JP2009088079A - Substrate treatment device, two-fluid nozzle, and liquid droplet supply method - Google Patents

Substrate treatment device, two-fluid nozzle, and liquid droplet supply method Download PDF

Info

Publication number
JP2009088079A
JP2009088079A JP2007253337A JP2007253337A JP2009088079A JP 2009088079 A JP2009088079 A JP 2009088079A JP 2007253337 A JP2007253337 A JP 2007253337A JP 2007253337 A JP2007253337 A JP 2007253337A JP 2009088079 A JP2009088079 A JP 2009088079A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
gas
discharge port
substrate
gas discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007253337A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4986793B2 (en
Inventor
Takayoshi Tanaka
孝佳 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2007253337A priority Critical patent/JP4986793B2/en
Publication of JP2009088079A publication Critical patent/JP2009088079A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4986793B2 publication Critical patent/JP4986793B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the atomization of the liquid droplets in a liquid droplet supply method for supplying liquid droplets of pure water formed with the collision of the pure water with nitrogen gas, a two-fluid nozzle for supplying the liquid droplets, and a substrate treatment device for applying substrate treatment with the liquid droplets supplied to a substrate. <P>SOLUTION: The pure water is discharged from a liquid discharge port 342 and the nitrogen gas is discharged from gas discharge ports 341, 343 provided in the form of holding the liquid discharge port 342 therebetween, to form the liquid droplets of the pure water with the collision of the pure water with the nitrogen gas. The nitrogen gas is discharged into a liquid flow of the pure water via two different passages so as to be held therebetween, to operate shearing force on the pure water. Additionally, the nitrogen gas is discharged perpendicularly to the liquid flow of the pure water even in both gas discharge passages, therefore further increasing the shearing force. As a result, the fine liquid droplets are formed. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、液体と気体とを衝突させて液体の液滴を形成して供給する液滴供給方法、液滴を供給する二流体ノズルおよび液滴を基板に供給して基板処理を施す基板処理装置に関するものである。なお、基板は、例えば半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display;電界放出ディスプレイ)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板(以下、単に「基板」という)を意味する。   The present invention relates to a droplet supply method for forming and supplying liquid droplets by colliding a liquid and a gas, a two-fluid nozzle for supplying droplets, and a substrate process for supplying a droplet to a substrate to perform substrate processing It relates to the device. The substrate may be, for example, a semiconductor wafer, a photomask glass substrate, a liquid crystal display glass substrate, a plasma display glass substrate, an FED (Field Emission Display) substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, an optical substrate It refers to various substrates such as magnetic disk substrates (hereinafter simply referred to as “substrates”).

半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板表面を清浄な状態に保つ必要がある。そこで、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる(特許文献1参照)。この特許文献1に記載の発明では、処理液(液体)に気体を衝突させて生成した処理液の液滴を基板に供給する二流体ノズルを備えている。この二流体ノズルはいわゆる外部混合方式の二流体ノズルであり、該二流体ノズルの先端部には円形の液体吐出口のまわりに環状の気体吐出口が形成されている。そして、二流体ノズルは液体吐出口から吐出された処理液に気体吐出口から吐出された気体を衝突させることで処理液の液滴を生成し、該液滴を基板に供給している。これにより、基板表面に付着しているパーティクル(微小汚物)が基板から除去され基板の洗浄処理が行われる。   The manufacturing process of an electronic component such as a semiconductor device or a liquid crystal display device includes a step of repeatedly forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of the substrate. Here, in order to perform fine processing well, it is necessary to keep the substrate surface clean. Therefore, a substrate cleaning process is performed as necessary (see Patent Document 1). The invention described in Patent Document 1 includes a two-fluid nozzle that supplies droplets of a processing liquid generated by collision of a gas to a processing liquid (liquid) to a substrate. This two-fluid nozzle is a so-called external mixing type two-fluid nozzle, and an annular gas discharge port is formed around a circular liquid discharge port at the tip of the two-fluid nozzle. The two-fluid nozzle generates a droplet of the processing liquid by causing the gas discharged from the gas discharge port to collide with the processing liquid discharged from the liquid discharge port, and supplies the droplet to the substrate. Thereby, the particles (fine dirt) adhering to the substrate surface are removed from the substrate, and the substrate is cleaned.

ところで、二流体ノズルを用いた洗浄処理では、次の技術事項が知られている。その技術事項とは、基板に供給される液体の液滴の数(以下、単に「液滴数」という)が多いほど、パーティクルが基板から除去される割合(以下「除去率」という)が向上することである。したがって、この知見に基づけば、液体の微粒化による液滴数の増加によって除去率を向上させることが可能である。そこで、液体の微粒化効率を高めるために、次のような二流体ノズルが提案されている。例えば、特許文献2に記載の二流体ノズルでは、液体および気体をそれぞれ環状吐出口(全体として2重の環状吐出口)から吐出させている。これにより、液体を薄膜状に吐出させて液体の微粒化効率を高めている。   By the way, the following technical matters are known in the cleaning process using a two-fluid nozzle. The technical matter is that as the number of liquid droplets supplied to the substrate (hereinafter simply referred to as “droplet number”) increases, the rate at which particles are removed from the substrate (hereinafter referred to as “removal rate”) increases. It is to be. Therefore, based on this knowledge, it is possible to improve the removal rate by increasing the number of droplets by atomizing the liquid. Therefore, in order to increase the liquid atomization efficiency, the following two-fluid nozzle has been proposed. For example, in the two-fluid nozzle described in Patent Document 2, liquid and gas are each discharged from an annular discharge port (a double annular discharge port as a whole). Thereby, the liquid is atomized to increase the atomization efficiency of the liquid.

また、特許文献3に記載の二流体ノズルでは、ノズル中心に形成された中心空気流路のまわりに環状の液体流路(中間環状流路)が形成されている。また、環状の液体流路の外側に環状の外側空気流路(外側環状流路)が形成されている。そして、環状の液体流路からの水(液体)が中心空気流路から噴出される空気(気体)と衝突した後、環状の外側空気流路からの空気と衝突して二流体ノズルの先端部に設けられた開口より液滴が噴射される。   In the two-fluid nozzle described in Patent Document 3, an annular liquid channel (intermediate annular channel) is formed around a central air channel formed at the center of the nozzle. An annular outer air channel (outer annular channel) is formed outside the annular liquid channel. Then, after the water (liquid) from the annular liquid channel collides with the air (gas) ejected from the central air channel, it collides with the air from the annular outer air channel and the tip of the two-fluid nozzle A droplet is ejected from an opening provided in the.

特開2004−349501号公報(図2)JP 2004-349501 A (FIG. 2) 特開2005−288390号公報(図2)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-288390 (FIG. 2) 特許第3382573号(図2)Japanese Patent No. 3382573 (FIG. 2)

上記したように従来技術では、液体および気体の吐出態様を工夫することで液滴の微細化を図っている。しかしながら、近年、基板の表面に形成される配線パターンなどは微細化され、その結果、従来技術を越える液滴の微粒化が求められている。   As described above, in the prior art, droplets are miniaturized by devising a liquid and gas discharge mode. However, in recent years, wiring patterns and the like formed on the surface of a substrate have been miniaturized, and as a result, there has been a demand for atomization of droplets that exceeds the prior art.

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、液体と気体とを衝突させて液体の液滴を形成して供給する液滴供給方法、液滴を供給する二流体ノズルおよび液滴を基板に供給して基板処理を施す基板処理装置において、液滴の微粒化を高めることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, a droplet supply method for forming and supplying liquid droplets by colliding liquid and gas, a two-fluid nozzle for supplying droplets, and a droplet on a substrate An object of the present invention is to increase atomization of droplets in a substrate processing apparatus that supplies and performs substrate processing.

この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に液滴を供給する二流体ノズルとを備え、二流体ノズルは、液体を液体吐出口から基板に向けて吐出する液体吐出部と、液体吐出口を挟み込むように設けられ、液体吐出口から吐出された液体に気体を衝突させて液滴を形成する第1および第2気体吐出部とを有し、第1および第2気体吐出部の少なくとも一方は液体吐出口から吐出された液体の液流れに対して直角に気体を吐出することを特徴としている。   In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a substrate holding unit that holds a substrate, and a two-fluid nozzle that supplies droplets to the substrate held by the substrate holding unit. A liquid discharge unit that discharges liquid from the liquid discharge port toward the substrate; and a liquid discharge unit that is provided so as to sandwich the liquid discharge port, and that forms liquid droplets by colliding gas with the liquid discharged from the liquid discharge port And a second gas discharge unit, wherein at least one of the first and second gas discharge units discharges the gas at right angles to the liquid flow of the liquid discharged from the liquid discharge port.

