JP5837788B2 - Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method - Google Patents

Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
JP5837788B2
JP5837788B2 JP2011214935A JP2011214935A JP5837788B2 JP 5837788 B2 JP5837788 B2 JP 5837788B2 JP 2011214935 A JP2011214935 A JP 2011214935A JP 2011214935 A JP2011214935 A JP 2011214935A JP 5837788 B2 JP5837788 B2 JP 5837788B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
nozzle
ejection
ports
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011214935A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013077597A (en
Inventor
荒木　浩之
浩之 荒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2011214935A priority Critical patent/JP5837788B2/en
Priority to US13/527,803 priority patent/US20130052360A1/en
Priority to KR20120081013A priority patent/KR101491881B1/en
Priority to TW101129171A priority patent/TWI581867B/en
Publication of JP2013077597A publication Critical patent/JP2013077597A/en
Priority to KR20130123008A priority patent/KR101486165B1/en
Priority to US14/699,757 priority patent/US9539589B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5837788B2 publication Critical patent/JP5837788B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

この発明は、液膜で覆われた基板に液滴を衝突させるノズル、ならびに基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a nozzle for causing droplets to collide with a substrate covered with a liquid film, and a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１に記載の基板処理装置は、基板を水平に保持するスピンチャックと、複数の吐出孔から基板の上面に向けて処理液の液滴を噴射するヘッドと、基板の上面にカバーリンス液を供給するカバーリンスノズルとを備えている。 In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device is used.
A substrate processing apparatus described in Patent Document 1 includes a spin chuck that holds a substrate horizontally, a head that ejects droplets of a processing liquid from a plurality of ejection holes toward the upper surface of the substrate, and a cover rinse liquid on the upper surface of the substrate. And a cover rinse nozzle for supplying.

ヘッドは、基板の上面内の複数の衝突位置に向けて処理液の液滴を噴射する。同様に、カバーリンス液ノズルは、基板の上面内の着液位置に向けてカバーリンス液を吐出する。カバーリンス液ノズルから吐出されたカバーリンス液は、着液位置から複数の衝突位置に向かって基板上を広がる。これにより、基板上にカバーリンス液の液膜が形成され、複数の衝突位置がカバーリンス液の液膜によって覆われる。処理液の液滴は、カバーリンス液の液膜に覆われている基板の上面に向けて噴射される。   The head ejects treatment liquid droplets toward a plurality of collision positions in the upper surface of the substrate. Similarly, the cover rinse liquid nozzle discharges the cover rinse liquid toward the liquid landing position in the upper surface of the substrate. The cover rinse liquid discharged from the cover rinse liquid nozzle spreads on the substrate from the liquid landing position toward a plurality of collision positions. Thereby, a liquid film of the cover rinse liquid is formed on the substrate, and a plurality of collision positions are covered with the liquid film of the cover rinse liquid. The liquid droplets of the processing liquid are ejected toward the upper surface of the substrate covered with the liquid film of the cover rinse liquid.

特開２０１１−２９３１５号公報JP 2011-29315 A

基板上に形成されたカバーリンス液の液膜の厚みは、着液位置から遠ざかるほど減少する。特許文献１に記載の基板処理装置では、各衝突位置から着液位置までの距離が一定でないため、各衝突位置での膜厚（カバーリンス液の液膜の厚み）にばらつきが生じる。したがって、液滴の衝突によって基板に加わる衝撃にばらつきが生じる。具体的には、ある基板内の位置には大きな衝撃が加わり、これとは別の基板内の位置には小さな衝撃が加わる場合がある。そのため、パターンの倒壊が発生する領域と、異物が十分に除去されていない領域とが、同一の基板内に発生し、処理の均一性が低下してしまう場合がある。   The thickness of the liquid film of the cover rinse liquid formed on the substrate decreases as the distance from the liquid landing position increases. In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, since the distance from each collision position to the liquid deposition position is not constant, the film thickness at each collision position (the thickness of the liquid film of the cover rinse liquid) varies. Therefore, the impact applied to the substrate due to the collision of the droplets varies. Specifically, a large impact may be applied to a position in a certain substrate, and a small impact may be applied to a position in another substrate. For this reason, a region where the pattern collapses and a region where the foreign matter is not sufficiently removed may occur in the same substrate, and the processing uniformity may be reduced.

そこで、この発明の目的は、液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させることができるノズル、基板処理装置、および基板処理方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a nozzle, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method capable of improving processing uniformity by reducing variations in film thickness at a collision position in a substrate where a droplet collides. Is to provide.

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、吐出口（３６、２３６、３３６、４３６）から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板（Ｗ）に、複数の噴射口（３１、４３１）から噴射された複数の液滴を衝突させ、複数の液滴が基板に衝突したときの衝撃によって異物を基板から除去する、基板に対して移動可能なノズルであって、前記複数の噴射口から噴射された複数の液滴がそれぞれ基板内の複数の衝突位置（Ｐ１）に衝突するように前記複数の噴射口が形成された噴射部（６）と、各衝突位置からの距離（Ｄ）が等しい基板内の着液位置（Ｐ２）に保護液が着液するように前記吐出口が形成された吐出部（７）とを含む、ノズル（５、２０５、３０５、４０５）である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is characterized in that a plurality of injection ports are formed on the substrate (W) covered with the liquid film of the protective liquid discharged from the discharge ports (36, 236, 336, 436). A nozzle that is movable with respect to a substrate, which collides a plurality of droplets ejected from (31, 431) and removes foreign matter from the substrate by impact when the plurality of droplets collide with the substrate , A plurality of droplets ejected from a plurality of ejection openings, respectively, and an ejection section (6) in which the plurality of ejection openings are formed so as to collide with a plurality of collision positions (P1) in the substrate; A nozzle (5, 205, 305, 405) including a discharge section (7) in which the discharge port is formed so that the protective liquid is deposited at the liquid deposition position (P2) in the substrate having the same distance (D). It is.

この構成によれば、吐出部に形成された吐出口から保護液が吐出されることにより、基板を覆う保護液の液膜が形成される。そして、複数の噴射口が形成された噴射部から複数の液滴が噴射されることにより、保護液の液膜に覆われている基板に複数の液滴が衝突する。各噴射口から噴射された液滴は、保護液が着液する基板内の着液位置からの距離が等しい基板内の衝突位置に衝突する。基板上での液膜の厚みは、着液位置からの距離に応じて変化する。したがって、各衝突位置から着液位置までの距離を等しくすることにより、各衝突位置での膜厚（保護液の液膜の厚み）のばらつきを低減できる。そのため、各衝突位置において基板に加わる衝撃のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を向上させることができる。   According to this configuration, a protective liquid film is formed to cover the substrate by discharging the protective liquid from the discharge port formed in the discharge portion. Then, a plurality of liquid droplets are ejected from an ejecting section in which a plurality of ejection ports are formed, so that the plurality of liquid droplets collide with the substrate covered with the liquid film of the protective liquid. The liquid droplets ejected from each ejection port collide with a collision position in the substrate having the same distance from the liquid deposition position in the substrate where the protective liquid is deposited. The thickness of the liquid film on the substrate changes according to the distance from the liquid landing position. Therefore, by making the distance from each collision position to the liquid landing position equal, variations in film thickness (thickness of the liquid film of the protective liquid) at each collision position can be reduced. Therefore, variation in impact applied to the substrate at each collision position can be reduced. Thereby, the uniformity of processing can be improved.

請求項２に記載の発明は、前記複数の噴射口に処理液を供給する処理液流通路（３０）が形成された供給部（６）と、前記処理液流通路を流通する処理液に振動を付与することにより、前記複数の噴射口に供給される処理液を分断する振動付与手段（１７）とをさらに含む、請求項１に記載のノズルである。
この構成によれば、処理液流通路から複数の噴射口に供給される処理液が、振動付与手段からの振動によって分断される。これにより、噴射口の直径と概ね等しい直径を有する処理液の液柱が噴射口から噴射される。そして、この液柱は、表面張力によって球形に変化し、球形の液滴となる。たとえば、液体と気体とを衝突させて複数の液滴を生成する場合には、液滴の直径および速度が均一でなく、ばらつきが大きい。したがって、液体と気体とを衝突させて複数の液滴を生成する場合よりも、粒径および速度の均一な液滴が形成される。すなわち、各衝突位置での膜厚のばらつきを低減できることに加えて、液滴の運動エネルギーのばらつきを低減できる。そのため、液滴の衝突によって基板に加わる衝撃のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を向上させることができる。 The invention according to claim 2 vibrates in the supply part (6) in which the processing liquid flow passage (30) for supplying the processing liquid to the plurality of injection ports is formed, and the processing liquid flowing through the processing liquid flow path. The nozzle according to claim 1, further comprising: a vibration applying unit (17) that divides the processing liquid supplied to the plurality of injection ports by applying the pressure.
According to this configuration, the processing liquid supplied from the processing liquid flow path to the plurality of ejection ports is divided by the vibration from the vibration applying unit. Thereby, the liquid column of the process liquid which has a diameter substantially equal to the diameter of an injection port is injected from an injection port. The liquid column changes into a spherical shape due to the surface tension and becomes a spherical droplet. For example, when a plurality of droplets are generated by colliding a liquid and a gas, the diameters and velocities of the droplets are not uniform and the variation is large. Therefore, droplets having a uniform particle size and velocity are formed as compared with the case where a plurality of droplets are generated by colliding liquid and gas. That is, in addition to reducing the variation in film thickness at each collision position, the variation in droplet kinetic energy can be reduced. Therefore, variation in impact applied to the substrate due to droplet collision can be reduced. Thereby, the uniformity of processing can be improved.

請求項３に記載の発明は、各噴射口から前記吐出口までの距離（たとえば、最短距離）が等しい、請求項１または２に記載のノズルである。
この構成によれば、各噴射口から前記吐出口までの距離が等しいから、各液滴は、着液位置からの距離が等しい基板内の位置（衝突位置）に衝突する。したがって、各衝突位置での膜厚のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を向上させることができる。 A third aspect of the present invention is the nozzle according to the first or second aspect, wherein the distances (for example, the shortest distance) from each ejection port to the discharge port are equal.
According to this configuration, since the distance from each ejection port to the ejection port is equal, each droplet collides with a position (collision position) in the substrate having the same distance from the liquid landing position. Therefore, variations in film thickness at each collision position can be reduced. Thereby, the uniformity of processing can be improved.

前記複数の噴射口は、基準方向（Ｄ１）から見たときに基準点（Ｘ）から等しい距離の位置に配置された複数の環状配列噴射口（３１）を含んでいてもよい。この場合、複数の環状配列噴射口は、同一平面上に配置されていてもよいし、異なる平面上に配置されていてもよい。すなわち、基準方向から見たときに基準点から各環状配列噴射口までの距離が等しければ、複数の環状配列噴射口は、同一平面上に配置されていてもよいし、異なる平面上に配置されていてもよい。   The plurality of injection holes may include a plurality of annular array injection holes (31) arranged at a distance equal to the reference point (X) when viewed from the reference direction (D1). In this case, the plurality of annular array injection ports may be arranged on the same plane or may be arranged on different planes. In other words, as long as the distance from the reference point to each annular array nozzle is equal when viewed from the reference direction, the plurality of annular array nozzles may be arranged on the same plane or arranged on different planes. It may be.

