JP2009128543A - Method for manufacturing antireflection structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、反射防止構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an antireflection structure.
近年、光の反射を抑制する反射防止処理が表面に施された種々の光学素子が提案されている。反射防止処理としては、例えば、屈折率の比較的低い膜(低屈折率膜)や、低屈折率膜と屈折率の比較的高い膜(高屈折率膜)とが交互に積層された多層膜からなる反射防止膜を表面に形成する処理が挙げられる(例えば、特許文献1)。 In recent years, various optical elements in which antireflection treatment for suppressing light reflection is performed on the surface have been proposed. Examples of the antireflection treatment include a film having a relatively low refractive index (low refractive index film) and a multilayer film in which a low refractive index film and a film having a relatively high refractive index (high refractive index film) are alternately laminated. The process which forms the antireflection film which consists of on the surface is mentioned (for example, patent document 1).
しかしながら、このような低屈折率膜や多層膜からなる反射防止膜は、形成に際して蒸着法やスパッタリング法等の煩雑な工程を要する。このため、生産性が低く、生産コストが高いという問題がある。また、低屈折率膜や多層膜からなる反射防止膜は、波長依存性及び入射角依存性が比較的大きいという問題もある。 However, such an antireflective film composed of a low refractive index film or a multilayer film requires complicated steps such as vapor deposition and sputtering. For this reason, there is a problem that productivity is low and production cost is high. Further, an antireflection film made of a low refractive index film or a multilayer film has a problem that the wavelength dependency and the incident angle dependency are relatively large.
このような問題に鑑み、入射角依存性及び波長依存性の比較的小さな反射防止処理として、例えば、光学素子の表面に入射光の波長以下のピッチで微小凹凸部を規則的に形成する処理が提案されている(例えば、非特許文献1)。この処理を行うことによって、素子と空気との界面における急激な屈折率変化が抑制され、素子と空気との界面において緩やかに屈折率が変化することとなる。このため、光学素子の表面における反射が低減され、光学素子内への高い光入射率を実現することができる。 In view of such problems, as an anti-reflection process with relatively small incident angle dependency and wavelength dependency, for example, there is a process of regularly forming minute irregularities on the surface of the optical element with a pitch equal to or less than the wavelength of incident light. It has been proposed (for example, Non-Patent Document 1). By performing this process, a rapid change in refractive index at the interface between the element and air is suppressed, and the refractive index gradually changes at the interface between the element and air. For this reason, reflection on the surface of the optical element is reduced, and a high light incidence rate into the optical element can be realized.
また、特許文献2には、微小凹凸部を粗面に形成する技術が開示されている。
本発明の目的は、微小凹凸部を有する反射防止構造体を製造するための方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an antireflection structure having a minute uneven portion.
すなわち、本発明は、
所定の波長以上の光の反射を抑制する反射防止構造体の製造方法であって、
前記所定の波長よりも大きい表面粗さの粗面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記粗面に金属を島状に堆積させる工程と、
前記金属の島状堆積物をマスクとして用いて、前記基板のドライエッチングを行い、前記所定の波長以下の平均ピッチを有する複数の微小凹凸部を前記基板の前記粗面に形成する工程と、
を含む、反射防止構造体の製造方法を提供する。
That is, the present invention
A method of manufacturing an antireflection structure that suppresses reflection of light having a predetermined wavelength or more,
Preparing a substrate having a rough surface with a surface roughness greater than the predetermined wavelength;
Depositing metal in an island shape on the rough surface of the substrate;
Using the metal island-shaped deposit as a mask, dry-etching the substrate, and forming a plurality of minute irregularities having an average pitch of the predetermined wavelength or less on the rough surface of the substrate;
A method for manufacturing an antireflection structure is provided.
他の側面において、本発明は、
所定の波長以上の光の反射を抑制する反射防止構造体の製造方法であって、
第1基板の表面に金属を島状に堆積させる工程と、
前記金属の島状堆積物をマスクとして用いて、前記第1基板のドライエッチングを行い、前記所定の波長以下の平均ピッチを有する複数の微小凹凸部を前記第1基板の表面に形成する工程と、
前記所定の波長よりも大きい表面粗さの粗面を有する第2基板を準備する工程と、
前記第1基板を金型として用いてシート部材を成形し、そのシート部材を前記第2基板の前記粗面に貼り合わせる工程と、
を含む、反射防止構造体の製造方法を提供する。
In another aspect, the present invention provides:
A method of manufacturing an antireflection structure that suppresses reflection of light having a predetermined wavelength or more,
Depositing metal in an island shape on the surface of the first substrate;
Performing dry etching of the first substrate using the metal island deposit as a mask, and forming a plurality of minute uneven portions having an average pitch of the predetermined wavelength or less on the surface of the first substrate; ,
Preparing a second substrate having a rough surface with a surface roughness greater than the predetermined wavelength;
Forming a sheet member using the first substrate as a mold, and bonding the sheet member to the rough surface of the second substrate;
A method for manufacturing an antireflection structure is provided.
本発明によれば、ナノメートルサイズの微小凹凸部を基板上に精度よく形成することができる。 According to the present invention, nanometer-sized minute uneven portions can be accurately formed on a substrate.
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。先に、本発明の製造方法によって製造するべき反射防止構造体について説明し、その後、反射防止構造体の製造方法について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. First, the antireflection structure to be manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described, and then the manufacturing method of the antireflection structure will be described.
図1は反射防止構造体の一例たる拡散板1の斜視図である。図2は拡散板1の部分断面図である。拡散板1は、表示装置をはじめ、撮像装置、照明装置、プロジェクタ等の光学機器の構成部材に適用できる。半導体レーザ素子、LED素子、電球、冷陰極管等の発光素子、電荷結合素子(CCD)やCMOS等のイメージセンサ、パワーメータ、エネルギーメータ、反射率測定機器等の光検出器、マイクロレンズアレイ等に適用することもできる。 FIG. 1 is a perspective view of a diffusion plate 1 as an example of an antireflection structure. FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the diffusion plate 1. The diffusing plate 1 can be applied to constituent members of optical devices such as a display device, an imaging device, a lighting device, and a projector. Light emitting elements such as semiconductor laser elements, LED elements, light bulbs, cold cathode fluorescent lamps, image sensors such as charge coupled devices (CCD) and CMOS, photodetectors such as power meters, energy meters, and reflectance measuring devices, micro lens arrays, etc. It can also be applied to.
