JP2009129999A - 表面処理装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アッシングやエッチング等の表面処理における処理効率を向上させ、処理ガスのロスを抑制する。
【解決手段】表面処理装置１０に一対（複数）の噴出部４４を設ける。これら噴出部４４を被処理物９０と直交する方向から見て被処理位置Ｐ１に対し互いに別方向に離して配置する。これら噴出部４４からの処理ガスを被処理位置Ｐ１及びその周辺上でぶつかり合うようにする。
【選択図】図１

Description

この発明は、被処理物に処理ガスを噴き付けて表面処理する装置及び方法に関する。

例えば特許文献１の表面処理装置では、噴出部と吸引部が被処理物の周縁部の接線方向に沿って互いに対向して配置されている。処理ガスが噴出部から上記接線方向に沿って噴き出され、被処理物の周縁部の不要物に接触してエッチングした後、そのまま上記接線方向に流れて吸引部に吸い込まれるようになっている。
特開２００６−１５６９４５号公報

上掲先行文献の装置では、処理ガスを被処理物の周縁部に沿って長距離流すことで被処理物との接触時間を確保している。一方、被処理物の各被処理位置においては処理ガスが噴出時のままの速さで流れて来て流れ去って行くため、処理ガス中の反応成分の各分子との接触時間が十分に確保されないことも考えられる。また、ガス流速が早い場合、反応副生成物を含んだガスを吸引部で捕集するのが容易でなく、拡散のおそれがある。

本発明は、上記事情に鑑みて提案されたものであり、被処理物に処理ガスを噴き付けて表面処理する装置であって、前記被処理物が配置されるべき仮想面上の被処理位置に向けて局所的に前記処理ガスを噴出する複数の噴出部と、吸引部を備え、前記複数の噴出部が、前記仮想面と直交する方向から見て前記被処理位置に対し互いに別方向に離れて配置されていることを特徴とする。また、処理ガスを用いて被処理物を表面処理する方法であって、前記被処理物と直交する方向から見て前記被処理物上の被処理位置に対し互いに別方向に離れた複数の噴出位置から前記被処理位置に向けて局所的に前記処理ガスを噴出することを特徴とする。
これによって、被処理位置及びその周辺上で１つの噴出部（又は噴出位置）からの処理ガス流と他の噴出部（又は噴出位置）からの処理ガス流とがぶつかり合うようにでき、処理ガスが一時的に滞留するようにすることができる。したがって、処理ガス中の反応成分の各分子と被処理物との接触時間ひいては反応時間を十分に確保でき、処理効率を高めることができるとともに、反応成分のロスを抑制することができる。また、処理ガス流どうしのぶつかり合いによりガスの流速を低下させ吸引部から確実に吸引されるようにできる。したがって、反応副生成物を確実に捕集して拡散を防止でき、ひいてはパーティクルとして被処理物に付着するのを防止できる。

前記複数の噴出部の配置位置（噴出位置）が、前記仮想面ないしは被処理物と直交する方向から見てほぼ対称になっていることが好ましい。ここで、「対称」とは、前記被処理位置に関して点対称ないしは回転対称でもよく、前記被処理位置を通る前記仮想面ないしは被処理物と平行な線に関して線対象でもよい。前記仮想面ないしは被処理物上の線は、前記被処理位置を通る他、少なくとも１つの噴出部（噴出位置）を通るものであってもよく、隣り合う２つの噴出部（噴出位置）の中間を通るものであってもよい。前記噴出部（噴出位置）が一対である場合、これら噴出部（噴出位置）が、前記仮想面と直交する方向から見て前記被処理位置を挟んで互いに対向するように配置されていることが好ましい。
これによって、複数の噴出部（噴出位置）からの処理ガスどうしが被処理位置及びその周辺上で確実にぶつかり合うようにでき、確実に一時滞留させることができる。ひいては、処理効率を確実に高めることができるとともに、反応成分のロスを十分に抑制することができる。

移動手段によって、前記被処理物を前記噴出部（噴出位置）に対し相対移動させることが好ましい。
前記被処理位置を前記被処理物の外周部上に設定し、この被処理位置が被処理物の外周部に沿って移動するように前記被処理物を前記噴出部（噴出位置）に対し相対移動させることにしてもよい。そうすると、被処理物の外周部に沿って表面処理を行うことができる。
前記噴出部（噴出位置）が一対である場合、前記被処理物を前記一対の噴出部に対しこれら噴出部の対向方向に沿って相対移動させることにしてもよく、前記被処理物を前記一対の噴出部に対しこれら噴出部の対向方向と交差（直交）する方向に沿って相対移動させることにしてもよい。

