JP2009104110A - Exposure device and control method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置及びその制御方法に関するもので、より詳細には、スキャン時間及びスキャン距離を短縮することで生産費用の節減及び露光の正確性向上をもたらし、多様な大きさの露光領域を有する基板に対して迅速に露光を行える露光装置及びその制御方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus and a control method thereof, and more specifically, reduces the scanning time and the scanning distance, thereby reducing the production cost and improving the accuracy of the exposure, thereby reducing the exposure area of various sizes. The present invention relates to an exposure apparatus that can rapidly expose a substrate having the same and a control method thereof.
従来、半導体基板や、液晶表示装置及びプラズマ表示装置のガラス基板など(以下、‘基板'という。)に形成される感光材料に光を照射してパターンを描画する方法として、プロキシミティー露光方式及びステップ露光方式などのように感光材料にマスクパターンを転写する方法が知られている。 Conventionally, as a method of drawing a pattern by irradiating light to a photosensitive material formed on a semiconductor substrate, a glass substrate of a liquid crystal display device and a plasma display device (hereinafter referred to as “substrate”), a proximity exposure method and A method of transferring a mask pattern to a photosensitive material such as a step exposure method is known.
プロキシミティー露光方式では、描画されるパターンに対応する開口が形成された基板と同じ大きさのマスクを基板に近接させて光を照射し、基板上の感光材料にマスクパターンを一括転写する。ステップ露光方式では、マスクパターンの投影及びマスクパターンの移動を交互に繰り返すことで基板全体にパターンの描画を行う。 In the proximity exposure method, a mask having the same size as the substrate on which an opening corresponding to the pattern to be drawn is formed is brought close to the substrate and irradiated with light, and the mask pattern is collectively transferred to the photosensitive material on the substrate. In the step exposure method, the pattern is drawn on the entire substrate by alternately repeating the projection of the mask pattern and the movement of the mask pattern.
近来における平板表示装置のパネル及びカラーフィルターなどの基板製造装置の市場では、基板に形成されるパターンの高精細化及び基板の大型化に対する対応が強く要求されている。マスクパターンを感光材料に一括転写するプロキシミティー露光方式では、マスクと基板を近接させて光を照射するので、パターンの高精細化及び基板の大型化に対応するために大型化及び高精細化した高価のマスク製作が要求されるという短所がある。そして、プロキシミティー露光方式及びステップ露光方式では、描画されるパターンのピッチ及び幅の変更に柔軟に対応できないという短所がある。 In the recent market of substrate manufacturing apparatuses such as panels of flat panel display devices and color filters, it is strongly required to cope with higher definition of patterns formed on the substrate and enlargement of the substrate. In the proximity exposure system that transfers the mask pattern to the photosensitive material at one time, the mask and the substrate are close to each other and the light is irradiated. Therefore, the size and size of the mask pattern are increased and the substrate size is increased. There is a disadvantage that expensive mask fabrication is required. The proximity exposure method and the step exposure method have a disadvantage that they cannot flexibly cope with changes in the pitch and width of a pattern to be drawn.
最近、上述したプロキシミティー露光方式及びステップ露光方式の短所を克服する方案として、特許文献1では、基板の上側に配置されるデジタルマイクロミラーデバイスが、レーザー光源から照射されるレーザーを基板に向かって反射させる描画方式を提案している。 Recently, as a method for overcoming the shortcomings of the proximity exposure method and the step exposure method described above, in Patent Document 1, a digital micromirror device disposed on the upper side of a substrate causes a laser beam emitted from a laser light source toward the substrate. A reflective drawing method is proposed.