前記複数の噴射口が前記複数の環状配列噴射口を含む場合、請求項４に記載の発明のように、前記吐出口は、前記基準方向から見たときに前記基準点に位置するように配置された中心吐出口（３６）を含んでいてもよい。この場合、基準方向から見たときの各環状配列噴射口から吐出口までの距離が等しいので、各液滴は、着液位置からの距離が等しい基板内の位置（衝突位置）に衝突する。したがって、各衝突位置での膜厚のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を向上させることができる。   When the plurality of injection ports include the plurality of annular array injection ports, as in the invention according to claim 4, the discharge ports are arranged to be positioned at the reference point when viewed from the reference direction. The central discharge port (36) may be included. In this case, since the distance from each annular array ejection port to the ejection port when viewed from the reference direction is equal, each droplet collides with a position (collision position) in the substrate having the same distance from the liquid deposition position. Therefore, variations in film thickness at each collision position can be reduced. Thereby, the uniformity of processing can be improved.

また、前記複数の噴射口が前記複数の環状配列噴射口を含む場合、請求項５に記載の発明のように、前記吐出口は、前記基準方向から見たときに前記基準点を同軸的に取り囲んでおり、全周に亘って連続した環状吐出口（２３６、３３６）を含んでいてもよい。前記環状吐出口は、前記基準方向から見たときに前記複数の環状配列噴射口の内側で前記基準点を同軸的に取り囲んでおり、全周に亘って連続した内側環状吐出口（２３６）を含んでいてもよいし、前記基準方向から見たときに前記複数の環状配列噴射口の外側で前記基準点を同軸的に取り囲んでおり、全周に亘って連続した外側環状吐出口（３３６）を含んでいてもよい。いずれの場合においても、基準方向から見たときの各環状配列噴射口から環状吐出口までの最短距離が等しいので、各液滴は、着液位置からの距離が等しい基板内の位置（衝突位置）に衝突する。したがって、各衝突位置での膜厚のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を向上させることができる。   Further, in the case where the plurality of injection ports include the plurality of annular array injection ports, as in the invention according to claim 5, the discharge port is coaxial with the reference point when viewed from the reference direction. An annular discharge port (236, 336) that surrounds and is continuous over the entire circumference may be included. The annular discharge port coaxially surrounds the reference point inside the plurality of annular array injection ports when viewed from the reference direction, and an inner annular discharge port (236) continuous over the entire circumference. Or the outer annular discharge port (336) which is coaxially surrounding the reference point outside the plurality of annular array injection ports when viewed from the reference direction, and which is continuous over the entire circumference. May be included. In any case, since the shortest distance from each annular array ejection port to the annular ejection port when viewed from the reference direction is the same, each droplet is positioned within the substrate at the same distance from the landing position (collision position). ). Therefore, variations in film thickness at each collision position can be reduced. Thereby, the uniformity of processing can be improved.

また、前記複数の噴射口は、基準方向から見たときに直線状に並ぶように配置された複数の直線状配列噴射口（４３１）を含んでいてもよい。この場合、環状配列噴射口と同様に、複数の直線状配列噴射口は、同一平面上に配置されていてもよいし、異なる平面上に配置されていてもよい。
前記複数の噴射口が前記複数の直線状配列噴射口を含む場合、請求項６に記載の発明のように、前記吐出口は、前記基準方向から見たときに前記複数の直線状配列噴射口と平行なスリット状の直線状吐出口（４３６）を含んでいてもよい。この場合、基準方向から見たときの各直線状配列噴射口から直線状吐出口までの最短距離が等しいので、各液滴は、着液位置からの距離が等しい基板内の位置（衝突位置）に衝突する。したがって、各衝突位置での膜厚のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を向上させることができる。 In addition, the plurality of injection ports may include a plurality of linear array injection ports (431) arranged so as to be arranged in a straight line when viewed from the reference direction. In this case, similarly to the annular array injection port, the plurality of linear array injection ports may be arranged on the same plane or may be arranged on different planes.
When the plurality of injection ports include the plurality of linear array injection ports, as in the invention according to claim 6, when the discharge ports are viewed from the reference direction, the plurality of linear array injection ports. May include a slit-like linear discharge port (436) parallel to the. In this case, since the shortest distance from each linear array ejection port to the linear ejection port when viewed from the reference direction is the same, each droplet is positioned in the substrate at the same distance from the landing position (collision position). Collide with. Therefore, variations in film thickness at each collision position can be reduced. Thereby, the uniformity of processing can be improved.

請求項７に記載の発明は、吐出口から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板に、複数の噴射口から噴射された複数の液滴を衝突させるノズルであって、前記複数の噴射口から噴射された複数の液滴がそれぞれ基板内の複数の衝突位置に衝突するように前記複数の噴射口が形成された噴射部と、各衝突位置からの距離が等しい基板内の着液位置に保護液が着液するように前記吐出口が形成された吐出部とを含むノズルと、前記噴射部に処理液を供給する処理液供給管（１３）と、前記吐出部に保護液を供給する保護液供給管（２６）と、基板を保持する基板保持手段（２）と、前記ノズルおよび前記基板保持手段に保持されている基板の少なくとも一方を移動させることにより、前記複数の噴射口と前記吐出口との位置関係が一定に保たれた状態で前記ノズルと前記基板とを相対移動させる相対移動手段（２０）とを含む、基板処理装置（１）である。 The invention described in claim 7 is a nozzle that causes a plurality of droplets ejected from a plurality of ejection ports to collide with a substrate covered with a liquid film of a protective liquid ejected from the ejection port, A plurality of liquid droplets ejected from the plurality of ejection openings, respectively, so as to collide with a plurality of collision positions in the substrate, and an injection portion in which the distance from each collision position is equal. A nozzle including a discharge portion in which the discharge port is formed so that the protective liquid is deposited at a liquid position, a treatment liquid supply pipe (13) for supplying a treatment liquid to the ejection portion, and a protective liquid for the discharge portion. A plurality of jets by moving at least one of the protective liquid supply pipe (26) for supplying the substrate, the substrate holding means (2) for holding the substrate, and the nozzle and the substrate held by the substrate holding means. The positional relationship between the mouth and the outlet is constant Relatively moving the substrate and the nozzle kept state and a relative movement unit (20), a substrate processing apparatus (1).

この構成によれば、保護液供給管から吐出部に供給された保護液が吐出口から吐出されることにより、基板保持手段に保持されている基板を覆う保護液の液膜が形成される。そして、処理液供給管から噴射部に供給された処理液が、複数の噴射口から噴射されることにより、保護液の液膜に覆われている基板に複数の液滴が衝突する。相対移動手段は、ノズルおよび基板保持手段に保持されている基板の少なくとも一方を移動させることにより、ノズルと基板とを相対移動させる。これにより、基板が処理液の液滴によって走査され、複数の液滴が基板の広範囲に衝突する。そのため、基板の広範囲が洗浄される。さらに、相対移動手段は、複数の噴射口と吐出口との位置関係が一定に保たれた状態でノズルと基板とを相対移動させるので、衝突位置と着液位置との位置関係が一定に保たれる。そのため、各衝突位置において基板に加わる衝撃のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を向上させることができる。   According to this configuration, the protective liquid supplied from the protective liquid supply pipe to the discharge unit is discharged from the discharge port, so that a liquid film of the protective liquid covering the substrate held by the substrate holding unit is formed. And the process liquid supplied to the injection part from the process liquid supply pipe is ejected from the plurality of ejection ports, so that the plurality of liquid droplets collide with the substrate covered with the liquid film of the protective liquid. The relative movement means moves the nozzle and the substrate relative to each other by moving at least one of the nozzle and the substrate held by the substrate holding means. As a result, the substrate is scanned with the droplets of the processing liquid, and the plurality of droplets collide with a wide area of the substrate. Therefore, a wide area of the substrate is cleaned. Further, since the relative movement means relatively moves the nozzle and the substrate in a state where the positional relationship between the plurality of ejection ports and the ejection ports is kept constant, the positional relationship between the collision position and the liquid landing position is kept constant. Be drunk. Therefore, variation in impact applied to the substrate at each collision position can be reduced. Thereby, the uniformity of processing can be improved.

前記相対移動手段は、基板を移動させる基板移動手段であってもよいし、ノズルを移動させるノズル移動手段であってもよいし、基板およびノズルを移動させる基板・ノズル移動手段であってもよい。
請求項８に記載の発明は、前記基板保持手段に保持されている基板の主面中央部に交差する回転軸線（Ｌ１）まわりに前記基板を回転させる基板回転手段（２）をさらに含み、前記相対移動手段は、前記ノズルが前記基板の主面中央部に対向する中心位置（Ｐｃ）と、前記ノズルと前記基板との間の距離が前記中心位置での距離よりも短くなるように、前記ノズルが前記基板の主面周縁部に対向する周縁位置（Ｐｅ１、Ｐｅ２）との間で前記ノズルを移動させる、請求項７に記載の基板処理装置である。基板の主面は、デバイス形成面である基板の表面であってもよいし、表面とは反対の裏面であってもよい。 The relative moving means may be a substrate moving means for moving the substrate, a nozzle moving means for moving the nozzle, or a substrate / nozzle moving means for moving the substrate and the nozzle. .
The invention according to claim 8 further includes substrate rotating means (2) for rotating the substrate around a rotation axis (L1) intersecting a central portion of the main surface of the substrate held by the substrate holding means, The relative movement means is arranged so that the center position (Pc) where the nozzle faces the central portion of the main surface of the substrate and the distance between the nozzle and the substrate are shorter than the distance at the center position. 8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the nozzle is moved between peripheral positions (Pe 1, Pe 2) facing the peripheral surface of the main surface of the substrate. The main surface of the substrate may be the surface of the substrate that is the device forming surface, or may be the back surface opposite to the front surface.

この構成によれば、基板回転手段が、基板の主面中央部に交差する回転軸線まわりに基板を回転させている状態で、相対移動手段が、ノズルが基板の主面中央部に対向する中央位置と、ノズルが基板の主面周縁部に対向する周縁位置との間でノズルを移動させる。これにより、基板の主面全域が処理液の液滴によって走査され、複数の液滴が基板の主面全域に衝突する。そのため、基板の清浄度が高められる。さらに、周縁位置でのノズルと基板との間の距離が、中心位置でのノズルと基板との距離よりも短いので、基板の主面中央部に加わる衝撃は、基板の主面周縁部に加わる衝撃よりも小さい。基板の主面中央部は、基板の主面周縁部よりも面積が小さいので、基板の主面周縁部よりも高密度で液滴が供給される。そのため、基板の主面中央部に加わる衝撃を低下させることにより、基板の主面中央部に加わる衝撃のトータル量と、基板の主面周縁部に加わる衝撃のトータル量との差を低減できる。これにより、処理の均一性を向上させることができる。   According to this configuration, in the state in which the substrate rotating means rotates the substrate around the rotation axis intersecting the central portion of the main surface of the substrate, the relative moving means has a center where the nozzle faces the central portion of the main surface of the substrate. The nozzle is moved between the position and the peripheral position where the nozzle faces the peripheral portion of the main surface of the substrate. As a result, the entire main surface of the substrate is scanned with droplets of the processing liquid, and a plurality of droplets collide with the entire main surface of the substrate. Therefore, the cleanliness of the substrate is increased. Further, since the distance between the nozzle and the substrate at the peripheral position is shorter than the distance between the nozzle and the substrate at the central position, the impact applied to the central portion of the main surface of the substrate is applied to the peripheral portion of the main surface of the substrate. Smaller than impact. Since the central portion of the main surface of the substrate has a smaller area than the peripheral portion of the main surface of the substrate, droplets are supplied at a higher density than the peripheral portion of the main surface of the substrate. Therefore, by reducing the impact applied to the central portion of the main surface of the substrate, the difference between the total amount of impact applied to the central portion of the main surface of the substrate and the total amount of impact applied to the peripheral portion of the main surface of the substrate can be reduced. Thereby, the uniformity of processing can be improved.

