetermined amount of
次に、ステップS4で貼り合わせたマザー基板51及び52を基板エッチング工程にて薄くする(ステップS5)。基板エッチング工程におけるエッチング加工は、例えば、ガラスを用いたマザー基板51及び52ではフッ酸をベースとするエッチング液を用い、このエッチング液の中にマザー基板51及び52を浸漬して行う。マザー基板51及び52は、エッチング液にさらされる外表面から化学的にエッチングされて徐々に薄くなっていく。エッチング量は、エッチング時間によって決まるため、エッチング時間を適宜設定することによって得ようとするマザー基板51及び52の厚さ、換言すればエッチング加工量を決めることができる。 Next, the mother substrates 51 and 52 bonded in step S4 are thinned by a substrate etching process (step S5). The etching process in the substrate etching process is performed by, for example, using an etching solution based on hydrofluoric acid for the mother substrates 51 and 52 using glass and immersing the mother substrates 51 and 52 in the etching solution. The mother substrates 51 and 52 are chemically etched from the outer surface exposed to the etching solution and gradually become thinner. Since the etching amount is determined by the etching time, the thicknesses of the mother substrates 51 and 52 to be obtained by appropriately setting the etching time, in other words, the etching processing amount can be determined.
なお、薄くする方法としては、エッチング液に浸漬する化学的な方法の他に、基板表面を研磨する物理的な方法がよく知られている。マザー基板51及び52を薄くするにはどちらの方法を用いてもよいが、本実施形態においては、エッチング液に浸漬する化学的な方法により行っている。この方法によれば、物理的な方法に比べ基板表面を平坦化しやすいなどの利点を有する。また、この段階で基板を薄くすることで、この段階までに生じている微細な傷を取り除くことができる。 As a thinning method, in addition to a chemical method of immersing in an etching solution, a physical method of polishing the substrate surface is well known. Either method may be used to make the mother substrates 51 and 52 thinner, but in this embodiment, a chemical method of immersing in an etching solution is used. According to this method, there is an advantage that the substrate surface is easily flattened as compared with the physical method. Further, by thinning the substrate at this stage, it is possible to remove fine scratches generated up to this stage.
次に、集合体の表面上に樹脂コート層13及び23を形成する(ステップS6)。具体的には、ポリエステル又はポリウレタンを含有する溶液中に集合体を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより集合体の表面上に溶液を塗布し、該溶液を乾燥することにより集合体の表面上にポリエステル又はポリウレタンからなる所定の膜厚の樹脂コート層13及び23を形成する。この時、様々な製造工程を経てきているマザー基板51及び52の表面には、ステップ5で完全に消失できなかった傷を含め、支持台との接触などにより傷等が発生していることがある。しかしながら、樹脂コート層13及び23を形成することにより、マザー基板51及び52の表面に発生している傷を埋めることができる。したがって後の工程によりこの傷を原因とする破損を防止することができる。 Next, resin coat layers 13 and 23 are formed on the surface of the aggregate (step S6). Specifically, the aggregate is dipped in a solution containing polyester or polyurethane, and the solution is applied on the surface of the aggregate by pulling up at a predetermined speed, and then dried on the surface of the aggregate. The resin coat layers 13 and 23 having a predetermined film thickness are formed of polyester or polyurethane. At this time, the surfaces of the mother substrates 51 and 52 that have undergone various manufacturing processes, including scratches that could not be completely eliminated in step 5, have been damaged due to contact with the support base, etc. There is. However, by forming the resin coat layers 13 and 23, it is possible to fill the scratches generated on the surfaces of the mother substrates 51 and 52. Therefore, it is possible to prevent the damage caused by this scratch in the subsequent process.