前記吸引部によって、前記被処理位置の近傍のガスを局所的に吸引するのが好ましい。これによって、反応副生成物等を含む処理済みのガスを被処理位置の近傍から速やかに排出することができる。
前記吸引部は、１つに限られず、前記被処理位置の近傍に複数配置されていてもよい。１又は複数の吸引部（吸引位置）が、１つの噴出部を基準にして一定の位置関係になるよう配置されるとともに、他の１つの噴出部を基準にしても上記と同じ位置関係になるよう配置されていることが好ましい。これにより、各噴出位置からのガス流を互いにほぼ対等な方向に吸引することができる。
前記被処理位置が被処理物の外周部に位置している場合、前記吸引部が、前記被処理位置の近傍であって前記仮想面と直交する方向から見て前記被処理物の外側において、前記噴出部に対し位置固定されているのが好ましく、前記被処理位置の近傍のガスを前記被処理物と直交する方向から見て被処理物の外側方向に局所的に吸引することが好ましい。これによって、処理済みガスを被処理物の外側方向に吸い込むことができ、反応副生成物を含んだガスが被処理物の中央部へ向けて拡散するのを防止でき、反応副生成物がパーティクルとして被処理物に付着することを抑制できる。

前記噴出部と吸引部が１つのノズル部材に形成されていることが好ましい。
これによって、複数ないしは一対の噴出部と吸引部とをユニット化してコンパクト化を図ることができ、部品点数を削減することができる。

輻射熱照射手段によって、前記被処理位置に向けて局所的に輻射熱を照射することにしてもよい。
これによって、前記被処理物の被処理位置及びその周辺の部分を局所的に輻射加熱樹脂等の有機物をアッシング（又はエッチング）する場合、処理効率を高めることができる。

本発明によれば、処理ガスと被処理物との処理反応時間を十分に確保でき、処理効率を高めることができるとともに、処理ガスのロスを抑制することができる。また、処理ガスを吸引部から確実に吸引でき、反応副生成物がパーティクルとして被処理物に付着するのを防止できる。

以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１〜図５は、本発明の第１実施形態を示したものである。この実施形態の被処理物は、液晶パネル９０である。液晶パネル９０は、四角形の平板状の石英ガラスを基板９１とし、その上面に電極となる導電層（図示せず）やポリイミド等の樹脂層９２（有機物層）が形成されている。図示は省略するが、液晶パネル９０の端部には、異方性導電膜を介してＴＡＢやＴＣＰ等の駆動用回路基板が接続される。本実施形態の表面処理装置１０は、駆動用回路基板の接続工程に先立ち、液晶パネル９０の端部の樹脂層９２をアッシングして除去するのに用いられる。

図４に示すように、表面処理装置１０は、ハウジング１１と、輻射加熱系３０と、ガス供給系４０と、吸引排気系５０とを備えている。ハウジング１１の内部は、処理室１２になっている。ハウジング１１の天井部にはファンフィルタユニット１３が設けられている。ファンフィルタユニット１３によってフィルタリングされたクリーンエアが処理室１２内に送り込まれるようになっている。処理室１２の床部には排気口１４が設けられ、この排気口１４から排気ダクト１５が延びている。

処理室１２内にステージ１６が設置され、その上方に架台（図示省略）に支持された処理ヘッド１７が配置されている。図５に示すように、ステージ１６は、平面視四角形のプレート状になっている。ステージ１６の上面に、処理すべき液晶パネル９０が設置されている。ステージ１６の外周部には、液晶パネル９０を位置決めするための位置決め凸部１６ａが設けられている。

ステージ１６は、移動手段２０に連結されている。移動手段２０は、ステージ１６をＸ（左右）及びｙ（前後）方向に移動させるＸＹ駆動部２１と、ステージ１６を中心軸線のまわりに回転させる回転駆動部２２とを含んでいる。これにより、ステージ１６ひいては被処理物の液晶パネル９０が、固定系の処理ヘッド１７に対し移動されるようになっている。
ステージ１６が固定される一方、処理ヘッド１７が移動手段２０に接続されて移動されるようになっていてもよい。