請求項９に記載の発明は、複数の噴射口からそれぞれ基板内の複数の衝突位置に向けて処理液の液滴を噴射し、複数の液滴が基板に衝突したときの衝撃によって異物を基板から除去する噴射工程と、前記噴射工程と並行して、各衝突位置からの距離が等しい基板内の着液位置に向けて吐出口から保護液を吐出することにより、前記複数の衝突位置を覆う保護液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記噴射工程および液膜形成工程と並行して、前記複数の噴射口と前記吐出口との位置関係が一定に保たれた状態で、前記複数の噴射口および吐出口と前記基板とを相対移動させる相対移動工程とを含む、基板処理方法である。この方法によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
According to the ninth aspect of the present invention, the droplets of the processing liquid are ejected from the plurality of ejection openings toward the plurality of collision positions in the substrate, respectively , and the foreign matter is removed by the impact when the plurality of droplets collide with the substrate. In parallel with the injection step, the plurality of collision positions are covered by discharging the protective liquid from the discharge port toward the liquid landing position in the substrate having the same distance from each collision position in parallel with the injection step. In parallel with the liquid film forming step of forming a liquid film of the protective liquid, and the spraying step and the liquid film forming step, the positional relationship between the plurality of spray ports and the discharge ports is kept constant, A substrate processing method including a relative movement step of relatively moving a plurality of ejection ports and ejection ports and the substrate . According to this method, an effect similar to the effect described in regard to the invention of claim 1 can be obtained.

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。   In this section, alphanumeric characters in parentheses represent reference numerals of corresponding components in the embodiments described later, but the scope of the claims is not limited by these reference numerals.

この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing a schematic structure of a substrate processing apparatus concerning a 1st embodiment of this invention. この発明の第１実施形態に係る洗浄ノズルおよびこれに関連する構成の平面図である。It is a top view of the washing nozzle concerning a 1st embodiment of this invention, and the composition relevant to this. この発明の第１実施形態に係る洗浄ノズルの模式的な縦断面図である。It is a typical longitudinal section of the washing nozzle concerning a 1st embodiment of this invention. この発明の第１実施形態に係る洗浄ノズルの模式的な底面図である。It is a typical bottom view of the washing nozzle concerning a 1st embodiment of this invention. この発明の第１実施形態に係る基板処理装置によって行われる基板の処理例について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a process of the board | substrate performed by the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. この発明の第１実施形態に係る基板処理装置によって行われる基板の処理例について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a process of the board | substrate performed by the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. この発明の第１実施形態に係る基板処理装置によって行われる基板の処理例について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a process of the board | substrate performed by the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. この発明の第１実施形態に係る基板処理装置によって行われる基板の処理例について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a process of the board | substrate performed by the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. この発明の第２実施形態に係る洗浄ノズルの模式的な底面図である。It is a typical bottom view of the washing nozzle concerning a 2nd embodiment of this invention. この発明の第３実施形態に係る洗浄ノズルの模式的な底面図である。It is a typical bottom view of the washing nozzle concerning a 3rd embodiment of this invention. この発明の第４実施形態に係る洗浄ノズルの模式的な側面図である。It is a typical side view of the washing nozzle concerning a 4th embodiment of this invention. この発明の第４実施形態に係る洗浄ノズルの模式的な底面図である。It is a typical bottom view of the washing nozzle concerning a 4th embodiment of this invention.

以下では、この発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。図２は、この発明の第１実施形態に係る洗浄ノズル５およびこれに関連する構成の平面図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック２（基板保持手段、基板回転手段）と、スピンチャック２を取り囲む筒状のカップ３と、基板Ｗの上面にリンス液を供給するリンス液ノズル４と、保護液の液膜で覆われている基板Ｗの上面に処理液の液滴を衝突させる洗浄ノズル５（ノズル）と、スピンチャック２などの基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置８とを備えている。洗浄ノズル５は、基板Ｗの上面に処理液の液滴を衝突させる噴射ノズル６（噴射部、供給部）と、基板Ｗに保護液（カバーリンス液）を供給する保護液ノズル７（吐出部）とを含む。図２に示すように、噴射ノズル６は、たとえば、上下方向に延びる円筒状であり、保護液ノズル７は、噴射ノズル６の中心軸線Ｌ３に沿って配置されている。噴射ノズル６および保護液ノズル７は、一体のノズルであってもよいし、互いに連結された別々のノズルであってもよい。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the cleaning nozzle 5 according to the first embodiment of the present invention and the configuration related thereto.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type substrate processing apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one. As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 2 (substrate holding means, substrate rotating means) that horizontally holds and rotates a substrate W, a cylindrical cup 3 that surrounds the spin chuck 2, and a substrate. A rinsing liquid nozzle 4 for supplying a rinsing liquid to the upper surface of W, a cleaning nozzle 5 (nozzle) for causing a droplet of the processing liquid to collide with the upper surface of the substrate W covered with a protective liquid film, a spin chuck 2 and the like And a control device 8 for controlling the operation of the apparatus and the opening / closing of the valve. The cleaning nozzle 5 includes an injection nozzle 6 (injection unit and supply unit) that causes a droplet of the processing liquid to collide with the upper surface of the substrate W, and a protection liquid nozzle 7 (discharge unit) that supplies a protective liquid (cover rinse liquid) to the substrate W. ). As shown in FIG. 2, the injection nozzle 6 has, for example, a cylindrical shape extending in the vertical direction, and the protective liquid nozzle 7 is disposed along the central axis L <b> 3 of the injection nozzle 6. The injection nozzle 6 and the protective liquid nozzle 7 may be an integral nozzle or may be separate nozzles connected to each other.

図１に示すように、スピンチャック２は、基板Ｗを水平に保持して当該基板Ｗの中心Ｃ１を通る鉛直な回転軸線Ｌ１まわりに回転可能なスピンベース９と、このスピンベース９を回転軸線Ｌ１まわりに回転させるスピンモータ１０とを含む。スピンチャック２は、基板Ｗを水平方向に挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。図１および図２では、スピンチャック２が挟持式のチャックである場合が示されている。   As shown in FIG. 1, the spin chuck 2 holds a substrate W horizontally and can rotate about a vertical rotation axis L1 passing through the center C1 of the substrate W, and the spin base 9 is rotated about the rotation axis. And a spin motor 10 that rotates around L1. The spin chuck 2 may be a holding chuck that horizontally holds the substrate W while holding the substrate W in a horizontal direction, or by adsorbing the back surface (lower surface) of the substrate W that is a non-device forming surface. A vacuum chuck that holds the substrate W horizontally may be used. 1 and 2 show a case where the spin chuck 2 is a clamping chuck.

図１に示すように、リンス液ノズル４は、リンス液バルブ１１が介装されたリンス液供給管１２に接続されている。リンス液バルブ１１が開かれると、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル４からリンス液が吐出される。その一方で、リンス液バルブ１１が閉じられると、リンス液ノズル４からのリンス液の吐出が停止される。リンス液ノズル４に供給されるリンス液としては、純水（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水や、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水などを例示することができる。   As shown in FIG. 1, the rinse liquid nozzle 4 is connected to a rinse liquid supply pipe 12 in which a rinse liquid valve 11 is interposed. When the rinse liquid valve 11 is opened, the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 4 toward the center of the upper surface of the substrate W. On the other hand, when the rinse liquid valve 11 is closed, the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 4 is stopped. As the rinsing liquid supplied to the rinsing liquid nozzle 4, pure water (deionized water), carbonated water, electrolytic ionic water, hydrogen water, ozone water, hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm), etc. It can be illustrated.

噴射ノズル６は、インクジェット方式によって多数の液滴を噴射するインクジェットノズルである。図１に示すように、噴射ノズル６は、処理液供給管１３を介して処理液供給機構１４に接続されている。さらに、噴射ノズル６は、排出バルブ１５が介装された処理液排出管１６に接続されている。処理液供給機構１４は、たとえば、ポンプを含む機構である。処理液供給機構１４は、常時、所定圧力（たとえば、１０ＭＰａ以下）で処理液を噴射ノズル６に供給している。噴射ノズル６に供給される処理液としては、たとえば、純水や、炭酸水や、ＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）などが挙げられる。制御装置８は、処理液供給機構１４を制御することにより、噴射ノズル６に供給される処理液の圧力を任意の圧力に変更することができる。 The ejection nozzle 6 is an inkjet nozzle that ejects a large number of droplets by an inkjet method. As shown in FIG. 1, the spray nozzle 6 is connected to a processing liquid supply mechanism 14 via a processing liquid supply pipe 13. Further, the injection nozzle 6 is connected to a treatment liquid discharge pipe 16 in which a discharge valve 15 is interposed. The processing liquid supply mechanism 14 is a mechanism including a pump, for example. The processing liquid supply mechanism 14 always supplies the processing liquid to the injection nozzle 6 at a predetermined pressure (for example, 10 MPa or less). Examples of the processing liquid supplied to the injection nozzle 6 include pure water, carbonated water, and SC-1 (mixed liquid containing NH 4 OH and H 2 O 2 ). The control device 8 can change the pressure of the processing liquid supplied to the ejection nozzle 6 to an arbitrary pressure by controlling the processing liquid supply mechanism 14.

また、図１に示すように、噴射ノズル６は、噴射ノズル６の内部に配置された圧電素子１７（piezo element：振動付与手段）を含む。圧電素子１７は、配線１８を介して電圧印加機構１９に接続されている。電圧印加機構１９は、たとえば、インバータを含む駆動回路である。電圧印加機構１９は、交流電圧を圧電素子１７に印加する。交流電圧が圧電素子１７に印加されると、印加された交流電圧の周波数に対応する周波数で圧電素子１７が振動する。制御装置８は、電圧印加機構１９を制御することにより、圧電素子１７に印加される交流電圧の周波数を任意の周波数（たとえば、数百ＫＨｚ〜数ＭＨｚ）に変更することができる。したがって、圧電素子１７の振動の周波数は、制御装置８によって制御される。   As shown in FIG. 1, the injection nozzle 6 includes a piezoelectric element 17 (piezo element: vibration applying means) disposed inside the injection nozzle 6. The piezoelectric element 17 is connected to a voltage application mechanism 19 via a wiring 18. The voltage application mechanism 19 is a drive circuit including an inverter, for example. The voltage application mechanism 19 applies an alternating voltage to the piezoelectric element 17. When an AC voltage is applied to the piezoelectric element 17, the piezoelectric element 17 vibrates at a frequency corresponding to the frequency of the applied AC voltage. The control device 8 can change the frequency of the AC voltage applied to the piezoelectric element 17 to an arbitrary frequency (for example, several hundred KHz to several MHz) by controlling the voltage application mechanism 19. Therefore, the frequency of vibration of the piezoelectric element 17 is controlled by the control device 8.

