JP2009081321A - Wavelength stabilized laser apparatus, method for the same, and raman amplifier equipped with wavelength stabilized laser apparatus - Google Patents

Wavelength stabilized laser apparatus, method for the same, and raman amplifier equipped with wavelength stabilized laser apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2009081321A
JP2009081321A JP2007250431A JP2007250431A JP2009081321A JP 2009081321 A JP2009081321 A JP 2009081321A JP 2007250431 A JP2007250431 A JP 2007250431A JP 2007250431 A JP2007250431 A JP 2007250431A JP 2009081321 A JP2009081321 A JP 2009081321A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
light
laser
semiconductor laser
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007250431A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kosuke Watanabe
宏祐 渡邉
Hiroshi Mori
浩 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anritsu Corp
Original Assignee
Anritsu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anritsu Corp filed Critical Anritsu Corp
Priority to JP2007250431A priority Critical patent/JP2009081321A/en
Publication of JP2009081321A publication Critical patent/JP2009081321A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To stabilize the wavelength of radiated laser beams. <P>SOLUTION: A thin-film resistor for heating the diffraction grating of semiconductor laser is arranged. The thin-film resistor is heated to a predetermined temperature before laser beams are radiated by the semiconductor laser, and as a result, the diffraction grating is heated to a predetermined temperature (Step 51). Beams radiated by the semiconductor laser enter two photo detectors whose photosensitive properties are different. Based on the current values of the two photo detectors, it is detected whether the wavelength of the laser beam is longer or shorter than a predetermined wavelength (Step 54). When it is detected that the wavelength of the laser beam is longer than the predetermined wavelength, heating the thin-film resistor is weakened (Step 55). When it is detected that the wavelength of the laser beam is shorter than the predetermined wavelength, heating the thin-film resistor is strengthened (Step 56). <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長を所望の波長に安定化させる波長安定化レーザ装置および方法，ならびに波長安定化レーザ装置を備えたラマン増幅器に関する。   The present invention relates to a wavelength-stabilized laser device and method for stabilizing the wavelength of laser light emitted from a semiconductor laser to a desired wavelength, and a Raman amplifier including the wavelength-stabilized laser device.

特許文献１，２には，回折格子を加熱する加熱手段（抵抗膜）を備えた波長可変型の半導体レーザが開示されている。加熱手段（抵抗膜）の温度を変化させることによって回折格子の温度が変化し，これにより半導体レーザから出射されるレーザ光の波長可変が実現される。
特許第３０６４１１８号公報 特許第３１５２４２４号公報 Patent Documents 1 and 2 disclose tunable semiconductor lasers provided with heating means (resistive film) for heating a diffraction grating. By changing the temperature of the heating means (resistive film), the temperature of the diffraction grating is changed, and thereby the wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser can be varied.
Japanese Patent No. 3064118 Japanese Patent No. 3152424

特許文献１，２では，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長を変えるために，加熱手段（抵抗膜）による加熱を利用している。しかしながら，半導体レーザを利用する装置やシステムの中には，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が変動しないこと，すなわち，常に一定の波長のレーザ光が出射されることを半導体レーザに要求するものも存在する。   In Patent Documents 1 and 2, heating by a heating means (resistive film) is used to change the wavelength of laser light emitted from a semiconductor laser. However, some devices and systems that use semiconductor lasers require semiconductor lasers that the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser does not fluctuate, that is, that laser light having a constant wavelength is always emitted. There are also things.

たとえば，ラマン増幅器がその一例である。ラマン増幅器では，半導体レーザから出射されるレーザ光が励起光として増幅用光ファイバに入射される。増幅用光ファイバにおいて誘導ラマン散乱が生じ，レーザ光の波長（励起光波長）から約１００ｎｍ程度長波長側に利得が生じる。信号光が増幅用光ファイバに入射すると，上述の増幅用光ファイバ中に生じた利得によって信号光が増幅される。ラマン増幅器では，半導体レーザからの励起光の波長が変動すると，増幅用光ファイバにおいて増幅される信号光の利得が変動し，増幅すべき波長における増幅率が小さくなってしまう，または大きくなってしまう。   For example, a Raman amplifier is an example. In a Raman amplifier, laser light emitted from a semiconductor laser is incident on an amplification optical fiber as excitation light. Stimulated Raman scattering occurs in the amplification optical fiber, and a gain is generated on the longer wavelength side by about 100 nm from the wavelength of the laser light (excitation light wavelength). When the signal light enters the amplification optical fiber, the signal light is amplified by the gain generated in the amplification optical fiber. In the Raman amplifier, when the wavelength of the pumping light from the semiconductor laser fluctuates, the gain of the signal light amplified in the amplifying optical fiber fluctuates, and the amplification factor at the wavelength to be amplified decreases or increases. .

この発明は，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長を安定化させることを目的とする。   An object of the present invention is to stabilize the wavelength of laser light emitted from a semiconductor laser.

この発明はまた，半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーを安定化させることを目的とする。   Another object of the present invention is to stabilize the power of laser light emitted from a semiconductor laser.

この発明による波長安定化レーザ装置は，回折格子を含み，前記回折格子を加熱するための発熱体が設けられた半導体レーザ，前記半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が，所定波長よりも長いことおよび短いことを検知する波長ずれ検知手段，ならびに前記発熱体に対する加熱を制御する加熱制御手段を備え，前記加熱制御手段は，前記発熱体を加熱しておき，前記波長ずれ検知手段によってレーザ光の波長が所定波長よりも長いことが検知された場合には前記発熱体に対する加熱を弱め，前記所定波長よりも短いことが検知された場合には前記発熱体に対する加熱を強めるように，前記発熱体に対する加熱を制御することを特徴とする。半導体レーザは，活性層および回折格子がレーザ共振軸方向につらなっているブラッグ反射型（ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector ）型）でも，活性層の上方または下方に回折格子が形成されている分布帰還型（ＤＦＢ（Distributed FeedBack）型）のいずれでもよい。また，半導体レーザは，シングルモード発振をする半導体レーザであっても，マルチモード発振をする半導体レーザであってもよい。一実施態様では，前記半導体レーザおよび前記波長ずれ検知手段が一の筐体にパッケージングされ（半導体レーザ・モジュール），この半導体レーザ・モジュールと，前記加熱制御手段とが電気的に接続される。   A wavelength-stabilized laser device according to the present invention includes a diffraction grating, a semiconductor laser provided with a heating element for heating the diffraction grating, and the wavelength of laser light emitted from the semiconductor laser is longer than a predetermined wavelength. A wavelength shift detecting means for detecting shortness and shortness, and a heating control means for controlling the heating of the heating element, wherein the heating control means heats the heating element, and the wavelength shift detection means causes a laser beam to be emitted. The heating element is weakened when it is detected that the wavelength is longer than a predetermined wavelength, and the heating of the heating element is increased when it is detected that the wavelength is shorter than the predetermined wavelength. It is characterized by controlling heating to the body. The semiconductor laser is a Bragg reflection type (DBR (Distributed Bragg Reflector) type) in which an active layer and a diffraction grating are connected in the direction of the laser resonance axis, but a distributed feedback type in which a diffraction grating is formed above or below the active layer. (DFB (Distributed FeedBack) type) may be used. The semiconductor laser may be a semiconductor laser that performs single mode oscillation or a semiconductor laser that performs multimode oscillation. In one embodiment, the semiconductor laser and the wavelength shift detecting means are packaged in a single housing (semiconductor laser module), and the semiconductor laser module and the heating control means are electrically connected.

この発明による波長安定化方法は，回折格子を含み，前記回折格子を加熱するための発熱体が設けられた半導体レーザから出射されるレーザ光の波長を安定化させる方法であって，前記発熱体を加熱し，前記半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が，所定波長よりも長いことおよび短いことを検知し，レーザ光の波長が所定波長よりも長いことが検知された場合には前記発熱体の加熱を弱め，前記所定波長よりも短いことが検知された場合には前記発熱体の加熱を強めることを特徴とする。   The wavelength stabilization method according to the present invention is a method for stabilizing the wavelength of a laser beam emitted from a semiconductor laser including a diffraction grating and provided with a heating element for heating the diffraction grating. And detecting that the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser is longer or shorter than a predetermined wavelength, and if the wavelength of the laser light is detected to be longer than the predetermined wavelength, the heat generation The heating of the body is weakened, and when it is detected that the length is shorter than the predetermined wavelength, the heating of the heating element is increased.

半導体レーザに，回折格子を加熱するための発熱体が設けられている。発熱体に電力を供給する（発熱体に電流を通電する）ことによって発熱体は発熱する（加熱される）。   The semiconductor laser is provided with a heating element for heating the diffraction grating. By supplying electric power to the heating element (by supplying a current to the heating element), the heating element generates heat (heats).

発熱体が発熱すると，発熱体の熱が回折格子に伝導されて回折格子が加熱される。この状態で，半導体レーザの駆動が開始（半導体レーザからレーザ光が出射）される。   When the heating element generates heat, the heat of the heating element is conducted to the diffraction grating and the diffraction grating is heated. In this state, driving of the semiconductor laser is started (laser light is emitted from the semiconductor laser).

半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が，所定波長よりも長いことまたは短いこと（波長ずれ）が検知される。   It is detected that the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser is longer or shorter than the predetermined wavelength (wavelength shift).

