JP2009135497A - 同軸線型構造を有するレーザーダイオードの製造方法とその発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 長い同軸管状の活性層とより均一的な電界を有するので、多い駆動発光光子とより高い量子効果をもち、より強い誘導放出のレーザー拡大作用を発生するようになる。その製造方法は形成した線型同軸レーザー結晶バーにより軸性ベクトルで同距離に区切り同軸線型構造を有するレーザーダイオードを形成し、ウエハーで材料損耗を防止するためのカット方法である。一致する方向のハイライトを出力するのは同軸発光ファイバーから分散して射出し、白光の照明装置を合成する。ハイライトをより強くし、電力をより節約し、使用時間をより長くし、より安いレーザー発光の方法がこの世紀に電力節約可能な照明装置となる。
【選択図】 図8A
Description
ηwp =ηint xηex x ηv
=( ledPopt / hυ)/( I/ q ) x ηex x (hυ/qV)
= ( ledPopt x ηex ) / IV (1)
I-Ith = e U B (Ne-No) Np = ( e U / τp ) Np (2)
Iは起動電流後に流れる電流を表し、Ithは起動電流を表し、Uは活性作用層の体積を表し、Bは注入した電子が生産する誘導放出が消失する確立を表し、eは電子電荷量を表し、Npは最小の起動キャリヤー(電子)密度を表す。Npは誘導放出の光子密度を表し、τpは光子平均寿命を表し、以下の式で表せる。
τp = ( n / c )(α + L-1 ln R-1 ) -1 (3)
nは活性作用層回折率を表し、cは光速度を表し、αは長さ毎の光波吸収率に対する活性作用層材料の吸収値を表し、Lは空洞共振器長を表し、Rは両端面の反射率を表す。(2)の式は電流がスター電流Ithを超えると、流れ込んだ電子は全て誘導放出へ向かい、その発光電源は図3の誘導放出域の傾斜率によって示され、(I-Ith)と正比例になる。(2)式を微分して以下の式を得る。
d Np / d I = τp / e U (4)
この式はレーザーダイオードが流す電流は誘導発光の光子密度を生産することを表し、誘導発光光子の平均寿命τpがますます長くなり、傾斜率が大きくなることが分かる。(3)の式から活性作用層の材料吸収αは小さく、空洞共振器長は長く、傾斜率は大きくなり、さらに高い光出力を生産することがわかる。
ηi =( Np / Ne )x 100 % (5)
ηd =( d (ldPopt / hν )) / d ( I/ e )
= ( d ldPopt / d I ) / Eg (6)
式中のEgは採用された発光材料発の発光波長の最小禁止帯幅(Eg=Ec−Ev)を表し、ldPoptは図3が示すようにレーザーダイオードの発光効率を表し、その傾斜率は以下の式となる。
tanα = d ldPopt / d I = ηd x Eg (7)
ηt = (ldPopt / h υ) / ( I / e )
= ld Popt / I Eg
=ηd ( 1- ( Ith / I )) (8)
ηl = ldPopt / IV = ηt x ( Eg / V ) (9)
Vはレーザーダイオードの電圧を加えることを表し、このレーザー効率と発光ダイオードの電源効率の表示法式は同じである。発光ダイオードの電源転換効率ηwp (ηwp = (ledPopt x ηex ) / IV)、とレーザーダイオードのレーザー効率ηl (ηl = ldPopt / IV) は光の出力電源と入力電源の比率であるが、しかしその傾斜率を比較するとレーザーダイオードは発光ダイオードの傾斜率より大幅に高い。主な違いは自然拡散発光の抽出効率ηexは比較的低く、空洞共振器の電流と比較して、スター電流Ithを超えると、誘導放出は増加した電流(I - Ith)(再注入したキャリヤー)全てが誘導放出へと流れ、傾斜率が大幅に増す。また、式(2)からU即ち活性層体積を増加し、さらに電子を注入することで出力電源の目的が増すことが分かる。最高の光エネルギー或いは電力節約を目的とするには、空洞共振器定常波を使用して振動し、高い効率の抽出レーザー作用及び活性層発光体積の発光構造を得ることが唯一の選択である。ただし、現在、最高電源効率のレーザー光を電光高能量転換の照明機能として使用した場合欠点があり、その欠点は以下のとおり、
