JP2009081296A - 受発光素子 - Google Patents

受発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2009081296A
JP2009081296A JP2007249917A JP2007249917A JP2009081296A JP 2009081296 A JP2009081296 A JP 2009081296A JP 2007249917 A JP2007249917 A JP 2007249917A JP 2007249917 A JP2007249917 A JP 2007249917A JP 2009081296 A JP2009081296 A JP 2009081296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light emitting
receiving element
organic layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007249917A
Other languages
English (en)
Inventor
Masashi Kantani
正史 乾谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2007249917A priority Critical patent/JP2009081296A/ja
Priority to US12/238,527 priority patent/US20090079345A1/en
Publication of JP2009081296A publication Critical patent/JP2009081296A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】受光素子としての機能と発光素子としての機能とを併せ持つ受発光素子であって、製造が容易な受発光素子を提供する。
【解決手段】発光機能と光電変換機能とを有する受発光素子100であって、基板11上方に形成された有機層4と、有機層4に外部から電荷を注入するために、有機層4の両端間にバイアス電圧(以下、順バイアスという)を印加する順バイアス電源10と、有機層4で発生した電荷を外部に取り出すために、有機層4の両端間に順バイアスとは極性が逆のバイアス電圧(以下、逆バイアスという)を印加する逆バイアス電源9と、逆バイアス印加時に有機層4で発生した電荷に応じた電流を検出する電流計8とを備え、有機層4が、順バイアス印加時に発光機能を有し、逆バイアス印加時に光電変換機能を有する有機材料で構成された層である。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光機能と、受光した光を電荷に変換する光電変換機能とを有する受発光素子に関する。
従来、受光素子と発光素子が混在した撮像装置が提案されている(特許文献1参照)。この撮像装置では、発光素子から発光された光が被写体に入射し、ここで反射して受光素子で受光されることで、被写体の撮像を行うことを可能にしている。受光素子は、光電変換層とこれを挟む一対の電極から構成され、発光素子は、発光層とこれを挟む一対の電極から構成されており、光電変換層と発光層とは全く別のものとなっている。
特開2007−104088号公報
特許文献1記載の撮像装置は、構成の異なる発光素子と受光素子を同一面上に多数形成する必要がある。このため、発光層の成膜及びパターニングと光電変換層の成膜及びパターニングとを別々に行う必要があり、その製造が容易ではない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、受光素子としての機能と発光素子としての機能とを併せ持つ受発光素子であって、製造が容易な受発光素子を提供することを目的とする。
本発明の受発光素子は、発光機能と、受光した光を電荷に変換する光電変換機能とを有する受発光素子であって、基板上方に形成された有機層と、前記有機層に外部から電荷を注入するために、前記有機層の両端間にバイアス電圧(以下、順バイアスという)を印加する順バイアス電源と、前記有機層で発生した電荷を外部に取り出すために、前記有機層の両端間に前記順バイアスとは極性が逆のバイアス電圧(以下、逆バイアスという)を印加する逆バイアス電源と、前記逆バイアス印加時に前記有機層で発生した電荷に応じた電流を検出する電流検出手段とを備え、前記有機層が、前記順バイアス印加時に発光機能を有し、前記逆バイアス印加時に光電変換機能を有する有機材料で構成された層である。
本発明の受発光素子は、前記基板と前記有機層との間に形成された第1の電極と、前記有機層を挟んで前記第1の電極と対向する位置に形成された第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極間に前記順バイアス電源を接続する状態と、前記第1の電極及び前記第2の電極間に前記逆バイアス電源を接続する状態とを切り替え可能な切り替え手段とを備える。
本発明の受発光素子は、前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれかが透明電極である。
本発明の受発光素子は、前記第1の電極と前記有機層と前記第2の電極がそれぞれ二次元状に多数配列されている。
本発明の受発光素子は、前記多数の第1の電極と前記多数の第2の電極のいずれかが共通化された1つの電極であり、前記多数の有機層が共通化された1つの層である。
本発明の受発光素子は、前記基板と前記有機層との間に前記基板に平行に並べて形成された第1の電極及び第2の電極と、前記有機層を挟んで前記第1の電極及び第2の電極と対向する位置に形成された前記第1の電極及び第2の電極とで共通の共通電極とを備え、前記順バイアス電源が、前記第1の電極及び前記共通電極間に接続され、
