JP2009130250A - Substrate treating apparatus, and treating liquid substituting method - Google Patents

Substrate treating apparatus, and treating liquid substituting method Download PDF

Info

Publication number
JP2009130250A
JP2009130250A JP2007305768A JP2007305768A JP2009130250A JP 2009130250 A JP2009130250 A JP 2009130250A JP 2007305768 A JP2007305768 A JP 2007305768A JP 2007305768 A JP2007305768 A JP 2007305768A JP 2009130250 A JP2009130250 A JP 2009130250A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
pure water
tank
processing apparatus
circulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007305768A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiro Hosokawa
章宏 細川
Atsushi Osawa
篤史 大澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2007305768A priority Critical patent/JP2009130250A/en
Publication of JP2009130250A publication Critical patent/JP2009130250A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating apparatus capable of efficiently changing liquid reserved in a treating tank from a chemical to a pure water while suppressing the supply amount of the pure water, and to provide a treating liquid substituting method for the substrate treating apparatus. <P>SOLUTION: The substrate treating apparatus makes a circulation line circulate a treating liquid when a measured value of a specific resistance meter reaches a reference value r1 while supplying pure water through a pure water supply line and discharging treating liquid through a waste liquid line. Consequently, a chemical component remaining in the treating tank can be stirred through the circulation of the treating liquid to discharge the stirred chemical component to outside the treating tank. Therefore, while the supply amount of the pure water is suppressed, the treating liquid reserved in the treating tank can be efficiently changed from the chemical to the pure water. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板に対して、処理槽の中で薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に行う基板処理装置および基板処理装置における処理液の置換方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for sequentially performing chemical treatment with a chemical solution and rinsing treatment with pure water in a treatment tank on a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, and the like. The present invention relates to a processing liquid replacement method in a substrate processing apparatus.

基板の製造工程においては、1つの処理槽の中で基板に対して薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に行う、いわゆるワンバス方式の基板処理装置が使用されている。ワンバス方式の基板処理装置は、処理槽に貯留された薬液中に基板を浸漬し、処理槽の底部から薬液を供給しつつ処理槽の上部から薬液をオーバーフローさせることにより、基板に対して薬液処理を行う。また、ワンバス方式の基板処理装置は、所定時間の薬液処理が終了すると、処理槽の底部から純水を供給しつつ処理槽の上部から液体をオーバーフローさせることにより、処理槽の内部の液体を薬液から純水に徐々に置換する。そして、純水に置換された後の処理槽の内部において、基板に対して純水によるリンス処理を行う。   In the substrate manufacturing process, a so-called one-bus type substrate processing apparatus is used that sequentially performs chemical treatment with a chemical solution and rinse treatment with pure water on a substrate in one treatment tank. One-bus system substrate processing equipment immerses the substrate in the chemical stored in the processing tank, and overflows the chemical from the top of the processing tank while supplying the chemical from the bottom of the processing tank. I do. In addition, the one-bath type substrate processing apparatus, when the chemical processing for a predetermined time is completed, supplies the pure water from the bottom of the processing tank and overflows the liquid from the top of the processing tank, thereby removing the liquid inside the processing tank from the chemical liquid The water is gradually replaced with pure water. And the rinse process by a pure water is performed with respect to a board | substrate inside the processing tank after substituted with a pure water.

従来のワンバス方式の基板処理装置については、例えば特許文献1に開示されている。   A conventional one-bus type substrate processing apparatus is disclosed in Patent Document 1, for example.

特許第3530426号公報Japanese Patent No. 3530426

上記の通り、従来のワンバス方式の基板処理装置では、処理槽の内部の液体を薬液から純水に置換するときには、処理槽への純水の供給と処理槽からの薬液の排出とを継続させることのみによって、薬液から純水への置換を行っていた。このため、処理槽内における液体の置換効率が悪く、薬液から純水への置換に多くの時間が必要であった。また、処理槽内の液体を薬液から純水に置換するために、処理槽へ大量の純水を供給しなければならなかった。   As described above, in the conventional one-bus system substrate processing apparatus, when the liquid inside the processing tank is replaced with the chemical liquid from the chemical liquid, the supply of the pure water to the processing tank and the discharge of the chemical liquid from the processing tank are continued. Only by this, the chemical solution was replaced with pure water. For this reason, the replacement efficiency of the liquid in a processing tank is bad, and much time was required for replacement | exchange from a chemical | medical solution to a pure water. In addition, in order to replace the liquid in the treatment tank from the chemical solution to the pure water, a large amount of pure water has to be supplied to the treatment tank.

特に、処理槽の内部には、基板の表面、処理槽の内壁面、リフタの部材表面などの種々の固体表面が存在する。このような固体表面の付近では、薬液の粘性により他の領域よりも薬液の流れが遅くなるため、薬液成分が滞留し易く、純水への置換が特に進行しにくいという問題があった。このような固体表面の付近に滞留する薬液成分も含めて、処理槽の内部の液体を薬液から純水に完全に置換するためには、かなりの時間を掛けて処理槽への純水の供給と処理槽からの薬液の排出とを継続しなければならなかった。   In particular, various solid surfaces such as the surface of the substrate, the inner wall surface of the processing tank, and the surface of the lifter member are present inside the processing tank. In the vicinity of such a solid surface, the flow of the chemical solution is slower than in other regions due to the viscosity of the chemical solution, so that there is a problem that the chemical component tends to stay and the replacement with pure water is particularly difficult to proceed. In order to completely replace the liquid inside the treatment tank, including chemical components that stay near the solid surface, from chemical to pure water, supply pure water to the treatment tank over a considerable amount of time. And the discharge of the chemical solution from the treatment tank had to be continued.

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、純水の供給量を抑制しつつ、処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に効率よく置換することができる基板処理装置および基板処理装置における処理液の置換方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and is capable of efficiently replacing a liquid stored in a processing tank from a chemical solution to pure water while suppressing a supply amount of pure water. It is an object of the present invention to provide a processing liquid replacement method in an apparatus and a substrate processing apparatus.

上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、処理槽の中で基板に対して薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に行う基板処理装置であって、前記処理槽に純水を供給する純水供給手段と、前記処理槽から液体を排出する排液手段と、前記処理槽から回収された液体を循環させて前記処理槽に再供給する循環手段と、前記処理槽の内部に貯留された液体の比抵抗値を計測する計測手段と、前記純水供給手段、前記排液手段、および前記循環手段の動作を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に置換するときには、前記純水供給手段による純水の供給と前記排液手段による液体の排出とを実行させつつ、前記計測手段による計測値が第1の基準値に到達すると、前記循環手段による液体の循環を実行させることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for sequentially performing chemical treatment with a chemical solution and rinsing treatment with pure water on a substrate in the treatment bath. Pure water supply means for supplying pure water; drainage means for discharging liquid from the treatment tank; circulation means for circulating the liquid recovered from the treatment tank and re-supplying the liquid to the treatment tank; and the treatment tank Measuring means for measuring the specific resistance value of the liquid stored inside, and control means for controlling the operation of the pure water supply means, the drainage means, and the circulation means, the control means, When the liquid stored in the treatment tank is replaced with chemical water from pure liquid, measurement by the measurement means is performed while pure water is supplied by the pure water supply means and liquid is discharged by the drainage means. When the value reaches the first reference value, Characterized in that to perform the circulation of the liquid by serial circulating means.

請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第1の基準値は、6MΩ・cm以上かつ8MΩ・cm以下の値であることを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first reference value is a value of 6 MΩ · cm or more and 8 MΩ · cm or less.

請求項3に係る発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、前記制御手段は、前記循環手段による液体の循環を開始させた後、前記計測手段による計測値が第2の基準値に到達すると、前記循環手段による液体の循環を停止させることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the control means starts the circulation of the liquid by the circulation means, and then the measured value by the measurement means is When the second reference value is reached, the circulation of the liquid by the circulation means is stopped.

請求項4に係る発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記第2の基準値は、4MΩ・cm以上かつ6MΩ・cm以下の値であることを特徴とする。   The invention according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the second reference value is a value of 4 MΩ · cm or more and 6 MΩ · cm or less.

請求項5に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記制御手段は、前記処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に置換するときには、前記純水供給手段による純水の供給と前記排液手段による液体の排出とを実行させ、前記計測手段による計測値が第1の基準値に到達すると、前記純水供給手段による純水の供給と前記排液手段による液体の排出とを停止させるとともに前記循環手段による液体の循環を実行させ、前記計測手段による計測値が第2の基準値に到達すると、前記循環手段による液体の循環を停止させるとともに前記純水供給手段による純水の供給と前記排液手段による液体の排出とを再度実行させることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control means supplies the pure water when the liquid stored in the processing tank is replaced with chemical water from pure liquid. Supply of pure water by the means and discharge of liquid by the drainage means, and when the measurement value by the measurement means reaches a first reference value, supply of pure water by the pure water supply means and the drainage The liquid discharge by the means is stopped, the liquid circulation by the circulation means is executed, and when the measurement value by the measurement means reaches the second reference value, the liquid circulation by the circulation means is stopped and the pure The supply of pure water by the water supply means and the discharge of the liquid by the drainage means are executed again.

請求項6に係る発明は、請求項5に記載の基板処理装置であって、前記第2の基準値は、0MΩ・cm以上かつ2MΩ・cm以下の値であることを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the second reference value is a value of 0 MΩ · cm to 2 MΩ · cm.

請求項7に係る発明は、請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記循環手段は、前記純水供給手段により供給される純水の流速よりも高い流速で前記処理槽に液体を供給することを特徴とする。   The invention according to claim 7 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the circulating means is higher than a flow rate of pure water supplied by the pure water supply means. A liquid is supplied to the treatment tank at a flow rate.

請求項8に係る発明は、請求項1から請求項7までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理槽を含む処理空間に不活性ガスを充填する不活性ガス充填手段を更に備えることを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising an inert gas filling means for filling the processing space including the processing tank with an inert gas. It is characterized by providing.