図１に示すように、基板処理装置１は、ノズル移動機構２０（相対移動手段）をさらに含む。ノズル移動機構２０は、洗浄ノズル５（噴射ノズル６および保護液ノズル７）を保持するノズルアーム２１と、ノズルアーム２１に接続された回動機構２２と、回動機構２２に接続された昇降機構２３とを含む。回動機構２２は、たとえば、モータを含む機構である。昇降機構２３は、ボールねじ機構と、このボールねじ機構を駆動するモータとを含む機構である。回動機構２２は、スピンチャック２の周囲に設けられた鉛直な回転軸線Ｌ２まわりにノズルアーム２１を回動させる。洗浄ノズル５は、ノズルアーム２１と共に回転軸線Ｌ２まわりに回動する。これにより、洗浄ノズル５が水平方向に移動する。一方、昇降機構２３は、回動機構２２を鉛直方向Ｄ１（基準方向）に昇降させる。洗浄ノズル５およびノズルアーム２１は、回動機構２２と共に鉛直方向Ｄ１に昇降する。これにより、洗浄ノズル５が鉛直方向Ｄ１に移動する。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 further includes a nozzle moving mechanism 20 (relative moving means). The nozzle moving mechanism 20 includes a nozzle arm 21 that holds the cleaning nozzle 5 (the spray nozzle 6 and the protective liquid nozzle 7), a rotating mechanism 22 connected to the nozzle arm 21, and an elevating mechanism connected to the rotating mechanism 22. 23. The rotation mechanism 22 is a mechanism including a motor, for example. The elevating mechanism 23 is a mechanism including a ball screw mechanism and a motor that drives the ball screw mechanism. The rotation mechanism 22 rotates the nozzle arm 21 around a vertical rotation axis L <b> 2 provided around the spin chuck 2. The cleaning nozzle 5 rotates around the rotation axis L <b> 2 together with the nozzle arm 21. Thereby, the washing nozzle 5 moves in the horizontal direction. On the other hand, the elevating mechanism 23 moves the rotating mechanism 22 up and down in the vertical direction D1 (reference direction). The cleaning nozzle 5 and the nozzle arm 21 move up and down in the vertical direction D1 together with the rotation mechanism 22. Thereby, the washing nozzle 5 moves in the vertical direction D1.

回動機構２２は、スピンチャック２の上方を含む水平面内で洗浄ノズル５を水平に移動させる。図２に示すように、回動機構２２は、スピンチャック２に保持されている基板Ｗの上面に沿って延びる円弧状の軌跡Ｘ１に沿って洗浄ノズル５を水平に移動させる。軌跡Ｘ１は、スピンチャック２に保持されている基板Ｗの上面に垂直な垂直方向（鉛直方向Ｄ１）から見たときに基板Ｗの上面に重ならない２つの位置を結び、鉛直方向Ｄ１から見たときに基板Ｗの上面の中心Ｃ１を通る曲線である。洗浄ノズル５がスピンチャック２に保持されている基板Ｗの上方に位置する状態で、昇降機構２３が洗浄ノズル５を降下させると、洗浄ノズル５が基板Ｗの上面に近接する。処理液の液滴を基板Ｗに衝突させるときは、洗浄ノズル５が基板Ｗの上面に近接している状態で、制御装置８が、回動機構２２を制御することにより、軌跡Ｘ１に沿って洗浄ノズル５を移動させる。   The rotation mechanism 22 moves the cleaning nozzle 5 horizontally in a horizontal plane including the upper side of the spin chuck 2. As shown in FIG. 2, the rotation mechanism 22 moves the cleaning nozzle 5 horizontally along an arc-shaped locus X <b> 1 extending along the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 2. The locus X1 connects two positions that do not overlap the upper surface of the substrate W when viewed from the vertical direction (vertical direction D1) perpendicular to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 2, and is viewed from the vertical direction D1. It is a curve that sometimes passes through the center C1 of the upper surface of the substrate W. When the lifting mechanism 23 lowers the cleaning nozzle 5 with the cleaning nozzle 5 positioned above the substrate W held by the spin chuck 2, the cleaning nozzle 5 comes close to the upper surface of the substrate W. When the droplets of the processing liquid collide with the substrate W, the control device 8 controls the rotation mechanism 22 in a state where the cleaning nozzle 5 is close to the upper surface of the substrate W, thereby along the locus X1. The cleaning nozzle 5 is moved.

保護液ノズル７は、ノズルアーム２１に保持されている。回動機構２２および昇降機構２３の少なくとも一方がノズルアーム２１を移動させると、噴射ノズル６および保護液ノズル７は、噴射ノズル６および保護液ノズル７の位置関係が一定に保たれた状態で移動する。したがって、回動機構２２がノズルアーム２１を回動させると、保護液ノズル７は、噴射ノズル６と共に軌跡Ｘ１に沿って水平に移動する。図１に示すように、保護液ノズル７は、保護液バルブ２４および流量調整バルブ２５が介装された保護液供給管２６に接続されている。保護液バルブ２４が開かれると、基板Ｗの上面に向けて保護液ノズル７から保護液が吐出される。その一方で、保護液バルブ２４が閉じられると、保護液ノズル７からの保護液の吐出が停止される。保護液ノズル７からの保護液の吐出速度は、制御装置８が流量調整バルブ２５の開度を調整することにより変更される。保護液ノズル７に供給される保護液としては、たとえば、リンス液や、ＳＣ−１などの薬液が挙げられる。   The protective liquid nozzle 7 is held by the nozzle arm 21. When at least one of the rotation mechanism 22 and the lifting mechanism 23 moves the nozzle arm 21, the spray nozzle 6 and the protective liquid nozzle 7 move in a state where the positional relationship between the spray nozzle 6 and the protective liquid nozzle 7 is kept constant. To do. Therefore, when the rotation mechanism 22 rotates the nozzle arm 21, the protective liquid nozzle 7 moves horizontally along the locus X <b> 1 together with the spray nozzle 6. As shown in FIG. 1, the protective liquid nozzle 7 is connected to a protective liquid supply pipe 26 in which a protective liquid valve 24 and a flow rate adjustment valve 25 are interposed. When the protective liquid valve 24 is opened, the protective liquid is discharged from the protective liquid nozzle 7 toward the upper surface of the substrate W. On the other hand, when the protective liquid valve 24 is closed, the discharge of the protective liquid from the protective liquid nozzle 7 is stopped. The discharge speed of the protective liquid from the protective liquid nozzle 7 is changed by the control device 8 adjusting the opening degree of the flow rate adjusting valve 25. Examples of the protective liquid supplied to the protective liquid nozzle 7 include a rinse liquid and a chemical liquid such as SC-1.

図３は、この発明の第１実施形態に係る洗浄ノズル５の模式的な縦断面図である。図４は、この発明の第１実施形態に係る洗浄ノズル５の模式的な底面図である。
前述のように、洗浄ノズル５は、基板Ｗの上面に処理液の液滴を衝突させる噴射ノズル６と、基板Ｗに保護液を供給する保護液ノズル７とを含む。図３に示すように、噴射ノズル６は、たとえば、上下方向に延びる円筒状であり、保護液ノズル７は、噴射ノズル６の中心軸線Ｌ３（洗浄ノズル５の中心軸線Ｌ３）に沿って配置されている。噴射ノズル６の外径は、基板Ｗの直径よりも小さい。噴射ノズル６および保護液ノズル７は、図示しないステーによって連結されている。 FIG. 3 is a schematic longitudinal sectional view of the cleaning nozzle 5 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic bottom view of the cleaning nozzle 5 according to the first embodiment of the present invention.
As described above, the cleaning nozzle 5 includes the ejection nozzle 6 that causes the droplet of the processing liquid to collide with the upper surface of the substrate W, and the protective liquid nozzle 7 that supplies the protective liquid to the substrate W. As shown in FIG. 3, the injection nozzle 6 is, for example, a cylindrical shape extending in the vertical direction, and the protective liquid nozzle 7 is disposed along the central axis L3 of the injection nozzle 6 (the central axis L3 of the cleaning nozzle 5). ing. The outer diameter of the injection nozzle 6 is smaller than the diameter of the substrate W. The spray nozzle 6 and the protective liquid nozzle 7 are connected by a stay (not shown).

図３に示すように、噴射ノズル６は、上下方向に延びる円筒状の本体２７と、本体２７の内部に配置された前述の圧電素子１７とを含む。配線１８の端部は、本体２７の内部で圧電素子１７に接続されている。本体２７は、耐薬性を有する耐薬性材料によって形成されている。本体２７は、たとえば、石英によって形成されている。本体２７は、高圧に耐えうる強度を有している。   As shown in FIG. 3, the injection nozzle 6 includes a cylindrical main body 27 extending in the vertical direction and the above-described piezoelectric element 17 disposed inside the main body 27. An end portion of the wiring 18 is connected to the piezoelectric element 17 inside the main body 27. The main body 27 is formed of a chemical resistant material having chemical resistance. The main body 27 is made of, for example, quartz. The main body 27 is strong enough to withstand high pressure.

図３に示すように、本体２７は、処理液が供給される供給口２８と、供給口２８に供給された処理液を排出する排出口２９と、供給口２８と排出口２９とを接続する処理液流通路３０と、処理液流通路３０に接続された複数の噴射口３１（環状配列噴射口）とを含む。処理液流通路３０は、供給口２８に接続された上流路３２と、排出口２９に接続された下流路３３と、上流路３２と下流路３３とを接続する２つの分岐路３４と、分岐路３４に接続された複数の接続路３５とを含む。上流路３２および下流路３３は、鉛直方向Ｄ１に延びており、分岐路３４は、上流路３２の下端から下流路３３の下端まで水平に延びている。図４に示すように、２つの分岐路３４は、噴射ノズル６の中心軸線Ｌ３上に中心点Ｘ（基準点）を有する円Ｃに沿って配置されている。図３に示すように、複数の接続路３５は、各分岐路３４から下方に延びている。複数の噴射口３１は、それぞれ、複数の接続路３５に接続されている。したがって、噴射口３１は、接続路３５を介して処理液流通路３０に接続されている。噴射口３１および接続路３５の流路面積は、分岐路３４の流路面積よりも小さい。   As shown in FIG. 3, the main body 27 connects the supply port 28 to which the processing liquid is supplied, the discharge port 29 for discharging the processing liquid supplied to the supply port 28, and the supply port 28 and the discharge port 29. The processing liquid flow passage 30 and a plurality of injection ports 31 (annular array injection ports) connected to the processing liquid flow passage 30 are included. The processing liquid flow passage 30 includes an upper flow path 32 connected to the supply port 28, a lower flow path 33 connected to the discharge port 29, two branch paths 34 connecting the upper flow path 32 and the lower flow path 33, and a branch. A plurality of connection paths 35 connected to the path 34. The upper flow path 32 and the lower flow path 33 extend in the vertical direction D 1, and the branch path 34 extends horizontally from the lower end of the upper flow path 32 to the lower end of the lower flow path 33. As shown in FIG. 4, the two branch paths 34 are arranged along a circle C having a center point X (reference point) on the center axis L <b> 3 of the injection nozzle 6. As shown in FIG. 3, the plurality of connection paths 35 extend downward from the respective branch paths 34. Each of the plurality of injection ports 31 is connected to a plurality of connection paths 35. Therefore, the injection port 31 is connected to the processing liquid flow passage 30 via the connection path 35. The flow area of the injection port 31 and the connection path 35 is smaller than the flow area of the branch path 34.