次に、樹脂コート層13及び23上にハードコート層としてのシリコン系コート層12及び22を形成する(ステップS7)。具体的には、シリカ系微粒子が分散され、樹脂、有機ケイ素化合物からなるバインダ、界面活性剤、その他の添加物等を含有する溶液中に集合体を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより、溶液を樹脂コート層13及び23上に塗布する。そして該溶液を焼成することにより樹脂コート層13及び23上にシリコン系コート層12及び22を形成する。後述する基板分断の際に、分断したガラス粉等が飛び散り、このガラス粉によりマザー基板51及び52の表面に傷が発生することがある。しかしながら、シリコン系コート層12及び22を形成しておくことで、後の分断工程の際のガラス粉の発生を減少させると共に、後の分断工程の際にガラス粉が飛び散っても、マザー基板51及び52の表面をガードすることができ、傷の発生を防止することができる。
Next, silicon-based coat layers 12 and 22 as hard coat layers are formed on the resin coat layers 13 and 23 (step S7). Specifically, the silica-based fine particles are dispersed, and the aggregate is immersed in a solution containing a resin, a binder composed of an organosilicon compound, a surfactant, and other additives, and pulled up at a predetermined speed. The solution is applied on the resin coat layers 13 and 23. The silicon coating layers 12 and 22 are formed on the resin coating layers 13 and 23 by baking the solution. When the substrate is divided, which will be described later, the divided glass powder or the like is scattered, and the glass powder may cause scratches on the surfaces of the mother substrates 51 and 52. However, the formation of the silicon-based coating layers 12 and 22 reduces the generation of glass powder during the subsequent cutting process, and even if the glass powder is scattered during the subsequent cutting process, the
次に、一対のマザー基板51及び52が貼り合わされてなる集合体を所定に分断することにより、一対のTFT基板10及び対向基板20が貼り合わされてなる電気光学装置1を個片に切り出す(ステップS8)。この分断は、例えば、回転するブレードなどを用いてマザー基板を切断し、個片の電気光学装置1とする方法、同様のブレードなどを用いてマザー基板に切り込みを入れ、その後その切り込みに沿って電気光学装置1を個片に折り取る方法などが用いられている。
Next, the electro-
なお、このとき、マザー基板51及び52は外周部においてシール材53により貼り合わされていたことから、電気光学装置1の張り出し部42上には、被膜14及び24は形成されていない。この張り出し部42の実装端子32上にドライバIC30及びFPC31を実装すると共に、電気光学装置1の表面に形成された被膜14及び24の上に偏光板15及び25をそれぞれ貼り付けることにより、図1に示した電気光学装置1が完成する(ステップS9)。
At this time, since the mother substrates 51 and 52 are bonded to each other at the outer peripheral portion by the sealing
以上に説明した電気光学装置の製造方法においては、マザー基板から電気光学装置を個片に切り出す前に、その表面に被膜14及び24を形成している。このため、ガラス粉が発生し、このガラス粉によって表面に傷がつきやすい工程である切り出し工程において、既にマザー基板の表面に硬質で耐擦傷性の高いシリコン系コート層が形成されていることから、切り出し工程における電気光学装置1の表面に傷が形成されてしまう不良の発生を防止することが可能となる。
In the electro-optical device manufacturing method described above, the
なお、上述した実施形態においては、被膜14及び24の形成を、いわゆるディッピング法により行っているものであるが、この他のスピンコート法、スプレイコート法等の公知の方法により、被膜が形成されるものであってもよい。例えば、スピンコート法により被膜を形成した場合、TFT基板側と対向基板側とで膜厚を異なるものとすることが可能であり、電気光学装置の使用状況に合わせて耐久性をより最適化することが可能である。
In the above-described embodiment, the
また、上述の実施形態においては、被膜14及び24をTFT基板10の対向基板20とは反対側の面上、及び対向基板20のTFT基板10とは反対側の面上に形成する構成で説明したがこれに限らない。被膜14及び24は、TFT基板10の対向基板20側の面上、及び対向基板20のTFT基板10側の面上に形成されている構成、或いは前述の4つの面の内のいずれかの面に形成されている構成でも同等の効果を有する。
In the above-described embodiment, the
また、ハードコート層としてのシリコン系コート層12及び22は、個片切り出し(分断)工程(ステップS8)の後で取り除いてもよいが、そのまま残して置くことにより、以降の工程における傷の発生をさらに防止することが可能となる。 Further, the silicon-based coating layers 12 and 22 as the hard coating layer may be removed after the individual piece cutting (dividing) step (step S8), but if left as it is, scratches in the subsequent steps are generated. Can be further prevented.
