JP2009117654A - Coupling wiring substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coupling wiring substrate which can prevent reduction in quality due to its substrate surface damages, such as, cracks and peel offs. <P>SOLUTION: The semiconductor packaged coupling wiring substrate 100, having a plurality of wiring substrate regions includes a plurality of wiring substrate regions 22, each of which has the same wiring pattern 28 and cut-out portions in separating the coupling wiring substrate 100 into the respective wiring substrate regions 22; a plurality of slots 101 of the cut-out portions are provided in the boundary region of each wiring substrate 100; and the wiring patterns 28 are formed in a region of each wiring substrate region 22, except a region which does not have a plurality of slots 101. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は連結配線基板に関し、特に半導体パッケージ化される複数の配線基板領域を備える連結配線基板に関する。   The present invention relates to a connection wiring board, and more particularly to a connection wiring board including a plurality of wiring board regions to be packaged in a semiconductor package.

半導体パッケージは、多くの電子機器に実装されている。昨今、特に携帯電話やモバイル用機器など電子機器の進展により、半導体パッケージには高密度実装の要求が高まっている。その要求に応えるために半導体パッケージは、QFP(quad flat package)やSOP(スモール・アウトライン・パッケージ)等のリードフレーム型パッケージからBGA(ball grid array)やCSP(chip size package)等のエリアアレイと呼ばれる半導体パッケージへ移行している。また、エリアアレイと呼ばれる半導体パッケージの多くは、ガラス繊維を内包した樹脂からなる有機基板と、その有機基板上に搭載された半導体素子とを備えている。   Semiconductor packages are mounted on many electronic devices. In recent years, the demand for high-density mounting on semiconductor packages has increased due to the development of electronic devices such as mobile phones and mobile devices. In order to meet the demand, semiconductor packages are changed from lead frame type packages such as QFP (quad flat package) and SOP (small outline package) to area arrays such as BGA (ball grid array) and CSP (chip size package). It is moving to a semiconductor package called. Many semiconductor packages called area arrays include an organic substrate made of a resin containing glass fibers and a semiconductor element mounted on the organic substrate.

以下、図面を参照して半導体パッケージ70の構造について説明する。
図8は、従来の半導体パッケージの構造を説明するための図である。図8において、半導体パッケージ70は、電気的な信号の処理を行う半導体素子71と、半導体素子71と電気的に接続され、半導体素子71が配置される配線基板72とを備える。そして、低熱膨張性の封止樹脂73により半導体素子71は封止されている。
Hereinafter, the structure of the semiconductor package 70 will be described with reference to the drawings.
FIG. 8 is a diagram for explaining the structure of a conventional semiconductor package. In FIG. 8, a semiconductor package 70 includes a semiconductor element 71 that performs electrical signal processing, and a wiring substrate 72 that is electrically connected to the semiconductor element 71 and on which the semiconductor element 71 is disposed. The semiconductor element 71 is sealed with a low thermal expansion sealing resin 73.

また、半導体パッケージ70は、以下のように形成される。
まず、配線基板72では、例えば銅箔がエッチングされて配線パターン78が形成されている(不図示)。
The semiconductor package 70 is formed as follows.
First, in the wiring board 72, for example, copper foil is etched to form a wiring pattern 78 (not shown).

次に、半導体素子71は、例えばペーストにより配線基板72に接着される。また、半導体素子71は、ワイヤボンディングなどの接合技術により配線基板72と電気的に接続される。   Next, the semiconductor element 71 is bonded to the wiring substrate 72 by, for example, a paste. The semiconductor element 71 is electrically connected to the wiring board 72 by a bonding technique such as wire bonding.

次に、半導体素子71は、例えばトランスファーモールドされる。すなわち、配線基板72上に接着されて配置され、電気的に接続された半導体素子71は、低熱膨張性の封止樹脂73により封止される。   Next, the semiconductor element 71 is, for example, transfer molded. That is, the semiconductor element 71 disposed and electrically connected to the wiring substrate 72 is sealed with the low thermal expansion sealing resin 73.

上述した半導体パッケージ70の形成工程は、配線基板72が複数個配置された連結配線基板700の状態で行われる。   The process of forming the semiconductor package 70 described above is performed in the state of the connection wiring board 700 in which a plurality of wiring boards 72 are arranged.

図9は、配線基板72が複数個配置された連結配線基板700を示す平面図である。図9(a)では、配線基板72が4つ配置された例を示している。図9(a)に示すように、連結配線基板700には、それぞれの配線基板72の4周辺付近にスロット701が形成され、各配線基板72の境界上の連結配線基板700の長辺側には穴702が形成されている。   FIG. 9 is a plan view showing a connection wiring board 700 in which a plurality of wiring boards 72 are arranged. FIG. 9A shows an example in which four wiring boards 72 are arranged. As shown in FIG. 9A, in the connection wiring board 700, slots 701 are formed in the vicinity of the four periphery of each wiring board 72, and on the long side of the connection wiring board 700 on the boundary of each wiring board 72. Is formed with a hole 702.

半導体パッケージ70は、それを構成する配線基板72が複数個配置された連結配線基板700の状態で形成され、連結配線基板700から個片化されて完成する。ここでは、連結配線基板700から4つの半導体パッケージ70に個片化される。   The semiconductor package 70 is formed in a state of a connection wiring board 700 in which a plurality of wiring boards 72 constituting the semiconductor package 70 are arranged, and is completed by being separated from the connection wiring board 700. Here, the connection wiring substrate 700 is divided into four semiconductor packages 70.

連結配線基板700は、プレス金型による打ち抜き法により切断されて個片化される。打ち抜き法による切断は、切断ライン705に沿って行われる。切断ライン705は、スロット701の内縁を通っている。   The connection wiring board 700 is cut into pieces by a punching method using a press die. Cutting by the punching method is performed along the cutting line 705. The cutting line 705 passes through the inner edge of the slot 701.

図9(b)では、スロット701の端部付近にある切断ライン705付近の切断部分に存在する配線パターン78を示す図である。ここで、配線パターン78とは、半導体パッケージ70と外部とを電気的に接続する配線であり、配線パターン78は、例えばめっきで形成される。   FIG. 9B shows a wiring pattern 78 present in a cut portion near the cutting line 705 near the end of the slot 701. Here, the wiring pattern 78 is a wiring that electrically connects the semiconductor package 70 and the outside, and the wiring pattern 78 is formed by plating, for example.