請求項9に係る発明は、処理槽の中で基板に対して薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に行う基板処理装置において、前記処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に置換する処理液置換方法であって、前記処理槽に純水を供給しつつ前記処理槽から液体を排出する第1の工程と、前記第1の工程により前記処理槽内の液体の比抵抗値が第1の基準値に到達すると、前記処理槽から回収される液体を循環させて前記処理槽に再供給する第2の工程と、前記第2の工程により前記処理槽内の液体の比抵抗値が第2の基準値に到達すると、液体の循環を停止させて、前記処理槽に純水を供給しつつ前記処理槽から液体を排出する第3の工程と、を備えることを特徴とする。   According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus for sequentially performing a chemical treatment with a chemical solution and a rinsing treatment with pure water on a substrate in the treatment bath, the liquid stored in the treatment bath is removed from the chemical solution. A treatment liquid replacement method for substituting with pure water, the first step of discharging liquid from the treatment tank while supplying pure water to the treatment tank; and the liquid in the treatment tank by the first step When the specific resistance value reaches the first reference value, the liquid recovered from the treatment tank is circulated and re-supplied to the treatment tank, and the liquid in the treatment tank is obtained by the second process. And the third step of stopping the circulation of the liquid and discharging the liquid from the processing tank while supplying pure water to the processing tank. Features.

請求項1〜8に記載の発明によれば、基板処理装置は、処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に置換するときには、純水供給手段による純水の供給と排液手段による液体の排出とを実行させつつ、計測手段による計測値が第1の基準値に到達すると、循環手段による液体の循環を実行させる。このため、処理槽の内部に残存する薬液成分を、液体の循環により攪拌させ、攪拌された薬液成分を処理槽の外部へ排出させることができる。したがって、純水の供給量を抑制しつつ、処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に効率よく置換することができる。   According to the first to eighth aspects of the present invention, when the substrate processing apparatus replaces the liquid stored in the processing tank with the pure water from the chemical solution, the pure water supply means and the drain means are used. When the measured value by the measuring means reaches the first reference value while the liquid is discharged by the liquid, the liquid is circulated by the circulating means. For this reason, the chemical component remaining inside the treatment tank can be stirred by circulation of the liquid, and the stirred chemical solution component can be discharged to the outside of the treatment tank. Therefore, it is possible to efficiently replace the liquid stored in the processing tank from the chemical solution to the pure water while suppressing the supply amount of the pure water.

特に、請求項2に記載の発明によれば、第1の基準値は、6MΩ・cm以上かつ8MΩ・cm以下の値である。このため、薬液から純水への置換が適度に進行した時点で液体の循環を開始させることができる。   In particular, according to the invention described in claim 2, the first reference value is a value of 6 MΩ · cm or more and 8 MΩ · cm or less. For this reason, the circulation of the liquid can be started at the time when the replacement from the chemical liquid to the pure water has appropriately proceeded.

特に、請求項3に記載の発明によれば、基板処理装置は、循環手段による液体の循環を開始させた後、計測手段による計測値が第2の基準値に到達すると、循環手段による液体の循環を停止させる。このため、攪拌された薬液成分を再度処理槽に供給してしまうことを抑制することができる。   In particular, according to the invention described in claim 3, the substrate processing apparatus starts the circulation of the liquid by the circulation means, and then when the measurement value by the measurement means reaches the second reference value, the liquid treatment by the circulation means. Stop circulation. For this reason, it can suppress supplying the stirred chemical | medical solution component to a processing tank again.

特に、請求項4に記載の発明によれば、第2の基準値は、4MΩ・cm以上かつ6MΩ・cm以下の値である。このため、純水供給手段による純水の供給と排液手段による液体の排出とを継続しつつ、処理槽の内部に残存する薬液成分を十分に攪拌させることができる。   In particular, according to the invention described in claim 4, the second reference value is a value of 4 MΩ · cm or more and 6 MΩ · cm or less. For this reason, it is possible to sufficiently stir the chemical component remaining inside the processing tank while continuing the supply of pure water by the pure water supply means and the discharge of the liquid by the drainage means.

特に、請求項5に記載の発明によれば、制御手段は、処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に置換するときには、純水供給手段による純水の供給と排液手段による液体の排出とを実行させ、計測手段による計測値が第1の基準値に到達すると、純水供給手段による純水の供給と排液手段による液体の排出とを停止させるとともに循環手段による液体の循環を実行させ、計測手段による計測値が第2の基準値に到達すると、循環手段による液体の循環を停止させるとともに純水供給手段による純水の供給と排液手段による液体の排出とを再度実行させる。このため、純水の供給量をより抑制しつつ、処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に効率よく置換することができる。   In particular, according to the invention described in claim 5, when the control means replaces the liquid stored in the processing tank with the pure water from the chemical liquid, the control means uses the pure water supply and the drainage means. When the measured value by the measuring means reaches the first reference value, the supply of pure water by the pure water supplying means and the discharging of the liquid by the draining means are stopped and the liquid by the circulating means is discharged. When the circulation is executed and the measurement value by the measurement means reaches the second reference value, the circulation of the liquid by the circulation means is stopped and the supply of the pure water by the pure water supply means and the discharge of the liquid by the drainage means are performed again. Let it run. For this reason, the liquid stored in the inside of the processing tank can be efficiently replaced with pure water from the chemical solution while further suppressing the supply amount of pure water.

特に、請求項6に記載の発明によれば、第2の基準値は、0MΩ・cm以上かつ2MΩ・cm以下の値である。このため、純水供給手段による純水の供給と排液手段による液体の排出とを停止させた状態において、処理槽の内部に残存する薬液成分を十分に攪拌させることができる。   In particular, according to the invention described in claim 6, the second reference value is a value of 0 MΩ · cm or more and 2 MΩ · cm or less. For this reason, in the state which stopped supply of the pure water by the pure water supply means, and discharge | emission of the liquid by the drainage means, the chemical | medical solution component which remains in the inside of a processing tank can fully be stirred.

特に、請求項7に記載の発明によれば、循環手段は、純水供給手段により供給される純水の流速よりも高い流速で処理槽に液体を供給する。このため、処理槽の内部に残存する薬液成分をより良好に攪拌させることができる。   In particular, according to the invention described in claim 7, the circulation means supplies the liquid to the treatment tank at a flow rate higher than the flow rate of the pure water supplied by the pure water supply means. For this reason, the chemical | medical solution component which remains in the inside of a processing tank can be stirred more favorably.

特に、請求項8に記載の発明によれば、基板処理装置は、処理槽を含む処理空間に不活性ガスを充填する不活性ガス充填手段を更に備える。このため、処理槽に貯留された液体中に二酸化炭素等の気体が溶解することを防止し、液体の比抵抗値を薬液成分の濃度に応じて正確に変化させることができる。   In particular, according to the invention described in claim 8, the substrate processing apparatus further includes an inert gas filling means for filling the processing space including the processing tank with an inert gas. For this reason, it can prevent that gas, such as a carbon dioxide, melt | dissolves in the liquid stored by the processing tank, and can change the specific resistance value of a liquid correctly according to the density | concentration of a chemical | medical solution component.

また、請求項9に記載の発明によれば、処理液置換方法は、処理槽に純水を供給しつつ処理槽から液体を排出する第1の工程と、第1の工程により処理槽内の液体の比抵抗値が第1の基準値に到達すると、処理槽から回収される液体を循環させて処理槽に再供給する第2の工程と、第2の工程により処理槽内の液体の比抵抗値が第2の基準値に到達すると、液体の循環を停止させて、処理槽に純水を供給しつつ処理槽から液体を排出する第3の工程と、を備える。このため、処理槽の内部に残存する薬液成分を、液体の循環により攪拌させ、攪拌された薬液成分を処理槽の外部へ排出させることができる。したがって、純水の供給量を抑制しつつ、処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に効率よく置換することができる。   According to the invention described in claim 9, the processing liquid replacement method includes a first step of discharging the liquid from the processing tank while supplying pure water to the processing tank, and a first step in the processing tank. When the specific resistance value of the liquid reaches the first reference value, the ratio of the liquid in the processing tank by the second process in which the liquid recovered from the processing tank is circulated and re-supplied to the processing tank is determined. When the resistance value reaches the second reference value, there is provided a third step of stopping the circulation of the liquid and discharging the liquid from the treatment tank while supplying pure water to the treatment tank. For this reason, the chemical component remaining inside the treatment tank can be stirred by circulation of the liquid, and the stirred chemical solution component can be discharged to the outside of the treatment tank. Therefore, it is possible to efficiently replace the liquid stored in the processing tank from the chemical solution to the pure water while suppressing the supply amount of the pure water.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<1.基板処理装置の構成>
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を示した図である。この基板処理装置1は、1つの処理槽10の中で基板Wに対して希フッ酸によるエッチング処理と純水によるリンス処理とを順次に行う、いわゆるワンバス方式の基板処理装置である。なお、本実施形態では「薬液」として希フッ酸を使用し、希フッ酸により「薬液処理」としてのエッチング処理を行う。また、以下の説明では、希フッ酸、純水、およびこれらの中間の濃度を有する液体を総称して「処理液」という。
<1. Configuration of substrate processing apparatus>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a so-called one-bus type substrate processing apparatus that sequentially performs etching processing with dilute hydrofluoric acid and rinsing processing with pure water on a substrate W in one processing tank 10. In this embodiment, dilute hydrofluoric acid is used as the “chemical solution”, and the etching process as the “chemical solution treatment” is performed with the dilute hydrofluoric acid. In the following description, dilute hydrofluoric acid, pure water, and liquids having intermediate concentrations thereof are collectively referred to as “treatment liquid”.

図1に示したように、基板処理装置1は、主として、処理液を貯留するための処理槽10と、複数枚の基板(以下、単に「基板」という)Wを保持しつつ上下に搬送するリフタ20と、処理槽10に処理液を供給するための処理液供給部30と、処理槽10から処理液を回収するための処理液回収部40と、処理槽10を内部に収容するチャンバ50と、チャンバ50の内部に窒素ガスを供給するための窒素ガス供給部60と、装置内の各部の動作を制御するための制御部70とを備えている。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 mainly conveys a processing tank 10 for storing a processing liquid and a plurality of substrates (hereinafter simply referred to as “substrates”) W while holding up and down. A lifter 20, a processing liquid supply unit 30 for supplying a processing liquid to the processing tank 10, a processing liquid recovery unit 40 for recovering the processing liquid from the processing tank 10, and a chamber 50 for accommodating the processing tank 10 therein. A nitrogen gas supply unit 60 for supplying nitrogen gas into the chamber 50, and a control unit 70 for controlling the operation of each unit in the apparatus.

