JP2009133751A - Moving body detection device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、磁性材移動体の移動に伴う磁界変化を検出する技術に関し、例えば工業用工作機械や自動車エンジン等に用いられる軟磁性体歯車の回転情報を検出するのに用いて好適な移動体検出装置に関する。 The present invention relates to a technique for detecting a change in a magnetic field associated with movement of a magnetic material moving body, and for example, a moving body suitable for use in detecting rotation information of a soft magnetic gear used in industrial machine tools, automobile engines, and the like. The present invention relates to a detection device.
本出願人は既に下記特許文献1において、スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子(以下「SV−GMR素子」とも表記)を用いた移動体検出装置を提案している。図10に示されるように、特許文献1の移動体検出装置装置800は、軟磁性体歯車81と、バイアス磁石85と、前記軟磁性体歯車81で変化された磁界に対応して抵抗値が変化するSV−GMR素子R91〜R94とを備え、それらのスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子R91〜R94でブリッジ回路を構成し、対をなすスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向が反平行となっている。軟磁性体歯車81は外周面に、回転中心Oからの角度で約45°ごとに1つ合計8つの凸部82を有する。
図11は、SV−GMR素子の原理的構成と磁気特性の説明図である。SV−GMR素子の感磁面は感磁パターンとなる磁気抵抗効果膜を有する。磁気抵抗効果膜は、強磁性体のピン層と、非磁性体の層と、強磁性体のフリー層とを積層したものである。ピン層の磁化方向は外部磁界Hによらず固定される一方、フリー層の磁化方向は外部磁界Hによって変化する。SV−GMR素子の磁気特性は、外部磁界の方向とピン層磁化方向とが順平行で抵抗変化率(ΔR/R)はマイナス、外部磁界の方向とピン層磁化方向とが反平行で抵抗変化率(ΔR/R)はプラスである。つまり、SV−GMR素子は、外部磁界の方向とピン層磁化方向とが順平行のとき低抵抗、外部磁界の方向とピン層磁化方向とが反平行のとき高抵抗となる。 FIG. 11 is an explanatory diagram of the fundamental configuration and magnetic characteristics of the SV-GMR element. The magnetosensitive surface of the SV-GMR element has a magnetoresistive film that forms a magnetosensitive pattern. The magnetoresistive film is formed by laminating a ferromagnetic pinned layer, a nonmagnetic layer, and a ferromagnetic free layer. The magnetization direction of the pinned layer is fixed regardless of the external magnetic field H, while the magnetization direction of the free layer is changed by the external magnetic field H. The magnetic characteristics of the SV-GMR element are such that the direction of the external magnetic field and the pinned layer magnetization direction are forward parallel and the resistance change rate (ΔR / R) is negative, the direction of the external magnetic field and the pinned layer magnetization direction are antiparallel and the resistance change. The rate (ΔR / R) is positive. That is, the SV-GMR element has a low resistance when the direction of the external magnetic field and the pinned layer magnetization direction are forward parallel, and has a high resistance when the direction of the external magnetic field and the pinned layer magnetization direction are antiparallel.