しかしながら、打ち抜き法による切断の際、その切断部分に存在するめっきバスなどの配線パターン78が配線基板72の保持を不安定にする。そのため、配線基板72の表面にクラックや剥離などの損傷が発生しやすく半導体パッケージ70の品質低下につながっている。   However, when cutting by the punching method, the wiring pattern 78 such as a plating bath existing in the cut portion makes the holding of the wiring board 72 unstable. For this reason, damage such as cracks and peeling is likely to occur on the surface of the wiring board 72, leading to a deterioration in the quality of the semiconductor package 70.

そこで、配線基板のバリや表面のクラック、剥離などの損傷を低減する半導体パッケージの構造が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   Thus, a semiconductor package structure that reduces damage such as burrs, cracks on the surface of the wiring board, and peeling has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

上記特許文献1では、連結配線基板から半導体パッケージを個片化する間に切断される基板物質量を最小に抑えることで、最終の半導体パッケージの外形に沿って発生するバリを低減することができる。
特開平10−027861号公報
In Patent Document 1, burrs generated along the outer shape of the final semiconductor package can be reduced by minimizing the amount of substrate material that is cut while the semiconductor package is separated from the connection wiring board. .
Japanese Patent Laid-Open No. 10-027861

しかしながら、上記特許文献1では、半導体パッケージ70の品質低下を防止できない。   However, in the above-mentioned Patent Document 1, it is impossible to prevent the quality of the semiconductor package 70 from being deteriorated.

図10は、連結配線基板700から配線基板72が打ち抜き加工される際の打ち抜きツール800で連結配線基板700が固定されたときの様子を模式的に示す図である。   FIG. 10 is a diagram schematically illustrating a state in which the connection wiring board 700 is fixed by the punching tool 800 when the wiring board 72 is punched from the connection wiring board 700.

また、図10は、図9に示す領域Zにおいて、すなわち配線パターン78の切断ライン705付近の領域において打ち抜きツール800で連結配線基板700が固定されている様子を模式的に示している。図10(a)は、図9に示す領域ZをA方向から見た場合の図であり、図10(b)は、図9に示す領域ZをB方向から見た場合の図である。   FIG. 10 schematically shows a state where the connection wiring substrate 700 is fixed by the punching tool 800 in the region Z shown in FIG. 9, that is, in the region near the cutting line 705 of the wiring pattern 78. 10A is a diagram when the region Z shown in FIG. 9 is viewed from the A direction, and FIG. 10B is a diagram when the region Z illustrated in FIG. 9 is viewed from the B direction.

図10(a)に示すように、打ち抜きツール800が配線パターン78上に乗ってしまい、配線基板72の全面を安定に固定することができない。そのため、連結配線基板700の切断時には、配線基板72切断時のストレスにより配線基板72表面ではクラックや剥離などの損傷が発生してしまう。   As shown in FIG. 10A, the punching tool 800 gets on the wiring pattern 78, and the entire surface of the wiring board 72 cannot be stably fixed. Therefore, when the connection wiring board 700 is cut, damage such as cracking or peeling occurs on the surface of the wiring board 72 due to stress at the time of cutting the wiring board 72.

以上のように、上記特許文献1における半導体パッケージ70を構成する配線基板72では、プレス金型による打ち抜きで連結配線基板700から個々の素子を切断し個片化する際、その切断部分に存在するめっきバスなどの配線パターン78により配線基板72の保持が不安定となる。それ故、配線基板72切断の際のストレスにより基板表面に発生するクラックや剥離などの損傷は十分に低減できない。つまり、半導体パッケージ70の品質低下を防止できない。   As described above, in the wiring substrate 72 constituting the semiconductor package 70 in the above-mentioned Patent Document 1, when individual elements are cut and separated from the connection wiring substrate 700 by punching with a press die, they exist at the cut portions. The wiring substrate 72 is unstablely held by the wiring pattern 78 such as a plating bath. Therefore, damages such as cracks and peeling occurring on the substrate surface due to stress at the time of cutting the wiring substrate 72 cannot be sufficiently reduced. That is, it is impossible to prevent the quality of the semiconductor package 70 from being deteriorated.

本発明は、上記問題点を解決するものであり、クラックや剥離など配線基板表面の損傷による品質低下を防止できる連結配線基板を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a connection wiring board that can prevent deterioration in quality due to damage to the surface of the wiring board such as cracking and peeling.

上記の課題を解決するために、本発明に係る連結配線基板は、半導体パッケージ化される複数の配線基板領域を備える連結配線基板であって、同一の配線パターンを有する複数の配線基板領域と、前記各配線基板領域が個片化される際の切断部分を含む、前記各配線基板領域の境界領域内に、切り抜かれた箇所である複数のスロットとが設けられ、前記配線パターンは、前記境界領域内で、かつ、前記複数のスロットが形成されていない領域を除く領域に形成されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a connection wiring board according to the present invention is a connection wiring board having a plurality of wiring board regions to be packaged in a semiconductor package, and a plurality of wiring board regions having the same wiring pattern; A plurality of slots, which are cut out portions, are provided in a boundary region of each wiring substrate region including a cut portion when each wiring substrate region is singulated, and the wiring pattern includes the boundary It is characterized by being formed in a region and a region excluding the region where the plurality of slots are not formed.

この構成より、連結配線基板を固定する領域には段差となる配線パターンが存在しない。したがって、連結配線基板を個々の配線基板の大きさに個片化する際に、安定にしっかりと固定した上で連結配線基板を切断することができるので、切断時ストレスによる配線基板表面のクラックや剥離などの損傷の発生が抑えられる。それにより、クラックや剥離など配線基板表面の損傷による品質低下を防止できる連結配線基板を実現することができる。   With this configuration, there is no wiring pattern that forms a step in the region where the connection wiring board is fixed. Therefore, when separating the connecting wiring boards into individual wiring board sizes, the connecting wiring boards can be cut after being stably fixed firmly. Occurrence of damage such as peeling is suppressed. Thereby, the connection wiring board which can prevent the quality degradation by damage to the wiring board surface, such as a crack and peeling, is realizable.

また、前記配線パターンで前記境界領域へと連なる端部は、前記複数のスロットで終端してもよい。   Moreover, the end part connected to the boundary area in the wiring pattern may be terminated in the plurality of slots.

