JP2009099440A - Manufacturing method of organic electroluminescent element - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 54
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 description 48
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000007774 anilox coating Methods 0.000 description 9
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 4
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、高精細ディスプレイの製造方法に関するものであり、詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子などの精密部品製造用の基板等の被印刷体に、インキ化した材料を凸版印刷法でパターン印刷し、高精細ディスプレイを製造する方法に関するものである。 The present invention relates to a method for producing a high-definition display, and more specifically, an ink material is patterned on a printing medium such as a substrate for producing precision parts such as organic electroluminescence (EL) elements by a relief printing method. The present invention relates to a method for printing and manufacturing a high-definition display.
一般的に、有機EL素子は、二つの対向する電極基板の間に、有機発光材料からなる有機発光層を形成し、有機発光層に電流を流すことにより発光させるものであるが、効率良く発光させるには、有機発光層の膜厚のコントロールが重要であり、例えば膜厚100nm程度に極めて薄膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイ化するには、高精細にパターニングする必要がある。 In general, an organic EL element is one in which an organic light-emitting layer made of an organic light-emitting material is formed between two opposing electrode substrates, and light is emitted by passing a current through the organic light-emitting layer. In order to achieve this, it is important to control the film thickness of the organic light emitting layer. For example, it is necessary to form a very thin film with a film thickness of about 100 nm. Furthermore, in order to make this a display, it is necessary to pattern with high definition.
基板等に形成する有機発光材料には、低分子材料と高分子材料があり、一般に低分子材料は、基板に抵抗加熱蒸着法(真空蒸着法)等により薄膜形成し、このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化すればするほど、パターニング精度が出難いという問題がある。 Organic light-emitting materials formed on a substrate or the like include a low molecular material and a polymer material. In general, a low molecular material is formed into a thin film on a substrate by resistance heating vapor deposition (vacuum vapor deposition) or the like. Patterning is performed using a mask, but this method has a problem that patterning accuracy is difficult to obtain as the substrate becomes larger.
そこで、最近では基板等に形成する有機発光材料に高分子材料を用い、この有機発光材料を溶剤に溶かしてインキ化して塗工インキ液にした後、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、突出コート法、ディップコート法等があるが、高精細にパターニングしたり、レッド(R)、グリーン(G)、ブルー(B)の3色に塗り分けしたりするためには、これらのウェットコーティング法では難しく、塗り分けパターニングを得意とする印刷法でのパターン印刷による薄膜形成が最も有効であると考えられる。 Therefore, recently, there is a method in which a polymer material is used as an organic light emitting material to be formed on a substrate, etc., this organic light emitting material is dissolved in a solvent to form an ink and then a coating ink liquid is formed, and then a thin film is formed by a wet coating method. Attempts are being made. The wet coating method for forming a thin film includes a spin coating method, a bar coating method, a protruding coating method, a dip coating method, etc., but patterning with high definition, red (R), green (G), blue ( In order to separate the three colors B), it is difficult to use these wet coating methods, and it is considered most effective to form a thin film by pattern printing using a printing method that specializes in separate patterning.
一方、高分子系発光材料を用いてフルカラー化するために有機発光層をパターニングする手段としては、主にインキジェット法によるパターン形成方法と、印刷版を用いたパターン形成方法が採用されている。例えば、特開平10−12377号公報に開示されているインキジェット法によるパターン形成方法は、インキジェットノズルから溶剤に溶かした発光層形成用材料を基板上に噴出させ、基板上で乾燥させることで所望のパターンを得る方法である。 On the other hand, as a means for patterning an organic light emitting layer in order to achieve full color using a polymer light emitting material, a pattern forming method using an ink jet method and a pattern forming method using a printing plate are mainly employed. For example, in the pattern forming method by the ink jet method disclosed in JP-A-10-12377, a light emitting layer forming material dissolved in a solvent is ejected from an ink jet nozzle onto a substrate and dried on the substrate. This is a method for obtaining a desired pattern.
しかしながら、ノズルから噴出されたインキ液滴は球状をしている為、基板上に着弾する際にインキが円形状に広がり、形成されたパターンの形状が直線性に欠けたり、あるいは着弾精度が悪くなってパターンの直線性が得られないという問題点がある。 However, since the ink droplets ejected from the nozzle are spherical, the ink spreads in a circular shape when landing on the substrate, and the shape of the formed pattern lacks linearity or the landing accuracy is poor. Therefore, there is a problem that the linearity of the pattern cannot be obtained.
これに対し、例えば、特開2002−305077号公報には、予め基板上にフォトリソグラフィなどにより撥インキ性のある材料でバンクを形成し、そこにインキ液滴を着弾させることで、バンクの部分でインキをはじかせ、直線性のパターンを得られるようにした方法が開示されている。しかし、バンクの部分ではじかれたインキが画素内に戻るときに画素内部で盛り上がり、画素内の有機発光層の膜厚にばらつきができてしまうという問題がある。 On the other hand, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-305077, a bank is formed in advance on a substrate by a material having ink repellency by photolithography and the like, and ink droplets are landed on the bank, thereby Discloses a method in which ink is repelled to obtain a linear pattern. However, when the ink repelled in the bank portion returns to the inside of the pixel, there is a problem that the thickness of the organic light emitting layer in the pixel varies depending on the inside of the pixel.
そこで、低分子系有機発光材料にかえて、高分子系有機発光材料を溶剤に溶解あるいは分散させてインキ化し、このインキを用い、凸版印刷法、反転印刷法、スクリーン印刷法などの印刷法によりパターニングする方法が提案されている。特に凸版印刷による方法はパターン形成精度、膜厚均一性などに優れ、印刷による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法として適している。 Therefore, instead of low-molecular-weight organic light-emitting materials, polymer-based organic light-emitting materials are dissolved or dispersed in a solvent to make ink, and this ink is used for printing methods such as letterpress printing, reverse printing, and screen printing. A patterning method has been proposed. In particular, the method using relief printing is excellent in pattern formation accuracy, film thickness uniformity, and the like, and is suitable as a method for producing an organic electroluminescence element by printing.
さらに、各種印刷法の中でも、有機EL素子やディスプレイでは、基板としてガラス基板を用いることが多いため、グラビア印刷法等のように金属製の印刷版等の硬い版を用いる方法は不向きである。そのために、弾性を有するゴム製の印刷版を用いた印刷法や、ゴム製の印刷用ブランケットを用いたオフセット印刷法や、弾性を有するゴムやその他の樹脂を主成分とした感光性樹脂版を用いる凸版印刷法等が適正な印刷法として採用することができる。実際に、これらの印刷法の試みとして、オフセット印刷による パターン印刷方法(特許文献1)、凸版印刷によるパターン印刷方法(特許文献2、3)などが提唱されている。 Furthermore, among various printing methods, organic EL elements and displays often use a glass substrate as a substrate, so that a method using a hard plate such as a metal printing plate such as a gravure printing method is not suitable. For this purpose, printing methods using elastic rubber printing plates, offset printing methods using rubber printing blankets, and photosensitive resin plates based on elastic rubber and other resins are used. The letterpress printing method used can be adopted as an appropriate printing method. Actually, as a trial of these printing methods, a pattern printing method by offset printing (Patent Literature 1), a pattern printing method by letterpress printing (Patent Literatures 2 and 3), and the like have been proposed.
