JP2009115467A - Contact and contact unit, and method of manufacturing them - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、一端部と他端部とをそれぞれ第一の電気部品と第二の電気部品とに接触させて上記第一の電気部品と第二の電気部品とを電気的に接続する接触子及び接触子ユニットに関し、詳しくは、筒状の構造により軸方向に弾性力を有して伸縮可能とすることで、単一部材からなる微細な直線状に形成された接触子及び接触子ユニット並びにそれらの製造方法に係るものである。 The present invention provides a contact that electrically connects the first electrical component and the second electrical component by bringing one end and the other end into contact with the first electrical component and the second electrical component, respectively. More specifically, the contact unit and the contact unit, which are formed in a fine linear shape made of a single member by being elastic and elastic in the axial direction by a cylindrical structure, It relates to their manufacturing method.
従来の接触子は、樹脂材料からなる芯部と、該芯部の表面を覆う金属材料からなる表面層とを含む多層構造からなる中実の棒状部材によって形成され、この棒状部材一つからなるものと、この棒状部材を三つ用いて、一つを水平に配置し、残りの二つをこの水平に配置した棒状部材の両端から互いに相離れる方向へ垂直に伸ばして接合し、弾性力を発揮するように構成されたクランク状のものとがあった。また、従来の接触子ユニットは、プリント基板の上面に上述の接触子を立設し、バネあるいはゴムのような弾性体をこのプリント基板の下面に備え、この弾性体によって接触子及びプリント基板全体を上下動可能に形成していた(例えば、特許文献1参照)。 A conventional contact is formed by a solid rod-like member having a multilayer structure including a core portion made of a resin material and a surface layer made of a metal material that covers the surface of the core portion, and is made of this single rod-like member. Using three rod-like members, one is placed horizontally, and the other two are joined vertically extending from both ends of the horizontally-arranged rod-like members in a direction away from each other, and the elastic force is increased. There was a crank-shaped one configured to exert. Further, the conventional contact unit has the above-described contact standing on the upper surface of the printed circuit board, and an elastic body such as a spring or rubber is provided on the lower surface of the printed circuit board. Is formed to be movable up and down (see, for example, Patent Document 1).
また、他の接触子は、長手方向の中間部が湾曲された針状体により形成され、この中間部の湾曲形状によって長手方向に弾性力を発揮して伸縮可能とされていた。また、他の接触子を用いた接触子ユニットは、回路パターンが形成された配線基板に、ウェーハに形成された数十ないし数百個の個別チップに対応する複数のプロービングブロックを備え、この複数のプロービングブロックの各々に、上記個別チップに形成された複数個のパッドに対応する上述の接触子を複数立設して形成されていた(例えば、特許文献2参照)。
しかし、上記特許文献1に示す従来の接触子においては、中実の棒状部材によって形成されていたため、接触子自体に、その軸方向に伸縮可能となる弾性力を持たせることができなかった。このため、接触子ユニットに接触子を複数配列し、この接触子ユニットを半導体集積回路に押圧して、この半導体集積回路に複数配列されたパッドに電気的に接続させる場合、各々の接触子を対応するパッドに対して均一な圧力で押圧させることができず、安定した電気的接続を得ることが難しかった。また、クランク状に形成された接触子の場合、接触子自体にその押圧方向に伸縮可能となる弾性力を持たせることができたが、接触子が大きくなり、プリント基板に高密度且つ2次元状に配設することが難しく、エリアアレイ型半導体集積回路のパッドピッチの微細化に対応することができなかった。
However, since the conventional contact shown in
また、上記特許文献2に示す従来の接触子においては、針状体に湾曲形状を設けて形成されていたため、接触子自体に長手方向に伸縮可能となる弾性力を持たせることができたが、湾曲形状の分だけ接触子が大きくなり、プロービングブロックに高密度且つ2次元状に配設することが難しく、エリアアレイ型半導体集積回路のパッドピッチの微細化に対応することができなかった。
Moreover, in the conventional contact shown in the above-mentioned
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、筒状の構造により軸方向に弾性力を有して伸縮可能とすることで、単一部材からなる微細な直線状に形成された接触子及び接触子ユニット並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention addresses such problems and makes it possible to expand and contract with an elastic force in the axial direction by a cylindrical structure, so that the contact formed in a fine linear shape made of a single member. It is an object of the present invention to provide a child and contact unit and a method for manufacturing them.
上記目的を達成するために、第一の発明による接触子は、導電性材料から成り、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触部材を有し、この接触部材の弾性力によって一端部と他端部とをそれぞれ第一の電気部品と第二の電気部品とに接触させて上記第一の電気部品と第二の電気部品とを電気的に接続するものである。 In order to achieve the above object, the contact according to the first invention has a contact member made of a conductive material, formed in a cylindrical shape that can be expanded and contracted in the axial direction, and exhibiting elastic force in the axial direction, The first electric component and the second electric component are electrically connected by bringing one end and the other end into contact with the first electric component and the second electric component, respectively, by the elastic force of the contact member. To do.
このような構成により、導電性材料から成り、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触部材の弾性力によって、該接触部材の一端部と他端部とをそれぞれ第一の電気部品と第二の電気部品とに接触させて上記第一の電気部品と第二の電気部品とを電気的に接続する。 With such a configuration, one end portion and the other end portion of the contact member are formed of a conductive material and formed into a cylindrical shape that can be expanded and contracted in the axial direction and the elastic force of the contact member that exhibits elastic force in the axial direction. Are brought into contact with the first electrical component and the second electrical component, respectively, to electrically connect the first electrical component and the second electrical component.
ここで、上記接触部材は、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、湾曲部を軸方向に所定間隔で複数並べて形成されたものである。これにより、軸方向と平行する断面形状が湾曲部を軸方向に所定間隔で複数並べて形成された外周壁の構造によって、上記接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させる。 Here, the contact member has a cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction formed by arranging a plurality of curved portions at predetermined intervals in the axial direction. Accordingly, the contact member can be expanded and contracted in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall formed by arranging a plurality of curved portions in the axial direction at a predetermined interval in a cross-sectional shape parallel to the axial direction, thereby exerting an elastic force in the axial direction.
また、上記接触部材は、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成されたものである。これにより、軸方向と平行する断面形状が外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成された外周壁の構造によって、上記接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させる。 Further, the contact member is formed by arranging a plurality of outward arcuate portions in the axial direction in a cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction. Accordingly, the contact member can be expanded and contracted in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall formed by continuously arranging a plurality of arc-shaped portions having an outward cross-sectional shape parallel to the axial direction in the axial direction, and the elastic force in the axial direction. To demonstrate.