処理槽10は、石英等の耐薬性の材料により構成された貯留容器である。処理槽10は、希フッ酸および純水を順次に貯留してその内部に基板Wを浸漬させる内槽11と、内槽11の外周部に形成された外槽12とを有している。また、内槽11の底部には、内槽11の内部に向けて処理液を吐出する処理液吐出部13が設けられている。処理液吐出部13は、一対のノズル管13a,13bを有しており、各ノズル管13a,13bには、複数の吐出口(図示省略)が形成されている。このため、ノズル管13a,13bに供給された処理液は、複数の吐出口から内槽11へ吐出され、内槽11の内部に貯留される。また、内槽11の上部まで貯留された処理液は、内槽11の上部から外槽12へオーバーフローする。   The processing tank 10 is a storage container made of a chemical resistant material such as quartz. The processing tank 10 includes an inner tank 11 in which dilute hydrofluoric acid and pure water are sequentially stored and the substrate W is immersed therein, and an outer tank 12 formed on the outer peripheral portion of the inner tank 11. Further, a processing liquid discharge unit 13 that discharges the processing liquid toward the inside of the inner tank 11 is provided at the bottom of the inner tank 11. The treatment liquid discharge unit 13 has a pair of nozzle tubes 13a and 13b, and each nozzle tube 13a and 13b has a plurality of discharge ports (not shown). For this reason, the treatment liquid supplied to the nozzle tubes 13 a and 13 b is discharged from the plurality of discharge ports to the inner tank 11 and stored in the inner tank 11. Further, the processing liquid stored up to the upper part of the inner tank 11 overflows from the upper part of the inner tank 11 to the outer tank 12.

内槽11の内部には、処理液の比抵抗値を計測する比抵抗計14が設置されている。比抵抗計14は、一対の金属電極を有しており、金属電極間の電気抵抗を計測することにより、処理液の比抵抗値を計測する。比抵抗計14は、後述する処理液の置換処理の際に、処理槽10の内部に貯留された処理液の比抵抗値を計測し、取得された比抵抗値の情報を制御部70に送信する。なお、比抵抗計14は、金属電極中に温度センサを内蔵し、所定温度における比抵抗値の換算値を制御部70に送信するものであってもよい。   A specific resistance meter 14 for measuring the specific resistance value of the processing liquid is installed inside the inner tank 11. The specific resistance meter 14 has a pair of metal electrodes, and measures the specific resistance value of the treatment liquid by measuring the electrical resistance between the metal electrodes. The specific resistance meter 14 measures the specific resistance value of the processing liquid stored in the processing tank 10 and transmits the acquired specific resistance value information to the control unit 70 during the processing liquid replacement process described later. To do. The specific resistance meter 14 may include a temperature sensor built in the metal electrode and transmit a converted value of the specific resistance value at a predetermined temperature to the control unit 70.

リフタ20は、チャンバ50の内部において基板Wを保持しつつ上下に搬送するための搬送機構である。リフタ20は、図1において紙面と直交する方向にのびる3本の保持棒21を有しており、各保持棒21には複数の保持溝(図示省略)が刻設されている。基板Wは、その周縁部を保持溝に嵌合させた状態で3本の保持棒21上に互いに平行に起立姿勢で保持される。また、リフタ20は、図1において概念的に示した駆動機構22と接続されている。駆動機構22を動作させるとリフタ20は上下に移動し、基板Wは、処理槽10の内部の浸漬位置(図1の状態)と、処理槽10の上方の引き上げ位置との間で搬送される。   The lifter 20 is a transport mechanism for transporting the substrate W up and down while holding the substrate W inside the chamber 50. The lifter 20 has three holding bars 21 extending in a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1, and each holding bar 21 has a plurality of holding grooves (not shown). The board | substrate W is hold | maintained in the standing attitude | position in parallel with each other on the three holding | maintenance rods 21 in the state which fitted the peripheral part to the holding groove. The lifter 20 is connected to the drive mechanism 22 conceptually shown in FIG. When the drive mechanism 22 is operated, the lifter 20 moves up and down, and the substrate W is transported between the immersion position (the state shown in FIG. 1) inside the processing tank 10 and the pulling position above the processing tank 10. .

処理液供給部30は、処理液吐出部13へ処理液を供給するための配管系である。図1に示したように、処理液供給部30は、フッ酸供給源31、純水供給源32、配管33〜35、および開閉弁36〜38を組み合わせて構成されている。フッ酸供給源31および純水供給源32は、それぞれ配管33,34を介して配管35に接続されており、配管33,34の経路途中には、それぞれ開閉弁36,37が介挿されている。また、配管35の経路途中には開閉弁38が介挿されており、配管35の下流側は2本に分岐して一対のノズル管13a,13bにそれぞれ接続されている。   The processing liquid supply unit 30 is a piping system for supplying the processing liquid to the processing liquid discharge unit 13. As shown in FIG. 1, the treatment liquid supply unit 30 is configured by combining a hydrofluoric acid supply source 31, a pure water supply source 32, pipes 33 to 35, and on-off valves 36 to 38. The hydrofluoric acid supply source 31 and the pure water supply source 32 are connected to the pipe 35 via pipes 33 and 34, respectively, and on-off valves 36 and 37 are inserted in the middle of the paths of the pipes 33 and 34, respectively. Yes. Further, an on-off valve 38 is inserted in the middle of the path of the pipe 35, and the downstream side of the pipe 35 is branched into two and connected to the pair of nozzle pipes 13a and 13b, respectively.

このような処理液供給部30において、開閉弁36〜38を開放すると、フッ酸供給源31からのフッ酸と純水供給源32からの純水とが、それぞれ配管33,34を通って配管35に供給され、配管35において所定の割合で混合されて希フッ酸となる。そして、配管35内において生成された希フッ酸が、配管35からノズル管13a,13bへ供給され、ノズル管13a,13bの複数の吐出口から処理槽10の内部に吐出される。   In such a treatment liquid supply unit 30, when the on-off valves 36 to 38 are opened, hydrofluoric acid from the hydrofluoric acid supply source 31 and pure water from the pure water supply source 32 pass through the pipes 33 and 34, respectively. 35 and mixed at a predetermined ratio in the pipe 35 to become dilute hydrofluoric acid. And the diluted hydrofluoric acid produced | generated in the piping 35 is supplied to the nozzle pipes 13a and 13b from the piping 35, and is discharged into the inside of the processing tank 10 from the several discharge port of the nozzle pipes 13a and 13b.

また、処理液供給部30において、開閉弁36を閉鎖するとともに開閉弁37,38を開放すると、純水供給源32からの純水のみが配管34および配管35を通ってノズル管13a,13bへ供給され、ノズル管13a,13bの複数の吐出口から処理槽10の内部に吐出される。   Further, when the on-off valve 36 is closed and the on-off valves 37 and 38 are opened in the processing liquid supply unit 30, only pure water from the pure water supply source 32 passes through the pipe 34 and the pipe 35 to the nozzle pipes 13a and 13b. It is supplied and discharged into the processing tank 10 from a plurality of discharge ports of the nozzle tubes 13a and 13b.

処理液回収部40は、外槽12から処理液を回収し、回収した処理液を排出または循環させるための配管系である。図1に示したように、処理液回収部40は、配管41〜43と、開閉弁44〜46と、循環ポンプ47とを備えている。配管41の上流側の端部は外槽12に接続されており、配管41の下流側の端部は2方向に分岐してそれぞれ配管42と配管43とに接続されている。配管42の経路途中には開閉弁44が接続されており、配管42の下流側は工場内の排液設備に接続されている。また、配管43の経路途中には、上流側から順に開閉弁45、循環ポンプ47、および開閉弁46が介挿されており、配管43の下流側の端部は、配管35の開閉弁38よりも下流側の部位に接続されている。   The processing liquid recovery unit 40 is a piping system for recovering the processing liquid from the outer tank 12 and discharging or circulating the recovered processing liquid. As shown in FIG. 1, the treatment liquid recovery unit 40 includes pipes 41 to 43, on-off valves 44 to 46, and a circulation pump 47. The upstream end of the pipe 41 is connected to the outer tub 12, and the downstream end of the pipe 41 is branched in two directions and connected to the pipe 42 and the pipe 43, respectively. An on-off valve 44 is connected in the course of the pipe 42, and the downstream side of the pipe 42 is connected to a drainage facility in the factory. Further, an on-off valve 45, a circulation pump 47, and an on-off valve 46 are inserted in order from the upstream side in the course of the pipe 43, and the downstream end of the pipe 43 is connected to the on-off valve 38 of the pipe 35. Is also connected to the downstream site.

このような処理液回収部40において、開閉弁45,46を閉鎖するとともに開閉弁44を開放すると、外槽12から配管41へ回収された処理液が、配管42を通って排液設備へ排出される。また、処理液回収部40において、開閉弁44を閉鎖するとともに開閉弁45,46を開放し、循環ポンプ47を動作させると、外槽12から配管41へ回収された処理液が、配管43、配管35、および処理液吐出部13を経由して再び内槽11へ供給される。すなわち、配管41、配管43、および配管35により、処理槽10内の処理液を循環させる循環ラインが構成される。   When the on-off valves 45 and 46 are closed and the on-off valve 44 is opened in such a processing liquid recovery unit 40, the processing liquid recovered from the outer tub 12 to the pipe 41 is discharged to the drainage facility through the pipe 42. Is done. In the processing liquid recovery unit 40, when the on-off valve 44 is closed and the on-off valves 45 and 46 are opened and the circulation pump 47 is operated, the processing liquid recovered from the outer tank 12 to the pipe 41 is transferred to the pipe 43, It is again supplied to the inner tank 11 via the pipe 35 and the processing liquid discharge part 13. That is, the piping 41, the piping 43, and the piping 35 constitute a circulation line that circulates the processing liquid in the processing tank 10.

チャンバ50は、気密性の材料により構成された筐体である。チャンバ50の内部は、基板Wの処理を行うための処理空間となっており、処理空間に処理槽10が配置されている。チャンバ50の上部には、基板Wを搬入又は搬出させるための開口部51が形成されている。開口部51は、スライド式の蓋部52によって閉鎖および開放される。開口部51が開放されたときには、開口部51を介して基板Wを搬入・搬出することができ、また、開口部51が閉鎖されたときには、チャンバ50の内部の処理空間を外部から隔離された密閉空間とすることができる。なお、スライド式の蓋部50は、図1において概念的に示した駆動機構53によりスライド移動する。   The chamber 50 is a casing made of an airtight material. The interior of the chamber 50 is a processing space for processing the substrate W, and the processing tank 10 is disposed in the processing space. An opening 51 for loading or unloading the substrate W is formed in the upper portion of the chamber 50. The opening 51 is closed and opened by a sliding lid 52. When the opening 51 is opened, the substrate W can be loaded and unloaded through the opening 51. When the opening 51 is closed, the processing space inside the chamber 50 is isolated from the outside. It can be a sealed space. Note that the slide-type lid 50 is slid by the drive mechanism 53 conceptually shown in FIG.