このような凸版印刷法による有機エレクトロルミネッセンス素子の作製は以下のようにして行う。すなわち、まず、高分子系有機発光材料を溶剤に溶解あるいは分散させてインキ化し、微細な正方あるいは六方格子のマトリクス状の規則的な孔を有するアニロックスロールのロール表面に塗布する。次に、アニロックスロール表面の余分なインキをドクターブレードでかきとることによって、アニロックスロールの単位面積あたりのインキの塗 布量を均一にする。そして、有機エレクトロルミネッセンス素子の画素の形状に対応して設けられている画像形成部を有する印刷版の画像形成部にアニロックスロール上のインキを版の凸部に転移させ、最後に、この印刷版の画像形成部上のインキ薄膜を基板上に転移させることで有機発光層を形成する。 Production of an organic electroluminescence element by such a relief printing method is performed as follows. That is, first, a high molecular weight organic light emitting material is dissolved or dispersed in a solvent to form an ink, which is then applied to the roll surface of an anilox roll having fine square or hexagonal lattice matrix regular holes. Next, the ink amount per unit area of the anilox roll is made uniform by scraping off the excess ink on the surface of the anilox roll with a doctor blade. Then, the ink on the anilox roll is transferred to the convex portion of the plate to the image forming portion of the printing plate having the image forming portion provided corresponding to the shape of the pixel of the organic electroluminescence element, and finally, this printing plate The organic light emitting layer is formed by transferring the ink thin film on the image forming part of the substrate onto the substrate.
次に被印刷物として使用される基板について説明する。基板は、既に画素電極(第一電極2)、取り出し電極、TFT回路を保護するためのSiNx膜からなる絶縁層およびポリイミドからなる絶縁層を備え、当該ポリイミドからなる絶縁層は画素を仕切るように形成されている。 Next, the board | substrate used as a to-be-printed material is demonstrated. The substrate already includes a pixel electrode (first electrode 2), an extraction electrode, an insulating layer made of a SiNx film for protecting the TFT circuit, and an insulating layer made of polyimide, and the insulating layer made of polyimide partitions the pixels. Is formed.
基板の画素部は、ポリイミドからなる絶縁層で四方を段差で囲われており、有機機能性材料を印刷法によって50ppi〜400ppiの高精細なストライプに成膜する場合、印刷方向に直行する方向の隔壁が高く、画素幅が印刷方向に対して狭いと版の凸部と基板の画素部が接触せずインク転写が不可能になってしまう。また、隔壁の高さ、画素が接触するに十分であって、基板画素部に凸版が接触したとしても、印刷の進行方向にある程度、画素部と版の接触している面積と時間が十分でないと、画素内に均一にパターニングが困難である。 The pixel portion of the substrate is surrounded by steps with an insulating layer made of polyimide, and when an organic functional material is formed into a high-definition stripe of 50 to 400 ppi by a printing method, it is in a direction perpendicular to the printing direction. If the partition walls are high and the pixel width is narrow with respect to the printing direction, the convex portions of the plate do not contact the pixel portions of the substrate, and ink transfer becomes impossible. In addition, the height of the partition wall is sufficient for the pixels to come into contact, and even if the relief plate is in contact with the substrate pixel portion, the area and time of contact between the pixel portion and the plate are not sufficient to some extent in the printing progress direction. Therefore, it is difficult to uniformly pattern the pixels.
一方、版のパターンをドット状にして画素部のみに直接印刷する方法では、画素部のみに転写可能だが、高精細パターニングになると、アニロックスから版への転写後に版に乗っているインクの量が少なくなるため乾燥など影響を大きく受け、画素内膜形状の悪化が起こり、パネル全体の均一性が出ない。 On the other hand, in the method of printing the pattern on the plate in the form of dots and printing directly only on the pixel part, it can be transferred only to the pixel part, but with high-definition patterning, the amount of ink on the plate after the transfer from the anilox to the plate is reduced. Since it is reduced, it is greatly affected by drying and the like, and the shape of the inner film of the pixel is deteriorated, so that the uniformity of the entire panel does not appear.
また、転写時間を長くするため版胴の転動の速度を遅くする方法もあるが、生産のスループットが遅くなり生産性の効率が悪くなるという問題が生じた。 In addition, there is a method of slowing the rolling speed of the plate cylinder in order to lengthen the transfer time, but there has been a problem that the production throughput is slowed and the productivity efficiency is lowered.
関連する特許文献を以下に掲げる。
凸版印刷法によって有機機能性素子を形成する際に、容易に印刷条件に適した隔壁基板の画素形状と、印刷方法の関係を明らかにすることにより、安定してパターン精度の良い印刷パターンを形成できるような製造方法を提供する。 When organic functional elements are formed by letterpress printing, the relationship between the printing method and the pixel shape of the barrier rib substrate that is suitable for printing conditions is easily clarified to form a stable and highly accurate printing pattern. A manufacturing method is provided.
上記課題を解決するために為された請求項1に係る発明は、隔壁の開口部に有機発光媒体層を形成した有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、画素の周辺を隔壁で格子上に囲んだ基板の画素領域が長辺と短辺を有する矩形であり、少なくとも一層の有機発光媒体層を、凸版を配置した版胴を回転させ、前記画素領域の長辺方向に順次印刷形成することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法である。画素の長辺方向に沿って印刷することで、基板と版の接触時間をより長く持続させられることと、平板に版胴を回転させて印刷する場合、開口部の幅が長いほど版面と印刷面との距離が近づけられることから、良好な転写が行える。 The invention according to claim 1, which has been made to solve the above-mentioned problems, is a method of manufacturing an organic electroluminescent element in which an organic light emitting medium layer is formed in an opening of a partition, wherein the periphery of the pixel is formed on the lattice by the partition The pixel region of the substrate surrounded by the rectangle is a rectangle having a long side and a short side, and at least one organic light emitting medium layer is sequentially printed in the long side direction of the pixel region by rotating the plate cylinder on which the relief plate is arranged. This is a method for producing an organic electroluminescence element. By printing along the long side direction of the pixel, the contact time between the substrate and the plate can be maintained longer, and when printing is performed by rotating the plate cylinder on a flat plate, the longer the width of the opening, the more the plate surface and print Since the distance to the surface can be reduced, good transfer can be performed.