また、本例では、マザー基板51及び52を貼り合わせた後に樹脂コート層13及び23とシリコン系コート層12及び22とを形成する方法で説明したが、これに限らない。樹脂コート層13及び23とシリコン系コート層12及び22との形成は、マザー基板51及び52の分断前に行われればよく、例えば、マザー基板51及び52のそれぞれに、樹脂コート層13及び23とシリコン系コート層12及び22とを形成した後、双方を張り合わせることも可能である。 In this example, the method of forming the resin coat layers 13 and 23 and the silicon-based coat layers 12 and 22 after bonding the mother substrates 51 and 52 is described, but the present invention is not limited thereto. The resin coat layers 13 and 23 and the silicon-based coat layers 12 and 22 may be formed before the mother substrates 51 and 52 are divided. For example, the resin coat layers 13 and 23 are formed on the mother substrates 51 and 52, respectively. After forming the silicon-based coating layers 12 and 22, it is also possible to bond them together.
(第2の実施形態)
以下に、本発明の第2の実施形態について、図5及び図6を参照して説明する。本実施形態では、本発明を適用した電気光学装置としての入力機能付き表示装置の構成とその製造方法を説明する。図5は第2の実施形態の電気光学装置としての入力機能付き表示装置の構成を示す正断面図であり、図6は入力機能付き表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
(Second Embodiment)
Below, the 2nd Embodiment of this invention is described with reference to FIG.5 and FIG.6. In this embodiment, a configuration of a display device with an input function as an electro-optical device to which the present invention is applied and a manufacturing method thereof will be described. FIG. 5 is a front sectional view showing a configuration of a display device with an input function as an electro-optical device according to the second embodiment, and FIG. 6 is a flowchart showing a manufacturing method of the display device with an input function.
図5に示すように、本実施形態の入力機能付き表示装置100は、概ね、画像生成装置としての液晶装置105と、この液晶装置105において表示光を射出する側の面に重ねて配置されたタッチパネル101(入力装置)とを有している。
As shown in FIG. 5, the display device with an
液晶装置105は、透過型のアクティブマトリクス型液晶パネル(以下、単に液晶パネル105aという)を備えており、透過型の液晶パネル105aの場合、表示光の射出側とは反対側にバックライト装置(図示せず)が配置される。また、液晶装置105において、液晶パネル105aに対して表示光の射出側には第1偏光板181が形成され、その反対側には第2偏光板182が形成されている。
The
液晶パネル105aは、透光性の素子基板150と、この素子基板150に対して対向配置された状態でシール材171により貼り合わされた透光性の対向基板160と、対向基板160と素子基板150との間に保持された液晶層155とを備えている。素子基板150において、対向基板160の縁から張り出した張出領域159には駆動用IC175がCOG実装されていると共に、張出領域159にはフレキシブル基板173が接続されている。なお、素子基板150には、素子基板150上のスイッチング素子と同時に駆動回路を形成することもある。
The
入力機能装置としてのタッチパネル101は、抵抗膜型であり、ITO膜(Indium Tin Oxide)からなる透光性の第1電極115が第1面111に形成された透光性の第1基板110と、ITO膜からなる第2電極125が第1面121に形成された透光性の第2基板120とが、第1面111、及び121同士が所定の間隙を介して対向するようにシール材131で貼り合わされ、その内側は空気層になっている。第1基板110及び第2基板120としては透光性の薄いプラスチック基板や薄いガラス基板を用いることができ、本実施形態では、第1基板110及び第2基板120のいずれにおいても、薄いガラス基板が用いられている。第1基板110において、第2基板120の縁から張り出した張出領域119にはフレキシブル基板133が接続されている。第1基板110の第2面112には、被膜143が形成されている。被膜143は、2層の構造を有するものであって、第1基板110の第2面112に接して形成された樹脂コート層141と、その上層に形成されたハードコート層としてのシリコン系コート層142とにより構成されている。
A
このように構成したタッチパネル101は、液晶装置105の第1偏光板181に重ねて配置されて入力機能付き表示装置100を構成する。この入力機能付き表示装置100において、液晶装置105は画像表示領域内に動画や静止画を表示可能であり、入力機能付き表示装置100に対して、タッチパネル101を介して入力を行う際の指示画像なども表示する。したがって、利用者は、液晶装置105で表示された指示画像を見ながら、タッチパネル101を指で押下すれば第2基板120が撓みで、押下された箇所で第1電極115と第2電極125とが接触する。それ故、第1電極115と第2電極125とが接触した箇所を検出すれば、入力された情報を判別することができる。