さらに、上記接触部材は、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、軸方向に伸びる波打ち形状に形成されたものである。これにより、軸方向と平行する断面形状が軸方向に伸びる波打ち形状に形成された外周壁の構造によって、上記接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させる。 Further, the contact member is formed such that the cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction is a wavy shape extending in the axial direction. Thereby, the contact member can be expanded and contracted in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall formed in a corrugated shape in which a cross-sectional shape parallel to the axial direction extends in the axial direction, and an elastic force is exerted in the axial direction.
第二の発明による接触子ユニットは、表面に接続端子を有する回路基板と、上記回路基板の接続端子に一端部を接合して該回路基板に立設され、他端部を電気部品に接触させて上記回路基板と電気部品とを電気的に接続する接触子と、を備えた接触子ユニットにおいて、上記接触子は、導電性材料から成り、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触部材を有し、この接触部材の弾性力によって他端部を電気部品に接触させるものとしたものである。 A contact unit according to a second aspect of the invention is a circuit board having a connection terminal on the surface, and one end of the circuit board is joined to the connection terminal of the circuit board, and the other end is brought into contact with an electrical component. A contact unit that electrically connects the circuit board and the electrical component, and the contact unit is made of a conductive material and is formed in a cylindrical shape that can expand and contract in the axial direction. A contact member that exhibits an elastic force in the axial direction is provided, and the other end is brought into contact with the electrical component by the elastic force of the contact member.
このような構成により、回路基板に立設され、他端部を電気部品に接触させて上記回路基板と電気部品とを電気的に接続する接触子に備えられ、導電性材料から成り、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触部材の弾性力によって、該接触部材の他端部を電気部品に接触させる。 With such a configuration, the contact is installed on the circuit board, and is provided with a contact that electrically connects the circuit board and the electrical component by bringing the other end into contact with the electrical component. The other end of the contact member is brought into contact with the electrical component by the elastic force of the contact member that is formed in a cylindrical shape that can be expanded and contracted in the axial direction and that exerts an elastic force in the axial direction.
ここで、上記接触子の接触部材は、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、湾曲部を軸方向に所定間隔で複数並べて形成されたものである。これにより、軸方向と平行する断面形状が湾曲部を軸方向に所定間隔で複数並べて形成された外周壁の構造によって、上記接触子の接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させる。 Here, the contact member of the contactor has a cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction formed by arranging a plurality of curved portions at predetermined intervals in the axial direction. Accordingly, the contact member of the contactor can be expanded and contracted in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall formed by arranging a plurality of curved portions at predetermined intervals in the axial direction in a cross-sectional shape parallel to the axial direction. Make it work.
また、上記接触子の接触部材は、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成されたものである。これにより、軸方向と平行する断面形状が外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成された外周壁の構造によって、上記接触子の接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させる。 Further, the contact member of the contactor is formed by arranging a plurality of outward arcuate portions in the axial direction in a cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction. As a result, the contact member of the contact can be expanded and contracted in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall formed by continuously arranging a plurality of arc-shaped portions having an outward cross-sectional shape parallel to the axial direction in the axial direction. To exert elastic force.
さらに、上記接触子の接触部材は、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、軸方向に伸びる波打ち形状に形成されたものである。これにより、軸方向と平行する断面形状が軸方向に伸びる波打ち形状に形成された外周壁の構造によって、上記接触子の接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させる。 Furthermore, the contact member of the contact is formed such that the cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction is a corrugated shape extending in the axial direction. Thereby, the contact member of the contactor can be expanded and contracted in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall formed in a corrugated shape in which the cross-sectional shape parallel to the axial direction extends in the axial direction, and an elastic force is exerted in the axial direction.
第三の発明による接触子の製造方法は、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層に、フォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成する工程と、上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成する工程と、上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し、該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成する工程と、上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面を所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成する工程と、上記基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層を残し、該第一薄膜層及び第二薄膜層以外の部分をエッチングにより除去する工程と、上記第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成する工程と、を実行することにより、第一の発明による接触子を製造するものである。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a contactor manufacturing method comprising: forming a predetermined mask pattern by photolithography on a thin film mask layer formed on an upper surface or a lower surface of a substrate; and the substrate on which the mask pattern is formed. Forming a hole penetrating the substrate in accordance with the mask pattern by directional chemical etching; injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole; Forming a layer, forming a second thin film layer by plating a surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole with a predetermined metal, and forming a second thin film layer on the inner surface of the hole of the substrate. Leaving a thin film layer and a second thin film layer, removing a portion other than the first thin film layer and the second thin film layer by etching, and plating a predetermined metal on the surfaces of the first thin film layer and the second thin film layer And third thin By performing a step of forming a layer, and is intended for producing a contact according to the first invention.
このような方法により、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層にフォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成し、上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成し、上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成し、上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面を所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成し、上記基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層を残し該第一薄膜層及び第二薄膜層以外の部分をエッチングにより除去し、上記第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成することにより、第一の発明による接触子を製造する。 With this method, a predetermined mask pattern is formed by photolithography on the mask layer of the thin film formed on the upper surface or the lower surface of the substrate, and the mask pattern is formed by directional chemical etching on the substrate on which the mask pattern is formed. Are formed on the inner surface of the hole by forming a first thin film layer by injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole and making the inner surface of the hole conductive. The surface of the first thin film layer is plated with a predetermined metal to form a second thin film layer, leaving the first thin film layer and the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate, The contact according to the first invention is formed by removing portions other than the second thin film layer by etching and plating a predetermined metal on the surfaces of the first thin film layer and the second thin film layer to form a third thin film layer. Manufacturing.
第四の発明による接触子の製造方法は、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層に、フォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成する工程と、上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成する工程と、上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し、該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成する工程と、上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面を所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成する工程と、上記基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層を残し、該第一薄膜層及び第二薄膜層以外の部分をエッチングにより除去する工程と、上記第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成する工程と、を実行することにより、第一の発明による接触子を製造するものである。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a contactor manufacturing method comprising: forming a predetermined mask pattern by photolithography on a thin film mask layer formed on an upper surface or a lower surface of a substrate; and the substrate on which the mask pattern is formed. Forming a hole penetrating the substrate in accordance with the mask pattern by directional chemical etching; injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole; Forming a layer, forming a second thin film layer by plating a surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole with a predetermined metal, and forming a second thin film layer on the inner surface of the hole of the substrate. Leaving a thin film layer and a second thin film layer, removing a portion other than the first thin film layer and the second thin film layer by etching, and plating a predetermined metal on the surfaces of the first thin film layer and the second thin film layer And third thin By performing a step of forming a layer, and is intended for producing a contact according to the first invention.