チャンバ50の内部の処理槽10の上方には、チャンバ50の内部に窒素ガスを吐出する窒素ガス吐出部54が配置されている。窒素ガス吐出部54は、一対のノズル管54a,54bを有しており、各ノズル管54a,54bには、複数の吐出口(図示省略)が形成されている。このため、ノズル管54a,54bに窒素ガスが供給されると、窒素ガスがノズル管54a,54bの複数の吐出口からチャンバ50の内部に向けて吐出される。また、チャンバ50の底部付近には、排気用の配管55が接続されている。配管55の経路途中には開閉弁56が介挿されており、配管55の下流側は工場内の排気設備に接続されている。このため、開閉弁56を開放することにより、チャンバ50の内部の気体を、配管55を介して排気設備へ排出することができる。   Above the processing tank 10 inside the chamber 50, a nitrogen gas discharge unit 54 that discharges nitrogen gas into the chamber 50 is disposed. The nitrogen gas discharge unit 54 has a pair of nozzle tubes 54a and 54b, and a plurality of discharge ports (not shown) are formed in the nozzle tubes 54a and 54b. For this reason, when nitrogen gas is supplied to the nozzle tubes 54 a and 54 b, the nitrogen gas is discharged from the plurality of discharge ports of the nozzle tubes 54 a and 54 b toward the inside of the chamber 50. Further, an exhaust pipe 55 is connected near the bottom of the chamber 50. An on-off valve 56 is inserted in the middle of the route of the pipe 55, and the downstream side of the pipe 55 is connected to an exhaust facility in the factory. Therefore, by opening the on-off valve 56, the gas inside the chamber 50 can be discharged to the exhaust equipment via the pipe 55.

窒素ガス供給部60は、不活性ガスである窒素ガスを窒素ガス吐出部54へ供給するための配管系である。図1に示したように、窒素ガス供給部60は、窒素ガス供給源61と、配管62と、開閉弁63とを有している。配管62の上流側の端部は窒素ガス供給源61に接続されており、配管62の経路途中には開閉弁63が介挿されている。また、配管62の下流側は2本に分岐して一対のノズル管54a,54bにそれぞれ接続されている。このため、開閉弁63を開放すると、窒素ガス供給源61から配管62を通って一対のノズル管54a,54bへ窒素ガスが供給され、ノズル管54a,54bの複数の吐出口からチャンバ50の内部へ窒素ガスが吐出される。   The nitrogen gas supply unit 60 is a piping system for supplying nitrogen gas, which is an inert gas, to the nitrogen gas discharge unit 54. As shown in FIG. 1, the nitrogen gas supply unit 60 includes a nitrogen gas supply source 61, a pipe 62, and an on-off valve 63. The upstream end of the pipe 62 is connected to a nitrogen gas supply source 61, and an open / close valve 63 is inserted in the middle of the path of the pipe 62. Further, the downstream side of the pipe 62 is branched into two and connected to the pair of nozzle pipes 54a and 54b. Therefore, when the on-off valve 63 is opened, nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 61 through the pipe 62 to the pair of nozzle pipes 54a and 54b, and the inside of the chamber 50 is supplied from the plurality of discharge ports of the nozzle pipes 54a and 54b. Nitrogen gas is discharged.

制御部70は、基板処理装置1の各部の動作を制御するためのコンピュータ装置である。制御部70は、比抵抗計14、駆動機構22、開閉弁36〜38、開閉弁44〜46、循環ポンプ47、駆動機構53、開閉弁56、および開閉弁63と電気的に接続されている。また、制御部70には、ハードディスクやメモリにより構成された記憶部71が接続されている。記憶部71には、基板処理装置1の処理手順を定めた処理レシピ71aや、後述する基準値r1〜r4,ra等のデータが記憶されている。制御部70は、処理レシピ71aや基準値r1〜r4,ra等のデータおよび比抵抗計14から受信する計測値に基づいて駆動機構22、開閉弁36〜38、開閉弁44〜46、循環ポンプ47、駆動機構53、開閉弁56、および開閉弁63を動作させることにより、基板Wの処理を進行させる。   The control unit 70 is a computer device for controlling the operation of each unit of the substrate processing apparatus 1. The control unit 70 is electrically connected to the specific resistance meter 14, the drive mechanism 22, the open / close valves 36 to 38, the open / close valves 44 to 46, the circulation pump 47, the drive mechanism 53, the open / close valve 56, and the open / close valve 63. . The control unit 70 is connected to a storage unit 71 composed of a hard disk or a memory. The storage unit 71 stores a processing recipe 71a that defines the processing procedure of the substrate processing apparatus 1, and data such as reference values r1 to r4, ra, which will be described later. The control unit 70 includes a drive mechanism 22, on-off valves 36 to 38, on-off valves 44 to 46, a circulation pump based on the processing recipe 71 a, data such as reference values r 1 to r 4, ra, and measured values received from the resistivity meter 14. 47, the processing of the substrate W is advanced by operating the drive mechanism 53, the on-off valve 56, and the on-off valve 63.

<2.基板処理装置の動作>
続いて、基板処理装置1において基板Wを処理するときの動作について説明する。図2は、基板処理装置1における処理の流れを示したフローチャートである。また、図3〜図7は、処理の各段階における基板処理装置1の状態を示した図である。この基板処理装置1において基板Wの処理を行うときには、まず、開閉弁36,45,46を閉鎖した状態で開閉弁37,38,44を開放する。これにより、純水供給源32から配管34,35を介して処理液吐出部13に純水を供給し、図3に示したように、処理液吐出部13から処理槽10の内部に純水を吐出する。処理液吐出部13から吐出された純水は、内槽11の内部に徐々に貯留され、やがて内槽11の上部から外槽12へオーバーフローする(ステップS1)。
<2. Operation of substrate processing apparatus>
Next, an operation when the substrate W is processed in the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 2 is a flowchart showing the flow of processing in the substrate processing apparatus 1. 3 to 7 are views showing the state of the substrate processing apparatus 1 at each stage of processing. When processing the substrate W in the substrate processing apparatus 1, first, the on-off valves 37, 38, 44 are opened with the on-off valves 36, 45, 46 closed. As a result, pure water is supplied from the pure water supply source 32 to the processing liquid discharge unit 13 via the pipes 34 and 35, and the pure water is supplied from the processing liquid discharge unit 13 to the inside of the processing tank 10 as shown in FIG. Is discharged. The pure water discharged from the treatment liquid discharge unit 13 is gradually stored inside the inner tank 11 and eventually overflows from the upper part of the inner tank 11 to the outer tank 12 (step S1).

次に、基板処理装置1は、駆動機構53を動作させて蓋部52をスライド移動させ、チャンバ50の開口部51を開放する。そして、所定の搬送機構により他装置から搬送されてきた基板Wを、開口部51を介してチャンバ50の内部に搬入する。チャンバ50の内部では、図4に示したように、処理槽10の上方においてリフタ20が待機しており、基板Wは、リフタ20の3本の保持棒21上に載置される。基板Wの搬入が完了すると、基板処理装置1は、再び蓋部52(図3参照)をスライド移動させ、チャンバ50の開口部51を閉鎖する。   Next, the substrate processing apparatus 1 operates the drive mechanism 53 to slide the lid portion 52 to open the opening 51 of the chamber 50. Then, the substrate W transported from another apparatus by a predetermined transport mechanism is carried into the chamber 50 through the opening 51. Inside the chamber 50, as shown in FIG. 4, the lifter 20 stands by above the processing tank 10, and the substrate W is placed on the three holding bars 21 of the lifter 20. When the loading of the substrate W is completed, the substrate processing apparatus 1 slides the lid portion 52 (see FIG. 3) again to close the opening portion 51 of the chamber 50.

その後、基板処理装置1は、駆動機構22を動作させてリフタ20を下降させ、図5に示したように、処理槽10の内部に貯留された純水中に基板Wを浸漬する(ステップS2)。また、基板処理装置1は、開閉弁63を開放して窒素ガス吐出部54からチャンバ50の内部に窒素ガスを吐出するとともに、開閉弁56を開放してチャンバ50からの気体の排出を行う。このような窒素ガスの吐出およびチャンバ50からの排気は、以降の処理においても継続して行われる。このため、チャンバ50の内部の処理空間は、常に窒素ガスに充填された状態とされる。   Thereafter, the substrate processing apparatus 1 operates the drive mechanism 22 to lower the lifter 20, and as shown in FIG. 5, the substrate W is immersed in pure water stored in the processing tank 10 (step S2). ). Further, the substrate processing apparatus 1 opens the opening / closing valve 63 to discharge nitrogen gas into the chamber 50 from the nitrogen gas discharge portion 54 and opens the opening / closing valve 56 to discharge gas from the chamber 50. The discharge of nitrogen gas and the exhaust from the chamber 50 are continuously performed in the subsequent processing. For this reason, the processing space inside the chamber 50 is always filled with nitrogen gas.

続いて、基板処理装置1は、開閉弁45,46の閉鎖状態および開閉弁37,38,44の開放状態を維持しつつ、開閉弁36を開放する。これにより、フッ酸供給源31から配管33を通って配管35にフッ酸が供給されるとともに、純水供給源32から配管34を通って配管35に純水が供給される。フッ酸と純水とは、配管35において混合されて希フッ酸となり、処理液吐出部13を介して内槽11の内部に吐出される。この希フッ酸の吐出により、処理槽10の内部に貯留された処理液は、純水から希フッ酸に徐々に置換される(ステップS3)。   Subsequently, the substrate processing apparatus 1 opens the on-off valve 36 while maintaining the on-off valves 45, 46 in a closed state and the on-off valves 37, 38, 44 in an open state. Thus, hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 31 through the pipe 33 to the pipe 35, and pure water is supplied from the pure water supply source 32 through the pipe 34 to the pipe 35. The hydrofluoric acid and pure water are mixed in the pipe 35 to become dilute hydrofluoric acid, and are discharged into the inner tank 11 through the treatment liquid discharge unit 13. By the discharge of the diluted hydrofluoric acid, the processing liquid stored in the processing tank 10 is gradually replaced from pure water to diluted hydrofluoric acid (step S3).