上記輻射加熱系３０について説明する。
ハウジング１１の外部にレーザ発振器３１（輻射熱源）が配置されている。レーザ発振器３１にてレーザ（熱光線）が発振される。レーザの種類には特に限定が無く、半導体レーザ、炭酸ガスレーザ、ヘリウムネオンレーザ、アルゴンレーザ、ＹＡＧレーザ等の種々のレーザを用いることができるが、アッシング対象の樹脂層９２の吸収帯域の波長を有していることが好ましい。
レーザ発振器３１には冷却用のチラー３４が接続されている。

処理ヘッド１７の内部には照射ユニット３３（輻射熱照射手段）が配置されている。照射ユニット３３は、光ファイバー３２（光伝送手段）を介してレーザ発振器３１に光学的に接続されている。レーザ発振器３１からのレーザが光ファイバー３２を経て照射ユニット３３に送られる。照射ユニット３３にはレンズ等の光学部材（図示省略）が内蔵されており、これら光学部材によってレーザ３５を収束させて垂直下方へ出射するようになっている。図２に示すように、このレーザ３５が、ステージ１６上の液晶パネル９０の上面外周部の一箇所Ｐ１（被処理位置）に局所的に照射されるようになっている。局所照射箇所Ｐ１は、例えば直径２ｍｍ程度のスポット状（点状）になっている。

図５に示すように、照射ユニット３３には焦点調節機構３６が接続されている。この焦点調節機構３６によって照射ユニット３３を昇降させるなどして焦点を調節できるようになっている。

次に、上記ガス供給系４０について説明する。
図４に示すように、ハウジング１１の外部には処理ガス源４１が設けられている。処理ガス源４１は、処理対象に応じた反応成分を含む処理ガスを生成し、ないしは貯留している。例えば、ポリイミド等の樹脂層９２のアッシングの場合、処理ガス源４１としてオゾナイザーが用いられる。オゾナイザーは、酸素（Ｏ_２）を原料にしてオゾン（Ｏ_３）を生成する。また、上記照射ユニット３３などにより処理対象を十分加熱できる場合は、処理ガスとしてオゾンではなく酸素（Ｏ_２）を用いてもよい。処理ガス源４１としてプラズマ生成装置を用いてもよい。プラズマ生成装置は、少なくとも一対の電極を有し、これら電極間でプラズマを生成し、原料ガスをプラズマ化して反応成分を生成する。無機成分を除去したりエッチングしたりする場合には、ＣＦ_４などのハロゲン系ガスを用いてもよい。プラズマは大気圧近傍下で生成するのが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａが好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａがより好ましい。

図４及び図５に示すように、処理ヘッド１７の内部には、一対の噴出ノズル４３，４３が設けられている。処理ガス源４１からガス供給路４２が延びるとともに、このガス供給路４２が２つに分岐し、一対の噴出ノズル４３，４３の基端部にそれぞれ連なっている。

図１に示すように、各噴出ノズル４３は、細い管状をなし、ｘ軸（左右方向）に沿って延びるとともに、その先端部分４４（噴出部）は、最先端の噴出口４５に向かうにしたがって下に傾けられている。この噴出ノズル４３の先端部分４４の延長線上であって噴出口４５（噴出位置）の近傍に被処理位置Ｐ１がほぼ位置されるようになっている。

図２に示すように、一対の噴出ノズル４３，４３の先端部分４４，４４どうしは、平面視で（被処理物９０ないしは仮想面Ｐｈと直交する方向から見て）被処理位置Ｐ１に対し互いに別方向に離れて配置されている。具体的には、噴出ノズル４３，４３の先端部分４４，４４どうしは、平面視で被処理位置Ｐ１を挟んでｘ軸（左右方向）と平行な一直線上に対向するように配置されている。さらに言い換えると、一対の噴出ノズル４３，４３の先端部分４４，４４どうしは、平面視で被処理位置Ｐ１に関して点対称、ないしは１８０度回転対称、ないしは被処理位置Ｐ１を通りｙ軸と平行な線に関して線対称になっている。