また請求項2に係る発明は、前記凸版が、前記長辺方向に平行なストライプ状の表面パターンを有することを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネセンス素子の製造方法である。隔壁を有しているため、その開口部にのみ有機層を形成することができ、かつ表面パターンがストライプ状であることから、位置合わせが容易である。 The invention according to claim 2 is the method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 1, wherein the relief plate has a striped surface pattern parallel to the long side direction. Since the partition is included, the organic layer can be formed only in the opening, and the surface pattern is striped, so that the alignment is easy.
また請求項3に係る発明は、前記画素領域の短辺の長さをa、短辺方向での隔壁幅をcとしたとき、前記凸版の線幅xがa<x<a+cとなることを特徴とする請求項2に記載のエレクトロルミネセンス素子の製造方法である。これにより十分なインキ量が確保されるために画素領域全面に渡って均一なパターン形成が可能となり、また隣り合う画素の一方に画素幅ぎりぎりまで版が寄った場合でも、隣り合う画素にインキが流入しないことから、位置合わせの許容度が広がり、アライメントが容易になる。 According to a third aspect of the present invention, when the length of the short side of the pixel region is a and the width of the partition wall in the short side direction is c, the line width x of the relief plate satisfies a <x <a + c. It is a manufacturing method of the electroluminescent element of Claim 2 characterized by the above-mentioned. As a result, a sufficient amount of ink is secured, so that a uniform pattern can be formed over the entire pixel area.In addition, even when the plate is shifted to the margin of the pixel width on one of the adjacent pixels, ink is applied to the adjacent pixels. Since it does not flow in, the tolerance of alignment spreads and alignment becomes easy.
また請求項4に係る発明は、前記基板の印刷方向と直行する隔壁の高さが、0.5〜5μmであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。これにより基板の画素と版の凸部との接触が十分行き届くことができる。 According to a fourth aspect of the present invention, in the organic electroluminescence device according to any one of the first to third aspects, the height of the partition perpendicular to the printing direction of the substrate is 0.5 to 5 μm. Is the method. Thereby, the contact between the pixel of the substrate and the convex portion of the plate can be sufficiently achieved.
また請求項5に係る発明は、請求項1から4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子を用いたディスプレイの解像度が50ppi〜400ppiの範囲であることを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法である。これにより品質の優れた有機ELディスプレイを製造することができる。 The invention according to claim 5 is a method for producing an organic EL display, wherein the resolution of the display using the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 4 is in the range of 50 ppi to 400 ppi. It is. Thereby, an organic EL display having excellent quality can be manufactured.
本発明の製造方法によれば、画素の長辺と短辺を適切に設定しており、印刷方向と画素の長辺方向が平行なため、印刷用凸版の凸状部の頂部面が画線部に十分接触する。そのためインキが画素内に均一に全面にムラなく高精細にパターニングすること可能になり、欠陥のない均一性に優れた高精細な有機エレクトロルミネッセンスを得ることができる効果がある。 According to the manufacturing method of the present invention, since the long side and the short side of the pixel are appropriately set and the printing direction and the long side direction of the pixel are parallel, the top surface of the convex portion of the printing relief printing plate is drawn. Make sufficient contact with the part. For this reason, the ink can be uniformly patterned in the pixel with high definition without unevenness, and there is an effect that high-definition organic electroluminescence excellent in uniformity without defects can be obtained.
<有機EL素子>
本発明の有機EL素子について説明する。なお、本発明に係る有機EL素子及びその製造方法は、以下に説明する実施に限定されるものではない。また、以下、本実施の形態をアクティブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルに適用した例について説明する。有機EL素子の駆動方法としては、パッシブマトリックスとアクティブマトリックスがあるが、本実施の形態における有機EL素子は、パッシブマトリックス方式またはアクティブマトリックス方式の有機EL素子のどちらにも適用可能である。
<Organic EL device>
The organic EL element of the present invention will be described. In addition, the organic EL element which concerns on this invention, and its manufacturing method are not limited to implementation demonstrated below. Hereinafter, an example in which the present embodiment is applied to an active matrix driving type organic EL display panel will be described. As a driving method of the organic EL element, there are a passive matrix and an active matrix. However, the organic EL element in this embodiment can be applied to either a passive matrix type or an active matrix type organic EL element.
また、本発明の有機EL素子は光の取り出し方向についても、基板側、封止側のどちらにも適用可能である。すなわち、本発明の有機EL素子は、基板側から発光した光を取り出すボトムエミッション方式の有機EL素子、基板の反対側から発光した光を取り出すトップエミッション方式の有機EL素子のいずれにも適用可能である。さらに、本発明の有機EL素子は、両側から発光した光を取り出す透明有機EL素子にも適用可能である。 Moreover, the organic EL element of the present invention can be applied to both the substrate side and the sealing side in the light extraction direction. That is, the organic EL element of the present invention can be applied to both a bottom emission type organic EL element that extracts light emitted from the substrate side and a top emission type organic EL element that extracts light emitted from the opposite side of the substrate. is there. Furthermore, the organic EL element of the present invention can also be applied to a transparent organic EL element that extracts light emitted from both sides.
本発明では、基板と、基板上に画素電極、有機発光層を含む有機発光媒体層、対向電極を設けたものを有機EL素子基板とする。また、該有機EL素子基板上に必要に応じて水蒸気バリア層等を設け、接着剤を介して封止基材と有機EL素子基板を張り合わせることによって封止をおこなったものを有機EL素子とする。図1に本発明の有機EL素子基板
の説明断面図を示した。
In the present invention, an organic EL element substrate is provided with a substrate, a pixel electrode, an organic light emitting medium layer including an organic light emitting layer, and a counter electrode on the substrate. Moreover, what was sealed by providing a water vapor | steam barrier layer etc. on this organic EL element board | substrate as needed, and sticking the sealing base material and the organic EL element board | substrate through the adhesive agent with an organic EL element. To do. FIG. 1 shows an explanatory cross-sectional view of the organic EL element substrate of the present invention.
図1に示すように、有機ELディスプレイパネルは、TFT基板1の上に、陽極として第一電極2を有している。隔壁7は第一電極2間に設けられ、第一電極2の端部のバリ等よるショートを防ぐことを目的として第一電極2の端部を覆うことが好ましい。 As shown in FIG. 1, the organic EL display panel has a first electrode 2 as an anode on a TFT substrate 1. The partition wall 7 is provided between the first electrodes 2 and preferably covers the end portion of the first electrode 2 for the purpose of preventing a short circuit due to burrs or the like at the end portion of the first electrode 2.