前記逆バイアス電源が、前記第2の電極及び前記共通電極間に接続され、前記電流検出手段が、前記第2の電極と前記逆バイアス電源の間又は前記共通電極と前記逆バイアス電源の間に流れる電流を検出するものである。
本発明の受発光素子は、前記共通電極と前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれかが透明電極である。
本発明の受発光素子は、前記第1の電極及び前記第2の電極が二次元状に多数配列されている。
本発明の受発光素子は、前記順バイアス電源が供給電圧を変えることのできる電圧可変電源である。
本発明によれば、受光素子としての機能と発光素子としての機能とを併せ持つ受発光素子であって、製造が容易な受発光素子を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
(第一実施形態)
図1は、本発明の実施形態である受発光素子の概略構成を示す断面模式図である。
受発光素子100は、光を受光し、受光した光に応じた電荷を発生する光電変換機能を有する受光素子100aと、光を発光する発光機能を有する発光素子100bとを含み、これらが基板11上方に二次元状に交互に配列された構成となっている。
受光素子100aと発光素子100bの基本構成は、それぞれ、有機層とこれらを挟む一対の電極とからなっている。受発光素子100は、受光素子100aを構成する有機層と発光素子100bを構成する有機層とを同一材料とし、それぞれの有機層に印加するバイアス電圧を変えることで、受光素子100aの有機層を光電変換層として機能させ、発光素子100bの有機層を発光層として機能させることを可能にしている。
受発光素子100は、基板11と、基板11上の受光素子100aを形成すべき位置に形成された受光素子100a用の電極である受光電極6と、基板11上の発光素子100bを形成すべき位置に形成された発光素子100b用の電極である発光電極7と、受光電極6及び発光電極7上に形成された正孔ブロッキング機能及び電子輸送機能を有する機能層5と、
機能層5上に形成された有機層4と、有機層4上に形成された電子ブロッキング機能及び正孔輸送機能を有する機能層3と、機能層3上に形成された受光素子100aと発光素子100bで共通の一枚構成である共通電極2と、共通電極2上に形成された素子を保護するための可視光に対して透明な封止基板1と、受光電極6及び共通電極2間に接続された逆バイアス電源9と、発光電極7及び共通電極2間に接続された順バイアス電源10と、受光電極6と逆バイアス電源9との間に接続された電流検出手段である電流計8とを備える。
機能層3、有機層4、及び機能層5は、それぞれ、受光素子100aと発光素子100bで共通の1つの層となっている。共通電極2は、有機層4で発生した光が上方に透過し、上方から入射してくる光が有機層4に入射できるように、可視光に対して透明な材料(例えばITO)で構成されている。
順バイアス電源10は、発光電極7と共通電極2とで挟まれる有機層4に、発光電極7及び共通電極2から電荷(正孔及び電子)を注入するためのバイアス電圧(以下、順バイアスという)を、発光電極7及び共通電極2に印加するものである。順バイアス電源10は、図示しないスイッチによって発光電極7及び共通電極2に順バイアスを印加する状態と印加しない状態とを切り替え可能となっている。又、順バイアス電源10は、印加する電圧の大きさを変えることが可能な可変電圧電源となっている。
逆バイアス電源9は、受光電極6と共通電極2とで挟まれる有機層4に、該有機層4で発生した電荷を受光電極6及び共通電極2に移動させるための順バイアスとは極性が逆のバイアス電圧(以下、逆バイアスという)を、受光電極6及び共通電極2に印加するものである。逆バイアス電源9は、図示しないスイッチによって受光電極6及び共通電極2に逆バイアスを印加する状態と印加しない状態とを切り替え可能となっている。
発光電極7と共通電極2とで挟まれる有機層4に順バイアスを印加した場合、機能層5は電子輸送層として機能し、機能層3は正孔輸送層として機能する。このため、陰極(発光電極7)からの有機層4への電子の注入が促進され、陽極(共通電極2)からの有機層4への正孔の注入が促進され、注入された電子と正孔が再結合領域(有機層4)で再結合することで、発光が行われる。機能層5と機能層3は、発光電極7及び共通電極2から注入された電子と正孔を再結合領域まで移動させると共に、界面領域の局所的なエネルギー領域に電子と正孔を溜めて発光作用を強める働きもする。このように、発光電極7と、共通電極2と、これらに挟まれる有機層4とによって、発光素子100bが構成されている。
順バイアス電源10は、印加する電圧の大きさを変えることが可能なため、印加電圧を変えることで、発光素子100bの発光輝度を調整することが可能である。
受光電極6と共通電極2とで挟まれる有機層4に逆バイアスを印加した場合、機能層5は正孔ブロッキング層として機能し、機能層3は電子ブロッキング層として機能する。このため、陰極(共通電極2)からの有機層4への電子の注入が抑制され、陽極(受光電極6)からの有機層4への正孔の注入が抑制される。一方、この状態で、有機層4に封止基板1上方から光が入射し、電子が伝導帯(励起状態)に励起され、価電子帯(基底状態)に正孔を残すと、これら電子と正孔は逆バイアスによって発生した電界によってそれぞれ逆方向の電極へ移動し、即ち、電子は受光電極6に、正孔は共通電極2に移動して、信号電流となる。電流計8は、この信号電流を検出するために設けられており、電流計8の出力から、被写体に応じた撮像信号を得ることができる。このように、受光電極6と、共通電極2と、これらに挟まれる有機層4とによって、受光素子100aが構成されている。