次に、上記吸引排気系５０について説明する。
図４及び図５に示すように、処理ヘッド１７の内部には、吸引ノズル５４が設けられている。吸引ノズル５４は、正面視（図１）において一対の噴出ノズル４３，４３の間の中央部であって、平面視（図２）において液晶パネル９０の後方の外側（図２において上側）に配置されている。吸引ノズル５４は、噴出ノズル４３より大径の管にて構成されている。図３に示すように、吸引ノズル５４の先端部分５５（吸引部）は、最先端の吸引口５６に向かうにしたがって下に傾けられている。この吸引ノズル５４の先端部分５５の延長線上であって吸引口５６（吸引位置）の近傍に被処理位置Ｐ１がほぼ位置されるようになっている。

図２に示すように、平面視において、吸引ノズル５４は、噴出ノズル４３どうしの対向方向と直交するようにｙ軸（前後方向）と平行に延び、左右の噴出ノズル４３に対しそれぞれ９０度の位置関係になっている。

図４に示すように、吸引ノズル５４の基端部は、ステージ１６の外側に延び出るとともに、そこから吸引排気路５３が延び、この吸引排気路５３がスクラバ等の無害化手段５２を介して吸引ポンプ５１に接続されている。

上記構成の表面処理装置１０を用いて液晶パネル９０の外周部の樹脂層９２をアッシングする方法を説明する。
液晶パネル９０をステージ１６にセットし、その外周部が処理ヘッド１７の直下に位置するよう位置決めする。レーザ発振器３１からのレーザ３５を、光ファイバー３２を介して照射ユニット３３から液晶パネル９０へ収束照射する。これにより、被処理位置Ｐ１に局所的に輻射熱を供給でき、被処理位置Ｐ１の樹脂層９２を非接触で局所的に加熱することができる。
併行して、処理ガス源４１からの処理ガス（オゾン含有ガス）をガス供給路４２を介して一対の噴出ノズル４３，４３に分流し、噴出口４５，４５から噴出する。左右の噴出口４５，４５からの噴出流量は互いにほぼ等しく、各噴出口４５からの噴出流量は全体の所要流量の半分である。したがって、噴出ガス流Ｆの流速を小さくすることができる。

図１に示すように、二方向からの噴出ガス流Ｆは、被処理位置Ｐ１の周辺上で互いにぶつかり合いながら被処理位置Ｐ１の樹脂層９２に局所的に接触する。これにより、被処理位置Ｐ１の樹脂層９２を局所的にアッシングして除去することができる。２つの噴出ガス流Ｆ，Ｆは、互いにぶつかり合うことにより一時的に被処理位置Ｐ１の周辺上に滞留する。これによって、被処理位置Ｐ１の樹脂層９２との反応時間を十分に確保でき、処理効率を高めることができ、処理ガスのロスを抑制することができる。また、各噴出ノズル４３からの噴出流量を、噴出ノズルが１つしかない場合の半分程度にできる。したがって、各噴出ガス流Ｆの流速を小さくでき、反応時間を一層確保できるだけでなく、周辺の雰囲気ガスの巻き込みを抑え、オゾン（反応成分）の濃度を維持でき、一層の処理効率向上を図ることができる。さらには、反応副生成物を含んだガスが遠くへ拡散するのを抑えることができ、液晶パネル９０上にパーティクルが付着するのを防止することができる。

更に、吸引ポンプ５１を駆動し、吸引ノズル５４によって被処理位置Ｐ１の近傍の局所吸引を行なう。これにより、反応副生成物を含む処理済みのガスが各噴出ガス流Ｆの流れ方向とは略９０度向きを変え、液晶パネル９０の外側へ流れて吸引口５６に吸引される。したがって、処理ガスが液晶パネル９０の中央部分へ拡散するのを防止できる。この結果、液晶パネル９０へのパーティクル付着を確実に防止することができる。吸引ノズル５４が正面視（図１）で一対の噴射ノズル４３，４３のちょうど中間に位置しているため、両噴射ノズル４３，４３からの噴出ガス流を偏り無く互いに均等に吸引することができる。吸引されたガスは、吸引排気路５３を経て無害化手段５２で無害化され、吸引ポンプ５１から排出される。

