JP2009080387A - Liquid crystal device, projection-type display device and manufacturing method for the liquid crystal device - Google Patents

Liquid crystal device, projection-type display device and manufacturing method for the liquid crystal device Download PDF

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JP2009080387A JP2007250782A JP2007250782A JP2009080387A JP 2009080387 A JP2009080387 A JP 2009080387A JP 2007250782 A JP2007250782 A JP 2007250782A JP 2007250782 A JP2007250782 A JP 2007250782A JP 2009080387 A JP2009080387 A JP 2009080387A
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Yasushi Kawakami
泰 川上
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device, wherein the number of components can be reduced, the surface of a wire-grid type polarization element is flattened, when the wire-grid type polarization element is formed and both of [transmittance] and [contrast] of the wire-grid type polarization element can be enhanced, to provide a projection-type display device, and to provide a manufacturing method for the liquid crystal device. <P>SOLUTION: The wire-grid type polarization element 107 is formed on a counter substrate 50 of the liquid crystal device 100 and the wire-grid type polarization element 107 has a structure, wherein metal grids 20 are embedded in a plurality rows of groove-shaped recessed parts 11 formed on one substrate surface 15 of a light-transmissive substrate 10. Hence, in the wire grid type polarization element 107, the substrate surface 15 of the light-transmissive substrate 10 constitutes a smooth surface, wherein regions where the metal grids 20 are formed and regions, where the metal grids 20 are not formed, are continued. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device, a projection display device, and a method for manufacturing a liquid crystal device.

液晶ライトバルブを用いた投射型表示装置は、図9に示すように、光源部から出射された白色光を赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の色光に分離した後、各色の液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)に入射させ、各液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)から出射された変調光をクロスダイクロイックプリズム119によって合成した後、投射光学系によって投射する。ここで、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)は、液晶パネル101(R)、(G)、(B)と、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の両側に貼られた防塵ガラス103(R)、(G)、(B)、104(R)、(G)、(B)と、入射側に位置する入射側偏光板108(R)、(G)、(B)と、出射側に位置する出射側偏光板105(R)、(G)、(B)とを有している。   As shown in FIG. 9, the projection display device using the liquid crystal light valve separates the white light emitted from the light source unit into red (R), green (G), and blue (B) color lights, and then displays each color. The liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) are made incident and the modulated light emitted from the liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) is synthesized by the cross dichroic prism 119. Then, it projects with a projection optical system. Here, the liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) are the liquid crystal panels 101 (R), (G), and (B), and the liquid crystal panels 101 (R), (G), and (B). The dust-proof glass 103 (R), (G), (B), 104 (R), (G), (B) affixed on both sides of the incident side polarizing plate 108 (R), ( G), (B), and emission side polarizing plates 105 (R), (G), (B) located on the emission side.

また、投射型表示装置では、液晶パネル101(R)、(G)、(B)に対して、図10(a)、(b)に示すような反射型無機偏光板を接合して一体化したものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In the projection type display device, a reflective inorganic polarizing plate as shown in FIGS. 10A and 10B is joined to the liquid crystal panels 101 (R), (G), and (B) to be integrated. Have been proposed (see, for example, Patent Document 1).

図10(a)、(b)に示す反射型無機偏光板は、透光性基板10Aの基板面に複数列の金属格子20Aを備えており、金属格子20Aのピッチ(周期)が入射光の波長より短ければ、金属格子20Aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分については透過する一方、金属格子20Aの長手方向に対して平行な方向に振動する偏光成分については反射する。かかるワイヤーグリッド型偏光素子107Aは、従来、透光性基板10Aの基板面に金属膜を形成した後、金属膜の表面に、金属格子20Aを形成すべき領域に溝状開口部を備えたエッチングマスクを形成し、この状態で、金属膜をパターニングすることにより、製造される。   The reflective inorganic polarizing plate shown in FIGS. 10A and 10B includes a plurality of rows of metal gratings 20A on the substrate surface of the translucent substrate 10A, and the pitch (period) of the metal gratings 20A is that of incident light. If the wavelength is shorter than the wavelength, the polarization component oscillating in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating 20A is transmitted, while the polarization component oscillating in the direction parallel to the longitudinal direction of the metal grating 20A is reflected. In the wire grid type polarizing element 107A, conventionally, after forming a metal film on the substrate surface of the translucent substrate 10A, the surface of the metal film is etched with a groove-like opening in a region where the metal lattice 20A is to be formed. A mask is formed, and in this state, the metal film is patterned to produce the mask.

また、エッチングマスクを形成するにあたっては、金属膜の表面に樹脂を塗布した後、型部材に形成した凹凸パターンを転写して、金属格子20Aを形成すべき領域に溝状開口部を備えたレジストマスクを得る方法もある。   In forming the etching mask, after applying a resin to the surface of the metal film, the concavo-convex pattern formed on the mold member is transferred to form a resist having groove-shaped openings in the region where the metal lattice 20A is to be formed. There is also a method for obtaining a mask.

ワイヤーグリッド型偏光素子107Aでは、金属格子20Aは入射光の一部を吸収するため、金属格子20Aのピッチが入射光の波長より短い場合でも、金属格子20Aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分を100%透過することができない。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子107Aの性能は、「透過率(Transmittance)」および「コントラスト(Contrast)」で表される。「透過率」は、金属格子20Aの長手方向に対し垂直な方向に振動する偏光成分の透過率であり、「コントラスト」は、金属格子20Aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率を、金属格子20Aの長手方向に対して並行な方向に振動する偏光成分の透過率で割った値である。   In the wire grid type polarizing element 107A, the metal grating 20A absorbs a part of the incident light. Therefore, even when the pitch of the metal grating 20A is shorter than the wavelength of the incident light, the metal grating 20A is perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating 20A. The oscillating polarization component cannot be transmitted 100%. For this reason, the performance of the wire grid type polarizing element 107 </ b> A is expressed by “Transmittance” and “Contrast”. “Transmittance” is the transmittance of the polarization component that vibrates in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating 20A, and “Contrast” is the polarization component that vibrates in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating 20A. Is divided by the transmittance of the polarization component that vibrates in the direction parallel to the longitudinal direction of the metal grating 20A.

ここで、「コントラスト」を高めるには、金属格子20のピッチが入射光の波長に比べてかなり短くなければならず、「透過率」を高めるには、金属格子20の幅寸法を狭くし、かつ、金属格子20の幅寸法と厚さ寸法とが所定の条件を満たす必要がある。
特開2004−245871号公報
Here, in order to increase “contrast”, the pitch of the metal grating 20 must be considerably shorter than the wavelength of incident light. To increase “transmittance”, the width dimension of the metal grating 20 is reduced, In addition, the width dimension and the thickness dimension of the metal grid 20 must satisfy predetermined conditions.
Japanese Patent Laid-Open No. 2004-245871

しかしながら、従来技術では、以下の問題点がある。まず、特許文献1のように、液晶パネルに対して反射型無機偏光板を接合して一体化したものでは、部品点数の削減を図ることができない。   However, the conventional technique has the following problems. First, as in Patent Document 1, when a reflective inorganic polarizing plate is bonded to and integrated with a liquid crystal panel, the number of components cannot be reduced.

また、図10(a)、(b)に示す反射型無機偏光板のように、透光性基板10Aの基板面に複数列の金属格子20Aを形成したものでは、表面に多数の凹凸があるため、表面を平坦化するには、別途、分厚い保護膜を形成した後、研磨するなどの工程が必要である。   Further, in the case where a plurality of rows of metal gratings 20A are formed on the substrate surface of the translucent substrate 10A, such as the reflective inorganic polarizing plates shown in FIGS. 10A and 10B, the surface has a large number of irregularities. Therefore, in order to planarize the surface, a process such as polishing after forming a thick protective film separately is required.

さらに、図10(a),(b)に示す反射型無機偏光板では、金属膜に対するエッチングにより金属格子20Aを形成する必要があり、かかる方法では、金属格子20Aの幅寸法や厚さ寸法が金属膜に対するエッチング精度、金属膜を成膜した際の膜厚精度の双方の影響を受ける。このため、例えば、金属格子20Aのピッチを140nm程度とするのが限界であるなどの制約があるため、「透過率」および「コントラスト」については、図11に示す性能を得るのが限界であり、「透過率」は、可視光帯域内で大きな差があるなどの問題点がある。それ故、従来のワイヤーグリッド型偏光素子107Aを用いた液晶装置を投射型表示装置において赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の光に対するライトバルブとして用いた場合、赤色(R)の光については光量が低下するなどの問題点がある。   Furthermore, in the reflective inorganic polarizing plate shown in FIGS. 10A and 10B, it is necessary to form the metal grid 20A by etching the metal film. In such a method, the width dimension and thickness dimension of the metal grid 20A are limited. It is affected by both the etching accuracy for the metal film and the film thickness accuracy when the metal film is formed. For this reason, for example, there is a restriction that the pitch of the metal grating 20A is limited to about 140 nm. Therefore, with regard to “transmittance” and “contrast”, it is the limit to obtain the performance shown in FIG. The “transmittance” has a problem that there is a large difference in the visible light band. Therefore, when a liquid crystal device using the conventional wire grid type polarizing element 107A is used as a light valve for red (R), green (G), and blue (B) light in a projection display device, red (R) However, there is a problem that the amount of light is reduced.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、部品点数を削減可能な液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a liquid crystal device capable of reducing the number of parts, a projection display device, and a method for manufacturing the liquid crystal device.

また、本発明の課題は、ワイヤーグリッド型偏光素子を形成した時点で、ワイヤーグリッド型偏光素子の表面が平坦化されている液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a liquid crystal device, a projection display device, and a method of manufacturing the liquid crystal device in which the surface of the wire grid type polarizing element is flattened when the wire grid type polarizing element is formed. It is in.

