JP2009123569A - 平面型画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】平面型画像表示装置の蛍光面の混色を防止する。
【解決手段】背面基板1に電子源10をマトリクス状に備えた平面型画像表示装置で、前記電子源10の面積を前記背面基板1の中央部と周辺部で異なる寸法とした。
【選択図】 図3
【解決手段】背面基板1に電子源10をマトリクス状に備えた平面型画像表示装置で、前記電子源10の面積を前記背面基板1の中央部と周辺部で異なる寸法とした。
【選択図】 図3
Description
本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に係り、特に電子源をマトリクス状に配列した画像表示装置に関する。
マトリクス状に配置した電子源を有する自発光型フラットパネルディスプレイ(FPD)の一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置(FED:Field Emission Display)や電子放出型画像表示装置が知られている。
これらの冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したMIM(Metal−Insulator−Metal)型、金属―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal−Insulator−Semiconductor)型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。
これらの冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したMIM(Metal−Insulator−Metal)型、金属―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal−Insulator−Semiconductor)型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。
一般的な自発光型FPDは、上記のような電子源をガラス板からなる絶縁基板上に備えた背面基板と、蛍光体層及びこの蛍光体層に前記電子源から放出される電子を射突させるための電界を形成する陽極とをガラスを好適とする光透過性の材料からなる絶縁基板上に備えた前面基板と、前記両基板の対向する内部空間を所定の間隔に保持する枠体とを備え、前記両基板と枠体で形成される表示領域を含む内部空間を真空状態に保持する構成の表示パネルとし、この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。
又、前記背面基板上には、第1の方向に延在し該第1の方向と直交する第2の方向に並設された複数の第1電極と、この第1電極を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記第2の方向に延在し前記第1電極に交差する如く前記第1の方向に並設され走査信号が順次印加される複数の第2電極を備えている。加えて前記第2電極と第1電極の交差部付近に上記の電子源がそれぞれ設けられ、第2電極と電子源とは電子源の構成部材の上部電極で接続され、第2電極から電子源に電流が供給される構成が一般的である。
更に、前記個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の単位画素で一つの画素(カラー画素、ピクセル)が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素(サブピクセル)とも呼ばれる。
上述の構成に加え、前述したような画像表示装置では、背面基板と前面基板間の前記枠体で囲繞された表示領域を含む真空領域内に複数の間隔保持部材(スペーサ)が配置固定され、前記両基板間の間隔を前記枠体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
又、封止枠となる枠体は背面基板と前面基板との内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と枠体とで囲繞された表示領域を含む真空領域内部の真空度は、例えば10-5〜10-7Torr程度である。
枠体と基板との封止領域には、背面基板に形成された第2電極につながる第2電極引出端子や第1電極につながる第1電極引出端子がそれぞれ貫通する。
前述したMIM型電子源については、例えば特許文献1に開示されている。MIM型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