更に、図２の白抜き矢印に示すように、移動手段２０のＸＹ駆動部２１によってステージ１６を右方向（噴出口４５の対向方向）に移動させる。これにより、被処理位置Ｐ１が液晶パネル９０の後端側（図２において上側）の縁に沿って移動し、後端側の樹脂層９２をアッシングすることができる。被処理位置Ｐ１が液晶パネル９０の角に達したときは、移動手段２０の回転駆動部２２でステージ１６を９０度回転させるとともに、ＸＹ駆動部２１によって回転によるずれを修正した後、液晶パネル９０のもう１つの縁の樹脂層９２をアッシングする。このようにして、液晶パネル９０の４つの縁の樹脂層９２をアッシングし除去する。

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図６〜図８は、本発明の第２実施形態を示したものである。この実施形態では、噴出ノズル４３及び吸引ノズル５４に代えてノズルプレート６０（ノズル部材）が用いられている。図６に示すように、ノズルプレート６０は、ステンレス等の金属で構成され、平面視で四角形になっている。ノズルプレート６０には、平面視で三重の逆Ｕ字状をなして前側（図６において下）の縁の中央部から後方（同図において上）へ延びる切欠凹部６１が形成されている。図７に示すように、切欠凹部６１の内周面は、三段の階段状になっており、上側の段ほど広くなっている。

図６に示すように、切欠凹部６１の中央部の真下に被処理位置Ｐ１が配置されるようになっている。
図７及び図８に示すように、切欠凹部６１の真上に照射ユニット３３が配置されている。照射ユニット３３からのレーザ３５が切欠凹部６１の内部を通過して被処理位置Ｐ１の樹脂層９２に照射されるようになっている。

図６に示すように、ノズルプレート６０の左右端面の後側部分には、それぞれガス供給ポート４６が設けられている。ガス供給ポート４６に処理ガス供給源からのガス供給路４２が接続されている。
ノズルプレート６０の内部には、左右一対の噴出ノズル通路６３，６３と、１つの吸引ノズル通路６５が形成されている。左右の噴出ノズル通路６３，６３は、左右対称になっている。各噴出ノズル通路６３は、ガス供給ポート４６からノズルプレート６０の奥へ向かう短いポート接続路６３ａと、このポート接続路６３ａの奥端部に連なるとともに前方（図６において下）へ延びる縦通路６３ｂと、この縦通路６３ｂの先端部から切欠凹部６１に向けて延びる横通路６３ｃと、さらにこの横通路６３ｃの先端部から延びる噴出路６３ｄ（噴出部）を含んでいる。

図７に示すように、噴出路６３ｄは、先端に向かってノズルプレート６０の左右中央部に近づくとともに下に傾き、その先端が、ノズルプレート６０の下面に達して開口され、噴出口６３ｅとなっている。この噴出口６３ｅは、切欠凹部６１の下端部の左右の縁とほぼ接するように配置されている。
左右の噴出路６３ｄ，６３ｄは、正面視（図７）で互いに逆ハ字状をなし、先端に向かうにしたがって互いに接近されるとともに、平面視（図６）で被処理位置Ｐ１を挟んで左右に一直線に対向し、１８０度対称に配置されている。

図８に示すように、ノズルプレート６０の下面の後側部には、ステージ１６より離れた位置に吸引ポート５７が設けられている。この吸引ポート５７に吸引ノズル通路６５（吸引部）の基端部が連なっている。吸引ノズル通路６５は、ノズルプレート６０の左右方向の中心線に沿ってまっすぐ前方（図８において左）へ延びている。吸引ノズル通路６５の先端は、切欠凹部６１の二段目の内端面に達して開口され、吸引口６５ａを構成している。

ガス供給路４２からの処理ガスは、ガス供給ポート４６を介して、ポート接続路６３ａ、縦通路６３ｂ、横通路６３ｃを順次経て、噴出路６３ｄから斜めに噴出される。左右の各噴出路６３ｄからの噴出ガス流Ｆが被処理位置Ｐ１の周辺上で互いにぶつかり合うことにより、処理効率を向上させることができる。
処理済みのガスは、切欠凹部６１の内部から吸引ノズル通路６５に吸い込まれ、吸引ポート５７を経て吸引排気路５３へ導出される。
一対の噴出部と吸引部が１つのプレート６０にユニット化されているため、コンパクト化を図ることができる。