レーザ光の波長が所定波長よりも長いことが検知された場合，発熱体に対する加熱が弱められる。これにより回折格子の温度が低められて，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が短くなる。逆に，レーザ光の波長が所定波長よりも短いことが検知された場合には，発熱体に対する加熱が強められる。これにより回折格子の温度が高められて，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が長くなる。この発明によると，半導体レーザから出射されるレーザ光が，所定波長よりも長い場合であっても，短い場合であっても，発熱体の加熱を制御することによって，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長を所定波長に一致させる，または近づけることができ，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長を所定波長に保つ（安定化させる）ことができる。   When it is detected that the wavelength of the laser beam is longer than the predetermined wavelength, the heating to the heating element is weakened. As a result, the temperature of the diffraction grating is lowered, and the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser is shortened. Conversely, when it is detected that the wavelength of the laser beam is shorter than the predetermined wavelength, the heating of the heating element is increased. As a result, the temperature of the diffraction grating is increased, and the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser becomes longer. According to the present invention, the laser beam emitted from the semiconductor laser can be controlled by controlling the heating of the heating element regardless of whether the laser beam emitted from the semiconductor laser is longer or shorter than the predetermined wavelength. The wavelength of the light can be matched with or close to the predetermined wavelength, and the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser can be kept (stabilized) at the predetermined wavelength.

一実施態様では，波長ずれ（レーザ光の長波長化または短波長化）は，前記半導体レーザから出射される光を受光し，受光した光の波長に応じた電流を出力する受光器であって，受光感度特性がそれぞれ異なる第１および第２の受光器を利用することによって検知することができる。たとえば，前記第１および第２の受光器の受光感度特性は，前記所定波長よりも長い波長の光に対して前記第１の受光器の受光感度が前記第２の受光器の受光感度よりも大きく，前記所定波長よりも短い波長の光に対して前記第２の受光器の受光感度が前記第１の受光器の受光感度よりも大きいものとすればよい。前記所定波長よりも長い波長の光に対して前記第１の受光器の受光感度が前記第２の受光器の受光感度よりも大きいので，設定波長よりも長い波長の光が第１および第２の受光器に入射すると，第１の受光器から出力される受光電流の電流値が，第２の受光器から出力される受光電流の電流値よりも大きくなる。逆に，前記所定波長よりも短い波長の光に対しては前記第２の受光器の受光感度が前記第１の受光器の受光感度よりも大きいので，設定波長よりも長い波長の光が第１および第２の受光器に入射すると，第２の受光器から出力される受光電流の電流値が，第１の受光器から出力される受光電流の電流値よりも大きくなる。第１および第２の受光器から出力される受光電流の電流値を比較することによって，半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が所定波長よりも短いことおよび長いことを，いずれの場合も検知することができる。   In one embodiment, the wavelength shift (lengthening or shortening of the laser beam) is a light receiver that receives light emitted from the semiconductor laser and outputs a current corresponding to the wavelength of the received light. The detection can be made by using the first and second light receivers having different light receiving sensitivity characteristics. For example, the light receiving sensitivity characteristics of the first and second light receivers are such that the light receiving sensitivity of the first light receiver is higher than the light receiving sensitivity of the second light receiver with respect to light having a wavelength longer than the predetermined wavelength. The light receiving sensitivity of the second light receiver may be larger than the light receiving sensitivity of the first light receiver with respect to light having a wavelength that is large and shorter than the predetermined wavelength. Since the light receiving sensitivity of the first light receiver is larger than the light receiving sensitivity of the second light receiver with respect to light having a wavelength longer than the predetermined wavelength, light having a wavelength longer than the set wavelength is the first and second light. The light receiving current output from the first light receiving device becomes larger than the light receiving current output from the second light receiving device. On the contrary, for light having a wavelength shorter than the predetermined wavelength, the light receiving sensitivity of the second light receiver is larger than the light receiving sensitivity of the first light receiver, so that light having a wavelength longer than the set wavelength is the first. When incident on the first and second light receivers, the current value of the light receiving current output from the second light receiver becomes larger than the current value of the light receiving current output from the first light receiver. In either case, it is detected that the wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser is shorter or longer than the predetermined wavelength by comparing the current values of the light receiving currents output from the first and second light receivers. can do.

一実施態様では，前記半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーが所定パワーよりも大きいこと，または小さいことを検知するパワー変動検知手段，および前記半導体レーザに供給する駆動電流を制御する駆動電流制御手段がさらに備えられる。たとえば，前記半導体レーザ，前記波長ずれ検知手段およびパワー変動検知手段が一の筐体にパッケージングされ（半導体レーザ・モジュール），この半導体レーザ・モジュールと，前記加熱制御手段および前記駆動電流制御手段とが電気的に接続される。   In one embodiment, power fluctuation detection means for detecting that the power of the laser light emitted from the semiconductor laser is larger or smaller than a predetermined power, and driving current control for controlling the driving current supplied to the semiconductor laser Means are further provided. For example, the semiconductor laser, the wavelength shift detection means, and the power fluctuation detection means are packaged in a single housing (semiconductor laser module), the semiconductor laser module, the heating control means, and the drive current control means, Are electrically connected.

前記駆動電流制御手段は，前記パワー変動検知手段によってレーザ光のパワーが所定パワーよりも大きいことが検知された場合に前記半導体レーザに供給する駆動電流を増加させ，前記所定パワーよりも小さいことが検知された場合に前記半導体レーザに供給する駆動電流を減少させるように，前記駆動電流を制御する。レーザ光の波長のみならず，レーザ光のパワーについても安定化させることができる。前記パワー変動検知手段には，前記半導体レーザから出射される光を受光し，受光した光のパワーに応じた値の電流を出力する受光器を用いることができる。上述した波長のずれを検知するために用いられる第１，第２の受光器を，パワーの変動を検知するためにも用いてもよい。   The drive current control means increases the drive current supplied to the semiconductor laser when the power fluctuation detection means detects that the power of the laser beam is larger than the predetermined power, and is smaller than the predetermined power. When detected, the drive current is controlled so as to decrease the drive current supplied to the semiconductor laser. Not only the wavelength of the laser beam but also the power of the laser beam can be stabilized. The power fluctuation detecting means may be a light receiver that receives light emitted from the semiconductor laser and outputs a current having a value corresponding to the power of the received light. You may use the 1st, 2nd light receiver used in order to detect the shift | offset | difference of the wavelength mentioned above also in order to detect the fluctuation | variation of a power.

好ましくは，波長安定化レーザ装置は，前記発熱体を加熱する（発熱させる）ための電力を供給する第１の電源回路，および前記半導体レーザからレーザ光を出射させるための駆動電流を供給する第２の電源回路を備え，前記第１の電源回路および第２の電源回路が別々に制御される。第１の電源回路から供給される電力を制御することによって，発熱体の加熱の低減および発熱体のさらなる加熱（加熱の増大）が行われる。第２の電源回路から供給される駆動電流を制御することによって，半導体レーザから出射されるレーザ光のパワー（強さ）が制御される。   Preferably, the wavelength stabilization laser device includes a first power supply circuit that supplies power for heating (generating heat) the heating element, and a first current that supplies a driving current for emitting laser light from the semiconductor laser. Two power supply circuits, and the first power supply circuit and the second power supply circuit are controlled separately. By controlling the power supplied from the first power supply circuit, heating of the heating element is reduced and further heating (increasing heating) of the heating element is performed. By controlling the drive current supplied from the second power supply circuit, the power (intensity) of the laser beam emitted from the semiconductor laser is controlled.

この発明による波長安定化レーザ装置は，所望の波長のレーザ光を安定的に出射することができるので，ラマン増幅器における励起光用の光源として利用するのに適している。この発明は，上述した波長安定化レーザ装置，および波長安定化レーザ装置に含まれる半導体レーザから出射されるレーザ光が励起光として入射され，誘導ラマン増幅を生じさせる光ファイバを備えたラマン増幅器も提供している。   The wavelength-stabilized laser device according to the present invention can stably emit laser light having a desired wavelength, and thus is suitable for use as a light source for excitation light in a Raman amplifier. The present invention also relates to the above-described wavelength stabilized laser device and a Raman amplifier including an optical fiber in which laser light emitted from a semiconductor laser included in the wavelength stabilized laser device is incident as excitation light and causes stimulated Raman amplification. providing.

図１は波長／出力安定化レーザ装置のブロック図を示している。図２は波長／出力安定化レーザ装置に用いられる半導体レーザ・モジュール２の外観を，図３は半導体レーザ・モジュール２の内部の構成をそれぞれ示している。   FIG. 1 shows a block diagram of a wavelength / output stabilizing laser device. 2 shows the appearance of the semiconductor laser module 2 used in the wavelength / output stabilizing laser device, and FIG. 3 shows the internal configuration of the semiconductor laser module 2.

波長／出力安定化レーザ装置１は，半導体レーザ10から出射されるレーザ光の波長および出力（パワー）を安定化するための装置である。波長／出力安定化レーザ装置１は，半導体レーザ・モジュール２，制御回路３，ヒータ用電源回路４およびレーザ用電源回路５を備えている。半導体レーザ・モジュール２には，レーザ光を出射する半導体レーザ10，集光，コリメート等のためのレンズ21，レーザ光の逆進を防ぐ光アイソレータ22，２つの受光器23，24，および半導体レーザ10から出射されるレーザ光が入射する光ファイバ25の一部がパッケージングされている。   The wavelength / output stabilizing laser device 1 is a device for stabilizing the wavelength and output (power) of laser light emitted from the semiconductor laser 10. The wavelength / output stabilizing laser device 1 includes a semiconductor laser module 2, a control circuit 3, a heater power supply circuit 4, and a laser power supply circuit 5. The semiconductor laser module 2 includes a semiconductor laser 10 that emits laser light, a lens 21 for condensing and collimating, an optical isolator 22 that prevents the laser light from reversing, two light receivers 23 and 24, and a semiconductor laser. A part of the optical fiber 25 into which the laser beam emitted from 10 enters is packaged.