そして、有機ELディスプレイパネルは、第一電極2上であって、隔壁7で区画された領域(発光領域L、画素部)に有機発光層及び発光補助層を有している。電極間に挟まれる層は、有機発光層単独から構成されたものであってもよいし、有機発光層と発光補助層との積層構造から構成されたものでもよい。発光補助層としては正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。図1では発光補助層である正孔輸送層3と有機発光層(41、42、43)との積層構造からなる構成を示している。第一電極2上に正孔輸送層3が設けられ、正孔輸送層3上に赤色(R)有機発光層41、緑色(G)有機発光層42、青色(B)有機発光層43がそれぞれ設けられている。本実施の形態では、これら複数(実施例では3つ)の有機発光層41、42、43を、後述するように本発明に係るパターン形成方法により形成することができる。 The organic EL display panel has an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer on the first electrode 2 and in a region (light emitting region L, pixel portion) partitioned by the partition walls 7. The layer sandwiched between the electrodes may be composed of an organic light emitting layer alone, or may be composed of a laminated structure of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer. Examples of the light emission auxiliary layer include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In FIG. 1, the structure which consists of a laminated structure of the positive hole transport layer 3 which is a light emission auxiliary layer, and an organic light emitting layer (41, 42, 43) is shown. A hole transport layer 3 is provided on the first electrode 2, and a red (R) organic light-emitting layer 41, a green (G) organic light-emitting layer 42, and a blue (B) organic light-emitting layer 43 are provided on the hole transport layer 3. Is provided. In the present embodiment, the plurality (three in the example) of organic light emitting layers 41, 42, and 43 can be formed by the pattern forming method according to the present invention as described later.
次に、有機発光媒体層上に陽極である第一電極2と対向するように陰極(陰極層)として第二電極5が配置される。第二電極5は、有機ELディスプレイパネル全面に形成される。更に、環境中の水分、酸素の第一電極2、有機発光層41、42、43、発光補助層、第二電極5への侵入を防ぐために有効画素全面に対してガラスキャップ8等による封止体が設けられ、接着剤9を介してTFT基板1と貼りあわされる。 Next, the 2nd electrode 5 is arrange | positioned as a cathode (cathode layer) so as to oppose the 1st electrode 2 which is an anode on an organic luminescent medium layer. The second electrode 5 is formed on the entire surface of the organic EL display panel. Further, in order to prevent moisture and oxygen in the environment from entering the first electrode 2, the organic light emitting layers 41, 42, 43, the light emitting auxiliary layer, and the second electrode 5, the entire effective pixel is sealed with a glass cap 8 or the like. A body is provided and bonded to the TFT substrate 1 via an adhesive 9.
次にTFT基板1について説明する。
図2は、TFT基板1の説明断面図である。TFT基板1は、TFT(薄膜トランジスタ)120上に、平坦化層117が形成してあるとともに、平坦化層117上に有機ELディスプレイパネルの下部電極(第一電極2)が設けられており、かつ、TFT120と下部電極とが平坦化層117に設けたコンタクトホール118を介して電気接続してあることが好ましい。このように構成することにより、TFT120と、有機発光媒体層(正孔輸送層3、有機発光層41、42、43)との間で、優れた電気絶縁性を得ることができる。
Next, the TFT substrate 1 will be described.
FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view of the TFT substrate 1. The TFT substrate 1 has a planarization layer 117 formed on a TFT (thin film transistor) 120, and a lower electrode (first electrode 2) of an organic EL display panel is provided on the planarization layer 117, and The TFT 120 and the lower electrode are preferably electrically connected via a contact hole 118 provided in the planarization layer 117. With this configuration, excellent electrical insulation can be obtained between the TFT 120 and the organic light emitting medium layer (hole transport layer 3, organic light emitting layers 41, 42, 43).
TFT120や、その上方に構成される部分は支持体111で支持される。支持体としては機械的強度や、寸法安定性に優れていることが好ましい。支持体111の材料としては、例えば、ガラス基板や石英基板が使用できる。また、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートであっても良い。これら、プラスチックフィルムやシートに、有機発光媒体層への水分の侵入を防ぐことを目的として、金属酸化物薄膜、金属弗化物薄膜、金属窒化物薄膜、金属酸窒化膜薄膜、あるいは高分子樹脂膜を積層したものを利用してもよい。 The TFT 120 and the portion formed above the TFT 120 are supported by a support 111. The support is preferably excellent in mechanical strength and dimensional stability. As a material of the support 111, for example, a glass substrate or a quartz substrate can be used. Further, it may be a plastic film or sheet such as polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate. Metal oxide thin film, metal fluoride thin film, metal nitride thin film, metal oxynitride thin film, or polymer resin film for the purpose of preventing moisture from entering the organic light emitting medium layer in these plastic films and sheets You may utilize what laminated | stacked.
ゲート絶縁膜113としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2 、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2 等を用いることができる。 As the gate insulating film 113, a film normally used as a gate insulating film can be used. For example, SiO2 formed by PECVD, LPCVD, etc., SiO2 obtained by thermally oxidizing a polysilicon film, etc. Can be used.
ゲート電極114としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。 As the gate electrode 114, those normally used as the gate electrode can be used. For example, metals such as aluminum and copper, refractory metals such as titanium, tantalum and tungsten, polysilicon, silicide of refractory metals And polycide.
TFT120は、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。 The TFT 120 may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel.
薄膜トランジスタ(TFT)は、有機ELディスプレイパネルのスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極116と有機ELディスプレイパネルの画素電極(第一電極2)が電気的に接続されている。さらにトップエミッション構造をとるための画素電極は一般に光を反射する金属が用いられる必要がある。 The thin film transistor (TFT) needs to be connected so as to function as a switching element of the organic EL display panel, and the drain electrode 116 of the transistor and the pixel electrode (first electrode 2) of the organic EL display panel are electrically connected. Has been. Further, it is generally necessary to use a metal that reflects light as a pixel electrode for taking a top emission structure.
TFT120とドレイン電極116と有機ELディスプレイパネルの画素電極(第一電極2)との接続は、平坦化膜117を貫通するコンタクトホール118内に形成された接続配線を介して行われる。 The TFT 120, the drain electrode 116, and the pixel electrode (first electrode 2) of the organic EL display panel are connected through a connection wiring formed in a contact hole 118 that penetrates the planarization film 117.
平坦化膜117の材料についてはSiO2 、スピンオンガラス、SiN(Si3N4)、TaO(Ta2O5)等の無機材料、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フォトレジスト材料、ブラックマトリックス材料等の有機材料等を用いることができる。これらの材料に合わせてスピンコーティング、CVD、蒸着法等を選択できる。必要に応じて、平坦化層として感光性樹脂を用いフォトリソグラフィの手法により、あるいは一旦全面に平坦化層を形成後、下層のTFT120に対応した位置にドライエッチング、ウェットエッチング等でコンタクトホール118を形成する。コンタクトホールはその後導電性材料で埋めて平坦化層上層に形成される画素電極との導通を図る。平坦化層の厚みは下層のTFT、コンデンサ、配線等を覆うことができればよく、厚みは数μm、例えば3μm程度あればよい。 Regarding the material of the planarizing film 117, inorganic materials such as SiO 2 , spin-on glass, SiN (Si 3 N 4 ), TaO (Ta 2 O 5 ), organic materials such as polyimide resin, acrylic resin, photoresist material, and black matrix material are used. Materials and the like can be used. Spin coating, CVD, vapor deposition, etc. can be selected according to these materials. If necessary, contact holes 118 are formed by dry etching, wet etching, or the like at a position corresponding to the lower TFT 120 after photolithography using a photosensitive resin as a planarizing layer, or once the planarizing layer is formed on the entire surface. Form. The contact hole is then filled with a conductive material to establish conduction with the pixel electrode formed in the upper layer of the planarization layer. The thickness of the planarizing layer is not limited as long as it can cover the lower TFT, capacitor, wiring, etc., and the thickness may be several μm, for example, about 3 μm.