拡散板1は平面視略矩形状の面材であり、光を拡散透過させるもの(詳細には、以下に説明する微小凹凸部11によって反射が抑制される光を少なくとも拡散透過させるもの)である。拡散板1は、例えばディスプレイ等の前面に配置され、ディスプレイ表面における光の反射(外光の映り込み等)を抑制するものである。尚、拡散板1の材質は特に限定されるものではないが、樹脂製又はガラス製であってもよい。また、微粒子等が分散混入されていてもよい。
The diffusing plate 1 is a plane material having a substantially rectangular shape in a plan view, and diffuses and transmits light (specifically, diffuses and transmits at least light whose reflection is suppressed by the minute
拡散板1の表面10には、図2に示すように、入射光20の波長以下の周期(好ましくは、入射光20のうち最も短い波長の光の波長以下の周期)で規則的に配列された複数の微小凹凸部11が形成されている。このため、拡散板1の表面10と空気層との間の急激な屈折率変化が抑制され、微小凹凸部11が形成された表面10の表層部において屈折率がなだらかに変化することとなる。従って、図3に示すように、微小凹凸部11を形成することによって拡散板1の表面10における反射が効果的に抑制される。
As shown in FIG. 2, the
微小凹凸部11は、所定の波長(例えば400nm)以下の平均ピッチを有するものであれば不規則に配列していてもよく、反射を抑制する効果は規則的な配列の場合と同様に得られる。微小凹凸部11が規則的に配列されている場合、平均ピッチが周期に一致することになる。
The
微小凹凸部11は、表面10と空気層との間の界面における屈折率変化をなだらかにする機能を有するものである限りにおいて特にその形状は限定されるものではなく、例えば、略円錐状(頂部が面取り又はR面取りされていてもよい)の凹部又は凸部、角錐台状の凹部又は凸部、線条(断面形状が、三角形状(頂部がR面取りされていてもよい)、台形状、矩形状等)の凹部又は凸部であってもよい。
The shape of the minute
また、高い反射抑制効果を実現する観点から、微小凹凸部11の平均ピッチ(又は周期)が入射光20の波長以下であることが好ましい。一方、微小凹凸部11の高さが入射光20の波長の0.4倍以上であることが好ましく、入射光20の波長の1倍以上、さらには3倍以上であることがより好ましい。厳密には、入射光20が波長幅をもったものであるような場合には、微小凹凸部11の周期は、入射光20の最短波長以下であることが好ましく、微小凹凸部11の高さは入射光20の最長波長の0.4倍以上(好ましくは1倍以上、さらには3倍以上)であることが好ましい。
In addition, from the viewpoint of realizing a high reflection suppressing effect, it is preferable that the average pitch (or period) of the minute
一方、表面10は、所定の波長(例えば400nm)よりも大きい表面粗さRcを有する粗面である。後述するように、表面10の表面粗さRcは、微小凹凸部11に由来する粗さ成分をフィルタリングすることによって測定される値でありうる。表面10は、図2に示すように非周期的な凹凸を有する面であってもよいし、図17を参照して後述するように周期的な凹凸を有する面であってもよい。
On the other hand, the
微小凹凸部11の配列が周期的である場合において、微小凹凸部11の周期は、表面10を平面視したときに観察される任意の1つの微小凹凸部11と、その微小凹凸部11から最も近い位置にある他の1つの微小凹凸部11との頂部間距離Pで規定される。頂部間距離Pは、STM(Scanning Tunneling Microscope)、AFM(Atomic Force Microscope)、SEM(Scanning Electron Microscope)等の表面観察手段によって正確に計測できる。また、微小凹凸部11の配列が非周期的である場合には、上記距離Pの平均値が平均ピッチとして規定される。微小凹凸部11の高さHは、谷底から微小凹凸部11の頂部までの距離の平均値(例えば10個の微小凹凸部11の平均値)で規定される。RzJIS(JIS B0601:2001)の定義は、上記規定に含まれるため、RzJISの測定値を、微小凹凸部の値としてよい。なお、RzJIS(JIS B0601:2001)は、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から5番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、もっとも低い谷底から5番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和を求め、この値をマイクロメートル(μm)で表したものである。
In the case where the arrangement of the micro concavo-
尚、微小凹凸部11は入射光20のすべてに対して反射抑制効果を発揮するようなものである必要は必ずしもない。例えば、入射光20の波長が、紫外光、近紫外光、可視光、近赤外光、赤外光を含む広い波長範囲にわたるものの、400nm以上700nm以下の波長の光の反射のみを抑制すればよい場合は、微小凹凸部11の周期は400nm以下であることが好ましい。一方、微小凹凸部11の高さは700nmの0.4倍以上、すなわち280nm以上であることが好ましい。
Note that the minute
微小凹凸部11は、その高さが表面10の各部で相互に異なるように形成されていてもよいが、作製容易性の観点から、高さが相互に略同一となるように形成されていることが好ましい。また、例えば、微小凹凸部11が錐体状の凹部や錐体状の凸部であるような場合には、複数の微小凹凸部11は、その錐体の底部中心と頂部とを結ぶ中心軸が相互に略平行となるように形成されているとよい。この場合、射出成形による拡散板1の作製が容易となる。一方、同様の理由により、微小凹凸部11が断面三角形状の線条凹部又は線条凸部であるような場合には、複数の微小凹凸部11は、横断面における底部中心と頂部とを結ぶ中心軸が、各部(例えば、1mm四方の大きさの各部)において相互に略平行となるように形成されていてもよい。
The
以上のように、表面10には複数の微小凹凸部11が形成されているため、表面10における光の反射が抑制される。しかしながら、表面10が滑面であるような場合には、十分に表面10における正反射を抑制することができない。
As described above, since the plurality of minute
図4は入射角45度で入射する光の反射光強度を表すグラフである。 FIG. 4 is a graph showing the reflected light intensity of light incident at an incident angle of 45 degrees.