特許文献1の移動体検出装置では、図10に拡大して示されるように、SV−GMR素子R91及びR93のピン層磁化方向は軟磁性体歯車81の回転方向の略逆方向であり、SV−GMR素子R92及びR94のピン層磁化方向は軟磁性体歯車81の回転方向の略順方向である。
In the moving body detection device of
軟磁性体歯車81の凸部がSV−GMR素子R91〜R94の感磁面に接近してきた時、各SV−GMR素子の感磁面位置における磁界の磁性体回転接線方向成分は凸部が接近してくる方向(軟磁性体歯車81の回転方向の略逆方向)を向く。この時、上述の磁気特性よりSV−GMR素子R91及びR93は低抵抗、SV−GMR素子R92及びR94は高抵抗となる。
When the convex portion of the soft
他方、軟磁性体歯車81の凸部がSV−GMR素子R91〜R94の感磁面から遠ざかる時、SV−GMR素子の感磁面位置における磁界の磁性体回転接線方向成分は凸部が遠ざかる方向(軟磁性体歯車81の回転方向の略順方向)を向く。この時、上述の磁気特性よりSV−GMR素子R91及びR93は高抵抗、SV−GMR素子R92及びR94は低抵抗となる。
On the other hand, when the convex portion of the soft
軟磁性体歯車81の回転に伴って軟磁性体歯車81の各凸部82は順番にSV−GMR素子R91〜R94の感磁面に接近し遠ざかり、それが軟磁性体歯車81の回転に伴い繰り返される。このため各SV−GMR素子の感磁面位置における磁界の磁性体回転接線方向成分は軟磁性体歯車81が約45°回転するごとに同じ変化を繰り返す。したがって、図10のようにホイートストンブリッジ接続(フルブリッジ接続)されたSV−GMR素子R91〜R94から、軟磁性体歯車81の回転に伴って変化する出力信号Voutが得られる。出力信号Voutは例えば差動増幅器で増幅された後にシュミットトリガ回路により矩形波信号に変換され、この矩形波信号に基づいて軟磁性体歯車81の回転情報の検出が可能である。
As the soft
特許文献1の移動体検出装置は上述のとおりSV−GMR素子を感磁素子として用いているため、他の磁気抵抗素子を用いる場合と比較して、軟磁性体歯車と感磁素子(回転センサ)との間のギャップが大きくなっても十分な大きさの出力信号を得ることができ、また軟磁性体歯車の凹凸ピッチに依存しないセンサ設計も可能となる。しかし、特許文献1の移動体検出装置においてホイートストンブリッジ接続されたSV−GMR素子R91〜R94から得られる出力信号Voutは、図6(A)及び図7(A)に示されるように、軟磁性体歯車81の凸部82がSV−GMR素子R91〜R94に接近する時と遠ざかる時は大小に振れるものの、凸部82の中央付近がSV−GMR素子R91〜R94の感磁面の上にあるときはゼロとなる。ここで、凸部82及びそのエッジ近傍以外の部分(凸部と凸部の間)がSV−GMR素子R91〜R94の感磁面の上にあるときも出力信号Voutはゼロであるため、特許文献1の移動体検出装置では、軟磁性体歯車81の回転情報は検出できても停止位置情報(特に電源投入時の停止位置情報)は検出できない。このような問題はラック等の直線移動体を検出対象する場合にも同様である。
Since the moving body detection apparatus of
本発明はこうした状況を認識してなされたものであり、その目的は、磁界ベクトル検知型のSV−GMR素子を用いて磁性材移動体の移動情報のみならず停止位置情報も検出することの可能な移動体検出装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to detect not only movement information of a magnetic material moving body but also stop position information using a magnetic field vector detection type SV-GMR element. Is to provide a simple moving body detection apparatus.
本発明のある態様は、移動体検出装置である。この装置は、
少なくとも1つの凸部又は凹部を有する磁性材移動体と、バイアス磁界発生手段と、前記バイアス磁界発生手段に対して固定配置されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子とを備え、
前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向は、前記磁性材移動体の存在する方向又はその逆方向であり、
前記バイアス磁界発生手段は、前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子と前記磁性材移動体の前記凸部又は前記凹部との位置関係に応じて前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子の感磁面における磁界のピン層磁化方向成分が変化する配置であることを特徴とする。
One embodiment of the present invention is a moving object detection apparatus. This device
A magnetic material moving body having at least one convex portion or concave portion, a bias magnetic field generating means, and a spin valve type giant magnetoresistive element fixedly arranged with respect to the bias magnetic field generating means,
The pinned layer magnetization direction of the spin-valve giant magnetoresistive element is the direction in which the magnetic material moving body is present or the opposite direction.
The bias magnetic field generating means generates a magnetic field on the magnetosensitive surface of the spin valve giant magnetoresistive element according to a positional relationship between the spin valve giant magnetoresistive element and the convex portion or the concave portion of the magnetic material moving body. The pinned layer magnetization direction component is arranged to change.
ある態様の移動体検出装置において、前記ピン層磁化方向が前記磁性材移動体の前記凸部又は前記凹部の形成面に略垂直であるとよい。 In the moving body detection device of a certain aspect, the pinned layer magnetization direction may be substantially perpendicular to a formation surface of the convex portion or the concave portion of the magnetic material moving body.