また、この発明にかかる二流体ノズルは、液滴を供給する二流体ノズルであって、上記目的を達成するため、液体を液体吐出口から液滴供給方向に吐出する液体吐出部と、液体吐出口を挟み込むように設けられ、液体吐出口から吐出された液体に気体を衝突させて液滴を形成する第1および第2気体吐出部とを備え、第1および第2気体吐出部の少なくとも一方は液体吐出口から吐出された液体の液流れに対して直角に気体を吐出することを特徴としている。   The two-fluid nozzle according to the present invention is a two-fluid nozzle that supplies liquid droplets, and in order to achieve the above object, a liquid discharge section that discharges liquid from the liquid discharge port in the liquid droplet supply direction; At least one of the first and second gas discharge units, which is provided so as to sandwich the outlet, and includes a first gas discharge unit and a second gas discharge unit that form liquid droplets by colliding gas with the liquid discharged from the liquid discharge port Is characterized in that gas is discharged at right angles to the liquid flow of the liquid discharged from the liquid discharge port.

また、この発明にかかる液滴供給方法は、液体に気体を衝突させて形成した液体の液滴を所定方向に供給する液滴供給方法であって、上記目的を達成するため、液体を液滴供給方向に吐出する第1工程と、互いに異なる2つの気体吐出経路で、かつ液滴供給方向に吐出される液体を挟み込むように、気体を吐出することによって液体の液滴を形成する第2工程とを備え、第2工程では、2つの気体吐出経路の少なくとも一方では気体が液体の液流れに対して直角に吐出されることを特徴としている。   The droplet supply method according to the present invention is a droplet supply method for supplying a liquid droplet formed by colliding a gas with a liquid in a predetermined direction. A first step of discharging in the supply direction and a second step of forming liquid droplets by discharging gas so as to sandwich the liquid discharged in two different gas discharge paths and in the droplet supply direction In the second step, at least one of the two gas discharge paths is characterized in that gas is discharged at right angles to the liquid flow of the liquid.

このように構成された発明(基板処理装置、二流体ノズルおよび液滴供給方法)では、液体が所定方向に吐出されるとともに、この液体を挟み込むように互いに異なる2つの経路で気体が吐出され、液体と気体との衝突によって液体の液滴が形成される。このように互いに異なる2経路で気体が液体の液流れに吐出されて液体に対してせん断力が作用する。しかも、2つの気体経路の少なくとも一方では気体が液体の液流れに対して直角に吐出されるため、上記せん断力がさらに高められる。その結果、微細な液滴を形成することが可能となっている。   In the invention thus configured (substrate processing apparatus, two-fluid nozzle and droplet supply method), the liquid is discharged in a predetermined direction, and gas is discharged through two different paths so as to sandwich the liquid, Liquid droplets are formed by the collision between the liquid and the gas. In this way, gas is discharged into the liquid flow of the liquid through two different paths, and a shearing force acts on the liquid. In addition, since the gas is discharged at right angles to the liquid flow of the liquid in at least one of the two gas paths, the shear force is further increased. As a result, fine droplets can be formed.

ここで、液滴の微粒化と密接に関連するせん断力を高めるためには、二流体ノズルを構成する第1および第2気体吐出部がともに液体吐出口から吐出された液体の液流れに対して直角に気体を吐出するように構成するのが望ましい。   Here, in order to increase the shearing force closely related to the atomization of the liquid droplets, the first and second gas discharge portions constituting the two-fluid nozzle both respond to the liquid flow of the liquid discharged from the liquid discharge port. It is desirable that the gas is discharged at a right angle.

また、二流体ノズルにおいて、気体を吐出する第1および第2気体吐出口ならびに液体吐出口を環状に形成してもよく、第1気体吐出口を環状液体吐出口の内側に設ける一方、第2気体吐出口を環状液体吐出口の外側に設けてもよい。例えば第1気体吐出口、液体吐出口および第2気体吐出口を同心円状に配置してもよい。このように液体吐出口を環状に形成することで液体吐出口のスリット径を小さくすることができ、液滴化が容易となる。また、液体吐出口を内側および外側から環状の気体吐出口で挟み込んでいるため、液体吐出口から吐出された液体を均一に液滴化することができ、液滴の均一化を図ることができる。   In the two-fluid nozzle, the first and second gas discharge ports and the liquid discharge port for discharging gas may be formed in an annular shape, and the first gas discharge port is provided inside the annular liquid discharge port, while the second The gas discharge port may be provided outside the annular liquid discharge port. For example, the first gas outlet, the liquid outlet, and the second gas outlet may be arranged concentrically. Thus, by forming the liquid discharge port in an annular shape, the slit diameter of the liquid discharge port can be reduced, and droplet formation is facilitated. Further, since the liquid discharge port is sandwiched between the inside and the outside by the annular gas discharge port, the liquid discharged from the liquid discharge port can be uniformly formed into droplets, and the droplets can be made uniform. .

また、環状液体吐出口の内側に位置する第1気体吐出口から吐出される気体を液流れに対して直角に吐出させる場合、第1気体吐出部を次のように構成してもよい。すなわち、第1気体吐出部が、液体吐出口からの液体の吐出方向と平行に気体を第1気体吐出口に案内する第1気体流路と、第1気体流路と直交するように第1気体吐出口に対向して設けられて第1気体吐出口から吐出された気体を第1気体流路と直交する全方位に案内する第1ガイド部材とを有するように構成することができる。   Further, when the gas discharged from the first gas discharge port located inside the annular liquid discharge port is discharged at a right angle to the liquid flow, the first gas discharge unit may be configured as follows. That is, the first gas discharge section is configured to be orthogonal to the first gas flow path and the first gas flow path for guiding the gas to the first gas discharge opening in parallel with the liquid discharge direction from the liquid discharge opening. It can comprise so that it may have a 1st guide member provided facing a gas discharge port, and guides the gas discharged from the 1st gas discharge port to all the directions orthogonal to a 1st gas flow path.

一方、環状液体吐出口の外側に位置する第2気体吐出口から吐出される気体を液流れに対して直角に吐出させる場合、第2気体吐出部を次のように構成してもよい。すなわち、第2気体吐出部が、第2気体吐出口から吐出された気体の流れを液体の液流れに対して直交する方向に変更しながら気体を液流れに案内する第2ガイド部材を有するように構成することができる。   On the other hand, when the gas discharged from the second gas discharge port located outside the annular liquid discharge port is discharged at right angles to the liquid flow, the second gas discharge unit may be configured as follows. That is, the second gas discharge unit has a second guide member that guides the gas to the liquid flow while changing the flow of the gas discharged from the second gas discharge port in a direction orthogonal to the liquid flow of the liquid. Can be configured.

さらに、液体吐出部が液体吐出口を複数個有するように構成してもよい。これによって、液体吐出口から吐出された時点で液体が複数に分離されており、液滴の微粒化に好適である。   Further, the liquid discharge unit may be configured to have a plurality of liquid discharge ports. As a result, the liquid is separated into a plurality of liquids when discharged from the liquid discharge port, which is suitable for atomizing the droplets.

<基板処理システム>
図1はこの発明にかかる基板処理装置の一実施形態を装備した基板処理システムを示す平面レイアウト図である。基板処理システムは、半導体ウエハ等の基板Wに付着したパーティクルや各種金属不純物などの汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理システムである。この基板処理システムは、基板処理部PSと、この基板処理部PSに結合されたインデクサ部IDとを備えている。インデクサ部IDは、複数枚の基板Wを収納したカセットC(複数の基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、OC(Open Cassette)など)から処理を行うべき基板Wを1枚ずつ搬出するとともに処理を終えた基板Wを再度カセットC内に搬入するためのインデクサロボット11を備えている。各カセットCは、複数枚の基板Wを微小な間隔をあけて上下方向に積層して保持するための複数段の棚(図示省略)を備えており、各段の棚に1枚ずつ基板Wを保持することができるようになっている。各段の棚は、基板Wの下面の周縁部に接触し、基板Wを下方から保持する構成となっており、基板Wはほぼ水平な姿勢でカセットCに収容されている。
<Substrate processing system>
FIG. 1 is a plan layout view showing a substrate processing system equipped with an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing system is a single-wafer type substrate processing system used for cleaning processing for removing contaminants such as particles and various metal impurities attached to a substrate W such as a semiconductor wafer. The substrate processing system includes a substrate processing unit PS and an indexer unit ID coupled to the substrate processing unit PS. The indexer unit ID includes a cassette C that stores a plurality of substrates W (a FOUP (Front Opening Unified Pod) that accommodates a plurality of substrates W in a sealed state, a SMIF (Standard Mechanical Interface Face) pod, an OC (Open Cassette), etc. The indexer robot 11 is provided for unloading the substrates W to be processed one by one and loading the processed substrates W into the cassette C again. Each cassette C is provided with a plurality of shelves (not shown) for stacking and holding a plurality of substrates W in the vertical direction with minute intervals, and one substrate W is placed on each shelf. Can be held. Each shelf is in contact with the peripheral edge of the lower surface of the substrate W to hold the substrate W from below, and the substrate W is accommodated in the cassette C in a substantially horizontal posture.