この構成より、配線パターンは、その端部がスロット部分に連なるように形成されているので、連結配線基板を個々の配線基板の大きさに個片化する際の切断ライン上に、配線パターンは存在しない。すなわち、連結配線基板を固定する領域には段差を形成することなく、配線パターンを形成することができる。   With this configuration, the wiring pattern is formed so that the end thereof is connected to the slot portion. Therefore, the wiring pattern is formed on the cutting line when dividing the connection wiring board into individual wiring board sizes. not exist. That is, the wiring pattern can be formed without forming a step in the region where the connection wiring board is fixed.

また、前記連結配線基板は、さらに、前記配線パターンとは電気的に分離されるベタパターンを備え、前記ベタパターンは、前記境界領域内の、前記複数のスロットが形成されていない領域内に形成されてもよい。   The connection wiring board further includes a solid pattern that is electrically separated from the wiring pattern, and the solid pattern is formed in a region in the boundary region where the plurality of slots are not formed. May be.

また、前記各配線基板領域は、矩形であり、前記ベタパターンは、前記各配線基板領域の角の領域に位置してもよい。   Each of the wiring board regions may be a rectangle, and the solid pattern may be located in a corner area of each of the wiring board regions.

この構成において、連結配線基板を固定する領域には段差を発生させないように、ベタパターンが形成されている。それにより、連結配線基板を個々の配線基板の大きさに個片化する際に、安定にしっかりと固定した上で連結配線基板を切断することができるので、切断時ストレスによる配線基板表面のクラックや剥離などの損傷の発生が抑えられる。   In this configuration, a solid pattern is formed so as not to cause a step in the region where the connection wiring board is fixed. As a result, when separating the connection wiring board into individual wiring board sizes, the connection wiring board can be cut after being stably fixed firmly, so that cracks on the surface of the wiring board due to stress during cutting And damage such as peeling can be suppressed.

本発明の連結配線基板の製造方法は、個片化されると半導体パッケージとなる複数の配線基板領域を備える連結配線基板を製造する方法であって、前記連結配線基板に配線パターンを形成する第1形成ステップと、前記各配線基板領域が個片化される際の切断部分を含む前記各配線基板領域の境界領域内に、細長く切り抜かれることにより複数のスロットを形成する第2形成ステップとを含み、前記第1形成ステップは、前記境界領域内の前記複数のスロットが形成されない領域以外に前記配線パターンを形成することを特徴としている。   A method for manufacturing a connection wiring board according to the present invention is a method for manufacturing a connection wiring board having a plurality of wiring board regions that become semiconductor packages when separated into pieces, wherein a wiring pattern is formed on the connection wiring board. 1 forming step, and a second forming step of forming a plurality of slots by cutting out into a boundary region of each wiring board region including a cut portion when each wiring board region is singulated. The first forming step includes forming the wiring pattern in a region other than the region where the plurality of slots are not formed in the boundary region.

これにより、連結配線基板を固定する領域には段差となる配線パターンが存在しない。したがって、連結配線基板を個々の配線基板の大きさに個片化する際に、安定にしっかりと固定した上で連結配線基板を切断することができるので、切断時ストレスによる配線基板表面のクラックや剥離などの損傷の発生が抑えられる。   As a result, there is no wiring pattern that forms a step in the region where the connection wiring board is fixed. Therefore, when separating the connecting wiring boards into individual wiring board sizes, the connecting wiring boards can be cut after being stably fixed firmly. Occurrence of damage such as peeling is suppressed.

本発明によれば、クラックや剥離など配線基板表面の損傷による品質低下を防止できる連結配線基板を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the connection wiring board which can prevent the quality degradation by damage to the wiring board surface, such as a crack and peeling.

以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態例は本発明を具体化した一例であって、本発明の技術範囲を限定するものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiment is an example embodying the present invention, and does not limit the technical scope of the present invention.

(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る、配線基板22が複数個配置されている連結配線基板100を示す図である。図1(a)は、連結配線基板100の平面図であり、図1(b)は連結配線基板100の部分拡大図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a connection wiring board 100 in which a plurality of wiring boards 22 are arranged according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view of the connection wiring board 100, and FIG. 1B is a partially enlarged view of the connection wiring board 100.

図1(a)に示すように、連結配線基板100は、配線基板22それぞれの境界領域にスロット101が形成されている。連結配線基板100において、各配線基板22が隣り合う境界で連結配線基板100の長辺側には穴102が形成されている。   As shown in FIG. 1A, the connection wiring board 100 has slots 101 formed in the boundary regions of the wiring boards 22. In the connection wiring substrate 100, a hole 102 is formed on the long side of the connection wiring substrate 100 at a boundary where the wiring substrates 22 are adjacent to each other.

また、連結配線基板100には、図1(b)で示すように、配線パターン28が形成されている。   Further, as shown in FIG. 1B, a wiring pattern 28 is formed on the connection wiring substrate 100.

連結配線基板100は、配線基板22が複数個配置された状態で形成される。そして、その配線基板22それぞれが個片化されることで、半導体パッケージ20が形成される。すなわち、半導体パッケージ20は、それを構成する複数の配線基板22が形成された連結配線基板100の状態で形成される。   The connection wiring board 100 is formed in a state where a plurality of wiring boards 22 are arranged. Then, each of the wiring boards 22 is separated into individual pieces, whereby the semiconductor package 20 is formed. That is, the semiconductor package 20 is formed in the state of the connection wiring board 100 in which a plurality of wiring boards 22 constituting the semiconductor package 20 are formed.

半導体パッケージ20は、連結配線基板100上の切断ライン105に沿って連結配線基板100が切断されることで、各々の配線基板22の大きさに個片化されて完成する。ここでは、1つの連結配線基板100から4つの半導体パッケージ20に個片化される例を示している。   The semiconductor package 20 is completed by being cut into pieces of each wiring board 22 by cutting the connecting wiring board 100 along the cutting line 105 on the connecting wiring board 100. Here, an example is shown in which one connection wiring board 100 is divided into four semiconductor packages 20.

図2は、本発明の第1の実施の形態に係る、半導体パッケージ20の構造を説明するための図である。図2において、半導体パッケージ20は、電気的な信号の処理を行う半導体素子21と、半導体素子21と電気的に接続され、半導体素子21が接着されて配置される配線基板22とを備える。そして、低熱膨張性の封止樹脂23により半導体素子21は封止される。   FIG. 2 is a diagram for explaining the structure of the semiconductor package 20 according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 2, the semiconductor package 20 includes a semiconductor element 21 that performs electrical signal processing, and a wiring substrate 22 that is electrically connected to the semiconductor element 21 and is disposed by bonding the semiconductor element 21. Then, the semiconductor element 21 is sealed with a low thermal expansion sealing resin 23.