一、光点集中は大面積を照らす目的が達成できず、さらにエネルギーが集中して被照体が、破壊網膜或いは制御できずに燃焼する危険をもたらすような破壊力を生産するに至る。
二、公知のレーザー結晶粒子は従来の半導体ウエハースでのエピタクシーから分割して生成され、レーザー結晶粒子は発光する活性作用層を有し、その体積が所定に限定され、限定された自然発光の初期光エネルギーにより、レーザー拡大作用の電光高能転換を有し、発揮しても拡大は限定される。なお、高価な体積回路設備を利用した工程と高価なウエハースの平面での沈殿或いはエピタクシー工程を有するレーザー結晶粒子のカット方法は、製造コストが高くなり、当然ながら大衆が使用できるほど大量に提供することはできない。
1、同軸半導体光源構造は同軸レーザー結晶バーを延長して完成し、それを区切って同軸線型構造を有するレーザーダイオードを完成し、両面を切削さえすれば、容易に材料を節約しコストを低くおとすことができる。同軸半導体光源はプラスマイナス同軸が等しい距離で給電する二つの電極で、中心に向けて発光する環状半導体層を構成し、同軸方式で給電する同軸半導体光源で、同軸発光ダイオードと同軸レーザーダイオードを含む。図4で示しているのは、通信用波長光源の同軸半導体レーザー構造について例をあげた説明であり、同軸円環状半導体層の同心共用体が分布するフィードバック形異種接合半導体レーザー(Coaxial DFB Heterojunction Laser)構造の局部断面図を示し、この構造は従来のフラット型構造を有するDFB異種接合レーザーを修正し、革新する同軸型レーザーである。この例はウエハース基板で同軸レーザーダイオードを製造すること表す。本同軸半導体レーザーはその間の各層の環状半導体層はホモ接合(Homojunction) 或は同位型(Isotype)異種接合(Heterojunction)或いは非同位型(Unisotype)異種接合等、各種の半導体材料が構成し、組み合わせて自然発光が誘導放出のレーザー作用を成す。これらのレーザー発光作用は従来の技術がブラッグ回折格子(Bragg‘s Grating)のフィードバック作用を採用するように、分布フィードバック型レーザーダイオード(Distributed feedback Laser Diode,DFB)或は分布型ブラッグレフレクター(Distributed Bragg Reflector Laser Diode,DBR)レーザーを作成する。
λB = 2nΛ/m ( 10 )
nは半導体材料回折率を表し、Λはブラッグ回折格子の周期の長さを表し、mは1或いは2の値、回折序数(Order of Diffraction,通常は1)を表す。まず先に発光波長λBを決め、従来の製作したウエハー基板のフラット沈殿技術において、即ちブラッグ回折格子を製造することは、周期の長さλ(厚)を繰り返す工程のコストを多額に消費する。本表面射出型のレーザーは401n-型円環状InP半導体層でブラッグ回折格子を製作することにより、その後、再度沈殿或いはエピタクシーして相互に形成される内部ブラッグ回折格子402n型InGaAsP円環状半導体層を生成し、ブラッグ分布フィードバック型レーザーDFBレーザーを完成する。このレーザーは光通信の光源となり、その製造コストは比較的高く、発光効率は高いが、大衆の安い照明光源として普及するには適さない。また図5において示すのは従来の垂直共振器面発光レーザー光源(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL或は共振空洞発光ダイオードResonate Cavity Light−Emitting Diodes,RCLEDsともいう)であり、図中の501は下端ブラッグ反射ミラーを表し、502は作用層を表し、503はバッファ層を表し、505は上端ブラッグ反射ミラーを表し、506は環状電極を表す。