開口部画素は図3に示すように、周辺部を隔壁7で格子上に囲んだ矩形であり、短辺、長辺をそれぞれa,bとした時、a/bが0.95〜0.1の範囲である画素パターンを有することが好ましい。また前記基板の印刷方向と直行する隔壁7の高さが、0.5〜5μmであることが好ましい。基板の画素と版の凸部との接触が十分行き届くことができるからである。 As shown in FIG. 3, the aperture pixel is a rectangle whose peripheral portion is surrounded by a partition wall 7 on the lattice. When the short side and the long side are a and b, respectively, a / b is 0.95 to 0. It is preferable to have a pixel pattern that is in the range of 1. Moreover, it is preferable that the height of the partition wall 7 orthogonal to the printing direction of the substrate is 0.5 to 5 μm. This is because the contact between the pixel of the substrate and the convex portion of the plate can be sufficiently achieved.
<有機EL素子の形成方法>
次に、TFT基板1上に有機発光媒体層、陰極、封止層を形成し、有機EL素子を形成する方法について説明する。
<Method for forming organic EL element>
Next, a method for forming an organic EL element by forming an organic light emitting medium layer, a cathode, and a sealing layer on the TFT substrate 1 will be described.
本発明に用いられるTFT基板1は、各画素がポリイミドなどの絶縁材料からなる隔壁7によって仕切られており、よって画素電極(第一電極2)上で独立したマトリックス状の開口部を有することになる。本発明では、この開口部画素に対して、少なくとも一層の有機発光媒体層を、凸版印刷法を用いて形成する。 In the TFT substrate 1 used in the present invention, each pixel is partitioned by a partition 7 made of an insulating material such as polyimide, and thus has an independent matrix-like opening on the pixel electrode (first electrode 2). Become. In the present invention, at least one organic light emitting medium layer is formed on the opening pixel using a relief printing method.
本発明の有機EL素子の製造方法における特徴の一つは、図4に示したように、画素の長辺方向に順次有機層を印刷形成することである。これは、画素の長辺方向に沿って印刷することで、基板と版の接触時間をより長く持続させられることと、平板に版胴を回転させて印刷する場合、開口部の幅が長いほど版面と印刷面との距離が近づけられることから、良好な転写が行えるためである。つまり、50〜400ppiの範囲の高精細のディスプレイを作製するにあたって、凸版から画素へ均一に十分な量を転写するためには、版が転動し基板への接触する際、版の凸部と画素との接触時間と距離をある程度持続することで成り立つ。そのためには、印刷方向と平行に長辺を持つ矩形な画素の形状が最良であると考えられるのである。 One of the features of the method for producing an organic EL element of the present invention is that the organic layer is sequentially printed in the long side direction of the pixel as shown in FIG. This is because printing can be continued for a longer time by printing along the long side direction of the pixel, and when printing is performed by rotating the plate cylinder on a flat plate, the width of the opening is longer. This is because a good transfer can be performed because the distance between the printing plate and the printing surface can be reduced. In other words, in producing a high-definition display in the range of 50 to 400 ppi, in order to transfer a sufficient amount uniformly from the relief plate to the pixels, when the plate rolls and contacts the substrate, This is achieved by maintaining the contact time and distance with the pixel to some extent. For this purpose, the shape of a rectangular pixel having a long side parallel to the printing direction is considered to be the best.
さらに本発明では、図3(a)に示すように、上記マトリックス状の開口部画素に対して、ストライプ状の表面パターンを有する凸版でもって有機発光媒体層パターンを印刷形成することを特徴とする。隔壁を有しているため、その開口部にのみ有機層を形成することができ、かつ表面パターンがストライプ状であることから、位置合わせが容易である。特に、フルカラーの有機ELディスプレイを製造する場合には、有機発光層を各色画素に塗り分ける必要が生じるため、本発明の方法が有効である。 以上のような本発明の様態を示したのが図4である。 Furthermore, in the present invention, as shown in FIG. 3 (a), an organic light emitting medium layer pattern is printed and formed on the matrix-shaped opening pixel with a relief plate having a striped surface pattern. . Since the partition is included, the organic layer can be formed only in the opening, and the surface pattern is striped, so that the alignment is easy. In particular, when a full-color organic EL display is manufactured, the organic light-emitting layer needs to be separately applied to each color pixel, so that the method of the present invention is effective. FIG. 4 shows the above aspect of the present invention.
また、画素の短辺の幅aと、短辺方向での隔壁幅c、ストライプ状の凸版表面パターンの線幅xとしたとき、線幅xがa<x<a+cの関係となっていることが望ましい。線幅が印刷方向の画素幅よりも大きいことで、十分なインキ量が確保されるために画素領域全面に渡って均一なパターン形成が可能となる。また線幅が印刷方向の画素幅と印刷方向の隔壁幅の和よりも小さければ、図5(b)に示すように、(a)のように版と画素が完全に中央にアライメントされた場合はもちろん、(b)のように、隣り合う画素の一方に画素幅ぎりぎりまで版が寄った場合でも、隣り合う画素にインキが流入しないことから、位置合わせの許容度が広がり、アライメントが容易になる。 Further, when the width a of the short side of the pixel, the partition wall width c in the direction of the short side, and the line width x of the striped relief pattern, the line width x has a relationship of a <x <a + c. Is desirable. Since the line width is larger than the pixel width in the printing direction, a sufficient amount of ink is secured, so that a uniform pattern can be formed over the entire pixel area. If the line width is smaller than the sum of the pixel width in the printing direction and the partition wall width in the printing direction, as shown in FIG. 5B, the plate and the pixel are completely aligned at the center as shown in FIG. Needless to say, as shown in (b), even when the plate is shifted to the edge of one of the adjacent pixels, the ink does not flow into the adjacent pixels, so that the alignment tolerance is widened and alignment is easy. Become.
次に有機発光媒体層の形成方法について詳細に説明する。以下の説明では、特に発光層について上述の有機発光媒体層の形成方法を適用した場合を示すが、正孔輸送層、電子輸送層等、いずれの有機発光媒体層についても用いることが可能である。 Next, a method for forming the organic light emitting medium layer will be described in detail. In the following description, the case where the above-described method for forming an organic light-emitting medium layer is applied to a light-emitting layer is shown, but any organic light-emitting medium layer such as a hole transport layer or an electron transport layer can be used. .