基板処理部PSは、平面視においてほぼ中央に配置された基板搬送ロボット12と、この基板搬送ロボット12が取付けられたフレーム100とを有している。また、このフレーム100には、基板搬送ロボット12を取り囲むように、複数個(この実施形態では4個)の基板処理装置10が設けられている。これらの基板処理装置10は後述するように同一構成を有しており、二流体ノズルから吐出される噴霧状の洗浄液(液滴)により基板洗浄を行う。   The substrate processing unit PS has a substrate transfer robot 12 disposed substantially in the center in plan view, and a frame 100 to which the substrate transfer robot 12 is attached. The frame 100 is provided with a plurality (four in this embodiment) of substrate processing apparatuses 10 so as to surround the substrate transfer robot 12. As will be described later, these substrate processing apparatuses 10 have the same configuration, and perform substrate cleaning with a spray-like cleaning liquid (droplets) discharged from a two-fluid nozzle.

基板搬送ロボット12は、4個の基板処理装置10に対して基板Wを搬送することが可能となっている。また、基板搬送ロボット12はインデクサ部IDに配置されたインデクサロボット11から未処理の基板Wを受け取るとともに、インデクサロボット11に処理済の基板Wを受け渡すように動作する。このため、未処理の基板Wはインデクサロボット11および基板搬送ロボット12によって基板処理装置10のいずれかに搬入されて当該基板処理装置10による基板洗浄処理を受け、また洗浄処理済の基板Wは基板搬送ロボット12によって基板処理装置10から搬出された後にインデクサロボット11を介してカセットCに戻される。   The substrate transfer robot 12 can transfer the substrate W to the four substrate processing apparatuses 10. The substrate transport robot 12 operates to receive the unprocessed substrate W from the indexer robot 11 arranged in the indexer unit ID and to deliver the processed substrate W to the indexer robot 11. For this reason, the unprocessed substrate W is carried into one of the substrate processing apparatuses 10 by the indexer robot 11 and the substrate transport robot 12 and subjected to the substrate cleaning process by the substrate processing apparatus 10, and the cleaned substrate W is a substrate. After being unloaded from the substrate processing apparatus 10 by the transfer robot 12, it is returned to the cassette C via the indexer robot 11.

<基板処理装置>
図2はこの発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す側面概要図である。この基板処理装置10は、基板を回転可能に支持するスピンチャック111と、このスピンチャック111に支持された基板Wの周囲に昇降可能に配設された洗浄液の飛散防止用カップ112と、スピンチャック111に支持された基板Wに液体と気体とが混合した噴霧状の洗浄液を供給する二流体ノズル301と、二流体ノズル301を基板Wの表面に沿って移動させる移動機構200とを備える。
<Substrate processing equipment>
FIG. 2 is a schematic side view showing an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 10 includes a spin chuck 111 that rotatably supports a substrate, a cup 112 for preventing the scattering of cleaning liquid that can be moved up and down around the substrate W supported by the spin chuck 111, and a spin chuck. A two-fluid nozzle 301 that supplies a spray-like cleaning liquid in which a liquid and a gas are mixed to the substrate W supported by 111, and a moving mechanism 200 that moves the two-fluid nozzle 301 along the surface of the substrate W are provided.

スピンチャック111は、モータ121の駆動により鉛直方向を向く軸を中心に回転する構成となっている。またスピンチャック111には、基台120上に複数の支持ピン122が本発明の「基板保持手段」として設けられて基板Wを保持可能となっている。そして、この基板Wの表面に沿って二流体ノズル301が移動機構200により水平移動する。   The spin chuck 111 is configured to rotate around an axis oriented in the vertical direction by driving a motor 121. The spin chuck 111 is provided with a plurality of support pins 122 on the base 120 as the “substrate holding means” of the present invention so that the substrate W can be held. Then, the two-fluid nozzle 301 is moved horizontally along the surface of the substrate W by the moving mechanism 200.

移動機構200は、二流体ノズル301を支持する支持アーム202と、支持アーム202を軸203周りに回動させる駆動部とを有している。すなわち、スピンチャック111の上方位置で二流体ノズル301が支持アーム202の先端部に支持されている。また、支持アーム202の基端部は軸203の上端に一体回転可能に連結されている。そして、正逆回転可能なモータ204が制御部150からの信号に応じて作動することで支持アーム202が軸203周りに回動する。これにより、二流体ノズル301は、飛散防止用カップ112の側方の待機位置と、スピンチャック111に保持された基板W上との間で水平移動する。   The moving mechanism 200 includes a support arm 202 that supports the two-fluid nozzle 301 and a drive unit that rotates the support arm 202 around an axis 203. That is, the two-fluid nozzle 301 is supported by the tip of the support arm 202 at a position above the spin chuck 111. Further, the base end portion of the support arm 202 is connected to the upper end of the shaft 203 so as to be integrally rotatable. Then, the support arm 202 rotates around the shaft 203 when the motor 204 capable of forward and reverse rotation operates in response to a signal from the control unit 150. As a result, the two-fluid nozzle 301 moves horizontally between the standby position on the side of the anti-scattering cup 112 and the substrate W held by the spin chuck 111.

ここで、基板Wに対する二流体ノズル301の配設状態は任意であるが、基板Wへの液滴の供給方向が基板Wの表面の法線方向とほぼ一致するように、二流体ノズル301を配置してもよい。そして、このような配置姿勢を保ったまま、移動機構200は二流体ノズル301を基板Wの表面とほぼ平行に相対移動させてもよい。これによって、二流体ノズル301からの液滴を基板Wの表面に対して所定の液滴供給状態で供給することができ、基板Wの表面全体を均一に処理することができる。なお、二流体ノズル301の構成および動作については後で詳述する。   Here, the arrangement state of the two-fluid nozzle 301 with respect to the substrate W is arbitrary, but the two-fluid nozzle 301 is set so that the supply direction of the droplets to the substrate W is substantially coincident with the normal direction of the surface of the substrate W. You may arrange. The moving mechanism 200 may move the two-fluid nozzle 301 relatively in parallel with the surface of the substrate W while maintaining such an arrangement posture. Thereby, the droplets from the two-fluid nozzle 301 can be supplied to the surface of the substrate W in a predetermined droplet supply state, and the entire surface of the substrate W can be processed uniformly. The configuration and operation of the two-fluid nozzle 301 will be described in detail later.

モータ204には、ロータリエンコーダ205が付設されている。このロータリエンコーダ205は、例えば、軸203周りの回転に伴う支持アーム202の絶対角度θを監視するための情報を制御部150に出力する。また、支持アーム202の絶対角度θと、基板W上における二流体ノズル301の位置とは相互に対応するため、支持アーム202の絶対角度θを監視することによって基板洗浄中における二流体ノズル301の位置を監視することができる。   A rotary encoder 205 is attached to the motor 204. The rotary encoder 205 outputs information for monitoring the absolute angle θ of the support arm 202 accompanying rotation around the axis 203 to the control unit 150, for example. In addition, since the absolute angle θ of the support arm 202 and the position of the two-fluid nozzle 301 on the substrate W correspond to each other, the absolute angle θ of the support arm 202 is monitored so that the two-fluid nozzle 301 is cleaned during substrate cleaning. The position can be monitored.

上述したモータ204とロータリエンコーダ205は昇降ベース206上に支持されている。この昇降ベース206は鉛直方向を向くガイド軸207に摺動自在に嵌め付けられているとともに、ガイド軸207に並設されているボールネジ208に螺合されている。このボールネジ208は昇降モータ209の回転軸に連動連結されている。なお、昇降モータ209の回転量はロータリエンコーダ211によって検出される。二流体ノズル301が基板Wの上方にあたる洗浄位置にある際に昇降モータ209を駆動すると、二流体ノズル301が昇降されて、基板W面からの二流体ノズル301の吐出孔の高さが調節される。これにより、二流体ノズル301と基板Wとの間隔が規定される。   The motor 204 and the rotary encoder 205 described above are supported on a lift base 206. The elevating base 206 is slidably fitted to a guide shaft 207 that faces in the vertical direction, and is screwed to a ball screw 208 that is provided in parallel with the guide shaft 207. The ball screw 208 is linked to the rotation shaft of the lifting motor 209. The amount of rotation of the lifting motor 209 is detected by the rotary encoder 211. When the lifting / lowering motor 209 is driven when the two-fluid nozzle 301 is at the cleaning position above the substrate W, the two-fluid nozzle 301 is lifted and the height of the discharge hole of the two-fluid nozzle 301 from the surface of the substrate W is adjusted. The Thereby, the space | interval of the two-fluid nozzle 301 and the board | substrate W is prescribed | regulated.

移動機構200は昇降モータ209により二流体ノズル301と基板Wとの間隔を所定の間隔(例えば6mm)に規定した状態でモータ204の駆動により二流体ノズル301を基板Wに対して水平移動させる。このように二流体ノズル301を基板Wの表面上で移動させることによって、基板Wの表面各部に安定した状態で液滴(噴霧状の洗浄液)を供給することができ、基板Wの表面を良好に洗浄することができる。   The moving mechanism 200 horizontally moves the two-fluid nozzle 301 with respect to the substrate W by driving the motor 204 in a state where the distance between the two-fluid nozzle 301 and the substrate W is regulated to a predetermined interval (for example, 6 mm) by the lifting motor 209. By moving the two-fluid nozzle 301 on the surface of the substrate W in this way, droplets (a spray-like cleaning liquid) can be supplied in a stable state to each part of the surface of the substrate W, and the surface of the substrate W is excellent. Can be washed.