処理槽10の内部において純水から希フッ酸への置換が完了した後も、処理液吐出部13からの希フッ酸の吐出は継続され、図6に示したように、基板Wは、処理槽10の内部に貯留された希フッ酸の中に浸漬された状態となる。基板Wの周囲には、上方へ向けて流れる希フッ酸の液流が形成され、基板Wは希フッ酸によるエッチング処理を受ける(ステップS4)。なお、後述するリンス処理が完了するまでの間、基板Wは、図6のように処理槽10の内部において処理液中に浸漬されたままとなる。   Even after the replacement of pure water with dilute hydrofluoric acid is completed inside the treatment tank 10, the discharge of dilute hydrofluoric acid from the treatment liquid discharge unit 13 is continued, and as shown in FIG. It will be in the state immersed in the diluted hydrofluoric acid stored inside the tank 10. FIG. A liquid solution of dilute hydrofluoric acid flowing upward is formed around the substrate W, and the substrate W is subjected to an etching process using dilute hydrofluoric acid (step S4). In addition, until the rinse process mentioned later is completed, the board | substrate W remains immersed in the process liquid in the inside of the process tank 10 like FIG.

所定時間のエッチング処理が完了すると、基板処理装置1は、処理槽10の内部の処理液を、希フッ酸から再び純水に置換する(ステップS5)。図8は、希フッ酸から純水への置換時における基板処理装置1の詳細な動作の流れを示したフローチャートである。以下では、図8のフローチャートを参照しつつ、ステップS5における基板処理装置1の動作について詳細に説明する。   When the etching process for a predetermined time is completed, the substrate processing apparatus 1 replaces the processing liquid inside the processing tank 10 with pure water again from dilute hydrofluoric acid (step S5). FIG. 8 is a flowchart showing a detailed operation flow of the substrate processing apparatus 1 when replacing dilute hydrofluoric acid with pure water. Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus 1 in step S5 will be described in detail with reference to the flowchart of FIG.

処理槽10の内部の処理液を希フッ酸から純水に置換するときには、まず、開閉弁45,46の閉鎖状態および開閉弁37,38,44の開放状態を維持しつつ、開閉弁36を閉鎖する。これにより、フッ酸供給源31からのフッ酸の供給を停止させ、純水供給源32から配管34,35および処理液吐出部13を介して処理槽10の内部に純水を供給するとともに、外槽12へオーバーフローした処理液を配管41,42介して排液設備へ排出する(ステップS511)。すなわち、このときの処理槽10には、図9に示したように、処理槽10に対して純水を供給する純水供給ラインWLと、処理槽10から処理液を排出する排液ラインDLとが連通した状態となる。そして、純水供給ラインWLによる純水の供給と、排液ラインDLによる処理液の排出とにより、処理槽10の内部に貯留された処理液が希フッ酸から純水に徐々に置換されていく。   When replacing the treatment liquid in the treatment tank 10 from dilute hydrofluoric acid with pure water, first, the on-off valve 36 is maintained while the on-off valves 45, 46 are kept closed and the on-off valves 37, 38, 44 are kept open. Close. Thereby, the supply of hydrofluoric acid from the hydrofluoric acid supply source 31 is stopped, and pure water is supplied from the pure water supply source 32 to the inside of the treatment tank 10 through the pipes 34 and 35 and the treatment liquid discharge unit 13, The processing liquid overflowed to the outer tub 12 is discharged to the drainage facility via the pipes 41 and 42 (step S511). That is, in the treatment tank 10 at this time, as shown in FIG. 9, a pure water supply line WL that supplies pure water to the treatment tank 10 and a drain line DL that discharges the treatment liquid from the treatment tank 10. Will be in communication. Then, due to the supply of pure water through the pure water supply line WL and the discharge of the processing liquid through the drainage line DL, the processing liquid stored in the processing tank 10 is gradually replaced with dilute hydrofluoric acid from pure water. Go.

処理槽10の内部に貯留された処理液中のフッ酸成分濃度の低下に伴い、処理液の比抵抗値は徐々に上昇する。このため、比抵抗計14の計測値は、図11の時間t1〜t2に示したように、徐々に上昇する。基板処理装置1の制御部70は、比抵抗計14の計測値を受信し、その計測値が予め設定された基準値r1(第1の基準値)に到達したかどうかを連続的に監視する(ステップS512)。   As the concentration of hydrofluoric acid component in the treatment liquid stored in the treatment tank 10 decreases, the specific resistance value of the treatment liquid gradually increases. For this reason, the measured value of the specific resistance meter 14 gradually increases as shown at times t1 to t2 in FIG. The control unit 70 of the substrate processing apparatus 1 receives the measurement value of the resistivity meter 14 and continuously monitors whether the measurement value has reached a preset reference value r1 (first reference value). (Step S512).

基板処理装置1は、比抵抗計14の計測値が基準値r1に到達しない間は、純水供給ラインWLによる純水の供給と、排液ラインDLによる処理液の排出とを継続する。基板処理装置1は、後述する処理液の循環開始までに、少なくとも処理槽10の容積以上の量の純水を処理槽10の内部に供給することが望ましい。また、基板処理装置1は、基準値r1を、例えば6MΩ・cm以上かつ8MΩ・cm以下の値に設定することが望ましい。このようにすれば、後述する処理液の循環開始までに、薬液から純水への置換を適度に進行させておくことができる。   The substrate processing apparatus 1 continues the supply of pure water through the pure water supply line WL and the discharge of the processing liquid through the drain line DL while the measured value of the resistivity meter 14 does not reach the reference value r1. It is desirable that the substrate processing apparatus 1 supplies pure water in an amount equal to or larger than the volume of the processing tank 10 to the inside of the processing tank 10 before starting the circulation of the processing liquid described later. The substrate processing apparatus 1 desirably sets the reference value r1 to a value of, for example, 6 MΩ · cm or more and 8 MΩ · cm or less. In this way, the replacement of the chemical liquid with pure water can be appropriately advanced before the start of the circulation of the processing liquid described later.

やがて、比抵抗計14の計測値が基準値r1に到達すると、基板処理装置1は、開閉弁37,38,44の開放状態および開閉弁36の閉鎖状態を維持しつつ、開閉弁45,46を開放し、循環ポンプ47を動作させる。これにより、純水供給ラインWLおよび排液ラインDLに加えて、図10に示したように、処理液の循環ラインCLが開放される(ステップS513)。   Eventually, when the measured value of the resistivity meter 14 reaches the reference value r1, the substrate processing apparatus 1 maintains the open / close valves 37, 38, and 44 and the open / close valve 36 in a closed state while the open / close valves 45 and 46 are closed. And the circulation pump 47 is operated. Thereby, in addition to the pure water supply line WL and the drainage line DL, the treatment liquid circulation line CL is opened as shown in FIG. 10 (step S513).

循環ラインCLが開放されると、配管41に回収された処理液の一部は配管43に流入し、循環ポンプ47の圧力により配管35へ送給される。そして、配管35へ送給された処理液は、処理液吐出部13を介して処理槽10の内部に再供給される。すなわち、このときの処理液吐出部13には、純水供給源32から供給される純水と、循環ラインCLにより循環される処理液とが流入する。したがって、処理液吐出部13は、ステップS511〜S512よりも高い流速で処理液を吐出する。処理液吐出部13から吐出された処理液は、処理槽10の内部の基板Wの表面、リフタ20の部材表面、内槽11の内壁等の固体表面の付近にも比較的高い流速で流れ、これらの固体表面の付近に残存するフッ酸成分を攪拌する。特に、循環ポンプ47は、純水供給源32による純水の供給圧よりも高い圧力で処理液を送給する。このため、処理槽10の内部に残存するフッ酸成分をより良好に攪拌させることができる。   When the circulation line CL is opened, a part of the processing liquid collected in the pipe 41 flows into the pipe 43 and is supplied to the pipe 35 by the pressure of the circulation pump 47. Then, the processing liquid supplied to the pipe 35 is supplied again into the processing tank 10 through the processing liquid discharge unit 13. That is, the pure water supplied from the pure water supply source 32 and the processing liquid circulated through the circulation line CL flow into the processing liquid discharge unit 13 at this time. Accordingly, the processing liquid discharge unit 13 discharges the processing liquid at a higher flow rate than steps S511 to S512. The processing liquid discharged from the processing liquid discharge unit 13 also flows at a relatively high flow velocity in the vicinity of the solid surface such as the surface of the substrate W inside the processing tank 10, the surface of the lifter 20, and the inner wall of the inner tank 11, The hydrofluoric acid component remaining in the vicinity of these solid surfaces is stirred. In particular, the circulation pump 47 feeds the processing liquid at a pressure higher than the pure water supply pressure by the pure water supply source 32. For this reason, the hydrofluoric acid component remaining inside the treatment tank 10 can be stirred better.

フッ酸成分の攪拌により、比抵抗計14の計測値は、図11の時間t2〜t3に示したように若干低下する。基板処理装置1の制御部70は、比抵抗計14の計測値を受信し、その計測値が予め設定された基準値r2(第2の基準値)まで低下したかどうかを連続的に監視する(ステップS514)。基板処理装置1は、比抵抗計14の計測値が基準値r2よりも高い間は、そのまま処理液の循環を継続する。なお、基板処理装置1は、基準値r2を、例えば4MΩ・cm以上かつ6MΩ・cm以下の値に設定することが望ましい。このようにすれば、純水供給ラインWLによる純水の供給と、排液ラインDLによる処理液の排出とを継続しつつ、処理槽10の内部に残存するフッ酸成分を十分に攪拌させることができる。   Due to the stirring of the hydrofluoric acid component, the measured value of the resistivity meter 14 slightly decreases as shown at times t2 to t3 in FIG. The control unit 70 of the substrate processing apparatus 1 receives the measurement value of the specific resistance meter 14 and continuously monitors whether or not the measurement value has decreased to a preset reference value r2 (second reference value). (Step S514). The substrate processing apparatus 1 continues to circulate the processing solution as long as the measured value of the resistivity meter 14 is higher than the reference value r2. The substrate processing apparatus 1 desirably sets the reference value r2 to a value of 4 MΩ · cm or more and 6 MΩ · cm or less, for example. In this way, the hydrofluoric acid component remaining inside the treatment tank 10 is sufficiently stirred while continuing the supply of pure water through the pure water supply line WL and the discharge of the treatment liquid through the drainage line DL. Can do.

やがて、比抵抗計14の計測値が基準値r2まで低下すると、基板処理装置1は、開閉弁37,38,44の開放状態および開閉弁36の閉鎖状態を維持しつつ、開閉弁45,46を閉鎖し、循環ポンプ47を停止させる。これにより、循環ラインCLが閉鎖され、処理液の循環が停止される(ステップS515)。   Eventually, when the measured value of the resistivity meter 14 decreases to the reference value r2, the substrate processing apparatus 1 maintains the open state of the open / close valves 37, 38, 44 and the closed state of the open / close valve 36, and the open / close valves 45, 46. Is closed and the circulation pump 47 is stopped. Thereby, the circulation line CL is closed, and the circulation of the processing liquid is stopped (step S515).