有機層4は、順バイアス印加時に発光機能を有し、逆バイアス印加時に光電変換機能を有するような有機材料(例えば、キナクリドン、スクアリリウム、亜鉛フタロシアニン等)によって構成されている。
機能層3は、電子ブロッキング機能及び正孔輸送機能を有する有機材料(例えば、アミン系のTPD等)によって構成されている。
機能層5は、正孔ブロッキング機能及び電子輸送機能を有する有機材料(例えば、Alq(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum)等)によって構成されている。
以下、受発光素子100の動作について説明する。
受発光素子100を発光素子として使用する場合は、図示しない駆動回路によって、逆バイアス電源9のスイッチをオフ、順バイアス電源10のスイッチをオンにして発光電極7及び共通電極2間の有機層4にのみ順バイアスを印加する。これにより、発光素子100bが発光して、受発光素子100は発光素子として使用できるようになる。一方、受発光素子100を受光素子として使用する場合は、図示しない駆動回路によって、逆バイアス電源9のスイッチをオン、順バイアス電源10のスイッチをオフにして受光電極6及び共通電極2間の有機層4にのみ逆バイアスを印加する。これにより、受光素子100aによって光電変換された電荷に応じた信号が外部に取り出され、受発光素子100は受光(撮像)素子として使用できるようになる。
このように、受発光素子100は、電源接続先のスイッチの切り替えだけで、発光素子としても受光素子としても使用することができ、例えばこの受発光素子100を携帯電話機に搭載することで、受発光素子を、着信を知らせるライトと撮影用のカメラとの2機能として使用すること等が可能となり、着信お知らせランプとカメラとを別々に持つ携帯電話機に比べて、その携帯電話機の小型化に貢献することができる。
尚、図1の構成例では、共通電極2、機能層3、有機層4、及び機能層5を、それぞれ受光素子100aと発光素子100bとで共通化しているが、これらは受光素子100aと発光素子100b毎に分割した構成であっても良い。図1のように共通化した構成にした場合は、受光電極6と発光電極7以外はフォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行う必要がなくなるため、受発光素子の製造が容易となる。又、受光電極6及び発光電極7を先に形成した場合は、その上の有機層の形成後にフォトリソグラフィを実施する必要がなくなるため、フォトリソグラフィによる有機層の損傷や特性劣化を防ぐことができる。共通電極2、機能層3、有機層4、及び機能層5を、素子毎に分割する場合でも、これらは各素子で同一の材料を用いることができるため、各層を成膜後にパターニングする工程が追加されるだけであり、構成材料の異なる発光素子と受光素子を同一面上に並べて形成した従来と比較すると、その製造は格段に容易なものとなる。
又、図1の構成例では、封止基板1の上方に光を発したり、封止基板1の上方に被写体を持ってきたりすることを想定しているため、共通電極2を透明電極としているが、基板11の下方に光を発したり、基板11の下方に被写体を持ってきたりすることを想定した場合には、受光電極6及び発光電極7を透明電極とすれば良い。又、共通電極2を受光素子と発光素子とで分割した場合は、例えば、受光電極6を透明、受光電極6に対向する共通電極2を不透明とし、発光電極7を不透明、発行電極7に対向する共通電極2を透明とすれば、被写体側と反対側に光を出すことが可能となる。携帯電話機に搭載した場合には、キーパッドの裏面に受発光素子を配置することで、キーパッドの裏面にカメラレンズを設置して撮影可能とし、発光素子100bの光をキーパッドのバックライトとして利用するといったことも可能となる。
又、以上の説明では、受光電極6と発光電極7とを別々の電極としたが、これを受光電極と発光電極とを兼用した1つの電極とした受発光素子も考えられる。
図2は、本発明の実施形態である受発光素子の別の構成例を示す断面模式図である。図2に示した受発光素子200は、図1に示す受発光素子100の発光電極7を全て受光電極6に変更し、多数の受光電極6の各々及び共通電極2間に順バイアス電源10と逆バイアス電源9とをスイッチ12を介して接続した構成となっている。
スイッチ12は、受発光素子200を発光素子として機能させるときには、受光電極6に接続された端子を順バイアス電源10に接続された端子に接続して、共通電極2と受光電極6との間に順バイアス電源10を接続した状態を形成し、受発光素子200を受光素子として機能させるときには、受光電極6に接続された端子を逆バイアス電源9に接続された端子に接続して、共通電極2と受光電極6との間に逆バイアス電源9を接続した状態を形成する。
以下、受発光素子200の動作について説明する。
受発光素子200を発光素子として使用する場合は、図示しない駆動回路によって、スイッチ12を順バイアス電源10側に接続して、受光電極6及び共通電極2間の有機層4に順バイアスを印加する。これにより、受光電極6と共通電極2とで挟まれる有機層4が発光して、受発光素子200は発光素子として使用できるようになる。一方、受発光素子200を受光素子として使用する場合は、図示しない駆動回路によって、スイッチ12を逆バイアス電源9側に接続して、受光電極6及び共通電極2間の有機層4に逆バイアスを印加する。これにより、受光電極6と共通電極2とで挟まれる有機層4で光電変換された電荷に応じた信号が外部に取り出され、受発光素子200は受光(撮像)素子として使用できるようになる。
以上のように、図2に示したような構成であっても、受発光素子200は、スイッチ12の切り替えだけで、発光素子としても受光素子としても使用することができる。図2の構成によれば、受光領域と発光領域とを同一位置にすることができるため、図1に示した構成に比べて小型化が可能となる。
本発明の実施形態である受発光素子の概略構成を示す断面模式図 本発明の実施形態である受発光素子の別の構成例を示す断面模式図