このような方法により、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層にフォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成し、上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成し、上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成し、上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面を所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成し、上記基板の孔の内面に形成された第二薄膜層を残し該第二薄膜層以外の部分をエッチングにより除去し、上記第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成することにより、第一の発明による接触子を製造する。 With this method, a predetermined mask pattern is formed by photolithography on the mask layer of the thin film formed on the upper surface or the lower surface of the substrate, and the mask pattern is formed by directional chemical etching on the substrate on which the mask pattern is formed. Are formed on the inner surface of the hole by forming a first thin film layer by injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole and making the inner surface of the hole conductive. The surface of the first thin film layer is plated with a predetermined metal to form a second thin film layer, the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate is left, and the portions other than the second thin film layer are etched. The contact according to the first invention is manufactured by removing and plating a predetermined metal on the surface of the second thin film layer to form a third thin film layer.
第五の発明による接触子ユニットの製造方法は、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層に、フォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成する工程と、上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成する工程と、上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し、該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成する工程と、上記基板の上面又は下面に、接続端子を表面に有する回路基板を配置し、上記孔の内面に形成された第一薄膜層と回路基板の接続端子とを接触させて上記基板と回路基板とを接合する工程と、上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面と、上記孔の底面に位置する上記回路基板の接続端子の表面とを所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成する工程と、上記基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層並びに上記回路基板を残し、該第一薄膜層、第二薄膜層及び回路基板以外の部分をエッチングにより除去する工程と、上記第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成する工程と、を実行することにより、第二の発明による接触子ユニットを製造するものである。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a contactor unit manufacturing method comprising: forming a predetermined mask pattern by photolithography on a thin film mask layer formed on an upper surface or a lower surface of a substrate; and forming the mask pattern on the substrate on which the mask pattern is formed. On the other hand, a step of forming a hole penetrating the substrate in conformity with the mask pattern by directional chemical etching, and injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole to make the inner surface of the hole conductive. A step of forming a thin film layer and a circuit board having a connection terminal on the upper surface or the lower surface of the substrate are disposed, and the first thin film layer formed on the inner surface of the hole is brought into contact with the connection terminal of the circuit board. Bonding the substrate and the circuit board, the surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole, and the surface of the connection terminal of the circuit board located on the bottom surface of the hole. Plating the second thin film layer, leaving the first thin film layer and the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate and the circuit board, the first thin film layer, the second thin film layer, Performing a step of removing portions other than the circuit board by etching and a step of forming a third thin film layer by plating a predetermined metal on the surfaces of the first thin film layer and the second thin film layer, The contactor unit according to the second invention is manufactured.
このような方法により、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層にフォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成し、上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成し、上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成し、上記基板の上面又は下面に接続端子を表面に有する回路基板を配置し上記孔の内面に形成された第一薄膜層と回路基板の接続端子とを接触させて上記基板と回路基板とを接合し、上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面と上記孔の底面に位置する上記回路基板の接続端子の表面とを所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成し、上記基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層並びに上記回路基板を残し該第一薄膜層、第二薄膜層及び回路基板以外の部分をエッチングにより除去する工程と、上記第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成することにより、第二の発明による接触子ユニットを製造する。 With this method, a predetermined mask pattern is formed by photolithography on the mask layer of the thin film formed on the upper surface or the lower surface of the substrate, and the mask pattern is formed by directional chemical etching on the substrate on which the mask pattern is formed. A hole penetrating through the substrate is formed in conformity with the substrate, a predetermined semiconductor or metal is injected into the inner surface of the hole, and the inner surface of the hole is made conductive to form a first thin film layer on the upper or lower surface of the substrate. A circuit board having a connection terminal on the surface is disposed, the first thin film layer formed on the inner surface of the hole is brought into contact with the connection terminal of the circuit board, and the substrate and the circuit board are joined to form the inner surface of the hole. The surface of the formed first thin film layer and the surface of the connection terminal of the circuit board located at the bottom of the hole are plated with a predetermined metal to form a second thin film layer, which is formed on the inner surface of the hole of the board. First A step of leaving the thin film layer, the second thin film layer, and the circuit board, and removing portions other than the first thin film layer, the second thin film layer, and the circuit board by etching; and on the surfaces of the first thin film layer and the second thin film layer A contact unit according to the second invention is manufactured by plating a predetermined metal to form a third thin film layer.
第六の発明による接触子ユニットの製造方法は、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層に、フォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成する工程と、上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成する工程と、上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し、該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成する工程と、上記基板の上面又は下面に、接続端子を表面に有する回路基板を配置し、上記孔の内面に形成された第一薄膜層と回路基板の接続端子とを接触させて上記基板と回路基板とを接合する工程と、上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面と、上記孔の底面に位置する上記回路基板の接続端子の表面とを所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成する工程と、上記基板の孔の内面に形成された第二薄膜層及び上記回路基板を残し、該第二薄膜層及び回路基板以外の部分をエッチングにより除去する工程と、上記第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成する工程と、を実行することにより、第二の発明による接触子ユニットを製造するものである。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a contactor unit manufacturing method comprising: forming a predetermined mask pattern by photolithography on a thin film mask layer formed on an upper surface or a lower surface of a substrate; and forming the mask pattern on the substrate on which the mask pattern is formed. On the other hand, a step of forming a hole penetrating the substrate in conformity with the mask pattern by directional chemical etching, and injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole to make the inner surface of the hole conductive. A step of forming a thin film layer and a circuit board having a connection terminal on the upper surface or the lower surface of the substrate are disposed, and the first thin film layer formed on the inner surface of the hole is brought into contact with the connection terminal of the circuit board. Bonding the substrate and the circuit board, the surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole, and the surface of the connection terminal of the circuit board located on the bottom surface of the hole. The step of plating to form a second thin film layer, the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate and the circuit board are left, and portions other than the second thin film layer and the circuit board are removed by etching. The contact unit according to the second invention is manufactured by performing the steps and the step of forming a third thin film layer by plating a predetermined metal on the surface of the second thin film layer.
このような方法により、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層にフォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成し、上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成し、上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成し、上記基板の上面又は下面に接続端子を表面に有する回路基板を配置し上記孔の内面に形成された第一薄膜層と回路基板の接続端子とを接触させて上記基板と回路基板とを接合し、上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面と上記孔の底面に位置する上記回路基板の接続端子の表面とを所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成し、上記基板の孔の内面に形成された第二薄膜層及び上記回路基板を残し該第二薄膜層及び回路基板以外の部分をエッチングにより除去し、上記第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成することにより、第二の発明による接触子ユニットを製造する。 With this method, a predetermined mask pattern is formed by photolithography on the mask layer of the thin film formed on the upper surface or the lower surface of the substrate, and the mask pattern is formed by directional chemical etching on the substrate on which the mask pattern is formed. A hole penetrating through the substrate is formed in conformity with the substrate, a predetermined semiconductor or metal is injected into the inner surface of the hole, and the inner surface of the hole is made conductive to form a first thin film layer on the upper or lower surface of the substrate. A circuit board having a connection terminal on the surface is disposed, the first thin film layer formed on the inner surface of the hole is brought into contact with the connection terminal of the circuit board, and the substrate and the circuit board are joined to form the inner surface of the hole. The surface of the formed first thin film layer and the surface of the connection terminal of the circuit board located at the bottom of the hole are plated with a predetermined metal to form a second thin film layer, which is formed on the inner surface of the hole of the board. First By removing the portions other than the second thin film layer and the circuit board by etching, leaving the thin film layer and the circuit board, and plating a predetermined metal on the surface of the second thin film layer to form a third thin film layer, A contact unit according to the second invention is manufactured.