循環ラインCLが閉鎖されると、基板処理装置1は、再び図9の状態に戻り、純水供給ラインWLからの純水の供給と、排液ラインDLへの処理液の排出とを行う。ステップS513〜S514において攪拌されたフッ酸成分は、処理液とともに処理槽10の上部からオーバーフローして配管41へ回収され、配管41,42を介して工場内の排液設備へ排出される。   When the circulation line CL is closed, the substrate processing apparatus 1 returns to the state of FIG. 9 again, and supplies pure water from the pure water supply line WL and discharges the processing liquid to the drain line DL. The hydrofluoric acid component stirred in steps S513 to S514 overflows from the upper part of the treatment tank 10 together with the treatment liquid, is collected into the pipe 41, and is discharged to the drainage facility in the factory via the pipes 41 and 42.

比抵抗計14の計測値は、図11の時間t3〜t4に示したように、ステップS511〜S512のときよりも急峻に上昇する。基板処理装置1の制御部70は、比抵抗計14の計測値を受信し、その計測値が予め設定された基準値raまで上昇したかどうかを連続的に監視する(ステップS516)。やがて、比抵抗計14の計測値が基準値raまで上昇すると、処理槽10の内部において薬液から純水への置換が完了したものとして、基板処理装置1は、ステップS5における置換処理を終了する。   The measured value of the resistivity meter 14 rises more steeply than at the time of steps S511 to S512, as shown at times t3 to t4 in FIG. The control unit 70 of the substrate processing apparatus 1 receives the measured value of the resistivity meter 14 and continuously monitors whether or not the measured value has increased to a preset reference value ra (step S516). Eventually, when the measured value of the resistivity meter 14 rises to the reference value ra, the substrate processing apparatus 1 finishes the replacement process in step S5, assuming that the replacement of the chemical solution with pure water is completed inside the processing tank 10. .

本実施形態の基板処理装置1は、このように、純水供給ラインWLによる純水の供給と排液ラインDLによる処理液の排出とを実行させつつ、比抵抗計14の計測値が基準値r1に到達すると、循環ラインCLによる処理液の循環を実行させる。このため、処理槽10の内部に残存する薬液成分を、処理液の循環により攪拌させ、攪拌された薬液成分を処理槽10の外部へ排出させることができる。したがって、純水の供給量を抑制しつつ、処理槽10の内部に貯留された処理液を薬液から純水に効率よく置換することができる。   In this way, the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment performs the supply of pure water by the pure water supply line WL and the discharge of the processing liquid by the drain line DL, while the measured value of the resistivity meter 14 is the reference value. When r1 is reached, the processing liquid is circulated by the circulation line CL. For this reason, the chemical component remaining inside the treatment tank 10 can be stirred by circulation of the treatment liquid, and the stirred chemical solution component can be discharged to the outside of the treatment tank 10. Therefore, it is possible to efficiently replace the processing liquid stored in the processing tank 10 from chemical liquid to pure water while suppressing the supply amount of pure water.

特に、本実施形態の基板処理装置1は、処理槽10の周囲に窒素ガスを充填しつつ、薬液から純水への置換動作を行う。このため、処理槽10に貯留された処理液中に二酸化炭素等の気体が溶解することはなく、フッ酸成分の濃度に応じて処理液の比抵抗値を正確に変化させることができる。   In particular, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment performs a replacement operation from a chemical solution to pure water while filling the periphery of the processing tank 10 with nitrogen gas. For this reason, gas, such as a carbon dioxide, does not melt | dissolve in the processing liquid stored in the processing tank 10, and the specific resistance value of a processing liquid can be changed correctly according to the density | concentration of a hydrofluoric acid component.

図2のフローチャートに戻り、処理槽10の内部においてフッ酸から純水への置換が完了すると、純水の中に浸漬された基板Wは、純水によるリンス処理を受ける(ステップS6)。リンス処理の間も、図6に示したように、処理液吐出部13からの純水の吐出は継続される。そして、所定時間のリンス処理が終了すると、基板処理装置1は、図7に示したように、駆動機構22を動作させてリフタ20を上昇させ、処理槽10に貯留された純水から基板Wを引き上げる(ステップS7)。その後、基板処理装置1は、駆動機構53を動作させて蓋部52をスライド移動させ、チャンバ50の開口部51を開放する。そして、所定の搬送機構により基板Wをチャンバ50の外部へ搬出して、一組の基板Wに対する一連の処理を終了する。   Returning to the flowchart of FIG. 2, when the replacement of hydrofluoric acid with pure water is completed in the processing tank 10, the substrate W immersed in the pure water undergoes a rinsing process with pure water (step S6). During the rinsing process, as shown in FIG. 6, the discharge of pure water from the processing liquid discharge unit 13 is continued. When the rinsing process for a predetermined time is completed, the substrate processing apparatus 1 operates the drive mechanism 22 to raise the lifter 20 as shown in FIG. 7, and the substrate W is made from the pure water stored in the processing tank 10. Is raised (step S7). Thereafter, the substrate processing apparatus 1 operates the drive mechanism 53 to slide the lid portion 52 to open the opening portion 51 of the chamber 50. Then, the substrate W is carried out of the chamber 50 by a predetermined transport mechanism, and a series of processes for the set of substrates W is completed.

<3.希フッ酸から純水への置換動作についての他の実施形態>
上記の実施形態では、希フッ酸から純水への置換動作(ステップS5)を、図8のフローチャートに示した手順で行っていたが、これに代えて、図12のフローチャートに示した手順で希フッ酸から純水への置換動作を行ってもよい。以下では、図12のフローチャートを参照しつつ、他の実施形態における希フッ酸から純水への置換動作について説明する。
<3. Other Embodiment of Replacement Operation from Dilute Hydrofluoric Acid to Pure Water>
In the above embodiment, the replacement operation from dilute hydrofluoric acid to pure water (step S5) is performed according to the procedure shown in the flowchart of FIG. 8, but instead, the procedure shown in the flowchart of FIG. A replacement operation from dilute hydrofluoric acid to pure water may be performed. Below, the replacement | exchange operation | movement from the diluted hydrofluoric acid to pure water in other embodiment is demonstrated, referring the flowchart of FIG.

図12のフローチャートでは、まず、基板処理装置1は、開閉弁45,46の閉鎖状態および開閉弁37,38,44の開放状態を維持しつつ、開閉弁36を閉鎖する。これにより、フッ酸供給源31からのフッ酸の供給を停止させ、純水供給源32から配管34,35および処理液吐出部13を介して処理槽10の内部に純水を供給するとともに、外槽12へオーバーフローした処理液を配管41,42介して排液設備へ排出する(ステップS521)。すなわち、このときの処理槽10には、図9に示したように、処理槽10に対して純水を供給する純水供給ラインWLと、処理槽10から処理液を排出する排液ラインDLとが連通した状態となる。そして、純水供給ラインWLによる純水の供給と、排液ラインDLによる処理液の排出とにより、処理槽10の内部に貯留された処理液が希フッ酸から純水に徐々に置換されていく。   In the flowchart of FIG. 12, first, the substrate processing apparatus 1 closes the on-off valve 36 while maintaining the on-off valves 45, 46 closed and the on-off valves 37, 38, 44 open. Thereby, the supply of hydrofluoric acid from the hydrofluoric acid supply source 31 is stopped, and pure water is supplied from the pure water supply source 32 to the inside of the treatment tank 10 through the pipes 34 and 35 and the treatment liquid discharge unit 13, The processing liquid overflowed to the outer tub 12 is discharged to the drainage equipment via the pipes 41 and 42 (step S521). That is, in the treatment tank 10 at this time, as shown in FIG. 9, a pure water supply line WL that supplies pure water to the treatment tank 10 and a drain line DL that discharges the treatment liquid from the treatment tank 10. Will be in communication. Then, due to the supply of pure water through the pure water supply line WL and the discharge of the processing liquid through the drainage line DL, the processing liquid stored in the processing tank 10 is gradually replaced with dilute hydrofluoric acid from pure water. Go.

処理槽10の内部に貯留された処理液中のフッ酸成分濃度の低下に伴い、処理液の比抵抗値は徐々に上昇する。このため、比抵抗計14の計測値は、図14の時間t5〜t6に示したように、徐々に上昇する。基板処理装置1の制御部70は、比抵抗計14の計測値を受信し、その計測値が予め設定された基準値r3(第1の基準値)に到達したかどうかを連続的に監視する(ステップS522)。   As the concentration of hydrofluoric acid component in the treatment liquid stored in the treatment tank 10 decreases, the specific resistance value of the treatment liquid gradually increases. For this reason, the measured value of the specific resistance meter 14 gradually increases as shown at times t5 to t6 in FIG. The control unit 70 of the substrate processing apparatus 1 receives the measurement value of the resistivity meter 14 and continuously monitors whether or not the measurement value has reached a preset reference value r3 (first reference value). (Step S522).

基板処理装置1は、比抵抗計14の計測値が基準値r3に到達しない間は、純水供給ラインWLによる純水の供給と、排液ラインDLによる処理液の排出とを継続する。基板処理装置1は、後述する処理液の循環開始までに、少なくとも処理槽10の容積以上の量の純水を処理槽10の内部に供給することが望ましい。また、基板処理装置1は、基準値r3を、例えば6MΩ・cm以上かつ8MΩ・cm以下の値に設定することが望ましい。このようにすれば、後述する処理液の循環開始までに、薬液から純水への置換を適度に進行させておくことができる。   The substrate processing apparatus 1 continues the supply of pure water through the pure water supply line WL and the discharge of the processing liquid through the drain line DL while the measured value of the resistivity meter 14 does not reach the reference value r3. It is desirable that the substrate processing apparatus 1 supplies pure water in an amount equal to or larger than the volume of the processing tank 10 to the inside of the processing tank 10 before starting the circulation of the processing liquid described later. Further, the substrate processing apparatus 1 desirably sets the reference value r3 to a value of, for example, 6 MΩ · cm or more and 8 MΩ · cm or less. In this way, the replacement of the chemical liquid with pure water can be appropriately advanced before the start of the circulation of the processing liquid described later.