噴射口３１は、たとえば数μｍ〜数十μｍの直径を有する微細孔である。図３に示すように、本体２７の下面２７ａは、たとえば、水平な平坦面であり、複数の噴射口３１は、本体２７の下面２７ａで開口している。したがって、複数の噴射口３１は、同じ高さに配置されている。さらに、図４に示すように、複数の噴射口３１は、噴射ノズル６の中心軸線Ｌ３（洗浄ノズル５の中心軸線Ｌ３）上に中心点Ｘを有する水平な円Ｃに沿って等間隔で配列されている。保護液ノズル７の吐出口３６（中心吐出口）は、中心点Ｘを通る鉛直軸線（噴射ノズル６の中心軸線Ｌ３）上に配置されている。したがって、吐出口３６は、全周に亘って複数の噴射口３１に取り囲まれている。各噴射口３１から吐出口３６までの距離（最短距離）は等しい。吐出口３６は、複数の噴射口３１と同じ高さに配置されていてもよいし、複数の噴射口３１とは異なる高さに配置されていてもよい。吐出口３６は、たとえば、円形の開口である。保護液ノズル７は、吐出口３６から鉛直下方に保護液を吐出する。同様に、噴射ノズル６は、各噴射口３１から鉛直下方に液滴を噴射する。したがって、噴射ノズル６および保護液ノズル７は、互いに平行な方向に液体を吐出する。   The injection port 31 is a fine hole having a diameter of several μm to several tens of μm, for example. As shown in FIG. 3, the lower surface 27 a of the main body 27 is, for example, a horizontal flat surface, and the plurality of injection ports 31 are opened at the lower surface 27 a of the main body 27. Accordingly, the plurality of injection ports 31 are arranged at the same height. Further, as shown in FIG. 4, the plurality of injection ports 31 are arranged at equal intervals along a horizontal circle C having a center point X on the center axis L <b> 3 of the injection nozzle 6 (center axis L <b> 3 of the cleaning nozzle 5). Has been. The discharge port 36 (center discharge port) of the protective liquid nozzle 7 is disposed on a vertical axis (center axis L3 of the injection nozzle 6) passing through the center point X. Accordingly, the discharge port 36 is surrounded by the plurality of injection ports 31 over the entire circumference. The distance (shortest distance) from each injection port 31 to the discharge port 36 is equal. The discharge ports 36 may be disposed at the same height as the plurality of ejection ports 31 or may be disposed at a height different from the plurality of ejection ports 31. The discharge port 36 is, for example, a circular opening. The protective liquid nozzle 7 discharges the protective liquid vertically downward from the discharge port 36. Similarly, the ejection nozzle 6 ejects droplets vertically downward from each ejection port 31. Accordingly, the spray nozzle 6 and the protective liquid nozzle 7 discharge liquid in directions parallel to each other.

図３に示すように、処理液供給管１３および処理液排出管１６は、それぞれ、供給口２８および排出口２９に接続されている。したがって、処理液供給機構１４（図１参照）は、処理液供給管１３を介して供給口２８に接続されている。処理液供給機構１４は、常時、高圧で処理液を噴射ノズル６に供給している。処理液供給機構１４から供給口２８に供給された処理液は、処理液流通路３０に供給される。排出バルブ１５が閉じられている状態では、処理液流通路３０での処理液の圧力（液圧）が高い。そのため、この状態では、液圧によって各噴射口３１から処理液が噴射される。さらに、この状態で、交流電圧が圧電素子１７に印加されると、処理液流通路３０を流れる処理液が圧電素子１７からの振動によって分断され、噴射口３１の直径と概ね等しい直径を有する処理液の液柱が噴射口３１から噴射される。そして、この液柱は、表面張力によって球形に変化する。そのため、噴射口３１の直径よりも大きい直径（たとえば、１５μｍ〜２００μｍ）を有する球状の液滴が基板Ｗに向かって飛散する。   As shown in FIG. 3, the processing liquid supply pipe 13 and the processing liquid discharge pipe 16 are connected to a supply port 28 and a discharge port 29, respectively. Therefore, the processing liquid supply mechanism 14 (see FIG. 1) is connected to the supply port 28 via the processing liquid supply pipe 13. The processing liquid supply mechanism 14 always supplies the processing liquid to the jet nozzle 6 at a high pressure. The processing liquid supplied from the processing liquid supply mechanism 14 to the supply port 28 is supplied to the processing liquid flow passage 30. In a state where the discharge valve 15 is closed, the pressure (fluid pressure) of the treatment liquid in the treatment liquid flow passage 30 is high. Therefore, in this state, the processing liquid is ejected from each ejection port 31 by the fluid pressure. Further, in this state, when an AC voltage is applied to the piezoelectric element 17, the processing liquid flowing through the processing liquid flow passage 30 is divided by vibration from the piezoelectric element 17 and has a diameter that is approximately equal to the diameter of the ejection port 31. A liquid column of liquid is ejected from the ejection port 31. And this liquid column changes to a spherical shape by surface tension. Therefore, spherical droplets having a diameter (for example, 15 μm to 200 μm) larger than the diameter of the ejection port 31 are scattered toward the substrate W.

一方、排出バルブ１５が開かれている状態では、処理液流通路３０に供給された処理液が、排出口２９から処理液排出管１６に排出される。すなわち、排出バルブ１５が開かれている状態では、処理液流通路３０での液圧が十分に上昇していない。噴射口３１が微細孔であるから、噴射口３１から処理液を噴射させるには、処理液流通路３０の液圧を所定値以上に上昇させる必要がある。しかしながら、排出バルブ１５が開かれている状態では、処理液流通路３０の液圧が低圧であるので、処理液流通路３０の処理液は、噴射口３１から噴射されずに、排出口２９から処理液排出管１６に排出される。このように、噴射口３１からの処理液の噴射は、排出バルブ１５の開閉により制御される。制御装置８（図１参照）は、洗浄ノズル５を基板Ｗの処理に使用しない間（洗浄ノズル５の待機中）は、排出バルブ１５を開いている。そのため、洗浄ノズル５の待機中であっても、噴射ノズル６の内部で処理液が流通している状態が維持される。   On the other hand, when the discharge valve 15 is open, the processing liquid supplied to the processing liquid flow passage 30 is discharged from the discharge port 29 to the processing liquid discharge pipe 16. That is, in the state where the discharge valve 15 is opened, the liquid pressure in the processing liquid flow passage 30 is not sufficiently increased. Since the injection port 31 is a fine hole, in order to inject the processing liquid from the injection port 31, it is necessary to increase the liquid pressure in the processing liquid flow passage 30 to a predetermined value or more. However, in a state where the discharge valve 15 is opened, the liquid pressure in the processing liquid flow passage 30 is low, so that the processing liquid in the processing liquid flow passage 30 is not injected from the injection port 31 but from the discharge port 29. It is discharged to the processing liquid discharge pipe 16. As described above, the injection of the processing liquid from the injection port 31 is controlled by opening and closing the discharge valve 15. The control device 8 (see FIG. 1) opens the discharge valve 15 while the cleaning nozzle 5 is not used for processing the substrate W (while the cleaning nozzle 5 is on standby). Therefore, even when the cleaning nozzle 5 is on standby, the state in which the processing liquid is circulating inside the injection nozzle 6 is maintained.

制御装置８は、基板Ｗの上面に処理液の液滴を衝突させるときに、ノズル移動機構２０（図１参照）によって洗浄ノズル５を移動させることにより、噴射ノズル６の下面（本体２７の下面２７ａ）を基板Ｗの上面に近接させる。そして、制御装置８は、噴射ノズル６に設けられた複数の噴射口３１と、保護液ノズル７に設けられた吐出口３６とが、基板Ｗの上面に対向している状態で、保護液バルブ２４を開いて、吐出口３６から保護液を吐出させる。さらに、制御装置８は、この状態で、排出バルブ１５を閉じて処理液流通路３０の圧力を上昇させると共に、圧電素子１７を駆動することにより、処理液流通路３０内の処理液に振動を加える。これにより、粒径が均一な多数の処理液の液滴が均一な速度で同時に噴射される。具体的には、平均値に対する粒径および速度のばらつきが１０％以内の均一な液滴が基板Ｗの上面に向けて噴射される。   The control device 8 moves the cleaning nozzle 5 by the nozzle moving mechanism 20 (see FIG. 1) when causing the droplet of the processing liquid to collide with the upper surface of the substrate W, whereby the lower surface of the injection nozzle 6 (the lower surface of the main body 27). 27a) is brought close to the upper surface of the substrate W. And the control apparatus 8 is the protection liquid valve | bulb in the state in which the several injection port 31 provided in the injection nozzle 6 and the discharge port 36 provided in the protection liquid nozzle 7 are facing the upper surface of the board | substrate W. 24 is opened, and the protective liquid is discharged from the discharge port 36. Further, in this state, the control device 8 closes the discharge valve 15 to increase the pressure of the processing liquid flow passage 30 and drives the piezoelectric element 17 to vibrate the processing liquid in the processing liquid flow passage 30. Add. Thereby, a large number of droplets of the treatment liquid having a uniform particle size are simultaneously ejected at a uniform speed. Specifically, uniform droplets having a particle size and speed variation of 10% or less with respect to the average value are ejected toward the upper surface of the substrate W.

図３に示すように、処理液の液滴は、複数の噴射口３１からそれぞれ基板Ｗの上面内の複数の衝突位置Ｐ１に向けて噴射される。また、保護液は、吐出口３６から基板Ｗの上面内の着液位置Ｐ２に向けて吐出される。衝突位置Ｐ１および着液位置Ｐ２の位置関係は、噴射口３１および吐出口３６を鉛直方向Ｄ１から見たときの噴射口３１および吐出口３６の位置関係と等しい。前述のように、各噴射口３１から吐出口３６までの距離は等しい。したがって、各衝突位置Ｐ１から着液位置Ｐ２までの距離Ｄ（最短距離）は等しい。   As shown in FIG. 3, the droplets of the processing liquid are ejected from the plurality of ejection ports 31 toward the plurality of collision positions P1 in the upper surface of the substrate W, respectively. Further, the protective liquid is discharged from the discharge port 36 toward the liquid landing position P2 in the upper surface of the substrate W. The positional relationship between the collision position P1 and the liquid landing position P2 is equal to the positional relationship between the ejection port 31 and the ejection port 36 when the ejection port 31 and the ejection port 36 are viewed from the vertical direction D1. As described above, the distances from the ejection ports 31 to the ejection ports 36 are equal. Therefore, the distance D (shortest distance) from each collision position P1 to the liquid landing position P2 is equal.

図５Ａ〜図５Ｄは、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理例について説明するための図である。以下では、図１および図２を参照する。図５Ａ〜図５Ｄについては適宜参照する。
未処理の基板Ｗは、図示しない搬送ロボットによって搬送され、デバイス形成面である表面をたとえば上に向けてスピンチャック２上に載置される。そして、制御装置８は、スピンチャック２によって基板Ｗを保持させる。その後、制御装置８は、スピンモータ１０を制御することにより、スピンチャック２に保持されている基板Ｗを回転させる。 5A to 5D are views for explaining a processing example of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. In the following, reference is made to FIG. 1 and FIG. 5A to 5D will be referred to as appropriate.
The unprocessed substrate W is transported by a transport robot (not shown), and placed on the spin chuck 2 with the surface, which is a device formation surface, facing upward, for example. Then, the control device 8 holds the substrate W by the spin chuck 2. Thereafter, the control device 8 controls the spin motor 10 to rotate the substrate W held on the spin chuck 2.