請求項1に係る接触子によれば、軸方向に伸縮可能な導電性の筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触部材の弾性力によって、該接触部材の一端部と他端部とをそれぞれ第一の電気部品と第二の電気部品とに接触させて第一の電気部品と第二の電気部品とを電気的に接続することができる。したがって、接触部材の筒状の構造により軸方向に弾性力を有して伸縮可能とすることができ、単一部材からなる微細な直線状の接触子を形成することができる。
According to the contact according to
また、請求項2に係る発明によれば、軸方向と平行する断面形状が湾曲部を軸方向に所定間隔で複数並べて形成された外周壁の構造によって、接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させることができる。したがって、簡単な構造によって、軸方向に弾性力を有して伸縮可能な単一部材からなる微細な直線状の接触子を形成することができる。 According to the second aspect of the present invention, the contact member can be expanded and contracted in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall in which the cross-sectional shape parallel to the axial direction is formed by arranging a plurality of curved portions at predetermined intervals in the axial direction. Elastic force can be exerted in the direction. Therefore, with a simple structure, it is possible to form a fine linear contact made of a single member that has an elastic force in the axial direction and can be expanded and contracted.
さらに、請求項3に係る発明によれば、軸方向と平行する断面形状が外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成された外周壁の構造によって、接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させることができる。したがって、簡単な構造によって、軸方向に弾性力を有して該軸方向に安定した方向性を維持して伸縮可能な単一部材からなる微細な直線状の接触子を形成することができる。
Further, according to the invention of
さらに、請求項4に係る発明によれば、軸方向と平行する断面形状が軸方向に伸びる波打ち形状に形成された外周壁の構造によって、接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させることができる。したがって、簡単な構造によって、軸方向に弾性力を有して柔軟な方向性を維持して伸縮可能な単一部材からなる微細な直線状の接触子を形成することができる。 According to the fourth aspect of the present invention, the contact member can be expanded and contracted in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall formed in a wavy shape in which the cross-sectional shape parallel to the axial direction extends in the axial direction. Can be demonstrated. Therefore, with a simple structure, it is possible to form a fine linear contactor made of a single member that has an elastic force in the axial direction and maintains a flexible direction and can be expanded and contracted.
さらに、請求項5に係る接触子ユニットによれば、回路基板に立設され、他端部を電気部品に接触させて回路基板と電気部品とを電気的に接続する接触子に備えられ、導電性材料から成り、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触部材の弾性力によって、該接触部材の他端部を電気部品に接触させる。したがって、接触部材の筒状の構造により軸方向に弾性力を有して伸縮可能とすることができ、単一部材からなる微細な直線状の接触子を形成することができる。また、接触子を高密度且つ2次元状に配設することができ、エリアアレイ型半導体集積回路のパッドピッチの微細化に対応することができる。さらに、各々の接触子をこの半導体集積回路に複数配列されたパッドに電気的に接続させる場合、各々の接触子を対応するパッドに対して均一な圧力で押圧させることができ、安定した電気的接続を得ることができる。
Further, according to the contact unit according to
さらにまた、請求項6に係る発明によれば、軸方向と平行する断面形状が湾曲部を軸方向に所定間隔で複数並べて形成された外周壁の構造によって、接触子の接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させることができる。したがって、簡単な構造によって、軸方向に弾性力を有して伸縮可能な単一部材からなる微細な直線状の接触子を備えた接触子ユニットを形成することができる。 Furthermore, according to the sixth aspect of the invention, the contact member of the contactor is arranged in the axial direction by the structure of the outer peripheral wall in which the cross-sectional shape parallel to the axial direction is formed by arranging a plurality of curved portions at predetermined intervals in the axial direction. The elastic force can be exerted in the axial direction as it can be expanded and contracted. Therefore, it is possible to form a contact unit including a minute linear contact member made of a single member having an elastic force in the axial direction and capable of expanding and contracting with a simple structure.
また、請求項7に係る発明によれば、軸方向と平行する断面形状が外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成された外周壁の構造によって、接触子の接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させることができる。したがって、簡単な構造によって、軸方向に弾性力を有して該軸方向に安定した方向性を維持して伸縮可能な単一部材からなる微細な直線状の接触子を備えた接触子ユニットを形成することができる。
Further, according to the invention of
さらに、請求項8に係る発明によれば、軸方向と平行する断面形状が軸方向に伸びる波打ち形状に形成された外周壁の構造によって、接触子の接触部材を軸方向に伸縮可能として軸方向に弾性力を発揮させることができる。したがって、簡単な構造によって、軸方向に弾性力を有して柔軟な方向性を維持して伸縮可能な単一部材からなる微細な直線状の接触子を備えた接触子ユニットを形成することができる。
Furthermore, according to the invention which concerns on
さらにまた、請求項9に係る接触子の製造方法によれば、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層にフォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングによりマスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成し、孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成し、孔の内面に形成された第一薄膜層の表面を所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成し、基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層を残し該第一薄膜層及び第二薄膜層以外の部分をエッチングにより除去し、第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成することにより、請求項1記載の接触子を製造することができる。したがって、外壁が複数の層構造からなり、導電性を有し、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触子を製造することができる。
Furthermore, according to the method for manufacturing a contact according to
また、請求項10に係る接触子の製造方法によれば、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層にフォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングによりマスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成し、孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成し、孔の内面に形成された第一薄膜層の表面を所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成し、基板の孔の内面に形成された第二薄膜層を残し該第二薄膜層以外の部分をエッチングにより除去し、第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成することにより、請求項1記載の接触子を製造することができる。したがって、外壁が複数の層構造からなり、導電性を有し、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触子を製造することができる。