電子源は前述のように第1電極と第2電極の交差部近傍に位置し、第1電極と第2電極との間の電位差で電子源からの電子の放出量(放出のオン・オフを含む)を制御する。放出された電子は、前面基板に位置する陽極に印加される高電圧で加速されて前面基板に有する蛍光体層に射突して励起することで当該蛍光体層の発光特性に応じた色光で発色する。蛍光体層の形状は一般的には矩形形状である。
又、ヘッドマウント型ディスプレイ装置に用いられる冷陰極ディスプレイパネルで、その表示部分の中心部から周辺部にかけて、画素の密度と大きさの少なくともどちらか一方が異なる構成が特許文献2に開示されている。
特開2004−363075号公報
特開平7−255022号公報
特許文献1に開示されたような構成の画像表示装置では、前面基板の蛍光体層に、背面基板側に配置された電子源から発射された電子ビームを加速して射突させ、励起することで当該蛍光体層の発光特性に応じた色光で発色する。
ところが、前記電子源と対応する蛍光体層との相互位置関係が損なわれ、電子源からの電子が対向する所望の蛍光体層とこれに隣接する異色発光の蛍光体層を同時に励起して混色を発生させる問題があった。
この混色の発生は、表示装置の色純度の低下及び輝度低下を招き、表示品位を損なう問題があった。
ところが、前記電子源と対応する蛍光体層との相互位置関係が損なわれ、電子源からの電子が対向する所望の蛍光体層とこれに隣接する異色発光の蛍光体層を同時に励起して混色を発生させる問題があった。
この混色の発生は、表示装置の色純度の低下及び輝度低下を招き、表示品位を損なう問題があった。
本発明の目的は、混色の発生を防止し、色純度の確保と高輝度化を可能とし、表示品位の優れた信頼性の高い長寿命の平面型画像表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するため本発明では、平面型の複数の電子源を備えた背面基板と、複数の蛍光体層を備えた前面基板とを対向配置したカラー表示が可能な平面型画像表示装置で、前記電子源の面積を前記基板の中央部と周辺部とで中央部>周辺部の構成とした。
これらの構成とした平面型画像表示装置に、画像信号駆動回路、走査信号駆動回路、その他の周辺回路を組み込んで自発光平面表示装置を構成する。
これらの構成とした平面型画像表示装置に、画像信号駆動回路、走査信号駆動回路、その他の周辺回路を組み込んで自発光平面表示装置を構成する。
混色の発生を防止し、色純度の確保と高輝度化を可能とし、表示品位の優れた信頼性の高い長寿命の平面型画像表示装置を得ることが出来る。
又、周辺部の電子源の画素容量が小さくなるので、走査線当りの負荷容量或は信号線当りの負荷容量を小さく出来、この結果、パネルのCR時定数を小さく出来て駆動回路の負荷を増大させることなく輝度上昇を図ることが可能となる。更に、安価な駆動回路を使用することも可能となる。
又、周辺部の電子源の画素容量が小さくなるので、走査線当りの負荷容量或は信号線当りの負荷容量を小さく出来、この結果、パネルのCR時定数を小さく出来て駆動回路の負荷を増大させることなく輝度上昇を図ることが可能となる。更に、安価な駆動回路を使用することも可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1乃至図4は本発明の平面型画像表示装置の一実施例を説明するための図で、図1(a)は前面基板側から見た模式平面図、図1(b)は図1(a)の模式側面図、図2は図1(b)のA−A線に沿った模式平面図、図3は図2の一部を拡大して示す模式平面図、図4は図2のB−B線に沿った背面基板の模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。
これら図1乃至図4において、参照符号1は背面基板、2は前面基板、3は枠体、4は排気管、5は封着部材、6は表示領域を含む真空領域、7は貫通孔、8は映像信号配線、9は走査信号配線、10は電子源、11は上部電極、12はスペーサ、13は接着部材、14は層間絶縁膜、15は蛍光体層、16は遮光用のBM(ブラックマトリクス)膜、17は金属薄膜からなるメタルバック(陽極電極)である。
参照符号1で示す背面基板と前面基板2は略矩形状を呈し、厚さ数mm、例えば1〜10mm程度のガラス板からそれぞれ構成されている。
3は枠状を呈する枠体で、この枠体3は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板1、2間に介挿されている。
この枠体3は、前記両基板1、2間の周縁部に介挿され、両端面が両基板1、2と気密接合されている。この枠体3の厚さは数mm〜数十mm、その高さは両基板1、2間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。
4は排気管で、この排気管4は前記背面基板1に固着されている。