やがて、比抵抗計14の計測値が基準値r3に到達すると、基板処理装置1は、開閉弁36の閉鎖状態を維持しつつ、開閉弁37,38,44を閉鎖するとともに開閉弁45,46を開放し、循環ポンプ47を動作させる。これにより、純水供給ラインWLによる純水の供給と、排液ラインDLによる処理液の排出とが停止され、図13に示したように、処理液の循環ラインCLが開放される(ステップS523)。   Eventually, when the measured value of the resistivity meter 14 reaches the reference value r3, the substrate processing apparatus 1 closes the on-off valves 37, 38, and 44 and maintains the on-off valves 45, 46 while maintaining the on-off valve 36 in the closed state. And the circulation pump 47 is operated. Thereby, the supply of pure water through the pure water supply line WL and the discharge of the processing liquid through the drainage line DL are stopped, and the processing liquid circulation line CL is opened as shown in FIG. 13 (step S523). ).

循環ラインCLが開放されると、配管41に回収された処理液は配管43に流入し、循環ポンプ47の圧力により配管35へ送給される。そして、配管35へ送給された処理液は、処理液吐出部13を介して処理槽10の内部に再供給される。循環ポンプ47は、純水供給源32による純水の供給圧よりも高い圧力で処理液を送給する。このため、処理液は、ステップS521〜S522よりも高い流速で処理液を吐出する。処理液吐出部13から吐出された処理液は、処理槽10の内部の基板Wの表面、リフタ20の部材表面、内槽11の内壁等の固体表面の付近にも比較的高い流速で流れ、これらの固体表面の付近に残存するフッ酸成分を攪拌する。   When the circulation line CL is opened, the processing liquid collected in the pipe 41 flows into the pipe 43 and is supplied to the pipe 35 by the pressure of the circulation pump 47. Then, the processing liquid supplied to the pipe 35 is supplied again into the processing tank 10 through the processing liquid discharge unit 13. The circulation pump 47 feeds the processing liquid at a pressure higher than the pure water supply pressure by the pure water supply source 32. For this reason, the processing liquid is discharged at a higher flow rate than in steps S521 to S522. The processing liquid discharged from the processing liquid discharge unit 13 also flows at a relatively high flow velocity in the vicinity of the solid surface such as the surface of the substrate W inside the processing tank 10, the surface of the lifter 20, and the inner wall of the inner tank 11, The hydrofluoric acid component remaining in the vicinity of these solid surfaces is stirred.

フッ酸成分の攪拌により、比抵抗計14の計測値は、図14の時間t6〜t7に示したように低下する。基板処理装置1の制御部70は、比抵抗計14の計測値を受信し、その計測値が予め設定された基準値r4(第2の基準値)まで低下したかどうかを連続的に監視する(ステップS524)。基板処理装置1は、比抵抗計14の計測値が基準値r4よりも高い間は、そのまま処理液の循環を継続する。なお、基板処理装置1は、基準値r4を、例えば0MΩ・cm以上かつ2MΩ・cm以下の値に設定することが望ましい。このようにすれば、純水供給ラインWLによる純水の供給と、排液ラインDLによる処理液の排出とを停止した状態において、処理槽10の内部に残存するフッ酸成分を十分に攪拌させることができる。   Due to the stirring of the hydrofluoric acid component, the measured value of the resistivity meter 14 decreases as shown at times t6 to t7 in FIG. The control unit 70 of the substrate processing apparatus 1 receives the measured value of the resistivity meter 14 and continuously monitors whether the measured value has decreased to a preset reference value r4 (second reference value). (Step S524). The substrate processing apparatus 1 continues to circulate the processing solution as long as the measured value of the resistivity meter 14 is higher than the reference value r4. The substrate processing apparatus 1 desirably sets the reference value r4 to a value of, for example, 0 MΩ · cm or more and 2 MΩ · cm or less. In this way, the hydrofluoric acid component remaining inside the treatment tank 10 is sufficiently stirred in a state where the supply of pure water by the pure water supply line WL and the discharge of the treatment liquid by the drain line DL are stopped. be able to.

やがて、比抵抗計14の計測値が基準値r4まで低下すると、基板処理装置1は、開閉弁36の閉鎖状態を維持しつつ、開閉弁45,46を閉鎖するとともに開閉弁37,38,44を開放し、循環ポンプ47を停止させる。これにより、循環ラインCLが閉鎖されて処理液の循環が停止されるとともに、図9に示したように、純水供給ラインWLからの純水の供給と、排液ラインDLへの処理液の排出とが再開される(ステップS525)。ステップS523〜S524において攪拌されたフッ酸成分は、処理液とともに処理槽10の上部からオーバーフローして配管41へ回収され、配管41,42を介して工場内の排液設備へ排出される。   Eventually, when the measured value of the resistivity meter 14 decreases to the reference value r4, the substrate processing apparatus 1 closes the on-off valves 45, 46 and maintains the on-off valves 37, 38, 44 while maintaining the on-off valve 36 in the closed state. Is opened and the circulation pump 47 is stopped. As a result, the circulation line CL is closed and the circulation of the treatment liquid is stopped. As shown in FIG. 9, the supply of the pure water from the pure water supply line WL and the supply of the treatment liquid to the drain line DL are performed. The discharge is resumed (step S525). The hydrofluoric acid component stirred in steps S523 to S524 overflows from the upper part of the treatment tank 10 together with the treatment liquid, is collected into the pipe 41, and is discharged to the drainage facility in the factory via the pipes 41 and 42.

比抵抗計14の計測値は、図14の時間t7〜t8に示したように、ステップS521〜S522のときよりも急峻に上昇する。基板処理装置1の制御部70は、比抵抗計14の計測値を受信し、その計測値が予め設定された基準値raまで上昇したかどうかを連続的に監視する(ステップS526)。やがて、比抵抗計14の計測値が基準値raまで上昇すると、処理槽10の内部において薬液から純水への置換が完了したものとして、基板処理装置1は、ステップS5における置換処理を終了する。   As shown at times t7 to t8 in FIG. 14, the measured value of the specific resistance meter 14 rises more steeply than at the time of steps S521 to S522. The control unit 70 of the substrate processing apparatus 1 receives the measurement value of the specific resistance meter 14 and continuously monitors whether or not the measurement value has increased to a preset reference value ra (step S526). Eventually, when the measured value of the resistivity meter 14 rises to the reference value ra, the substrate processing apparatus 1 finishes the replacement process in step S5, assuming that the replacement of the chemical solution with pure water is completed inside the processing tank 10. .

本実施形態では、このように、純水供給ラインWLによる純水の供給と排液ラインDLによる処理液の排出とを実行させ、比抵抗計14の計測値が基準値r3に到達すると、純水供給ラインWLによる純水の供給と排液ラインDLによる処理液の排出とを停止させるとともに循環ラインCLによる処理液の循環を実行させる。そして、比抵抗計14の計測値が基準値r4に到達すると、循環ラインCLによる処理液の循環を停止させるとともに純水供給ラインWLによる純水の供給と排液ラインDLによる処理液の排出とを再開させる。このため、処理槽10の内部に残存する薬液成分を、処理液の循環により攪拌させ、攪拌された薬液成分を処理槽10の外部へ排出させることができる。したがって、純水の供給量を抑制しつつ、処理槽10の内部に貯留された処理液を薬液から純水に効率よく置換することができる。   In the present embodiment, when pure water is supplied through the pure water supply line WL and the treatment liquid is discharged through the drainage line DL in this way, the measured value of the resistivity meter 14 reaches the reference value r3. The supply of pure water by the water supply line WL and the discharge of the processing liquid by the drain line DL are stopped, and the processing liquid is circulated by the circulation line CL. When the measured value of the specific resistance meter 14 reaches the reference value r4, the circulation of the treatment liquid through the circulation line CL is stopped, and the supply of pure water through the pure water supply line WL and the discharge of the treatment liquid through the drainage line DL are stopped. To resume. For this reason, the chemical component remaining inside the treatment tank 10 can be stirred by circulation of the treatment liquid, and the stirred chemical solution component can be discharged to the outside of the treatment tank 10. Therefore, it is possible to efficiently replace the processing liquid stored in the processing tank 10 from chemical liquid to pure water while suppressing the supply amount of pure water.

先の実施形態では、循環ラインCLにより処理液を循環させる際にも、純水供給ラインWLによる純水の供給と排液ラインDLによる処理液の排出とを継続させていたのに対し、本実施形態では、循環ラインCLにより処理液を循環させる際には、純水供給ラインWLによる純水の供給と排液ラインDLによる処理液の排出とを停止させる。このため、処理液の置換時間をより短縮させたい場合には、先の実施形態(図8の処理手順)の方が有利であるが、純水の供給量をより削減したい場合には、本実施形態(図12の処理手順)の方が有利である。   In the previous embodiment, when the processing liquid is circulated by the circulation line CL, the pure water supply by the pure water supply line WL and the discharge of the processing liquid by the drain line DL are continued. In the embodiment, when the processing liquid is circulated by the circulation line CL, the supply of pure water by the pure water supply line WL and the discharge of the processing liquid by the drain line DL are stopped. For this reason, the previous embodiment (the processing procedure of FIG. 8) is more advantageous when it is desired to further reduce the replacement time of the processing liquid. However, when it is desired to further reduce the supply amount of pure water, The embodiment (the processing procedure in FIG. 12) is more advantageous.

<4.変形例>
以上、本発明の主たる実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記の各実施形態では、一連の液置換動作の中で、循環ラインCLの開放を一度だけ行っていたが、循環ラインCLの開放と閉鎖を複数回繰り返すようにしてもよい。このようにすれば、処理槽10の内部におけるフッ酸成分の攪拌効果をより向上させることができる。
<4. Modification>
As mentioned above, although main embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said example. For example, in each of the above embodiments, the circulation line CL is opened only once in a series of liquid replacement operations. However, the opening and closing of the circulation line CL may be repeated a plurality of times. If it does in this way, the stirring effect of the hydrofluoric acid component in the inside of processing tank 10 can be improved more.

また、上記の実施形態では、希フッ酸と純水とを共通のノズル管13a,13bから吐出させていたが、処理槽10の内部に希フッ酸用のノズル管と純水用のノズル管とを別個に設け、それぞれの供給ラインも別個に設けるようにしてもよい。   In the above embodiment, dilute hydrofluoric acid and pure water are discharged from the common nozzle tubes 13a and 13b. However, a dilute hydrofluoric acid nozzle tube and a deionized water nozzle tube are disposed inside the processing tank 10. May be provided separately, and each supply line may also be provided separately.

また、上記の実施形態では、比抵抗計14の計測値を監視しつつ液置換の動作制御を行っていたが、処理液の比抵抗値が基準値r1〜r4,raに到達するまでの時間を予め実験等により調べておき、その実験等により定められた時間に基づいて液置換の動作制御を行うようにしてもよい。   In the above embodiment, the liquid replacement operation control is performed while monitoring the measurement value of the specific resistance meter 14. However, the time until the specific resistance value of the treatment liquid reaches the reference values r1 to r4, ra. The liquid replacement operation control may be performed based on the time determined by the experiment or the like in advance.