さらに、本発明の課題は、ワイヤーグリッド型偏光素子の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上可能な液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法を提供することにある。   Furthermore, the subject of this invention is providing the manufacturing method of the liquid crystal device which can improve both the "transmittance" and "contrast" of a wire grid type polarizing element, a projection type display apparatus, and a liquid crystal device.

上記課題を解決するために、本発明では、画素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを有する液晶装置において、前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方には、基板面に複数列の溝状凹部が形成されているとともに、当該溝状凹部内に埋め込まれた金属格子によってワイヤーグリッド型偏光素子が形成されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, in the present invention, an element substrate on which a pixel electrode and a pixel switching element are formed, a counter substrate disposed opposite to the element substrate, and the element substrate and the counter substrate are held between the element substrate and the counter substrate. In at least one of the element substrate and the counter substrate, a plurality of rows of groove-like recesses are formed on the substrate surface and embedded in the groove-like recesses. A wire grid type polarizing element is formed by a metal lattice.

本発明では、素子基板および対向基板のうちの少なくとも一方にワイヤーグリッド型偏光素子が形成されているため、偏光板を少なくとも1枚省略でき、部品点数の削減を図ることができる。また、ワイヤーグリッド型偏光素子では、透光性基板の基板面に複数列の溝状凹部が形成され、当該複数列の溝状凹部内に金属格子が埋め込まれているため、ワイヤーグリッド型偏光素子を構成した時点で既に基板面が平坦である。従って、ワイヤーグリッド型偏光素子を形成した後、厚い透光膜を形成した後、その表面を研磨する必要がない。また、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子では、透光性基板の基板面に複数列の溝状凹部が形成され、当該複数列の溝状凹部内に金属格子が埋め込まれているため、金属膜に対するエッチングにより、金属格子を形成する必要がない。このため、金属格子の幅寸法およびピッチは、透光性基板の基板面に形成した溝状凹部の幅寸法およびピッチにより規定され、金属膜に対するエッチング精度の影響を受けないので、金属格子の幅寸法を70nm未満、例えば、35nmまで小さくでき、金属格子のピッチを140nm未満、例えば、70nmにまで小さくすることができる。また、金属格子の厚さ寸法は、透光性基板の基板面に形成した溝状凹部の深さにより規定され、金属膜を成膜した際の膜厚精度の影響を受けないので、金属格子の厚さ寸法と幅寸法の比を例えば正確に1:1に設定することもできる。それ故、ワイヤーグリッド型偏光素子の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上することができる。   In the present invention, since the wire grid type polarization element is formed on at least one of the element substrate and the counter substrate, at least one polarizing plate can be omitted, and the number of components can be reduced. Further, in the wire grid type polarizing element, a plurality of rows of groove-like recesses are formed on the substrate surface of the translucent substrate, and a metal grid is embedded in the plurality of rows of groove-like recesses. The substrate surface is already flat at the time of construction. Therefore, after forming the wire grid type polarizing element, it is not necessary to polish the surface after forming the thick light-transmitting film. Moreover, in the wire grid type polarizing element to which the present invention is applied, a plurality of rows of groove-like recesses are formed on the substrate surface of the translucent substrate, and a metal lattice is embedded in the plurality of rows of groove-like recesses, It is not necessary to form a metal grid by etching the metal film. For this reason, the width and pitch of the metal grid are defined by the width and pitch of the groove-like recesses formed on the substrate surface of the translucent substrate and are not affected by the etching accuracy with respect to the metal film. The dimension can be reduced to less than 70 nm, for example 35 nm, and the pitch of the metal grating can be reduced to less than 140 nm, for example 70 nm. Further, the thickness dimension of the metal grid is defined by the depth of the groove-shaped recess formed on the substrate surface of the translucent substrate, and is not affected by the film thickness accuracy when the metal film is formed. The ratio of the thickness dimension to the width dimension can be accurately set to 1: 1, for example. Therefore, both “transmittance” and “contrast” of the wire grid type polarizing element can be improved.

本発明では、画素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを有する液晶装置の製造方法において、前記素子基板および前記対向基板のうちの一方に対して、その基板面に複数列の金属格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子を形成するにあたって、前記基板面に対して、前記金属格子を形成すべき領域に溝状開口部を備えたエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、前記基板面にエッチングを施して当該基板面において前記溝状開口部と重なる領域に溝状凹部を形成するエッチング工程と、前記金属格子を形成すべき金属膜により前記溝状凹部を埋める金属膜形成工程と、前記基板面に研磨処理を施して、前記溝状凹部に前記金属膜を残す一方、前記溝状凹部からはみ出た前記金属膜を除去する研磨工程と、を有することを特徴とする。   In the present invention, a liquid crystal device having an element substrate on which a pixel electrode and a pixel switching element are formed, a counter substrate disposed opposite to the element substrate, and a liquid crystal held between the element substrate and the counter substrate In the manufacturing method, when forming a wire grid type polarizing element having a plurality of rows of metal gratings on one of the element substrate and the counter substrate, the substrate surface A mask forming step of forming an etching mask having a groove-like opening in a region where a metal lattice is to be formed; and etching the substrate surface to form a groove-like recess in a region overlapping the groove-like opening on the substrate surface. An etching step for forming, a metal film forming step for filling the groove-like recesses with a metal film to form the metal lattice, and polishing the substrate surface to form the groove-like shape. While leaving the metal film part, and having a polishing step of removing the metal film protruding from the groove-like recess.

このような製造方法によれば、前記溝状凹部は、前記金属格子によって完全に埋め込まれて、前記基板面では、前記溝状凹部の形成領域および前記溝状凹部により挟まれた領域が連続した平坦面を形成している構成となる。   According to such a manufacturing method, the groove-shaped recess is completely embedded by the metal grid, and the region where the groove-shaped recess is formed and the region sandwiched by the groove-shaped recess are continuous on the substrate surface. It becomes the structure which forms the flat surface.

本発明において、前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記金属格子の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率が、460nmから780nmの波長帯域の全域にわたって80%以上であることが好ましい。   In the present invention, the wire grid type polarizing element has a transmittance of a polarization component that vibrates in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating being 80% or more over the entire wavelength band of 460 nm to 780 nm. preferable.

本発明において、前記素子基板および前記対向基板のうち、前記液晶層によって変調される光が入射される側の基板に前記ワイヤーグリッド型偏光素子が形成されていることが好ましい。この場合、前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記対向基板に形成されていることが好ましい。言い換えれば、前記素子基板および前記対向基板のうち、前記液晶層によって変調される光が入射される側に対向基板が配置されていることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the wire grid type polarizing element is formed on a substrate on a side on which light modulated by the liquid crystal layer is incident, of the element substrate and the counter substrate. In this case, it is preferable that the wire grid type polarizing element is formed on the counter substrate. In other words, it is preferable that the counter substrate is disposed on the side of the element substrate and the counter substrate on which the light modulated by the liquid crystal layer is incident.

本発明に係る液晶装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部として用いることができるとともに、投射型表示装置においてライトバルブとして用いることができる。投射型表示装置は、前記液晶装置に光を入射させる光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を拡大投射する投射光学系と、を有しており、光源部から出射された光を液晶装置によって光変調し、投射光学系により拡大投射することができる。この場合、3つの液晶装置を各々、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)に対応するライトバルブとして用いた投射型表示装置に用いた構成を採用できる他、光源部から出射された光を、カラーフィルタを内蔵の液晶装置で光変調して投射光学系により拡大投射する構成を採用することもできる。これらいずれの投射型表示装置の場合でも、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子を用いれば、赤色(R)、青色(B)、緑色(G)のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。   The liquid crystal device according to the present invention can be used as a display portion of an electronic device such as a mobile computer or a mobile phone, and can be used as a light valve in a projection display device. The projection display device includes a light source unit that makes light incident on the liquid crystal device, and a projection optical system that enlarges and projects light modulated by the liquid crystal device, and the light emitted from the light source unit The light can be modulated by the liquid crystal device and enlarged and projected by the projection optical system. In this case, the configuration used in the projection type display device in which the three liquid crystal devices are respectively used as light valves corresponding to red (R), green (G), and blue (B) can be adopted, and the light is emitted from the light source unit. It is also possible to adopt a configuration in which the light is optically modulated by a liquid crystal device incorporating a color filter and enlarged and projected by a projection optical system. In any of these projection type display devices, if the wire grid type polarizing element to which the present invention is applied is used, a high transmittance is obtained for any color light of red (R), blue (B), and green (G). Therefore, a color image with high quality can be displayed.

本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、前記マスク形成工程では、前記基板面に感光性樹脂を塗布した後、露光および現像を行なって前記エッチングマスクを形成する。本発明において、「露光」とは、紫外光による露光に限らず、極端紫外光(EUV:Extreme Ultra Violet)、電子線、X線などによる露光も含む意味である。   In the method of manufacturing a wire grid type polarizing element according to the present invention, in the mask forming step, a photosensitive resin is applied to the substrate surface, and then exposed and developed to form the etching mask. In the present invention, “exposure” means not only exposure by ultraviolet light but also exposure by extreme ultraviolet light (EUV: Extreme Ultra Violet), electron beam, X-ray or the like.

本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、前記マスク形成工程では、前記基板面にマスク材料層を形成した後、型部材において前記溝状開口部に対応する部分に突起を備えた成形面を押し付けて前記突起の形成パターンを前記マスク材料層に転写し、前記溝状開口部が薄くなった前記エッチングマスクを形成する構成を採用してもよい。かかる構成によれば、露光、現像などといった多大な手間や硬化な装置を用いなくてもエッチングマスクを形成することができる。   In the manufacturing method of the wire grid type polarizing element according to the present invention, in the mask forming step, a mask material layer is formed on the substrate surface, and then a mold member is provided with a protrusion at a portion corresponding to the groove-shaped opening. A configuration may be adopted in which the etching mask with the groove-like opening formed thin is formed by pressing the surface and transferring the projection formation pattern to the mask material layer. According to such a configuration, the etching mask can be formed without using much labor such as exposure and development or using a curing apparatus.