ある態様の移動体検出装置において、前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子が前記磁性材移動体の厚み幅内もしくはその近傍に存在するとよい。 In the mobile object detection device of a certain aspect, the spin valve giant magnetoresistive element may be present within or near the thickness width of the magnetic material mobile object.
ある態様の移動体検出装置において、前記バイアス磁界発生手段の着磁方向が前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向と略垂直であるとよい。 In the mobile object detection device of a certain aspect, the magnetization direction of the bias magnetic field generation means may be substantially perpendicular to the pinned layer magnetization direction of the spin valve giant magnetoresistive element.
この場合、2つの前記バイアス磁界発生手段が同極対向配置され、前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子が2つの前記バイアス磁界発生手段の対向面間に固定配置されていてもよい。 In this case, the two bias magnetic field generating means may be disposed opposite to each other with the same polarity, and the spin valve giant magnetoresistive element may be fixedly disposed between the opposing surfaces of the two bias magnetic field generating means.
ある態様の移動体検出装置において、ピン層磁化方向が相互に反平行の近接する前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子同士がブリッジ回路を成していてもよい。 In a mobile object detection device according to an aspect, the spin valve giant magnetoresistive elements adjacent to each other whose pinned layer magnetization directions are antiparallel to each other may form a bridge circuit.
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法やシステムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。 It should be noted that any combination of the above-described constituent elements, and those obtained by converting the expression of the present invention between methods and systems are also effective as aspects of the present invention.
本発明によれば、スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子と磁性材移動体の凸部又は凹部との位置関係に応じて異なる大きさの出力信号が得られるため、磁性材移動体の移動情報のみならず停止位置情報も検出することが可能となる。 According to the present invention, output signals having different magnitudes can be obtained according to the positional relationship between the spin valve type giant magnetoresistive element and the convex portion or concave portion of the magnetic material moving body. It is also possible to detect stop position information.
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を詳述する。なお、各図面に示される同一または同等の構成要素、部材等には同一の符号を付し、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は発明を限定するものではなく例示であり、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or equivalent component, member, etc. which are shown by each drawing, and the overlapping description is abbreviate | omitted suitably. In addition, the embodiments do not limit the invention but are exemplifications, and all features and combinations thereof described in the embodiments are not necessarily essential to the invention.