According to the method for manufacturing a contact according to claim 10, a predetermined mask pattern is formed by photolithography on a thin film mask layer formed on the upper surface or the lower surface of the substrate, and the mask pattern is formed on the substrate. Forming a hole penetrating the substrate in accordance with the mask pattern by directional chemical etching, injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole to make the inner surface of the hole conductive, and forming a first thin film layer; The surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole is plated with a predetermined metal to form a second thin film layer, and the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate is left and other than the second thin film layer The contact according to
さらに、請求項11に係る接触子ユニットの製造方法によれば、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層にフォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングによりマスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成し、孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成し、基板の上面又は下面に接続端子を表面に有する回路基板を配置し孔の内面に形成された第一薄膜層と回路基板の接続端子とを接触させて基板と回路基板とを接合し、孔の内面に形成された第一薄膜層の表面と孔の底面に位置する回路基板の接続端子の表面とを所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成し、基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層並びに回路基板を残し該第一薄膜層、第二薄膜層及び回路基板以外の部分をエッチングにより除去する工程と、第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成することにより、請求項5記載の接触子ユニットを製造することができる。したがって、外壁が複数の層構造からなり、導電性を有し、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触子を有する接触子ユニットを製造することができる。
Furthermore, according to the manufacturing method of the contact unit according to
さらにまた、請求項12に係る接触子ユニットの製造方法によれば、基板の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層にフォトリソグラフィーによって所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングによりマスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成し、孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成し、基板の上面又は下面に接続端子を表面に有する回路基板を配置し孔の内面に形成された第一薄膜層と回路基板の接続端子とを接触させて基板と回路基板とを接合し、孔の内面に形成された第一薄膜層の表面と孔の底面に位置する回路基板の接続端子の表面とを所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成し、基板の孔の内面に形成された第二薄膜層及び回路基板を残し該第二薄膜層及び回路基板以外の部分をエッチングにより除去し、第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成することにより、請求項5記載の発明による接触子ユニットを製造することができる。したがって、外壁が複数の層構造からなり、導電性を有し、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触子を有する接触子ユニットを製造することができる。
Furthermore, according to the method for manufacturing a contact unit according to
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明による接触子の第一の実施形態を示す図である。この接触子1は、第一の電気部品と第二の電気部品との間に介在してこれらを電気的に接続するもので、接触部材2を備えて成る。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a contact according to the present invention. The
接触部材2は、その弾性力によって一端部と他端部とをそれぞれ第一の電気部品(図示省略)と第二の電気部品(図示省略)とに接触させて第一の電気部品と第二の電気部品とを電気的に接続するもので、導電性材料から成り、軸方向に伸縮可能な微小径、例えば20μm程度の筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮するようになっている。また、筒状に形成された接触部材2の軸方向と平行する外周壁の断面形状は、湾曲部を軸方向に所定間隔で複数並べて形成されており、具体的には、その外周壁の断面形状は、外向きの円弧状部3を軸方向に連続して複数並べて形成されている。そして、この円弧状部3が軸方向に撓むことにより、接触部材2が軸方向に伸縮して接触子を伸縮可能としている。なお、符号4は、円弧状部3の表面にメッキされたメッキ層を示している。
The
図2は、本発明による接触子の第二の実施形態を示す図である。この接触子1’は、第一の実施形態による接触子1に対して、接触部材2’の軸方向と平行する外周壁の断面形状が、軸方向に伸びる波打ち形状に形成されたものである。本実施形態においては、この外周壁の断面形状が、外向き湾曲部5と内向き湾曲部6とを軸方向に連続して並べることにより形成され、ベローズ型となっている。そして、外向き湾曲部5及び内向き湾曲部6が軸方向に撓むことにより、接触部材2’が軸方向に伸縮して接触子1’を伸縮可能としている。
FIG. 2 is a view showing a second embodiment of the contact according to the present invention. The
次に、以上のように構成された接触子を備えた接触子ユニットの第一の実施形態を、図3を参照して説明する。この接触子ユニット7は、接触子を介して電気部品と回路基板とを電気的に接続するもので、接触子1と、回路基板8とを備えて成る。
Next, a first embodiment of a contact unit including the contact configured as described above will be described with reference to FIG. The
接触子1は、回路基板8と電気部品(図4に示す符号16参照)とを電気的に接続するもので、導電性材料から成り、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触部材2を有している。具体的には、図1に示す接触子1が用いられており、回路基板8の接続端子9に一端部12を接合して該回路基板8に立設され、接触部材2の弾性力によってその他端部14を電気部品に接触させるようになっている。
The
また、回路基板8は、接触子1とテスター(図示省略)とを電気的に接続するもので、板状に形成され、表面に接続端子9を有している。この接続端子9は接触子1と電気的に接続するための端子である。なお、回路基板8の裏面には、接続端子9と導通するテスタ用端子11が露出している。
The
次に、このように構成された接触子ユニット7の使用状態について、図4を参照して説明する。まず、接触子1の他端部14側に、表面にパッド15を有する電気部品16を、このパッド15を接触子1側に向けて、且つ、パッド15の位置と接触子1の位置とを合わせて配置する。次に、接触子ユニット7を電気部品16に対して押し当てることにより、接触子1の他端部14を電気部品16のパッド15に押圧させる。これにより、接触子1の長手方向に働く弾性力によって、この接触子1とパッド15とが所定の圧力により接触し、安定した電気的接続を実現することができる。
Next, the use state of the
図5は、本発明による接触子ユニットの第二の実施形態を示す図である。この接触子ユニット17は、図3に示す第一の実施形態による接触子ユニット7に対して、電気部品18の表面に備えられた複数のパッド15の配置に合わせて、回路基板19の表面に複数の接触子1を高密度にマトリックス状に配設して形成したものである。
FIG. 5 is a diagram showing a second embodiment of the contact unit according to the present invention. The
回路基板19は、複数の層が積層された多層基板に形成され、電気部品18の複数のパッド15の配置に合わせて、表面に複数の接続端子9を高密度にマトリックス状に有している。そして、各々の接続端子9に、図1に示す接触子1が接合されて電気的に接続されている。また、回路基板19の裏面には、この回路基板19内に形成された回路パターン21によって、表面に設けられた複数の接続端子9と一対一に電気的に接続された複数のテスタ用端子11が形成されている。このテスタ用端子11は、図示省略のテスタと電気的に接続するための端子である。なお、回路パターン21は、接続端子9側からテスタ用端子11側に向けて回路基板19の層が進むにつれて外側に広がるように形成されている。このため、テスタ用端子11の配設ピッチを大きくすることができ、高密度にマトリックス状に設けられた接続端子9に対する電気的接続を容易にしている。
The
次に、このように構成された接触子ユニット17の使用状態について説明する。まず、図5に示すように、電気部品18を、その表面のパッド15を接触子1側に向けて、且つ、パッド15の位置と接触子1の位置とを合わせて配置する。次に、接触子ユニット17を電気部品18に対して押し当てることにより、各々の接触子1の他端部14を電気部品18の各々のパッド15に一対一に対応させて押圧する。これにより、接触子1の長手方向に働く弾性力によって、各々の接触子1とパッド15とが個々に所定の圧力で接触し、安定した電気的接続を実現することができる。また、接触子1は、その軸方向に弾性力を有してこの軸方向に安定した方向性を維持して伸縮可能に形成されてるため、上述のように、電気部品18に高密度に形成されたパッド15に対して、高密度に配設された接触子1を接続させる場合でも、個々の接触子1を対応するパッド15に対して正確に接続することができる。
Next, the use state of the
なお、図3に示す接触子ユニット7及び図5に示す接触子ユニット17においては、図1に示す接触子1を用いたが、本発明はこれに限られず、図2に示すベローズ型の接触子1’を用いてもよい。
In the
次に、前述のように構成された接触子の製造方法の第一の実施形態を、図6を参照して説明する。 Next, a first embodiment of a method for manufacturing a contact configured as described above will be described with reference to FIG.