次に、リンス液の一例である純水をリンス液ノズル４から基板Ｗに供給して、基板Ｗの上面を純水で覆う第１カバー工程が行われる。具体的には、制御装置８は、スピンチャック２によって基板Ｗを回転させながら、リンス液バルブ１１を開いて、図５Ａに示すように、リンス液ノズル４からスピンチャック２に保持されている基板Ｗの上面中央部に向けて純水を吐出させる。リンス液ノズル４から吐出された純水は、基板Ｗの上面中央部に供給され、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に広がる。これにより、基板Ｗの上面全域に純水が供給され、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。そして、リンス液バルブ１１が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置８は、リンス液バルブ１１を閉じてリンス液ノズル４からの純水の吐出を停止させる。   Next, the 1st cover process which supplies the pure water which is an example of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 4 to the board | substrate W, and covers the upper surface of the board | substrate W with a pure water is performed. Specifically, the control device 8 opens the rinse liquid valve 11 while rotating the substrate W by the spin chuck 2, and the substrate held on the spin chuck 2 from the rinse liquid nozzle 4 as shown in FIG. 5A. Pure water is discharged toward the center of the upper surface of W. The pure water discharged from the rinsing liquid nozzle 4 is supplied to the central portion of the upper surface of the substrate W, and spreads outward along the upper surface of the substrate W under the centrifugal force due to the rotation of the substrate W. Thus, pure water is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and a liquid film of pure water is formed to cover the entire upper surface of the substrate W. When a predetermined time elapses after the rinsing liquid valve 11 is opened, the control device 8 closes the rinsing liquid valve 11 and stops the discharge of pure water from the rinsing liquid nozzle 4.

次に、処理液の一例である炭酸水の液滴を噴射ノズル６から基板Ｗに供給して基板Ｗを洗浄する洗浄工程と、保護液の一例であるＳＣ−１を保護液ノズル７から基板Ｗに供給して基板Ｗの上面をＳＣ−１で覆う第２カバー工程とが並行して行われる。具体的には、制御装置８は、ノズル移動機構２０を制御することにより、洗浄ノズル５（噴射ノズル６および保護液ノズル７）をスピンチャック２の上方に移動させると共に、洗浄ノズル５の下面（本体２７の下面２７ａ）を基板Ｗの上面に近接させる。その後、制御装置８は、スピンチャック２によって基板Ｗを回転させながら、保護液バルブ２４を開いて、図５Ｂに示すように、保護液ノズル７からＳＣ−１を吐出させる。これにより、基板Ｗの上面を覆うＳＣ−１の液膜が形成される。   Next, a cleaning step of cleaning the substrate W by supplying droplets of carbonated water, which is an example of the processing liquid, from the spray nozzle 6 to the substrate W, and SC-1, which is an example of the protective liquid, from the protective liquid nozzle 7 to the substrate. A second cover process is performed in parallel with the process of supplying W to cover the upper surface of the substrate W with SC-1. Specifically, the control device 8 controls the nozzle moving mechanism 20 to move the cleaning nozzle 5 (injection nozzle 6 and protective liquid nozzle 7) above the spin chuck 2, and the lower surface of the cleaning nozzle 5 ( The lower surface 27a) of the main body 27 is brought close to the upper surface of the substrate W. Thereafter, the control device 8 opens the protective liquid valve 24 while rotating the substrate W by the spin chuck 2, and discharges SC-1 from the protective liquid nozzle 7 as shown in FIG. 5B. Thereby, the SC-1 liquid film covering the upper surface of the substrate W is formed.

一方、制御装置８は、保護液ノズル７からのＳＣ−１の吐出と並行して、噴射ノズル６から炭酸水の液滴を噴射させる。具体的には、制御装置８は、洗浄ノズル５の下面が基板Ｗの上面に近接しており、保護液ノズル７からＳＣ−１が吐出されている状態で、排出バルブ１５を閉じると共に、電圧印加機構１９によって所定の周波数の交流電圧を圧電素子１７に印加させる。さらに、制御装置８は、一定の回転速度で基板Ｗを回転させながら、ノズル移動機構２０によって、洗浄ノズル５を軌跡Ｘ１に沿って往復移動させる。これにより、図５Ｂに示すように、噴射ノズル６から複数の液滴が噴射され、これらの液滴が、ＳＣ−１の液膜によって覆われている基板Ｗの上面に衝突する。そして、制御装置８は、液滴の噴射が所定時間に亘って行われた後、排出バルブ１５を開いて、噴射ノズル６からの液滴の噴射を停止させる。さらに、制御装置８は、保護液バルブ２４を閉じて、保護液ノズル７からのＳＣ−１の吐出を停止させる。その後、制御装置８は、ノズル移動機構２０によって、洗浄ノズル５を基板Ｗの上方から退避させる。   On the other hand, the control device 8 ejects droplets of carbonated water from the ejection nozzle 6 in parallel with the discharge of SC-1 from the protective liquid nozzle 7. Specifically, the control device 8 closes the discharge valve 15 in a state where the lower surface of the cleaning nozzle 5 is close to the upper surface of the substrate W and SC-1 is discharged from the protective liquid nozzle 7, and the voltage An AC voltage having a predetermined frequency is applied to the piezoelectric element 17 by the applying mechanism 19. Further, the control device 8 reciprocates the cleaning nozzle 5 along the locus X1 by the nozzle moving mechanism 20 while rotating the substrate W at a constant rotation speed. As a result, as shown in FIG. 5B, a plurality of droplets are ejected from the ejection nozzle 6, and these droplets collide with the upper surface of the substrate W covered with the liquid film of SC-1. Then, after the droplet ejection is performed for a predetermined time, the control device 8 opens the discharge valve 15 to stop the droplet ejection from the ejection nozzle 6. Further, the control device 8 closes the protective liquid valve 24 and stops the discharge of SC-1 from the protective liquid nozzle 7. Thereafter, the control device 8 retracts the cleaning nozzle 5 from above the substrate W by the nozzle moving mechanism 20.

制御装置８は、洗浄工程において、洗浄ノズル５が基板Ｗの上面周縁部に対向する周縁位置Ｐｅ１（図５Ｂ参照）から洗浄ノズル５が基板Ｗの上面周縁部に対向する周縁位置Ｐｅ２（図５Ｂ参照）まで洗浄ノズル５を軌跡Ｘ１に沿って移動させるフルスキャンを行ってもよいし、洗浄ノズル５が基板Ｗの上面中央部に対向する中心位置Ｐｃ（図５Ｂ参照）から周縁位置Ｐｅ１まで洗浄ノズル５を軌跡Ｘ１に沿って移動させるハーフスキャンを行ってもよい。また、フルスキャンおよびハーフスキャンのいずれが行われる場合でも、制御装置８は、鉛直方向Ｄ１への洗浄ノズル５と基板Ｗとの距離を一定に保った状態で洗浄ノズル５を移動させてもよいし、洗浄ノズル５と基板Ｗとの距離を変化させながら洗浄ノズル５を移動させてもよい。たとえば図５Ｂに示すように、制御装置８は、周縁位置Ｐｅ１および周縁位置Ｐｅ２での洗浄ノズル５と基板Ｗとの距離が、中心位置Ｐｃでの洗浄ノズル５と基板Ｗとの距離より短くなるように、洗浄ノズル５を移動させてもよい。   In the cleaning process, the control device 8 uses a peripheral position Pe2 (see FIG. 5B) where the cleaning nozzle 5 faces the upper peripheral edge of the substrate W to a peripheral position Pe2 (see FIG. 5B) where the cleaning nozzle 5 faces the upper peripheral edge of the substrate W. The cleaning nozzle 5 may be moved along the trajectory X1 until the cleaning is performed, or the cleaning nozzle 5 is cleaned from the center position Pc (see FIG. 5B) facing the center of the upper surface of the substrate W to the peripheral position Pe1. You may perform the half scan which moves the nozzle 5 along the locus | trajectory X1. Further, regardless of whether full scan or half scan is performed, the control device 8 may move the cleaning nozzle 5 while keeping the distance between the cleaning nozzle 5 and the substrate W in the vertical direction D1 constant. Then, the cleaning nozzle 5 may be moved while changing the distance between the cleaning nozzle 5 and the substrate W. For example, as shown in FIG. 5B, the control device 8 causes the distance between the cleaning nozzle 5 and the substrate W at the peripheral position Pe1 and the peripheral position Pe2 to be shorter than the distance between the cleaning nozzle 5 and the substrate W at the central position Pc. As such, the cleaning nozzle 5 may be moved.

多数の炭酸水の液滴が噴射ノズル６から下方に噴射されることにより、ＳＣ−１の液膜によって覆われている基板Ｗの上面に多数の炭酸水の液滴が吹き付けられる。また、フルスキャンおよびハーフスキャンのいずれが行われる場合でも、洗浄ノズル５が中心位置Ｐｃと周縁位置Ｐｅ１とを通過するので、炭酸水の液滴によって基板Ｗの上面全域が走査され、炭酸水の液滴が基板Ｗの上面全域に衝突する。したがって、基板Ｗの上面に付着しているパーティクルなどの異物は、基板Ｗに対する液滴の衝突によって物理的に除去される。また、基板Ｗに対する異物の付着力は、ＳＣ−１が基板Ｗを溶融させることにより弱められる。したがって、異物がより確実に除去される。しかも、基板Ｗの上面全域が液膜によって覆われている状態で、炭酸水の液滴が基板Ｗの上面に吹き付けられるので、基板Ｗに対する異物の再付着が抑制または防止される。このようにして、第２カバー工程と並行して洗浄工程が行われる。   A large number of carbonated water droplets are sprayed downward from the spray nozzle 6, whereby a large number of carbonated water droplets are sprayed onto the upper surface of the substrate W covered with the SC-1 liquid film. In addition, regardless of whether full scan or half scan is performed, since the cleaning nozzle 5 passes through the center position Pc and the peripheral position Pe1, the entire upper surface of the substrate W is scanned by the carbonated water droplets, and the carbonated water is scanned. The droplet collides with the entire upper surface of the substrate W. Accordingly, foreign matters such as particles adhering to the upper surface of the substrate W are physically removed by the collision of the droplet with the substrate W. Further, the adhesion force of foreign matter to the substrate W is weakened by the SC-1 melting the substrate W. Therefore, foreign matters are more reliably removed. Moreover, since the carbonated water droplets are sprayed onto the upper surface of the substrate W in a state where the entire upper surface of the substrate W is covered with the liquid film, the reattachment of foreign matter to the substrate W is suppressed or prevented. In this way, the cleaning process is performed in parallel with the second cover process.