本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、前記研磨工程では、前記研磨処理として化学機械研磨処理を行なうことが好ましい。このように構成すると、溝状凹部からはみ出た金属膜を除去できるとともに、基板面自身も研磨できるため、基板面を平滑面に仕上げることができる。   In the method for manufacturing a wire grid type polarizing element according to the present invention, it is preferable that a chemical mechanical polishing treatment is performed as the polishing treatment in the polishing step. If comprised in this way, while being able to remove the metal film which protruded from the groove-shaped recessed part, since the board | substrate surface itself can also be grind | polished, a board | substrate surface can be finished into a smooth surface.

以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、以下の説明においては、図9〜図11を参照して説明した構成との対比が分りやすいように、共通する部分には同一の符号を付して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings to be referred to in the following description, the scales of the layers and the members are different from each other in order to make the layers and the members large enough to be recognized on the drawings. In the following description, common portions are described with the same reference numerals so that the comparison with the configuration described with reference to FIGS. 9 to 11 can be easily understood.

[投射型表示装置の構成例]
図1(a)、(b)は各々、本発明を適用した投射型表示装置(液晶プロジェクタ)の概略構成図、および液晶ライトバルブの概略構成図である。図1(a)、(b)に示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111(被投射面)に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する投影型の液晶プロジェクタである。投射型表示装置110は、光源112およびダイクロイックミラー113、114などを備えた光源部150と、後述する液晶装置からなる液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119(色合成光学系)と、リレー系120とを備えている。
[Configuration example of a projection display device]
1A and 1B are a schematic configuration diagram of a projection display device (liquid crystal projector) to which the present invention is applied and a schematic configuration diagram of a liquid crystal light valve, respectively. A projection display device 110 shown in FIGS. 1A and 1B irradiates light onto a screen 111 (projected surface) provided on the observer side, and observes the light reflected by the screen 111. This is a liquid crystal projector. The projection display device 110 includes a light source unit 150 including a light source 112 and dichroic mirrors 113 and 114, liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) each including a liquid crystal device described later, and a projection optical system. 118, a cross dichroic prism 119 (color synthesis optical system), and a relay system 120.

光源部150において、光源112は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。   In the light source unit 150, the light source 112 is configured by an ultrahigh pressure mercury lamp that supplies light including red light, green light, and blue light. The dichroic mirror 113 is configured to transmit red light from the light source 112 and reflect green light and blue light. The dichroic mirror 114 is configured to transmit blue light and reflect green light among green light and blue light reflected by the dichroic mirror 113. Thus, the dichroic mirrors 113 and 114 constitute a color separation optical system that separates the light emitted from the light source 112 into red light, green light, and blue light.

ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレータ121および偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレータ121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。   Here, between the dichroic mirror 113 and the light source 112, an integrator 121 and a polarization conversion element 122 are arranged in order from the light source 112. The integrator 121 is configured to make the illuminance distribution of the light emitted from the light source 112 uniform. Further, the polarization conversion element 122 is configured to change the light from the light source 112 into polarized light having a specific vibration direction such as s-polarized light.

液晶ライトバルブ100(R)は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置であり、λ/2位相差板102(R)、液晶パネル101(R)および出射側偏光板105(R)を備えている。また、液晶パネル101(R)の両面には、入射側防塵ガラス103(R)および出射側防塵ガラス104(R)が各々貼り付けられている。なお、防塵ガラスは投射画像に対する塵などの写り込みを防止する。   The liquid crystal light valve 100 (R) is a transmissive liquid crystal device that modulates the red light transmitted through the dichroic mirror 113 and reflected by the reflecting mirror 123 according to an image signal, and is a λ / 2 phase difference plate 102 (R). And a liquid crystal panel 101 (R) and an output side polarizing plate 105 (R). In addition, an incident-side dustproof glass 103 (R) and an emission-side dustproof glass 104 (R) are attached to both surfaces of the liquid crystal panel 101 (R), respectively. The dust-proof glass prevents dust and the like from appearing on the projected image.

本形態では、後述するように、液晶パネル101(R)自身に、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光素子が形成されているため、液晶ライトバルブ100(R)は、入射側偏光板を備えていない。   In this embodiment, as will be described later, the liquid crystal panel 101 (R) itself is provided with a polarizing element that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. It does not have a board.

かかる液晶ライトバルブ100(R)に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板102(R)は、液晶ライトバルブ100(R)に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。液晶パネル101(R)は、それ自身に形成された偏光素子によってs偏光を遮断してp偏光を透過させ、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する。出射側偏光板105(R)は、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ100(R)は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。   The red light incident on the liquid crystal light valve 100 (R) remains as s-polarized light because the polarization of the light does not change even if it passes through the dichroic mirror 113. The λ / 2 retardation film 102 (R) is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 100 (R) into p-polarized light. The liquid crystal panel 101 (R) blocks the s-polarized light and transmits the p-polarized light by a polarizing element formed on the liquid crystal panel 101 (R). To elliptically polarized light. The exit-side polarizing plate 105 (R) is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. Accordingly, the liquid crystal light valve 100 (R) is configured to modulate the red light in accordance with the image signal and emit the modulated red light toward the cross dichroic prism 119.

液晶ライトバルブ100(G)は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置であり、液晶ライトバルブ100(R)と同様に、液晶パネル101(G)および出射側偏光板105(G)を備えている。また、液晶パネル101(G)の両面には、入射側防塵ガラス103(G)および出射側防塵ガラス104(G)が各々貼り付けられている。   The liquid crystal light valve 100 (G) is a transmissive liquid crystal device that modulates green light reflected by the dichroic mirror 114 after being reflected by the dichroic mirror 113 in accordance with an image signal, and is similar to the liquid crystal light valve 100 (R). And a liquid crystal panel 101 (G) and an output side polarizing plate 105 (G). In addition, an incident-side dustproof glass 103 (G) and an emission-side dustproof glass 104 (G) are attached to both surfaces of the liquid crystal panel 101 (G), respectively.

本形態では、後述するように、液晶パネル101(G)自身に、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光素子が形成されているため、液晶ライトバルブ100(G)は、入射側偏光板を備えていない。   In this embodiment, as will be described later, the liquid crystal panel 101 (G) itself is provided with a polarizing element that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. It does not have a board.

かかる液晶ライトバルブ100(G)に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。液晶パネル101(G)は、それ自身に形成された偏光素子によってp偏光を遮断してs偏光を透過させ、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。出射側偏光板105(G)は、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ100(G)は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。   The green light incident on the liquid crystal light valve 100 (G) is s-polarized light that is reflected by the dichroic mirrors 113 and 114 and incident. The liquid crystal panel 101 (G) blocks the p-polarized light and transmits the s-polarized light by the polarizing element formed on the liquid crystal panel 101 (G). (Ellipse polarization). The exit-side polarizing plate 105 (G) is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. Accordingly, the liquid crystal light valve 100 (G) is configured to modulate green light in accordance with an image signal and emit the modulated green light toward the cross dichroic prism 119.

液晶ライトバルブ100(B)は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置であり、液晶ライトバルブ100(R)と同様に、λ/2位相差板102(B)、液晶パネル101(B)および出射側偏光板105(B)を備えている。また、液晶パネル101(B)の両面には、入射側防塵ガラス103(B)および出射側防塵ガラス104(B)が各々貼り付けられている。   The liquid crystal light valve 100 (B) is a transmissive liquid crystal device that reflects blue light that is reflected by the dichroic mirror 113 and passes through the dichroic mirror 114 and then passes through the relay system 120 in accordance with an image signal. Similarly to 100 (R), a λ / 2 phase difference plate 102 (B), a liquid crystal panel 101 (B), and an emission side polarizing plate 105 (B) are provided. In addition, an incident-side dustproof glass 103 (B) and an emission-side dustproof glass 104 (B) are attached to both surfaces of the liquid crystal panel 101 (B), respectively.

本形態では、後述するように、液晶パネル101(B)自身に、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光素子が形成されているため、液晶ライトバルブ100(B)は、入射側偏光板を備えていない。   In this embodiment, as will be described later, the liquid crystal panel 101 (B) itself is formed with a polarizing element that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. It does not have a board.

かかる液晶ライトバルブ100(B)に入射する青色光は、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板102(B)は、液晶ライトバルブ100(B)に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。液晶パネル101(B)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。出射側偏光板105(B)は、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ100(B)は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。   The blue light incident on the liquid crystal light valve 100 (B) is reflected by two reflecting mirrors 125a and 125b (to be described later) of the relay system 120 after being reflected by the dichroic mirror 113 and transmitted through the dichroic mirror 114. It has become. The λ / 2 retardation film 102 (B) is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 100 (B) into p-polarized light. The liquid crystal panel 101 (B) is configured to convert p-polarized light into s-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to an image signal. The exit-side polarizing plate 105 (B) is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. Accordingly, the liquid crystal light valve 100 (B) is configured to modulate blue light in accordance with an image signal and emit the modulated blue light toward the cross dichroic prism 119.

リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光をリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ100(B)に向けて反射するように配置されている。   The relay system 120 includes relay lenses 124a and 124b and reflection mirrors 125a and 125b. The relay lenses 124a and 124b are provided to prevent light loss due to a long blue light path. Here, the relay lens 124a is disposed between the dichroic mirror 114 and the reflection mirror 125a. The relay lens 124b is disposed between the reflection mirrors 125a and 125b. The reflection mirror 125a is disposed so as to reflect the blue light transmitted through the dichroic mirror 114 and emitted from the relay lens 124a toward the relay lens 124b. The reflection mirror 125b is disposed so as to reflect the blue light emitted from the relay lens 124b toward the liquid crystal light valve 100 (B).

クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系118に向けて出射するように構成されている。   The cross dichroic prism 119 is a color combining optical system in which two dichroic films 119a and 119b are arranged orthogonally in an X shape. The dichroic film 119a is a film that reflects blue light and transmits green light, and the dichroic film 119b is a film that reflects red light and transmits green light. Accordingly, the cross dichroic prism 119 combines the red light, the green light, and the blue light modulated by the liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B), respectively, and emits the light toward the projection optical system 118. Is configured to do.