このレーザーのDBR分布型ブラッグレフレクターの製造は、上下層それぞれのDBR反射体において厚みを決め、繰り返し沈殿する。それゆえVCSELレーザーの産出率を低く、コストを割高にし、さらに上下に分布するブラッグ反射鏡DBR回折格子は超細層の沈殿槽で、そのエピタクシー成長層501及び505は、ブラッグ回折格子が生産するλ/4高曲折率及びλ/4低回折率は材料エピタクシー層で素子が正方向バイアスするとき、これらの超細層を通過した電圧は下がる。特に異質接合面は非連続のエネルギー帯が電流の流れを阻止する。
こうして引き起こされた不安定な電流は、パワーの上昇に不都合であり、VCSELレーザーは高パワーの出力ができず、そのために大パワー出力レーザーは図6のDFBレーザーダイオード横断面図が示すように、対面型レーザーを製造する。
一、本発明の同軸発光ファイバーは均一に分散して一致する方向のハイライトレーザーは大面積の照明目的をなす。アメリカ照明協会CIEは1931年、赤緑青色の同軸レーザーが出力する三色波長光によって、それぞれ同軸発光ファイバーの中に放射し、発散型回折率分布の配列により、充分な合成発光と均一に射出ことを達成した。発散型回折率分布の内部波動配列以外に、同軸発光ファイバーの曲げし配列する組みを通して、合成発光照明或いはLCDバックライト構造を製造する。
二、本発明の同軸線型レーザーダイオード及び同軸線型半導体構造を有する沈殿の同軸線型レーザーを製造する方法は、体積が限定されたレーザー結晶粒子と限定された発光量及びそのカット材料の消耗でコストが上がる問題を解決する。同軸線型半導体構造を有する沈殿の同軸線型レーザーを製造する方法はレーザー結晶バーを製造し、その同軸レーザー方式のカットは既に材料の消耗を大幅に減らし、これによりコストを大幅に下げる。垂直で同時に大量に製造する同軸レーザー結晶バーにより、さらにコストを節約し沈殿を何倍も速め、同じ工程で製造するという価値がある。また、強い誘導発光エネルギーを生産する必要があるなら、高い効率かつ大量に自然発光エネルギーを生産するベースダイオード発光構造を構築しなければならない。明らかに本発明は活性作用層を延長し初期自然発光光子量を増やし、レーザー拡大作用の電光エネルギーを転換し、結果的にさらに大きく有効なパワー出力の価値がある。
1.ブラッグ回折格子でカットした軸心金属バー1201の根元はInPシード1202に接続され、るつぼ1203の底部で固定する。
2.るつぼでInPポリシリコン角材を注入する。
3.ボイラーチューブ1206は温度の高低位置により曲線aを制御し徐々に上昇する。
4.ボイラーチューブは温度が制御する曲線bにより調整され、低い温度は1204固体‐液体1205の境界面をゆるやかに上昇する。
5.InP原始シード固体の初期の長さは徐々に延長し、液体区域は徐々になくなり、全体のInPベースバーを完全に覆うまで成長する。
6.InPベースバーを取り出し、VLSEDの石英管内で製作する同軸線型レーザー結晶バーへ移す。
13 両端チャック
14 固定チャック
15 圧力制御装置
22 排気プロセッサー
21 共同ポンプ
200 正電圧供給電極
201 p型AlGaAs半導体
202 n型AlGaAs半導体
203 n+型GaAs基板
204 p+型GaAs基板
205 負電圧供給電極
206 活性層p型GaAs半導体の制限層或いは被覆層
403 ブラッグ分布フィードバック層回折格子
404 環状半導体層
406 反射層
407 導体軸心電極
408 同軸外環給電電極
409 n型InP基板
501 下端ブラッグ反射ミラー
502 作用層
503 バッファ層
505 上端ブラッグ反射ミラー
506 環状電極
606 石英管軸心内導体バー
607 RF環状陽極コイル
608 環状プラズマ
801 同軸の軸心電極
802 p+型InP
803 p型環状制限層
804 p型活性作用層
805 n型制限層のAlxGal-xAs材料
806 外層外環給電電極
807 絶縁反射層
808 保護反射層