次に、リンス液の一例である純水をリンス液ノズル４から基板Ｗに供給して、基板Ｗに付着している液体や異物を洗い流すリンス工程が行われる。具体的には、制御装置８は、スピンチャック２によって基板Ｗを回転させながら、リンス液バルブ１１を開いて、図５Ｃに示すように、リンス液ノズル４からスピンチャック２に保持されている基板Ｗの上面中央部に向けて純水を吐出させる。リンス液ノズル４から吐出された純水は、基板Ｗの上面中央部に供給され、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に広がる。これにより、基板Ｗの上面全域に純水が供給され、基板Ｗに付着している液体や異物が洗い流される。そして、リンス液バルブ１１が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置８は、リンス液バルブ１１を閉じてリンス液ノズル４からの純水の吐出を停止させる。   Next, a rinsing process is performed in which pure water, which is an example of a rinsing liquid, is supplied from the rinsing liquid nozzle 4 to the substrate W to wash away liquids and foreign matters adhering to the substrate W. Specifically, the control device 8 opens the rinse liquid valve 11 while rotating the substrate W by the spin chuck 2, and the substrate held on the spin chuck 2 from the rinse liquid nozzle 4 as shown in FIG. 5C. Pure water is discharged toward the center of the upper surface of W. The pure water discharged from the rinsing liquid nozzle 4 is supplied to the central portion of the upper surface of the substrate W, and spreads outward along the upper surface of the substrate W under the centrifugal force due to the rotation of the substrate W. Thereby, pure water is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and the liquid and foreign matters adhering to the substrate W are washed away. When a predetermined time elapses after the rinsing liquid valve 11 is opened, the control device 8 closes the rinsing liquid valve 11 and stops the discharge of pure water from the rinsing liquid nozzle 4.

次に、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（スピンドライ）が行われる。具体的には、制御装置８は、スピンモータ１０を制御して、基板Ｗを高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で回転させる。これにより、基板Ｗに付着している純水に大きな遠心力が作用し、図５Ｄに示すように、基板Ｗに付着している純水が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから純水が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、乾燥工程が所定時間にわたって行われた後は、制御装置８は、スピンモータ１０を制御することにより、スピンチャック２による基板Ｗの回転を停止させる。その後、処理済みの基板Ｗが搬送ロボットによってスピンチャック２から搬出される。   Next, a drying process (spin drying) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control device 8 controls the spin motor 10 to rotate the substrate W at a high rotation speed (for example, several thousand rpm). Thereby, a large centrifugal force acts on the pure water adhering to the substrate W, and the pure water adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W as shown in FIG. 5D. In this way, pure water is removed from the substrate W, and the substrate W is dried. Then, after the drying process is performed for a predetermined time, the control device 8 controls the spin motor 10 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 2. Thereafter, the processed substrate W is unloaded from the spin chuck 2 by the transfer robot.

以上のように本実施形態では、吐出口３６から保護液が吐出されることにより、基板Ｗを覆う保護液の液膜が形成される。そして、複数の噴射口３１から複数の液滴が噴射されることにより、保護液の液膜に覆われている基板Ｗに複数の液滴が衝突する。各噴射口３１から噴射された液滴は、保護液が着液する基板Ｗ内の着液位置Ｐ２からの距離Ｄが等しい基板Ｗ内の衝突位置Ｐ１に衝突する。基板Ｗ上での液膜の厚みは、着液位置Ｐ２からの距離に応じて変化する。したがって、各衝突位置Ｐ１から着液位置Ｐ２までの距離を等しくすることにより、各衝突位置Ｐ１での膜厚（保護液の液膜の厚み）のばらつきを低減できる。そのため、各衝突位置Ｐ１において基板Ｗに加わる衝撃のばらつきを低減できる。さらに、基板Ｗに向けて噴射される液滴の粒径および速度が均一なので、均一な運動エネルギーを有する液滴が基板Ｗに衝突する。これにより、液滴の衝突によって基板Ｗに加わる衝撃のばらつきをさらに低減できる。したがって、処理の均一性を向上させることができる。   As described above, in the present embodiment, a protective liquid film covering the substrate W is formed by discharging the protective liquid from the discharge port 36. A plurality of liquid droplets are ejected from the plurality of ejection ports 31, so that the plurality of liquid droplets collide with the substrate W covered with the liquid film of the protective liquid. The liquid droplets ejected from the ejection ports 31 collide with the collision position P1 in the substrate W where the distance D from the liquid deposition position P2 in the substrate W where the protective liquid is deposited is equal. The thickness of the liquid film on the substrate W changes according to the distance from the liquid landing position P2. Therefore, by making the distance from each collision position P1 to the liquid landing position P2 equal, it is possible to reduce the variation in the film thickness (the thickness of the liquid film of the protective liquid) at each collision position P1. Therefore, variation in impact applied to the substrate W at each collision position P1 can be reduced. Further, since the droplets ejected toward the substrate W have a uniform particle size and velocity, the droplets having uniform kinetic energy collide with the substrate W. Thereby, the variation in the impact applied to the substrate W by the collision of the droplets can be further reduced. Therefore, the uniformity of processing can be improved.

この発明の実施形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、吐出口３６が、円形であり、鉛直方向Ｄ１から見たときに洗浄ノズル５の中心軸線Ｌ３上に位置するように配置されている場合について説明した。しかし、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、吐出口３６は、全周に亘って連続した環状であり、鉛直方向Ｄ１から見たときに洗浄ノズル５の中心軸線Ｌ３を同軸的に取り囲むように配置されていてもよい。この場合、吐出口３６は、図６Ａに示す洗浄ノズル２０５の内側環状吐出口２３６（環状吐出口）のように、複数の噴射口３１の内側に配置されていてもよいし、図６Ｂに示す洗浄ノズル３０５の外側環状吐出口３３６（環状吐出口）のように、複数の噴射口３１の外側に配置されていてもよい。 Although the description of the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the claims.
For example, in the above-described embodiment, a case has been described in which the discharge port 36 has a circular shape and is disposed on the central axis L3 of the cleaning nozzle 5 when viewed from the vertical direction D1. However, as shown in FIGS. 6A and 6B, the discharge port 36 has a continuous annular shape over the entire circumference, and coaxially surrounds the central axis L3 of the cleaning nozzle 5 when viewed from the vertical direction D1. It may be arranged. In this case, the discharge port 36 may be disposed inside the plurality of injection ports 31 like the inner annular discharge port 236 (annular discharge port) of the cleaning nozzle 205 shown in FIG. 6A, or as shown in FIG. 6B. Like the outer annular discharge port 336 (annular discharge port) of the cleaning nozzle 305, it may be disposed outside the plurality of ejection ports 31.

また、前述の実施形態では、複数の噴射口３１が、洗浄ノズル５の中心軸線Ｌ３上に中心点Ｘを有する水平な円Ｃに沿って配置されている場合について説明した。しかし、複数の噴射口３１が、洗浄ノズル５の中心軸線Ｌ３上に中心を有する水平な円弧に沿って配置されていてもよい。すなわち、複数の噴射口３１は、全周に亘って吐出口３６を取り囲んでいなくてもよい。   Further, in the above-described embodiment, a case has been described in which the plurality of injection ports 31 are arranged along the horizontal circle C having the center point X on the central axis L3 of the cleaning nozzle 5. However, the plurality of injection ports 31 may be arranged along a horizontal arc having a center on the central axis L <b> 3 of the cleaning nozzle 5. That is, the plurality of ejection ports 31 may not surround the ejection port 36 over the entire circumference.

また、前述の実施形態では、複数の噴射口３１が環状に配列されている場合について説明した。しかし、複数の噴射口３１は、直線状に配列されていてもよい。具体的には、図７Ａおよび図７Ｂに示す洗浄ノズル４０５のように、複数の噴射口４３１（直線状配列噴射口）が直線状に等間隔で配列されており、吐出口４３６（直線状吐出口）が、複数の噴射口４３１と平行なスリット状であってもよい。吐出口４３６の長さ（長手方向への長さ）は、複数の噴射口４３１の一端から他端までの長さと等しい。この場合、吐出口４３６からの保護液の吐出方向は、噴射口４３１からの液滴の噴射方向と平行でなくてもよい。   Further, in the above-described embodiment, the case where the plurality of injection ports 31 are arranged in an annular shape has been described. However, the plurality of injection ports 31 may be arranged in a straight line. Specifically, as in the cleaning nozzle 405 shown in FIGS. 7A and 7B, a plurality of injection ports 431 (linear array injection ports) are linearly arranged at equal intervals, and the discharge ports 436 (linear discharge nozzles) are arranged. The exit may be in the form of a slit parallel to the plurality of injection ports 431. The length of the discharge port 436 (length in the longitudinal direction) is equal to the length from one end of the plurality of ejection ports 431 to the other end. In this case, the discharge direction of the protective liquid from the discharge port 436 may not be parallel to the discharge direction of the droplets from the discharge port 431.

また、前述の実施形態では、複数の噴射口３１が同一の高さに配置されている場合について説明した。しかし、複数の噴射口３１は、それぞれ異なる高さに配置されていてもよい。すなわち、複数の噴射口３１は、鉛直方向Ｄ１から見たときに洗浄ノズル５の中心軸線Ｌ３から等しい距離の位置に配置されていればよい。
また、前述の実施形態では、洗浄ノズル５が、インクジェット方式によって多数の液滴を噴射するインクジェットノズル（噴射ノズル６）を含む場合について説明した。しかし、洗浄ノズル５は、液体と気体とを衝突させて液滴を生成する二流体ノズルを含んでいてもよい。たとえば、洗浄液ノズル５は、環状に配置された複数の二流体ノズルと、複数の二流体ノズルの中心に配置された保護液ノズル７とを含んでいてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the case where the plurality of injection ports 31 are arranged at the same height has been described. However, the plurality of injection ports 31 may be arranged at different heights. That is, it is only necessary that the plurality of injection ports 31 be arranged at the same distance from the central axis L3 of the cleaning nozzle 5 when viewed from the vertical direction D1.
In the above-described embodiment, the case where the cleaning nozzle 5 includes the inkjet nozzle (ejection nozzle 6) that ejects a large number of droplets by the inkjet method has been described. However, the cleaning nozzle 5 may include a two-fluid nozzle that generates liquid droplets by colliding liquid and gas. For example, the cleaning liquid nozzle 5 may include a plurality of two-fluid nozzles arranged in an annular shape and a protective liquid nozzle 7 arranged at the center of the plurality of two-fluid nozzles.