二流体ノズル301は、気体としての窒素ガスを導入する配管302と、液体としての純水を供給する配管311とが連通接続された二流体ノズルを構成する。配管302は窒素ガス供給部303に接続されている。また、この配管302には、そこを流通する空気の圧力を制御部150から入力された制御信号に対応する圧力に調整する電空レギュレータ304と、そこを流通する空気の圧力を検出する圧力センサ305と、そこを流通する空気の流量を検出する流量センサ306とが配設されている。なお、窒素ガスの代わりに他の不活性ガスや空気を使用してもよい。   The two-fluid nozzle 301 constitutes a two-fluid nozzle in which a pipe 302 for introducing nitrogen gas as a gas and a pipe 311 for supplying pure water as a liquid are connected in communication. The pipe 302 is connected to the nitrogen gas supply unit 303. The pipe 302 includes an electropneumatic regulator 304 that adjusts the pressure of air flowing therethrough to a pressure corresponding to the control signal input from the control unit 150, and a pressure sensor that detects the pressure of air flowing therethrough. 305 and a flow rate sensor 306 for detecting the flow rate of air flowing therethrough are provided. Note that other inert gas or air may be used instead of nitrogen gas.

また、配管311は、DIW(deionized water:脱イオン水)などの純水の供給源として機能する純水供給部307に接続されている。また、この配管311には、そこを流通する純水の圧力を制御部150から入力された制御信号に対応する圧力に調整する電空レギュレータ308と、そこを流通する純水の圧力を検出する圧力センサ309と、そこを流通する純水の流量を検出する流量センサ310とが配設されている。なお、純水の代わりに超純水や薬液等を使用してもよい。   The pipe 311 is connected to a pure water supply unit 307 that functions as a supply source of pure water such as DIW (deionized water). The pipe 311 detects the pressure of pure water flowing through the electropneumatic regulator 308 for adjusting the pressure of pure water flowing therethrough to a pressure corresponding to the control signal input from the control unit 150. A pressure sensor 309 and a flow rate sensor 310 for detecting the flow rate of pure water flowing therethrough are disposed. Note that ultrapure water or chemicals may be used instead of pure water.

<二流体ノズルの構成>
図3は二流体ノズルの内部構造を模式的に示す図である。同図(a)は二流体ノズルの縦断面図であり、同図(b)は同図(a)のA−A線断面図であり、同図(c)は二流体ノズルの部分拡大図である。二流体ノズル301は、外径寸法が互いに異なる3種類の筒状部材、つまり外径寸法が大きい順に「外筒321」、「中間筒322」および「内筒323」を有している。
<Configuration of two-fluid nozzle>
FIG. 3 is a diagram schematically showing the internal structure of the two-fluid nozzle. (A) is a longitudinal sectional view of the two-fluid nozzle, (b) is a sectional view taken along line AA of (a), and (c) is a partially enlarged view of the two-fluid nozzle. It is. The two-fluid nozzle 301 has three types of cylindrical members having different outer diameters, that is, an “outer cylinder 321”, an “intermediate cylinder 322”, and an “inner cylinder 323” in order of increasing outer diameter.

これらのうち外筒321には、基端部(上方端部)の内径が先端部(下方端部)のそれよりも大きい貫通孔が形成されている。これにより外筒321の貫通孔に段差部が形成されている。また、外筒321の中空形状に対応する外径寸法で中間筒322が設けられている。より具体的には、中間筒322の基端部(上方端部)の外径が外筒321の基端部内径とほぼ同一に仕上げられるとともに、中間筒322の先端部(下方端部)の外径が外筒321の先端部内径よりも若干小さく仕上げられている。こうして、中間筒322の外側面に段差部が形成されている。そして、中間筒322が外筒321の基端部側から挿入され、中間筒322の段差部が外筒321の貫通孔に形成された段差部に係合して位置決めされるとともに、その段差部の上方側で外筒321と中間筒322とが相互に固定される。このようにして外筒321に対して中間筒322が位置決め固定されると、外筒321の先端側と中間筒322の先端部との間に環状の気体流路331が形成されるとともに、気体流路331の先端(下端)が円環状で且つスリット状に開口した気体吐出口343となっている。   Among these, the outer cylinder 321 is formed with a through hole in which the inner diameter of the base end (upper end) is larger than that of the distal end (lower end). Thereby, a step portion is formed in the through hole of the outer cylinder 321. An intermediate cylinder 322 is provided with an outer diameter corresponding to the hollow shape of the outer cylinder 321. More specifically, the outer diameter of the base end portion (upper end portion) of the intermediate cylinder 322 is finished to be substantially the same as the inner diameter of the base end portion of the outer cylinder 321, and the distal end portion (lower end portion) of the intermediate cylinder 322 is finished. The outer diameter is finished slightly smaller than the inner diameter of the tip of the outer cylinder 321. Thus, a step portion is formed on the outer surface of the intermediate cylinder 322. Then, the intermediate cylinder 322 is inserted from the base end side of the outer cylinder 321, and the step portion of the intermediate cylinder 322 is positioned by engaging with the step portion formed in the through hole of the outer cylinder 321. The outer cylinder 321 and the intermediate cylinder 322 are fixed to each other on the upper side. When the intermediate cylinder 322 is positioned and fixed with respect to the outer cylinder 321 in this way, an annular gas flow path 331 is formed between the distal end side of the outer cylinder 321 and the distal end portion of the intermediate cylinder 322, and the gas A front end (lower end) of the flow path 331 is an annular gas discharge port 343 that is opened in a slit shape.

この中間筒322にも外筒321と同様の形状を有する貫通孔が設けられている。すなわち、中間筒322には、基端部(上方端部)の内径が先端部(下方端部)のそれよりも大きい貫通孔が形成されている。これにより中間筒322の貫通孔に段差部が形成されている。また、中間筒322の中空形状に対応する外径寸法で内筒323が設けられている。より具体的には、内筒323の基端部(上方端部)の外径が中間筒322の基端部内径とほぼ同一に仕上げられるとともに、内筒323の先端部(下方端部)の外径が中間筒322の先端部内径よりも若干小さく仕上げられている。こうして、内筒323の外側面に段差部が形成されている。そして、内筒323が中間筒322の基端部側から挿入され、内筒323の段差部が中間筒322の貫通孔に形成された段差部に係合して位置決めされるとともに、その段差部の上方側で中間筒322と内筒323とが相互に固定される。このようにして中間筒322に対して内筒323が位置決め固定されると、中間筒322の先端側と内筒323の先端部との間に環状の液体流路332が形成されるとともに、液体流路332の先端(下端)が円環状で且つスリット状に開口した液体吐出口342となっている。   The intermediate cylinder 322 is also provided with a through hole having the same shape as the outer cylinder 321. In other words, the intermediate cylinder 322 is formed with a through hole in which the inner diameter of the base end (upper end) is larger than that of the distal end (lower end). Thereby, a step portion is formed in the through hole of the intermediate cylinder 322. In addition, an inner cylinder 323 is provided with an outer diameter corresponding to the hollow shape of the intermediate cylinder 322. More specifically, the outer diameter of the base end portion (upper end portion) of the inner cylinder 323 is finished to be substantially the same as the inner diameter of the base end portion of the intermediate cylinder 322, and the tip end portion (lower end portion) of the inner cylinder 323 is finished. The outer diameter is finished slightly smaller than the inner diameter of the tip of the intermediate cylinder 322. Thus, a step portion is formed on the outer surface of the inner cylinder 323. Then, the inner cylinder 323 is inserted from the base end side of the intermediate cylinder 322, and the stepped portion of the inner cylinder 323 is positioned by engaging with the stepped portion formed in the through hole of the intermediate cylinder 322. The intermediate cylinder 322 and the inner cylinder 323 are fixed to each other on the upper side. When the inner cylinder 323 is positioned and fixed with respect to the intermediate cylinder 322 in this way, an annular liquid channel 332 is formed between the distal end side of the intermediate cylinder 322 and the distal end portion of the inner cylinder 323, and the liquid The front end (lower end) of the flow path 332 is a liquid discharge port 342 that is annular and has a slit shape.