配線基板22は、図2で示すように、半導体素子21が実装される。また、半導体素子21が実装された配線基板22は、図1(a)に示すように、ある所定のサイズのフレーム(連結配線基板100)の領域中にマトリックス状に配置されるように形成される。図1(a)では、連結配線基板100の領域中に配線基板22が一列に4つ配置された例を示している。   As shown in FIG. 2, the semiconductor element 21 is mounted on the wiring board 22. In addition, the wiring board 22 on which the semiconductor elements 21 are mounted is formed so as to be arranged in a matrix in a region of a certain predetermined size frame (connection wiring board 100), as shown in FIG. The FIG. 1A shows an example in which four wiring boards 22 are arranged in a row in the region of the connection wiring board 100.

図1(b)は、スロット101の端部付近にある切断ライン105付近の切断部分に存在する配線パターン28を示す図である。ここで、配線パターン28とは、半導体パッケージ20と外部とを電気的に接続するための配線である。   FIG. 1B is a diagram showing a wiring pattern 28 present at a cutting portion near the cutting line 105 near the end of the slot 101. Here, the wiring pattern 28 is a wiring for electrically connecting the semiconductor package 20 and the outside.

配線パターン28は、図1(b)に示すように配線基板22上に形成される。配線パターン28は、例えば銅箔がエッチングされることで形成される。   The wiring pattern 28 is formed on the wiring board 22 as shown in FIG. The wiring pattern 28 is formed, for example, by etching a copper foil.

配線パターン28は、連結配線基板100から半導体パッケージ20となる配線基板22のサイズの個片に分割する工程における切断部分、すなわち、連結配線基板100上の切断ライン105を含む境界領域(配線基板22の境界領域内)とスロット101が形成される領域を除いた領域に形成される。   The wiring pattern 28 is a cutting portion in the process of dividing the connection wiring substrate 100 into pieces of the size of the wiring substrate 22 to be the semiconductor package 20, that is, a boundary region including the cutting line 105 on the connection wiring substrate 100 (wiring substrate 22. And a region excluding the region where the slot 101 is formed.

また、配線パターン28は、半導体パッケージ20外部への引き出しが必要である。そのため、配線パターン28は、その端部がスロット101部分に集められ連なるように形成されている。   Further, the wiring pattern 28 needs to be drawn out of the semiconductor package 20. Therefore, the wiring pattern 28 is formed so that the end portions thereof are gathered in the slot 101 portion and connected.

また、配線パターン28上の接合部表面には、まずニッケルめっきを下地として施された後に金めっきが施されている。これにより電気的な接続が可能になっている。配線パターン28上の接合部表面へのニッケルめっきや金めっきは、通常、電解めっきで形成されている。配線パターン28の接合部以外は、ソルダーレジストにより表面が保護されている。なお、金めっきが施された配線パターン28の接合部は、めっきバスとして製品外部へ導かれている。   The surface of the joint portion on the wiring pattern 28 is first plated with nickel and then plated with gold. As a result, electrical connection is possible. Nickel plating or gold plating on the surface of the joint on the wiring pattern 28 is usually formed by electrolytic plating. The surfaces other than the joint portion of the wiring pattern 28 are protected by a solder resist. In addition, the joint part of the wiring pattern 28 to which gold plating is applied is led to the outside of the product as a plating bath.

スロット101は、完成後の半導体パッケージ20のサイズに合わせた位置、すなわち各配線基板22の境界領域内に細長く切り抜かれて形成されている。ここでは、スロット101は、各配線基板22の境界領域内に4箇所形成されている。スロット101は、例えば、ルーターと呼ばれるドリルを用いて、基板製造上の最終工程で形成される。   The slot 101 is formed by being elongated and cut in a position corresponding to the size of the completed semiconductor package 20, that is, in a boundary region of each wiring board 22. Here, four slots 101 are formed in the boundary region of each wiring board 22. The slot 101 is formed in the final step in manufacturing the substrate using, for example, a drill called a router.

穴102は、半導体パッケージ20の組み立ての際に必要となる基準孔として形成されている。   The hole 102 is formed as a reference hole required when assembling the semiconductor package 20.

次に、半導体パッケージ20の製造方法について、下記に説明する。
まず、配線基板22に、配線基板22上に設けられた所定位置に、あらかじめ例えばペースト材等を塗布する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor package 20 will be described below.
First, a paste material or the like is applied to the wiring substrate 22 in advance at a predetermined position provided on the wiring substrate 22.

次に、半導体素子21は、ペースト材等が塗布された配線基板22上の所定位置に接着される。   Next, the semiconductor element 21 is bonded to a predetermined position on the wiring board 22 to which a paste material or the like is applied.

次に、半導体素子21を、例えばAu線でワイヤボンディングすることで配線基板22と電気的に接続する。   Next, the semiconductor element 21 is electrically connected to the wiring board 22 by wire bonding using, for example, Au wire.

なお、図2で、半導体素子21と配線基板22との電気的な接続が、ワイヤボンディングで実施された例を示しているが、フリップチップ工法を用いて行っても構わない。ここで、フリップチップ工法とは、あらかじめ半導体素子21の表面の所定位置にバンプを形成し、ACF等の接合材を介して形成したバンプ部分を配線基板22へ実装する方法である。   2 shows an example in which the electrical connection between the semiconductor element 21 and the wiring substrate 22 is performed by wire bonding, but the flip chip method may be used. Here, the flip-chip method is a method in which bumps are formed in advance at predetermined positions on the surface of the semiconductor element 21 and the bump portions formed via a bonding material such as ACF are mounted on the wiring board 22.

次に、半導体素子21を、例えばトランスファーモールドする。すなわち、配線基板22に配置され、電気的に接続された半導体素子21は、低熱膨張性の封止樹脂23で一括封止される。   Next, the semiconductor element 21 is, for example, transfer molded. That is, the semiconductor elements 21 arranged and electrically connected to the wiring board 22 are collectively sealed with the low thermal expansion sealing resin 23.