図２および図３を参照して，この実施例における半導体レーザ・モジュール２はバタフライ・タイプと呼ばれるもので，パッケージ（筐体）２ａの内部から外部に貫通するコネクタ・ピン41が，パッケージ２ａの両側面にそれぞれ７本ずつ，計１４本設けられている。図３においてコネクタ・ピン41のそれぞれの近傍にピン番号を示す。パッケージ２ａの一端面にはさらに，パッケージ２ａの内部から外部に貫通する円柱状のフェルール42が設けられており，このフェルール42内を光ファイバ25が通っている。   Referring to FIGS. 2 and 3, the semiconductor laser module 2 in this embodiment is called a butterfly type, and connector pins 41 penetrating from the inside of the package (housing) 2a to the outside are provided in the package 2a. There are 14 in total, 7 on each side. In FIG. 3, pin numbers are shown in the vicinity of the connector pins 41. A cylindrical ferrule 42 penetrating from the inside of the package 2a to the outside is further provided at one end surface of the package 2a, and an optical fiber 25 passes through the ferrule 42.

半導体レーザ・モジュール２のパッケージ２ａ内の底面に，半導体レーザ・モジュール２の内部を冷却するためのペルチェ素子20が固定されている。ペルチェ素子20上に基板26が固定されており，この基板26上に半導体レーザ10がサブ・マウント47を介して固定され，さらにレンズ21，光アイソレータ22および２つの受光器23，24が固定されている。レンズ21および光アイソレータ22は半導体レーザ10の出射端面10ａ側に位置し，２つの受光器23，24は半導体レーザ10の後方端面10ｂ側に位置している。   A Peltier element 20 for cooling the inside of the semiconductor laser module 2 is fixed to the bottom surface in the package 2a of the semiconductor laser module 2. A substrate 26 is fixed on the Peltier element 20, the semiconductor laser 10 is fixed on the substrate 26 via a sub-mount 47, and a lens 21, an optical isolator 22, and two light receivers 23 and 24 are fixed. ing. The lens 21 and the optical isolator 22 are located on the emission end face 10 a side of the semiconductor laser 10, and the two light receivers 23 and 24 are located on the rear end face 10 b side of the semiconductor laser 10.

詳細は後述するが，この実施例の半導体レーザ10の内部には回折格子が形成されており，半導体レーザ10の上面にはこの回折格子を加熱するための薄膜抵抗（ヒータ）18が設けられている。薄膜抵抗18は12番ピンおよび13番ピンにワイヤによって接続されており，12番ピンおよび13番ピンを通じてヒータ用電源回路４からの電力（電流）が薄膜抵抗18に供給される。ヒータ用電源回路４から供給される電力によって薄膜抵抗18が発熱する（加熱される）。薄膜抵抗18の発熱が半導体レーザ10に伝達されて回折格子が加熱される。   As will be described in detail later, a diffraction grating is formed inside the semiconductor laser 10 of this embodiment, and a thin film resistor (heater) 18 for heating the diffraction grating is provided on the upper surface of the semiconductor laser 10. Yes. The thin film resistor 18 is connected to the 12th and 13th pins by wires, and the power (current) from the heater power supply circuit 4 is supplied to the thin film resistor 18 through the 12th and 13th pins. The thin film resistor 18 generates heat (heats) by the power supplied from the heater power supply circuit 4. The heat generated by the thin film resistor 18 is transmitted to the semiconductor laser 10 to heat the diffraction grating.

半導体レーザ10の上面の電極は11番ピンに，下面の電極はサブ・マウント47を介して10番ピンにそれぞれワイヤによって接続されている。10番ピンおよび11番ピンを介してレーザ用電源回路５からの電流が半導体レーザ10に供給されると，半導体レーザ10からレーザ光が出射される。レーザ光は上述したレンズ21，光アイソレータ22を介して，光ファイバ25に導かれる。   The electrode on the upper surface of the semiconductor laser 10 is connected to the 11th pin, and the electrode on the lower surface is connected to the 10th pin via a sub-mount 47 by a wire. When the current from the laser power supply circuit 5 is supplied to the semiconductor laser 10 through the 10th pin and the 11th pin, laser light is emitted from the semiconductor laser 10. The laser light is guided to the optical fiber 25 through the lens 21 and the optical isolator 22 described above.

受光器23，24は，半導体レーザ10の後方端面10ｂからわずかに出射する光を受光して，受光した光の波長に対応する電流値の電流を出力する。後述するように，受光器23，24は受光感度特性が互いに異なっており，受光器23，24から出力される電流の電流値に基づいて，半導体レーザ10から出射されるレーザ光の波長の変動および出力パワーの変動が検知される。受光器23の２つの電極は３番ピンおよび４番ピンに，受光器24の２つの電極は８番ピンおよび９番ピンに，それぞれワイヤによって接続されている。３番ピンおよび４番ピンと，８番ピンおよび９番ピンを介して，受光器23，24からの電気信号（電流値）が制御回路３に与えられる。制御回路３はレーザ光の波長が所定波長となるように上述した薄膜抵抗18に対する加熱を制御し，かつ検知されたレーザ光の出力パワーが所定パワーとなるように半導体レーザ10に供給する駆動電流を制御する。受光器23，24の受光感度特性および制御回路３の処理の詳細は後述する。   The light receivers 23 and 24 receive light slightly emitted from the rear end face 10b of the semiconductor laser 10 and output a current having a current value corresponding to the wavelength of the received light. As will be described later, the light receivers 23 and 24 have different light receiving sensitivity characteristics, and the wavelength variation of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 is based on the current value of the current output from the light receivers 23 and 24. And fluctuations in output power are detected. The two electrodes of the light receiver 23 are connected to the 3rd and 4th pins, and the two electrodes of the light receiver 24 are connected to the 8th and 9th pins by wires. Electrical signals (current values) from the light receivers 23 and 24 are supplied to the control circuit 3 through the third and fourth pins and the eighth and ninth pins. The control circuit 3 controls the heating of the thin film resistor 18 so that the wavelength of the laser beam becomes a predetermined wavelength, and the driving current supplied to the semiconductor laser 10 so that the output power of the detected laser beam becomes a predetermined power. To control. Details of the light receiving sensitivity characteristics of the light receivers 23 and 24 and the processing of the control circuit 3 will be described later.

ペルチェ素子20の２つの電極は１番ピンおよび14番ピンに接続されている。１番ピンおよび14番ピンに与えられる電流（ペルチェ素子20に電流を供給する電源回路は図１において省略されている）によって，ペルチェ素子20は冷却素子として駆動する。   The two electrodes of the Peltier element 20 are connected to the 1st pin and the 14th pin. The Peltier element 20 is driven as a cooling element by a current applied to the first pin and the 14th pin (a power supply circuit for supplying a current to the Peltier element 20 is omitted in FIG. 1).

図４（Ａ）は半導体レーザ10の平面図を，図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う半導体レーザ10の断面図をそれぞれ示している。図４（Ｂ）においてハッチングの図示は省略されている。また，図４（Ａ）および図４（Ｂ）では，分かりやすくするために，後述する活性層12の幅，半導体層の厚さ等がかなり強調して描かれている。   4A is a plan view of the semiconductor laser 10, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the semiconductor laser 10 taken along line BB in FIG. 4A. In FIG. 4B, illustration of hatching is omitted. 4A and 4B, the width of an active layer 12 to be described later, the thickness of a semiconductor layer, and the like are drawn with considerable emphasis for easy understanding.

半導体レーザ10は，発光領域10ＡとＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector ）領域10Ｂとが光共振軸方向に連なって形成されている。発光領域10Ａではｎ型ＩｎＰ（インジウム−リン）基板11の上に活性層12がストライプ状に積層されている。他方，ＤＢＲ領域10Ｂではｎ型ＩｎＰ基板１上に所定ピッチの回折格子14がストライプ状に形成され，その上にＩｎＧａＡｓＰ（インジウム−ガリウム−ヒ素−リン）ガイド層15がストライプ状に積層されている。活性層12の光軸とガイド層15の光軸は一致している。さらに活性層12およびガイド層15の上層にｐ型ＩｎＰクラッド層13が積層され，活性層12およびガイド層15の両側にはｐ型ＩｎＰおよびｎ型ＩｎＰからなる電流阻止層（図示略）が積層されている。   In the semiconductor laser 10, a light emitting region 10A and a DBR (Distributed Bragg Reflector) region 10B are formed continuously in the optical resonance axis direction. In the light emitting region 10A, an active layer 12 is stacked in a stripe shape on an n-type InP (indium-phosphorus) substrate 11. On the other hand, in the DBR region 10B, a diffraction grating 14 having a predetermined pitch is formed in a stripe shape on the n-type InP substrate 1, and an InGaAsP (indium-gallium-arsenic-phosphorus) guide layer 15 is laminated in the stripe shape. . The optical axis of the active layer 12 and the optical axis of the guide layer 15 coincide. Further, a p-type InP cladding layer 13 is laminated on the active layer 12 and the guide layer 15, and current blocking layers (not shown) made of p-type InP and n-type InP are laminated on both sides of the active layer 12 and the guide layer 15. Has been.