図９（ａ）及び（ｂ）は、ノズルプレート６０の変形例を示したものである。このノズルプレート６０の前側（図９（ａ）において下側）の左右中央部には、図６の前端縁に達する切欠凹部６１に代えて、前端縁に達しない孔部６６が形成されている。孔部６６は、平面視で前側が直線状をなし後側が逆Ｕ字状をなしてノズルプレート６０を厚さ方向に貫通している。孔部６６の逆Ｕ字状の部分の内端面は、上側が広く下側が狭い二段の階段状になっている。この孔部６６の内端面の後側（図９（ａ）において上側）の中央部に、吸引ノズル通路６５が達して開口されている。
なお、孔部６６の形状は、平面視で真円形や長円形などの他の形状になっていてもよい。

孔部６６の上方に照射ユニット３３が配置されている。照射ユニット３３からのレーザ３５が孔部６６を通して被処理位置Ｐ１に照射される、被処理位置Ｐ１の樹脂層９２を局所加熱するようになっている。

この変形例によれば、孔部６６の前側部分が閉じており、ノズルプレート６０の前端縁に達していないため、ノズルプレート６０の前側の雰囲気ガスが孔部６６に吸い込まれないようにすることができる。その分だけ、被処理位置Ｐ１からの反応副生成物を含む処理済みガスを孔部６６の下面開口から孔部６６内に確実に取り込むことができ、そこから吸引ノズル通路６５へ確実に吸引し排出することができる。

図１０は、ノズルプレート６０の吸引ノズル通路６５の変形例を示したものである。この吸引ノズル通路６５の先端部は、切欠凹部６１まで達しておらず、切欠凹部６１の近傍で止まっている。この吸引ノズル通路６５の先端部から吸引路６７（吸引部）が延びている。吸引路６７は、先端に向かうにしたがって前方（図１０において左）かつ下側へ斜めに延び、先端が切欠凹部６１の下端部に連なるとともにノズルプレート６０の下面に達して開口されている。
この実施形態においても、周囲の雰囲気ガスの吸い込みを低減できるため、反応副生成物を含む処理済みのガスを吸引口６７の下端開口（吸引口）から吸引路６７に確実に吸い込むことができ、吸引ノズル通路６５を経て確実に排出することができる。

図１１は、本発明の第３実施形態を示したものである。同図（ａ）に示すように、この実施形態では、左右一対の噴出ノズル４３，４３が第１実施形態（図１）と同様に平面視で互いに向き合うように配置されるとともに、左右の各噴出ノズル４３の前後（Ｙ軸方向）の両側に一対の吸引ノズル５４，５４が設けられている。前側（図１１（ａ）において下）の左右の吸引ノズル５４，５４どうしが平面視で互いに対向するように配置され、後側（図１１（ａ）において上）の左右の吸引ノズル５４，５４どうしが平面視で互いに対向するように配置されている。

図１１（ｂ）に示すように、各ノズル４３，５４の先端部分４４，５５は、最先端側へ向かうにしたがって下に傾いている。左側の噴出ノズル４３と左側の吸引ノズル５４の先端部分５５どうしは正面視で互いに重なり合うように平行になっている。右側の噴出ノズル４３と右側の吸引ノズル５４の先端部分５５どうしは正面視で互いに重なり合うように平行になっている。
左右の各噴出ノズル４３の先端部分４４の延長線上に被処理位置Ｐ１が配置されている。この被処理位置Ｐ１の樹脂層９２に照射ユニット３３からのレーザ３５が照射されるようになっている。

左右の噴出ノズル４３，４３からの噴出ガス流Ｆ，Ｆは、被処理位置Ｐ１の周辺上で互いにぶつかり合うとともに被処理位置Ｐ１の樹脂層９２と接触してアッシング反応を起こす。その後、ガスは前後両側へ分かれるとともに、さらに左右に分かれ、前後左右の吸引ノズル５４，５４，５４，５４に吸引され、排出される。

図１２は、本発明の第４実施形態を示したものである。同図（ｂ）に示すように、この実施形態では、照射ユニット３３を挟んで左右両側に一対の噴出ノズル４３，４３が設けられている。これら噴出ノズル４３，４３は、照射ユニット３３より下方へ延びるとともに、先端部分４４は、折曲して最先端へ向かうにしたがって互いに接近するように垂直方向に対し傾けられている。各噴出ノズル４３の先端部分４４の延長線上に被処理位置Ｐ１が配置されている。したがって、同図（ａ）に示すように、これら噴出ノズル４３，４３の先端部分４４，４４を平面視すると、互いに被処理位置Ｐ１を挟んで左右に一直線に対向している。