図4に示すように滑面上に微小凹凸部11を形成した場合は、射出角が約45度である反射光、すなわち正反射が観測される。このように、微小凹凸部11が形成されている表面10が滑面である場合は、入射光20の正反射を十分に抑制することができない。それに対して、図4に示すように、入射光20の波長よりも大きな表面粗さの粗面に微小凹凸部11を形成した場合は、正反射が実質的に観測されない。ここで、図1に示す拡散板1では、図2に示すように、微小凹凸部11は、入射光20の波長よりも大きな表面粗さの粗面である表面10に形成されている。詳細には、表面10は、ISO4287:1997(JIS B0601:2001に対応する)で規定される平均高さRcで入射光20の波長よりも大きな表面粗さに形成されている。従って、拡散板1では、表面10における正反射もまた十分に抑制される。但し、この正反射の発生を抑制する効果は、表面10の表面粗さがあまりに大きすぎると低下する傾向にある。表面10の表面粗さRcの好適な範囲は100μm以下である。より好ましくは50μmであり、さらに好ましくは30μmである。
As shown in FIG. 4, when the minute
また、図3に示すように、滑面に微小凹凸部11を形成した場合には、比較的大きな入射角の光に対しては十分な反射抑制効果を付与することができない。すなわち、反射率が入射角に依存することとなる。それに対して、微小凹凸部11が形成された表面10が、表面10への入射光の波長よりも大きな表面粗さに形成されている場合、図3に示すように、反射率の入射角依存性が小さく、比較的大きな入射角の光に対しても高い反射抑制効果が得られる。
In addition, as shown in FIG. 3, when the minute
図5はθと反射率との相関を表すグラフである。尚、図5中に示すθは表面10の粗さ形状の接平面(言い換えれば、表面10の微小凹凸部11を含めた形状から高周波成分として微小凹凸部11をカットオフした形状における接平面)13の法線ベクトルN2と表面10の基準面12の法線ベクトルN1とのなす角の大きさ(図7参照)である。接平面13と表面10との接点は、表面10と基準面12との交点CL(3次元座標上では交点CLが環状の線になる)に定められる。なお、基準面12は、JIS B0601:2001に規定された「平均線(ろ波うねり曲線(カットオフ波長λc:0.5mm))」を意味する。
FIG. 5 is a graph showing the correlation between θ and reflectance. Note that θ shown in FIG. 5 is a rough tangent plane of the surface 10 (in other words, a tangential plane in a shape in which the
図5に示すように、θが0度(すなわち、滑面)である場合は、微小凹凸部11が形成されていた場合であっても、例えば50度を超えるような大きな入射角、さらには70度を超えるような大きな入射角の場合は、入射角の増大と共に反射率が増大する傾向にある。それに対して、θが0度から大きくなるにつれて反射率の入射角依存性が低減され、大きな入射角の光に対しても高い反射抑制効果が得られるようになる。
As shown in FIG. 5, when θ is 0 degree (that is, a smooth surface), even if the minute
具体的に、θが5度以下である部分が占める単位面積(例えば、1mm四方)当たりの割合が80%未満であることが好ましい。言い換えれば、θが5度以上である部分が占める単位面積当たりの割合が20%以上であることが好ましい。この場合、入射角が89度の光の反射率を滑面に微小凹凸部11を形成する場合と比較して約3割以上低減することができる。また、θが10度以下である部分が占める単位面積当たりの割合が90%未満であることが好ましい。言い換えれば、θが10度以上である部分が占める単位面積当たりの割合が10%以上であることが好ましい。この場合も、入射角が89度の光の反射率を滑面に微小凹凸部11を形成する場合と比較して約3割以上低減することができる。
Specifically, it is preferable that the ratio per unit area (for example, 1 mm square) occupied by a portion where θ is 5 degrees or less is less than 80%. In other words, the ratio per unit area occupied by the portion where θ is 5 degrees or more is preferably 20% or more. In this case, the reflectance of light having an incident angle of 89 degrees can be reduced by about 30% or more as compared with the case where the
より好ましくは、θが5度以下である部分が占める単位面積当たりの割合が50%未満であることが好ましい。言い換えれば、θが5度以上である部分が占める単位面積当たりの割合が50%以上であることが好ましい。また、θが10度以下である部分が占める単位面積当たりの割合が80%未満であることが好ましい。言い換えれば、θが10度以上である部分が占める単位面積当たりの割合が20%以上であることが好ましい。この場合、入射角が89度の光の反射率を滑面に微小凹凸部11を形成する場合と比較して約5割以上低減することができる。
More preferably, the ratio per unit area occupied by the portion where θ is 5 degrees or less is preferably less than 50%. In other words, the ratio per unit area occupied by the portion where θ is 5 degrees or more is preferably 50% or more. Moreover, it is preferable that the ratio per unit area which the part whose (theta) is 10 degrees or less occupies is less than 80%. In other words, the ratio per unit area occupied by the portion where θ is 10 degrees or more is preferably 20% or more. In this case, the reflectance of light having an incident angle of 89 degrees can be reduced by about 50% or more compared to the case where the minute
さらに好ましくは、θが5度以下である部分が占める単位面積当たりの割合が30%未満であることが好ましい。言い換えれば、θが5度以上である部分が占める単位面積当たりの割合が70%以上であることが好ましい。また、θが10度以下である部分が占める単位面積当たりの割合が50%未満であることが好ましい。言い換えれば、θが10度以上である部分が占める単位面積当たりの割合が50%以上であることが好ましい。この場合、入射角が89度の光の反射率を滑面に微小凹凸部11を形成する場合と比較して約7割以上低減することができる。
More preferably, the ratio per unit area occupied by the portion where θ is 5 degrees or less is preferably less than 30%. In other words, it is preferable that the ratio per unit area occupied by the portion where θ is 5 degrees or more is 70% or more. Moreover, it is preferable that the ratio per unit area which the part whose (theta) is 10 degrees or less occupies is less than 50%. In other words, the ratio per unit area occupied by the portion where θ is 10 degrees or more is preferably 50% or more. In this case, the reflectance of light having an incident angle of 89 degrees can be reduced by about 70% or more as compared with the case where the
次に、θの平均値(θave)の好ましい範囲について説明する。 Next, a preferable range of the average value (θ ave ) of θ will be described.
図6はθaveと反射率との相関を表すグラフである。 FIG. 6 is a graph showing the correlation between θ ave and reflectance.
図6に示すように、θaveが大きくなるにつれて入射角依存性が低下し、入射角が比較的大きな光に対しても高い反射抑制効果が得られるようになる。具体的に、θaveが5度以上であることが好ましい。この場合、入射角が89度の光の反射率を滑面に微小凹凸部11を形成する場合と比較して約3割以上低減することができる。より好ましくは、θaveが10度以上である。この場合、入射角が89度の光の反射率を滑面に微小凹凸部11を形成する場合と比較して約5割以上低減することができる。さらに好ましくは、θaveが15度以上である。この場合、入射角が89度の光の反射率を滑面に微小凹凸部11を形成する場合と比較して約6割以上低減することができる。
As shown in FIG. 6, as θ ave increases, the incident angle dependency decreases, and a high reflection suppression effect can be obtained even for light having a relatively large incident angle. Specifically, it is preferable that θ ave is 5 degrees or more. In this case, the reflectance of light having an incident angle of 89 degrees can be reduced by about 30% or more as compared with the case where the
また、θの分布のピーク(最も頻度が高いθの値)が0度よりも大きいことが好ましく、2度以上、さらには5度以上であることが好ましい。 Further, the peak of the distribution of θ (the value of θ having the highest frequency) is preferably larger than 0 degree, preferably 2 degrees or more, and more preferably 5 degrees or more.