まず、図6(a)に示す第1工程では、例えば平板状のシリコン等からなる基板23の上面又は下面に形成された薄膜のマスク層24(例えば、酸化シリコン等)に、フォトリソグラフィーによって所定のマスクパターン25を形成する。
First, in the first step shown in FIG. 6A, a thin film mask layer 24 (for example, silicon oxide) formed on the upper surface or the lower surface of the
次に、図6(b)に示す第2工程では、マスクパターン25が形成された基板23に対してボッシュプロセスを利用した方向性化学エッチングによりマスクパターン25に一致させて該基板23を貫通する孔26を形成する。
Next, in the second step shown in FIG. 6B, the
ここで、第2工程は、ボッシュプロセスを利用したDeep RIE(Deep Reactive Ion Etching)によって行うもので、これについて、図7を参照して説明する。 Here, the second step is performed by deep RIE (Deep Reactive Ion Etching) using a Bosch process, which will be described with reference to FIG.
まず、図7(a)に示す第2−1工程では、図6(a)に示す基板23の表面に形成されたマスクパターン25の上方から、例えばSF6(六フッ化硫黄)を吹きかけて所定時間方向性化学エッチングを行うことにより、マスクパターン25が形成された基板23の表面のマスク層24が無い位置に一致して所定の直径を有する略球状の第一の穴27aを形成する。
First, in the step 2-1 shown in FIG. 7A, for example, SF 6 (sulfur hexafluoride) is sprayed from above the
次に、図7(b)に示す第2−2工程では、第一の穴27aの内面に、例えばC4F8(オクタフルオロシクロブタン)を所定時間吹きかけて保護膜29を形成する。
Next, in step 2-2 shown in FIG. 7B, a
次に、図7(c)に示す第2−3工程では、第一の穴27aに、再びSF6を吹きかけて所定時間方向性化学エッチングを行うことにより、第一の穴27aに連続してその下方に所定の直径を有する第二の穴27bを形成する。
Next, in step 2-3 shown in FIG. 7 (c), SF 6 is sprayed again on the
次に、図7(d)に示す第2−4工程では、第二の穴27bの内面に、再びC4F8を所定時間吹きかけて保護膜33を形成する。
Next, in a 2-4 step shown in FIG. 7D, the
そして、所定回数、図7(c)に示す第2−3工程と図7(d)に示す第2−4工程とを順次実行することにより、図6(b)に示す孔26を形成することができる。
Then, the
次に、図6(c)に示す第3工程では、孔26の内面に所定の半導体又は金属(例えば、ボロン等)を注入し、該孔26の内面を導通化して第一薄膜層34を形成する。
Next, in the third step shown in FIG. 6C, a predetermined semiconductor or metal (for example, boron) is injected into the inner surface of the
次に、図6(d)に示す第4工程では、孔26の内面に形成された第一薄膜層34の表面を、例えば、ニッケル、銅、チタン、パラジウム、白金、金及びタングステンなどから選択される一つの金属、またはその合金、またはその金属化合物等によりメッキして第二薄膜層35を形成する。ここで、メッキする金属は、強度が高いものを選ぶことが望ましい。
Next, in the fourth step shown in FIG. 6D, the surface of the first
次に、図6(e)に示す第5工程では、図6(d)に示す基板23の上面37及び下面38を、例えばCMP(化学機械研磨)により研磨することにより、基板23の上下面に形成された第一薄膜層34と第二薄膜層35とを除去する。
Next, in a fifth step shown in FIG. 6E, the upper and lower surfaces of the
次に、図6(f)に示す第6工程では、図6(e)に示す基板23の孔26の内面に形成された第一薄膜層34及び第二薄膜層35を残し、該第一薄膜層34及び第二薄膜層35以外の部分をエッチングにより除去する。
Next, in the sixth step shown in FIG. 6F, the first
次に、図6(g)に示す第7工程では、図6(f)に示す第一薄膜層34及び第二薄膜層35の表面に、図6(d)に示す第4工程で用いた金属、またはその合金、またはその金属化合物をメッキして第三薄膜層36を形成する。ここで、メッキする金属は、第4工程で用いた金属が導電性の高いものである場合は、それより強度の高いものを選び、第4工程で用いた金属が強度の高いものであった場合、それより導電性の高いものを選ぶことが望ましい。
Next, in the 7th process shown in Drawing 6 (g), it used in the 4th process shown in Drawing 6 (d) on the surface of the 1st
これにより、図1に示すと同様の外観を有し、外周壁が複数の層構造からなり、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成された接触子を製造することができる。 Thereby, it has the same appearance as shown in FIG. 1, the outer peripheral wall has a plurality of layer structures, and the cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction is continuous with the outward arc-shaped portion in the axial direction. A plurality of contacts formed side by side can be manufactured.
次に、前述のように構成された接触子の製造方法の第二の実施形態を、図8を参照して説明する。 Next, a second embodiment of the method for manufacturing a contact configured as described above will be described with reference to FIG.
まず、上述の接触子の製造方法の第一の実施形態と同様に、図6(a)に示す第1工程から図6(e)に示す第5工程まで実行する。 First, similarly to the first embodiment of the above-described contactor manufacturing method, the process is executed from the first step shown in FIG. 6A to the fifth step shown in FIG.
次に、図8(a)に示す第6工程では、図6(e)に示す基板23の孔26の内面に形成された第二薄膜層35を残し、第二薄膜層35以外の部分をエッチングにより除去する。
Next, in the sixth step shown in FIG. 8A, the second
次に、図8(b)に示す第7工程では、図8(a)に示す第二薄膜層35の表面に、図6(d)に示す第4工程で用いた金属、またはその合金、またはその金属化合物をメッキして第三薄膜層36を形成する。ここで、メッキする金属は、図6(d)に示す第4工程で用いた金属が導電性の高いものである場合は、それより強度の高いものを選び、図6(d)に示す第4工程で用いた金属が強度の高いものであった場合、それより導電性の高いものを選ぶことが望ましい。
Next, in the seventh step shown in FIG. 8B, the metal used in the fourth step shown in FIG. 6D or an alloy thereof is formed on the surface of the second
これにより、図1に示すと同様の外観を有し、外周壁が複数の層構造からなり、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成された接触子1を製造することができる。ここで、第二薄膜層35が、図1に示す接触子1の円弧状部3に相当し、第三薄膜層36がメッキ層4に相当する。
Thereby, it has the same appearance as shown in FIG. 1, the outer peripheral wall has a plurality of layer structures, and the cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction is continuous with the outward arc-shaped portion in the axial direction. A plurality of
次に、前述のように構成された接触子ユニットの製造方法の第一の実施形態を、図9を参照して説明する。 Next, a first embodiment of a method for manufacturing a contact unit configured as described above will be described with reference to FIG.