吸引ノズル５４は、左右に一対設けられている。左側の吸引ノズル５４の先端部分５５は、図１２（ａ）に示すように、平面視で左側の噴出ノズル４３の下側に重なるように配置され、右側の吸引ノズル５４Ｂの先端部分は、平面視で右側の噴出ノズル４３の下側に重なるように配置されている。図１２（ｂ）に示すように、これら左右の吸引ノズル５４，５４の先端部分５５，５５は、最先端側に向かうにしたがってそれぞれ下へ傾けられるとともに互いに接近されている。左側の吸引ノズル５４の吸引口５６は、左側の噴出ノズル４３の噴出口４５より左外側に配置され、右側の吸引ノズル５４の吸引口５６は、右側の噴出ノズル４３の噴出口４５より右外側に配置されている。

左右の噴出ノズル４３，４３からの噴出ガス流Ｆ，Ｆは、被処理位置Ｐ１の周辺上で互いにぶつかり合うとともに被処理位置Ｐ１の樹脂層９２と接触してアッシング反応を起こす。その後、ガスは左右外側へ流れ、左右の吸引ノズル５４，５４に吸引され、排出される。

本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、当業者に自明の範囲で種々の改変をなすことができる。
例えば、２つの噴射部４４，４４（６３ｄ，６３ｄ）は、被処理物９０と直交する方向から見て、必ずしも完全に一直線上に対向している必要はなく、互いに平行をなして少しずれていてもよく、互いの延長線が被処理位置Ｐ１上またはその近傍で交差するように少し角度が付いていてもよい。
噴出部は２つ（一対）に限られず、３つ以上あってもよい。例えば図１３に示すように、３つまたはそれ以上の噴出部が、平面視で被処理位置Ｐ１を中心にしてほぼ均等な角度置きに回転対称状（被処理位置Ｐ１に関して対称）に配置されていてもよく、平面視で被処理位置Ｐ１を通る水平線Ｌ_Ｈに関して互いにほぼ対称になっていてもよい。
１つの噴出部４４（６３ｄ）からの噴出流量と、他の１つの噴出部４４（６３ｄ）からの噴出流量が、互いに異なっていてもよい。
実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、第２実施形態のノズルプレート６０の噴出口６３ｅ及び吸引口６５ａの配置及び数を、第３実施形態又は第４実施形態の噴出口４５及び吸引口５６の配置及び数と同様になるようにしてもよい。
アッシング（又はエッチング）の対象物は、液晶パネル９０の樹脂層９２に限られず、例えばＦＥＤや有機ＥＬパネルの絶縁層であってもよく、レチクルのペリクル除去時に残った接着層であってもよく、ウェハにフォトレジストをスピンコートにて被膜する際にウェハ外周部に形成される不要膜であってもよく、樹脂（有機物）に限られず、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等の無機物であってもよい。
処理対象が無機物等で構成されていて加熱を要しない場合、輻射加熱系３０は省略してもよい。
さらには、アッシングやエッチングに限られず、成膜、洗浄、表面改質、その他の表面処理にも適用可能である。

本発明は、例えば画像表示装置用等の半導体装置の製造工程における表面処理に適用可能である。

本発明の第１実施形態に係る表面処理装置の処理ヘッドの主要構成部を図２のＩ−Ｉ線に沿って示した正面断面図である。 上記処理ヘッドの主要構成部の平面図である。 図２のIII-III 線に沿う上記処理ヘッドの主要構成部の側面断面図である。 上記表面処理装置の全体構成を示す解説側面図である。 上記表面処理装置の処理室内の概略構成を示す斜視図である。 本発明の第２実施形態に係る表面処理装置のノズルプレートを一部断面で示す平面図である。 図６のVII-VII線に沿うノズルプレート及び被処理物の正面断面図である。 図６のVIII-VIII線に沿うノズルプレート及び被処理物の側面断面図である。 ノズルプレートの変形例を一部断面で示す平面図である。 図９（ａ）のIXb-IXb線に沿う側面断面図である。 ノズルプレートの変形例を示す側面断面図である。 本発明の第３実施形態を示す平面図である。 本発明の第３実施形態を示し、図１１（ａ）のXIb-XIb線に沿う正面断面図である。 本発明の第４実施形態を示す平面図である。 本発明の第４実施形態を示し、図１２（ａ）のXIIb-XIIb線に沿う正面断面図である。 噴出ノズルの数及び配置の変形例を示す平面図である。