次に、封止樹脂23に一括封止された半導体素子21を含む半導体と配線基板22(半導体パッケージ20)を、打ち抜き切断により連結配線基板100から個片化する。具体的には、封止樹脂23に一括封止された半導体素子21とそれを搭載する配線基板22とは、連結配線基板100上の切断ライン105に沿って連結配線基板100が切断され、連結配線基板100から配線基板22の大きさに個片化される。それにより、各々の半導体パッケージ20が完成する。   Next, the semiconductor including the semiconductor element 21 encapsulated in the sealing resin 23 and the wiring board 22 (semiconductor package 20) are separated from the connection wiring board 100 by punching and cutting. Specifically, the semiconductor element 21 encapsulated in the sealing resin 23 and the wiring board 22 on which the semiconductor element 21 is mounted are cut along the cutting line 105 on the connecting wiring board 100 so that the connecting wiring board 100 is connected. The wiring board 100 is divided into pieces of the size of the wiring board 22. Thereby, each semiconductor package 20 is completed.

ここで、連結配線基板100はプレス金型による打ち抜きで切断されるが、その際には切断ライン105の近傍をしっかりと固定する必要がある。固定が不十分であった場合、連結配線基板100を切断する際のストレスにより配線基板22の浮き等が発生する。つまり、固定が不十分だと配線基板22表面のクラックや剥離などの損傷の原因となる。   Here, although the connection wiring board 100 is cut by punching with a press die, it is necessary to firmly fix the vicinity of the cutting line 105 at that time. If the fixing is insufficient, the wiring board 22 may be lifted due to stress when the connection wiring board 100 is cut. That is, insufficient fixing may cause damage such as cracks or peeling on the surface of the wiring board 22.

図3は、本発明の第1の実施の形態に係る、連結配線基板100から配線基板22が打ち抜き加工される際の、打ち抜きツール800で連結配線基板100が固定された様子を模式的に示す図である。   FIG. 3 schematically shows a state in which the connection wiring board 100 is fixed by the punching tool 800 when the wiring board 22 is punched from the connection wiring board 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG.

図3は、打ち抜きツール800で連結配線基板100における配線基板22が固定されている様子を模式的に示している。図3では、配線パターン28の切断ライン105付近の領域(図1に示す領域X付近)とスロット101とが打ち抜きツール800で固定される。図3(a)は、図1に示す領域YをA方向から見た場合の図を示しており、図3(b)は、図1に示す領域XをB方向から見た場合の図を示している。   FIG. 3 schematically shows a state in which the wiring board 22 in the connection wiring board 100 is fixed by the punching tool 800. In FIG. 3, the area near the cutting line 105 of the wiring pattern 28 (near the area X shown in FIG. 1) and the slot 101 are fixed by the punching tool 800. 3A shows a view when the region Y shown in FIG. 1 is viewed from the A direction, and FIG. 3B shows a view when the region X shown in FIG. 1 is viewed from the B direction. Show.

本発明の連結配線基板100では、配線基板22の境界領域外にめっきバスなど外部への引き出しが必要な配線パターン28はスロット101部分に集められ連なるように形成されている。言い換えると、切断ライン105及び切断ライン105周辺帯領域上(配線基板22の境界領域内)に配線パターン28が存在しないようにして、スロット101部分に集められるように形成されている。したがって、図3に示すように打ち抜きツール800で連結配線基板100を個々の配線基板22の大きさに個片化する際に、打ち抜きツール800が連結配線基板100を固定する領域には段差となる配線パターン28が存在しない。それ故、打ち抜きツール800は、個片化後に半導体パッケージ20となる配線基板22を、安定にしっかりと固定することができる。   In the connection wiring board 100 of the present invention, the wiring pattern 28 that needs to be drawn out to the outside such as a plating bath is formed outside the boundary region of the wiring board 22 so as to be collected and connected to the slot 101 portion. In other words, the wiring pattern 28 is formed so as to be collected in the slot 101 portion so as not to exist on the cutting line 105 and the peripheral band region of the cutting line 105 (in the boundary region of the wiring substrate 22). Therefore, as shown in FIG. 3, when the connecting wiring board 100 is separated into individual wiring boards 22 with the punching tool 800, there is a step in a region where the punching tool 800 fixes the connecting wiring board 100. The wiring pattern 28 does not exist. Therefore, the punching tool 800 can stably and firmly fix the wiring board 22 that becomes the semiconductor package 20 after being singulated.

それにより、連結配線基板100から配線基板22を切断する際のストレスによる配線基板22表面のクラックや剥離などの損傷の発生を抑えることができる。   Thereby, it is possible to suppress the occurrence of damage such as cracks or peeling on the surface of the wiring board 22 due to stress when cutting the wiring board 22 from the connection wiring board 100.

図4は、本発明の第1の実施の形態に係る、連結配線基板100から配線基板22が打ち抜き加工され個片化された半導体パッケージ20の上平面図である。   FIG. 4 is a top plan view of the semiconductor package 20 according to the first embodiment of the present invention, in which the wiring board 22 is punched from the connection wiring board 100 and separated into pieces.

図4に示すように、半導体パッケージ20は、配線基板22の大きさで個片化される。半導体パッケージ20は、半導体素子21(不図示)と、半導体素子21が接着され配置された配線基板22と、半導体素子21を一括封止している封止樹脂23と、配線基板22上に形成された配線パターン28とを備える。   As shown in FIG. 4, the semiconductor package 20 is divided into pieces with the size of the wiring board 22. The semiconductor package 20 is formed on a semiconductor element 21 (not shown), a wiring board 22 on which the semiconductor element 21 is bonded, a sealing resin 23 that collectively seals the semiconductor elements 21, and the wiring board 22. Wiring pattern 28 is provided.

半導体パッケージ20における各配線基板22の境界領域には、連結配線基板100においてスロット101であった切り欠け領域を4箇所備える。   In the boundary region of each wiring substrate 22 in the semiconductor package 20, four cutout regions that are the slots 101 in the connection wiring substrate 100 are provided.