図2に示したTFT基板1を用いて、まず正孔輸送層を形成する。正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVK)誘導体、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)等とポリスチレンスルホン酸(PSS)の混合物(PEDOT/PSS)が挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させて正孔輸送材料インキとし、スピンコート法で全面塗布して薄膜形成できる。 First, a hole transport layer is formed using the TFT substrate 1 shown in FIG. As the hole transport material for forming the hole transport layer, polyaniline derivatives, polythiophene derivatives, polyvinylcarbazole (PVK) derivatives, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) are used. A mixture (PEDOT / PSS) is mentioned. These materials can be dissolved or dispersed in a solvent to form a hole transport material ink, and can be applied to the entire surface by spin coating to form a thin film.
正孔輸送層形成後に、有機発光層を形成する。
有機発光層を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクドリン系、N,N’−ジアルキル置換キナクドリン系、ナフタルイミド系、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系等の発光性色素を、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリオレフィン系の高分子材料が挙げられる。これらの有機発光材料は溶媒に溶解または分散させて有機発光インキとすることができる。有機発光材料を溶解または分散させる溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独またはこれらの混合溶媒が挙げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。
After forming the hole transport layer, an organic light emitting layer is formed.
Organic light-emitting materials forming the organic light-emitting layer are, for example, coumarin-based, perylene-based, pyran-based, anthrone-based, porphyrene-based, quinacridin-based, N, N′-dialkyl-substituted quinacdolin-based, naphthalimide-based, N, N′-diaryl. Dispersed luminescent dyes such as substituted pyrrolopyrrole and iridium complexes in polymers such as polystyrene, polymethylmethacrylate, and polyvinylcarbazole, and polyarylene, polyarylene vinylene, and polyolefin polymer materials Is mentioned. These organic light emitting materials can be dissolved or dispersed in a solvent to obtain an organic light emitting ink. Examples of the solvent for dissolving or dispersing the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or a mixed solvent thereof. Among them, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable from the viewpoint of the solubility of the organic light emitting material.
有機発光層の形成方法は、水現像タイプの樹脂凸版(凸版)を用いて凸版印刷法で行うことができる。本発明における樹脂版を構成する水現像タイプの感光性樹脂としては、例えば親水性のポリマーと不飽和結合を含むモノマーいわゆる架橋性モノマー及び光重合開始剤を構成要素とするタイプが挙げられる。このタイプでは、親水性ポリマーとしてポリアミド、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体等が用いられる。また、架橋性モノマーとしては、例えばビニル結合を有するメタクリレート類が挙げられ、光重合開始剤としては例えば芳香族カルボニル化合物が挙げられる。中でも、印刷適正の面からポリアミド系の水現像タイプの感光性樹脂が好適である。 The organic light-emitting layer can be formed by a relief printing method using a water development type resin relief (letter plate). Examples of the water-developable photosensitive resin constituting the resin plate in the present invention include a type having a hydrophilic polymer and a monomer containing an unsaturated bond, a so-called crosslinkable monomer and a photopolymerization initiator as constituent elements. In this type, polyamide, polyvinyl alcohol, cellulose derivatives and the like are used as hydrophilic polymers. Examples of the crosslinkable monomer include methacrylates having a vinyl bond, and examples of the photopolymerization initiator include aromatic carbonyl compounds. Of these, a polyamide-based water-developable photosensitive resin is preferable from the viewpoint of printing suitability.
樹脂凸版に用いられる基材は凸部を形成する合成樹脂材料とは異なる材料で形成されている。基材としては、印刷に対する機械的強度を有すれば良く、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールなどの公知の合成樹脂、鉄や銅、アルミニウムといった公知の金属、またはそれらの積層体を用いることができる。なお、本発明に使用する樹脂凸版を構成する基材としては、樹脂部分の寸法変化を抑えるのに十分な剛性をもっていることと、基材自身も寸法変化しにくいことが要求される。また、有機発光インキに含まれる有機溶剤への耐性が高いものが望ましい。したがって、基材として用いられる材料としては金属材料が好適に使用される。また、金属からなる基材の中でも、加工性、経済性からスチール基材やアルミ基材が好適である。 The base material used for the resin relief printing plate is formed of a material different from the synthetic resin material forming the projections. As a substrate, it is sufficient to have mechanical strength for printing, and polyethylene, polystyrene, polybutadiene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polyethersulfone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone. A known synthetic resin such as polyvinyl alcohol, a known metal such as iron, copper, or aluminum, or a laminate thereof can be used. In addition, as a base material which comprises the resin relief printing plate used for this invention, it is requested | required that it should have sufficient rigidity to suppress the dimensional change of a resin part, and that a base material itself cannot change a dimension easily. Moreover, the thing with high tolerance with respect to the organic solvent contained in organic luminescent ink is desirable. Therefore, a metal material is preferably used as the material used as the substrate. Among the base materials made of metal, a steel base material and an aluminum base material are preferable from the viewpoint of processability and economy.
さらに、樹脂版が寸法変化を起こす要因として、温度変化による寸法変化が考えられるが、これについても基材自身が温度による寸法変化起こしにくいものであれば、版としての寸法変化も抑えることが可能であり、よって使用する基材としては熱膨張係数の小さいものが望ましい。基材に用いられる材料の熱膨張係数は、好ましくは2.0×10−5 /K以下であり、更に好ましくは、3.0×10−6 /K以下である。鉄等の金属は、熱膨張係数1.0×10−4 /K以上のポリエステルフィルムに比べると十分に低い熱膨張係数を示し、この点からも本発明の樹脂版の基材200として適する。ちなみに鉄の熱膨張係数は1.2×10−5 /Kである。さらに、鉄とニッケル系の合金は鉄よりも低い熱膨張率を示し、中でも鉄64%、ニッケル36%の比率の合金は、鉄や一般的な金属の10分の1以下の熱膨張率を示し、最も好適な合金である。 In addition, dimensional changes due to temperature changes can be considered as a factor causing dimensional changes in resin plates. However, if the substrate itself is less likely to cause dimensional changes due to temperature, it is also possible to suppress dimensional changes as plates. Therefore, it is desirable that the base material used has a small thermal expansion coefficient. The thermal expansion coefficient of the material used for the substrate is preferably 2.0 × 10 −5 / K or less, and more preferably 3.0 × 10 −6 / K or less. A metal such as iron exhibits a sufficiently low thermal expansion coefficient as compared with a polyester film having a thermal expansion coefficient of 1.0 × 10 −4 / K or more, and from this point, it is also suitable as the substrate 200 of the resin plate of the present invention. Incidentally, the thermal expansion coefficient of iron is 1.2 × 10 −5 / K. Furthermore, iron and nickel alloys exhibit a lower coefficient of thermal expansion than iron. Among them, alloys having a ratio of 64% iron and 36% nickel have a coefficient of thermal expansion less than one-tenth that of iron and general metals. The most preferred alloy shown.