まず、図9(a)〜(c)に示す工程は、上述の接触子の製造方法の第一の実施形態における、図6(a)〜(c)に示す工程と同様であり、同様に実行する。 First, the steps shown in FIGS. 9A to 9C are the same as the steps shown in FIGS. 6A to 6C in the first embodiment of the contactor manufacturing method described above, and similarly. Execute.
次に、図9(d)に示す第4工程では、図9(c)に示す基板23の上面37及び下面38を、例えばCMPによって研磨することにより、基板23の上下面に形成された第一薄膜層34を除去する。
Next, in the fourth step shown in FIG. 9D, the
次に、図9(e)に示す第5工程では、図9(d)に示す基板23の上面又は下面に、接続端子9を表面に有する回路基板8を配置し、孔26の内面に形成された第一薄膜層34と回路基板8の接続端子9とを接触させて基板23と回路基板8とを接合する。
Next, in the fifth step shown in FIG. 9E, the
次に、図9(f)に示す第6工程では、図9(e)に示す孔26の内面に形成された第一薄膜層34の表面と、孔26の底面に位置する回路基板8の接続端子9の表面とを、例えば、ニッケル、銅、チタン、パラジウム、白金、金及びタングステンなどから選択される一つの金属、またはその合金、またはその金属化合物等によりメッキして第二薄膜層35を形成する。
Next, in a sixth step shown in FIG. 9 (f), the surface of the first
次に、図9(g)に示す第7工程では、図9(f)に示す基板23の孔26の内面に形成された第一薄膜層34及び第二薄膜層35並びに回路基板8を残し、該第一薄膜層34、第二薄膜層35及び回路基板8以外の部分をエッチングにより除去する。
Next, in the seventh step shown in FIG. 9G, the first
次に、図9(h)に示す第8工程では、図9(g)に示す第一薄膜層34及び第二薄膜層35の表面に、図9(c)に示す第3工程で用いた金属、またはその合金、またはその金属化合物をメッキして第三薄膜層36を形成する。ここで、メッキする金属は、図9(c)に示す第3工程で用いた金属が導電性の高いものである場合は、それより強度の高いものを選び、図9(c)に示す第3工程で用いた金属が強度の高いものであった場合、それより導電性の高いものを選ぶことが望ましい。
Next, in the eighth step shown in FIG. 9 (h), the surfaces of the first
これにより、図3に示すと同様の外観を有し、外周壁が複数の層構造からなり、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成された接触子を有する接触子ユニットを製造することができる。 Thereby, it has the same appearance as shown in FIG. 3, the outer peripheral wall has a plurality of layer structures, and the cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction is continuous with the outward arc-shaped portion in the axial direction. A contact unit having a plurality of contacts formed side by side can be manufactured.
次に、前述のように構成された接触子ユニットの製造方法の第二の実施形態を、図10を参照して説明する。 Next, a second embodiment of the method of manufacturing the contact unit configured as described above will be described with reference to FIG.
まず、上述の接触子ユニットの製造方法の第一の実施形態と同様に、図9(a)に示す第1工程から図9(f)に示す第6工程まで実行する。 First, similarly to the first embodiment of the method for manufacturing a contact unit described above, the first step shown in FIG. 9A to the sixth step shown in FIG. 9F are executed.
次に、図10(a)に示す第7工程では、図9(f)に示す基板23の孔26の内面に形成された第二薄膜層35及び回路基板8を残し、該第二薄膜層35及び回路基板8以外の部分をエッチングにより除去する。
Next, in the seventh step shown in FIG. 10A, the second
次に、図10(b)に示す第8工程では、図10(a)に示す第二薄膜層35の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層36を形成する。このとき、メッキする金属は、図9(c)に示す第3工程で用いた金属が導電性の高いものである場合は、それより強度の高いものを選び、図9(c)に示す第3工程で用いた金属が強度の高いものであった場合、それより導電性の高いものを選ぶことが望ましい。
Next, in an eighth step shown in FIG. 10B, the third
これにより、図3に示すと同様の外観を有し、外周壁が複数の層構造からなり、軸方向と平行する外周壁の断面形状が、外向きの円弧状部を軸方向に連続して複数並べて形成された接触子1を有する接触子ユニット7を製造することができる。ここで、第二薄膜層35が、図3に示す接触子ユニット7の接触子1の円弧状部3に相当し、第三薄膜層36が接触子1のメッキ層4に相当する。
Thereby, it has the same appearance as shown in FIG. 3, the outer peripheral wall has a plurality of layer structures, and the cross-sectional shape of the outer peripheral wall parallel to the axial direction is continuous with the outward arc-shaped portion in the axial direction. A
なお、以上の説明においては、第二薄膜層35を金属、またはその合金、またはその金属化合物等により形成するとしたが、本発明はこれに限られず、絶縁体で形成してもよい。また、接触子1及び接触子ユニット7の製造方法において、第一薄膜層34及び第二薄膜層35は、基板23に設けられた孔26の内面及び基板23の周囲面に形成する方法としたが、基板に設けられた孔26の内面のみに形成する方法でもよい。
In the above description, the second
1,1’…接触子
2,2’…接触部材
3…円弧状部(湾曲部)
5…外向き湾曲部(湾曲部)
6…内向き湾曲部(湾曲部)
7…接触子ユニット
8,19…回路基板(第一の電気部品)
9…接続端子
12…接触子の一端部
13,17…接触子ユニット
14…接触子の他端部
16,18…電気部品(第二の電気部品)
23・・・基板
24・・・マスク層
25・・・マスクパターン
26・・・孔
34・・・第一薄膜層
35・・・第二薄膜層
36・・・第三薄膜層
37・・・基板の上面
38・・・基板の下面
1, 1 '... contact 2, 2' ...
5 ... Outward curved part (curved part)
6. Inwardly curved part (curved part)
7 ...
9 ...
23 ...