配線パターン28は、図4に示すように、半導体パッケージ20における封止樹脂23の外周部に位置する。配線パターン28は、その端部が連結配線基板100においてスロット101であった切り欠け領域に連なるように形成される。配線パターン28は、図4に示す半導体パッケージ20における配線基板22の4つの角の隅領域(コーナー領域)の突出した部分を除く領域に、すなわち図1で示す連結配線基板100上の切断ライン105の周辺帯領域(配線基板22の境界領域内)とスロット101が形成される領域とを除く領域に形成され、さらに、その一方の端部が連結配線基板100におけるスロット101に連なるように形成される。   As shown in FIG. 4, the wiring pattern 28 is located on the outer peripheral portion of the sealing resin 23 in the semiconductor package 20. The wiring pattern 28 is formed so that the end thereof is connected to the notch region that was the slot 101 in the connection wiring substrate 100. The wiring pattern 28 is formed in a region excluding protruding portions of the corner areas (corner regions) of the four corners of the wiring board 22 in the semiconductor package 20 shown in FIG. 4, that is, the cutting line 105 on the connection wiring board 100 shown in FIG. Is formed in a region excluding the peripheral band region (in the boundary region of the wiring substrate 22) and the region where the slot 101 is formed, and further, one end thereof is formed so as to be connected to the slot 101 in the connection wiring substrate 100. The

以上のように、配線パターン28は連結配線基板100上の切断ライン105の周辺帯領域(配線基板22の境界領域内)とスロット101が形成される領域とを除く領域に形成され、さらに、その一方の端部が連結配線基板100におけるスロット101に連なるように形成される。それ故、連結配線基板100から半導体パッケージ20に個片化される際には、連結配線基板100における配線基板22は、打ち抜きツール800で安定にしっかりと固定される。したがって、切断時ストレスによる配線基板22表面のクラックや剥離などの損傷の発生は抑えられる。   As described above, the wiring pattern 28 is formed in a region excluding the peripheral band region of the cutting line 105 on the connection wiring substrate 100 (in the boundary region of the wiring substrate 22) and the region where the slot 101 is formed. One end is formed to be continuous with the slot 101 in the connection wiring substrate 100. Therefore, when the connection wiring substrate 100 is separated into the semiconductor package 20, the wiring substrate 22 in the connection wiring substrate 100 is stably and firmly fixed by the punching tool 800. Therefore, the occurrence of damage such as cracks and peeling on the surface of the wiring board 22 due to stress during cutting can be suppressed.

それにより、クラックや剥離など配線基板表面の損傷による品質低下を防止できる連結配線基板を実現することが可能となる。   As a result, it is possible to realize a connected wiring board that can prevent deterioration in quality due to damage to the surface of the wiring board such as cracks and peeling.

(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態について図面を参照して説明する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described with reference to the drawings.

図5は、本発明の第2の実施の形態に係る、配線基板42が複数個配置されている連結配線基板200を示す図である。図5(a)は、連結配線基板200の平面図であり、図1(b)は連結配線基板200の部分拡大図である。   FIG. 5 is a diagram showing a connection wiring board 200 in which a plurality of wiring boards 42 are arranged according to the second embodiment of the present invention. FIG. 5A is a plan view of the connection wiring board 200, and FIG. 1B is a partially enlarged view of the connection wiring board 200.

図5(a)に示すように、連結配線基板200は、配線基板42それぞれの4周辺付近にスロット201が形成されている。連結配線基板200において、各配線基板42が隣り合う境界で連結配線基板200の長辺側には穴202が形成されている。   As shown in FIG. 5A, in the connection wiring board 200, slots 201 are formed in the vicinity of the four periphery of each of the wiring boards. In the connection wiring board 200, a hole 202 is formed on the long side of the connection wiring board 200 at a boundary where the wiring boards 42 are adjacent to each other.

連結配線基板200には、図1(b)で示すように、各配線基板42上の4隅(コーナー)の領域に、配線パターン28と、ベタパターン206とが形成されている。   As shown in FIG. 1B, the wiring pattern 28 and the solid pattern 206 are formed on the connection wiring board 200 in the four corner regions on each wiring board 42.

図5に示す連結配線基板200は、第1の実施の形態に係る連結配線基板100に対して、切断ライン205付近上にベタパターン206が形成されている点が異なる。なお、連結配線基板200、スロット201、穴202、切断ライン205、配線基板42及び配線パターン48は、第1の実施の形態に係る連結配線基板100、スロット101、穴102、切断ライン105、配線基板22、配線パターン28と本質的に同様の要素であるので、詳細な説明は省略する。   The connection wiring board 200 shown in FIG. 5 is different from the connection wiring board 100 according to the first embodiment in that a solid pattern 206 is formed near the cutting line 205. The connection wiring board 200, the slot 201, the hole 202, the cutting line 205, the wiring board 42, and the wiring pattern 48 are the connection wiring board 100, the slot 101, the hole 102, the cutting line 105, the wiring according to the first embodiment. Since the elements are essentially the same as those of the substrate 22 and the wiring pattern 28, detailed description thereof is omitted.

配線パターン48で前記境界領域へと連なる端部は、スロット201に連なるように形成される。また、配線パターン48は連結配線基板200上の切断ライン205の周辺帯領域を除いた領域(配線基板42の境界領域内)とスロット201が形成される領域とを除く領域に形成される。   An end of the wiring pattern 48 that extends to the boundary region is formed so as to continue to the slot 201. In addition, the wiring pattern 48 is formed in a region excluding the region (in the boundary region of the wiring substrate 42) excluding the peripheral band region of the cutting line 205 on the connection wiring substrate 200 and the region where the slot 201 is formed.

ベタパターン206は、配線基板42上の4隅(コーナー)の領域で、かつ、連結配線基板200上の切断ライン205の周辺帯領域(配線基板42の境界領域内)に、高さが一定の金属の帯が例えばL字型に形成されている。ベタパターン206は、配線パターン48とは連結していない。すなわち、ベタパターン206は、配線パターン48と電気的に独立している。   The solid pattern 206 has a constant height in the four corner areas on the wiring board 42 and in the peripheral band area of the cutting line 205 on the connection wiring board 200 (in the boundary area of the wiring board 42). A metal band is formed in an L shape, for example. The solid pattern 206 is not connected to the wiring pattern 48. That is, the solid pattern 206 is electrically independent from the wiring pattern 48.

図6は、本発明の第2の実施の形態に係る、連結配線基板200から配線基板42が打ち抜き加工される際の、打ち抜きツール800で連結配線基板200が固定された様子を模式的に示す図である。   FIG. 6 schematically shows the state where the connection wiring board 200 is fixed by the punching tool 800 when the wiring board 42 is punched from the connection wiring board 200 according to the second embodiment of the present invention. FIG.

