JP2009076721A - Multilayer wiring board - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board that does not require correction of warpage even in manufacturing the wiring board by preventing occurrence of warpage of the wiring board. <P>SOLUTION: This multilayer wiring board 100, 100a-100e including a wiring layer 40, 40a-40e with a power plane and/or ground plane 10, 10a-10ce formed therein, is characterized in that the power plane and/or the ground plane are/is cut at predetermined cut lines 20, 20a-20e to be divided into a plurality of power plane pieces and/or ground plane pieces 11, 11a-11e. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、多層配線基板に関し、特に、電源プレーン及び/又はグランドプレーンが形成された配線層を含む多層配線基板に関する。   The present invention relates to a multilayer wiring board, and more particularly to a multilayer wiring board including a wiring layer on which a power plane and / or a ground plane is formed.

従来から、コア基板上に樹脂層と配線層を多層に積み重ねた多層配線構造を有する多層配線基板(ビルドアップ基板)が知られているが、近年の薄型化、省スペース化の要求により、コア基板を有せず、多層配線構造に形成されたコアレスの多層配線基板が提案されている。かかるコアレスの多層配線基板においては、電源プレーン及び/又はグランドプレーンが形成された配線層を有し、信号用の配線パターンに電位供給を行うのが一般的である。   Conventionally, a multilayer wiring board (build-up board) having a multilayer wiring structure in which a resin layer and a wiring layer are stacked on a core board is known. However, due to recent demands for thinning and space saving, A coreless multilayer wiring board having a multilayer wiring structure without a substrate has been proposed. Such a coreless multilayer wiring board generally has a wiring layer on which a power plane and / or a ground plane is formed, and supplies a potential to a wiring pattern for signals.

図9は、従来の多層配線基板300の電源プレーン及び/又はグランドプレーン210が形成された配線層240の平面構成図である。なお、配線層240の周囲には、配線層240の上層又は下層に存在する絶縁層250が示されている。   FIG. 9 is a plan configuration diagram of a wiring layer 240 in which a power plane and / or a ground plane 210 of a conventional multilayer wiring board 300 is formed. In addition, an insulating layer 250 existing above or below the wiring layer 240 is shown around the wiring layer 240.

多層配線基板300においては、信号用の配線パターンの他、これに電源又はグランド電位を供給するため、電源プレーン及び/又はグランドプレーン210が形成された配線層240を有する場合が多い。一例として、電源プレーン及び/又はグランドプレーン210は、多層配線基板300の半導体素子搭載面に搭載される仮想的な半導体素子290の周囲の中央部230を取り囲むように、いわゆるベタ状態で配線層240の大部分を連続した金属で覆う配線パターンとして形成される。電源プレーン及び/又はグランドプレーン210は、配線パターンの上方又は下方にビア(図示せず)が形成され、これを介して電源又はグランドに接続され、配線層240への電位供給が行われる。そして更に、配線層240から信号用の配線パターンが形成された配線層への電位供給が行われる。かかる配線層240及び絶縁層250を有する多層配線基板300において、電源プレーン及び/又はグランドプレーン210には銅が用いられることが多く、絶縁層250にはエポキシ樹脂が用いられることが多い。   In many cases, the multilayer wiring board 300 includes a wiring layer 240 on which a power plane and / or a ground plane 210 are formed in order to supply a power source or a ground potential in addition to a signal wiring pattern. As an example, the power plane and / or the ground plane 210 is a so-called solid wiring layer 240 so as to surround the central portion 230 around the virtual semiconductor element 290 mounted on the semiconductor element mounting surface of the multilayer wiring board 300. It is formed as a wiring pattern that covers most of it with a continuous metal. The power plane and / or the ground plane 210 has vias (not shown) formed above or below the wiring pattern, and is connected to the power source or the ground via the vias to supply potential to the wiring layer 240. Further, the potential is supplied from the wiring layer 240 to the wiring layer on which the signal wiring pattern is formed. In the multilayer wiring board 300 having the wiring layer 240 and the insulating layer 250, copper is often used for the power plane and / or the ground plane 210, and an epoxy resin is often used for the insulating layer 250.