この内筒323にも外筒321および中間筒322と同様の形状を有する貫通孔が設けられている。すなわち、内筒323には、基端部(上方端部)の内径が先端部(下方端部)のそれよりも大きい貫通孔が形成されている。これにより内筒323の貫通孔に段差部が形成されている。また、内筒323の中空形状に対応する外径寸法でセンターシャフト324が設けられている。より具体的には、センターシャフト324の基端部(上方端部)の外径が内筒323の基端部内径とほぼ同一に仕上げられるとともに、センターシャフト324の先端部(下方端部)の外径が内筒323の先端部内径よりも若干小さく仕上げられている。こうして、センターシャフト324の外側面に段差部が形成されている。そして、センターシャフト324が内筒323の基端部側から挿入され、センターシャフト324の段差部が内筒323の貫通孔に形成された段差部に係合して位置決めされるとともに、その段差部の上方側でセンターシャフト324と内筒323とが相互に固定される。このようにして内筒323に対してセンターシャフト324が位置決め固定されると、センターシャフト324の先端側と内筒323の先端部との間に環状の気体流路333が形成されるとともに、気体流路333の先端(下端)が円環状で且つスリット状に開口した気体吐出口341となっている。   The inner cylinder 323 is also provided with a through hole having the same shape as the outer cylinder 321 and the intermediate cylinder 322. That is, the inner cylinder 323 is formed with a through hole in which the inner diameter of the base end (upper end) is larger than that of the distal end (lower end). Accordingly, a step portion is formed in the through hole of the inner cylinder 323. A center shaft 324 is provided with an outer diameter corresponding to the hollow shape of the inner cylinder 323. More specifically, the outer diameter of the base end portion (upper end portion) of the center shaft 324 is finished to be substantially the same as the inner diameter of the base end portion of the inner cylinder 323, and the tip end portion (lower end portion) of the center shaft 324 is finished. The outer diameter is finished slightly smaller than the inner diameter of the tip of the inner cylinder 323. Thus, a step portion is formed on the outer surface of the center shaft 324. The center shaft 324 is inserted from the base end side of the inner cylinder 323, and the stepped portion of the center shaft 324 is engaged and positioned with the stepped portion formed in the through hole of the inner cylinder 323, and the stepped portion The center shaft 324 and the inner cylinder 323 are fixed to each other on the upper side. When the center shaft 324 is positioned and fixed with respect to the inner cylinder 323 in this way, an annular gas flow path 333 is formed between the distal end side of the center shaft 324 and the distal end portion of the inner cylinder 323, and the gas The front end (lower end) of the flow path 333 is an annular gas discharge port 341 that is open in a slit shape.

これら3つの筒状部材のうち中間筒322の側面中央部には、液体導入ポート352が設けられている。そして、この液体導入ポート352を介して液体流路332が純水供給部307と接続されている。したがって、純水供給部307から二流体ノズル301に純水が圧送されると、液体導入ポート352を介して液体流路332を流れ込み、液体吐出口342から支持ピン122に保持された基板Wに向けて吐出される。この吐出方向Xが本発明の「液体の吐出方向」や「液滴供給方向」に相当している。   A liquid introduction port 352 is provided at the center of the side surface of the intermediate cylinder 322 among these three cylindrical members. The liquid channel 332 is connected to the pure water supply unit 307 through the liquid introduction port 352. Accordingly, when pure water is pumped from the pure water supply unit 307 to the two-fluid nozzle 301, it flows through the liquid flow path 332 via the liquid introduction port 352, and passes from the liquid discharge port 342 to the substrate W held by the support pins 122. It is discharged toward. This discharge direction X corresponds to the “liquid discharge direction” and “droplet supply direction” of the present invention.

残りの筒状部材、つまり外筒321および内筒323の側面中央部には、ガス導入ポート351、353が設けられている。そして、ガス導入ポート351、353を介して気体流路331、333が窒素ガス供給部303と接続されている。したがって、窒素ガス供給部303から二流体ノズル301に窒素ガスが圧送されると、ガス導入ポート351、353を介して気体流路331、333を流れ込む。そして、純水の吐出方向(図3の上下方向)Xと平行に窒素ガスが気体吐出口341、343に圧送され、各気体吐出口341、343から吐出される。   Gas introduction ports 351 and 353 are provided at the center of the side surfaces of the remaining cylindrical members, that is, the outer cylinder 321 and the inner cylinder 323. Gas flow paths 331 and 333 are connected to the nitrogen gas supply unit 303 via gas introduction ports 351 and 353. Therefore, when nitrogen gas is pumped from the nitrogen gas supply unit 303 to the two-fluid nozzle 301, it flows into the gas flow paths 331 and 333 via the gas introduction ports 351 and 353. Then, nitrogen gas is pumped to the gas discharge ports 341 and 343 in parallel with the pure water discharge direction (vertical direction in FIG. 3) X and discharged from the gas discharge ports 341 and 343.

このように、本実施形態では、1つの環状液体吐出口342と、2つの環状気体吐出口341、343を有しているが、その配置関係は次のようなものとなっている。すなわち、図3(b)に示すように、環状液体吐出口342の内側に環状気体吐出口341が配置されるとともに、環状液体吐出口342の外側に環状気体吐出口343が配置されている。換言すると、2つの環状気体吐出口341、343は環状液体吐出口342を挟み込むように設けられている。したがって、気体吐出口341が本発明の「第1気体吐出口」に相当し、気体吐出口343が本発明の「第2気体吐出口」に相当する。   As described above, in the present embodiment, one annular liquid discharge port 342 and two annular gas discharge ports 341 and 343 are provided, and the arrangement relationship is as follows. That is, as shown in FIG. 3B, the annular gas discharge port 341 is disposed inside the annular liquid discharge port 342, and the annular gas discharge port 343 is disposed outside the annular liquid discharge port 342. In other words, the two annular gas discharge ports 341 and 343 are provided so as to sandwich the annular liquid discharge port 342. Therefore, the gas discharge port 341 corresponds to the “first gas discharge port” of the present invention, and the gas discharge port 343 corresponds to the “second gas discharge port” of the present invention.

さらに、この実施形態では、各吐出口341、342、343の近傍にガイド部材361、362が設けられている。同図(c)に示すように、ガイド部材361は内筒323の外径よりも若干小さな外径を有する円盤部位361aを有し、その円盤部位361aの上面中央部から上方に連結部位361bが突設されている。そして、連結部位361bがセンターシャフト324の先端部と当接するとともに円盤部位361aの上面周縁部が内筒323の先端部から下方に隙間を空けた状態でボルト371によりガイド部材361がセンターシャフト324に固定されている。このため、円盤部位361aの上面周縁部が気体流路333に対して直交しながら気体吐出口341に対向している。したがって、気体吐出口341から吐出された窒素ガスは気体流路333と直交する全方位(図3(b)における紙面全体)に案内されて液体吐出口342から吐出された純水の液流れに対して直角に吐出する。   Furthermore, in this embodiment, guide members 361 and 362 are provided in the vicinity of the discharge ports 341, 342, and 343. As shown in FIG. 6C, the guide member 361 has a disk part 361a having an outer diameter slightly smaller than the outer diameter of the inner cylinder 323, and a connecting part 361b is formed upward from the center of the upper surface of the disk part 361a. Projected. The guide member 361 is moved to the center shaft 324 by the bolt 371 in a state where the connecting portion 361b abuts on the tip portion of the center shaft 324 and the upper surface peripheral portion of the disc portion 361a is spaced downward from the tip portion of the inner cylinder 323. It is fixed. For this reason, the peripheral edge of the upper surface of the disk portion 361 a faces the gas discharge port 341 while being orthogonal to the gas flow path 333. Therefore, the nitrogen gas discharged from the gas discharge port 341 is guided in all directions orthogonal to the gas flow path 333 (the entire paper surface in FIG. 3B) and flows into the pure water flow discharged from the liquid discharge port 342. It discharges at right angles to it.

もう一方のガイド部材362は外筒321と同一外径を有する円環部材であり、その内径は中間筒322の貫通孔よりも若干広くなっている。このガイド部材362の上面外周縁部362aは外筒321の先端部と係合する形状に仕上げられている。そして、同図(c)に示すように、上面外周縁部362aが外筒321の先端部と当接するとともにガイド部材362の上面内周縁部362bが中間筒322の先端部から下方に隙間を空けた状態でボルト372によりガイド部材362が外筒321に固定されている。このため、ガイド部材362の上面内周縁部362bが気体流路33に対して直交しながら気体吐出口343に対向している。したがって、気体吐出口343から吐出された窒素ガスは気体流路333と直交し、しかも液体吐出口342から吐出された純水の液流れに向かう方位に案内されて純水の液流れに対して直角に吐出する。なお、本実施形態では、ガイド部材361、362をボルト371、372によりセンターシャフト324,外筒321に取り付けているが、取付方式や取付態様はこれに限定されるものではない。例えばガイド部材362と外筒321を一体的に成形してもよい。   The other guide member 362 is an annular member having the same outer diameter as the outer cylinder 321, and its inner diameter is slightly wider than the through hole of the intermediate cylinder 322. The upper peripheral edge 362 a of the guide member 362 is finished to have a shape that engages with the tip of the outer cylinder 321. Then, as shown in FIG. 5C, the upper surface outer peripheral edge 362a abuts on the tip of the outer cylinder 321 and the upper inner peripheral edge 362b of the guide member 362 has a gap downward from the tip of the intermediate cylinder 322. In this state, the guide member 362 is fixed to the outer cylinder 321 with a bolt 372. Therefore, the inner peripheral edge 362 b of the upper surface of the guide member 362 faces the gas discharge port 343 while being orthogonal to the gas flow path 33. Therefore, the nitrogen gas discharged from the gas discharge port 343 is guided perpendicularly to the gas flow path 333 and directed in the direction toward the liquid flow of pure water discharged from the liquid discharge port 342, so that Dispense at a right angle. In this embodiment, the guide members 361 and 362 are attached to the center shaft 324 and the outer cylinder 321 by bolts 371 and 372, but the attachment method and the attachment manner are not limited to this. For example, the guide member 362 and the outer cylinder 321 may be integrally formed.