また、ここでは、拡散板1の表面10に微小凹凸部11が直接形成されている例について説明したが、微小凹凸部11を形成したシールを貼着又は粘着させることにより表面10を形成してもよい。言い換えれば、拡散板1は一体でなくてもよく、複数の構成部材により構成されているものであってもよい。
In addition, here, an example in which the minute
また、ここでは、微小凹凸部11が表面10の全面にわたって形成されている例について説明したが、微小凹凸部11を表面10の全面にわたって必ずしも設ける必要はなく、必要に応じた箇所のみに微小凹凸部11を形成してもよい。この場合に、微小凹凸部11を設けた箇所のみならず、表面10のその他の箇所も微小凹凸部11を設けた箇所と同等の表面粗さの粗面としても構わず、また、それ以下の表面粗さの滑面としてもよい。さらに、微小凹凸部11を設けていない箇所には反射率が比較的低い膜と比較的高い膜との多層膜からなるような他の反射防止構造を形成してもよい。また、微小凹凸部11が形成されている領域内においても、必要に応じて微小凹凸部11の高さや周期(ピッチ)を調節してもよい。
In addition, here, an example in which the minute concavo-
次に、反射防止構造体の製造方法について説明する。拡散板1などの反射防止構造体は、反射防止構造体となるべき基板の表面を粗化することによって粗面を形成し、その粗面に微小凹凸部を形成することによって製造することができる。また、始めに金型を作製し、その金型を用いて樹脂などの材料を成形することによって反射防止構造体を製造してもよい。量産向きなのは後者であるため、本明細書では後者の方法を中心に説明する。 Next, a method for manufacturing the antireflection structure will be described. The antireflection structure such as the diffusing plate 1 can be manufactured by forming a rough surface by roughening the surface of the substrate to be the antireflection structure, and forming minute uneven portions on the rough surface. . Alternatively, the antireflection structure may be manufactured by first producing a mold and molding a material such as a resin using the mold. Since the latter is suitable for mass production, the latter method will be mainly described in this specification.
<<原型の作製>>
1.基板の粗化
まず、金型の作製に使用する基板を準備する。基板の材料は特に限定されず、基板の材料は特に限定されず、ガラス、金属、半導体、セラミック及び樹脂から選ばれるいずれかによって構成されているとよい。具体的には、硼酸系ガラス、珪酸系ガラスなどのガラス材料、シリコン、GaAsなどの半導体材料、Si3N4などのセラミック材料、Taなどの金属材料を用いることができる。本実施形態では、そのような基板として、シリコン単結晶基板を用いる。後述するように、シリコン単結晶基板は、表面の粗化がやりやすく、微小凹凸部を極めて精度よく形成できるので好適である。
<< Making prototype >>
1. Roughening of the substrate First, a substrate to be used for producing a mold is prepared. The material of the substrate is not particularly limited, and the material of the substrate is not particularly limited, and may be composed of any one selected from glass, metal, semiconductor, ceramic, and resin. Specifically, glass materials such as boric acid glass and silicate glass, semiconductor materials such as silicon and GaAs, ceramic materials such as Si 3 N 4, and metal materials such as Ta can be used. In this embodiment, a silicon single crystal substrate is used as such a substrate. As will be described later, the silicon single crystal substrate is suitable because the surface can be easily roughened and the minute uneven portions can be formed with extremely high accuracy.
シリコン単結晶基板として、CZ(Czochralski)法又はFZ(Floating Zone Melting)法によって作製された、主表面が{100}面のものを用いることができる。主表面が{100}面のシリコン単結晶基板は、化学的な方法による粗化がしやすいこと、微小凹凸部を能率的に形成できることから好適である。また、主表面が{100}面のシリコン単結晶基板は入手しやすい。機械的な強度の面で、CZ法によって作製されたシリコン単結晶基板が優れる。導電型は、n型であってもp型であっても構わない。ただし、{110}面のシリコン単結晶基板あるいは多結晶基板を用いてもよい。 As the silicon single crystal substrate, a substrate having a {100} plane with a main surface produced by a CZ (Czochralski) method or an FZ (Floating Zone Melting) method can be used. A silicon single crystal substrate having a main surface of {100} is preferable because it can be easily roughened by a chemical method and can efficiently form minute irregularities. A silicon single crystal substrate having a {100} plane as the main surface is easily available. In terms of mechanical strength, a silicon single crystal substrate manufactured by the CZ method is excellent. The conductivity type may be n-type or p-type. However, a {110} plane silicon single crystal substrate or a polycrystalline substrate may be used.
シリコン単結晶基板の表面の粗化は、機械的及び/又は化学的な方法によって行うことができる。機械的な方法として、サンドブラスト又はサンドペーパーによって粗化する方法がある。サンドブラストに代えて、ショットブラスト又はウェットブラストを採用してもよい。これらの方法によって粗化を行えば、シリコン単結晶基板の表面は、非周期的な凹凸を有する粗面となる。シリコン単結晶基板以外の基板の粗化も基本的にはシリコン単結晶基板の場合と同じ方法で行えばよい。 The roughening of the surface of the silicon single crystal substrate can be performed by a mechanical and / or chemical method. As a mechanical method, there is a method of roughening by sandblasting or sandpaper. Instead of sand blasting, shot blasting or wet blasting may be employed. If roughening is performed by these methods, the surface of the silicon single crystal substrate becomes a rough surface having non-periodic unevenness. The roughening of the substrate other than the silicon single crystal substrate may be basically performed by the same method as that for the silicon single crystal substrate.
シリコン単結晶基板の表面の粗化は、形成される粗面の表面粗さが所定の波長よりも大きくなるように行われる。具体的には、図7を参照して説明したように、シリコン単結晶基板の粗面の接平面の法線ベクトルとシリコン単結晶基板の基準面の法線ベクトルとのなす角度の平均値が5度以上となるように行えばよい。あるいは、平均高さRcが100μm以下(好ましくは50μm以下、さらに好ましくは30μm以下)となるように行えばよい。ブラスト処理によって粗化を行う場合には、こうした要件を満足するように、投射物の硬さ、平均粒径、投射速度等の処理条件を決定すればよい。サンドペーパーを用いて粗化を行う場合には、サンドペーパーの適切な番手を選択すればよい。凹凸が不足すると、先に説明したように、反射防止効果が不十分となる。 The surface of the silicon single crystal substrate is roughened so that the surface roughness of the rough surface to be formed is greater than a predetermined wavelength. Specifically, as described with reference to FIG. 7, the average value of the angles formed by the normal vector of the tangent plane of the rough surface of the silicon single crystal substrate and the normal vector of the reference surface of the silicon single crystal substrate is What is necessary is just to carry out so that it may become 5 degree | times or more. Alternatively, the average height Rc may be 100 μm or less (preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less). When roughening by blasting, processing conditions such as the hardness of the projectile, the average particle size, and the projection speed may be determined so as to satisfy these requirements. When roughening is performed using sandpaper, an appropriate sandpaper count may be selected. If the unevenness is insufficient, the antireflection effect is insufficient as described above.
