JP2009087718A - イオン注入装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】必要に応じて同時に2種のイオン注入を行なうとともに、1種のイオン注入を行なう場合に未使用通路の汚染を抑える。
【解決手段】本流通路13bと支流通路13cとの境界部には、開口13dを開閉するシャッタ24が設けられている。シャッタ24を閉位置にすると、イオンビーム22から分離されたイオンビーム22aはシャッタ24の表面に吸収され、イオンビーム22bは本流通路13bの壁に吸収され、イオンビーム22aによる支流通路13cの汚染が防止される。残りのイオンビーム22cがメカニカルスリット14を介して加速・減速器16に入り、加速又は減速されてエンドステーション18のウエハ27に照射され、イオン注入が行なわれる。シャッタ24を開位置にすると、イオンビーム22aが支流通路13cに入り、加速・減速器17で加速又は減速されてエンドステーション19のウエハ29に照射され、イオン注入が行なわれる。
【選択図】図1
【解決手段】本流通路13bと支流通路13cとの境界部には、開口13dを開閉するシャッタ24が設けられている。シャッタ24を閉位置にすると、イオンビーム22から分離されたイオンビーム22aはシャッタ24の表面に吸収され、イオンビーム22bは本流通路13bの壁に吸収され、イオンビーム22aによる支流通路13cの汚染が防止される。残りのイオンビーム22cがメカニカルスリット14を介して加速・減速器16に入り、加速又は減速されてエンドステーション18のウエハ27に照射され、イオン注入が行なわれる。シャッタ24を開位置にすると、イオンビーム22aが支流通路13cに入り、加速・減速器17で加速又は減速されてエンドステーション19のウエハ29に照射され、イオン注入が行なわれる。
【選択図】図1
Description
本発明は、イオン注入装置に関し、更に詳しくは半導体デバイス等を製造する際にウエハにイオンを注入するイオン注入装置に関するものである。
従来、半導体デバイス等を製造する際にウエハにイオンを注入するイオン注入装置が使用されている。このイオン注入装置では、出発化合物である例えばBF3 ガスから生成されるBF2 + ,BF+ ,B+ ,B++,F+ などの各種イオンを分析アナライザで分離し、このうちの例えばB+ を使用し、他は廃棄していた。
これを改善するため、例えば特許文献1記載のイオン注入装置では、複数のイオンの飛行方向に複数のビームライン(以下ビーム通路という)を配置し、複数のイオンを複数のエンドステーションに同時に注入するようにしている。
特開平5−258709号公報
ところで、実際に半導体の特性をコントロールできるイオン種は、主要なガス1種類に対し、イオン2種類程度であるから、上記特許文献1記載のイオン注入装置において、むやみにビーム通路及びエンドステーションを設置しても装置金額が莫大になるばかりで、それに見合う生産性の向上は認められない。
また、上記特許文献1には、2種類のガスからなる混合ガスをイオン発生源に供給することにより、他種類のイオンを同時に発生させて個別に利用できる旨の記載がある。しかしながら、例えばBF3ガスとPH3 ガスとを混合ガスとして用いた場合、BF3 ガスから生成されるBF+イオンと、PH3 ガスから生成されるP+ イオンとは、質量がAMU30とAMU31とでほぼ同じであるため、分解困難であり、これらのガスを同時に使用することはできない。
したがって、上記特許文献1記載の複数のビーム通路が設けられたイオン注入装置で1種類のガスを用いて1種のイオン注入を行なう場合、イオン注入に使用されないビーム通路は汚染されることになるため、好ましくない。
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、必要に応じて同時に2種のイオン注入を行なうとともに、1種のイオン注入を行なう場合に未使用通路の汚染を抑えることができるイオン注入装置を提供することを目的とする。
本発明のイオン注入装置は、イオンビームの照射によってウエハにイオンを注入するイオン注入装置において、第1のイオンビームが通過する第1通路と、この第1通路から枝分かれして設けられ、前記第1のイオンビームから分離された飛行軌跡が第1のイオンビームと異なる第2のイオンビームが通過する第2通路とからなる通路部と、前記第1通路と第2通路との境界部に開閉自在に設けられ、前記第2のイオンビームが第2通路を通過することを許容又は阻止するシャッタと、前記第1,第2通路から飛び出した第1,第2のイオンビームの照射によってそれぞれ異なるイオンが注入される第1,第2のウエハを保持する第1,第2のエンドステーションとを備えたことを特徴とする。また、前記シャッタは、少なくとも第2のイオンビームが当たる表面がカーボンから形成されていることを特徴とする。