The
次に、図6を参照して本実施形態の入力機能付き表示装置の製造方法を説明する。なお、以下に説明する製造方法は、一枚のマザー基板から複数の入力機能付き表示装置用の基板を切り出す、いわゆる多面取りにより力機能付き表示装置を製造するものである。また、液晶装置105の製造方法は周知であるため、その説明は省略する。
Next, a method for manufacturing the display device with an input function according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In the manufacturing method described below, a display device with a force function is manufactured by so-called multi-chamfering, in which a plurality of substrates for a display device with an input function are cut out from a single mother substrate. Further, since the manufacturing method of the
先ず、マザー基板(図示せず)上において、後に第1基板110となる複数の領域に第1電極115を形成する(ステップS101)。この第1電極115が形成される面が第1基板110の第1面111となる。第1電極115は、例えば、CVD法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、熱処理などによって形成される。
First, on the mother substrate (not shown), the
次に、既に第1電極115を形成し終えたマザー基板において、後に個々の第1基板110となる複数の領域にシール材131を塗布する(ステップS102)。
Next, on the mother substrate on which the
一方、第2基板120の第1面121に、例えば、スパッタ法を用いてITO膜の成膜、フォトリソグラフィ技術を用いてのパターニングなどにより、第2電極125を形成する(ステップS103)。
On the other hand, the
次に、既にシール材131が塗布されたマザー基板に、第2電極125が第1電極と対向するように第2基板120を貼り合わせる(ステップS104)。
Next, the
次に、マザー基板の第2面112に樹脂コート層141を形成する(ステップS105)。具体的には、ポリエステル又はポリウレタンを含有する溶液中に集合体を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより集合体の表面上に溶液を塗布し、該溶液を乾燥することにより集合体の表面上にポリエステル又はポリウレタンからなる所定の膜厚の樹脂コート層141を形成する。この時、様々な製造工程を経てきているマザー基板の表面には、支持台との接触などにより傷等が発生していることがある。しかしながら、樹脂コート層141を形成することにより、マザー基板の表面に発生している傷を埋めることができる。したがって後の工程によりこの傷を原因とする破損を防止することができる。
Next, the
次に、樹脂コート層141上にシリコン系コート層142を形成する(ステップS106)。具体的には、シリカ系微粒子が分散され、樹脂、有機ケイ素化合物からなるバインダ、界面活性剤、その他の添加物等を含有する溶液中に集合体を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより、溶液を樹脂コート層141上に塗布する。そして該溶液を焼成することによりシリコン系コート層142を形成する。
Next, a silicon-based
次に、マザー基板及び第2基板120が貼り合わされてなる集合体を所定に分断することにより、第1基板110及び第2基板120が貼り合わされてなる、タッチパネル101を個片に切り出す(ステップS107)。マザー基板の分断は、例えば、回転するブレードなどを用いてマザー基板を切断し個々のタッチパネル101とする方法、同様のブレードなどを用いてマザー基板に切り込みを入れその後その切り込みに沿って折り取る方法などが用いられている。基板分断の際には、切り込み、或いは折り取りなどによって生じるガラス粉等が飛び散り、このガラス粉によりマザー基板の表面に傷が発生することがある。しかしながら、前述のシリコン系コート層142を形成しておくことで、ガラス粉等の発生を減少させることができると共に、マザー基板の表面をガードすることができ、この飛び散ったガラス粉による傷の発生を防止することができる。
Next, the
次に、第1基板110にフレキシブル基板133を接続する(ステップS108)。ここまでの工程によってタッチパネル101が完成する。
Next, the
次に、タッチパネル101を、説明を省略した別の工程にて組み立ててあった液晶装置105に重ねて配置して貼り合わせることによって入力機能付き表示装置100が完成する(ステップS109)。
Next, the
本実施形態によれば、マザー基板に形成されたシリコン系コート層142により、基板分断の際の切り込み、或いは折り取りなどによって生じるガラス粉等の飛び散りなどからマザー基板の表面をガードすることができる。したがって、この飛び散ったガラス粉によるマザー基板の表面の傷の発生を防止することが可能となる。
According to the present embodiment, the silicon-based
また、樹脂コート層141は、その弾性により、外部から入力機能付き表示装置100に加えられる衝撃を分散し、吸収もしくは緩和する効果を有する。また、シリコン系コート層142は、硬質な被膜であることから、入力機能付き表示装置100の表面の耐擦傷性を向上させる効果を有する。
Further, the
したがって、本実施形態の入力機能付き表示装置100は、その表面にシリコン系コート層142が形成されていることにより、ガラス等からなる基板の割れの起点となる傷が発生しない。また、樹脂コート層141が形成されていることにより外部から加えられる衝撃が緩和されるため、高い耐衝撃性を有するのである。すなわち、本実施形態によれば、落下や荷重による破損が生じにくい入力機能付き表示装置100を提供することが可能となる。