ｐ型ＩｎＰクラッド層13の上面にｐ型電極16が，基板11の下面にｎ型電極19がそれぞれ設けられている。ＤＢＲ領域10Ｂの範囲のｐ型電極16の上にはさらに，ＳｉＯ2 絶縁膜17および薄膜抵抗18がこの順番に設けられている。薄膜抵抗18は回折格子14が形成されている範囲に沿って形成された直線状部分18ｃを含み，直線状部分18ｃの両端のそれぞれに，直線状部分18ｃに連続してワイヤボンディング・パッド18ａ，18ｂが形成されている。薄膜抵抗18の材料には，窒化タンタル，白金，金などを用いることができる。 A p-type electrode 16 is provided on the upper surface of the p-type InP cladding layer 13, and an n-type electrode 19 is provided on the lower surface of the substrate 11. A SiO 2 insulating film 17 and a thin film resistor 18 are further provided in this order on the p-type electrode 16 in the range of the DBR region 10B. The thin film resistor 18 includes a linear portion 18c formed along the range where the diffraction grating 14 is formed, and the wire bonding pad 18a, which is continuous with the linear portion 18c, at both ends of the linear portion 18c. 18b is formed. The material of the thin film resistor 18 can be tantalum nitride, platinum, gold, or the like.

半導体レーザ10の光出射端面10ａには反射防止膜31が，後方端面10ｂには反射膜32がそれぞれ設けられている。   An antireflection film 31 is provided on the light emitting end face 10a of the semiconductor laser 10, and a reflecting film 32 is provided on the rear end face 10b.

半導体レーザ10の上面に設けられたｐ型電極16および下面に設けられたｎ型電極19に電流を流すと，発光領域10Ａに形成されている活性層12において光が発生する。活性層12において発生した光は活性層12およびガイド層15に沿って進行し，半導体レーザ10の後方端面10ｂ（反射膜32）と回折格子14との間で反射され，これにより光が共振してレーザ光となり，ガイド層15を介して光出射端面10ａから出射される。この実施例において，半導体レーザ10は，１４５０ｎｍの波長のレーザ光を出射するように前記活性層12および回折格子14が設計されている。   When a current is passed through the p-type electrode 16 provided on the upper surface of the semiconductor laser 10 and the n-type electrode 19 provided on the lower surface, light is generated in the active layer 12 formed in the light emitting region 10A. The light generated in the active layer 12 travels along the active layer 12 and the guide layer 15 and is reflected between the rear end face 10b (reflective film 32) of the semiconductor laser 10 and the diffraction grating 14, thereby resonating the light. The laser beam is emitted from the light emitting end face 10a through the guide layer 15. In this embodiment, the active layer 12 and the diffraction grating 14 are designed so that the semiconductor laser 10 emits laser light having a wavelength of 1450 nm.

一般に半導体レーザは，半導体基板上に，組成，不純物の種類と量等の異なる複数の半導体層が積層されて構成される。活性層12およびガイド層15は，その一または複数層内に光を閉じ込めることができる形態で形成される。回折格子14は上述のように半導体基板11上に形成してもよいし，半導体基板11とは異なる半導体層に形成してもよい。   In general, a semiconductor laser is configured by laminating a plurality of semiconductor layers having different compositions, types and amounts of impurities on a semiconductor substrate. The active layer 12 and the guide layer 15 are formed in a form capable of confining light in one or a plurality of layers. The diffraction grating 14 may be formed on the semiconductor substrate 11 as described above, or may be formed on a semiconductor layer different from the semiconductor substrate 11.

図５は半導体レーザ10の断面を示すもので，活性層12，回折格子14および薄膜抵抗18の位置をより正確に示している。図５に示すように，半導体レーザ10において，活性層12および回折格子14は半導体レーザ10の上面に近い部分（薄膜抵抗18の上面から２μｍ〜４μｍ程度の深さ）に位置しており，薄膜抵抗18は回折格子14の近くに位置している。このため，薄膜抵抗18が発熱するとその近くに位置する回折格子14は局所的に加熱されるが，薄膜抵抗18から比較的遠い位置にある活性層12や半導体基板11等に伝わる熱量は少ない。また，上述した半導体レーザ10の下方に位置するペルチェ素子20（図３参照）による冷却効果は，活性層12を含む半導体レーザ10のほぼ全体に及ぶが，薄膜抵抗18による加熱が行われると，ペルチェ素子20による冷却効果は回折格子14を含む薄膜抵抗18の近傍範囲には及ばない。   FIG. 5 shows a cross section of the semiconductor laser 10 and shows the positions of the active layer 12, the diffraction grating 14, and the thin film resistor 18 more accurately. As shown in FIG. 5, in the semiconductor laser 10, the active layer 12 and the diffraction grating 14 are located in a portion close to the upper surface of the semiconductor laser 10 (a depth of about 2 μm to 4 μm from the upper surface of the thin film resistor 18). The resistor 18 is located near the diffraction grating 14. For this reason, when the thin film resistor 18 generates heat, the diffraction grating 14 located nearby is locally heated, but the amount of heat transmitted to the active layer 12, the semiconductor substrate 11 and the like located relatively far from the thin film resistor 18 is small. In addition, the cooling effect by the Peltier element 20 (see FIG. 3) located below the semiconductor laser 10 described above covers almost the entire semiconductor laser 10 including the active layer 12, but when heating by the thin film resistor 18 is performed, The cooling effect by the Peltier element 20 does not reach the vicinity of the thin film resistor 18 including the diffraction grating 14.

上述したように，半導体レーザ10の後方端面10ｂからはわずかに光が出射する。後方端面10ｂから出射される光は出射端面10ａから出射されるレーザ光と同じ波長を持つ。また，後方端面10ｂから出射される光のパワーと出射端面10ａから出射されるレーザ光のパワーは比例関係を有している。半導体レーザ10の後方端面10ｂから出射される光が２つの受光器23，24によって受光される（図１および図３参照）。   As described above, light is emitted slightly from the rear end face 10b of the semiconductor laser 10. The light emitted from the rear end face 10b has the same wavelength as the laser light emitted from the output end face 10a. The power of the light emitted from the rear end face 10b and the power of the laser light emitted from the output end face 10a have a proportional relationship. Light emitted from the rear end face 10b of the semiconductor laser 10 is received by the two light receivers 23 and 24 (see FIGS. 1 and 3).

受光器23，24は，それぞれフォト・ダイオード（光電変換素子）の光受光面に誘電体多層膜（バンドパスフィルタ）をコーティングしたものであり，受光器23にコーティングされた誘電体多層膜と，受光器24にコーティングされた誘電体多層膜は層厚が互いに異なっている。このため，受光器23，24は，互いに異なる受光感度特性および受光電流（出力電流）特性をもつ。   The light receivers 23 and 24 are obtained by coating a light-receiving surface of a photo diode (photoelectric conversion element) with a dielectric multilayer film (bandpass filter), and a dielectric multilayer film coated on the light receiver 23, The dielectric multilayer films coated on the light receiver 24 have different layer thicknesses. For this reason, the light receivers 23 and 24 have different light receiving sensitivity characteristics and light receiving current (output current) characteristics.

図６は，受光器23（以下，第１の受光器23という）および受光器24（以下，第２の受光器24という）の受光感度特性（受光感度と受光される光の波長の関係）を示すグラフである。図７は，第１の受光器23および第２の受光器24に所定パワーの光が入射したときの受光電流（出力電流）特性（受光電流（出力電流）と受光される光の波長の関係）を示すグラフである。図６および図７において，太い実線によって第１の受光器23の受光感度特性および受光電流特性が，細い実線によって第２の受光器24の受光感度特性および受光電流特性がそれぞれ示されている。   FIG. 6 shows the light receiving sensitivity characteristics of the light receiver 23 (hereinafter referred to as the first light receiver 23) and the light receiver 24 (hereinafter referred to as the second light receiver 24) (relation between the light receiving sensitivity and the wavelength of the received light). It is a graph which shows. FIG. 7 shows the relationship between the light receiving current (output current) characteristics (light receiving current (output current) and the wavelength of the received light when light of a predetermined power is incident on the first light receiver 23 and the second light receiver 24. ). 6 and 7, the light receiving sensitivity characteristic and the light receiving current characteristic of the first light receiver 23 are indicated by a thick solid line, and the light receiving sensitivity characteristic and the light receiving current characteristic of the second light receiver 24 are indicated by a thin solid line, respectively.

図６を参照して，第１の受光器23および第２の受光器24は，いずれも入射する光の波長に応じて受光感度が変化する（受光感度特性の波長依存性）。第１の受光器23の受光感度特性のグラフ（太線）および第２の受光器24の受光感度特性のグラフ（細線）はいずれも上凸の放物曲線を描くが，受光感度が最大となる波長が異なっている。すなわち，第１の受光器23の受光感度が最大となる波長は，半導体レーザ10が出射するレーザ光の設定波長１４５０ｎｍよりも長い。他方，第２の受光器24の受光感度が最大となる波長は１４５０ｎｍよりも短い。第１の受光器23および第２の受光器24は半導体レーザ10の設定波長１４５０ｎｍに対応する受光感度が一致しており，このため第１の受光器23の受光感度特性のグラフ（太線）および第２の受光器24の受光感度特性のグラフ（細線）は，設定波長１４５０ｎｍに対応する受光感度において交差している。   Referring to FIG. 6, the first light receiver 23 and the second light receiver 24 both change in light reception sensitivity according to the wavelength of incident light (wavelength dependence of light reception sensitivity characteristics). Both the graph of the light receiving sensitivity characteristic of the first light receiver 23 (thick line) and the graph of the light receiving sensitivity characteristic of the second light receiver 24 (thin line) draw an upwardly convex parabolic curve, but the light receiving sensitivity is maximized. The wavelength is different. That is, the wavelength at which the light receiving sensitivity of the first light receiver 23 is maximized is longer than the set wavelength 1450 nm of the laser light emitted from the semiconductor laser 10. On the other hand, the wavelength at which the light receiving sensitivity of the second light receiver 24 is maximum is shorter than 1450 nm. The first photoreceiver 23 and the second photoreceiver 24 have the same photosensitivity corresponding to the set wavelength 1450 nm of the semiconductor laser 10, and accordingly, the graph (thick line) of the photosensitivity characteristics of the first photoreceiver 23 and The graph (thin line) of the light receiving sensitivity characteristic of the second light receiver 24 intersects at the light receiving sensitivity corresponding to the set wavelength 1450 nm.