このように純水の液流れに対して窒素ガスが吐出され、純水と窒素ガスとの衝突によって純水の液滴が形成される。そして、ガイド部材361、362の環状の隙間381から液滴が基板Wに向けて供給される。   Thus, nitrogen gas is discharged with respect to the liquid flow of pure water, and droplets of pure water are formed by the collision of pure water and nitrogen gas. Then, droplets are supplied toward the substrate W from the annular gap 381 between the guide members 361 and 362.

以上のように、この実施形態によれば、純水が所定の液滴供給方向に吐出されるとともに、この純水を挟み込むように互いに異なる2つの経路、つまり図3(c)の1点鎖線で示す2つの気体吐出経路で窒素ガスが吐出され、純水と窒素ガスとの衝突によって純水の液滴が形成される。このように互いに異なる2経路で、しかも挟み込むように窒素ガスが純水の液流れに吐出されて純水に対してせん断力が作用する。しかも、この実施形態では、2つの気体吐出経路のいずれにおいても、窒素ガスが純水の液流れに対して直角に吐出されるため、上記せん断力がさらに高められる。その結果、微細な液滴が形成され、該液滴により基板Wに対して洗浄処理を行うため、基板Wに対してダメージを与えることなく、優れた除去率で基板洗浄を良好に行うことができる。   As described above, according to this embodiment, pure water is ejected in a predetermined droplet supply direction, and two different paths so as to sandwich the pure water, that is, a one-dot chain line in FIG. Nitrogen gas is discharged through the two gas discharge paths shown in FIG. 5 and pure water droplets are formed by collision of pure water and nitrogen gas. Thus, nitrogen gas is discharged into the liquid flow of pure water so as to be sandwiched between two different paths, and a shearing force acts on the pure water. In addition, in this embodiment, since the nitrogen gas is discharged at right angles to the liquid flow of pure water in any of the two gas discharge paths, the shear force is further increased. As a result, fine droplets are formed, and the substrate W is cleaned by the droplets, so that the substrate W can be satisfactorily cleaned with an excellent removal rate without damaging the substrate W. it can.

また、窒素ガスが純水の液流れに対して直角に吐出されるため、液体吐出口342の直近で液滴形成が行われる。そして、こうして形成された液滴を直ちに基板Wに供給することができる。したがって、二流体ノズルと基板Wとの距離を近づけることができ、基板Wへのダメージを大幅に抑制することができる。   Further, since nitrogen gas is discharged at right angles to the liquid flow of pure water, droplet formation is performed in the immediate vicinity of the liquid discharge port 342. The droplets thus formed can be immediately supplied to the substrate W. Therefore, the distance between the two-fluid nozzle and the substrate W can be reduced, and damage to the substrate W can be significantly suppressed.

なお、本実施形態では、中間筒322および内筒323により純水を液体吐出口342から液滴供給方向Xに吐出させる「液体吐出部」が構成されている。また、液体吐出口342の内側に本発明の「第1気体吐出部」が設けられている。この実施形態では、内筒323、センターシャフト324およびガイド部材361により第1気体吐出部が構成されており、ガイド部材361が本発明の「第1ガイド部材」に相当している。さらに、液体吐出口342の外側に本発明の「第2気体吐出部」が設けられている。この実施形態では、外筒321、内筒323およびガイド部材362により第2気体吐出部が構成されており、ガイド部材362が本発明の「第2ガイド部材」に相当している。   In this embodiment, the intermediate cylinder 322 and the inner cylinder 323 constitute a “liquid ejection unit” that ejects pure water from the liquid ejection port 342 in the droplet supply direction X. Further, the “first gas discharge unit” of the present invention is provided inside the liquid discharge port 342. In this embodiment, the inner cylinder 323, the center shaft 324, and the guide member 361 constitute a first gas discharge portion, and the guide member 361 corresponds to the “first guide member” of the present invention. Furthermore, the “second gas discharge portion” of the present invention is provided outside the liquid discharge port 342. In this embodiment, the outer cylinder 321, the inner cylinder 323, and the guide member 362 constitute a second gas discharge portion, and the guide member 362 corresponds to the “second guide member” of the present invention.

ここで、上記実施形態による液滴の微粒化効果を検証するために、次のような実験を行った。すなわち、上記実施形態にかかる二流体ノズル301として、液体吐出口342の開口幅(スリット幅)を0.1mmに設定する一方、気体吐出口341、343の開口幅(スリット幅)を0.3mmに設定したものを準備した。また、比較例として、純水(液体)への窒素ガスの吐出角α(図4参照)が30゜である点を除き、実施形態と同一構成の二流体ノズルを準備した。そして、表1に示すように、窒素ガスの流量(気体流量)と純水の流量(液体流量)を種々に設定しながら、各設定条件での液滴平均速度、ザウター平均径、算術平均径をLavision社製のSizingMasterを用いて測定した。それらの結果を同表にまとめている。また、液滴平均速度とザウター平均径との関係をグラフにプロットしている(図4参照)。   Here, in order to verify the effect of atomizing the droplets according to the above embodiment, the following experiment was performed. That is, as the two-fluid nozzle 301 according to the above embodiment, the opening width (slit width) of the liquid discharge port 342 is set to 0.1 mm, while the opening widths (slit width) of the gas discharge ports 341 and 343 are set to 0.3 mm. We prepared what was set to. As a comparative example, a two-fluid nozzle having the same configuration as that of the embodiment was prepared except that the discharge angle α (see FIG. 4) of nitrogen gas into pure water (liquid) was 30 °. Then, as shown in Table 1, while variously setting the flow rate of nitrogen gas (gas flow rate) and the flow rate of pure water (liquid flow rate), the droplet average speed, the Sauter average diameter, the arithmetic average diameter under each setting condition Was measured using a SizingMaster manufactured by Lavision. The results are summarized in the same table. Further, the relationship between the average droplet velocity and the average Sauter diameter is plotted on a graph (see FIG. 4).

Figure 2009088079
Figure 2009088079

同表および図4から明らかなように、液流れに対して直交、つまり吐出角αを90゜に設定することによって液滴を微粒化することができる。また、直交吐出により、液滴平均速度が比較的遅くなるように液体流量や気体流量を設定したとしても、液滴を十分に微粒化することができる。このように液滴平均速度を抑制することは基板Wのダメージ抑制を図る上で好適であり、ダメージ抑制を達成しながらも液滴の微粒化によってパーティクル除去率を高めることができるという優れた作用効果が得られる。   As is apparent from the table and FIG. 4, the droplets can be atomized by setting the orthogonal to the liquid flow, that is, by setting the discharge angle α to 90 °. Further, even if the liquid flow rate and the gas flow rate are set so that the average droplet speed becomes relatively slow by orthogonal ejection, the droplets can be sufficiently atomized. In this way, suppressing the average droplet speed is suitable for suppressing damage to the substrate W, and has an excellent effect that the particle removal rate can be increased by atomizing droplets while achieving damage suppression. An effect is obtained.

このような作用効果は吐出角αを80゜程度まで変更した場合にも得られることが検証されており、本願における「液体の液流れに対して直角」とは、吐出角αが80゜〜90゜の範囲を意味している。   It has been verified that such an effect can be obtained even when the discharge angle α is changed to about 80 °. In the present application, “perpendicular to the liquid flow of liquid” means that the discharge angle α is 80 ° to It means the range of 90 °.

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、2つの気体吐出経路のいずれにおいても、純水の液流れに対して窒素ガスを直角に吐出しているが、いずれか一方のみにおいて直角吐出させるように構成してもよい。例えば図5に示すように、液体吐出口342を挟み込むように第1および第2気体吐出部を設けながらも、液体吐出口342の外側に設けられた第2気体吐出部のみが液体吐出口342から吐出された純水の液流れに対して窒素ガスを直角に吐出させている。逆に、図6に示す実施形態では、液体吐出口342の内側に設けられた第1気体吐出部のみが液体吐出口342から吐出された純水の液流れに対して窒素ガスを直角に吐出させている。これらの構成を採用した二流体ノズル301においても、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, nitrogen gas is discharged at a right angle to the liquid flow of pure water in either of the two gas discharge paths, but it may be configured to discharge at a right angle in only one of them. Good. For example, as shown in FIG. 5, the first and second gas discharge portions are provided so as to sandwich the liquid discharge port 342, but only the second gas discharge portion provided outside the liquid discharge port 342 is the liquid discharge port 342. Nitrogen gas is discharged at right angles to the liquid flow of pure water discharged from the nozzle. Conversely, in the embodiment shown in FIG. 6, only the first gas discharge portion provided inside the liquid discharge port 342 discharges nitrogen gas at a right angle with respect to the liquid flow of pure water discharged from the liquid discharge port 342. I am letting. Also in the two-fluid nozzle 301 adopting these configurations, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.