符号の説明
1 保護層
2 共通電極
3,5 機能層
4 有機層
6 受光電極
7 発光電極
8 電流計
9 逆バイアス電源
10 順バイアス電源
11 基板

Claims (9)

  1. 発光機能と、受光した光を電荷に変換する光電変換機能とを有する受発光素子であって、
    基板上方に形成された有機層と、
    前記有機層に外部から電荷を注入するために、前記有機層の両端間にバイアス電圧(以下、順バイアスという)を印加する順バイアス電源と、
    前記有機層で発生した電荷を外部に取り出すために、前記有機層の両端間に前記順バイアスとは極性が逆のバイアス電圧(以下、逆バイアスという)を印加する逆バイアス電源と、
    前記逆バイアス印加時に前記有機層で発生した電荷に応じた電流を検出する電流検出手段とを備え、
    前記有機層が、前記順バイアス印加時に発光機能を有し、前記逆バイアス印加時に光電変換機能を有する有機材料で構成された層である受発光素子。
  2. 請求項1記載の受発光素子であって、
    前記基板と前記有機層との間に形成された第1の電極と、
    前記有機層を挟んで前記第1の電極と対向する位置に形成された第2の電極と、
    前記第1の電極及び前記第2の電極間に前記順バイアス電源を接続する状態と、前記第1の電極及び前記第2の電極間に前記逆バイアス電源を接続する状態とを切り替え可能な切り替え手段とを備える受発光素子。
  3. 請求項2記載の受発光素子であって、
    前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれかが透明電極である受発光素子。
  4. 請求項2又は3記載の受発光素子であって、
    前記第1の電極と前記有機層と前記第2の電極がそれぞれ二次元状に多数配列されている受発光素子。
  5. 請求項4記載の受発光素子であって、
    前記多数の第1の電極と前記多数の第2の電極のいずれかが共通化された1つの電極であり、
    前記多数の有機層が共通化された1つの層である受発光素子。
  6. 請求項1記載の受発光素子であって、
    前記基板と前記有機層との間に前記基板に平行に並べて形成された第1の電極及び第2の電極と、
    前記有機層を挟んで前記第1の電極及び第2の電極と対向する位置に形成された前記第1の電極及び第2の電極とで共通の共通電極とを備え、
    前記順バイアス電源が、前記第1の電極及び前記共通電極間に接続され、
    前記逆バイアス電源が、前記第2の電極及び前記共通電極間に接続され、
    前記電流検出手段が、前記第2の電極と前記逆バイアス電源の間又は前記共通電極と前記逆バイアス電源の間に流れる電流を検出するものである受発光素子。
  7. 請求項6記載の受発光素子であって、
    前記共通電極と前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれかが透明電極である受発光素子。
  8. 請求項7記載の受発光素子であって、
    前記第1の電極及び前記第2の電極が二次元状に多数配列されている受発光素子。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項記載の受発光素子であって、
    前記順バイアス電源が供給電圧を変えることのできる電圧可変電源である受発光素子。
JP2007249917A 2007-09-26 2007-09-26 受発光素子 Pending JP2009081296A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007249917A JP2009081296A (ja) 2007-09-26 2007-09-26 受発光素子
US12/238,527 US20090079345A1 (en) 2007-09-26 2008-09-26 Light emitting/receiving element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007249917A JP2009081296A (ja) 2007-09-26 2007-09-26 受発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009081296A true JP2009081296A (ja) 2009-04-16

Family

ID=40655827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007249917A Pending JP2009081296A (ja) 2007-09-26 2007-09-26 受発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009081296A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014086490A (ja) * 2012-10-22 2014-05-12 Toshiba Corp 発光発電モジュール、発光発電装置
US10032834B2 (en) 2012-08-09 2018-07-24 Sony Corporation Light receiving/emitting element and light receiving/emitting apparatus
JP2020503679A (ja) * 2016-12-22 2020-01-30 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 動作フィードバックのためのセンサセグメントを備えた発光ダイオード