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る移動体検出装置100の例示的な概略斜視図である。移動体検出装置100は、磁性材移動体としての軟磁性体歯車1と、バイアス磁界発生手段としてのバイアス磁石5と、SV−GMR素子R1〜R4とを備える。なお、軟磁性体歯車1との相対関係においてバイアス磁石5とSV−GMR素子R1〜R4を実際よりも大きめに記載している。
(First embodiment)
FIG. 1 is an exemplary schematic perspective view of a moving body detection apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention. The moving body detection apparatus 100 includes a soft
板状ないし柱状の軟磁性体歯車1は、少なくとも1つの凸部又は凹部を有し(例えば一定配列ピッチPで凸部2を有し)、図示しない回転軸に取り付けられる。図1では一例として、軟磁性体歯車1は外周面に回転中心Oからの角度で約45°ごとに1つ合計8つの凸部2を有するものとしている。
The plate-like or columnar soft
ブリッジ回路(ホイートストンブリッジ)を成すSV−GMR素子R1〜R4は、軟磁性体歯車1の厚み幅W内もしくはその近傍に1列に近接して存在し(あるいは固定配置され)、ピン層磁化方向は軟磁性体歯車1の外周面(つまり凸部2の形成面)に略垂直となっている。ここで、SV−GMR素子R1,R3(第1組)のピン層磁化方向は軟磁性体歯車1の存在する方向の逆方向であり、SV−GMR素子R2,R4(第2組)のピン層磁化方向は軟磁性体歯車1の存在する方向である。また、各SV−GMR素子の配列間隔は軟磁性体歯車1の凸部(又は凹部)の幅に対して無視できるほど小さい。
The SV-GMR elements R1 to R4 forming a bridge circuit (Wheatstone bridge) are present in the vicinity of one row in the thickness width W of the soft
バイアス磁石5は、SV−GMR素子R1〜R4と軟磁性体歯車1の凸部2との位置関係に応じてSV−GMR素子R1〜R4の感磁面における磁界のピン層磁化方向成分が変化する配置である。バイアス磁石5の着磁方向は好ましくはSV−GMR素子R1〜R4のピン層磁化方向と略垂直である。図1の場合、バイアス磁石5は軟磁性体歯車1の回転軸方向に着磁され、バイアス磁石5のN極面とSV−GMR素子R1〜R4の感磁面(ピン層磁化方向)とが略平行となっている。このような配置の場合、バイアス磁石5による磁界は軟磁性体歯車1に引き寄せられるため、図11に示される磁気特性より、SV−GMR素子R1,R3の抵抗変化量ΔRは無磁界時と比較してプラス、SV−GMR素子R2,R4の抵抗変化量ΔRは無磁界時と比較してマイナスとなる。
The
図2は、図1に示される移動体検出装置100を上側から見た場合の磁界の説明図であり、(A)は軟磁性体歯車1の凸部2以外の部分がSV−GMR素子R1〜R4の前に存在する時(以下、「凸部不対向時」)を示し、(B)は軟磁性体歯車1の凸部2がSV−GMR素子R1〜R4の前に存在する時(以下、「凸部対向時」)を示す。図3は、図1に示される移動体検出装置100を横側から見た場合の磁界の説明図であり、(A)は凸部不対向時を示し、(B)は凸部対向時を示す。これらの図に示されるように、SV−GMR素子R1〜R4の感磁ポイントにおける磁界の軟磁性体歯車1存在方向の成分(ピン層磁化方向成分又はその逆方向成分)は、凸部不対向時は小さく、凸部対向時は大きくなる。このため、凸部対向時は凸部不対向時と比較して、SV−GMR素子R1,R3はさらに高抵抗(無磁界時からの抵抗増加量がさらに大)となり、SV−GMR素子R2,R4はさらに低抵抗(無磁界時からの抵抗減少量がさらに大)となる。したがって、ホイートストンブリッジ接続されたSV−GMR素子R1〜R4からの出力信号Voutは、凸部対向時と凸部不対向時とで異なる大きさとなる。以下、これについて図4ないし7を参照して説明する。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a magnetic field when the moving body detection device 100 shown in FIG. 1 is viewed from the upper side. FIG. 2A shows a portion other than the
図4は、図1のホイートストンブリッジからの出力信号の波形説明図である。図中、V1はSV−GMR素子R1,R2の接続点の電圧を示し、V2はSV−GMR素子R3,R4の接続点の電圧を示す。そして検出信号Vdetは、Vout(=V2−V1)を図示しない差動増幅器にて反転増幅したものである。本図に示されるように、検出信号Vdetは、凸部不対向時は大きく、凸部対向時は小さいものとなっている。なお、参考のためにV1及びV2の実測アナログ波形を図5に示している。 FIG. 4 is a waveform explanatory diagram of an output signal from the Wheatstone bridge of FIG. In the figure, V1 indicates the voltage at the connection point of the SV-GMR elements R1 and R2, and V2 indicates the voltage at the connection point of the SV-GMR elements R3 and R4. The detection signal Vdet is obtained by inverting and amplifying Vout (= V2−V1) with a differential amplifier (not shown). As shown in the figure, the detection signal Vdet is large when the convex portion is not opposed, and is small when the convex portion is opposed. For reference, actually measured analog waveforms of V1 and V2 are shown in FIG.