809 形成しておくブラッグ回折格子ベースバーを沈殿
810 完成したレーザー結晶バーを沈殿
811 同軸線型レーザー結晶バーを区切り
812 給電台座をそれぞれに完成するパッケージ
1001 環状コア層
1002 外殻
1003 軸殻或いは内殻
1101 赤色発光照明装置
1102 緑色発光照明装置
1103 青色発光照明装置
1104 三色合成白色がそれぞれ照射する点
1201 軸心金属バー
1202 InPシード
1203 るつぼ
1206 ボイラーチューブ
1301 青色発光ファイバー
1302 第二予備用の発光ファイバー
1303 黄色蛍光粉内の被覆箇所
1304 同軸線型構造を有するレーザーダイオードの外部給電台座
1401 同軸柱型構造を有するレーザーダイオード
1402 長いパイプ
1403 制御回路台座
Claims (8)
- 半導体光源構造は同軸レーザーダイオードにより軸性ベクトルへ延長し、同軸線型レーザーダイオードを完成する同軸線型構造を有するレーザーダイオードであって、
同軸給電を形成する軸心電極と外環導体は多層同心環状半導体層により間隔をとり、軸性ベクトル誘導放出(Stimulated Emission)のレーザー拡大を形成し、軸性ベクトルに沿って分布される同軸環状ブラッグ回折格子のフィードバック或いは両端面の反射作用による同軸レーザーダイオードを延長することを特徴とする同軸線型構造を有するレーザーダイオード光源の製造方法。 - 大量に平行に配列して束を組むことにより、強光同軸線型構造を有するレーザーダイオードを形成する請求項1に記載する同軸線型構造を有するレーザーダイオード光源の製造方法。
- 集中的に厚いウェハーで大量に平行に配列して束を組むことにより、強光同軸線型構造を有するレーザーダイオードを形成する請求項1に記載する同軸線型構造を有するレーザーダイオード光源の製造方法。
- 垂直で大量の同時線型エピタクシー沈殿法によりブラッグ回折格子を刻む軸心金属導体或いは軸心ベースバー(Subrod)において、一層ずつ積み重なる同心環状半導体或いは導体層を沈殿、エピタクシーし、これに同調して大量に同軸線型レーザー結晶バーを製造し、さらにそれを区切り、ユニット長さの同軸線型構造を有するレーザーダイオードを構成する、同軸線型構造を有するレーザーダイオード光源の製造方法であって、同軸線型構造を有するレーザーダイオードは、一本或いは一本以上の完成した線型同軸レーザー結晶バーにより、それに沿って区切り形成されることを特徴とする、同軸線型構造を有するレーザーダイオード光源の製造方法。
- 内軸ケース、環状コア層と外殻のからなり、主な分散光線の環状コア層は内軸ケースと外殻を介して、回折率は内軸ケースと外殻による同軸ファイバー構造よりも小さい同軸発光ファイバー構造であって、ファイバー分散光ガイドの回折率分布は半径によって規定され、光が環状コア層に進入した後、高く回折率が一致する2個の内軸ケースと外殻による同軸分散光ガイド構造から回折率分布が配列される波ガイド方法により、同軸発光ファイバー構造を分散して伝送することを特徴とする同軸発光ファイバー構造。
- 白光照明が必要とする光波長の各レーザーを混合し、光学がそれぞれ各発光ファイバーに入射して形成されるレーザー照明装置を接続し、異なる波長のレーザー光波は発光ファイバーのコア位置に進入し、その回折率は外囲殻の回折率より小さく、各波長のレーザー光がファイバー内から放射状に射出し混合して白光照明を発生するレーザー照明装置であって、発光ファイバーはレーザー同時放射、レーザー拡大作用且つ方向が一致する光波を受け、元光波が相同の方向での経路を変更し、発光を均一に分散する発光装置或いは照明装置を図ることを特徴とするレーザー照明装置。
- 相互に形成される白光2色発光照明装置である請求項6に記載するレーザー照明装置。
- 1色或いは1色以上のレーザー発光装置で、蛍光体を蛍光管に被覆する白光照明装置に装入する請求項6に記載するレーザー照明装置。
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