所定パワーの光が第１の受光器23および第２の受光器24に入射したときの受光電流（出力電流）特性を示すグラフ（図７）も，図６に示す受光感度特性を示すグラフと同様の上凸の放物曲線を描く。   The graph (FIG. 7) showing the light receiving current (output current) characteristics when light of a predetermined power is incident on the first light receiving device 23 and the second light receiving device 24 is also a graph showing the light receiving sensitivity characteristics shown in FIG. Draw a similar upwardly convex parabola.

図６に示す受光感度特性を示すグラフおよび図７に示す受光電流（出力電流）特性を示すグラフを参照して，半導体レーザ10の後方端面10ｂから出射されて第１および第２の受光器23，24に入射する光の波長（半導体レーザ10の出射端面10ａから出射するレーザ光の波長と等しい）が所定波長である１４５０ｎｍよりも短い波長であるとき，第２の受光器24の受光感度は第１の受光器23の受光感度よりも常に大きく（図６），このため第２の受光器24から出力される受光電流の電流値は第１の受光器23から出力される受光電流の電流値よりも常に大きくなる（図７）。他方，半導体レーザ10の後方端面10ｂから出射されて第１および第２の受光素子23，24に入射する光の波長が所定波長である１４５０ｎｍよりも長い波長であるとき，第１の受光器23の受光感度は第２の受光器24の受光感度よりも常に大きく（図６），第１の受光器23から出力される受光電流の電流値は第２の受光器24から出力される受光電流の電流値よりも常に大きくなる（図７）。したがって，第１の受光器23および第２の受光器24から出力される受光電流を比較することにより，半導体レーザ10から出射されるレーザ光の波長が所定波長よりも長い波長であることおよび短い波長であること（波長ずれ）を検知することができる。   Referring to the graph showing the light receiving sensitivity characteristic shown in FIG. 6 and the graph showing the light receiving current (output current) characteristic shown in FIG. 7, the first and second light receivers 23 emitted from the rear end face 10b of the semiconductor laser 10 are shown. , 24 (which is equal to the wavelength of the laser light emitted from the emitting end face 10a of the semiconductor laser 10) is shorter than the predetermined wavelength of 1450 nm, the light receiving sensitivity of the second light receiver 24 is The light receiving sensitivity of the first light receiver 23 is always larger than that of the first light receiver 23 (FIG. 6). Therefore, the current value of the light receiving current output from the second light receiver 24 is the current of the light receiving current output from the first light receiver 23. It is always larger than the value (FIG. 7). On the other hand, when the wavelength of the light emitted from the rear end face 10b of the semiconductor laser 10 and incident on the first and second light receiving elements 23, 24 is longer than the predetermined wavelength of 1450 nm, the first light receiving device 23 is used. Is always larger than the light receiving sensitivity of the second light receiving device 24 (FIG. 6), and the current value of the light receiving current output from the first light receiving device 23 is the light receiving current output from the second light receiving device 24. Is always larger than the current value (FIG. 7). Therefore, by comparing the light receiving currents output from the first light receiver 23 and the second light receiver 24, the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 is longer than the predetermined wavelength and shorter. It is possible to detect the wavelength (wavelength shift).

さらに，半導体レーザ10から出射されるレーザ光の波長が所定波長であり，かつレーザ光のパワーが所定パワーである場合，半導体レーザ10の後方端面10ｂから出射された光を受光した第１，第２の受光器23，24から出力される受光電流の電流値は，いずれも同じ所定値を指す（図７）。レーザ光のパワーが所定パワーよりも大きい場合，第１，第２の受光器23，24から出力される受光電流の電流値は所定値よりも大きい値を指し，逆にレーザ光のパワーが所定パワーよりも小さい場合には第１，第２の受光器23，24から出力される受光電流の電流値は所定値よりも小さい値を指す。したがって，第１の受光器23および第２の受光器24から出力される受光電流に基づいて，半導体レーザ10から出射されるレーザ光のパワーが所定パワーよりも大きいことおよび小さいことを検知することもできる。   Furthermore, when the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 is a predetermined wavelength and the power of the laser light is a predetermined power, the first and first light received from the rear end face 10b of the semiconductor laser 10 are received. The current values of the light receiving currents output from the two light receivers 23 and 24 both indicate the same predetermined value (FIG. 7). When the power of the laser light is larger than the predetermined power, the current value of the light receiving current output from the first and second light receivers 23 and 24 indicates a value larger than the predetermined value, and conversely, the power of the laser light is predetermined. When the power is smaller than the power, the current value of the light receiving current output from the first and second light receivers 23 and 24 indicates a value smaller than a predetermined value. Therefore, based on the light receiving current output from the first light receiver 23 and the second light receiver 24, it is detected that the power of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 is larger or smaller than the predetermined power. You can also.

図８および図９は，波長／出力安定化レーザ装置１の制御回路３の動作の流れを示すフローチャートである。   FIG. 8 and FIG. 9 are flowcharts showing the operation flow of the control circuit 3 of the wavelength / output stabilizing laser device 1.

はじめに，制御回路３はヒータ用電源回路４にヒータ加熱電力（電流）の出力を指示する。ヒータ用電源回路４からの電力が薄膜抵抗18に供給されると（パッド18ａおよび18ｂ間に電流が通電されると），薄膜抵抗18が発熱する。すなわち，半導体レーザ10からレーザ光を出射させる前に薄膜抵抗18が，所定温度たとえば６０℃に加熱される。薄膜抵抗18の温度と薄膜抵抗18に供給する電力の関係はあらかじめ計測されており，供給する電力量に応じて薄膜抵抗18の温度を把握することができる。上述したように，薄膜抵抗18は半導体レーザ10の上面に設けられており，回折格子14が薄膜抵抗18の近傍に存在する（図４（Ａ），図４（Ｂ），図５参照）。このため，薄膜抵抗18が発熱すると，熱伝導によって回折格子14が所定温度に加熱される（ステップ51）。   First, the control circuit 3 instructs the heater power supply circuit 4 to output the heater heating power (current). When power from the heater power supply circuit 4 is supplied to the thin film resistor 18 (when a current is passed between the pads 18a and 18b), the thin film resistor 18 generates heat. That is, before the laser beam is emitted from the semiconductor laser 10, the thin film resistor 18 is heated to a predetermined temperature, for example, 60 ° C. The relationship between the temperature of the thin film resistor 18 and the power supplied to the thin film resistor 18 is measured in advance, and the temperature of the thin film resistor 18 can be grasped according to the amount of power supplied. As described above, the thin film resistor 18 is provided on the upper surface of the semiconductor laser 10, and the diffraction grating 14 exists in the vicinity of the thin film resistor 18 (see FIGS. 4A, 4B, and 5). Therefore, when the thin film resistor 18 generates heat, the diffraction grating 14 is heated to a predetermined temperature by heat conduction (step 51).

制御回路３からレーザ用電源回路５に駆動電流の出力指示が与えられる。レーザ用電源回路５から半導体レーザ10に所定の駆動電流が供給される（ステップ52）。半導体レーザ10の光出射面10ａから所定の出力パワーのレーザ光が出射される。   A drive current output instruction is given from the control circuit 3 to the laser power supply circuit 5. A predetermined drive current is supplied from the laser power supply circuit 5 to the semiconductor laser 10 (step 52). Laser light having a predetermined output power is emitted from the light emitting surface 10 a of the semiconductor laser 10.

上述したように，半導体レーザ10の後方端面10ｂからわずかに出射する光は第１，第２の受光器23，24に入射する。第１，第２の受光器23，24からの受光電流（出力電流）が制御回路３に与えられる。   As described above, the light slightly emitted from the rear end face 10 b of the semiconductor laser 10 enters the first and second light receivers 23 and 24. Light receiving currents (output currents) from the first and second light receivers 23 and 24 are supplied to the control circuit 3.

第１，第２の受光器23，24からの受光電流値に基づいて，制御回路３は次のように動作する。   Based on the light reception current values from the first and second light receivers 23 and 24, the control circuit 3 operates as follows.