有機発光インキに用いられる溶媒としては芳香族系の有機溶剤が好適に使用される。芳香族系の有機溶剤を代表するトルエンの溶解度パラメータ(以下、SP値)は8.9であり、キシレンのSP値は8.8である。対して、水溶性の樹脂材料であるポリアミド(ナイロン)のSP値は13.6、ポリビニルアルコールのSP値は12.6、セルロースのSP値は15.7であり、トルエン、キシレンのSP値と十分に離れていることから、これらの水溶性樹脂はトルエン、キシレンといった芳香族系の有機溶剤に対して十分な耐性を持っていることが分かる。 As the solvent used in the organic light emitting ink, an aromatic organic solvent is preferably used. The solubility parameter (hereinafter referred to as SP value) of toluene representing an aromatic organic solvent is 8.9, and the SP value of xylene is 8.8. In contrast, the SP value of polyamide (nylon) which is a water-soluble resin material is 13.6, the SP value of polyvinyl alcohol is 12.6, the SP value of cellulose is 15.7, and the SP values of toluene and xylene are It is clear that these water-soluble resins are sufficiently resistant to aromatic organic solvents such as toluene and xylene because they are sufficiently separated.
また加工が容易であることから樹脂材料としては感光性樹脂を用いることが望ましい。例えば、ポリマーと不飽和結合を含むモノマーと光重合開始材を構成要素とする感光性樹脂が挙げられる。このとき、ポリマーとしては、先ほど示した理由と同じく、水溶性であることが好ましく、ポリアミド、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体、アクリル樹脂を用いることができる。また、不飽和結合を含むモノマーとしては例えばビニル結合を有するメタクリレート類を用いることができ、光重合開始剤としては例えば芳香族カルボニル化合物を用いることができる。 Further, it is desirable to use a photosensitive resin as the resin material because it is easy to process. For example, the photosensitive resin which has a polymer and the monomer containing an unsaturated bond, and a photoinitiator as a component is mentioned. At this time, as the polymer, it is preferable that the polymer is water-soluble for the same reason as described above, and polyamide, polyvinyl alcohol, cellulose derivative, and acrylic resin can be used. Further, as the monomer containing an unsaturated bond, for example, methacrylates having a vinyl bond can be used, and as the photopolymerization initiator, for example, an aromatic carbonyl compound can be used.
また、本発明の樹脂凸版における、凸部の形成方法としてフォトリソグラフィ法以外に、レーザーアブレーション法や切削加工により凸部を形成することも可能である。 In addition to the photolithography method, the convex portion can be formed by laser ablation or cutting as a method for forming the convex portion in the resin relief printing plate of the present invention.
有機発光層の形成に用いる印刷機は、平板に印刷する方式の凸版印刷機であれば使用可能であるが、以下に示すような印刷機が望ましい。凸版印刷機は、インクタンクとインキチャンバーとアニロックスロールと樹脂凸版を取り付けした版胴を有している。インクタンクには、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバーにはインクタンクより有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロールは、インキチャンバーのインキ供給部及び版胴に接して回転するようになっている。 The printing machine used for forming the organic light emitting layer can be any letterpress printing machine that prints on a flat plate, but a printing machine as shown below is desirable. The letterpress printing machine has a plate cylinder on which an ink tank, an ink chamber, an anilox roll, and a resin letterpress are attached. The ink tank contains organic luminescent ink diluted with a solvent, and the organic luminescent ink is fed into the ink chamber from the ink tank. The anilox roll rotates in contact with the ink supply part of the ink chamber and the plate cylinder.
アニロックスロールの回転にともない、インキチャンバーから供給された有機発光インキはアニロクスロール表面に均一に保持されたあと、版胴に取り付けされた樹脂凸版の凸部に均一な膜厚で転移する。さらに、被印刷基板(TFT基板1)は摺動可能な基板固定台上に固定され樹脂凸版の凸部のパターンと被印刷基板のパターンの位置調整機構により、位置調整しながら印刷開始位置まで移動して、版胴の回転に合わせて樹脂凸版の凸部が被印刷基板に接しながらさらに移動し、ステージ上にある被印刷基板の所定位置にパターニングして有機発光インキを転移する。 As the anilox roll rotates, the organic light-emitting ink supplied from the ink chamber is uniformly held on the surface of the anilox roll, and then transferred to the convex portion of the resin relief plate attached to the plate cylinder with a uniform film thickness. Furthermore, the substrate to be printed (TFT substrate 1) is fixed on a slidable substrate fixing base and moved to the printing start position while adjusting the position by the pattern adjustment mechanism of the convex pattern of the resin relief plate and the pattern of the substrate to be printed. Then, in accordance with the rotation of the plate cylinder, the convex portion of the resin relief printing plate further moves while being in contact with the substrate to be printed, and the organic light emitting ink is transferred by patterning to a predetermined position on the substrate to be printed on the stage.
その際、版胴の転動方向と版のストライプ方向、また、画素の長辺方向は、平行である状態で印刷することで、画素との接触の時間と距離を進行方向にある程度持続することができ、画素内の膜厚の均一性と、パターンの全面の均一性を可能にする。 At that time, by printing in a state in which the rolling direction of the plate cylinder and the stripe direction of the plate, and the long side direction of the pixel are parallel, the time and distance of contact with the pixel are maintained in the traveling direction to some extent. This enables the uniformity of the film thickness within the pixel and the uniformity of the entire pattern surface.
図1に示すように、有機発光層(赤色(R)有機発光層41、緑色(G)有機発光層42、青色(B)有機発光層43)の形成後、陰極層(第二電極5)を形成する。
陰極層(第二電極5)の材料としては、有機発光層の発光特性に応じたものを使用でき、例えば、リチウム、マグネシウム、カルシウム、イッテルビウム、アルミニウム等の金属単体やこれらと金、銀などの安定な金属との合金などが挙げられる。また、インジウム、亜鉛、錫などの導電性酸化物を用いることもできる。陰極層(第二電極5)の形成方法としては、マスクを用いた真空蒸着法による形成方法が挙げられる。最後にこれらの有機EL構成体を、外部の酸素や水分から保護するために、ガラスキャップ8と接着剤9を用いて密封封止し、有機ELディスプレイパネルを得ることができる。
As shown in FIG. 1, after forming the organic light emitting layer (red (R) organic light emitting layer 41, green (G) organic light emitting layer 42, blue (B) organic light emitting layer 43), the cathode layer (second electrode 5). Form.
As a material for the cathode layer (second electrode 5), a material according to the light emitting characteristics of the organic light emitting layer can be used. For example, simple metals such as lithium, magnesium, calcium, ytterbium, aluminum, and these, gold, silver, etc. Examples include alloys with stable metals. Alternatively, a conductive oxide such as indium, zinc, or tin can be used. Examples of the method for forming the cathode layer (second electrode 5) include a method for forming by a vacuum vapor deposition method using a mask. Finally, in order to protect these organic EL constituents from external oxygen and moisture, a glass cap 8 and an adhesive 9 are hermetically sealed to obtain an organic EL display panel.