Therefore, the display device with an
なお、ガラスからなる第1基板110、素子基板150及び対向基板160は、表面に傷が存在することで特に割れやすくなるものである。したがって、上述した実施形態では、それぞれの基板の表面に樹脂コート層とシリコン系コート層の2層からなる被膜を形成するものとしたが、第1基板110、素子基板150及び対向基板160の表面の耐擦傷性を向上させるシリコン系コート層のみを形成した場合であっても、入力機能付き表示装置100の耐衝撃性を向上させる効果を有する。
The
また、上述した第2実施形態では、第1基板110に被膜143が形成された構成を説明したが、これに限らず、被膜が素子基板150、対向基板160に形成されていてもよい。
In the second embodiment described above, the configuration in which the
また、被膜は、第1基板110の第1面111、或いは素子基板150、及び対向基板160の液晶層155側の面に形成されている構成であってもよい。
The coating may be formed on the
また、本例は、被膜143の形成を、いわゆるディッピング法により行っているものであるが、この他のスピンコート法、スプレイコート法等の公知の方法により、被膜が形成されるものであってもよい。
In this example, the
また、ハードコート層としてのシリコン系コート層142は、個片切り出し(分断)工程(ステップS107)の後で取り除いてもよいが、そのまま残して置くことにより、以降の工程における傷の発生をさらに防止することが可能となる。
Further, the silicon-based
また、本例では、貼り合わせ工程(ステップS104)の後に樹脂コート層141とシリコン系コート層142とを形成する方法で説明したが、これに限らない。樹脂コート層141とシリコン系コート層142との形成は、集合体の分断工程(ステップS107)の前に行われればよく、例えば、マザー基板に樹脂コート層141とシリコン系コート層142とを形成した後、第2基板120を張り合わせることも可能である。
In this example, the method of forming the
(第3の実施形態)
以下に、本発明の第3の実施形態について、図7及び図8を参照して説明する。本実施形態では、本発明を適用した電気光学装置としての有機EL装置の構成とその製造方法を説明する。図7は、第3実施形態の有機EL装置の構成を示す正断面図であり、図8は、有機EL装置の製造方法を示すフローチャートである。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
(Third embodiment)
Below, the 3rd Embodiment of this invention is described with reference to FIG.7 and FIG.8. In the present embodiment, a configuration of an organic EL device as an electro-optical device to which the present invention is applied and a manufacturing method thereof will be described. FIG. 7 is a front sectional view showing the configuration of the organic EL device according to the third embodiment, and FIG. 8 is a flowchart showing the method for manufacturing the organic EL device. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the components are appropriately different from the actual ones in order to make the components large enough to be recognized on the drawings.
先ず、図7を参照して有機EL装置の構成を説明する。有機EL装置201は、透光性のガラス基板210を基体とし、その上に各構成要素が積み上げられた構成となっている。ガラス基板210上には、図示しないTFT(Thin Film Transistor)素子や各種配線等を含む回路素子層219が形成されている。さらに、ガラス基板210の回路素子層219が形成されている面と反対側の面には、被膜223が形成されている。被膜223は、2層の構造を有するものであって、ガラス基板210に接して形成された樹脂コート層221と、その上層に形成されたシリコン系コート層222とにより構成されている。
First, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG. The
回路素子層219上には、ITO(Indium Tin Oxide)からなる光透過性の画素電極211が発光素子205ごとに形成されている。なお、発光素子205は、ガラス基板210の長手方向に沿って列をなすように等間隔に形成されている。この画素電極211は、回路素子層219に形成されたTFT素子に接続されている。
A light-
また、回路素子層219上には、無機材料からなる無機バンク212が形成されている。無機バンク212は、画素電極211の周りを囲うようにして配置されており、ガラス基板210の法線方向から見て、一部が画素電極211の外縁部に重なった状態に形成されている。無機バンク212上には、撥水性を有する有機材料からなる有機バンク213を有している。有機バンク213は、発光素子205の周囲を囲うように形成されている。
An
上記画素電極211及び無機バンク212の上には、正孔輸送層214及び発光層215がこの順に配置されている。発光層215の上には、発光層215及び正孔輸送層214を覆うように、カルシウム(Ca)及びアルミニウム(Al)の積層体である陰極216が形成されている。陰極216の上には、水や酸素の侵入を防ぎ、陰極216或いは有機EL素子203の酸化を防止するための、樹脂等からなる封止部材217が積層されている。
On the