5は封着部材で、この封着部材5は例えば低融点フリットガラス、例えばPbO:75〜80wt%、B2 O3 :約10wt%、その他:10〜15wt%等の組成からなり、かつ非晶質タイプのフリットガラスを含むガラス材料からなるもの等が知られており、前記枠体3と両基板1、2間を接合して気密封着している。
3は枠状を呈する枠体で、この枠体3は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板1、2間に介挿されている。
この枠体3は、前記両基板1、2間の周縁部に介挿され、両端面が両基板1、2と気密接合されている。この枠体3の厚さは数mm〜数十mm、その高さは両基板1、2間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。
4は排気管で、この排気管4は前記背面基板1に固着されている。
5は封着部材で、この封着部材5は例えば低融点フリットガラス、例えばPbO:75〜80wt%、B2 O3 :約10wt%、その他:10〜15wt%等の組成からなり、かつ非晶質タイプのフリットガラスを含むガラス材料からなるもの等が知られており、前記枠体3と両基板1、2間を接合して気密封着している。
前記枠体3と両基板1、2及び封着部材5で囲まれた表示領域を含む真空領域6は前記排気管4を介して排気され、例えば10-5〜10-7Torrの真空度を保持している。又、前記排気管4は前述のように前記背面基板1の外表面に取り付けられ、この背面基板1を貫通して穿設された貫通孔7に連通しており、排気完了後前記排気管4は封止される。
参照符号8はストライプ状の映像信号配線で、この映像信号配線8は例えばアルミニウム(Al)膜、アルミニウムとネオジムの合金(Al−Nd)膜等からなり、前記背面基板1の内面に第1の方向(Y方向)に延在し第2の方向(X方向)に並設されている。この映像信号配線8は真空領域6から枠体3と背面基板1との接合領域を気密に貫通し、背面基板1の長辺側の端部まで延在し、その先端部を映像信号配線引出端子81としている。
この映像信号配線8は前述したMIM型電子源の上部電極と下部電極との間に配置される絶縁層を構成するトンネル絶縁膜82と、このトンネル絶縁膜82を取り囲んで電子放出部を制限し、この映像信号配線8のエッジヘの電界集中を防止するフィールド絶縁膜をそれぞれ備えている。
参照符号9はストライプ状の走査信号配線で、この走査信号配線9は前記映像信号配線8上でこれと交差する前記第2の方向(X方向)に延在し前記第1の方向(Y方向)に並設されている。
この走査信号配線9はアルミニウム膜、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜等からなり、真空領域6から枠体3と背面基板1との接合領域を気密に貫通し、背面基板1の短辺側の端部まで延在し、その先端部を走査信号配線引出端子91としている。
この走査信号配線9はアルミニウム膜、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜等からなり、真空領域6から枠体3と背面基板1との接合領域を気密に貫通し、背面基板1の短辺側の端部まで延在し、その先端部を走査信号配線引出端子91としている。
参照符号10は平面型の電子源で、その詳細は後述するが、この電子源10は例えば特許文献1に開示された電子源の一種のMIM型電子源である。
この電子源10は前記走査信号配線9と映像信号配線8の交差部近傍で、前記映像信号配線8の前記トンネル絶縁膜82にそれぞれ設けられている。これらの電子源10はこの電子源画素である上部電極11を介して前記走査信号配線9と接続されている。
この電子源10は前記走査信号配線9と映像信号配線8の交差部近傍で、前記映像信号配線8の前記トンネル絶縁膜82にそれぞれ設けられている。これらの電子源10はこの電子源画素である上部電極11を介して前記走査信号配線9と接続されている。
又、前記映像信号配線8と、前記走査信号配線9間には層間絶縁膜14が配置されている。この層間絶縁膜14としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコンなどを用いることができる。
次に、参照符号12はスペーサで、このスペーサ12はセラミックス材等の絶縁材料からなり、抵抗値の偏在が少なく、かつ長方形の薄板形状に整形された絶縁性基体121と、この絶縁性基体121の表面を覆い、かつ抵抗値の偏在の少ない被膜層122から構成されている。
このスペーサ12は108〜109Ω・cm程度の抵抗値を有し、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。
このスペーサ12は108〜109Ω・cm程度の抵抗値を有し、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。