なお、液晶ライトバルブ100(R)、(B)からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ100(G)からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光および青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。   The light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valves 100 (R) and (B) is s-polarized light, and the light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valve 100 (G) is p-polarized light. In this way, by making the light incident on the cross dichroic prism 119 into different types of polarized light, the light incident from the liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) in the cross dichroic prism 119 is effectively combined. it can. Here, in general, the dichroic films 119a and 119b are excellent in the reflection characteristics of s-polarized light. For this reason, red light and blue light reflected by the dichroic films 119a and 119b are s-polarized light, and green light transmitted through the dichroic films 119a and 119b is p-polarized light. The projection optical system 118 has a projection lens (not shown) and is configured to project the light combined by the cross dichroic prism 119 onto the screen 111.

[液晶ライトバルブの構成]
図2は、図1に示す投射型表示装置110において液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)として用いた液晶装置の素子基板の画素1つ分の平面図、およびそのC−C′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。なお、各液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)の基本的な構成は略同一であるため、以下の説明では、対応する色の種類が関係ない場合には、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)を単に「液晶ライトバルブ100」とし、液晶パネル101(R)、(G)、(B)を単に「液晶パネル101」として説明する。
[Configuration of liquid crystal light valve]
FIG. 2 is a plan view of one pixel of an element substrate of the liquid crystal device used as the liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) in the projection display device 110 shown in FIG. It is sectional drawing when a liquid crystal device is cut | disconnected in the position corresponded to C 'line. Since the basic configuration of each of the liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) is substantially the same, in the following description, when the corresponding color type is not relevant, the liquid crystal light valve 100 (R), (G), and (B) are simply referred to as “liquid crystal light valve 100”, and the liquid crystal panels 101 (R), (G), and (B) are simply referred to as “liquid crystal panel 101”.

図1(b)に示す液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)は、全透過型の液晶装置100であり、液晶パネル101では、石英基板や耐熱ガラス基板などを基材とする素子基板40と、石英基板や耐熱ガラス基板などを基材とする透光性の対向基板50とがシール材109によって所定の隙間を介して貼り合わされ、その隙間内に液晶層70が封入されている。液晶層70は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で、素子基板40および対向基板50に形成された配向膜により所定の配向状態をとる。液晶層70は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。対向基板50は、光源部150から色光が入射する側に配置され、素子基板40は、変調光の出射側に配置される。   Liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) shown in FIG. 1B are all-transmissive liquid crystal devices 100. In the liquid crystal panel 101, a quartz substrate, a heat-resistant glass substrate, or the like is used as a base material. The element substrate 40 to be bonded and the light-transmitting counter substrate 50 having a quartz substrate or a heat-resistant glass substrate as a base material are bonded to each other with a sealant 109 through a predetermined gap, and the liquid crystal layer 70 is sealed in the gap. ing. The liquid crystal layer 70 takes a predetermined alignment state by the alignment films formed on the element substrate 40 and the counter substrate 50 in a state where an electric field from the pixel electrode 9a is not applied. The liquid crystal layer 70 is made of, for example, one or a mixture of several types of nematic liquid crystals. The counter substrate 50 is disposed on the side where the color light is incident from the light source unit 150, and the element substrate 40 is disposed on the modulated light emission side.

図2(a)、(b)に示すように、素子基板40には、透光性基板40bの表面側に透光性の画素電極9aがマトリクス状に形成されており、各画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6aおよび走査線3cが形成されている。データ線6aおよび走査線3cは各々、直線的に延びている。また、データ線6aと走査線3cとが交差する領域に薄膜トランジスタ45が形成されている。また、素子基板40上には、走査線3cと重なるように容量線5bが形成されている。本形態において、容量線5bは、走査線3cと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線6aと走査線3cとの交差部分でデータ線6aに重なるように延びた副線部分とを備えている。   As shown in FIGS. 2A and 2B, in the element substrate 40, translucent pixel electrodes 9a are formed in a matrix on the surface side of the translucent substrate 40b. Data lines 6a and scanning lines 3c are formed along vertical and horizontal boundaries. Each of the data line 6a and the scanning line 3c extends linearly. A thin film transistor 45 is formed in a region where the data line 6a and the scanning line 3c intersect. On the element substrate 40, a capacitor line 5b is formed so as to overlap the scanning line 3c. In this embodiment, the capacitor line 5b includes a main line portion that extends linearly so as to overlap the scanning line 3c, and a sub-line portion that extends so as to overlap the data line 6a at the intersection of the data line 6a and the scanning line 3c. It has.

素子基板40は、表面に下地保護膜40cが形成された石英基板やガラス基板などの透光性基板40b、その液晶層70側の表面に形成された画素電極9a、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ45、および配向膜46を主体として構成されている。薄膜トランジスタ45は、LDD構造を有しており、半導体層1aには、走査線3cに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1g、低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1c、高濃度ソース領域1dおよび高濃度ドレイン領域1eが形成されている。半導体層1aは、多結晶シリコン層によって構成され、ゲート絶縁層2は、半導体層1aに対する熱酸化膜により形成されている。走査線3cは、不純物を含有する導電性の多結晶シリコン膜からなる。半導体層1aは、例えば、透光性基板40bに対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化された低温ポリシリコン膜(低温ポリシリコン膜)、1000°を超える温度でアモルファスシリコン膜を多結晶化させた高温ポリシリコン膜、あるいは単結晶シリコン層である。なお、透光性基板40bと下地保護膜40cとの層間には、薄膜トランジスタ45と重なる領域に遮光層が形成されることが好ましく、かかる遮光層を形成すれば、液晶パネル101から出射した光が反射して、薄膜トランジスタ45のチャネル領域1gに入射するのを防止することができる。   The element substrate 40 includes a translucent substrate 40b such as a quartz substrate or a glass substrate on which a base protective film 40c is formed, a pixel electrode 9a formed on the surface of the liquid crystal layer 70, a thin film transistor 45 for pixel switching, And the alignment film 46 as a main component. The thin film transistor 45 has an LDD structure. The semiconductor layer 1a includes a channel region 1g, a low concentration source region 1b, a low concentration drain region 1c, a high concentration region facing the scanning line 3c via the gate insulating layer 2. A concentration source region 1d and a high concentration drain region 1e are formed. The semiconductor layer 1a is composed of a polycrystalline silicon layer, and the gate insulating layer 2 is formed of a thermal oxide film for the semiconductor layer 1a. The scanning line 3c is made of a conductive polycrystalline silicon film containing impurities. The semiconductor layer 1a is, for example, a low-temperature polysilicon film (low-temperature polysilicon film) that is polycrystallized by laser annealing or lamp annealing after an amorphous silicon film is formed on the translucent substrate 40b, and exceeds 1000 °. It is a high-temperature polysilicon film obtained by polycrystallizing an amorphous silicon film at a temperature, or a single crystal silicon layer. Note that a light shielding layer is preferably formed in a region overlapping with the thin film transistor 45 between the light-transmitting substrate 40b and the base protective film 40c. If such a light shielding layer is formed, light emitted from the liquid crystal panel 101 is emitted. It is possible to prevent the light from being reflected and entering the channel region 1g of the thin film transistor 45.

走査線3cの上層側には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール82、および高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール83を備えたシリコン酸化膜などからなる第1層間絶縁膜41が形成されている。第1層間絶縁膜41の上層には中継電極4a、4bが形成されている。中継電極4aは、走査線3cとデータ線6aとの交差する位置を基点として走査線3cおよびデータ線6aに沿って延出する略L字型に形成されており、中継電極4bは、中継電極4bと離間した位置において、データ線6aに沿うように形成されている。中継電極4aは、コンタクトホール83を介して高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続され、中継電極4bは、コンタクトホール82を介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続されている。   On the upper layer side of the scanning line 3c, a first interlayer insulating film 41 made of a silicon oxide film or the like provided with a contact hole 82 leading to the high concentration source region 1d and a contact hole 83 leading to the high concentration drain region 1e is formed. Yes. Relay electrodes 4 a and 4 b are formed on the first interlayer insulating film 41. The relay electrode 4a is formed in a substantially L shape extending along the scan line 3c and the data line 6a with the position where the scan line 3c and the data line 6a intersect as a base point. It is formed along the data line 6a at a position separated from 4b. The relay electrode 4a is electrically connected to the high-concentration drain region 1e through the contact hole 83, and the relay electrode 4b is electrically connected to the high-concentration source region 1d through the contact hole 82.

中継電極4a、4bの上層側には、シリコン窒化膜などからなる誘電体膜42が形成されており、この誘電体膜42を介して、中継電極4aと対向するように容量線5bが形成され、蓄積容量47が形成されている。中継電極4a、4bは導電性のポリシリコン膜や金属膜等からなり、容量線5bは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。   A dielectric film 42 made of a silicon nitride film or the like is formed on the upper layer side of the relay electrodes 4a and 4b, and a capacitor line 5b is formed through the dielectric film 42 so as to face the relay electrode 4a. A storage capacitor 47 is formed. The relay electrodes 4a and 4b are made of a conductive polysilicon film, a metal film, or the like, and the capacitor line 5b is made of a conductive polysilicon film, a metal silicide film containing a refractory metal, a laminated film thereof, or a metal film.