なお、かかるコアレスの多層配線基板においては、配線基板が薄くなり基板自体の強度が弱まることから、搬送等の取扱性を向上させるべく、基板の端部に金属製の枠体を設けた技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−323613号公報
In such a coreless multilayer wiring board, since the wiring board is thinned and the strength of the board itself is weakened, there is a technique in which a metal frame is provided at the end of the board in order to improve handling properties such as transportation. It is known (see, for example, Patent Document 1).
JP 2000-323613 A

しかしながら、上述の図9に示した従来技術の構成では、多層配線基板300の製造工程で熱処理を行っているときには多層配線基板300に反りを生じていなくても、製造工程が終わって多層配線基板300が通常温度になると、絶縁層250のエポキシ樹脂が収縮し、多層配線基板300が反りを生ずるという問題があった。   However, in the configuration of the prior art shown in FIG. 9 described above, even when the heat treatment is performed in the manufacturing process of the multilayer wiring board 300, the manufacturing process is finished and the multilayer wiring board is finished even if the multilayer wiring board 300 is not warped. When 300 reaches normal temperature, the epoxy resin of the insulating layer 250 contracts and the multilayer wiring board 300 warps.

図10は、従来の配線基板300の、電源プレーン及び/又はグランドプレーン210が形成された配線層240と、その下層の絶縁層250の断面構造を示した断面構成図である。   FIG. 10 is a cross-sectional configuration diagram showing a cross-sectional structure of a wiring layer 240 on which a power plane and / or ground plane 210 is formed and a lower insulating layer 250 of a conventional wiring board 300.

図10(a)は、配線基板300製造時における、例えば150℃程度に加熱している状態の配線層240及び絶縁層250の断面構成を示した図である。図10(a)において、エポキシ樹脂で形成された絶縁層250の上層に、銅で形成された電源プレーン及び/又はグランドプレーン210が形成された配線層240が配置されている。配線基板300製造中の150℃程度の環境下では、両者は平行な層を形成している。   FIG. 10A is a diagram showing a cross-sectional configuration of the wiring layer 240 and the insulating layer 250 that are heated to, for example, about 150 ° C. when the wiring substrate 300 is manufactured. In FIG. 10A, a wiring layer 240 in which a power plane and / or a ground plane 210 made of copper is formed is disposed on an insulating layer 250 made of epoxy resin. In an environment of about 150 ° C. during the production of the wiring board 300, both form parallel layers.

図10(b)は、配線基板300の温度が下がった状態における、配線層240及び絶縁層250の断面構成を示した図である。エポキシ樹脂の熱膨張係数は30〜40〔1/K〕であり、銅の熱膨張係数は17〜18〔1/K〕であるため、両者の熱膨張係数には大きな差があり、従って、配線層240の収縮率よりも、絶縁層250の収縮率の方が大きく、同じ温度に低下した場合には、絶縁層250の方が配線層240よりも収縮量が大きい。よって、図10(b)に示すように、配線層240が絶縁層250に引っ張られるような状態になってしまい、配線基板300に反りが発生してしまう。配線基板300製造時に、かかる反りが生じた場合には、反り修正を行う必要があるが、これにより製造工程の効率ダウン及びコスト増加を招くという問題があった。   FIG. 10B is a diagram showing a cross-sectional configuration of the wiring layer 240 and the insulating layer 250 in a state where the temperature of the wiring board 300 is lowered. The thermal expansion coefficient of epoxy resin is 30-40 [1 / K], and the thermal expansion coefficient of copper is 17-18 [1 / K]. The shrinkage rate of the insulating layer 250 is larger than the shrinkage rate of the wiring layer 240, and when the temperature drops to the same temperature, the shrinkage amount of the insulating layer 250 is larger than that of the wiring layer 240. Therefore, as shown in FIG. 10B, the wiring layer 240 is pulled by the insulating layer 250, and the wiring substrate 300 is warped. When such a warp occurs during the production of the wiring board 300, it is necessary to correct the warp. However, this causes a problem of reducing the efficiency of the manufacturing process and increasing the cost.

また、上述の特許文献1に記載の構成では、搬送時の取扱性の向上については配慮されているものの、配線基板の製造工程で生ずる反りの問題については何ら考慮されていない。よって、製造工程でコアレスの多層配線基板に反りが生じた場合には、やはり反りの修正を必要とし、製造工程の効率低下とコスト増を招くという問題があった。   Further, in the configuration described in Patent Document 1 described above, although consideration is given to improvement in handling at the time of conveyance, no consideration is given to the problem of warpage that occurs in the manufacturing process of the wiring board. Therefore, when warpage occurs in the coreless multilayer wiring board in the manufacturing process, it is necessary to correct the warpage, and there is a problem in that the efficiency of the manufacturing process is reduced and the cost is increased.