Claims (12)
上記回路基板の接続端子に一端部を接合して該回路基板に立設され、他端部を電気部品に接触させて上記回路基板と電気部品とを電気的に接続する接触子と、
を備えた接触子ユニットにおいて、
上記接触子は、導電性材料から成り、軸方向に伸縮可能な筒状に形成されて該軸方向に弾性力を発揮する接触部材を有し、この接触部材の弾性力によって他端部を電気部品に接触させるものであることを特徴とする接触子ユニット。 A circuit board having connection terminals on the surface;
A contact for connecting one end to the connection terminal of the circuit board and standing on the circuit board, contacting the other end with an electrical component to electrically connect the circuit board and the electrical component;
In the contact unit with
The contact is made of a conductive material, and has a contact member that is formed in a cylindrical shape that can be expanded and contracted in the axial direction and exerts an elastic force in the axial direction. The other end is electrically connected by the elastic force of the contact member. A contact unit that is in contact with a component.
上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成する工程と、
上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し、該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成する工程と、
上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面を所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成する工程と、
上記基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層を残し、該第一薄膜層及び第二薄膜層以外の部分をエッチングにより除去する工程と、
上記第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成する工程と、
を実行することにより、請求項1記載の接触子を製造することを特徴とする接触子の製造方法。 Forming a predetermined mask pattern by photolithography on a thin film mask layer formed on the upper or lower surface of the substrate;
Forming a hole penetrating the substrate so as to match the mask pattern by directional chemical etching with respect to the substrate on which the mask pattern is formed;
Injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole, making the inner surface of the hole conductive and forming a first thin film layer;
Plating the surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole with a predetermined metal to form a second thin film layer;
Leaving the first thin film layer and the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate, and removing portions other than the first thin film layer and the second thin film layer by etching;
Forming a third thin film layer by plating a predetermined metal on the surfaces of the first thin film layer and the second thin film layer;
The contactor manufacturing method according to claim 1, wherein the contactor according to claim 1 is manufactured.
上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成する工程と、
上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し、該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成する工程と、
上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面を所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成する工程と、
上記基板の孔の内面に形成された第二薄膜層を残し、該第二薄膜層以外の部分をエッチングにより除去する工程と、
上記第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成する工程と、
を実行することにより、請求項1記載の接触子を製造することを特徴とする接触子の製造方法。 Forming a predetermined mask pattern by photolithography on a thin film mask layer formed on the upper or lower surface of the substrate;
Forming a hole penetrating the substrate so as to match the mask pattern by directional chemical etching with respect to the substrate on which the mask pattern is formed;
Injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole, making the inner surface of the hole conductive and forming a first thin film layer;
Plating the surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole with a predetermined metal to form a second thin film layer;
Leaving the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate, and removing portions other than the second thin film layer by etching;
Forming a third thin film layer by plating a predetermined metal on the surface of the second thin film layer;
The contactor manufacturing method according to claim 1, wherein the contactor according to claim 1 is manufactured.
上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成する工程と、
上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し、該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成する工程と、
上記基板の上面又は下面に、接続端子を表面に有する回路基板を配置し、上記孔の内面に形成された第一薄膜層と回路基板の接続端子とを接触させて上記基板と回路基板とを接合する工程と、
上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面と、上記孔の底面に位置する上記回路基板の接続端子の表面とを所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成する工程と、
上記基板の孔の内面に形成された第一薄膜層及び第二薄膜層並びに上記回路基板を残し、該第一薄膜層、第二薄膜層及び回路基板以外の部分をエッチングにより除去する工程と、
上記第一薄膜層及び第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成する工程と、
を実行することにより、請求項5記載の接触子ユニットを製造することを特徴とする接触子ユニットの製造方法。 Forming a predetermined mask pattern by photolithography on a thin film mask layer formed on the upper or lower surface of the substrate;
Forming a hole penetrating the substrate so as to match the mask pattern by directional chemical etching with respect to the substrate on which the mask pattern is formed;
Injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole, making the inner surface of the hole conductive and forming a first thin film layer;
A circuit board having a connection terminal on the upper surface or the lower surface of the substrate is disposed, and the first thin film layer formed on the inner surface of the hole and the connection terminal of the circuit board are brought into contact with each other to connect the substrate and the circuit board. Joining, and
Plating the surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole and the surface of the connection terminal of the circuit board located on the bottom surface of the hole with a predetermined metal to form a second thin film layer;
Leaving the first thin film layer and the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate and the circuit board, and removing portions other than the first thin film layer, the second thin film layer and the circuit board by etching;
Forming a third thin film layer by plating a predetermined metal on the surfaces of the first thin film layer and the second thin film layer;
The contactor unit manufacturing method according to claim 5, wherein the contactor unit according to claim 5 is manufactured.
上記マスクパターンが形成された基板に対して方向性化学エッチングにより上記マスクパターンに一致させて該基板を貫通する孔を形成する工程と、
上記孔の内面に所定の半導体又は金属を注入し、該孔の内面を導通化して第一薄膜層を形成する工程と、
上記基板の上面又は下面に、接続端子を表面に有する回路基板を配置し、上記孔の内面に形成された第一薄膜層と回路基板の接続端子とを接触させて上記基板と回路基板とを接合する工程と、
上記孔の内面に形成された第一薄膜層の表面と、上記孔の底面に位置する上記回路基板の接続端子の表面とを所定の金属でメッキして第二薄膜層を形成する工程と、
上記基板の孔の内面に形成された第二薄膜層及び上記回路基板を残し、該第二薄膜層及び回路基板以外の部分をエッチングにより除去する工程と、
上記第二薄膜層の表面に所定の金属をメッキして第三薄膜層を形成する工程と、
を実行することにより、請求項5記載の接触子ユニットを製造することを特徴とする接触子ユニットの製造方法。 Forming a predetermined mask pattern by photolithography on a thin film mask layer formed on the upper or lower surface of the substrate;
Forming a hole penetrating the substrate so as to match the mask pattern by directional chemical etching with respect to the substrate on which the mask pattern is formed;
Injecting a predetermined semiconductor or metal into the inner surface of the hole, making the inner surface of the hole conductive and forming a first thin film layer;
A circuit board having a connection terminal on the upper surface or the lower surface of the substrate is disposed, and the first thin film layer formed on the inner surface of the hole and the connection terminal of the circuit board are brought into contact with each other to connect the substrate and the circuit board. Joining, and
Plating the surface of the first thin film layer formed on the inner surface of the hole and the surface of the connection terminal of the circuit board located on the bottom surface of the hole with a predetermined metal to form a second thin film layer;
Leaving the second thin film layer formed on the inner surface of the hole of the substrate and the circuit board, and removing portions other than the second thin film layer and the circuit board by etching;
Forming a third thin film layer by plating a predetermined metal on the surface of the second thin film layer;
The contactor unit manufacturing method according to claim 5, wherein the contactor unit according to claim 5 is manufactured.
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