また、発光層215は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極211と陰極216との間に電圧を印加することによって、発光層215には、正孔輸送層214から正孔が、また、陰極216から電子が注入される。発光層215は、これらが結合したときに光を発する。発光層215からの発光スペクトルは、材料の発光特性や膜厚に依存する。本実施形態では、発光層215は赤色光を発光し、その主発光波長、すなわち発光スペクトルにおいて発光強度が最大となる波長は約630nmである。
In addition, the
発光層215から図7の下方に射出された光はそのままガラス基板210を透過し、また図7の上方に射出された光は陰極216によって反射された後に下方へ進み、同じくガラス基板210を透過する。このような構成の有機EL装置201は、ボトムエミッション型と呼ばれる。
The light emitted from the
なお、有機EL装置201が、ガラス基板210とは反対側に向けて表示光を射出するトップエミッション型である場合、陰極216は、例えば、薄いカルシウム層と、ITO層などから構成して光透過性をもたせ、画素電極211の下層側には、画素電極211の略全体と重なるようにアルミニウム膜などからなる光反射層を形成する。
When the
次に、図8を参照して本実施形態の入力機能付き表示装置の製造方法を説明する。なお、以下に説明する製造方法は、一枚のマザー基板(TFTアレイ基板)から複数の有機EL装置用の基板(ガラス基板210)を切り出す、いわゆる多面取りにより有機EL装置を製造するものである。 Next, a method for manufacturing the display device with an input function of this embodiment will be described with reference to FIG. In addition, the manufacturing method described below manufactures an organic EL device by so-called multi-surface cutting, in which a plurality of substrates for organic EL devices (glass substrates 210) are cut out from a single mother substrate (TFT array substrate). .
先ず、マザー基板としてのガラスからなるTFTアレイ基板(図示せず)上において、後にガラス基板210となる複数の領域に、発光素子205を形成する(ステップS201)。詳述すると、先ず、TFTアレイ基板(図示せず)上において、後にガラス基板210となる複数の領域に、例えば、CVD法やスパッタリング等の成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、或いは熱処理などを用いて回路素子層219を形成する。そして、回路素子層219の上にスピンコート法を用いて画素電極211、無機バンク212、を形成し、その後酸素プラズマ処理を行って異物除去及び親水性を高める。さらに、画素電極211、無機バンク212の上に、スピンコート法を用いて正孔輸送層214の材料となるインクを塗布し、これを乾燥させて正孔輸送層214を形成する。次に、正孔輸送層214の上に、スピンコート法を用いて発光層215の材料となるインクを塗布し、これを乾燥させて発光層215を形成する。続いて、カルシウム、アルミニウムを順に蒸着させ、陰極216を形成する。
First, on a TFT array substrate (not shown) made of glass as a mother substrate,
次に、発光素子205を覆うように封止部材217を形成する(ステップS202)。なお、封止の方式は、封止部材217によるものに限られず、シール剤を介してガラス基板等を貼り合わせる缶封止の方式等とすることもできる。
Next, the sealing
次に、TFTアレイ基板の発光素子205の形成側と反対側の面(以下、「裏面」という)に樹脂コート層221を形成する。具体的には、ポリエステル又はポリウレタンを含有する溶液中に集合体を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより集合体の表面上に溶液を塗布する。そして、該溶液を乾燥することにより集合体の表面上にポリエステル又はポリウレタンからなる所定の膜厚の樹脂コート層221を形成する(ステップS203)。この時、様々な製造工程を経てきているTFTアレイ基板の面には、支持台との接触などにより傷等が発生していることがある。しかしながら、樹脂コート層221を形成することにより、TFTアレイ基板の表面に発生している傷を埋めることができる。したがって後の工程によりこの傷を原因とする破損を防止することができる。
Next, a
次に、樹脂コート層221上にシリコン系コート層222を形成する(ステップS204)。具体的には、シリカ系微粒子が分散され、樹脂、有機ケイ素化合物からなるバインダ、界面活性剤、その他の添加物等を含有する溶液中に集合体を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより、溶液を樹脂コート層221上に塗布する。そして該溶液を焼成することによりシリコン系コート層222を形成する。
Next, a silicon-based
なお、前述のステップS203及びステップS204では、封止部材217面はマスキングされており、封止部材217面には樹脂コート層221及びシリコン系コート層222が形成されない。しかしながら、樹脂コート層221及びシリコン系コート層222が透光性部材であれば封止部材217面に樹脂コート層221及びシリコン系コート層222が形成されてもよい。
In step S203 and step S204 described above, the surface of the sealing
次に、TFTアレイ基板を所定形状に分断することにより、それぞれに発光素子205が形成されたガラス基板210を個片に分断し、切り出す(ステップS205)。TFTアレイ基板の分断は、例えば、回転するブレードなどを用いてTFTアレイ基板を切断して個々のガラス基板210とする方法、同様のブレードなどを用いてTFTアレイ基板に切り込み(スクライブ)を入れ、その後その切り込みに沿って折り取る方法などが用いられている。基板分断の際には、切り込み、或いは折り取りなどによって生じるガラス粉等が飛び散り、このガラス粉によりTFTアレイ基板の表面に傷が発生することがある。しかしながら、前述のシリコン系コート層222を形成しておくことで、ガラス粉等の発生を減少させることができると共に、飛散したガラス粉等からTFTアレイ基板の表面をガードすることができ、この飛び散ったガラス粉等による傷の発生を防止することができる。