図6は、打ち抜きツール800で連結配線基板100における配線基板22が固定されている様子を模式的に示している。図6では、配線パターン28の切断ライン105付近の領域(図5に示す領域Y付近)とスロット201とが打ち抜きツール800で固定される。図6(a)は、図5に示す領域YをA方向から見た場合の図を示しており、図6(b)は、図5に示す領域YをB方向から見た場合の図を示している。   FIG. 6 schematically shows how the wiring board 22 in the connection wiring board 100 is fixed by the punching tool 800. In FIG. 6, the region near the cutting line 105 (near the region Y shown in FIG. 5) of the wiring pattern 28 and the slot 201 are fixed by the punching tool 800. 6A shows a view when the region Y shown in FIG. 5 is viewed from the A direction, and FIG. 6B shows a view when the region Y shown in FIG. 5 is viewed from the B direction. Show.

本発明の連結配線基板200では、めっきバスなど外部への引き出しが必要な配線パターン48はスロット201部分に集められ連なるように形成されている。また、ベタパターン206が配線基板42の領域内にある近接するスロット201の端部を繋ぐ切断ライン205上に形成されている。すなわち、スロット201部分を除いた切断ライン205及び切断ライン205の周辺帯領域(配線基板22の境界領域内)内には配線パターン48は存在せず、高さが一定のベタパターン206が形成されている。つまり、図6に示すように打ち抜きツール800で連結配線基板200を個々の配線基板42の大きさに個片化する際に、連結配線基板100を固定する領域には段差となる配線パターン48が存在せず、段差とならないようにベタパターン206が形成されている。したがって、打ち抜きツール800は、個片化後に半導体パッケージ40となる配線基板42を、ベタパターン206を介して安定にしっかりと固定することができる。   In the connection wiring board 200 of the present invention, the wiring pattern 48 such as a plating bath that needs to be drawn to the outside is gathered in the slot 201 portion and is formed to be continuous. Further, a solid pattern 206 is formed on a cutting line 205 that connects the ends of adjacent slots 201 in the area of the wiring board 42. That is, the wiring pattern 48 does not exist in the cutting line 205 excluding the slot 201 and the peripheral band area of the cutting line 205 (in the boundary area of the wiring board 22), and a solid pattern 206 having a constant height is formed. ing. That is, as shown in FIG. 6, when the connecting wiring board 200 is separated into individual wiring boards 42 with the punching tool 800, a wiring pattern 48 that forms a step is formed in a region where the connecting wiring board 100 is fixed. A solid pattern 206 is formed so that it does not exist and does not become a step. Therefore, the punching tool 800 can stably and firmly fix the wiring substrate 42 that becomes the semiconductor package 40 after separation into individual pieces via the solid pattern 206.

それにより、連結配線基板100から配線基板22を切断する際のストレスによる配線基板22表面のクラックや剥離などの損傷の発生を抑えることができる。   Thereby, it is possible to suppress the occurrence of damage such as cracks or peeling on the surface of the wiring board 22 due to stress when cutting the wiring board 22 from the connection wiring board 100.

図7は、本発明の第2の実施の形態に係る、連結配線基板200から配線基板42が打ち抜き加工され個片化された半導体パッケージ40の上平面図である。   FIG. 7 is a top plan view of the semiconductor package 40 according to the second embodiment of the present invention, in which the wiring board 42 is punched from the connection wiring board 200 and separated into pieces.

図7に示すように、半導体パッケージ40は、配線基板42の大きさで個片化される。半導体パッケージ40は、半導体素子41(不図示)と、半導体素子41が接着され配置された配線基板42と、半導体素子41を一括封止している封止樹脂43と、配線基板42上に形成された配線パターン48と、ベタパターン206とを備える。   As shown in FIG. 7, the semiconductor package 40 is separated into pieces with the size of the wiring board 42. The semiconductor package 40 is formed on a semiconductor element 41 (not shown), a wiring substrate 42 on which the semiconductor element 41 is bonded, a sealing resin 43 that collectively seals the semiconductor element 41, and the wiring substrate 42. The wiring pattern 48 and the solid pattern 206 are provided.

また、半導体パッケージ40の配線基板42の外周辺には、連結配線基板200においてスロット201であった切り欠け領域と、ベタパターン206とを備える。   Further, on the outer periphery of the wiring substrate 42 of the semiconductor package 40, a notch region that is the slot 201 in the connection wiring substrate 200 and a solid pattern 206 are provided.

配線パターン48は、図7に示すように、半導体パッケージ40における封止樹脂43の外周部に位置する。配線パターン48は、その端部が連結配線基板200においてスロット201であった切り欠け領域に連なって形成される。配線パターン48は、図7に示す半導体パッケージ40における配線基板42の4つの角の4隅の領域(コーナー領域)の突出した部分を除く領域に、すなわち図5で示す連結配線基板200上の切断ライン205の周辺帯領域(配線基板42の境界領域)を除いた領域に形成される。   As shown in FIG. 7, the wiring pattern 48 is located on the outer peripheral portion of the sealing resin 43 in the semiconductor package 40. The wiring pattern 48 is formed so as to be continuous with a notch region whose end portion is the slot 201 in the connection wiring substrate 200. The wiring pattern 48 is cut in a region excluding protruding portions of the four corner regions (corner regions) of the wiring substrate 42 in the semiconductor package 40 shown in FIG. 7, that is, on the connection wiring substrate 200 shown in FIG. It is formed in a region excluding the peripheral band region (boundary region of the wiring board 42) of the line 205.

以上のように、配線パターン48は、連結配線基板200上の切断ライン205の周辺帯領域(配線基板42の境界領域内)とスロット201が形成される領域とを除く領域に形成され、さらに、その端部が連結配線基板200におけるスロット201に連なって形成される。また、ベタパターン206がスロット201を繋ぐ切断ライン205上に形成される。それ故、連結配線基板200から半導体パッケージ40に個片化される際には、連結配線基板200における配線基板42は、打ち抜きツール800でベタパターン206を介して安定にしっかりと固定される。したがって、切断時ストレスによる配線基板42表面のクラックや剥離などの損傷の発生は抑えられる。   As described above, the wiring pattern 48 is formed in a region excluding the peripheral band region (within the boundary region of the wiring substrate 42) of the cutting line 205 on the connection wiring substrate 200 and the region where the slot 201 is formed. The end portion is formed continuously with the slot 201 in the connection wiring board 200. A solid pattern 206 is formed on the cutting line 205 that connects the slots 201. Therefore, when the connection wiring board 200 is separated into the semiconductor package 40, the wiring board 42 in the connection wiring board 200 is stably and firmly fixed by the punching tool 800 through the solid pattern 206. Therefore, the occurrence of damage such as cracks and peeling on the surface of the wiring board 42 due to stress during cutting can be suppressed.