符号の説明

Ｆ 噴出ガス流
Ｐｈ 仮想面
Ｐ１ 被処理位置
１０ 表面処理装置
１１ ハウジング
１２ 処理室
１３ ファンフィルタユニット
１４ 排気口
１５ 排気ダクト
１６ ステージ
１６ａ 凸部
１７ 処理ヘッド
２０ 移動手段
２１ ＸＹ駆動部
２２ 回転駆動部
３０ 輻射加熱系
３１ レーザ発振器（熱光線源）
３２ 光ファイバー（光伝送手段）
３３ 照射ユニット（輻射熱照射手段）
３４ チラー
３５ レーザ
３６ 焦点調節機構
４０ ガス供給系
４１ 処理ガス源
４２ ガス供給路
４３ 噴出ノズル
４４ 噴出ノズル先端部分（噴出部）
４５ 噴出口
４６ ガス供給ポート
５０ 吸引排気系
５１ 吸引ポンプ
５２ 無害化手段
５３ 吸引排気路
５４ 吸引ノズル
５５ 吸引ノズル先端部分（吸引部）
５６ 吸引口
５７ 吸引ポート
６０ ノズルプレート（ノズル部材）
６１ 切欠凹部
６３ 噴出ノズル通路
６３ａ ポート接続路
６３ｂ 縦通路
６３ｃ 横通路
６３ｄ 噴射路（噴出部）
６３ｅ 噴出口
６５ 吸引ノズル通路（吸引部）
６５ａ 吸引口
６６ 孔部
６７ 吸引路（吸引部）
９０ 液晶パネル（被処理物）
９１ ガラス基板
９２ 樹脂層

Claims (9)

1. 被処理物に処理ガスを噴き付けて表面処理する装置であって、
   前記被処理物が配置されるべき仮想面上の被処理位置に向けて局所的に前記処理ガスを噴出する複数の噴出部と、
   前記被処理位置の近傍のガスを局所的に吸引する吸引部と、
   を備え、前記複数の噴出部が、前記仮想面と直交する方向から見て前記被処理位置に対し互いに別方向に離れて配置されていることを特徴とする表面処理装置。
2. 前記複数の噴出部の配置位置が、前記仮想面と直交する方向から見て、前記被処理位置に関して又は被処理位置を通る前記仮想面上の線に関して互いにほぼ対称になっていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
3. 被処理物に処理ガスを噴き付けて表面処理する装置であって、
   前記被処理物が配置されるべき仮想面上の被処理位置に向けて局所的に前記処理ガスを噴出する一対の噴出部と、
   前記被処理位置の近傍のガスを局所的に吸引する吸引部と、
   を備え、前記一対の噴出部が、前記仮想面と直交する方向から見て前記被処理位置を挟んで互いに対向するように配置されていることを特徴とする表面処理装置。
4. 前記被処理位置が前記被処理物の外周部に沿って移動するように前記被処理物を前記噴出部及び吸引部に対し相対移動させる移動手段を更に備えたことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の表面処理装置。
5. 前記吸引部が、前記仮想面と直交する方向から見て前記被処理位置の近傍のガスを前記被処理物の外側方向に吸引することを特徴とする請求項４に記載の表面処理装置。
6. １つのノズル部材を備え、このノズル部材に前記噴出部と吸引部が形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の表面処理装置。
7. 前記被処理位置に向けて局所的に輻射熱を照射する輻射熱照射手段を更に備えたことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の表面処理装置。
8. 処理ガスを用いて被処理物を表面処理する方法であって、
   前記被処理物と直交する方向から見て前記被処理物上の被処理位置に対し互いに別方向に離れた複数の噴出位置から前記被処理位置に向けて局所的に前記処理ガスを噴出し、
   前記被処理位置の近傍のガスを局所的に吸引することを特徴とする表面処理方法。
9. 前記被処理位置が前記被処理物の外周部に沿って移動するように前記被処理物を前記噴出位置に対し相対移動させ、
   前記被処理位置の近傍のガスを前記被処理物と直交する方向から見て被処理物の外側方向に局所的に吸引することを特徴とする請求項８に記載の表面処理方法。

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