また、コア基板を有する配線基板においても、基板に反りが生じた場合には、やはり反りの修正が必要となり、製造工程の効率低下とコスト増が同様に問題となっていた。   Further, even in a wiring board having a core substrate, if the board is warped, it is still necessary to correct the warp, and the reduction in the efficiency of the manufacturing process and the increase in cost are also problematic.

そこで、本発明は、温度低下時においても配線基板の反りの発生を抑制し、配線基板製造時にも反りの修正を行う必要の無い多層配線基板を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board that suppresses the occurrence of warping of the wiring board even when the temperature is lowered and does not require correction of the warping even when the wiring board is manufactured.

上記目的を達成するため、第1の発明に係る多層配線基板は、電源プレーン及び/又はグランドプレーンが形成された配線層を含む多層配線基板であって、
前記電源プレーン及び/又は前記グランドプレーンは、所定の切断ラインで切断され、複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片に分割されていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a multilayer wiring board according to a first invention is a multilayer wiring board including a wiring layer in which a power plane and / or a ground plane is formed,
The power plane and / or the ground plane is cut along a predetermined cutting line, and is divided into a plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces.

これにより、金属と樹脂との熱膨張係数の差によって配線基板に反りが生じたとしても、応力を切断ラインの部分に逃がすことができ、配線基板が全体で大きく反ることを防止することができる。   As a result, even if the wiring board is warped due to the difference in thermal expansion coefficient between the metal and the resin, the stress can be released to the portion of the cutting line, and the wiring board can be prevented from greatly warping as a whole. it can.

第2の発明は、第1の発明に係る多層配線基板において、
前記所定の切断ラインは、前記配線層の中心から外側に延在する放射状のラインであることを特徴とする。
A second invention is the multilayer wiring board according to the first invention,
The predetermined cutting line is a radial line extending outward from the center of the wiring layer.

これにより、配線基板の反りを、搭載される半導体素子を中心として抑制することができ、搭載される半導体素子への影響を抑制することができる。   Thereby, the curvature of a wiring board can be suppressed centering on the mounted semiconductor element, and the influence on the mounted semiconductor element can be suppressed.

第3の発明は、第1又は第2の発明に係る多層配線基板において、
前記所定の切断ラインは、隣接する前記電源プレーン片及び/又は前記グランドプレーンを略線対称に分割するラインを含むことを特徴とする。
A third invention is a multilayer wiring board according to the first or second invention,
The predetermined cutting line includes a line that divides the adjacent power plane pieces and / or the ground plane into a substantially line symmetry.

これにより、配線基板の反りを対称的に切断ラインに逃がすことができ、効果的に配線基板の反りを抑制することができる。   Thereby, the curvature of a wiring board can be escaped symmetrically to a cutting line, and the curvature of a wiring board can be suppressed effectively.

第4の発明は、第1〜3のいずれか一つの発明に係る多層配線基板において、
前記複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片は、略合同であることを特徴とする。
A fourth invention is the multilayer wiring board according to any one of the first to third inventions,
The plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces are substantially congruent.

これにより、個々の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片に生じる反りを均一化することができ、多層配線基板に生ずる反りを均等に分散させて、全体の多層配線基板の反りを効率よく抑制することができる。   This makes it possible to make uniform the warp generated in each power plane piece and / or ground plane piece, and evenly distribute the warp generated in the multilayer wiring board, thereby efficiently suppressing the warp of the entire multilayer wiring board. be able to.

第5の発明は、第1〜4のいずれか一つの発明に係る多層配線基板において、
前記複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片のうち、所定の電源プレーン片同士及び/又はグランドプレーン片同士を電気的に接続する電気接続手段を更に有することを特徴とする。
A fifth invention is the multilayer wiring board according to any one of the first to fourth inventions,
The power supply device further includes electrical connection means for electrically connecting predetermined power plane pieces and / or ground plane pieces among the plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces.

これにより、多層配線基板に生じる反りを効率良く分散させつつ、電気的には従来と同様に大面積の電源プレーン及び/又はグランドプレーンを形成することができる。   As a result, it is possible to electrically form a large-area power plane and / or ground plane, as in the prior art, while efficiently distributing the warp generated in the multilayer wiring board.

第6の発明は、第5の発明に係る多層配線基板において、
前記電気接続手段は、前記切断ラインの一部を未切断として形成した配線パターンであることを特徴とする。
A sixth invention is the multilayer wiring board according to the fifth invention,
The electrical connection means is a wiring pattern formed by cutting a part of the cutting line uncut.