本発明のイオン注入装置によれば、通路部の第1通路と第2通路との境界部にシャッタを設けたから、シャッタを開くことにより、第1,第2のイオンビームが別々のウエハに照射され、同時に2枚のウエハにイオン注入することができるとともに、第2のイオンビームを使用しない場合には、シャッタを閉じることにより、第1通路のみを使用し、第2通路が徒に汚染されることから護ることができる。また、シャッタの少なくとも第2のイオンビームが当たる表面をカーボン製としたから、金属製のものに比べて金属汚染を減少させることができる。
本発明の実施形態を示す図1において、イオン注入装置10は、イオンを発生するイオン発生装置11と、引出し電極12と、ほぼV字形状をした通路部13と、メカニカルスリット14,15と、加速・減速器16,17と、エンドステーション18,19とからなる。
イオン発生装置11は、例えばBF3ガスなどのガスをイオン化してイオンビームを放出する。引出し電極12は、イオン発生装置11からイオンビームを引き出して通路部13の入口13aに送り込む。通路部13の内壁は、カーボンで形成されており、その周囲(曲部)には、アナライザーマグネット20が設けられている。
アナライザーマグネット20は、入口13aから通路部13内に入射したイオンビーム22から質量が異なる例えば2個のイオンビーム22a,22bを分離する。このイオンビーム22a,22bは、イオンビーム22からイオンビーム22a,22bが分離された後のイオンビーム22cに比べて、イオンビーム22aは質量が重く、イオンビーム22bは質量が軽い。
通路部13は、円弧状をした本流通路13bと、この本流通路13bから分岐され、曲率が本流通路13bと異なる円弧状をした支流通路13cとからなる。この支流通路13cには、本流通路13bと支流通路13cとの境界部に形成された開口13dを介して、質量が重いイオンビーム22aが入射する(図2参照)。
本流通路13bと支流通路13cとの境界部には、本流通路13bの湾曲に沿って移動され、開口13dを開閉するシャッタ24が設けられている。このシャッタ24は、機械式シャッタであり、その表面はカーボンにより形成されている。これにより、金属製のものに比べて金属汚染を減少させることができる。
なお、シャッタ24の表面が金属製の場合、シャッタ24の表面にイオンビームが当たると、表面の金属がイオンビームによってたたき出され(スパッタリング)、これがウエハに注入されてウエハの金属汚染が発生する。また、通路部13の内壁をカーボン製とした理由も同様である。
シャッタ24を閉位置にすると、イオンビーム22aはシャッタ24の表面に衝突して吸収され、使用しないイオンビーム22aによって支流通路13cが汚染されることが防止される。また、イオンビーム22bは本流通路13bの壁に衝突して吸収され、残りのイオンビーム22cが、本流通路13bの出口13e近傍に設けられたメカニカルスリット14を介して加速・減速器16に入射する。
メカニカルスリット14,15は、加速・減速器16,17に入射するイオンビームの電流量を調整することにより、加速・減速器16,17のコンタミネーション(汚染)を防止する。
加速・減速器16は、イオンビーム22cを加速又は減速してエンドステーション18に入射させる。エンドステーション18の内部には、周知のように、回転式のウエハディスク26に複数枚のウエハ27が装着され、このウエハ27にイオンビーム22cが照射され、イオン注入が行なわれる。
図2に示すように、シャッタ24を開位置にすると、イオンビーム22から分離されたイオンビーム22aが開口13dを通過して支流通路13cに入り、この出口13f近傍に設けられたメカニカルスリット15を介して加速・減速器17に入射する。
加速・減速器17は、イオンビーム22aを加速又は減速してエンドステーション19に入射させる。エンドステーション19は、エンドステーション18と同様の構成をしており、回転式のウエハディスク28に装着されたウエハ29にイオンビーム22aが照射され、イオン注入が行なわれる。
半導体装置の製造においてはホウ素(B)、リン(P)、ヒ素(As) などのイオンを不純物として注入することが行われており、このようなイオンを発生させる出発化合物としてはBF3,PH3 ,AsH3 などが使用されている。例えばBF3 の場合には、イオン発生装置11において、例えばタングステンフィラメントを低真空下で加熱したアークチャンバーへBF3 ガスを供給することによってBF2 + ,BF+ ,B+ などの各種イオンが生成する。
BF2 + ,BF+ ,B+ の質量の大きさは、BF2 + >BF+ >B+ の関係であるから、アナライザーマグネット20により、BF2 + はイオンビーム22a、BF+ はイオンビーム22c、B+ はイオンビーム22bにそれぞれ対応させることができる。