また、バイトのような工具でシリコン単結晶基板の表面を微細加工(研削加工又は切削加工)することによって、シリコン単結晶基板の表面を直接的に粗化してもよい。この方法によれば、凹凸のピッチや高さを自由に設定できる。具体的には、シリコン単結晶基板の表面に対するバイトの刃の角度を制御することにより、図7に示す角度θを自由に設定できる。つまり、シリコン単結晶基板の表面を直接加工する方法は、上記角度θを厳密に設定したい場合や周期的な凹凸を有する粗面を形成したい場合に推奨される方法である。また、レーザを用いてシリコン単結晶基板の表面を粗化してもよい。使用するレーザの種類や出力を制御することによって、工具による機械加工と同様に、上記角度θの制御が可能である。 Alternatively, the surface of the silicon single crystal substrate may be directly roughened by finely processing (grinding or cutting) the surface of the silicon single crystal substrate with a tool such as a tool. According to this method, the pitch and height of the unevenness can be set freely. Specifically, the angle θ shown in FIG. 7 can be freely set by controlling the angle of the cutting tool blade with respect to the surface of the silicon single crystal substrate. That is, the method of directly processing the surface of the silicon single crystal substrate is a method recommended when the angle θ is to be set strictly or when a rough surface having periodic irregularities is to be formed. Further, the surface of the silicon single crystal substrate may be roughened using a laser. By controlling the type and output of the laser used, it is possible to control the angle θ as in the case of machining with a tool.
一方、化学的な方法としては、シリコン単結晶基板の表面に酸又はアルカリを接触させて、シリコン単結晶基板の表面をエッチングする方法を例示できる。具体的には、異方性エッチングを利用することによって、シリコン単結晶基板の表面にマイクロメートルサイズの凹凸(テクスチャ構造)を形成することができる。例えば、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液、炭酸カリウム溶液などのアルカリ溶液を60〜80℃に加熱し、その溶液にシリコン単結晶基板を浸漬し、シリコン単結晶基板の表面の異方性エッチングを行う。主表面が{100}面のシリコン単結晶基板の異方性エッチングを行うことにより、図8に示すように、テクスチャ構造を4つの{111}面に囲まれた正四角錐状の突起の集合体として形成することができる。各突起の高低差は、数μmから数十μmの範囲となる。エッチングに用いるアルカリ溶液にエチレングリコールや2−プロパノールなどのアルコールが含まれていると、均一な高さのテクスチャ構造を迅速に形成できる利点がある。なお、このような化学的な方法は、機械的な方法と組み合わせて実施してもよい。 On the other hand, as a chemical method, a method of etching the surface of the silicon single crystal substrate by bringing acid or alkali into contact with the surface of the silicon single crystal substrate can be exemplified. Specifically, by using anisotropic etching, micrometer-sized irregularities (texture structure) can be formed on the surface of the silicon single crystal substrate. For example, an alkaline solution such as a sodium hydroxide solution, a potassium hydroxide solution, or a potassium carbonate solution is heated to 60 to 80 ° C., a silicon single crystal substrate is immersed in the solution, and anisotropic etching of the surface of the silicon single crystal substrate is performed. I do. By performing anisotropic etching of a silicon single crystal substrate having a main surface of {100} plane, as shown in FIG. 8, a collection of regular tetragonal pyramidal projections having a texture structure surrounded by four {111} planes Can be formed as The height difference of each protrusion is in the range of several μm to several tens of μm. When an alkaline solution used for etching contains an alcohol such as ethylene glycol or 2-propanol, there is an advantage that a texture structure having a uniform height can be quickly formed. In addition, you may implement such a chemical method in combination with a mechanical method.
2.微小凹凸部の形成
次に、シリコン単結晶基板の粗面に微小凹凸部を形成する。具体的には、シリコン単結晶基板の粗面に金属を島状に堆積させる工程と、金属の島状堆積物をマスクとして用いて、炭素源ガスを含むプロセスガスでシリコン単結晶基板の反応性イオンエッチングを行い、所定の波長以下の平均ピッチを有する複数の針状の微小凹凸部をシリコン単結晶基板の粗面に形成する工程とを行う。この方法によれば、ナノメートルサイズの針状の微小凹凸部をシリコン単結晶基板の粗面に能率的に形成できる。なお、エッチングの形式は、反応性イオンエッチングに限定されず、使用する基板の材料に応じて適切なドライエッチングの形式を採用すればよい。
2. Formation of micro uneven portions Next, micro uneven portions are formed on the rough surface of the silicon single crystal substrate. Specifically, the process of depositing metal in an island shape on the rough surface of the silicon single crystal substrate and the reactivity of the silicon single crystal substrate with a process gas including a carbon source gas using the metal island deposit as a mask. A step of performing ion etching and forming a plurality of needle-like fine irregularities having an average pitch of a predetermined wavelength or less on the rough surface of the silicon single crystal substrate. According to this method, nanometer-sized needle-like minute irregularities can be efficiently formed on the rough surface of the silicon single crystal substrate. Note that the etching method is not limited to reactive ion etching, and an appropriate dry etching method may be employed depending on the material of the substrate to be used.