容量線5bの上層側には、中継電極4aへ通じるコンタクトホール87、および中継電極4bへ通じるコンタクトホール81を備えたシリコン酸化膜などからなる第2層間絶縁膜43が形成されている。第2層間絶縁膜43の上層にはデータ線6aおよびドレイン電極6bが形成されている。データ線6aはコンタクトホール81を介して中継電極4bに電気的に接続し、中継電極4bを介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続している。ドレイン電極6bはコンタクトホール87を介して中継電極4aに電気的に接続し、中継電極4aを介して、高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続している。データ線6aおよびドレイン電極6bは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。   On the upper layer side of the capacitor line 5b, a second interlayer insulating film 43 made of a silicon oxide film having a contact hole 87 leading to the relay electrode 4a and a contact hole 81 leading to the relay electrode 4b is formed. A data line 6 a and a drain electrode 6 b are formed on the second interlayer insulating film 43. The data line 6a is electrically connected to the relay electrode 4b through the contact hole 81, and is electrically connected to the high concentration source region 1d through the relay electrode 4b. The drain electrode 6b is electrically connected to the relay electrode 4a through the contact hole 87, and is electrically connected to the high concentration drain region 1e through the relay electrode 4a. The data line 6a and the drain electrode 6b are made of a conductive polysilicon film, a metal silicide film containing a refractory metal, a laminated film thereof, and a metal film.

データ線6aおよびドレイン電極6bの上層側には、シリコン酸化膜などからなる第3層間絶縁膜44が形成され、第3層間絶縁膜44には、ドレイン電極6bへ通じるコンタクトホール86が形成されている。第3層間絶縁膜44の上層には、ITO膜などからなる透光性の画素電極9aが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール86を介してドレイン電極6bに電気的に接続されている。画素電極9aの表面には配向膜46が形成されている。   A third interlayer insulating film 44 made of a silicon oxide film or the like is formed on the upper side of the data line 6a and the drain electrode 6b, and a contact hole 86 leading to the drain electrode 6b is formed in the third interlayer insulating film 44. Yes. A translucent pixel electrode 9 a made of an ITO film or the like is formed on the third interlayer insulating film 44. The pixel electrode 9 a is electrically connected to the drain electrode 6 b through the contact hole 86. Yes. An alignment film 46 is formed on the surface of the pixel electrode 9a.

(対向基板50およびワイヤーグリッド型偏光素子の構造)
図3(a)、(b)は各々、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、および平面図である。
(Structure of counter substrate 50 and wire grid type polarizing element)
3A and 3B are a cross-sectional view and a plan view, respectively, schematically showing the configuration of a wire grid type polarizing element to which the present invention is applied.

対向基板50では、透光性基板1において液晶層70が位置する側には、素子基板40の画素電極9aの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜23aが形成され、その表面側には、平坦化膜24、ITO膜からなる対向電極25、および配向膜26が形成されている。   In the counter substrate 50, on the side where the liquid crystal layer 70 is located in the translucent substrate 1, a light shielding film called a black matrix or a black stripe in a region facing the vertical and horizontal boundary regions of the pixel electrode 9 a of the element substrate 40. 23a is formed, and a planarizing film 24, a counter electrode 25 made of an ITO film, and an alignment film 26 are formed on the surface side thereof.

また、対向基板50では、透光性基板10において光源部150からの光が入射する側の基板面15には、ワイヤーグリッド型偏光素子107(反射型無機偏光板)が構成されている。さらに、対向基板50には、ワイヤーグリッド型偏光素子107を覆うように、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる表面保護層31が形成されている。さらにまた、対向基板50には、表面保護層31を覆うように反射防止層32が形成され、かかる反射防止層32は、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とが例えば5層、積層された構造を備えている。   Further, in the counter substrate 50, a wire grid type polarizing element 107 (reflective inorganic polarizing plate) is configured on the substrate surface 15 on the side where light from the light source unit 150 enters in the translucent substrate 10. Further, a surface protective layer 31 made of a metal oxide film such as a silicon oxide film or a metal nitride film such as a silicon nitride film is formed on the counter substrate 50 so as to cover the wire grid type polarizing element 107. Furthermore, an anti-reflection layer 32 is formed on the counter substrate 50 so as to cover the surface protection layer 31, and the anti-reflection layer 32 has a structure in which, for example, five layers of silicon oxide films and titanium oxide films are laminated. I have.

図2(b)および図3(a)、(b)において、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107は、透光性基板10の一方の基板面15に複数列の金属格子20を備えている。金属格子20は、例えば、銀、金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、タングステン、インジウム、ビスマス、それらの合金の単層膜あるいは多層膜などからなる遮光性の金属膜から構成されている。   2 (b), 3 (a), and 3 (b), the wire grid type polarizing element 107 of this embodiment includes a plurality of rows of metal gratings 20 on one substrate surface 15 of the translucent substrate 10. . The metal lattice 20 is, for example, silver, gold, copper, palladium, platinum, aluminum, rhodium, silicon, nickel, cobalt, manganese, iron, chromium, titanium, ruthenium, niobium, neodymium, ytterbium, yttrium, molybdenum, tungsten, indium. , Bismuth, a light-shielding metal film made of a single layer film or a multilayer film thereof.

また、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107において、基板面15には、金属格子20に沿って複数列の溝状凹部11が形成されており、複数列の溝状凹部11内に金属格子20が埋め込まれている。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子107において、透光性基板10の基板面15は、金属格子20が形成されている領域、および金属格子20が形成されていない領域(溝状凹部11で挟まれた領域)の双方が連続した平滑面を構成している。   Further, in the wire grid type polarizing element 107 of this embodiment, a plurality of rows of groove-like recesses 11 are formed on the substrate surface 15 along the metal lattice 20, and the metal lattice 20 is placed in the plurality of rows of groove-like recesses 11. Is embedded. Therefore, in the wire grid type polarizing element 107, the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 is sandwiched between the region where the metal lattice 20 is formed and the region where the metal lattice 20 is not formed (groove-shaped recess 11 is sandwiched between the regions. Both areas constitute a continuous smooth surface.

本形態において、ワイヤーグリッド型偏光素子107は、金属格子20の幅寸法(溝状凹部11の開口幅寸法)および金属格子20の間隔がいずれも35nmであり、金属格子20のピッチは70nmである。また、金属格子20の厚さ寸法(溝状凹部11の深さ寸法)も35nmであり、金属格子断面のアスペクト比(溝状凹部11のアスペクト比)は1:1である。   In this embodiment, in the wire grid type polarizing element 107, both the width dimension of the metal grid 20 (opening width dimension of the groove-shaped recess 11) and the interval between the metal grids 20 are 35 nm, and the pitch of the metal grid 20 is 70 nm. . The thickness dimension of the metal grid 20 (depth dimension of the groove-shaped recess 11) is also 35 nm, and the aspect ratio of the metal grid cross section (the aspect ratio of the groove-shaped recess 11) is 1: 1.

なお、本形態では、透光性基板10の基板面15に、ワイヤーグリッド型偏光素子107を覆うように、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる表面保護層31が形成され、その上層には、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とが例えば5層、積層された構造の反射防止層32が形成されている。このような反射防止層32を形成すると、反射損失を低くできるので、ワイヤーグリッド型偏光素子107の「透過率」を向上することができる。   In this embodiment, a surface made of a metal oxide film such as a silicon oxide film or a metal nitride film such as a silicon nitride film on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 so as to cover the wire grid type polarizing element 107. A protective layer 31 is formed, and an antireflection layer 32 having a structure in which, for example, five layers of a silicon oxide film and a titanium oxide film are stacked is formed thereon. When such an antireflection layer 32 is formed, the reflection loss can be reduced, so that the “transmittance” of the wire grid type polarizing element 107 can be improved.

このように構成したワイヤーグリッド型偏光素子107では、金属格子20のピッチ(周期)は入射光の波長より短い場合、金属格子20の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分については透過する一方、金属格子20の長手方向に対して平行な方向に振動する偏光成分については反射する。   In the wire grid type polarizing element 107 configured as described above, when the pitch (period) of the metal grating 20 is shorter than the wavelength of the incident light, the polarization component that vibrates in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating 20 is transmitted. On the other hand, the polarization component that vibrates in the direction parallel to the longitudinal direction of the metal grating 20 is reflected.

(ワイヤーグリッド型偏光素子107の製造方法)
以下、図4(a)〜(g)を参照して、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107の製造方法を説明しながら、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107の構成を詳述する。図4(a)〜(g)は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子107の製造方法を示す工程断面図である。
(Manufacturing method of wire grid type polarization element 107)
Hereinafter, with reference to FIGS. 4A to 4G, the configuration of the wire grid type polarizing element 107 according to the present embodiment will be described in detail while explaining the manufacturing method of the wire grid type polarizing element 107 according to the present embodiment. 4A to 4G are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the wire grid type polarizing element 107 to which the present invention is applied.

本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107を製造するには、まず、図4(a)に示すように、両面が平滑な透光性基板10を準備する。   In order to manufacture the wire grid type polarizing element 107 of this embodiment, first, as shown in FIG. 4A, a translucent substrate 10 having smooth both surfaces is prepared.

次に、透光性基板10の両面のうち、ワイヤーグリッド型偏光素子107の光入射面となる側の基板面15にエッチングマスクを形成するマスク形成工程を行なう。   Next, a mask formation process is performed for forming an etching mask on the substrate surface 15 on the side that becomes the light incident surface of the wire grid type polarizing element 107 out of both surfaces of the translucent substrate 10.

それには、図4(b)に示すように、透光性基板10の基板面15に感光性樹脂60を塗布した後、図4(c)に示すように、露光マスク64を介して感光性樹脂60を露光させる。次に、感光性樹脂60を現像し、しかる後に、ベーク処理を行なって、図4(d)に示すように、金属格子20を形成すべき領域に溝状開口部62を備えたエッチングマスク61(レジストマスク)を形成する。ここで、溝状開口部62の開口幅寸法は35nmであり、溝状開口部62の間に位置する部分の間隔は35nmであるため、溝状開口部62のピッチは70nmである。なお、図4(c)では、露光マスク64を介してポジ型の感光性樹脂60に紫外光を照射してエッチングマスク61を形成したが、紫外光としては極端紫外光を用いてもよく、紫外光に代えて、電子線やX線などを感光性樹脂を露光してもよく、この場合、露光マスク64を用いずに直接描画を行なってもよい。   For this purpose, as shown in FIG. 4B, a photosensitive resin 60 is applied to the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, and then the photosensitive resin is exposed through an exposure mask 64 as shown in FIG. 4C. Resin 60 is exposed. Next, the photosensitive resin 60 is developed, and then a baking process is performed, and as shown in FIG. 4D, an etching mask 61 having groove-shaped openings 62 in the region where the metal grid 20 is to be formed. (Resist mask) is formed. Here, since the opening width dimension of the groove-shaped openings 62 is 35 nm, and the interval between the portions located between the groove-shaped openings 62 is 35 nm, the pitch of the groove-shaped openings 62 is 70 nm. In FIG. 4C, the positive photosensitive resin 60 is irradiated with ultraviolet light through the exposure mask 64 to form the etching mask 61. However, extreme ultraviolet light may be used as the ultraviolet light. Instead of ultraviolet light, the photosensitive resin may be exposed to an electron beam or X-ray, and in this case, direct drawing may be performed without using the exposure mask 64.