図6(A)は、特許文献1の移動体検出装置(図10)において軟磁性体歯車の任意の凸部がSV−GMR素子の前を通過した時のVout波形図である。同図(B)は、図1に示される本実施の形態の移動体検出装置において軟磁性体歯車の任意の凸部がSV−GMR素子の前を通過した時のVout波形図である。図7(A)は、特許文献1の移動体検出装置(図10)において軟磁性体歯車(外周面の凸部は3つ)が1周したときのVout波形図である。同図(B)は、図1に示される本実施の形態の移動体検出装置において軟磁性体歯車(外周面の凸部は3つ)が1周したときのVout波形図である。
FIG. 6A is a Vout waveform diagram when an arbitrary convex portion of the soft magnetic gear passes in front of the SV-GMR element in the moving body detection apparatus (FIG. 10) of
これらの図から明らかなように、特許文献1の移動体検出装置では、上述のとおり凸部がSV−GMR素子に接近してくる時と遠ざかる時はVoutが大小に振れるものの凸部の中央部がSV−GMR素子の前を通過している時はVoutはゼロとなる。これに対し本実施の形態の移動体検出装置では、凸部がSV−GMR素子の前を通過している時(凸部対向時)はそうでない時(凸部不対向時)よりも全体的にVoutは大きく、特に凸部の中央部がSV−GMR素子の前を通過している時はVoutが最大となる。
As is clear from these figures, in the moving body detection device of
上述のとおり特許文献1の移動体検出装置では、凸部及びそのエッジ近傍以外の部分(凸部と凸部の間)がSV−GMR素子の感磁面の上にあるときも出力信号Voutはゼロであるため、電源投入時にSV−GMR素子の前に凸部がある場合とそうでない場合との区別がつかない。これに対し本実施の形態の移動体検出装置によれば、凸部がSV−GMR素子の前を通過している時(凸部対向時)はそうでない時(凸部不対向時)よりも全体的にVoutは大きいため、上記のような不都合は解消される。
As described above, in the moving body detection device of
本実施の形態によれば、下記のとおりの効果を奏することができる。 According to the present embodiment, the following effects can be achieved.
(1) 特許文献1の移動体検出装置では電源投入時にSV−GMR素子の前に凸部がある場合とそうでない場合との区別がつかないため電源投入時の軟磁性体歯車の停止位置情報が検出できないのに対し、本実施の形態の移動体検出装置によれば凸部対向時は凸部不対向時よりも全体的に大きい出力信号Voutが得られるため電源投入時の軟磁性体歯車の停止位置情報が検出可能となる。
(1) In the moving body detection device of
(2) 磁気抵抗素子としてSV−GMR素子を用いているため、他の磁気抵抗素子を用いる場合と比較して高感度の磁気検出が可能である。このため、SV−GMR素子の配置の自由度が高く、設計の柔軟性が高められる。 (2) Since the SV-GMR element is used as the magnetoresistive element, it is possible to perform magnetic detection with higher sensitivity than in the case of using other magnetoresistive elements. For this reason, the freedom degree of arrangement | positioning of an SV-GMR element is high, and the design flexibility is improved.
(3) ピン層磁化方向が相互に反平行の近接するスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子同士がホイートストンブリッジを形成しているため、高感度の磁気検出が可能となる。また、SV−GMR素子の温度特性による影響が低減される。 (3) Since the spin-valve giant magnetoresistive elements adjacent to each other whose pinned layer magnetization directions are antiparallel to each other form a Wheatstone bridge, highly sensitive magnetic detection is possible. In addition, the influence of the temperature characteristics of the SV-GMR element is reduced.
(第2の実施の形態)
図8は、本発明の第2の実施の形態に係る移動体検出装置200の例示的な概略斜視図である。本実施の形態の移動体検出装置200は、同極対向配置された2つのバイアス磁石5A,5Bをバイアス磁界発生手段とし、SV−GMR素子R1〜R4がバイアス磁石5A,5Bの対向面間(図8ではN極面間)に固定配置されている点が図1に示される第1の実施の形態に係る移動体検出装置100と異なり、その他の点は同様である。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is an exemplary schematic perspective view of a moving object detection apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention. In the moving body detection apparatus 200 of the present embodiment, two
この第2の実施の形態によれば、同極対向配置された2つのバイアス磁石5A,5Bをバイアス磁界発生手段としているので、第1の実施の形態よりもさらに検出感度を高めることができる。
According to the second embodiment, since the two
以上、実施の形態を例に本発明を説明したが、実施の形態の各構成要素には請求項に記載の範囲で種々の変形が可能であることは当業者に理解されるところである。以下、変形例について触れる。 The present invention has been described above by taking the embodiment as an example. However, it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made to each component of the embodiment within the scope of the claims. Hereinafter, modifications will be described.