Next, by dividing the TFT array substrate into a predetermined shape, the
次に、ガラス基板210にフレキシブル基板(図示せず)などを接続し、有機EL装置201が完成する(ステップS206)。
Next, a flexible substrate (not shown) or the like is connected to the
本実施形態によれば、TFTアレイ基板に形成されたシリコン系コート層222により、基板分断の際の切り込み、或いは折り取りなどによって生じるガラス粉等の飛び散りなどからTFTアレイ基板の表面をガードすることができる。したがって、この飛び散ったガラス粉によるTFTアレイ基板の表面の傷の発生を防止することが可能となる。
According to the present embodiment, the silicon-based
また、樹脂コート層221は、その弾性により、外部から有機EL装置201に加えられる衝撃を分散し、吸収もしくは緩和する効果を有する。また、シリコン系コート層222は、硬質な被膜であることから、有機EL装置201の表面の耐擦傷性を向上させる効果を有する。
Further, the
したがって、本実施形態の有機EL装置201は、その表面にシリコン系コート層222が形成されていることにより、ガラス等からなる基板の割れの起点となる傷が発生しない。また、樹脂コート層221が形成されていることにより外部から加えられる衝撃が緩和されるため、高い耐衝撃性を有するのである。すなわち、本実施形態によれば、落下や荷重による破損が生じにくい有機EL装置201を提供することが可能となる。
Therefore, the
なお、ガラス基板210は、表面に傷が存在することで特に割れやすくなるものである。したがって、上述した実施形態では、ガラス基板210の表面に樹脂コート層221とシリコン系コート層222の2層からなる被膜223を形成するものとしたが、ガラス基板210表面の耐擦傷性を向上させるシリコン系コート層222のみを形成した場合であっても、有機EL装置201の耐衝撃性を向上させる効果を有する。
The
また、本実施形態では、ガラス基板210の回路素子層219が形成されている面と反対側の面に被膜223が形成されている構成で説明したが、被膜223が、ガラス基板210の回路素子層219が形成されている面の形成されている構成でもよい。
Further, in the present embodiment, the configuration in which the
また、本例は、被膜223の形成を、いわゆるディッピング法により行っているものであるが、この他のスピンコート法、スプレイコート法等の公知の方法により、被膜が形成されるものであってもよい。
In this example, the
また、ハードコート層としてのシリコン系コート層222は、個片切り出し(分断)工程(ステップS205)の後で取り除いてもよいが、そのまま残して置くことにより、以降の工程における傷の発生をさらに防止することが可能となる。
In addition, the silicon-based
また、本例では、封止工程(ステップS202)の後に樹脂コート層221とシリコン系コート層222とを形成する方法で説明したが、これに限らない。樹脂コート層221とシリコン系コート層222との形成は、TFTアレイ基板の分断工程(ステップS205)の前に行われればよく、例えば、マザー基板にあらかじめ樹脂コート層141とシリコン系コート層142とを形成した後で発光素子205等を形成してもよい。
In this example, the method of forming the
なお、本発明の電気光学装置製造方法は、上述した実施形態に係るアクティブマトリクス型の液晶表示装置(例えば、TFT(薄膜トランジスタ)やTFD(薄膜ダイオード)をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル)だけでなく、パッシブマトリクス型の液晶表示装置にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電気放出素子を用いた装置(Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emission Display 等)等の各種の電気光学装置の製造方法においても本発明を同様に適用することが可能である。 Note that the electro-optical device manufacturing method of the present invention can be applied only to the active matrix liquid crystal display device according to the above-described embodiment (for example, a liquid crystal display panel including a TFT (thin film transistor) or a TFD (thin film diode)) as a switching element. In addition, the present invention can be similarly applied to a passive matrix liquid crystal display device. In addition to liquid crystal display panels, various electro-optical devices such as electroluminescence devices, plasma display devices, electrophoretic display devices, and devices using electroluminescent elements (Field Emission Display, Surface-Conduction Electron-Emission Display, etc.) The present invention can be similarly applied to the manufacturing method.