次に、図4(e)に示すように、透光性基板10の基板面15にエッチングマスク61を形成した状態のままで、透光性基板10の基板面15にエッチングを行い、溝状凹部11を形成する。本形態では、かかるエッチングとして、フッ素および酸素を含有するエッチングガスを用いて異方性ドライエッチング、例えば、反応性イオンエッチング( Reactive Ion Etching)を行なう。その結果、基板面15において、エッチングマスク61の溝状開口部62において露出していた部分が35nmの深さにエッチングされて溝状凹部11が形成される一方、エッチングマスク61もエッチングされて薄くなる。   Next, as shown in FIG. 4E, etching is performed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 while the etching mask 61 is formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 to form a groove shape. A recess 11 is formed. In this embodiment, as this etching, anisotropic dry etching, for example, reactive ion etching is performed using an etching gas containing fluorine and oxygen. As a result, on the substrate surface 15, the portion exposed in the groove-shaped opening 62 of the etching mask 61 is etched to a depth of 35 nm to form the groove-shaped recess 11, while the etching mask 61 is also etched and thinned. Become.

次に、図4(f)に示すように、透光性基板10の基板面15からエッチングマスク61を除去した後、図4(g)に示すように、基板面15の全面に金属格子20を形成すべき金属膜21を形成し、金属膜21によって、溝状凹部11を完全に埋める。その際、金属膜21は溝状凹部11の外側にも形成される。本形態では、金属膜21として、例えば、銀、金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、タングステン、インジウム、ビスマス、それらの合金の単層膜、あるいはこれらの金属の多層膜を真空蒸着法やスパッタ法などにより、35nm以上の膜厚に形成する。   Next, as shown in FIG. 4 (f), after removing the etching mask 61 from the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, the metal lattice 20 is formed on the entire surface of the substrate surface 15 as shown in FIG. 4 (g). The metal film 21 to be formed is formed, and the groove-shaped recess 11 is completely filled with the metal film 21. At that time, the metal film 21 is also formed outside the groove-like recess 11. In this embodiment, as the metal film 21, for example, silver, gold, copper, palladium, platinum, aluminum, rhodium, silicon, nickel, cobalt, manganese, iron, chromium, titanium, ruthenium, niobium, neodymium, ytterbium, yttrium, molybdenum A single-layer film of tungsten, indium, bismuth, or an alloy thereof, or a multilayer film of these metals is formed to a thickness of 35 nm or more by vacuum deposition or sputtering.

次に、透光性基板10の基板面15に研磨工程を行なって、溝状凹部11に金属膜21を残す一方、溝状凹部11からはみ出た金属膜21を除去し、図2(b)および図3(a)、(b)に示すように、金属格子20を形成する。本形態では、研磨工程において化学機械研磨を行なう。この化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板10との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布(パッド)を貼り付けた定盤と、透光性基板10を保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が0.01〜20μmの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と透光性基板10の基板面15との間に供給する。なお、本形態では、透光性基板10の基板面15が露出するまで研磨を行なった後、透光性基板10の基板面15もわずかに研磨する。   Next, a polishing process is performed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 to leave the metal film 21 in the groove-shaped recess 11 while removing the metal film 21 protruding from the groove-shaped recess 11, and FIG. And as shown to Fig.3 (a), (b), the metal grating | lattice 20 is formed. In this embodiment, chemical mechanical polishing is performed in the polishing step. In this chemical mechanical polishing, a smooth polished surface can be obtained at high speed by the action of chemical components contained in the polishing liquid and the relative movement between the abrasive and the light-transmitting substrate 10. More specifically, in a polishing apparatus, while rotating a surface plate on which a polishing cloth (pad) made of a nonwoven fabric, polyurethane foam, porous fluororesin, or the like is attached, and a holder that holds the translucent substrate 10 are relatively rotated. Polish. At that time, for example, an abrasive containing cerium oxide particles having an average particle diameter of 0.01 to 20 μm, an acrylate derivative as a dispersant, and water is interposed between the polishing cloth and the substrate surface 15 of the light-transmitting substrate 10. To supply. In this embodiment, after polishing until the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 is exposed, the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 is also slightly polished.

次に、透光性基板10の基板面15に対して表面保護層31を形成する。本形態では、表面保護層31として、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などをCVD法やスパッタ法などにより形成する。また、透光性基板10に対して、表面保護層31を覆うように反射防止層32を形成する。本形態では、反射防止層32として、CVD法やスパッタ法などにより、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とを交互に形成する。   Next, the surface protective layer 31 is formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10. In this embodiment, as the surface protective layer 31, a metal oxide film such as a silicon oxide film, a metal nitride film such as a silicon nitride film, or the like is formed by a CVD method, a sputtering method, or the like. Further, an antireflection layer 32 is formed on the translucent substrate 10 so as to cover the surface protective layer 31. In this embodiment, as the antireflection layer 32, silicon oxide films and titanium oxide films are alternately formed by CVD, sputtering, or the like.

その結果、透光性基板10の基板面15に形成された溝状凹部11内に金属格子20が埋め込まれているとともに、透光性基板10の基板面15に表面保護層31および反射防止層32が形成されたワイヤーグリッド型偏光素子107が完成する。   As a result, the metal lattice 20 is embedded in the groove-shaped recess 11 formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, and the surface protective layer 31 and the antireflection layer are formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10. The wire grid type polarizing element 107 in which 32 is formed is completed.

そして、透光性基板10の反対側の基板面16に遮光層23aや対向電極25などを形成し、対向基板50を得る。しかる後には、対向基板50と素子基板40とを貼り合わせた後、液晶層70を封入し、液晶パネル101を得る。   Then, the light shielding layer 23a, the counter electrode 25, and the like are formed on the substrate surface 16 opposite to the translucent substrate 10 to obtain the counter substrate 50. Thereafter, the counter substrate 50 and the element substrate 40 are bonded together, and then the liquid crystal layer 70 is sealed to obtain the liquid crystal panel 101.

(ワイヤーグリッド型偏光素子107の別の製造方法)
図5(a)〜(g)は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子107の別の製造方法を示す工程断面図である。
(Another manufacturing method of the wire grid type polarizing element 107)
5A to 5G are process cross-sectional views illustrating another method for manufacturing the wire grid type polarizing element 107 to which the present invention is applied.

本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107を製造するには、まず、図5(a)に示すように、両面が平滑な透光性基板10を準備する。   In order to manufacture the wire grid type polarizing element 107 of this embodiment, first, as shown in FIG. 5A, a light-transmitting substrate 10 having smooth both surfaces is prepared.

次に、透光性基板10の両面のうち、ワイヤーグリッド型偏光素子107の光入射面となる側の基板面15にエッチングマスクを形成するマスク形成工程を行なう。   Next, a mask formation process is performed for forming an etching mask on the substrate surface 15 on the side that becomes the light incident surface of the wire grid type polarizing element 107 out of both surfaces of the translucent substrate 10.

それには、図5(b)に示すように、透光性基板10の基板面15にマスク材料層65としての感光性樹脂層を塗布した後、図5(c)に示すように、ナノプリント用の型部材70において突起71を備えた成形面をマスク材料層65に押し付けて突起71の形成パターンをマスク材料層65に転写する。その間、透光性基板10の側からマスク材料層65に紫外光を照射してマスク材料層65を硬化させる。次に、型部材70を透光性基板10の側から引き離す。その結果、図5(d)に示すように、透光性基板10の基板面15には、突部71に押圧されて薄くなった溝状開口部67を備えたエッチングマスク66が形成される。ここで、型部材70の突起71およびエッチングマスク66の溝状開口部67はいずれも、図2(b)および図3(a)、(b)を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子107の溝状凹部11に対応する寸法を有している。すなわち、型部材70における突起71の高さ、幅寸法、間隔はいずれも35nmであり、エッチングマスク66の溝状開口部62の深さ寸法、開口幅寸法、間隔はいずれも35nmである。   For this purpose, as shown in FIG. 5B, after applying a photosensitive resin layer as a mask material layer 65 to the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, as shown in FIG. In the mold member 70, the molding surface provided with the protrusions 71 is pressed against the mask material layer 65 to transfer the formation pattern of the protrusions 71 to the mask material layer 65. Meanwhile, the mask material layer 65 is cured by irradiating the mask material layer 65 with ultraviolet light from the translucent substrate 10 side. Next, the mold member 70 is pulled away from the translucent substrate 10 side. As a result, as shown in FIG. 5D, an etching mask 66 having a groove-shaped opening 67 that is pressed and thinned by the protrusion 71 is formed on the substrate surface 15 of the light-transmitting substrate 10. . Here, the projection 71 of the mold member 70 and the groove-shaped opening 67 of the etching mask 66 are both wire grid type polarizing elements 107 described with reference to FIGS. 2B, 3A, and 3B. It has a dimension corresponding to the groove-shaped recess 11. That is, the height, width dimension, and interval of the protrusion 71 in the mold member 70 are all 35 nm, and the depth dimension, opening width dimension, and interval of the groove-like opening 62 of the etching mask 66 are all 35 nm.