JP2020161717A (ja) * 2019-03-27 2020-10-01 キヤノン株式会社 半導体装置、光検出システム、発光システム、および移動体
WO2021250502A1 (ja) * 2020-06-12 2021-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 車両制御装置
WO2022214906A1 (ja) * 2021-04-08 2022-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 車両制御装置、及び車両

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10032834B2 (en) 2012-08-09 2018-07-24 Sony Corporation Light receiving/emitting element and light receiving/emitting apparatus
JP2014086490A (ja) * 2012-10-22 2014-05-12 Toshiba Corp 発光発電モジュール、発光発電装置
JP2020503679A (ja) * 2016-12-22 2020-01-30 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 動作フィードバックのためのセンサセグメントを備えた発光ダイオード
US11094851B2 (en) 2016-12-22 2021-08-17 Lumileds Llc Light emitting diodes with sensor segment for operational feedback
JP2020161717A (ja) * 2019-03-27 2020-10-01 キヤノン株式会社 半導体装置、光検出システム、発光システム、および移動体
WO2021250502A1 (ja) * 2020-06-12 2021-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 車両制御装置
WO2022214906A1 (ja) * 2021-04-08 2022-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 車両制御装置、及び車両

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101163332B1 (ko) 디스플레이 디바이스, 디스플레이 장치 및 광전 디바이스
Seo et al. A 128× 96 pixel stack-type color image sensor: stack of individual blue-, green-, and red-sensitive organic photoconductive films integrated with a ZnO thin film transistor readout circuit
US9818966B2 (en) Light-emitting display device and method of fabricating the same
JP2009081296A (ja) 受発光素子
US7868319B2 (en) Organic semiconductor device, display using same, and imager
US10115777B2 (en) Display Device
EP2577747B1 (en) Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
JP4631490B2 (ja) 発光装置
US10546970B2 (en) Color imaging using array of wavelength-selective optoelectronic elements as light-field or image sensor and additionally capable of emitting light
KR102307284B1 (ko) 전자 기기
CN101809746A (zh) 光电设备
US8729539B2 (en) Light-emitting apparatus
US9825079B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging system
US20180190688A1 (en) Image sensor comprising nanoantenna
JP2002314756A (ja) 表示装置
CN111063680A (zh) 一种基于交流驱动平面型显示单元的上转换器件
CN110047902B (zh) 一种有机电致发光器件、显示面板的制作方法和显示装置
JP6388291B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004311933A (ja) シリコン光素子及びそれを適用した画像入出力装置
JP2008251524A (ja) 横型構成電気光学デバイス
JPH0922778A (ja) 有機発光受光素子及びこれを用いた有機発光受光装置
KR20040086276A (ko) 주사 디스플레이
JP2007080961A (ja) エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
KR101352948B1 (ko) 광 인식 스크린, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법.
KR101468592B1 (ko) 유기 광전 변환막, 광전 변환 소자 및 이미지 센서