まず、図9(a)(b)に示すように、表面を粗化したシリコン単結晶基板27に金属を堆積させる。これにより、シリコン単結晶基板27の粗面27p上に島状堆積物28が形成される。堆積させるべき金属として、Fe、Ni、Co、Cu、Cr、W、Ta及びPtからなる群より選ばれる少なくとも1つを用いることができる。金属の堆積方法は特に限定されず、スパッタリング法や蒸着法などの公知の方法を採用できる。微小な島状堆積物を均一に形成する観点から、Ar等の不活性ガス雰囲気で行うスパッタリング法が推奨される。
First, as shown in FIGS. 9A and 9B, a metal is deposited on a silicon
島状堆積物28は、所定の波長(例えば400nm)以下の平均直径を有する。このような平均直径の島状堆積物28を用いると、所定の波長(例えば400nm)以下の平均ピッチを有する針状の微小凹凸部を形成することができる。金属を島状に堆積させるには、主に、金属の堆積速度及び堆積時間を制御すればよい。なお、島状堆積物28の平均直径は、所定個数(例えば10個)の平均値であり、例えばSEM観察によって測定できる。
The island-
次に、図9(c)に示すように、島状堆積物28をエッチングマスクとして用いてシリコン単結晶基板27をエッチングする(エッチング工程)。エッチングには、反応性イオンエッチングを採用するとよい。反応性イオンエッチングにおいては、炭素源ガス及びキャリアガスを含むプロセスガスを用いて行うとよい。炭素源ガスとして、C1−C3の飽和又は不飽和炭化水素ガスを用いることができ、メタンが好適である。キャリアガスとして、水素、希ガス又は水素と希ガスとの混合ガスを用いることができる。炭化水素ガスとキャリアガスの混合比率は、標準状態における体積比で、例えば(炭化水素ガス):(キャリアガス)=10:1〜2:1の範囲である。
Next, as shown in FIG. 9C, the silicon
シリコン単結晶基板27の反応性イオンエッチングは、シリコン単結晶基板27の温度を250〜800℃に加熱するとともに、シリコン単結晶基板27に負のバイアスを印加しながら行うとよい。また、雰囲気の圧力は、大気圧よりも低い圧力、例えば数百〜数万Paの範囲に保つ。プロセスガスに含まれる炭素源ガスは、マイクロ波によってプラズマ化され、シリコン単結晶基板27のエッチング作用をもたらす。
The reactive ion etching of the silicon
シリコン単結晶基板27のエッチングは、エッチングマスクとしての島状堆積物28が消失するまで継続するとよい。そうすれば、島状堆積物28を除去するアッシング工程が不要になるとともに、尖鋭な微小凹凸部を形成できる。シリコン単結晶基板27の反応性イオンエッチングに供する時間は、島状堆積物28の消失に要する時間を目安に定めることができる。具体的には、島状堆積物28の消失に要する時間よりも若干長めにエッチング時間を定めるとよい。このようにすれば、頂部の鈍りが少ない微小凹凸部29を精度よく形成できる。なお、エッチング工程を経て十分な高さの微小凹凸部29が形成された後にも島状堆積物28が残存する場合には、島状堆積物28を除去するためのアッシング工程を行ってもよい。
The etching of the silicon
エッチング工程を経て、図9(d)に示すように、シリコン単結晶基板27の粗面27pに針状の微小凹凸部29が形成される。各微小凹凸部29のサイズは、例えば、底面の直径が200〜300nm、高さが約1μmである。なお、針状の微小凹凸部29は、炭素薄膜で覆われている。この炭素薄膜は、シリコン単結晶基板27をアニールすることによって、炭化珪素被膜に変化しうる。この炭化珪素被膜は、酸性水溶液(例えば硝酸と弗酸とを含む水溶液)を用いたエッチングによって除去されてもよい。針状の微小凹凸部29を有するシリコン単結晶基板27は、これ自体を反射防止構造体として取り扱うこともできるし、反射防止構造体を成形するための金型の一部として取り扱うこともできるし、複製型を作製するための原型として取り扱うこともできる。
Through the etching process, as shown in FIG. 9 (d), needle-like micro
<<複製型の作製>>
量産性を高めるために、微小凹凸部29を有する基板27の複製型を作製し、その複製型を用いて反射防止構造体の成形を行うようにしてもよい。図11に示すのは、微小凹凸部29を有する基板27から電鋳によって複製型を作製する工程の説明図である。まず、図11(a)(b)に示すように、微小凹凸部29を有する基板27を無電解Niメッキ浴63に浸漬し、微小凹凸部29を被覆する無電解Niメッキ層64を形成する。次に、図11(c)に示すように、基板27を電解Niメッキ浴65に浸漬して通電し、基板27上に電解Niメッキ層66を形成する。電解Niメッキ層66の厚さは、例えば0.3〜40.0mm程度確保するとよい。無電解Niメッキ浴63としてはNi/B溶液、電解Niメッキ浴65としてはスルファミン酸ニッケル電解液などの公知のメッキ浴を用いることができる。基板27が導電性を有する場合には、図11(b)に示す無電解メッキ工程を省略してもよい。
<< Production of replication type >>
In order to increase the mass productivity, a replica mold of the
最後に、図11(d)に示すように、無電解Niメッキ層64及び電解Niメッキ層66を有する基板27を塩基溶液67に浸漬し、選択エッチングによって基板27を溶解させ、Niメッキ層64,66の部分から基板27の部分を除去する。これにより、微小凹凸部68が表面66p(粗面)に形成されたNi複製型66が得られる(図11(e))。さらに、基板27と複製型66との線膨張係数や弾性係数などの特性の差を利用して両者を分離させてもよい。なお、Niメッキに代えて、CuメッキやSnメッキなどの他の金属メッキを採用してもよいし、これらの2種以上を組み合わせてもよい。
Finally, as shown in FIG. 11D, the
以上の操作を繰り返せば、同一の表面形状を有する複製型を何重にも作製できる。これらの複製型は、樹脂やガラスの成形型として用いることができるため、反射防止構造体の量産に好適である。 By repeating the above operation, a duplicate mold having the same surface shape can be produced in layers. Since these replica molds can be used as resin or glass molds, they are suitable for mass production of antireflection structures.