このような方法によれば、エッチングマスク66を形成する際、露光、現像などといった多大な手間や高価な装置が必要な工程を必要としないという利点がある。なお、マスク材料層65として熱硬化性樹脂層を形成した場合には、マスク材料層65に型部材70を押し付けている間に加熱し、マスク材料層65を硬化させる。   According to such a method, there is an advantage that when the etching mask 66 is formed, a process that requires a great amount of labor such as exposure and development and an expensive apparatus is not required. When a thermosetting resin layer is formed as the mask material layer 65, the mask material layer 65 is cured by heating while pressing the mold member 70 against the mask material layer 65.

次に、透光性基板10の基板面15にエッチングマスク66を形成した状態のままで、透光性基板10の基板面15にエッチングを行い、溝状凹部11を形成する。本形態では、かかるエッチングとして、フッ素および酸素を含有するエッチングガスを用いて異方性ドライエッチングを行なう。その結果、エッチングマスク66がエッチングされていくうちに、エッチングマスク66の溝状開口部67に相当する部分では透光性基板10の基板面15が部分的に露出し、さらにエッチングを続けていくと、透光性基板10の露出した部分が35nmの深さにエッチングされて、溝状凹部11が形成される。   Next, with the etching mask 66 being formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 is etched to form the groove-shaped recess 11. In this embodiment, as this etching, anisotropic dry etching is performed using an etching gas containing fluorine and oxygen. As a result, while the etching mask 66 is being etched, the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 is partially exposed in the portion corresponding to the groove-shaped opening 67 of the etching mask 66, and further etching is continued. Then, the exposed portion of the translucent substrate 10 is etched to a depth of 35 nm to form the groove-shaped recess 11.

次に、図5(f)に示すように、透光性基板10の基板面15からエッチングマスク66を除去した後、図5(g)に示すように、基板面15の全面に金属格子20を形成すべき金属膜21を形成し、金属膜21によって、溝状凹部11を完全に埋める。その結果、金属膜21は溝状凹部11の外側にも形成される。   Next, as shown in FIG. 5 (f), the etching mask 66 is removed from the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, and then the metal lattice 20 is formed on the entire surface of the substrate surface 15 as shown in FIG. 5 (g). The metal film 21 to be formed is formed, and the groove-shaped recess 11 is completely filled with the metal film 21. As a result, the metal film 21 is also formed outside the groove-like recess 11.

次に、透光性基板10の基板面15に研磨工程を行なって、溝状凹部11に金属膜を残す一方、溝状凹部11からはみ出た金属膜21を除去し、図2(b)および図3(a)、(b)に示すように、金属格子20を形成する。本形態でも、研磨工程において化学機械研磨を行ない、透光性基板10の基板面15が露出するまで研磨を行なった後、透光性基板10の基板面15もわずかに研磨する。   Next, a polishing process is performed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 to leave a metal film in the groove-like recess 11, while removing the metal film 21 protruding from the groove-like recess 11, and FIG. As shown in FIGS. 3A and 3B, a metal grid 20 is formed. Also in this embodiment, chemical mechanical polishing is performed in the polishing step, and after polishing is performed until the substrate surface 15 of the light-transmitting substrate 10 is exposed, the substrate surface 15 of the light-transmitting substrate 10 is also slightly polished.

次に、透光性基板10の基板面15に対して表面保護層31を形成する。本形態では、表面保護層31として、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などをCVD法などにより、形成する。その結果、透光性基板10の基板面15に形成された溝状凹部11内に金属格子20が埋め込まれているとともに、透光性基板10の基板面15に表面保護層31が形成されたワイヤーグリッド型偏光素子107が完成する。   Next, the surface protective layer 31 is formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10. In this embodiment, as the surface protective layer 31, a metal oxide film such as a silicon oxide film, a metal nitride film such as a silicon nitride film, or the like is formed by a CVD method or the like. As a result, the metal lattice 20 was embedded in the groove-shaped recess 11 formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, and the surface protective layer 31 was formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10. A wire grid type polarizing element 107 is completed.

(本形態の効果)
図6は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。
(Effect of this embodiment)
FIG. 6 is a graph showing transmittance characteristics and contrast characteristics of a wire grid type polarizing element to which the present invention is applied.

以上説明したように、本発明を適用した液晶装置100では、対向基板50の光入射側の基板面15にワイヤーグリッド型偏光素子107が形成されているため、入射側偏光板を省略でき、部品点数の削減を図ることができる。   As described above, in the liquid crystal device 100 to which the present invention is applied, since the wire grid type polarizing element 107 is formed on the light incident side substrate surface 15 of the counter substrate 50, the incident side polarizing plate can be omitted, and the component The number of points can be reduced.

また、ワイヤーグリッド型偏光素子107では、透光性基板10の基板面に複数列の溝状凹部11が形成され、複数列の溝状凹部11内に金属格子20が埋め込まれているため、ワイヤーグリッド型偏光素子107を構成した時点で既に基板面15が平坦である。従って、ワイヤーグリッド型偏光素子10の表面に厚い透光膜を形成した後、その表面を研磨しなくても、平滑な基板面15に表面保護層31や反射防止層32を均一な厚さに容易に形成することができる。   Further, in the wire grid type polarizing element 107, a plurality of rows of groove-like recesses 11 are formed on the substrate surface of the translucent substrate 10, and the metal lattice 20 is embedded in the plurality of rows of groove-like recesses 11. The substrate surface 15 is already flat when the grid-type polarizing element 107 is configured. Therefore, after forming a thick light-transmitting film on the surface of the wire grid type polarizing element 10, the surface protective layer 31 and the antireflection layer 32 are made to have a uniform thickness on the smooth substrate surface 15 without polishing the surface. It can be formed easily.

また、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子107では、透光性基板10の基板面15に複数列の溝状凹部11が形成され、複数列の溝状凹部11内に金属格子20が埋め込まれているため、金属膜に対するエッチングにより、金属格子20を形成する必要がない。このため、金属格子20の幅寸法およびピッチは、透光性基板10の基板面15に形成した溝状凹部11の幅寸法およびピッチにより規定され、金属膜に対するエッチング精度の影響を受けないので、金属格子20の幅寸法を70nm未満、例えば、35nmにまで小さくすることができ、金属格子20のピッチを140nm未満、例えば、70nmにまで小さくすることができる。   In the wire grid type polarizing element 107 to which the present invention is applied, a plurality of rows of groove-like recesses 11 are formed on the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, and the metal grid 20 is embedded in the plurality of rows of groove-like recesses 11. Therefore, it is not necessary to form the metal lattice 20 by etching the metal film. For this reason, the width dimension and pitch of the metal lattice 20 are defined by the width dimension and pitch of the groove-shaped recess 11 formed in the substrate surface 15 of the translucent substrate 10, and are not affected by the etching accuracy with respect to the metal film. The width dimension of the metal grating 20 can be reduced to less than 70 nm, for example, 35 nm, and the pitch of the metal grating 20 can be decreased to less than 140 nm, for example, 70 nm.

また、金属格子20の厚さ寸法は、透光性基板10の基板面15に形成した溝状凹部11の深さにより規定され、金属膜21を成膜した際の膜厚精度の影響を受けないので、金属格子20の厚さ寸法と幅寸法の比を例えば正確に1:1に設定することもできる。   Further, the thickness dimension of the metal grating 20 is defined by the depth of the groove-like recess 11 formed in the substrate surface 15 of the translucent substrate 10 and is affected by the film thickness accuracy when the metal film 21 is formed. Therefore, the ratio of the thickness dimension to the width dimension of the metal grid 20 can be set to exactly 1: 1, for example.

それ故、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107は、図6に示すような透過率特性、およびコントラスト特性を備えており、金属格子20の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の「透過率」が、460nmから780nmの波長帯域の全域にわたって80%以上である。また、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107は、金属格子20の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率を、金属格子20の長手方向に対して並行な方向に振動する偏光成分の透過率で割った値(コントラスト)が、460nmから780nmの波長帯域の全域にわたって170000以上である。   Therefore, the wire grid type polarizing element 107 of this embodiment has transmittance characteristics and contrast characteristics as shown in FIG. 6 and is a polarization component that vibrates in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating 20. The “transmittance” is 80% or more over the entire wavelength band from 460 nm to 780 nm. Further, the wire grid type polarizing element 107 of this embodiment vibrates the transmittance of the polarization component that vibrates in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating 20 in a direction parallel to the longitudinal direction of the metal grating 20. The value (contrast) divided by the transmittance of the polarization component is 170000 or more over the entire wavelength band from 460 nm to 780 nm.

よって、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子107を備えた液晶装置100を、図1を参照して説明したカラー表示用の投射型表示装置のライトバルブに用いると、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。   Therefore, when the liquid crystal device 100 including the wire grid type polarizing element 107 of this embodiment is used for the light valve of the projection display device for color display described with reference to FIG. 1, red (R), green (G ) And blue (B), a high transmittance can be obtained with respect to any color light, and a high-quality color image can be displayed.

(別の実施の形態)
上記形態では、対向基板50において、光源部150からの光が入射する側の基板面15にワイヤーグリッド型偏光素子107を形成したが、図7に示すように、対向基板50において、光源部150からの光が出射する側の基板面16(液晶層70が位置する側の基板面)にワイヤーグリッド型偏光素子107を形成してもよい。この場合には、透光性基板10の基板面16に複数列の溝状凹部11が形成され、複数列の溝状凹部11内に金属格子20が埋め込まれることになる。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子107を構成した時点で既に基板面15が平坦である。従って、ワイヤーグリッド型偏光素子10の表面に表面保護膜22を形成した後、研磨などを行なわなくても、遮光層23aや対向電極25などを形成することができる。
(Another embodiment)
In the above embodiment, the wire grid type polarization element 107 is formed on the substrate surface 15 on the side where the light from the light source unit 150 is incident on the counter substrate 50. However, as shown in FIG. The wire grid type polarizing element 107 may be formed on the substrate surface 16 on the side from which the light from the light is emitted (the substrate surface on the side where the liquid crystal layer 70 is located). In this case, a plurality of rows of groove-like recesses 11 are formed on the substrate surface 16 of the translucent substrate 10, and the metal grid 20 is embedded in the plurality of rows of groove-like recesses 11. For this reason, the substrate surface 15 is already flat when the wire grid type polarizing element 107 is formed. Therefore, after the surface protective film 22 is formed on the surface of the wire grid type polarizing element 10, the light shielding layer 23a, the counter electrode 25, and the like can be formed without performing polishing or the like.