一方、特許文献1で提示される露光装置は、一つの光学モジュール集合アセンブリーを備えている。このような露光装置は、一つの光学モジュール集合アセンブリーに設置されるオーバーレイ計測部が基板のオーバーレイを計測するように、オーバーレイ計測部によって基板を完全にスキャンした後、一つの光学モジュール集合アセンブリーを用いて基板を露光する。
しかしながら、上述した特許文献1で提示される露光装置においては、一つの光学モジュール集合アセンブリー及び一つのオーバーレイ計測部を備えているので、基板のオーバーレイ計測のためのスキャン時間が長くなり、スキャンのための基板の移動距離が増加することで、設置台の大きさを増加させるための費用が増加し、結果として生産費用が増加するという短所がある。 However, since the exposure apparatus presented in Patent Document 1 described above includes one optical module assembly and one overlay measurement unit, the scan time for measuring the overlay of the substrate becomes long, and scanning is performed. As the substrate moving distance increases, the cost for increasing the size of the installation table increases, resulting in an increase in production cost.
また、長いスキャン距離によって誤差パラメータが増加することで、露光の正確性が低下するという短所がある。 In addition, since the error parameter increases with a long scanning distance, there is a disadvantage that the accuracy of exposure decreases.
また、多様な大きさの露光領域(以下、露光領域は、基板上で露光が行われるべき領域を意味する。)を有する基板に対して露光を行うとき、時間が長く所要されるという短所がある。 In addition, when exposure is performed on a substrate having exposure areas of various sizes (hereinafter, the exposure area means an area to be exposed on the substrate), it takes a long time. is there.
したがって、本発明の目的は、スキャン時間及びスキャン距離を短縮することで生産費用の節減及び露光の正確性向上をもたらし、多様な大きさの露光領域を有する基板に対して迅速に露光を行える露光装置及びその制御方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to reduce the scanning time and the scanning distance, thereby reducing the production cost and improving the accuracy of the exposure, and the exposure that can perform the exposure quickly on the substrate having the exposure areas of various sizes. An apparatus and a control method thereof are provided.
上記のような本発明の課題を解決するために、本発明に係る露光装置は、互いに異なる位置の露光領域にパターン光を照射し、相互間の離隔距離が調節される複数の光学モジュール集合アセンブリーを含む。 In order to solve the above-described problems of the present invention, an exposure apparatus according to the present invention irradiates pattern light to exposure regions at different positions, and a plurality of optical module assembly assemblies in which the separation distance is adjusted. including.
ここで、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーには、基板のオーバーレイ整列のためのオーバーレイ計測部がそれぞれ設置される。 Here, each of the plurality of optical module assembly assemblies is provided with an overlay measurement unit for overlay alignment of the substrates.
そして、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーは、互いに異なるパターン光を照射する。そして、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離が調節されるように、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーが設置される複数のゲート構造物の離隔距離を調節する離隔距離調節部を含む。 The plurality of optical module assembly assemblies emit different pattern lights. And a separation distance adjusting unit configured to adjust separation distances of the plurality of gate structures on which the plurality of optical module assembly assemblies are installed such that the separation distances of the plurality of optical module assembly assemblies are adjusted.
他の側面において、上記のような本発明の課題を解決するために、本発明に係る露光装置は、互いに異なる位置の露光領域にパターン光を照射する複数の光学モジュール集合アセンブリーと;前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離を調節する離隔距離調節部と;前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離データと、複数の光学モジュール集合アセンブリーが照射するパターン光データとを含む露光方式が保存されるマスクスタックライブラリと;前記マスクスタックライブラリに保存される前記露光方式の前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離データと、複数の光学モジュール集合アセンブリーが照射するパターン光データとを用いて、前記複数の光学モジュール集合アセンブリー及び離隔距離調節部を制御する制御部と;を含む。 In another aspect, in order to solve the above-described problems of the present invention, an exposure apparatus according to the present invention includes a plurality of optical module assembly assemblies that irradiate pattern light to exposure regions at different positions; An exposure method including a separation distance adjusting unit that adjusts a separation distance of the optical module assembly assembly; separation distance data of the plurality of optical module assembly assemblies, and pattern light data irradiated by the plurality of optical module assembly assemblies is stored. Using the mask stack library; the separation distance data of the plurality of optical module assembly assemblies of the exposure method stored in the mask stack library; and the pattern light data irradiated by the plurality of optical module assembly assemblies. Optical module assembly assembly and separation Including; controls the adjusting unit and a control unit.