実施の形態ではSV−GMR素子は軟磁性体歯車の厚み幅内もしくはその近傍に固定配置されたが、変形例ではこれに替えて、SV−GMR素子は軟磁性体歯車端面のエッジに近接するように軟磁性体歯車端面側に存在してもよい(あるいは固定配置されてもよい)。この場合、好ましくは図9に示されるようにSV−GMR素子が軟磁性体歯車の凸部の高さ範囲内もしくはその近傍に位置するとよく、SV−GMR素子のピン層磁化方向は軟磁性体歯車端面と略垂直であるとよい。またバイアス磁石5の着磁方向は好ましくは軟磁性体歯車1の回転軸に向くとよい。本変形例によっても、実施の形態と同様の効果を奏することができる。
In the embodiment, the SV-GMR element is fixedly disposed within or near the thickness width of the soft magnetic gear, but in the modification, the SV-GMR element is close to the edge of the soft magnetic gear end face instead. Thus, it may exist on the soft magnetic gear end face side (or may be fixedly arranged). In this case, it is preferable that the SV-GMR element is located within the height range of the convex portion of the soft magnetic gear, or the vicinity thereof, as shown in FIG. 9, and the pin layer magnetization direction of the SV-GMR element is the soft magnetic material. It may be substantially perpendicular to the gear end face. The magnetizing direction of the
実施の形態ではSV−GMR素子をホイートストンブリッジ接続したが、SV−GMR素子の接続形態はこれに限定されず、ハーフブリッジ接続であってもよい。磁気検出感度や温度特性の面ではホイートストンブリッジ接続の方が優れているものの、ハーフブリッジ接続の場合はSV−GMR素子が2つでよいため部品点数の削減が可能となる。さらに、SV−GMR素子と固定抵抗とでハーフブリッジを形成することも可能である。この場合、SV−GMR素子2つでハーフブリッジを形成する場合よりも磁気検出感度は落ちるもののコスト低減が可能となる。このことはホイートストンブリッジ接続についても同様で、4つのSV−GMR素子でホイートストンブリッジを形成するのに替えて2つのSV−GMR素子と2つの固定抵抗とでホイートストンブリッジを形成してもよい。 In the embodiment, the SV-GMR element is connected to the Wheatstone bridge, but the connection form of the SV-GMR element is not limited to this, and may be a half-bridge connection. Although Wheatstone bridge connection is superior in terms of magnetic detection sensitivity and temperature characteristics, in the case of half bridge connection, the number of components can be reduced because only two SV-GMR elements are required. Further, it is possible to form a half bridge with the SV-GMR element and a fixed resistor. In this case, although the magnetic detection sensitivity is lower than that in the case where the half bridge is formed by two SV-GMR elements, the cost can be reduced. This also applies to the Wheatstone bridge connection. Instead of forming a Wheatstone bridge with four SV-GMR elements, a Wheatstone bridge may be formed with two SV-GMR elements and two fixed resistors.
実施の形態では軟磁性体歯車を磁性材移動体の例として示したが、これに限定されず、例えば凹凸を直線状に配列した軟磁性体ラック(直線移動体)を磁性材移動体としてもよい。 In the embodiment, the soft magnetic gear is shown as an example of the magnetic material moving body. However, the present invention is not limited to this. For example, a soft magnetic rack (straight moving body) in which irregularities are linearly arranged can be used as the magnetic material moving body. Good.
実施の形態ではバイアス磁界発生手段を永久磁石としたが、動作原理上、電磁石を用いることも可能である。 In the embodiment, the bias magnetic field generating means is a permanent magnet. However, an electromagnet can be used on the principle of operation.
1 軟磁性体歯車
2 凸部
5 バイアス磁石
100 移動体検出装置
R1〜R4 SV−GMR素子
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向は、前記磁性材移動体の存在する方向又はその逆方向であり、
前記バイアス磁界発生手段は、前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子と前記磁性材移動体の前記凸部又は前記凹部との位置関係に応じて前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子の感磁面における磁界のピン層磁化方向成分が変化する配置であることを特徴とする、移動体検出装置。 A magnetic material moving body having at least one convex portion or concave portion, a bias magnetic field generating means, and a spin valve type giant magnetoresistive element fixedly arranged with respect to the bias magnetic field generating means,
The pinned layer magnetization direction of the spin-valve giant magnetoresistive element is the direction in which the magnetic material moving body exists or the opposite direction.
The bias magnetic field generating means generates a magnetic field on the magnetosensitive surface of the spin valve giant magnetoresistive element according to a positional relationship between the spin valve giant magnetoresistive element and the convex portion or the concave portion of the magnetic material moving body. A moving body detection apparatus, wherein the pin layer magnetization direction component changes.
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