（１）第１の受光器23の受光電流値β1と，第２の受光器24の受光電流値β2が一致していない場合（ステップ53でＹｅｓ） (1) When a light-receiving current beta 1 of the first light-receiving unit 23, light-receiving current beta 2 of the second light receiver 24 do not match (Yes in step 53)

第１の受光器23および第２の受光器24は，半導体レーザ10から出射されるレーザ光が設定波長（１４５０ｎｍ）である場合，同じ値の電流を出力する（図７）。これに対し，第１の受光器23の受光電流値β1と第２の受光器24の受光電流値β2が一致していない場合，半導体レーザ10から出射されているレーザ光の波長が設定波長ではないこと，すなわち，レーザ光の波長が長波長側にずれている，または短波長側にずれていることが分かる。レーザ光の波長ずれは，半導体レーザ10（半導体レーザ・モジュール２）の使用環境（周囲温度等），半導体レーザ10（特に活性層12）の発熱，半導体レーザ10の劣化等に起因する。 When the laser light emitted from the semiconductor laser 10 has a set wavelength (1450 nm), the first light receiver 23 and the second light receiver 24 output the same current (FIG. 7). In contrast, if the received current value beta 2 of the light-receiving current beta 1 and the second light receiver 24 of the first light receiver 23 does not match the wavelength of the laser light is emitted is set from the semiconductor laser 10 It can be seen that the wavelength is not a wavelength, that is, the wavelength of the laser beam is shifted to the long wavelength side or the short wavelength side. The wavelength shift of the laser light is caused by the use environment (ambient temperature, etc.) of the semiconductor laser 10 (semiconductor laser module 2), heat generation of the semiconductor laser 10 (particularly the active layer 12), deterioration of the semiconductor laser 10, and the like.

図１０を参照して，レーザ光の波長が短波長側にずれている場合（レーザ光の波長α1 ＜１４５０ｎｍ），第２の受光器24の受光電流値β2は第１の受光器23の受光電流値β2よりも大きくなる。すなわち，第２の受光器24の受光電流値β2 が第１の受光器23の受光電流値β1 よりも大きいことを検知することによって，半導体レーザ10から出射されているレーザ光の波長が短波長側にずれていることを判定することができる（ステップ54でβ2 ＞β1 ）。 Referring to FIG. 10, when the wavelength of the laser beam is shifted to the short wavelength side (laser beam wavelength α 1 <1450 nm), the received light current value β 2 of the second light receiver 24 is the first light receiver 23. The received light current value β 2 becomes larger. That is, by detecting that the light receiving current value β 2 of the second light receiver 24 is larger than the light receiving current value β 1 of the first light receiver 23, the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 is changed. It can be determined that the wavelength is shifted to the short wavelength side (β 2 > β 1 in step 54).

レーザ光の波長が短波長側にずれていることが判定された場合，制御回路３は，ヒータ用電源回路４から薄膜抵抗18に供給される電力が増加するように，ヒータ用電源回路４を制御する。これにより，薄膜抵抗18の発熱が強められて回折格子14の温度が上がる（ステップ55）。回折格子14の温度上昇に伴って，回折格子14によって反射されて発振する光の発振波長が長波長側にシフトする（発振波長が長くなる）。これにより半導体レーザ10から出射されるレーザ光の波長は設定波長に近づく。   When it is determined that the wavelength of the laser beam is shifted to the short wavelength side, the control circuit 3 sets the heater power supply circuit 4 so that the power supplied from the heater power supply circuit 4 to the thin film resistor 18 increases. Control. This intensifies the heat generation of the thin film resistor 18 and raises the temperature of the diffraction grating 14 (step 55). As the temperature of the diffraction grating 14 rises, the oscillation wavelength of the light reflected and oscillated by the diffraction grating 14 shifts to the longer wavelength side (the oscillation wavelength becomes longer). As a result, the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 approaches the set wavelength.

図１１を参照して，レーザ光の波長が長波長側にずれている場合（レーザ光の波長α2 ＞１４５０ｎｍ），第１の受光器23の受光電流値β1は第２の受光器24の受光電流値β2よりも大きくなる。すなわち，第１の受光器23の受光電流値β1 が第２の受光器24の受光電流値β2 よりも大きいことを検知することによって，レーザ光の波長が長波長側にずれていることを判定することができる（ステップ54でβ2＜β1）。 Referring to FIG. 11, when the wavelength of the laser beam is shifted to the longer wavelength side (laser beam wavelength α 2 > 1450 nm), the received light current value β 1 of the first light receiver 23 is the second light receiver 24. The received light current value β 2 becomes larger. That is, the wavelength of the laser beam is shifted to the longer wavelength side by detecting that the light reception current value β 1 of the first light receiver 23 is larger than the light reception current value β 2 of the second light receiver 24. (Β 2 <β 1 in step 54).

レーザ光の波長が長波長側にずれていることが判定された場合，制御回路３は，ヒータ用電源回路４から薄膜抵抗18に供給される電力が減少するように，ヒータ用電源回路４を制御する。これにより，薄膜抵抗18の発熱が弱められて回折格子14の温度が下がる（ステップ56）。回折格子14の温度下降に伴って，回折格子14によって反射されて発振する光の発振波長が短波長側にシフトする（発振波長が短くなる）。このため，半導体レーザ10から出射されるレーザ光の波長が設定波長に近づくことになる。   When it is determined that the wavelength of the laser beam is shifted to the long wavelength side, the control circuit 3 turns off the heater power supply circuit 4 so that the power supplied from the heater power supply circuit 4 to the thin film resistor 18 decreases. Control. As a result, the heat generation of the thin film resistor 18 is weakened and the temperature of the diffraction grating 14 is lowered (step 56). As the temperature of the diffraction grating 14 decreases, the oscillation wavelength of the light reflected and oscillated by the diffraction grating 14 shifts to the short wavelength side (the oscillation wavelength becomes shorter). For this reason, the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 approaches the set wavelength.

第１の受光器23の受光電流値β1と第２の受光器24の受光電流値β2の比較，および薄膜抵抗18への供給電力の調節が繰返されることによって（ステップ53〜56），半導体レーザ10から出射されるレーザ光の波長は設定波長に一致する。半導体レーザ10から安定した波長のレーザ光を出射させることができる。 Receiving current beta 1 and comparison of the light-receiving current beta 2 of the second photodetector 24 of the first light receiver 23, and by adjusting the power supplied to the thin film resistor 18 is repeated (step 53-56), The wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 matches the set wavelength. Laser light having a stable wavelength can be emitted from the semiconductor laser 10.

（２）第１の受光器23の受光電流値β1および第２の受光器24の受光電流値β2が一致しているが，その値が所定値でない場合（ステップ53でＮＯ，ステップ57でＮＯ） (2) receiving the current value beta 2 of the light-receiving current beta 1 and the second light receiver 24 of the first light receiver 23 are matched, if the value is not the predetermined value (NO in step 53, step 57 NO)

上述したように，半導体レーザ10から出射されているレーザ光の波長が設定波長であれば，第１，第２の受光器23，24はいずれも同じ値の電流を出力する。さらに，半導体レーザ10が所定の（あらかじめ設定された）パワーのレーザ光を出射していれば，第１の受光器23の受光電流値β1および第２の受光器24の受光電流値β2は，いずれも所定の同じ電流値γを指す（図７参照，ステップ57でＹＥＳ）。しかしながら，周囲温度の変動や半導体レーザ10が経年劣化等によって，所定の駆動電流を半導体レーザ10に供給しても，半導体レーザ10が所定の出力パワーのレーザ光を出射しないことがある。 As described above, if the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 is the set wavelength, the first and second light receivers 23 and 24 both output the same value of current. Furthermore, the semiconductor laser 10 is long and emits a laser beam of a predetermined (preset) power, light current value of the light reception current beta 1 and the second light receiver 24 of the first light receiver 23 beta 2 Indicates the same predetermined current value γ (see FIG. 7, YES in step 57). However, the semiconductor laser 10 may not emit laser light with a predetermined output power even if a predetermined drive current is supplied to the semiconductor laser 10 due to fluctuations in the ambient temperature, deterioration of the semiconductor laser 10 over time, or the like.

第１の受光器23の受光電流値β1と第２の受光器24の受光電流値β2が一致しているものの，所定の電流値γでない場合（ステップ57でＮＯ），半導体レーザ10は所定パワーのレーザ光を出射していないこと，すなわち，レーザ光のパワーが所定パワーよりも大きいこと，または小さいことが分かる。 Although the light-receiving current beta 2 of the light-receiving current beta 1 and the second light receiver 24 of the first light receiver 23 are matched, if not the predetermined current value gamma (NO at step 57), the semiconductor laser 10 It can be seen that laser light with a predetermined power is not emitted, that is, the power of the laser light is larger or smaller than the predetermined power.

図９および図１２を参照して，レーザ光の出力パワーが所定パワーよりも大きい場合，第１，第２の受光器23，24の受光電流値β1，β2は，所定パワーに対応する電流値γを超える電流値γ1 を指す。すなわち，第１，第２の受光器23，24の受光電流値β1，β2が，所定電流値γを超える電流値γ1 を指していることを検知することによって，半導体レーザ10から出射されているレーザ光の出力パワーが所定パワーよりも大きいことが分かる（ステップ58でβ1＝β2＞γ）。なお，所定パワーに対応する電流値γは制御回路３に制御値として設定されており，設定されている電流値γが，第１，第２の受光器23，24の受光電流値β1，β2との比較に用いられる。 Referring to FIGS. 9 and 12, when the output power of the laser beam is larger than the predetermined power, the light receiving current values β 1 and β 2 of the first and second light receivers 23 and 24 correspond to the predetermined power. The current value γ 1 exceeding the current value γ is indicated. That is, by detecting that the light receiving current values β 1 and β 2 of the first and second light receivers 23 and 24 indicate a current value γ 1 exceeding a predetermined current value γ, the light is emitted from the semiconductor laser 10. It can be seen that the output power of the laser beam being applied is greater than the predetermined power (β 1 = β 2 > γ in step 58). The current value γ corresponding to the predetermined power is set as a control value in the control circuit 3, and the set current value γ is the received light current value β 1 of the first and second light receivers 23, 24, Used for comparison with β 2 .