次に、本発明の実施例を説明する。
本実施例においては、既に画素電極(第一電極2)、取り出し電極、TFT回路を保護するためのSiNx膜からなる絶縁層およびポリイミドからなる絶縁層を備え、当該ポリイミドからなる絶縁層は画素を仕切るように形成されており、よって各画素の隔壁7としても機能するようなTFT基板1を用いて、その上に正孔輸送層3、発光層、陰極(第二電極5)を順次形成して、アクティブマトリックス方式の有機ELディスプレイパネルを作成した。
Next, examples of the present invention will be described.
In this embodiment, the pixel electrode (first electrode 2), the extraction electrode, an insulating layer made of SiNx film for protecting the TFT circuit, and an insulating layer made of polyimide are already provided. Using a TFT substrate 1 that is formed so as to partition, and thus also functions as a partition wall 7 of each pixel, a hole transport layer 3, a light emitting layer, and a cathode (second electrode 5) are sequentially formed thereon. Thus, an active matrix type organic EL display panel was prepared.
このとき、隔壁7で仕切られた画素開口部P1の底面は、a=30μm、b=120μmの長方形状であった。つまり画素の長辺と短辺の比率0.4であった。 At this time, the bottom surface of the pixel opening P1 partitioned by the partition walls 7 was a rectangular shape with a = 30 μm and b = 120 μm. That is, the ratio of the long side to the short side of the pixel was 0.4.
正孔輸送層3は、TFT基板1上にPEDOT/PSSの水分散液をスピンコート法で塗布して膜厚50nmの薄膜を得ることで形成した。発光層は有機発光材料であるポリフルオレン系のR材料、G材料、B材料をそれぞれ濃度1%になるようにトルエンに溶解させたR、G、B3色の有機発光インキを用い、凸版で、各画素にR、G、Bを塗り分けて、凸版印刷法で印刷した。このとき、発光層の印刷には水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。この版表面に対する発光材料インキの接触角は10度以下であった。
凸版を巻きつけた版胴をストライプ状の凸版画像形成部のストライプ方向に転動させて画素長辺と平行に印刷し、ストライプの凸部が画素形状の中央に転写させた。
The hole transport layer 3 was formed by applying a PEDOT / PSS aqueous dispersion on the TFT substrate 1 by spin coating to obtain a thin film having a thickness of 50 nm. The light emitting layer is an organic light emitting material made of polyfluorene-based R material, G material, and B material dissolved in toluene so as to have a concentration of 1%. R, G, and B were separately applied to each pixel and printed by the relief printing method. At this time, a water-developing type photosensitive resin plate was used for printing of the light emitting layer. The contact angle of the luminescent material ink with respect to the plate surface was 10 degrees or less.
The plate cylinder around which the relief plate was wound was rolled in the stripe direction of the stripe-like relief image forming portion and printed parallel to the long side of the pixel, and the convex portion of the stripe was transferred to the center of the pixel shape.
その上にCa、Alからなる陰極層(第二電極5)を抵抗加熱蒸着法により真空蒸着し
て形成した。最後にこれらの有機EL構成体を、外部の酸素や水分から保護するために、ガラスキャップ8と接着剤9を用いて密閉封止し、有機ELディスプレイ用素子パネルを作成した。
A cathode layer (second electrode 5) made of Ca and Al was formed thereon by vacuum vapor deposition using a resistance heating vapor deposition method. Finally, in order to protect these organic EL constituents from external oxygen and moisture, they were hermetically sealed using a glass cap 8 and an adhesive 9 to produce an organic EL display element panel.
得られたパネルの表示部の周縁部には、各画素電極に接続されている陽極側および陰極側それぞれの取り出し電極があり、これらのドライバーを介して駆動装置に接続することでパネルの点灯表示確認を行い、発光状態のチェックを行った。画素内の膜厚均一性も良く、パネル点灯もムラなく発光した。 At the peripheral part of the display part of the obtained panel, there are anode-side and cathode-side extraction electrodes connected to each pixel electrode, and the panel lighting display is made by connecting to the driving device through these drivers Confirmation was performed to check the light emission state. The film thickness within the pixel was good and the panel was lit evenly.
(比較例1)
操作方法は、実地例1と同様であるが、TFT基板の画素幅が、aが120μm bが30μmの場合。a/b=4 図4に示す。
(Comparative Example 1)
The operation method is the same as in practical example 1, but when the pixel width of the TFT substrate is 120 μm for a and 30 μm for b. a / b = 4 As shown in FIG.
(比較例2)
操作方法は、実施例1と同様であるが、TFT基板の隔壁が50μmの場合。
(Comparative Example 2)
The operating method is the same as in Example 1, but the partition of the TFT substrate is 50 μm.
<比較結果>
比較例1 基板に版の凸部が接触せず転写不可箇所があった。パネル点灯もムラが発生した。
比較例2 隔壁に乗り上げて基板へ版が接触せず転写不良。パネル点灯もムラが発生した。
<Comparison result>
Comparative example 1 The convex part of the plate was not in contact with the substrate, and there were places where transfer was impossible. The panel lighting was uneven.
Comparative Example 2 A transfer failure due to the plate not touching the substrate on the partition wall. The panel lighting was uneven.
1…TFT基板、2…陰極、3…正孔輸送層、5…陽極、7…隔壁、14a…有機発光インキ、41…赤色有機発光層、42…緑色有機発光層、43…青色有機発光層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TFT substrate, 2 ... Cathode, 3 ... Hole transport layer, 5 ... Anode, 7 ... Partition, 14a ... Organic luminescent ink, 41 ... Red organic luminescent layer, 42 ... Green organic luminescent layer, 43 ... Blue organic luminescent layer
Claims (5)
画素の周辺を隔壁で格子上に囲んだ基板の画素領域が長辺と短辺を有する矩形であり、少なくとも一層の有機発光媒体層を、凸版を配置した版胴を回転させ、前記画素領域の長辺方向に順次印刷形成することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。 A method of manufacturing an organic electroluminescent element in which an organic light emitting medium layer is formed in an opening of a partition wall,
The pixel region of the substrate, in which the periphery of the pixel is surrounded by a partition on a lattice, is a rectangle having a long side and a short side, and at least one organic light emitting medium layer is rotated by rotating a plate cylinder on which a relief plate is disposed. A method for producing an organic electroluminescent element, comprising sequentially printing in the long side direction.
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JP2007271096A JP2009099440A (en) | 2007-10-18 | 2007-10-18 | Manufacturing method of organic electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007271096A JP2009099440A (en) | 2007-10-18 | 2007-10-18 | Manufacturing method of organic electroluminescent element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009099440A true JP2009099440A (en) | 2009-05-07 |
Family
ID=40702251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007271096A Pending JP2009099440A (en) | 2007-10-18 | 2007-10-18 | Manufacturing method of organic electroluminescent element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009099440A (en) |
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