また、上記実施形態では、第1気体吐出部の気体流路331と、第2気体吐出部の気体流路333とが配管302に接続されて同一流量の窒素ガスが供給されるように構成されているが、異なる流量の窒素ガスを供給するように構成してもよい。この場合、各気体吐出部に供給される窒素ガスをコントロールすることで隙間381から供給される液滴の供給特性(例えば液滴の広がり方、液滴平均速度など)を調整することができる。   Moreover, in the said embodiment, the gas flow path 331 of a 1st gas discharge part and the gas flow path 333 of a 2nd gas discharge part are connected to the piping 302, and it is comprised so that the nitrogen gas of the same flow volume may be supplied. However, it may be configured to supply nitrogen gas at different flow rates. In this case, the supply characteristics of the droplets supplied from the gap 381 (for example, how the droplets spread and the average droplet velocity) can be adjusted by controlling the nitrogen gas supplied to each gas discharge unit.

また、上記実施形態では、1つの液体吐出口342から純水を吐出させているが、液体吐出部が液体吐出口を複数個有するように構成してもよい。これによって、液体吐出口から吐出された時点で液体が複数に分離されており、液滴の微粒化に好適である。   In the above embodiment, pure water is discharged from one liquid discharge port 342, but the liquid discharge unit may be configured to have a plurality of liquid discharge ports. As a result, the liquid is separated into a plurality of liquids when discharged from the liquid discharge port, which is suitable for atomizing the droplets.

また、上記実施形態では、純水による基板洗浄を行う基板処理装置に本発明を適用しているが、二流体ノズルを用いて基板に液滴を供給して所定の基板処理を施す基板処理装置全般に本発明を適用することができる。さらに、本発明にかかる二流体ノズルおよび液滴供給方法については、上記したように基板処理装置に適用するのが好適であるが、その適用対象はこれに限定されるものではなく、液体に気体を衝突させて形成した液体の液滴を所定方向に供給する二流体ノズルおよび液滴供給方法全般に適用することができる。   In the above embodiment, the present invention is applied to a substrate processing apparatus that cleans a substrate with pure water. However, a substrate processing apparatus that performs predetermined substrate processing by supplying droplets to a substrate using a two-fluid nozzle. The present invention can be generally applied. Furthermore, the two-fluid nozzle and the droplet supply method according to the present invention are preferably applied to the substrate processing apparatus as described above, but the application target is not limited to this, and the liquid is gas. The present invention can be applied to a two-fluid nozzle that supplies liquid droplets formed by colliding with each other in a predetermined direction and a droplet supply method in general.

この発明は、液体と気体とを衝突させて液体の液滴を形成して供給する液滴供給方法および液滴を供給する二流体ノズルに適用することができる。また、液滴供給方法や二流体ノズルを用いて基板に液体の液滴を供給して所定の基板処理を施す基板処理装置に適用することができる。   The present invention can be applied to a droplet supply method and a two-fluid nozzle that supplies droplets by forming a droplet of liquid by colliding the liquid and gas and supplying the droplet. Further, the present invention can be applied to a substrate processing apparatus that supplies a liquid droplet to a substrate using a droplet supply method or a two-fluid nozzle to perform a predetermined substrate processing.

この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を装備した基板処理システムを示す平面レイアウト図である。1 is a plan layout view showing a substrate processing system equipped with an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す側面概要図である。It is a side surface schematic diagram showing one embodiment of a substrate processing device concerning this invention. 二流体ノズルの内部構造を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the internal structure of a two-fluid nozzle. 図3の二流体ノズルによる作用効果を示すグラフである。It is a graph which shows the effect by the two fluid nozzle of FIG. この発明にかかる二流体ノズルの他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of the two-fluid nozzle concerning this invention. この発明にかかる二流体ノズルの別の実施形態を示す図である。It is a figure which shows another embodiment of the two-fluid nozzle concerning this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…基板処理装置
122…支持ピン(基板保持手段)
301…二流体ノズル
321…外筒
322…中間筒
323…内筒
324…センターシャフト
331…第1気体流路
332…液体流路
333…第2気体流路
341…第1気体吐出口
342…液体吐出口
343…第2気体吐出口
361…第1ガイド部材
362…第2ガイド部材
W…基板
X…純水の吐出方向(液滴吐出方向、液滴供給方向)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Substrate processing apparatus 122 ... Support pin (substrate holding means)
301 ... Two-fluid nozzle 321 ... Outer cylinder 322 ... Intermediate cylinder 323 ... Inner cylinder 324 ... Center shaft 331 ... First gas channel 332 ... Liquid channel 333 ... Second gas channel 341 ... First gas outlet 342 ... Liquid Discharge port 343 ... 2nd gas discharge port 361 ... 1st guide member 362 ... 2nd guide member W ... Substrate X ... Discharge direction (droplet discharge direction, droplet supply direction) of pure water

Claims (14)