このスペーサ12は前記枠体3と略平行で走査信号配線9上に1本おきに直立配置され、接着部材13で両基板1、2と接着固定している。
このスペーサ12の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。
このスペーサ12の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。
このスペーサ12の寸法は基板寸法、枠体3の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した支持枠3と略同一寸法、厚さは数十μm〜数mm以下、長さは20mm乃至1000mm程度、好ましくは80mm乃至120mm程度が実用的な値となる。
このスペーサ12の一端側が固定された前面基板2の内面には、赤色、緑色、青色用の蛍光体層15が遮光用のBM(ブラックマトリクス)膜16で区画されて配置され、これらを覆うように金属薄膜からなるメタルバック(陽極電極)17が例えば蒸着方法で設けられて蛍光面を形成している。
このメタルバック17は前面基板2と反対側、つまり背面基板1側への発光を前面基板2側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。
又、このメタルバック17は面電極として示してあるが、走査信号配線9と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。
このメタルバック17は前面基板2と反対側、つまり背面基板1側への発光を前面基板2側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。
又、このメタルバック17は面電極として示してあるが、走査信号配線9と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。
前記蛍光体としては、例えば赤色用としてY2O3:Eu、Y2O2S:Euを、又、緑色用としてZnS:Cu,Al、Y2SiO5:Tb、更に、青色用としてZnS:Ag,Cl、ZnS:Ag,Al等を用いることができる。この蛍光体層15は蛍光体粒子の平均粒径は例えば4μm〜9μm、膜厚は例えば10μm〜20μm程度となっている。
前記電子源10は前面基板2と対向する表面形状が略矩形形状で、その面積が図3に示すように背面基板1の中央と周辺とで異なる構成となっている。
すなわち、背面基板1の第2の方向の周辺部の電子源10の第1の方向(Y方向)の高さHsが、中央部の電子源10の同方向の高さHcに比べて低い寸法に設定されている。勿論、配列ピッチは従来と同様である。
一方、第2の方向(X方向)では全面が同一幅wで構成されている。
すなわち、背面基板1の第2の方向の周辺部の電子源10の第1の方向(Y方向)の高さHsが、中央部の電子源10の同方向の高さHcに比べて低い寸法に設定されている。勿論、配列ピッチは従来と同様である。
一方、第2の方向(X方向)では全面が同一幅wで構成されている。
このような構成で、前記中央部分と周辺部とは面積比で75%〜80%程度の差を持たせることが好ましく、前記中央部分と周辺部との中間部は一定の比率で変化する構成とされている。
次に、図5は本発明の平面型画像表示装置の更に他の実施例を説明する図3に対応する模式平面図で、前述した各図と同じ部分には同一記号を付してある。
図5に示す本実施例の電子源10は前面基板2と対向する表面形状が略矩形形状で、その面積が背面基板1の中央と周辺とで異なる構成は図3と同一であるが、この第2実施例では背面基板1の第1の方向の周辺部の電子源10の第1の方向(Y方向)の高さHsが、中央部の電子源10の同方向の高さHcに比べて低い寸法に設定されている。
勿論、配列ピッチは従来と同様である。
一方、第2の方向(X方向)では全面が同一幅wで構成されている。
図5に示す本実施例の電子源10は前面基板2と対向する表面形状が略矩形形状で、その面積が背面基板1の中央と周辺とで異なる構成は図3と同一であるが、この第2実施例では背面基板1の第1の方向の周辺部の電子源10の第1の方向(Y方向)の高さHsが、中央部の電子源10の同方向の高さHcに比べて低い寸法に設定されている。
勿論、配列ピッチは従来と同様である。
一方、第2の方向(X方向)では全面が同一幅wで構成されている。
このような構成で、前記中央部分と周辺部とは面積比で75%〜80%程度の差を持たせることが好ましく、前記中央部分と周辺部との中間部は一定の比率で変化する構成とされている。
次に、図6は本発明の平面型画像表示装置の更に他の実施例を説明する図3に対応する模式平面図で、前述した各図と同じ部分には同一記号を付してある。