ここで、前記マスクスタックライブラリには、基板の移送方向を基準にして前記複数の光学モジュール集合アセンブリーのうち前方に位置した光学モジュール集合アセンブリーが基板前方の前方露光領域の開始点に位置し、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーのうち後方に位置した光学モジュール集合アセンブリーが基板後方の後方露光領域の開始点に位置した場合、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの間の距離に定義されるハイブリッド離隔距離データを含むハイブリッド露光方式が保存される。 Here, in the mask stack library, an optical module assembly assembly positioned in front of the plurality of optical module assembly assemblies with respect to a substrate transfer direction is positioned at a start point of a front exposure region in front of the substrate, Hybrid separation distance data defined as a distance between the plurality of optical module assembly assemblies when an optical module assembly assembly located rearward among the plurality of optical module assembly assemblies is located at a starting point of a rear exposure area behind the substrate. Is stored.
一方、上記のような本発明の課題を解決するために、本発明に係る露光装置の制御方法は、露光方式が変更されたかどうかを判断する段階と;露光方式が変更された場合、変更された露光方式によって複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離を調節する段階とを含む。 On the other hand, in order to solve the above-described problems of the present invention, the control method of the exposure apparatus according to the present invention is a step of determining whether or not the exposure method has been changed; Adjusting the separation distance of the plurality of optical module assembly assemblies according to the exposure method.
ここで、露光方式が変更された場合、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーが前記変更された露光方式によるパターン光を照射する段階を含む。 Here, when the exposure method is changed, the plurality of optical module assembly assemblies may irradiate pattern light according to the changed exposure method.
そして、露光方式が変更された場合、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離を調節して前記基板のオーバーレイを計測する基板スキャン段階を含む。 Then, when the exposure method is changed, a substrate scanning step of measuring an overlay of the substrate by adjusting a separation distance of the plurality of optical module assembly assemblies.
ここで、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離調節においては、前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離を、前記基板の長辺を前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの個数で割った離隔距離に調節する。 Here, in adjusting the separation distance of the plurality of optical module assembly assemblies, the separation distance of the plurality of optical module assembly assemblies is set to a separation distance obtained by dividing the long side of the substrate by the number of the plurality of optical module assembly assemblies. Adjust.
本発明に係る露光装置及びその制御方法においては、スキャン時間及びスキャン距離を短縮することで生産費用の節減及び露光の正確性向上をもたらし、多様な大きさの露光領域を有する基板に対して迅速に露光を行えるという効果がある。 In the exposure apparatus and the control method thereof according to the present invention, the scan time and the scan distance are shortened, thereby reducing the production cost and improving the accuracy of the exposure, so that the substrate having various sizes of exposure areas can be quickly obtained. There is an effect that exposure can be performed.