レーザ光の出力パワーが所定パワーよりも大きいことが判定された場合，制御回路３は，レーザ用電源回路５から半導体レーザ10に供給される駆動電流が減少するように，レーザ用電源回路５を制御する（ステップ59）。これにより，半導体レーザ10から出射されるレーザ光のパワーが減少し，所定パワーに近づくことになる。   When it is determined that the output power of the laser light is greater than the predetermined power, the control circuit 3 turns off the laser power supply circuit 5 so that the drive current supplied from the laser power supply circuit 5 to the semiconductor laser 10 is reduced. Control (step 59). As a result, the power of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 decreases and approaches a predetermined power.

逆に，レーザ光の出力パワーが所定パワーよりも小さい場合，第１，第２の受光器23，24の受光電流値β1，β2は，所定パワーに対応する電流値γよりも小さくなる。すなわち，第１，第２の受光器23，24の受光電流値β1，β2が電流値γよりも小さい電流値γ2 を指していることを検知することによって，レーザ光の出力パワーが所定パワーよりも小さいことが分かる（ステップ58でβ1＝β2＜γ）。 Conversely, when the output power of the laser beam is smaller than the predetermined power, the received light current values β 1 and β 2 of the first and second light receivers 23 and 24 are smaller than the current value γ corresponding to the predetermined power. . That is, by detecting that the light receiving current values β 1 and β 2 of the first and second light receivers 23 and 24 indicate a current value γ 2 smaller than the current value γ, the output power of the laser light is reduced. It can be seen that the power is smaller than the predetermined power (β 1 = β 2 <γ in step 58).

レーザ光の出力パワーが所定パワーよりも小さいことが判定された場合，制御回路３は，レーザ用電源回路５から半導体レーザ10に供給する駆動電流が増加するように，レーザ用電源回路５を制御する（ステップ60）。これにより，半導体レーザ10から出射されるレーザ光のパワーが増加し，所定パワーに近づくことになる。   When it is determined that the output power of the laser beam is smaller than the predetermined power, the control circuit 3 controls the laser power supply circuit 5 so that the drive current supplied from the laser power supply circuit 5 to the semiconductor laser 10 increases. (Step 60). As a result, the power of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 increases and approaches a predetermined power.

第１，第２の受光器23，24の受光電流値β1，β2と所定パワーに対応する電流値γとの比較，ならびに半導体レーザ10への駆動電流の調節が繰り返されることによって（ステップ57〜60），半導体レーザ10から出射されるレーザ光の出力パワーが所定パワーとなる。半導体レーザ10から安定した出力パワーのレーザ光を出射させることができる。 By repeatedly comparing the received light current values β 1 and β 2 of the first and second light receivers 23 and 24 with the current value γ corresponding to a predetermined power and adjusting the drive current to the semiconductor laser 10 (step) 57-60), the output power of the laser light emitted from the semiconductor laser 10 becomes a predetermined power. Laser light having a stable output power can be emitted from the semiconductor laser 10.

なお，この発明による実施形態は図１のブロック図に限定されず，制御回路３にはデータ（たとえば，上述の電流値γ）を記憶するためのメモリ等を含ませてもよい。   The embodiment according to the present invention is not limited to the block diagram of FIG. 1, and the control circuit 3 may include a memory for storing data (for example, the above-described current value γ).

また，上述した実施形態では，第１，第２の受光器23，24を用いてレーザ光の波長の変動およびレーザ光の出力パワーの変動を検知しているが，レーザ光の出力パワーの変動については，第１，第２の受光器23，24とは別の（レーザ光の出力パワーの変動検知に専用の）受光器（第３の受光器）を用いて検知するようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the first and second light receivers 23 and 24 are used to detect the variation in the wavelength of the laser beam and the variation in the output power of the laser beam. May be detected using a light receiver (third light receiver) different from the first and second light receivers 23 and 24 (dedicated for detecting fluctuations in the output power of the laser beam). .

図１３は，上述した波長／出力安定化レーザ装置１を備えたラマン増幅器を示すブロック図である。   FIG. 13 is a block diagram showing a Raman amplifier including the wavelength / output stabilizing laser device 1 described above.

ラマン増幅器70では，波長／出力安定化レーザ装置１に含まれる半導体レーザ10から出力されたレーザ光が励起光としてカプラ72を介して増幅用光ファイバ71に入力する。増幅用光ファイバ71において誘導ラマン散乱が生じ，レーザ光の波長（励起光波長）から約１００ｎｍ程度長波長側に利得が生じる。増幅用光ファイバ71に信号光が入力すると，増幅用光ファイバ71中に生じた利得によって信号光が増幅される（ラマン増幅）。波長／出力安定化レーザ装置１は，安定した波長および出力パワーのレーザ光を出射し，このレーザ光が励起光として用いられるので，ラマン増幅器70において増幅される信号光の波長帯を正確に制御することができる。なお，ラマン増幅器70に波長／出力安定化レーザ装置１を用いる場合，半導体レーザ10としてマルチモード発振する半導体レーザを用いるのが好ましい。   In the Raman amplifier 70, laser light output from the semiconductor laser 10 included in the wavelength / output stabilizing laser device 1 is input to the amplification optical fiber 71 through the coupler 72 as excitation light. Stimulated Raman scattering occurs in the amplification optical fiber 71, and a gain is generated on the longer wavelength side by about 100 nm from the wavelength of the laser light (excitation light wavelength). When the signal light is input to the amplification optical fiber 71, the signal light is amplified by the gain generated in the amplification optical fiber 71 (Raman amplification). The wavelength / output stabilizing laser device 1 emits laser light having a stable wavelength and output power, and this laser light is used as pumping light. Therefore, the wavelength band of the signal light amplified in the Raman amplifier 70 is accurately controlled. can do. When the wavelength / output stabilizing laser device 1 is used for the Raman amplifier 70, it is preferable to use a semiconductor laser that performs multimode oscillation as the semiconductor laser 10.

波長／出力安定化レーザ装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of a wavelength / output stabilization laser apparatus. 半導体レーザ・モジュールの外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of a semiconductor laser module. 半導体レーザ・モジュールの内部構造を示す。The internal structure of a semiconductor laser module is shown. （Ａ）は半導体レーザの平面図を，（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う半導体レーザの断面図をそれぞれ示す。(A) is a plan view of the semiconductor laser, and (B) is a cross-sectional view of the semiconductor laser along the line BB in (A). 半導体レーザの断面図を示す。1 shows a cross-sectional view of a semiconductor laser. 第１および第２の受光器の受光感度特性を示す。The light reception sensitivity characteristics of the first and second light receivers are shown. 第１および第２の受光器の受光電流特性を示す。The photocurrent characteristic of the 1st and 2nd light receiver is shown. 波長／出力安定化レーザ装置の制御回路の動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of the control circuit of a wavelength / output stabilization laser apparatus. 波長／出力安定化レーザ装置の制御回路の動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of the control circuit of a wavelength / output stabilization laser apparatus. レーザ光の波長が短波長側にずれた場合の第１および第２の受光器の受光電流を示す。The light receiving currents of the first and second light receivers when the wavelength of the laser light is shifted to the short wavelength side are shown. レーザ光の波長が長波長側にずれた場合の第１および第２の受光器の受光電流を示す。The light receiving currents of the first and second light receivers when the wavelength of the laser light is shifted to the long wavelength side are shown. レーザ光のパワーが増大した場合，および減少した場合の第１および第２の受光器の受光電流を示す。The light receiving currents of the first and second light receivers when the power of the laser light increases and decreases are shown. ラマン増幅器のブロック図である。It is a block diagram of a Raman amplifier.

符号の説明Explanation of symbols

１ 波長／出力安定化レーザ装置
２ 半導体レーザ・モジュール
３ 制御回路
４ ヒータ用電源回路
５ レーザ用電源回路
10 半導体レーザ
12 活性層
14 回折格子
18 薄膜抵抗
23 第１の受光器
24 第２の受光器
70 ラマン増幅器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wavelength / output stabilization laser apparatus 2 Semiconductor laser module 3 Control circuit 4 Heater power circuit 5 Laser power circuit
10 Semiconductor laser
12 Active layer
14 Diffraction grating
18 Thin film resistor
23 First receiver
24 Second receiver
70 Raman amplifier

Claims (8)