<<反射防止構造体(拡散板1)の成形>>
上記のようにして作製した基板27(又は複製型66)を用いて、反射防止構造体(拡散板1)の成形を行うことができる。図10は、プレス成形によって反射防止構造体を製造する工程の説明図である。図10に示すように、基板27を含む上金型35と、成形するべき材料38(例えばガラス、樹脂)を収容した下金型36とを向かい合わせる。ヒータ39,39に通電し、材料の軟化点を超える温度まで金型35,36を加熱する。材料38を十分に軟化させた後、金型35,36を型締めし、軟化した材料38に基板27を押し付けることによって、基板27の微小凹凸部29の形状を材料38に転写する。その後、金型35,36を徐冷して型開きし、微小凹凸部40を有する成形体41を取り出す。なお、この成形体41を金型(複製型)として用いて、反射防止構造体の成形を行うこともできる。
<< Molding of antireflection structure (diffusion plate 1) >>
By using the substrate 27 (or the replication mold 66) produced as described above, the antireflection structure (diffusing plate 1) can be molded. FIG. 10 is an explanatory diagram of a process of manufacturing the antireflection structure by press molding. As shown in FIG. 10, an
また、基板27を金型の一部として用いる射出成形法によって反射防止構造体を製造することもできる。図12(a)に示すように、まず、微小凹凸部29が形成された基板27をインサート型として、上金型101と下金型102との間に組み込む。樹脂を充填するキャビティSHを形成する部分にシランカップリング剤を塗布して離型層103を形成し、型締めする。次に、図12(b)(c)に示すように、金型101,102を加熱し、溶融樹脂をキャビティSHに射出する。図12(d)に示すように、金型101,102の温度を下げて樹脂を固化させ、型開きする。これにより、反射防止構造体としての樹脂成型品105A(拡散板1)が得られる。射出する樹脂の種類に特に制限はなく、アクリル樹脂、フッ素樹脂、オレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂など射出成形が可能な種々の樹脂を用いることができる。
Further, the antireflection structure can be manufactured by an injection molding method using the
次に、反射防止構造体の他の製造方法について説明する。拡散板1などの反射防止構造体は、以下に説明する方法によっても製造することができる。図13(a)(b)に示すように、まず、先に説明した方法によって、所定の波長以下の平均ピッチを有する複数の微小凹凸部122を有する原型120を作製する。つまり、第1基板120(例えばシリコン単結晶基板)の平滑な表面に微小凹凸部122を形成する。次に、図13(c)(d)に示すように、プレス成形によって、原型120の表面形状をシート部材124に転写する。
Next, another method for manufacturing the antireflection structure will be described. The antireflection structure such as the diffusing plate 1 can also be manufactured by the method described below. As shown in FIGS. 13A and 13B, first, a
一方、所定の波長よりも大きい表面粗さの粗面を有する第2基板128(図13(e)参照)を別途準備する。この第2基板128は、レンズ鏡筒など最終製品を構成する部品でありうる。そして、原型120を用いて成形したシート部材124を第2基板128の粗面128pに貼り合わせる。貼り合わせは、接着剤を用いて行うことができる。粗面128pにシート部材124が追従できるように、シート部材124の厚さが調節されているとよい。以上のようにして、微小凹凸部126を有する第2基板128(例えば光学部品)が得られる。
On the other hand, a second substrate 128 (see FIG. 13E) having a rough surface with a surface roughness larger than a predetermined wavelength is separately prepared. The
次に、本発明の方法によって製造できる反射防止構造体の他のいくつかの例について説明する。本発明の方法によって製造される反射防止構造体は、拡散板1のように光透過性を有するものに限定されず、例えば、光吸収性を有するものであってもよい。 Next, some other examples of the antireflection structure that can be manufactured by the method of the present invention will be described. The antireflection structure produced by the method of the present invention is not limited to the light transmissive structure like the diffusing plate 1, and may have a light absorptivity, for example.
図14は反射防止構造体を適用した撮像装置の構成を表す概略図である。 FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a configuration of an imaging apparatus to which the antireflection structure is applied.
撮像装置201は、装置本体203と、光学ユニットとしてのレンズ鏡筒ユニット202とを備えている。ここでは、レンズ鏡筒ユニット202が装置本体203に取り付けられている例を説明するが、レンズ鏡筒ユニット202は、例えば、装置本体203に着脱可能に構成されていてもよい。
The
レンズ鏡筒ユニット202は、筒状(具体的には円筒状)のレンズ鏡筒205と、レンズ鏡筒205の内部に収納された光学系204とを備えている。一方、装置本体203には、光学系204の光軸AX上に位置するように配置された撮像素子206を備えている。光学系204は、この撮像素子206の撮像面上に光学像を結像するためのものであり、光学系204により撮像面上に結像された光学像は撮像素子206によって電気信号に変換され、例えば、装置本体203内に設けられたメモリ(外付けメモリであってもよい)に記憶されたり、装置本体203に接続されたケーブルを介して他の装置へと出力されるようになっている。尚、撮像素子206は、例えば、CCD(charge coupled device)、CMOS(complementary metal−oxide semiconductor)等により構成することができる。
The
光学系204は撮像素子206の撮像面上に好適に光学像を結像させることができるものであれば特に限定されることはなく、例えば図14に示すように、第1レンズ(群)L1、第2レンズ(群)L2、及び第3レンズ(群)L3の3つのレンズ(群)により構成されていてもよい。また、それら3つのレンズ(群)L1〜L3のうちの少なくともいずれかが光軸AX方向に変位自在であり、フォーカシング及び/又は変倍が可能な構成であってもよい。
The
図15はレンズ鏡筒205の正面図である。
FIG. 15 is a front view of the
図16はレンズ鏡筒205の一部を拡大した断面図である。レンズ鏡筒205の内周面には、微小凹凸部を有する反射防止構造体が設けられている。レンズ鏡筒205に設けられた反射防止構造体は、例えば図12で説明した射出成形法によって製造できるものであり、レンズ鏡筒205を構成する部材そのものであってもよいし、レンズ鏡筒205の内周面に貼り付けられた粘着シートであってもよい。
FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of a part of the
レンズ鏡筒205は像側から光学系204に入射する光(一般的には、可視光)を吸収するように構成されている。このため、像側からレンズ鏡筒ユニット202に入射する光学系204の包括画角以上の光束や光学系204を構成するレンズ等の表面における反射に起因する迷光はレンズ鏡筒205によって吸収される。従って、撮像装置201は、ゴーストやフレア等の発生が抑制され、高い光学性能を有する。
The
具体的には、光吸収性の材料(例えば、染料や顔料)をレンズ鏡筒205に分散混入させる構成としてもよい。又は、レンズ鏡筒205を実質的に光吸収性の材料により形成してもよい。可視光を吸収する光吸収性の材料としては、シアン、マゼンタ、イエロー等の複数の色素を混合することによって得られる黒色染料(例えば、有本化学工業株式会社製Plast Black 8950や8970)や、カーボンブラックなどが挙げられる。また、それら顔料や染料を分散混入させる母体は、例えば、ガラス、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等の樹脂(好ましくは、ガラス転移温度が90℃以上170℃以下の樹脂)やガラス繊維含有樹脂などであってもよい。さらには、レンズ鏡筒205にゴミや塵等が付着するのを抑制する観点から、レンズ鏡筒205は帯電防止材料を含有するものであることが好ましい。また、レンズ鏡筒205は、耐光性(特に紫外光に対する耐光性)が高いものであることが好ましい。
Specifically, a configuration in which a light-absorbing material (for example, a dye or a pigment) is dispersed and mixed in the