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change. These manufacturing methods are also included in the technical scope of the present invention.
1…電気光学装置、10…TFT基板、12…シリコン系コート層、13…樹脂コート層、14…被膜、20…対向基板、22…シリコン系コート層、23…樹脂コート層、24…被膜、30…ドライバIC、31…FPC、32…実装端子、40…シール材、41…液晶、42…張り出し部。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記マザー基板を分断する工程に先立って、前記マザー基板の少なくとも一方の表面上に、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層を形成する工程を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method for manufacturing an electro-optical device, in which a translucent mother substrate is divided to form a plurality of electro-optical device substrates,
An electro-optical device comprising a step of forming a hard coat layer including a silicon-based material on at least one surface of the mother substrate prior to the step of dividing the mother substrate. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324317A JP2009145717A (en) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | Method of manufacturing electrooptical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324317A JP2009145717A (en) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | Method of manufacturing electrooptical device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009145717A true JP2009145717A (en) | 2009-07-02 |
Family
ID=40916355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007324317A Withdrawn JP2009145717A (en) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | Method of manufacturing electrooptical device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009145717A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012042794A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Color filter member for electronic paper, electronic paper, and manufacturing method of the same |
CN111273498A (en) * | 2020-01-17 | 2020-06-12 | 广州奥翼材料与器件研究院有限公司 | Electrophoretic display |
-
2007
- 2007-12-17 JP JP2007324317A patent/JP2009145717A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012042794A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Color filter member for electronic paper, electronic paper, and manufacturing method of the same |
CN111273498A (en) * | 2020-01-17 | 2020-06-12 | 广州奥翼材料与器件研究院有限公司 | Electrophoretic display |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2019167966A1 (en) | Display device, glass substrate, and method for manufacturing glass substrate | |
KR102414593B1 (en) | Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing the Same | |
US9196662B2 (en) | Organic light emitting display and method for manufacturing the same | |
JP6135062B2 (en) | LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, ELECTRONIC DEVICE | |
US9058074B2 (en) | Organic light emitting display | |
JP4731631B2 (en) | Display panel | |
USRE47701E1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
US10754206B2 (en) | Display device | |
TWI416199B (en) | Touch panel | |
TWI617864B (en) | Display device | |
TW201327304A (en) | Touch display panel | |
WO2014034512A1 (en) | Thin film transistor substrate and display device | |
US7182877B2 (en) | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP5493791B2 (en) | Manufacturing method of electro-optical device | |
KR101832270B1 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating thereof | |
JP2008262160A (en) | Electro-optical device and method for manufacturing electro-optical device | |
JP2009145717A (en) | Method of manufacturing electrooptical device | |
CN104423693A (en) | Method for manufacturing organic light emitting diode display and method for manufacturing touch panel | |
JP6348012B2 (en) | Display device | |
KR102551580B1 (en) | Array substrate for display device and display device having the same | |
CN111785753B (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
JP2007010994A (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
KR102133221B1 (en) | Display panel | |
JP2009238695A (en) | Organic el panel | |
JP2014199743A (en) | Method of manufacturing display device, and display device manufactured by the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110301 |