シャッタ24を開位置に移動させることにより、BF2 + のイオンビーム22aは、支流通路13cを通過してメカニカルスリット15を介して加速・減速器17に入り、ここで加速又は減速され、エンドステーション19のウエハ29に照射され、BF2 + がウエハ29に注入される。これと同時に、BF+ のイオンビーム22cは、本流通路13bを通過してメカニカルスリット14を介して加速・減速器16に入り、ここで加速又は減速され、エンドステーション18のウエハ27に照射され、BF+ がウエハ27に注入される。なお、B+ は、本流通路13bの内壁に吸収される。
シャッタ24を閉位置に移動させることにより、BF2 + のイオンビーム22aは、支流通路13cへの進入が阻止され、使用しないBF2 + によって支流通路13cが徒に汚染されることが防止される。この場合、ウエハ27にBF+ が注入されるのみで、ウエハ29へのイオン注入は行なわれない。なお、BF2 + はシャッタ24の表面に吸収され、B+ は本流通路13bの内壁に吸収される。
以上説明した実施形態では、イオンを発生させる出発化合物としてはBF3 を例として挙げ、これから発生するイオンとして、BF2 + ,BF+ ,B+ を挙げたが、本発明はこれに限定されることなく、ウエハへのイオン注入に有効な物質であればどのようなものでもよい。
10 イオン注入装置
11 イオン発生装置
13 通路部
13b 主流通路
13c 支流通路
16,17 加速・減速器
18,19 エンドステーション
20 アナライザーマグネット
22,22a〜22c イオンビーム
24 シャッタ
27,29 ウエハ
11 イオン発生装置
13 通路部
13b 主流通路
13c 支流通路
16,17 加速・減速器
18,19 エンドステーション
20 アナライザーマグネット
22,22a〜22c イオンビーム
24 シャッタ
27,29 ウエハ
Claims (2)
- イオンビームの照射によってウエハにイオンを注入するイオン注入装置において、
第1のイオンビームが通過する第1通路と、この第1通路から枝分かれして設けられ、前記第1のイオンビームから分離された飛行軌跡が第1のイオンビームと異なる第2のイオンビームが通過する第2通路とからなる通路部と、
前記第1通路と第2通路との境界部に開閉自在に設けられ、前記第2のイオンビームが第2通路を通過することを許容又は阻止するシャッタと、
前記第1,第2通路から飛び出した第1,第2のイオンビームの照射によってそれぞれ異なるイオンが注入される第1,第2のウエハを保持する第1,第2のエンドステーションと
を備えたことを特徴とするイオン注入装置。 - 前記シャッタは、少なくとも第2のイオンビームが当たる表面がカーボンから形成されていることを特徴とする請求項1記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007255829A JP2009087718A (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007255829A JP2009087718A (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009087718A true JP2009087718A (ja) | 2009-04-23 |
Family
ID=40660880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007255829A Pending JP2009087718A (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009087718A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013148462A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for processing a substrate |
-
2007
- 2007-09-28 JP JP2007255829A patent/JP2009087718A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013148462A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for processing a substrate |
US9064795B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-06-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for processing a substrate |
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