レンズ鏡筒205は像側からレンズ鏡筒ユニット202に入射する光(厳密にはそのうち反射を抑制すべき波長の光)を吸収するものであり、且つ、その光の反射を抑制するための微小凹凸部11(図2参照)が内周面210に複数形成されているために、レンズ鏡筒205の内周面210における光の反射は大幅に低減される。
The
通常、光を透過させるレンズ等の光学素子においては、例えば50度を超えるような大きな入射光の反射は考慮する必要性は小さい。しかしながら、レンズ鏡筒ユニット205の場合は、小さい入射角の光のみが入射するとは限らないため、入射角の比較的大きな入射光の反射を抑制する構成とすることが好ましい。
Usually, in an optical element such as a lens that transmits light, there is little need to consider reflection of large incident light exceeding 50 degrees, for example. However, in the case of the
図17に示すのは、周期的な凹凸を有する表面(粗面)に微細凹凸部が形成された拡散板(反射防止構造体)の断面図である。拡散板50の表面(粗面)には、錐状(例えば四角錐状)の構造単位70,70が周期的に配列されることによって基礎構造部7が形成され、この基礎構造部7の表面(構造単位70の斜面71,73)に多数の微小凹凸部11が密集して形成されている。先に説明したように、基礎構造部7はバイトを用いて基板の表面を研削加工することによって形成することができ、微小凹凸部11は図8及び図9を参照して説明した手順に従って形成することができる。
FIG. 17 is a cross-sectional view of a diffusion plate (antireflection structure) in which fine irregularities are formed on a surface (rough surface) having periodic irregularities. On the surface (rough surface) of the diffusing
図17に示す拡散板50において、各構造単位70の斜面71,73と基準面51とのなす角度α(傾斜角α)は、図7で説明した角度θに対応する。具体的に、傾斜角αは5°以上であることが好ましい。傾斜角αを5°以上とすることによって、入射光の入射角が小さくなる。さらに、傾斜角αは45°であることが好ましい。傾斜角αを45°にすることによって、基準面51に対して0°〜90°の入射角で入射した入射光は、斜面71,73に対して−45°〜45°の入射角で入射することになり、基準面51に対してどんな入射角で入射してくる入射光に対しても、斜面71,73に対する入射角の絶対値の最大値を45°以下にできる。
In the diffusing
また、レンズ鏡筒205は、図18に示す方法によって製造することができる。図18(a)に示すように、まず、レンズ鏡筒205の成形用金型を作製するための基板130を準備する。基板130の表面130rは、製造するべきレンズ鏡筒205の内径に対応した直径(具体的には等しい直径)の円筒面の一部(例えば90°の角度範囲)によって構成されている。図18(b)に示すように、基板130の表面130rを粗化することによって粗面130pを形成し、さらに、微小凹凸部132を形成する。基板130の表面130rを粗化する工程及び微小凹凸部132を形成する工程は、先に述べた通りである。
The
本発明では、金属の島状堆積物をマスクとして用いてエッチングを行い、微小凹凸部132を形成するので、フォトリソグラフィー技術に随伴する焦点深度の問題が本質的に存在しない。そのため、基板130の表面130rの曲率半径が比較的大きい場合であっても、精度よく微小凹凸部132を形成できる利点がある。
In the present invention, etching is performed using a metal island-shaped deposit as a mask to form the minute
次に、図18(c)に示すように、微小凹凸部132を有する基板130を上金型134と下金型130との間に収容させ、型締め後、キャビティCVに樹脂を射出する。つまり、基板130はインサート型として用いられる。基板130の複製型をインサート型として用いてもよい。
Next, as shown in FIG. 18 (c), the
図18(d)に示すように、樹脂成形によって得られた部品140は、レンズ鏡筒205の一部である。同様の方法で作製した複数の部品を組み合わせることによって、円筒状のレンズ鏡筒205が完成する(図18(e))。このような方法によれば、レンズ鏡筒205の内周面のほぼ全域に微小凹凸部を形成できるので、ゴーストやフレアの低減に極めて有効である。
As shown in FIG. 18D, the
本発明に係る反射防止構造体は、反射光等の不要光の発生が十分に抑制されたものであるため、撮像装置、照明装置、光走査装置、光ピックアップ装置、ディスプレイ等の種々の光学機器に有用である。 Since the antireflection structure according to the present invention sufficiently suppresses generation of unnecessary light such as reflected light, various optical devices such as an imaging device, an illumination device, an optical scanning device, an optical pickup device, and a display are used. Useful for.
1,41,50 拡散板(反射防止構造体)
10,27p,66p 表面(粗面)
11,29,40,68 微小凹凸部
12,51 基準面
13 接平面
27 シリコン単結晶基板
66 複製型
105A 樹脂成形品(反射防止構造体)
1, 41, 50 Diffuser (Antireflection structure)
10, 27p, 66p Surface (rough surface)
11, 29, 40, 68
Claims (9)
前記所定の波長よりも大きい表面粗さの粗面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記粗面に金属を島状に堆積させる工程と、
前記金属の島状堆積物をマスクとして用いて、前記基板のドライエッチングを行い、前記所定の波長以下の平均ピッチを有する複数の微小凹凸部を前記基板の前記粗面に形成する工程と、
を含む、反射防止構造体の製造方法。 A method of manufacturing an antireflection structure that suppresses reflection of light having a predetermined wavelength or more,
Preparing a substrate having a rough surface with a surface roughness greater than the predetermined wavelength;
Depositing metal in an island shape on the rough surface of the substrate;
Using the metal island-shaped deposit as a mask, dry-etching the substrate, and forming a plurality of minute irregularities having an average pitch of the predetermined wavelength or less on the rough surface of the substrate;
A method for manufacturing an antireflection structure, comprising:
第1基板の表面に金属を島状に堆積させる工程と、
前記金属の島状堆積物をマスクとして用いて、前記第1基板のドライエッチングを行い、前記所定の波長以下の平均ピッチを有する複数の微小凹凸部を前記第1基板の表面に形成する工程と、
前記所定の波長よりも大きい表面粗さの粗面を有する第2基板を準備する工程と、
前記第1基板を金型として用いてシート部材を成形し、そのシート部材を前記第2基板の前記粗面に貼り合わせる工程と、
を含む、反射防止構造体の製造方法。 A method of manufacturing an antireflection structure that suppresses reflection of light having a predetermined wavelength or more,
Depositing metal in an island shape on the surface of the first substrate;
Performing dry etching of the first substrate using the metal island-shaped deposit as a mask, and forming a plurality of minute irregularities having an average pitch of the predetermined wavelength or less on the surface of the first substrate; ,
Preparing a second substrate having a rough surface with a surface roughness greater than the predetermined wavelength;
Forming a sheet member using the first substrate as a mold, and bonding the sheet member to the rough surface of the second substrate;
A method for manufacturing an antireflection structure, comprising:
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