回折格子を含み，前記回折格子を加熱するための発熱体が設けられた半導体レーザ，
前記半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が，所定波長よりも長いことおよび短いことを検知する波長ずれ検知手段，ならびに
前記発熱体に対する加熱を制御する加熱制御手段を備え，
前記加熱制御手段は，
前記発熱体を加熱しておき，
前記波長ずれ検知手段によってレーザ光の波長が所定波長よりも長いことが検知された場合には前記発熱体に対する加熱を弱め，前記所定波長よりも短いことが検知された場合には前記発熱体に対する加熱を強めるように，前記発熱体に対する加熱を制御する，
波長安定化レーザ装置。 A semiconductor laser including a diffraction grating and provided with a heating element for heating the diffraction grating;
A wavelength shift detecting means for detecting that the wavelength of the laser light emitted from the semiconductor laser is longer and shorter than a predetermined wavelength, and a heating control means for controlling the heating of the heating element,
The heating control means includes
Heating the heating element;
When the wavelength shift detecting means detects that the wavelength of the laser beam is longer than a predetermined wavelength, the heating of the heating element is weakened, and when it is detected that the wavelength is shorter than the predetermined wavelength, the heating element is not heated. Control the heating of the heating element to increase the heating,
Wavelength stabilized laser device. 前記波長ずれ検知手段は，前記半導体レーザから出射される光を受光し，受光した光の波長に応じた電流を出力する第１および第２の受光器を備え，
前記第１および第２の受光器の受光感度特性がそれぞれ異なっており，
前記第１および第２の受光器の受光感度特性は，前記所定波長よりも長い波長の光に対して前記第１の受光器の受光感度が前記第２の受光器の受光感度よりも大きく，前記所定波長よりも短い波長の光に対して前記第２の受光器の受光感度が前記第１の受光器の受光感度よりも大きいものである，
請求項１に記載の波長安定化レーザ装置。 The wavelength shift detector includes first and second light receivers that receive light emitted from the semiconductor laser and output a current according to the wavelength of the received light.
The light receiving sensitivity characteristics of the first and second light receivers are different from each other,
The light receiving sensitivity characteristics of the first and second light receivers are such that the light receiving sensitivity of the first light receiver is larger than the light receiving sensitivity of the second light receiver with respect to light having a wavelength longer than the predetermined wavelength. The light receiving sensitivity of the second light receiver is greater than the light receiving sensitivity of the first light receiver for light having a wavelength shorter than the predetermined wavelength.
The wavelength-stabilized laser device according to claim 1. 前記半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーが所定パワーよりも大きいこと，または小さいことを検知するパワー変動検知手段，および
前記半導体レーザに供給する駆動電流を制御する駆動電流制御手段を備え，
前記駆動電流制御手段は，
前記パワー変動検知手段によってレーザ光のパワーが所定パワーよりも大きいことが検知された場合に前記半導体レーザに供給する駆動電流を増加させ，前記所定パワーよりも小さいことが検知された場合に前記半導体レーザに供給する駆動電流を減少させるように，前記駆動電流を制御する，
請求項１または２に記載の波長安定化レーザ装置。 Power fluctuation detecting means for detecting that the power of the laser light emitted from the semiconductor laser is greater than or less than a predetermined power, and drive current control means for controlling the drive current supplied to the semiconductor laser,
The drive current control means includes
The drive current supplied to the semiconductor laser is increased when the power fluctuation detecting means detects that the power of the laser beam is larger than the predetermined power, and the semiconductor when the power fluctuation is detected to be smaller than the predetermined power. Controlling the drive current so as to reduce the drive current supplied to the laser;
The wavelength stabilization laser device according to claim 1 or 2. 前記半導体レーザおよび前記波長ずれ検知手段を備えた半導体レーザ・モジュールと，前記加熱制御手段とが電気的に接続されている，
請求項１または２に記載の波長安定化レーザ装置。 The semiconductor laser module including the semiconductor laser and the wavelength shift detecting means and the heating control means are electrically connected.
The wavelength stabilization laser device according to claim 1 or 2. 前記半導体レーザ，前記波長ずれ検知手段および前記パワー変動検知手段を備えた半導体レーザ・モジュールと，前記加熱制御手段および前記駆動電流制御手段とが電気的に接続されている，
請求項３に記載の波長安定化レーザ装置。 The semiconductor laser, the semiconductor laser module provided with the wavelength shift detection means and the power fluctuation detection means, and the heating control means and the drive current control means are electrically connected.
The wavelength-stabilized laser device according to claim 3. 前記発熱体を加熱するための電力を供給する第１の電源回路，および前記半導体レーザからレーザ光を出射させるための駆動電流を供給する第２の電源回路を備え，前記第１の電源回路および第２の電源回路が別々に制御される，
請求項１から５のいずれか一項に記載の波長安定化レーザ装置。 A first power supply circuit for supplying electric power for heating the heating element; and a second power supply circuit for supplying a drive current for emitting laser light from the semiconductor laser, the first power supply circuit, The second power circuit is controlled separately,
The wavelength stabilization laser apparatus as described in any one of Claim 1 to 5. 請求項１から６のいずれか一項に記載の波長安定化レーザ装置，および
前記波長安定化レーザ装置に含まれる前記半導体レーザから出射されるレーザ光が励起光として入射され，誘導ラマン増幅を生じさせる光ファイバ，
を備えたラマン増幅器。 The wavelength-stabilized laser device according to any one of claims 1 to 6, and a laser beam emitted from the semiconductor laser included in the wavelength-stabilized laser device is incident as excitation light to generate stimulated Raman amplification. Optical fiber,
Raman amplifier equipped with. 回折格子を含み，前記回折格子を加熱するための発熱体が設けられた半導体レーザから出射されるレーザ光の波長を安定化させる方法であって，
前記発熱体を加熱し，
前記半導体レーザから出射されるレーザ光の波長が，所定波長よりも長いことおよび短いことを検知し，
レーザ光の波長が所定波長よりも長いことが検知された場合には前記発熱体の加熱を弱め，前記所定波長よりも短いことが検知された場合には前記発熱体の加熱を強める，
波長安定化方法。 A method for stabilizing the wavelength of laser light emitted from a semiconductor laser including a diffraction grating and provided with a heating element for heating the diffraction grating,
Heating the heating element;
Detecting that the wavelength of laser light emitted from the semiconductor laser is longer and shorter than a predetermined wavelength,
When it is detected that the wavelength of the laser beam is longer than the predetermined wavelength, the heating of the heating element is weakened, and when it is detected that the wavelength of the laser light is shorter than the predetermined wavelength, the heating of the heating element is increased.
Wavelength stabilization method.
JP2007250431A 2007-09-27 2007-09-27 Wavelength stabilized laser apparatus, method for the same, and raman amplifier equipped with wavelength stabilized laser apparatus Pending JP2009081321A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007250431A JP2009081321A (en) 2007-09-27 2007-09-27 Wavelength stabilized laser apparatus, method for the same, and raman amplifier equipped with wavelength stabilized laser apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007250431A JP2009081321A (en) 2007-09-27 2007-09-27 Wavelength stabilized laser apparatus, method for the same, and raman amplifier equipped with wavelength stabilized laser apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009081321A true JP2009081321A (en) 2009-04-16

Family

ID=40655844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007250431A Pending JP2009081321A (en) 2007-09-27 2007-09-27 Wavelength stabilized laser apparatus, method for the same, and raman amplifier equipped with wavelength stabilized laser apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009081321A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017161765A (en) * 2016-03-10 2017-09-14 富士通株式会社 Optical element and light generating device
CN108107074A (en) * 2017-12-20 2018-06-01 清华大学 Characterize the dipulse flash of light Raman method and system of the hot physical property of two-dimension nano materials
WO2019193788A1 (en) 2018-04-05 2019-10-10 株式会社島津製作所 Vibration measurement device
CN112397996A (en) * 2019-08-16 2021-02-23 中国移动通信有限公司研究院 Wavelength adjusting method and device and optical module

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284711A (en) * 2000-03-31 2001-10-12 Hitachi Ltd Optical transmission device and optical system using it

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284711A (en) * 2000-03-31 2001-10-12 Hitachi Ltd Optical transmission device and optical system using it

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017161765A (en) * 2016-03-10 2017-09-14 富士通株式会社 Optical element and light generating device
CN108107074A (en) * 2017-12-20 2018-06-01 清华大学 Characterize the dipulse flash of light Raman method and system of the hot physical property of two-dimension nano materials
CN108107074B (en) * 2017-12-20 2021-05-11 清华大学 Double-pulse flash Raman method and system for representing thermophysical properties of two-dimensional nano material
WO2019193788A1 (en) 2018-04-05 2019-10-10 株式会社島津製作所 Vibration measurement device
CN112397996A (en) * 2019-08-16 2021-02-23 中国移动通信有限公司研究院 Wavelength adjusting method and device and optical module
CN112397996B (en) * 2019-08-16 2022-04-15 中国移动通信有限公司研究院 Wavelength adjusting method and device and optical module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4887549B2 (en) Tunable laser
US7620078B2 (en) Tunable semiconductor laser device, manufacturing method therefor, and gas detector using therewith
US7356057B2 (en) Wide temperature range vertical cavity surface emitting laser
US6088376A (en) Vertical-cavity-surface-emitting semiconductor devices with fiber-coupled optical cavity
US8101957B2 (en) Optical semiconductor device, laser chip and laser module
EP2854241B1 (en) Mopa laser source with wavelength control
JP6508956B2 (en) Modulated light source
JP2009514239A (en) Light source with stabilized wavelength
JP2009081321A (en) Wavelength stabilized laser apparatus, method for the same, and raman amplifier equipped with wavelength stabilized laser apparatus
US6151344A (en) Automatic power control of semiconductor laser
US7362782B2 (en) Optical semiconductor device and controlling method of the same
JP5180923B2 (en) Semiconductor laser module and Raman amplifier having the same
JP7016653B2 (en) Modulated light source
US11437777B2 (en) Method for tuning emission wavelength of laser device
US6760352B2 (en) Semiconductor laser device with a diffraction grating and semiconductor laser module
US11050218B2 (en) Method to tune emission wavelength of laser apparatus
US20040033022A1 (en) Laser module for optical transmission systems and method for stabilizing an output wavelength of a laser module
JP5190027B2 (en) Semiconductor laser module and Raman amplifier having the same
US20050111512A1 (en) Apparatus for generating and transmitting laser light
JP5180914B2 (en) Semiconductor laser module and Raman amplifier having the same
JP5150548B2 (en) Semiconductor laser module and Raman amplifier having the same
CN111641105A (en) Semiconductor optical amplifying element and amplifier, optical output device and distance measuring device
JP5447485B2 (en) Tunable laser
JP2002111124A (en) Light emitting module
JP2017135251A (en) Light-emitting module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100205

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120120

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120821