図6に示す本実施例の電子源10は前面基板2と対向する表面形状が略矩形形状で、その面積が背面基板1の中央と周辺とで異なる構成は図3と同一であるが、この第3実施例では背面基板1の第1、第2の方向共に周辺部の電子源10の第1の方向(Y方向)の高さHs及び第2の方向(X方向)の幅Wsが、中央部の電子源10の同方向の高さHc、幅Wcに比べて低い寸法に設定されている。
勿論、配列ピッチは従来と同様である。
図6に示す本実施例の電子源10は前面基板2と対向する表面形状が略矩形形状で、その面積が背面基板1の中央と周辺とで異なる構成は図3と同一であるが、この第3実施例では背面基板1の第1、第2の方向共に周辺部の電子源10の第1の方向(Y方向)の高さHs及び第2の方向(X方向)の幅Wsが、中央部の電子源10の同方向の高さHc、幅Wcに比べて低い寸法に設定されている。
勿論、配列ピッチは従来と同様である。
このような構成で、前記中央部分と周辺部とは面積比で75%〜80%程度の差を持たせることが好ましく、前記中央部分と周辺部との中間部は一定の比率で変化する構成とされている。
図7は、本発明の構成を適用した平面型画像表示装置の等価回路例の説明図である。図7中に破線で示した領域は表示領域6であり、この表示領域6にn本の映像信号配線8とm本の走査信号配線9が互いに交差して配置されてn×mのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の3つの単位画素(あるいは、副画素)"R","G","B"の1グループでカラー1画素を構成する。なお、電子源の構成は図示を省いた。映像信号配線8は、映像信号配線引出端子81で映像信号駆動回路DDRに接続され、走査信号配線9は走査信号配線引出端子91で走査信号駆動回路SDRに接続されている。映像信号駆動回路DDRには外部信号源から映像信号NSが入力され、走査信号駆動回路SDRには同様に走査信号SSが入力される。
これにより、順次選択される走査信号配線9に交差する映像信号配線8に映像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。
1・・・背面基板、2・・・前面基板、3・・・枠体、4・・・排気管、5・・・封着部材、6・・・表示領域を含む真空領域、7・・・貫通孔、8・・・画像信号配線、81・・・画像信号配線引出端子、82・・・トンネル絶縁膜、9・・・走査信号配線、91・・・走査信号配線引出端子 10・・・電子源、11・・・上部電極、12・・・スペーサ、13・・・接着部材、14・・・絶縁膜(層間絶縁膜)、15・・・蛍光体層、16・・・BM膜、17・・・メタルバック(陽極電極)。
Claims (6)
- 第1の方向に延在し該第1の方向と直交する第2の方向に並設された複数の映像信号配線と、この映像信号配線を覆って形成された絶縁膜と、この絶縁膜上で前記第2の方向に延在し前記映像信号配線に交差する如く前記第1の方向に並設された複数の走査信号配線と、前記映像信号配線と前記走査信号配線の交差部近傍に設けられた電子源とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速電圧を印加するための陽極とを備えた前面基板と、
前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
前記枠体と前記両基板とを封止領域で気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置であって、
前記電子源の面積が前記基板の中央部と周辺部とで異なることを特徴とする平面型画像表示装置。 - 前記電子源の面積が前記基板の中央部と周辺部とで、中央部>周辺部であることを特徴とする請求項1に記載の平面型画像表示装置。
- 前記電子源の面積は前記基板の周辺部が前記中央部に対し75%〜80%であることを特徴とする請求項1又は2に記載の平面型画像表示装置。
- 前記電子源の前記第1の方向の幅が、前記基板の中央部と周辺部とで異なることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の平面型画像表示装置。
- 前記電子源の前記第2の方向の幅が、前記基板の中央部と周辺部とで異なることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の平面型画像表示装置。
- 前記電子源が、下部電極と上部電極及びこれら下部電極と上部電極との間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と上部電極間に電圧を印加することで前記上部電極より電子を放出する薄膜型電子源アレイであることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の平面型画像表示装置。
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