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1乃至図4を参照すると、真空チャンバーに設置される本発明に係る露光装置1は、四隅の下方に延長される支持台20によって支持される設置台10と、上面に基板Wが載置され、設置台10の長辺方向に移動可能に設置されるステージ40と、設置台10の上面に設置され、ステージ40を移動するステージ駆動部70と、設置台10の上面に設置され、ステージ40の移動方向をガイドするステージガイド部30と、‘コ'状を有して、両端部が離隔距離調節部200のガイドレール230に移動可能に載置される複数のゲート構造物50a,50bと、ステージ40に載置される基板Wにパターン光を照射するために、複数のゲート構造物50a,50bの一側にそれぞれ設置される複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bと、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bにそれぞれ設置され、基板Wのオーバーレイを計測するための複数のオーバーレイ計測部60a,60bと、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bに光を提供する光源300と、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの離隔距離が調節されるように複数のゲート構造物50a,50bの隔離距離を調節する離隔距離調節部200と、露光装置1を全般的に制御する制御部400とを含む。
1 to 4, an exposure apparatus 1 according to the present invention installed in a vacuum chamber has an installation table 10 supported by a support table 20 extended below the four corners, and a substrate W placed on the upper surface. The
複数のオーバーレイ計測部60a,60bは、基板Wに形成されたオーバーレイを計測して制御部400に提供し、基板W上の正確な位置にパターン光を照射させる役割をする。すなわち、オーバーレイ計測部60a,60bは、ステージ40に載置されてゲート構造物50a,50bを通過しながら移動する基板Wの上面に形成されたオーバーレイを計測する。その結果、制御部400は、計測されたオーバーレイを用いて基板Wを整列することができる。
The plurality of
一方、複数のオーバーレイ計測部60a,60bが光学モジュール集合アセンブリー100a,100bにそれぞれ設置されることで、オーバーレイを計測するスキャンのためのステージ40の移動距離が短縮され、結果として設置台10の大きさを減少させることができる。
On the other hand, the plurality of
光源300は、半導体レーザー及びその半導体レーザーから出射される光を調節する光学系を含み、光繊維310を用いてレーザー光を光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの光学モジュール105の入射側に提供する。
The
複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bは、マトリックス形態に配列され、パターン光の出射部分とステージ40に載置される基板Wとが対向する複数の光学モジュール105からなる。
The plurality of optical module assembly assemblies 100a and 100b are arranged in a matrix form, and include a plurality of
複数の光学モジュール105は、光繊維310の光出射端311から出射された光を補正してミラー120に出射する補正レンズ系110と、補正レンズ系110から出射される光を光変調器130に反射するミラー120と、ミラー120から反射される光を部分的に異なる反射角で反射し、一定のパターンを有するパターン光を反射させる光変調器130と、光変調器130から反射されたパターン光を基板Wの露光面160に結像させる集光レンズ系140とからなる。
The plurality of
補正レンズ系110は、光出射端311から出射された光を均一にするための第1補正レンズ111と、第1補正レンズ111を通過した光をミラー120に集光させる第2補正レンズ112とからなる。その結果、光出射端311から出射された光は、均一な光量分布を有してミラー120に入射されるようになる。
The
ミラー120は、一面が反射面として形成され、補正レンズ系110を通過した光を光変調器130に反射する。
One surface of the
光変調器130は、一般的に知られたマトリックス形態で配列される複数の光変調素子131からなる。
The
一方、光変調素子131は、メモリーセル上に支持される支持部と、支持部の上端に設置される微小ミラーからなり、メモリーセルの駆動によって微小ミラーの傾斜角が変化され、光変調素子131に入射される光の反射方向が調節される。このように光変調素子131の微小ミラーの傾斜角が変化されることで、光変調器130は、一定のパターンを有するパターン光を集光レンズ系140に反射する。
On the other hand, the
集光レンズ系140は、第1集光レンズ141及び第2集光レンズ142からなり、第1集光レンズ141と第2集光レンズ142との間の距離が調節されることで、集光レンズ系140を通過したパターン光の結像位置が調節されるようになる。このような集光レンズ系140は、光変調器130から反射されるパターン光を基板Wの露光面160に入射させる役割をする。その結果、露光領域EWの露光面160に形成される感光材は硬化または軟化される。
The
一方、上述した複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bが制御部400によってそれぞれ制御され、ステージ40に載置される基板Wの露光領域EWにそれぞれ異なるパターン光が照射されることで、露光装置1は分割露光を行えるようになる。
On the other hand, the plurality of optical
離隔距離調節部200は、ゲート構造物50a,50bの脚51a,51bを移動可能に支えるガイドレール230と、ゲート構造物50a,50bの脚51a,51bに回転可能にスクリュー結合されるスクリューロッド220と、スクリューロッド220を回転する隔離距離調節駆動部210とを含む。