また、上記の各実施形態では、薬液として希フッ酸を使用していたが、本発明の薬液は希フッ酸に限定されるものではなく、SC−1液、SC−2液、リン酸、CARO酸等の他の薬液であってもよい。   In each of the above embodiments, dilute hydrofluoric acid is used as the chemical solution, but the chemical solution of the present invention is not limited to dilute hydrofluoric acid, and SC-1 solution, SC-2 solution, phosphoric acid, Other chemicals such as CARO acid may be used.

また、本発明は、半導体基板を処理対象とする基板処理装置だけではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等の種々の基板を処理対象とする基板処理装置に適用することができる。   The present invention can be applied not only to a substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate but also to a substrate processing apparatus for processing various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device and a glass substrate for a photomask. it can.

基板処理装置の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the substrate processing apparatus. 基板処理装置における処理の流れを示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the flow of the process in a substrate processing apparatus. 処理途中における基板処理装置の状態を示した図である。It is the figure which showed the state of the substrate processing apparatus in the middle of a process. 処理途中における基板処理装置の状態を示した図である。It is the figure which showed the state of the substrate processing apparatus in the middle of a process. 処理途中における基板処理装置の状態を示した図である。It is the figure which showed the state of the substrate processing apparatus in the middle of a process. 処理途中における基板処理装置の状態を示した図である。It is the figure which showed the state of the substrate processing apparatus in the middle of a process. 処理途中における基板処理装置の状態を示した図である。It is the figure which showed the state of the substrate processing apparatus in the middle of a process. 希フッ酸から純水への置換時における詳細な動作の流れを示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the flow of the detailed operation | movement at the time of substitution to dilute hydrofluoric acid to pure water. 処理途中における基板処理装置の給排液系の状態を示した図である。It is the figure which showed the state of the supply-drain system of the substrate processing apparatus in the middle of a process. 処理途中における基板処理装置の給排液系の状態を示した図である。It is the figure which showed the state of the supply-drain system of the substrate processing apparatus in the middle of a process. 比抵抗計の計測値の変化の例を示した図である。It is the figure which showed the example of the change of the measured value of a specific resistance meter. 希フッ酸から純水への置換時における詳細な動作の流れを示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the flow of the detailed operation | movement at the time of substitution to dilute hydrofluoric acid to pure water. 処理途中における基板処理装置の給排液系の状態を示した図である。It is the figure which showed the state of the supply-drain system of the substrate processing apparatus in the middle of a process. 比抵抗計の計測値の変化の例を示した図である。It is the figure which showed the example of the change of the measured value of a specific resistance meter.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
10 処理槽
13 処理液吐出部
14 比抵抗計
20 リフタ
30 処理液供給部
40 処理液回収部
47 循環ポンプ
50 チャンバ
54 窒素ガス吐出部
60 窒素ガス供給部
70 制御部
71 記憶部
W 基板
WL 純水供給ライン
DL 排液ライン
CL 循環ライン
r1〜r4 基準値
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 Processing tank 13 Processing liquid discharge part 14 Resistivity meter 20 Lifter 30 Processing liquid supply part 40 Processing liquid collection | recovery part 47 Circulation pump 50 Chamber 54 Nitrogen gas discharge part 60 Nitrogen gas supply part 70 Control part 71 Storage part W Substrate WL Pure water supply line DL Drain line CL Circulation line r1 to r4 Reference value

Claims (9)

処理槽の中で基板に対して薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に行う基板処理装置であって、
前記処理槽に純水を供給する純水供給手段と、
前記処理槽から液体を排出する排液手段と、
前記処理槽から回収された液体を循環させて前記処理槽に再供給する循環手段と、
前記処理槽の内部に貯留された液体の比抵抗値を計測する計測手段と、
前記純水供給手段、前記排液手段、および前記循環手段の動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に置換するときには、前記純水供給手段による純水の供給と前記排液手段による液体の排出とを実行させつつ、前記計測手段による計測値が第1の基準値に到達すると、前記循環手段による液体の循環を実行させることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for sequentially performing chemical treatment with a chemical solution and rinse treatment with pure water on a substrate in a treatment tank,
Pure water supply means for supplying pure water to the treatment tank;
Drainage means for draining the liquid from the treatment tank;
A circulation means for circulating the liquid recovered from the treatment tank and re-supplying the liquid to the treatment tank;
Measuring means for measuring the specific resistance value of the liquid stored in the treatment tank;
Control means for controlling operations of the pure water supply means, the drainage means, and the circulation means;
With
The control means, when replacing the liquid stored in the processing tank from chemical liquid to pure water, while performing the supply of pure water by the pure water supply means and the discharge of the liquid by the drainage means, The substrate processing apparatus, wherein when the measured value by the measuring means reaches a first reference value, the liquid is circulated by the circulating means.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記第1の基準値は、6MΩ・cm以上かつ8MΩ・cm以下の値であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the first reference value is a value of 6 MΩ · cm to 8 MΩ · cm.
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記循環手段による液体の循環を開始させた後、前記計測手段による計測値が第2の基準値に到達すると、前記循環手段による液体の循環を停止させることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The control means stops the circulation of the liquid by the circulation means when the measurement value by the measurement means reaches a second reference value after starting the circulation of the liquid by the circulation means. Processing equipment.
請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記第2の基準値は、4MΩ・cm以上かつ6MΩ・cm以下の値であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the second reference value is a value of 4 MΩ · cm to 6 MΩ · cm.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に置換するときには、前記純水供給手段による純水の供給と前記排液手段による液体の排出とを実行させ、前記計測手段による計測値が第1の基準値に到達すると、前記純水供給手段による純水の供給と前記排液手段による液体の排出とを停止させるとともに前記循環手段による液体の循環を実行させ、前記計測手段による計測値が第2の基準値に到達すると、前記循環手段による液体の循環を停止させるとともに前記純水供給手段による純水の供給と前記排液手段による液体の排出とを再度実行させることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The control means, when replacing the liquid stored in the processing tank from chemical liquid to pure water, performs the supply of pure water by the pure water supply means and the discharge of the liquid by the drainage means, When the measurement value by the measurement means reaches the first reference value, the supply of pure water by the pure water supply means and the discharge of the liquid by the drainage means are stopped and the circulation of the liquid by the circulation means is executed. When the measurement value by the measurement means reaches the second reference value, the circulation of the liquid by the circulation means is stopped and the supply of pure water by the pure water supply means and the discharge of the liquid by the drainage means are executed again. A substrate processing apparatus.
請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記第2の基準値は、0MΩ・cm以上かつ2MΩ・cm以下の値であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 5,
The substrate processing apparatus, wherein the second reference value is a value of 0 MΩ · cm to 2 MΩ · cm.
請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記循環手段は、前記純水供給手段により供給される純水の流速よりも高い流速で前記処理槽に液体を供給することを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The substrate processing apparatus, wherein the circulation unit supplies the liquid to the processing tank at a flow rate higher than a flow rate of pure water supplied by the pure water supply unit.
請求項1から請求項7までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理槽を含む処理空間に不活性ガスを充填する不活性ガス充填手段を更に備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
A substrate processing apparatus, further comprising an inert gas filling means for filling a processing space including the processing tank with an inert gas.
処理槽の中で基板に対して薬液による薬液処理と純水によるリンス処理とを順次に行う基板処理装置において、前記処理槽の内部に貯留された液体を薬液から純水に置換する処理液置換方法であって、
前記処理槽に純水を供給しつつ前記処理槽から液体を排出する第1の工程と、
前記第1の工程により前記処理槽内の液体の比抵抗値が第1の基準値に到達すると、前記処理槽から回収される液体を循環させて前記処理槽に再供給する第2の工程と、
前記第2の工程により前記処理槽内の液体の比抵抗値が第2の基準値に到達すると、液体の循環を停止させて、前記処理槽に純水を供給しつつ前記処理槽から液体を排出する第3の工程と、
を備えることを特徴とする処理液置換方法。
In a substrate processing apparatus for sequentially performing chemical processing with a chemical and rinsing with pure water on a substrate in a processing tank, processing liquid replacement for replacing the liquid stored in the processing tank with chemical from pure water A method,
A first step of discharging liquid from the treatment tank while supplying pure water to the treatment tank;
When the specific resistance value of the liquid in the processing tank reaches the first reference value by the first process, the second process circulates the liquid recovered from the processing tank and re-supplys it to the processing tank; ,
When the specific resistance value of the liquid in the processing tank reaches the second reference value by the second step, the liquid circulation is stopped, and the liquid is supplied from the processing tank while supplying pure water to the processing tank. A third step of discharging;
A treatment liquid replacement method comprising:
JP2007305768A 2007-11-27 2007-11-27 Substrate treating apparatus, and treating liquid substituting method Pending JP2009130250A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007305768A JP2009130250A (en) 2007-11-27 2007-11-27 Substrate treating apparatus, and treating liquid substituting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007305768A JP2009130250A (en) 2007-11-27 2007-11-27 Substrate treating apparatus, and treating liquid substituting method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009130250A true JP2009130250A (en) 2009-06-11

Family

ID=40820835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007305768A Pending JP2009130250A (en) 2007-11-27 2007-11-27 Substrate treating apparatus, and treating liquid substituting method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009130250A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6300139B2 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP4917965B2 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
JP7056852B2 (en) Cleaning method for board processing equipment and board processing equipment
US20060042756A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and chemical exchanging method
JP2008109086A (en) Substrate processing apparatus
KR20170012047A (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP2009231579A (en) Board treatment device and board treatment method
JP2008041794A (en) Method and device for blending chemical
US10458010B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP2005183791A (en) Method and device for treating substrate
US20080006295A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus for use in process of cleaning semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP5189121B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium on which a computer program for executing the substrate processing method is recorded
JP6435385B2 (en) Substrate processing chemical generation method, substrate processing chemical generation unit, substrate processing method, and substrate processing system
CN100370583C (en) Substrate treating apparatus and method
JP2009130250A (en) Substrate treating apparatus, and treating liquid substituting method
JP5147638B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101021545B1 (en) Unit and Apparatus for and Method of supplying chemical
WO2023162341A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2017117938A (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
JP3892670B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2002110605A (en) Substrate treating method and device
KR102337608B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2007042912A (en) Apparatus and method for cleaning substrate
CN112530790A (en) Wafer cleaning device and wafer cleaning method
JP2016063204A (en) Cleaning method of substrate processing apparatus and substrate processing apparatus