また、前述の実施形態では、１つの洗浄ノズル５を用いて基板Ｗを処理する場合について説明したが、複数の洗浄ノズル５を用いて基板Ｗを処理してもよい。すなわち、共通のスピンチャック２に対応する洗浄ノズル５が複数設けられてもよい。
また、前述の実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。 In the above-described embodiment, the case where the substrate W is processed using one cleaning nozzle 5 has been described. However, the substrate W may be processed using a plurality of cleaning nozzles 5. That is, a plurality of cleaning nozzles 5 corresponding to the common spin chuck 2 may be provided.
Moreover, although the above-mentioned embodiment demonstrated the case where the substrate processing apparatus 1 was an apparatus which processes the disk-shaped board | substrate W, the substrate processing apparatus 1 is a polygonal board | substrate, such as a board | substrate for liquid crystal display devices. It may be a device for processing.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１ ：基板処理装置
２ ：スピンチャック（基板保持手段、基板回転手段）
５ ：洗浄ノズル（ノズル）
６ ：噴射ノズル（噴射部、供給部）
７ ：保護液ノズル（吐出部）
１３ ：処理液供給管
１７ ：圧電素子（振動付与手段）
２０ ：ノズル移動機構（相対移動手段）
２６ ：保護液供給管
３０ ：処理液流通路
３１ ：噴射口（環状配列噴射口）
３６ ：吐出口（中心吐出口）
２０５ ：洗浄ノズル（ノズル）
２３６ ：内側環状吐出口（環状吐出口）
３０５ ：洗浄ノズル（ノズル）
３３６ ：外側環状吐出口（環状吐出口）
４０５ ：洗浄ノズル（ノズル）
４３１ ：噴射口（直線状配列噴射口）
４３６ ：吐出口（直線状吐出口）
Ｄ１ ：鉛直方向（基準方向）
Ｐｃ ：中心位置
Ｐｅ１ ：周縁位置
Ｐｅ２ ：周縁位置
Ｌ１ ：回転軸線
Ｘ ：中心点（基準点） 1: Substrate processing apparatus 2: Spin chuck (substrate holding means, substrate rotating means)
5: Cleaning nozzle (nozzle)
6: Injection nozzle (injection unit, supply unit)
7: Protective liquid nozzle (discharge part)
13: Treatment liquid supply pipe 17: Piezoelectric element (vibration applying means)
20: Nozzle movement mechanism (relative movement means)
26: Protection liquid supply pipe 30: Treatment liquid flow passage 31: Injection port (annular array injection port)
36: Discharge port (central discharge port)
205: Cleaning nozzle (nozzle)
236: Inner annular discharge port (annular discharge port)
305: Cleaning nozzle (nozzle)
336: Outer annular discharge port (annular discharge port)
405: Cleaning nozzle (nozzle)
431: injection port (linear arrangement injection port)
436: Discharge port (straight discharge port)
D1: Vertical direction (reference direction)
Pc: Center position Pe1: Perimeter position Pe2: Perimeter position L1: Rotation axis X: Center point (reference point)

Claims (9)

吐出口から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板に、複数の噴射口から噴射された複数の液滴を衝突させ、複数の液滴が基板に衝突したときの衝撃によって異物を基板から除去する、基板に対して移動可能なノズルであって、
前記複数の噴射口から噴射された複数の液滴がそれぞれ基板内の複数の衝突位置に衝突するように前記複数の噴射口が形成された噴射部と、
各衝突位置からの距離が等しい基板内の着液位置に保護液が着液するように前記吐出口が形成された吐出部とを含む、ノズル。 A plurality of droplets ejected from a plurality of ejection ports collide with a substrate covered with a liquid film of a protective liquid ejected from the ejection port , and foreign matter is removed by impact when the plurality of droplets collide with the substrate. A nozzle that is movable relative to the substrate to be removed from the substrate ,
An injection unit in which the plurality of injection ports are formed such that a plurality of liquid droplets injected from the plurality of injection ports respectively collide with a plurality of collision positions in the substrate;
A nozzle including a discharge portion in which the discharge port is formed so that the protective liquid is deposited at a liquid deposition position in the substrate having the same distance from each collision position. 前記複数の噴射口に処理液を供給する処理液流通路が形成された供給部と、
前記処理液流通路を流通する処理液に振動を付与することにより、前記複数の噴射口に供給される処理液を分断する振動付与手段とをさらに含む、請求項１に記載のノズル。 A supply section in which a processing liquid flow passage for supplying a processing liquid to the plurality of ejection ports is formed;
The nozzle according to claim 1, further comprising vibration applying means for dividing the processing liquid supplied to the plurality of ejection ports by applying vibration to the processing liquid flowing through the processing liquid flow passage. 各噴射口から前記吐出口までの距離が等しい、請求項１または２に記載のノズル。   The nozzle according to claim 1, wherein a distance from each ejection port to the ejection port is equal. 前記複数の噴射口は、基準方向から見たときに基準点から等しい距離の位置に配置された複数の環状配列噴射口を含み、
前記吐出口は、前記基準方向から見たときに前記基準点に位置するように配置された中心吐出口を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のノズル。 The plurality of injection holes include a plurality of annular array injection holes arranged at equal distances from a reference point when viewed from a reference direction;
The nozzle according to any one of claims 1 to 3, wherein the discharge port includes a central discharge port arranged to be positioned at the reference point when viewed from the reference direction. 前記複数の噴射口は、基準方向から見たときに基準点から等しい距離の位置に配置された複数の環状配列噴射口を含み、
前記吐出口は、前記基準方向から見たときに前記基準点を取り囲むように配置されており、全周に亘って連続した環状吐出口を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のノズル。 The plurality of injection holes include a plurality of annular array injection holes arranged at equal distances from a reference point when viewed from a reference direction;
The said discharge outlet is arrange | positioned so that the said reference point may be surrounded when it sees from the said reference direction, and contains the cyclic | annular discharge outlet continuous over the perimeter. Nozzle. 前記複数の噴射口は、基準方向から見たときに直線状に並ぶように配置された複数の直線状配列噴射口を含み、
前記吐出口は、前記基準方向から見たときに前記複数の直線状配列噴射口と平行なスリット状の直線状吐出口を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のノズル。 The plurality of injection holes include a plurality of linear array injection holes arranged so as to be arranged in a straight line when viewed from a reference direction,
The nozzle according to any one of claims 1 to 3, wherein the discharge port includes a slit-shaped linear discharge port parallel to the plurality of linear array injection ports when viewed from the reference direction. 吐出口から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板に、複数の噴射口から噴射された複数の液滴を衝突させるノズルであって、前記複数の噴射口から噴射された複数の液滴がそれぞれ基板内の複数の衝突位置に衝突するように前記複数の噴射口が形成された噴射部と、各衝突位置からの距離が等しい基板内の着液位置に保護液が着液するように前記吐出口が形成された吐出部とを含むノズルと、
前記噴射部に処理液を供給する処理液供給管と、
前記吐出部に保護液を供給する保護液供給管と、
基板を保持する基板保持手段と、
前記ノズルおよび前記基板保持手段に保持されている基板の少なくとも一方を移動させることにより、前記複数の噴射口と前記吐出口との位置関係が一定に保たれた状態で前記ノズルと前記基板とを相対移動させる相対移動手段とを含む、基板処理装置。 A nozzle that causes a plurality of droplets ejected from a plurality of ejection ports to collide with a substrate covered with a liquid film of a protective liquid ejected from the ejection port, wherein the plurality of droplets ejected from the plurality of ejection ports The protective liquid is applied to the injection part in which the plurality of injection ports are formed so that the liquid droplets collide with the plurality of collision positions in the substrate and the liquid injection position in the substrate having the same distance from each collision position. A nozzle including a discharge portion in which the discharge port is formed ,
A treatment liquid supply pipe for supplying a treatment liquid to the ejection unit;
A protective liquid supply pipe for supplying a protective liquid to the discharge unit;
Substrate holding means for holding the substrate;
By moving at least one of the nozzle and the substrate held by the substrate holding means, the nozzle and the substrate are moved in a state where the positional relationship between the plurality of ejection ports and the ejection port is kept constant. A substrate processing apparatus, comprising: a relative movement means for relative movement. 前記基板保持手段に保持されている基板の主面中央部に交差する回転軸線まわりに前記基板を回転させる基板回転手段をさらに含み、
前記相対移動手段は、前記ノズルが前記基板の主面中央部に対向する中心位置と、前記ノズルと前記基板との間の距離が前記中心位置での距離よりも短くなるように、前記ノズルが前記基板の主面周縁部に対向する周縁位置との間で前記ノズルを移動させる、請求項７に記載の基板処理装置。 A substrate rotating means for rotating the substrate around a rotation axis intersecting a central portion of the main surface of the substrate held by the substrate holding means;
The relative movement means is configured so that the nozzle is positioned so that the distance between the nozzle and the substrate is shorter than the distance between the center position where the nozzle faces the central portion of the main surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the nozzle is moved between a peripheral position facing a peripheral portion of the main surface of the substrate. 複数の噴射口からそれぞれ基板内の複数の衝突位置に向けて処理液の液滴を噴射し、複数の液滴が基板に衝突したときの衝撃によって異物を基板から除去する噴射工程と、
前記噴射工程と並行して、各衝突位置からの距離が等しい基板内の着液位置に向けて吐出口から保護液を吐出することにより、前記複数の衝突位置を覆う保護液の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記噴射工程および液膜形成工程と並行して、前記複数の噴射口と前記吐出口との位置関係が一定に保たれた状態で、前記複数の噴射口および吐出口と前記基板とを相対移動させる相対移動工程とを含む、基板処理方法。 An ejection step of ejecting treatment liquid droplets from a plurality of ejection openings toward a plurality of collision positions in the substrate, and removing foreign matter from the substrate by impact when the plurality of droplets collide with the substrate ;
In parallel with the jetting step, a protective liquid film is formed to cover the plurality of collision positions by discharging the protective liquid from the discharge port toward the liquid landing position in the substrate having the same distance from each collision position. A liquid film forming step ,
In parallel with the spraying step and the liquid film forming step, the plurality of spraying ports, the discharge ports, and the substrate are relatively moved while the positional relationship between the plurality of spraying ports and the discharge ports is kept constant. And a relative movement process .
JP2011214935A 2011-08-30 2011-09-29 Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method Active JP5837788B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011214935A JP5837788B2 (en) 2011-09-29 2011-09-29 Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method
US13/527,803 US20130052360A1 (en) 2011-08-30 2012-06-20 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and nozzle
KR20120081013A KR101491881B1 (en) 2011-08-30 2012-07-25 Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW101129171A TWI581867B (en) 2011-08-30 2012-08-13 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and nozzle
KR20130123008A KR101486165B1 (en) 2011-08-30 2013-10-16 Substrate processing apparatus and nozzle
US14/699,757 US9539589B2 (en) 2011-08-30 2015-04-29 Substrate processing apparatus, and nozzle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011214935A JP5837788B2 (en) 2011-09-29 2011-09-29 Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013077597A JP2013077597A (en) 2013-04-25
JP5837788B2 true JP5837788B2 (en) 2015-12-24

Family

ID=48480881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011214935A Active JP5837788B2 (en) 2011-08-30 2011-09-29 Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5837788B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6282850B2 (en) * 2013-11-22 2018-02-21 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
SG10201407598VA (en) 2013-11-19 2015-06-29 Ebara Corp Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
KR102285832B1 (en) 2014-07-25 2021-08-05 삼성전자주식회사 Apparatus and methods for treating substrates
KR20170128801A (en) 2016-05-16 2017-11-24 삼성전자주식회사 Method of cleaning a substrate and apparatus for performing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19916345A1 (en) * 1999-04-12 2000-10-26 Steag Electronic Systems Gmbh Method and device for cleaning substrates
JP4179592B2 (en) * 2002-08-21 2008-11-12 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method
JP2008108830A (en) * 2006-10-24 2008-05-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Two-fluid nozzle unit and substrate processing apparatus employing the same
JP5420336B2 (en) * 2009-07-23 2014-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013077597A (en) 2013-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101486165B1 (en) Substrate processing apparatus and nozzle
JP5852898B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102238880B1 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR101686290B1 (en) Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method
TWI698922B (en) Substrate processing method and substrate processing device
KR20160013469A (en) Apparatus and methods for treating substrates
JP2013065795A (en) Substrate processing method
JP5837788B2 (en) Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP5840854B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5785462B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6103429B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6112509B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6966917B2 (en) Board processing method and board processing equipment
JP6517113B2 (en) Substrate processing apparatus and discharge head
KR20090035857A (en) Apparatus for injecting cleaning liquid

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150514

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150520

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150713

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151015

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151106

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5837788

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250