なお、透光性基板10において光が入射する側の基板面16には反射防止層32を形成するのが好ましく、かかる反射防止層32は、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とが例えば5層、積層された構造を備えている。   In addition, it is preferable to form an antireflection layer 32 on the substrate surface 16 on the light incident side of the translucent substrate 10, and the antireflection layer 32 includes, for example, five layers of silicon oxide film and titanium oxide film, It has a laminated structure.

また、図1(a),(b)を参照して説明した液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)では、液晶パネル101の両側に入射側防塵ガラス103および出射側防塵ガラス104が各々貼り付けられている構成であったが、図8に示すように、素子基板40を構成する透光性基板40b、および対向基板50を構成する透光性基板10が各々、防塵ガラスとして機能するほど厚い基板を用いてもよく、この場合にも、厚い透光性基板10にワイヤーグリッド型偏光素子10を形成すればよい。   In the liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) described with reference to FIGS. 1A and 1B, the incident side dustproof glass 103 and the emission side dustproof glass are provided on both sides of the liquid crystal panel 101. 104, each of the light-transmitting substrates 40b constituting the element substrate 40 and the light-transmitting substrate 10 constituting the counter substrate 50 is dust-proof glass as shown in FIG. In this case, the wire grid type polarizing element 10 may be formed on the thick translucent substrate 10.

さらに、上記形態では、対向基板50にワイヤーグリッド型偏光素子10を形成したが、素子基板40の方に形成してもよく、また、対向基板50および素子基板40の双方にワイヤーグリッド型偏光素子10を形成してもよい。   Furthermore, in the said form, although the wire grid type polarizing element 10 was formed in the opposing board | substrate 50, you may form in the direction of the element board | substrate 40, Moreover, a wire grid type polarizing element may be formed in both the opposing board | substrate 50 and the element board | substrate 40. 10 may be formed.

(a)、(b)は各々、本発明を適用した投射型表示装置(液晶プロジェクタ)の概略構成図、および液晶ライトバルブの概略構成図である。(A), (b) is the schematic block diagram of the projection type display apparatus (liquid crystal projector) to which this invention is applied, respectively, and the schematic block diagram of a liquid crystal light valve. 図1に示す投射型表示装置において液晶ライトバルブ(液晶装置)に用いた素子基板の画素1つ分の平面図、およびそのC−C′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。FIG. 1 is a plan view of one pixel of an element substrate used for a liquid crystal light valve (liquid crystal device) in the projection display device shown in FIG. 1, and a cross section when the liquid crystal device is cut at a position corresponding to the line CC ′. FIG. (a)、(b)は各々、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、および平面図である。(A), (b) is sectional drawing and the top view which each show typically the structure of the wire grid type polarizing element to which this invention is applied. 本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the wire grid type polarizing element to which this invention is applied. 本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の別の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows another manufacturing method of the wire grid type polarizing element to which this invention is applied. 本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。It is a graph which shows the transmittance | permeability characteristic and contrast characteristic of the wire grid type polarizing element to which this invention is applied. 図1に示す投射型表示装置に用いられる別の液晶ライトバルブ(液晶装置)の断面図である。It is sectional drawing of another liquid crystal light valve (liquid crystal device) used for the projection type display apparatus shown in FIG. 本発明を適用した投射型表示装置(液晶プロジェクタ)に用いられる別の液晶ライトバルブの概略構成図である。It is a schematic block diagram of another liquid crystal light valve used for the projection type display apparatus (liquid crystal projector) to which this invention is applied. 従来の投射型表示装置(液晶プロジェクタ)に用いられる別の液晶ライトバルブの概略構成図である。It is a schematic block diagram of another liquid crystal light valve used for the conventional projection type display apparatus (liquid crystal projector). (a)、(b)は各々、従来のワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、および平面図である。(A), (b) is sectional drawing and the top view which respectively show the structure of the conventional wire grid type polarizing element typically. 従来のワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。It is a graph which shows the transmittance | permeability characteristic and contrast characteristic of the conventional wire grid type polarizing element.

符号の説明Explanation of symbols

10・・透光性基板、11・・溝状凹部、15・・基板面、20・・金属格子、40・・素子基板、50・・対向基板、100・・液晶装置、100(R)、(G)、(B)・・液晶ライトバルブ、107・・ワイヤーグリッド型偏光素子 10 .. Translucent substrate, 11 .. Groove-shaped recess, 15 .. Substrate surface, 20 .. Metal lattice, 40 .. Element substrate, 50 .. Opposite substrate, 100 .. Liquid crystal device, 100 (R), (G), (B) ... Liquid crystal light valve, 107 ... Wire grid type polarizing element

Claims (10)

画素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを有する液晶装置において、
前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方には、基板面に複数列の溝状凹部が形成されているとともに、当該溝状凹部内に埋め込まれた金属格子によってワイヤーグリッド型偏光素子が形成されていることを特徴とする液晶装置。
In a liquid crystal device comprising: an element substrate on which a pixel electrode and a pixel switching element are formed; a counter substrate disposed opposite to the element substrate; and a liquid crystal held between the element substrate and the counter substrate.
At least one of the element substrate and the counter substrate has a plurality of rows of groove-like recesses formed on the substrate surface, and a wire grid type polarization element is formed by a metal grid embedded in the groove-like recesses. A liquid crystal device characterized by being made.
前記溝状凹部は、前記金属格子によって完全に埋め込まれて、
前記基板面では、前記溝状凹部の形成領域および前記溝状凹部により挟まれた領域が連続した平坦面を形成していることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
The groove-like recess is completely embedded by the metal grid,
2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein on the substrate surface, a formation surface of the groove-shaped recess and a region sandwiched by the groove-shaped recess form a continuous flat surface.
前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記金属格子の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率が、460nmから780nmの波長帯域の全域にわたって80%以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。   The wire grid type polarizing element has a transmittance of a polarization component oscillating in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the metal grating of 80% or more over the entire wavelength band of 460 nm to 780 nm. Item 3. The liquid crystal device according to item 1 or 2. 前記素子基板および前記対向基板のうち、前記液晶層によって変調される光が入射される側の基板に前記ワイヤーグリッド型偏光素子が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の液晶装置。   4. The wire grid type polarizing element is formed on a substrate on a side on which light modulated by the liquid crystal layer is incident, of the element substrate and the counter substrate. The liquid crystal device according to one item. 前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記対向基板に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。   The liquid crystal device according to claim 4, wherein the wire grid type polarizing element is formed on the counter substrate. 請求項1乃至5の何れか一項に記載の液晶装置を用いた投射型表示装置であって、
前記液晶装置に光を入射させる光源部と、
前記液晶装置によって光変調された光を拡大投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
A projection type display device using the liquid crystal device according to any one of claims 1 to 5,
A light source unit for allowing light to enter the liquid crystal device;
A projection optical system for enlarging and projecting light modulated by the liquid crystal device;
A projection display device characterized by comprising:
画素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを有する液晶装置の製造方法において、
前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方に対して、その基板面に複数列の金属格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子を形成するにあたって、
前記基板面に対して、前記金属格子を形成すべき領域に溝状開口部を備えたエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、
前記基板面にエッチングを施して当該基板面において前記溝状開口部と重なる領域に溝状凹部を形成するエッチング工程と、
前記金属格子を形成すべき金属膜により前記溝状凹部を埋める金属膜形成工程と、
前記基板面に研磨処理を施して、前記溝状凹部に前記金属膜を残す一方、前記溝状凹部からはみ出た前記金属膜を除去する研磨工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
In a method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: an element substrate on which a pixel electrode and a pixel switching element are formed; a counter substrate disposed opposite to the element substrate; and a liquid crystal held between the element substrate and the counter substrate. ,
In forming a wire grid type polarizing element including a plurality of rows of metal gratings on at least one of the element substrate and the counter substrate,
A mask forming step of forming an etching mask having a groove-like opening in a region where the metal lattice is to be formed with respect to the substrate surface;
An etching step of etching the substrate surface to form a groove-shaped recess in a region overlapping the groove-shaped opening on the substrate surface;
A metal film forming step of filling the groove-shaped recess with a metal film to form the metal lattice;
A polishing process for removing the metal film protruding from the groove-shaped recess while polishing the substrate surface and leaving the metal film in the groove-shaped recess;
A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising:
前記マスク形成工程では、前記基板面に感光性樹脂を塗布した後、露光および現像を行なって前記エッチングマスクを形成することを特徴とする請求項7に記載の液晶装置の製造方法。   8. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 7, wherein, in the mask forming step, after the photosensitive resin is applied to the substrate surface, the etching mask is formed by performing exposure and development. 前記マスク形成工程では、前記基板面にマスク材料層を形成した後、型部材において前記溝状開口部に対応する部分に突起を備えた成形面を押し付けて前記突起の形成パターンを前記マスク材料層に転写し、前記溝状開口部が薄くなった前記エッチングマスクを形成することを特徴とする請求項7に記載の液晶装置の製造方法。   In the mask forming step, a mask material layer is formed on the substrate surface, and then a molding surface provided with a protrusion is pressed against a portion corresponding to the groove-shaped opening in the mold member to form a pattern of the protrusion on the mask material layer. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 7, wherein the etching mask having the groove-shaped opening formed thin is formed. 前記研磨工程では、前記研磨処理として化学機械研磨処理を行なうことを特徴とする請求項7乃至9の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。   The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 7, wherein in the polishing step, chemical mechanical polishing is performed as the polishing.
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