The separation
スクリューロッド220は、略中央部分を基準にして、一側には右ねじまたは左ねじが形成され、他側には一側に形成されたねじと異なる方向のねじが形成される。ゲート構造物50a,50bの脚51a,51bには、スクリューロッド220の両側に対応するねじホール52a,52bが形成される。スクリューロッド220が何れか一方向に回転すると、スクリューロッド220の両側がねじホール52a,52bに締め付けられ、他方向に回転すると、スクリューロッド220の両側がねじホール52a,52bから外れる。その結果、スクリューロッド220の回転方向及び回転量を用いてゲート構造物50a,50bの離隔距離を調節することができる。
The
一方、上述した離隔距離調節部200は、上記で説明される構成または手段に限定されるものでなく、ゲート構造物50a,50bの離隔距離が調節されうる如何なる手段も利用可能である。
Meanwhile, the above-described separation
制御部400の入力側には、オペレーターの選択による露光方式を入力するための入力部410と、露光方式によるデータを保存するマスクスタックライブラリ420と、基板Wのオーバーレイを計測し、計測されたオーバーレイを制御部400に提供するオーバーレイ計測部60a,60bとが提供される。そして、制御部400の出力側には、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100b、ステージ駆動部70、離隔距離調節部200及び光源300が提供される。
On the input side of the
入力部410を用いることで、オペレーターは制御部400に命令を入力することができる。
By using the
マスクスタックライブラリ420は、露光方式による複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの隔離距離データと、露光方式による複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bが照射すべきパターン光データとを保存し、これを制御部400の要請によって提供する。
The
一方、制御部400は、オーバーレイ計測部60a,60bから入力される計測された基板Wのオーバーレイを用いて基板Wを整列する。
On the other hand, the
そして、制御部400は、マスクスタックライブラリ420が提供する露光方式による複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの隔離距離データと、露光方式による複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bが照射すべきパターン光データとを用いて、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100b及び離隔距離調節部200を制御する。
Then, the
以下、本発明に係る露光装置の制御方法に対し、図面に基づいて説明する。 Hereinafter, a method for controlling an exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、制御部400は、露光方式が変更されたかどうかを判断する(510)。すなわち、オペレーターが入力部410を通して新しい露光方式を選択し、入力部410から新しい露光方式命令が入力されるかどうかを判断する。
First, the
ここで、露光方式としては、ハイブリッド露光方式、分割露光方式及び重複露光方式が提案される。ハイブリッド露光方式は、露光装置1が幅の異なる複数の露光領域を有する基板に露光を行うように露光領域の幅が考慮され、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの離隔距離が調節された状態で露光を行う方式である。重複露光方式は、露光装置1の複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bのうち一部が基板W上の露光領域に充分な露光を行えない場合、基板W上の露光領域が充分に露光されるように、露光領域に同一のパターン光を照射する光学モジュール集合アセンブリーの個数を増加させて露光を行う方式である。分割露光方式は、露光装置1の複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの一部が、選択されたパターン光を露光領域に照射させ、他の一部が、選択されたパターン光と異なるパターン光を露光領域EWに照射させる露光方式である。
Here, as an exposure method, a hybrid exposure method, a divided exposure method, and an overlap exposure method are proposed. In the hybrid exposure method, the width of the exposure area is considered so that the exposure apparatus 1 performs exposure on a substrate having a plurality of exposure areas having different widths, and the separation distances of the plurality of optical
このとき、露光方式が変更されていない場合、露光装置1は、既存の露光方式によって露光を行う(520)。 At this time, if the exposure method has not been changed, the exposure apparatus 1 performs exposure using the existing exposure method (520).
その次に、制御部400は、露光遂行終了条件であるかどうかを判断し(540)、露光遂行終了条件でない場合、継続的に露光遂行終了条件であるかどうかを判断し、露光遂行終了条件であると終了する。
Next, the
上記の510段階で露光方式が変更されている場合、
露光装置1は、変更された露光方式による露光を行う(530)。
If the exposure method has been changed in
The exposure apparatus 1 performs exposure using the changed exposure method (530).
