JP2009110624A - 半導体記憶装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の論理回路を直列に接続することで構成され所定の遅延時間を発生する複数のディレイ段21〜23を用い、ディレイ段選択信号に基づいてゲート回路24〜26のいずれかを動作させ、そのゲート回路に接続されたディレイ段が発生した遅延時間を有し、リフレッシュ動作時にワード線を選択するワード線活性化信号の継続時間を制御する継続時間制御信号を出力する切替ゲート付ディレイ段回路と、温度に応じてレベルが変化する温度制御信号に基づいて、ディレイ段選択信号を生成するディレイ段選択用論理回路とを有する。
【選択図】図1
Description
21、22、23 ディレイ段
24、25、26 ゲート回路
30 ディレイ段選択用論理回路
40 温度制御信号同期化回路
Claims (4)
- リフレッシュ動作によってメモリセルのリストアを行う半導体記憶装置において、
複数の論理回路を直列に接続することで構成されていて所定の遅延時間を発生する複数のディレイ段と、複数のディレイ段の出力にそれぞれ設けられた複数のゲート回路とを有し、入力されるディレイ段選択信号に基づいて複数のゲート回路のいずれかを動作させ、そのゲート回路に接続されたディレイ段が発生した遅延時間を有し、リフレッシュ動作時にワード線を選択するワード線活性化信号の継続時間を制御する継続時間制御信号を出力する切替ゲート付ディレイ段回路と、
温度に応じてレベルが変化する温度制御信号を入力し、それに基づいて、切替ゲート付ディレイ段回路における複数のディレイ段の出力に接続されたいずれかのゲート回路を選択するディレイ段選択信号を生成するディレイ段選択用論理回路と
を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 温度に応じてレベルが変化する信号に基づき、前記ワード線活性化信号に同期するように、前記温度制御信号を生成する温度制御信号同期化回路を具備する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記各ディレイ段が、互いに直列に接続されたものである
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。 - リフレッシュ動作によってメモリセルのリストアを行う半導体記憶装置の制御方法において、
複数の論理回路を直列に接続することで構成されていて所定の遅延時間を発生する複数のディレイ段と、複数のディレイ段の出力にそれぞれ設けられた複数のゲート回路とを用いて、入力されるディレイ段選択信号に基づいて複数のゲート回路のいずれかを動作させ、そのゲート回路に接続されたディレイ段が発生した遅延時間を有して、リフレッシュ動作時にワード線を選択するワード線活性化信号の継続時間を制御する継続時間制御信号を出力する切替ゲート付ディレイ段制御過程と、
温度に応じてレベルが変化する温度制御信号を入力し、それに基づいて、切替ゲート付ディレイ段回路における複数のディレイ段の出力に接続されたいずれかのゲート回路を選択するディレイ段選択信号を生成するディレイ段選択用論理回路制御過程と
を有することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
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