基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に液滴を供給する二流体ノズルとを備え、
前記二流体ノズルは、
液体を液体吐出口から前記基板に向けて吐出する液体吐出部と、
前記液体吐出口を挟み込むように設けられ、前記液体吐出口から吐出された液体に気体を衝突させて前記液滴を形成する第1および第2気体吐出部とを有し、
前記第1および第2気体吐出部の少なくとも一方は前記液体吐出口から吐出された前記液体の液流れに対して直角に前記気体を吐出する
ことを特徴とする基板処理装置。
Substrate holding means for holding the substrate;
A two-fluid nozzle for supplying droplets to the substrate held by the substrate holding means,
The two-fluid nozzle is
A liquid ejection unit that ejects liquid from a liquid ejection port toward the substrate;
A first and a second gas discharge unit that are provided so as to sandwich the liquid discharge port and form a liquid droplet by colliding a gas with the liquid discharged from the liquid discharge port;
At least one of the first and second gas discharge units discharges the gas at right angles to the liquid flow of the liquid discharged from the liquid discharge port.
前記第1および第2気体吐出部はともに前記液体吐出口から吐出された前記液体の液流れに対して直角に前記気体を吐出する請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein both the first and second gas discharge units discharge the gas at a right angle to the liquid flow of the liquid discharged from the liquid discharge port. 前記第1気体吐出部は前記気体を吐出する第1気体吐出口を有し、前記第2気体吐出部は前記気体を吐出する第2気体吐出口を有しており、
前記基板保持手段に保持された基板側から見た、前記第1および第2気体吐出口ならびに前記液体吐出口の形状は環状であり、
前記第1気体吐出口は前記環状液体吐出口の内側に設けられる一方、前記第2気体吐出口は前記環状液体吐出口の外側に設けられている請求項1または2記載の基板処理装置。
The first gas discharge unit has a first gas discharge port for discharging the gas, and the second gas discharge unit has a second gas discharge port for discharging the gas,
The shapes of the first and second gas discharge ports and the liquid discharge port as viewed from the substrate side held by the substrate holding means are annular,
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first gas discharge port is provided inside the annular liquid discharge port, and the second gas discharge port is provided outside the annular liquid discharge port.
前記第1気体吐出部は、前記液体吐出口からの前記液体の吐出方向と平行に気体を前記第1気体吐出口に案内する第1気体流路と、前記第1気体流路と直交するように前記第1気体吐出口に対向して設けられて前記第1気体吐出口から吐出された気体を前記第1気体流路と直交する全方位に案内する第1ガイド部材とを有する請求項3記載の基板処理装置。   The first gas discharge part is orthogonal to the first gas flow path, and a first gas flow path for guiding gas to the first gas discharge opening in parallel with the liquid discharge direction from the liquid discharge opening. And a first guide member that is provided opposite to the first gas discharge port and guides the gas discharged from the first gas discharge port in all directions orthogonal to the first gas flow path. The substrate processing apparatus as described. 前記第2気体吐出部は、前記第2気体吐出口から吐出された気体の流れを前記液体の液流れに対して直交する方向に変更しながら前記気体を前記液流れに案内する第2ガイド部材を有する請求項3または4記載の基板処理装置。   The second gas discharge unit guides the gas to the liquid flow while changing the flow of the gas discharged from the second gas discharge port in a direction orthogonal to the liquid flow of the liquid. The substrate processing apparatus of Claim 3 or 4 which has these. 前記液体吐出部は前記液体吐出口を複数個有している請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid discharge unit includes a plurality of the liquid discharge ports. 液滴を供給する二流体ノズルにおいて、
液体を液体吐出口から液滴供給方向に吐出する液体吐出部と、
前記液体吐出口を挟み込むように設けられ、前記液体吐出口から吐出された液体に気体を衝突させて前記液滴を形成する第1および第2気体吐出部とを備え、
前記第1および第2気体吐出部の少なくとも一方は前記液体吐出口から吐出された前記液体の液流れに対して直角に前記気体を吐出する
ことを特徴とする二流体ノズル。
In a two-fluid nozzle that supplies droplets,
A liquid ejection unit that ejects liquid from the liquid ejection port in the droplet supply direction;
A first and a second gas discharge unit provided so as to sandwich the liquid discharge port, and forming a droplet by causing a gas to collide with the liquid discharged from the liquid discharge port;
At least one of the first and second gas discharge portions discharges the gas at a right angle to the liquid flow of the liquid discharged from the liquid discharge port.
前記第1および第2気体吐出部はともに前記液体吐出口から吐出された前記液体の液流れに対して直角に前記気体を吐出する請求項7記載の二流体ノズル。   The two-fluid nozzle according to claim 7, wherein both the first and second gas discharge units discharge the gas at a right angle to the liquid flow of the liquid discharged from the liquid discharge port. 前記第1気体吐出部は前記気体を吐出する第1気体吐出口を有し、前記第2気体吐出部は前記気体を吐出する第2気体吐出口を有しており、
前記液滴供給方向の下流側から上流側を見た、前記第1および第2気体吐出口ならびに前記液体吐出口の形状は環状であり、
前記第1気体吐出口は前記環状液体吐出口の内側に設けられる一方、前記第2気体吐出口は前記環状液体吐出口の外側に設けられている請求項7または8記載の二流体ノズル。
The first gas discharge unit has a first gas discharge port for discharging the gas, and the second gas discharge unit has a second gas discharge port for discharging the gas,
The shape of the first and second gas discharge ports and the liquid discharge port as viewed from the downstream side in the droplet supply direction is annular,
The two-fluid nozzle according to claim 7 or 8, wherein the first gas discharge port is provided inside the annular liquid discharge port, and the second gas discharge port is provided outside the annular liquid discharge port.
前記第1気体吐出部は、前記液滴供給方向と平行に気体を前記第1気体吐出口に案内する第1気体流路と、前記第1気体流路と直交するように前記第1気体吐出口に対向して設けられて前記第1気体吐出口から吐出された気体を前記第1気体流路と直交する全方位に案内する第1ガイド部材とを有する請求項9記載の二流体ノズル。   The first gas discharge unit includes a first gas channel that guides gas to the first gas discharge port in parallel with the droplet supply direction, and the first gas discharge unit that is orthogonal to the first gas channel. The two-fluid nozzle according to claim 9, further comprising: a first guide member that is provided to face the outlet and guides the gas discharged from the first gas discharge port in all directions orthogonal to the first gas flow path. 前記第2気体吐出部は、前記第2気体吐出口から吐出された気体の流れを前記液体の液流れに対して直交する方向に変更しながら前記気体を前記液流れに案内する第2ガイド部材を有する請求項9または10記載の二流体ノズル。   The second gas discharge unit guides the gas to the liquid flow while changing the flow of the gas discharged from the second gas discharge port in a direction orthogonal to the liquid flow of the liquid. The two-fluid nozzle according to claim 9 or 10, comprising: 前記液体吐出部は前記液体吐出口を複数個有している請求項7ないし11のいずれかに記載の二流体ノズル。   The two-fluid nozzle according to any one of claims 7 to 11, wherein the liquid discharge section includes a plurality of the liquid discharge ports. 液体に気体を衝突させて形成した前記液体の液滴を所定方向に供給する液滴供給方法であって、
前記液体を液滴供給方向に吐出する第1工程と、
互いに異なる2つの気体吐出経路で、かつ前記液滴供給方向に吐出される前記液体を挟み込むように、前記気体を吐出することによって前記液体の液滴を形成する第2工程とを備え、
前記第2工程では、前記2つの気体吐出経路の少なくとも一方では気体が液体の液流れに対して直角に吐出される
ことを特徴とする液滴供給方法。
A droplet supply method for supplying a droplet of the liquid formed by colliding a gas with a liquid in a predetermined direction,
A first step of discharging the liquid in a droplet supply direction;
A second step of forming droplets of the liquid by discharging the gas so as to sandwich the liquid discharged in two different gas discharge paths and in the droplet supply direction;
In the second step, at least one of the two gas discharge paths discharges gas at right angles to the liquid flow of the liquid.
前記第1および第2工程前に、前記液滴供給方向の下流側に基板を設ける第3工程を備え、
前記第1工程では、前記液体として、前記基板を洗浄する処理液を吐出する請求項13記載の液滴供給方法。
Before the first and second steps, a third step of providing a substrate on the downstream side in the droplet supply direction,
The droplet supply method according to claim 13, wherein in the first step, a processing liquid for cleaning the substrate is discharged as the liquid.
JP2007253337A 2007-09-28 2007-09-28 Substrate processing apparatus, two-fluid nozzle and droplet supply method Active JP4986793B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007253337A JP4986793B2 (en) 2007-09-28 2007-09-28 Substrate processing apparatus, two-fluid nozzle and droplet supply method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007253337A JP4986793B2 (en) 2007-09-28 2007-09-28 Substrate processing apparatus, two-fluid nozzle and droplet supply method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009088079A true JP2009088079A (en) 2009-04-23
JP4986793B2 JP4986793B2 (en) 2012-07-25

Family

ID=40661149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007253337A Active JP4986793B2 (en) 2007-09-28 2007-09-28 Substrate processing apparatus, two-fluid nozzle and droplet supply method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4986793B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012195384A (en) * 2011-03-15 2012-10-11 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium storing program for executing liquid processing method
JP2012195385A (en) * 2011-03-15 2012-10-11 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium storing program for executing the liquid processing method
US11351795B2 (en) 2020-01-30 2022-06-07 Seiko Epson Corporation Liquid ejection device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104841660B (en) * 2015-05-21 2017-03-15 北京七星华创电子股份有限公司 Gas-liquid two-phase atomization cleaner and cleaning method
CN111036606A (en) * 2019-12-25 2020-04-21 苏州特斯捷电子科技有限公司 Novel full-automatic suction nozzle cleaning machine

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003145064A (en) * 2001-11-12 2003-05-20 Tokyo Electron Ltd Two-fluid jet nozzle and substrate cleaning device
JP2005288390A (en) * 2004-04-02 2005-10-20 Kyoritsu Gokin Co Ltd Two-fluid nozzle and spraying method
JP2006517853A (en) * 2002-12-30 2006-08-03 ネクター セラピューティクス Pre-film forming sprayer
JP2006247619A (en) * 2005-03-14 2006-09-21 Sony Corp Two fluid nozzle and cleaning apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003145064A (en) * 2001-11-12 2003-05-20 Tokyo Electron Ltd Two-fluid jet nozzle and substrate cleaning device
JP2006517853A (en) * 2002-12-30 2006-08-03 ネクター セラピューティクス Pre-film forming sprayer
JP2005288390A (en) * 2004-04-02 2005-10-20 Kyoritsu Gokin Co Ltd Two-fluid nozzle and spraying method
JP2006247619A (en) * 2005-03-14 2006-09-21 Sony Corp Two fluid nozzle and cleaning apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012195384A (en) * 2011-03-15 2012-10-11 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium storing program for executing liquid processing method
JP2012195385A (en) * 2011-03-15 2012-10-11 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium storing program for executing the liquid processing method
US11351795B2 (en) 2020-01-30 2022-06-07 Seiko Epson Corporation Liquid ejection device

Also Published As

Publication number Publication date
JP4986793B2 (en) 2012-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100787067B1 (en) Processing apparatus, processing system and processing method
JP5852898B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI443722B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009088078A (en) Two-fluid nozzle, and substrate cleaning device and method using the same
KR102294047B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7197376B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20150246365A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and nozzle
JP4986793B2 (en) Substrate processing apparatus, two-fluid nozzle and droplet supply method
US20130255728A1 (en) Apparatus and method treating substrate
JP2007318140A (en) Method and apparatus for processing substrate, and spray head used for the apparatus and method
JP7211751B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP2008112837A (en) Two-fluid nozzle, substrate processing apparatus employing the same, and substrate processing method
JP2009076918A (en) Substrate machining method, spin unit, and substrate machining device using the spin unit
TW201826363A (en) Substrate processing method and substrate processing device
JP2012209299A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2008108829A (en) Two-fluid nozzle and substrate processing apparatus employing the same
TW202023690A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2005353739A (en) Substrate cleaning apparatus
TW201324654A (en) Substrate liquid processing device and method of controlling substrate liquid processing device
JP2013065795A (en) Substrate processing method
JP2004140345A (en) Semiconductor manufacturing device
JP5785462B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5837788B2 (en) Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2009070946A (en) Substrate treating apparatus
JP2008300454A (en) Substrate-treating device and substrate treatment method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120417

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120424

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4986793

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250