すなわち、制御部400は、露光装置1が露光を行っているかどうかを判断し、露光装置1が露光を行っていない場合、直ちに後続段階に進行し、露光装置1が露光を行っている場合、その露光を停止して後続段階に進行する(531)。
That is, the
その次に、制御部400は、変更された露光方式に対応する離隔距離データ及びパターン光データをマスクスタックライブラリ420に要請する(531)。これによって、マスクスタックライブラリ420は、制御部400が要請する変更された露光方式の離隔距離データ及びパターン光データを制御部400に提供し、制御部400は、変更された露光方式の離隔距離データ及びパターン光データを受信する(532)。
Next, the
その次に、制御部400は、基板整列のためにステージ40を移動させ、オーバーレイ計測部60a,60bを通して基板Wのオーバーレイを計測するためのスキャンを行う(533)。このとき、制御部400は、離隔距離調節部200に制御信号を供給し、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの離隔距離Dを、基板Wの長辺を複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの個数で割った離隔距離にする。その結果、ステージ40の移動距離が短縮される。そして、制御部400は、計測されたオーバーレイを用いて基板Wを整列する(534)。
Next, the
その次に、制御部400は、変更された露光方式の離隔距離データ及びパターン光データによって離隔距離調節部200が複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの離隔距離Dを調節するように制御し(535)、変更された露光方式のパターン光データによるパターン光を複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bが照射するように制御する(536)。
Next, the
すなわち、変更された露光方式がハイブリッド露光方式であると、図6Aに示すように、制御部400は、離隔距離調節部200に制御信号を供給し、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの離隔距離Dをハイブリッド露光方式によるハイブリッド離隔距離D1に調節する(535)。
That is, if the changed exposure method is a hybrid exposure method, as shown in FIG. 6A, the
ここで、ハイブリッド離隔距離D1は、基板Wの移送方向を基準にして前方に位置した光学モジュール集合アセンブリー100aが基板W前方の前方露光領域EW10の開始点に位置し、後方に位置した光学モジュール集合アセンブリー100bが基板W後方の後方露光領域EW20の開始点に位置した場合、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの間の距離に定義される。
Here, the hybrid separation distance D1 is set such that the
その次に、制御部400は、ステージ40を移動させ、ステージ40が基板Wを移送しながら、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bが同一のパターン光を照射するように制御する(536)。
Next, the
そして、変更された露光方式が分割露光方式であると、図6Bに示すように、制御部400は、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの離隔距離Dを最短距離D2に調節し(535)、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bが互いに異なるパターン光を照射するように制御する(536)。
If the changed exposure method is the divided exposure method, as shown in FIG. 6B, the
そして、変更された露光方式が重複露光方式であると、図6Cに示すように、制御部400は、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bの離隔距離Dを最短距離D3に調節し(535)、複数の光学モジュール集合アセンブリー100a,100bが互いに同一のパターン光を照射するように制御する(536)。
If the changed exposure method is the overlap exposure method, as shown in FIG. 6C, the
50a,50b ゲート構造物
200 離隔距離調節部
100a,100b 光学モジュール集合アセンブリー
50a,
Claims (10)
前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離を調節する離隔距離調節部と;
前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離データと、複数の光学モジュール集合アセンブリーが照射するパターン光データとを含む露光方式が保存されるマスクスタックライブラリと;
前記マスクスタックライブラリに保存される前記露光方式の前記複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離データと、複数の光学モジュール集合アセンブリーが照射するパターン光データとを用いて、前記複数の光学モジュール集合アセンブリー及び離隔距離調節部を制御する制御部と;を含むことを特徴とする露光装置。 A plurality of optical module assembly assemblies that irradiate pattern light onto exposure areas at different positions;
A separation distance adjusting unit for adjusting a separation distance of the plurality of optical module assembly assemblies;
A mask stack library in which an exposure method including separation distance data of the plurality of optical module assembly assemblies and pattern light data emitted by the plurality of optical module assembly assemblies is stored;
Using the separation distance data of the plurality of optical module assembly assemblies of the exposure method stored in the mask stack library and the pattern light data irradiated by the plurality of optical module assembly assemblies, the plurality of optical module assembly assemblies and An exposure apparatus comprising: a control unit that controls the separation distance adjusting unit;
露光方式が変更された場合、変更された露光方式によって複数の光学モジュール集合アセンブリーの離隔距離を調節する段階と;を含むことを特徴とする露光装置の制御方法。 Determining whether the exposure method has changed;
And adjusting the separation distance of the plurality of optical module assembly assemblies according to the changed exposure method when the exposure method is changed.
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