以上、本発明によれば、クラックや剥離など配線基板表面の損傷による品質低下を防止できる連結配線基板を実現することが可能となる。   As mentioned above, according to this invention, it becomes possible to implement | achieve the connection wiring board which can prevent the quality degradation by damage on the wiring board surface, such as a crack and peeling.

以上、本発明の連結配線基板について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。   As described above, the connection wiring board of the present invention has been described based on the embodiment, but the present invention is not limited to this embodiment. Unless it deviates from the meaning of this invention, the form which carried out the various deformation | transformation which those skilled in the art can think to this embodiment, and the structure constructed | assembled combining the component in different embodiment is also contained in the scope of the present invention. .

本発明は、連結配線基板に利用でき、特に、家電やモバイル機器などの製品に実装される有機基板を用いた半導体パッケージに利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for a connection wiring board, and in particular, can be used for a semiconductor package using an organic substrate mounted on a product such as a home appliance or a mobile device.

本発明の第1の実施の形態に係る配線基板が複数個配置されている連結配線基板を示す図である。It is a figure which shows the connection wiring board by which multiple wiring boards which concern on the 1st Embodiment of this invention are arrange | positioned. 本発明の第1の実施の形態に係る、半導体パッケージの構造を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the semiconductor package based on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る、連結配線基板から配線基板が打ち抜き加工される際の、打ち抜きツールで連結配線基板が固定された様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the connection wiring board was fixed with the punching tool at the time of punching a wiring board from the connection wiring board based on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る、連結配線基板から配線基板が打ち抜き加工され個片化された半導体パッケージの上平面図である。1 is a top plan view of a semiconductor package according to a first embodiment of the present invention, in which a wiring board is punched from a connection wiring board and separated into individual pieces. 本発明の第2の実施の形態に係る、配線基板が複数個配置されている連結配線基板を示す図である。It is a figure which shows the connection wiring board by which the wiring board based on the 2nd Embodiment of this invention is arranged in multiple numbers. 本発明の第2の実施の形態に係る、連結配線基板から配線基板が打ち抜き加工される際の、打ち抜きツールで連結配線基板が固定された様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the connection wiring board was fixed with the punching tool at the time of punching a wiring board from the connection wiring board based on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る、連結配線基板から配線基板が打ち抜き加工され個片化された半導体パッケージの上平面図である。FIG. 10 is a top plan view of a semiconductor package according to a second embodiment of the present invention, in which a wiring board is punched from a connection wiring board and separated into pieces. 従来の半導体パッケージの構造を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the conventional semiconductor package. 配線基板が複数個配置された連結配線基板を示す平面図である。It is a top view which shows the connection wiring board by which multiple wiring boards are arrange | positioned. 連結配線基板から配線基板が打ち抜き加工される際の打ち抜きツールで連結配線基板が固定されたときの様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode when a connection wiring board is fixed with the punching tool at the time of a wiring board being punched from a connection wiring board.

符号の説明Explanation of symbols

20、40、70 半導体パッケージ
21、41、71 半導体素子
22、42、72 配線基板
23、43、73 封止樹脂
28、48、78 配線パターン
100、200、700 連結配線基板
101、201、701 スロット
102、202、702 穴
105、205、705 切断ライン
206 ベタパターン
800 打ち抜きツール
20, 40, 70 Semiconductor package 21, 41, 71 Semiconductor element 22, 42, 72 Wiring board 23, 43, 73 Sealing resin 28, 48, 78 Wiring pattern 100, 200, 700 Connection wiring board 101, 201, 701 Slot 102, 202, 702 Hole 105, 205, 705 Cutting line 206 Solid pattern 800 Punching tool

Claims (5)

半導体パッケージ化される複数の配線基板領域を備える連結配線基板であって、
同一の配線パターンを有する複数の配線基板領域と、
前記各配線基板領域が個片化される際の切断部分を含む、前記各配線基板領域の境界領域内に、切り抜かれた箇所である複数のスロットとが設けられ、
前記配線パターンは、前記境界領域内で、かつ、前記複数のスロットが形成されていない領域を除く領域に形成されている
ことを特徴とする連結配線基板。
A connection wiring board comprising a plurality of wiring board regions to be packaged in a semiconductor package,
A plurality of wiring board regions having the same wiring pattern;
A plurality of slots, which are cut out portions, are provided in a boundary region of each wiring board region, including a cut portion when each wiring board region is singulated.
The connection wiring board, wherein the wiring pattern is formed in a region excluding a region where the plurality of slots are not formed in the boundary region.
前記配線パターンで前記境界領域へと連なる端部は、前記複数のスロットで終端する
ことを特徴とする請求項1に記載の連結配線基板。
The connection wiring board according to claim 1, wherein an end portion of the wiring pattern that leads to the boundary region terminates in the plurality of slots.
前記連結配線基板は、さらに、前記配線パターンとは電気的に分離されるベタパターンを備え、
前記ベタパターンは、前記境界領域内の、前記複数のスロットが形成されていない領域内に形成される
ことを特徴とする請求項2に記載の連結配線基板。
The connection wiring board further includes a solid pattern that is electrically separated from the wiring pattern,
The connection wiring board according to claim 2, wherein the solid pattern is formed in a region in the boundary region where the plurality of slots are not formed.
前記各配線基板領域は、矩形であり、
前記ベタパターンは、前記各配線基板領域の角の領域に位置する
ことを特徴とする請求項3に記載の連結配線基板。
Each wiring board region is rectangular,
The connection wiring board according to claim 3, wherein the solid pattern is located in a corner area of each wiring board area.
半導体パッケージ化される複数の配線基板領域を備える連結配線基板を製造する方法であって、
前記連結配線基板に配線パターンを形成する第1形成ステップと、
前記各配線基板領域が個片化される際の切断部分を含む前記各配線基板領域の境界領域内に、細長く切り抜かれることにより複数のスロットを形成する第2形成ステップとを含み、
前記第1形成ステップは、前記境界領域内の前記複数のスロットが形成されない領域以外に前記配線パターンを形成する
ことを特徴とする製造方法。
A method of manufacturing a connection wiring board comprising a plurality of wiring board regions to be packaged in a semiconductor package,
A first forming step of forming a wiring pattern on the connection wiring substrate;
A second forming step of forming a plurality of slots by cutting out into a boundary region of each wiring board region including a cut portion when each wiring board region is singulated;
In the manufacturing method, the first forming step forms the wiring pattern in a region other than the region where the plurality of slots are not formed in the boundary region.
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