JP2009139338A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板上に配置された圧電膜積層体と、を備え、
   前記圧電膜積層体は、圧電膜が少なくとも２層以上備えられ、前記圧電膜の間と、前記圧電膜積層体の最下層及び最上層と、に電極が配されており、
   前記圧電膜のうちの少なくとも２層は、互いに異なる圧電定数を有することを特徴とする半導体圧力センサ。
2. 前記基板は、半導体材料を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサ。
3. 前記基板は、第１基板と、該第１基板上に積層される絶縁膜と、該絶縁膜上に積層される第２基板と、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体圧力センサ。
4. 前記圧電膜のうちの少なくとも２層が、互いに異なる膜厚で形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体圧力センサ。
5. 基板上において、圧電膜を少なくとも２層以上で形成し、前記圧電膜の間と、最下層及び最上層と、に電極を配して圧電膜積層体を形成し、
   前記圧電膜のうちの少なくとも２層を、反応性スパッタ法を用いて、互いに異なる圧電定数を有する層で形成することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
6. 請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体圧力センサが備えられてなる電子機器。