これにより、多層配線基板全体としては反りを分散させつつ、容易に従来と同様の電源プレーン及び/又はグランドプレーンの電気的接続を保つことができる。   As a result, it is possible to easily maintain the electrical connection between the power plane and / or the ground plane as in the prior art while dispersing the warp in the entire multilayer wiring board.

第7の発明は、第5又は第6の発明に係る多層配線基板において、
前記電気接続手段は、前記配線層とは異なる配線層を含むことを特徴とする。
A seventh invention is the multilayer wiring board according to the fifth or sixth invention,
The electrical connection means includes a wiring layer different from the wiring layer.

これにより、多層配線基板の配線構造を利用して従来と同様の電源プレーン及び/又はグランドプレーンの配線パターンを保ちつつ、基板の反りを効率的に抑制することができる。   Thereby, the board | substrate curvature can be efficiently suppressed, maintaining the wiring pattern of the power plane and / or ground plane similar to the past using the wiring structure of a multilayer wiring board.

第8の発明に係る基板は、配列された複数の多層配線基板と、該複数の多層配線基板を囲む枠部を備えた基板であって、
該枠部の表面には金属部材が被着されており、
該金属部材は、所定の切断ラインにより切断されて分割されていることを特徴とする。
A substrate according to an eighth invention is a substrate comprising a plurality of arranged multilayer wiring boards and a frame portion surrounding the plurality of multilayer wiring boards,
A metal member is attached to the surface of the frame portion,
The metal member is cut and divided by a predetermined cutting line.

これにより、全体として相当の大きさとなる大判基板において、外側の枠部に起因する大判基板全体の反りを抑制することができ、シート製品として出荷する場合にも、反りの修正を行う必要が無くなり、工程の高効率化とコストダウンを図ることができる。   As a result, it is possible to suppress warping of the entire large-sized substrate due to the outer frame portion in a large-sized substrate having a considerable size as a whole, and it is no longer necessary to correct the warp when shipping as a sheet product. , Process efficiency and cost reduction can be achieved.

第9の発明は、第8の発明に係る基板において、
前記所定の切断ラインは、前記多層配線基板の配列ラインを外側に延長したものであることを特徴とする。
According to a ninth invention, in the substrate according to the eighth invention,
The predetermined cutting line is formed by extending an array line of the multilayer wiring board outward.

これにより、個々の多層配線基板への影響が最も少ない方向に応力を逃がすことができ、個々の多層配線基板の反りを減少させることができる。   As a result, stress can be released in a direction that has the least influence on each multilayer wiring board, and warpage of each multilayer wiring board can be reduced.

本発明によれば、多層配線基板及び複数の多層配線基板が配列された基板の反りを抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the curvature of the board | substrate with which the multilayer wiring board and the several multilayer wiring board were arranged can be suppressed.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明を適用した実施例1に係る多層配線基板100の、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10が形成された配線層40の平面構成を示した平面構成図である。   FIG. 1 is a plan configuration diagram showing a plane configuration of a wiring layer 40 on which a power plane and / or a ground plane 10 are formed in a multilayer wiring board 100 according to a first embodiment to which the present invention is applied.

図1において、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10は、絶縁層50の上層又は下層に形成され、多層配線基板100表面の半導体素子搭載面に搭載される仮想的な半導体素子90の周囲の中央部30を除き、配線層240の大部分を、銅やアルミ等の金属により覆った配線パターンとなっている。そして、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10は、全体で1つの連続したベタ膜となっているのではなく、中央部30から4隅に延在する4本の切断ライン20により、4つの電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11に分割されている。   In FIG. 1, the power plane and / or the ground plane 10 is formed in the upper layer or the lower layer of the insulating layer 50, and is a central portion around the virtual semiconductor element 90 mounted on the semiconductor element mounting surface on the surface of the multilayer wiring substrate 100. Except for 30, a wiring pattern in which most of the wiring layer 240 is covered with a metal such as copper or aluminum. The power plane and / or ground plane 10 is not a single continuous solid film as a whole, but four power planes by four cutting lines 20 extending from the central portion 30 to four corners. It is divided into pieces and / or ground plane pieces 11.

このように、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10を、配線層240全体を覆う1枚のベタ膜で構成するのではなく、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10の所定位置に適宜スリット状の切断ライン20を設け、これを複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11で構成することにより、熱ストレスを切断ライン20で開放し、多層配線基板100全体の反りを低減することができる。   In this way, the power plane and / or the ground plane 10 is not formed by a single solid film covering the entire wiring layer 240, but is appropriately slit-shaped cutting lines at predetermined positions on the power plane and / or the ground plane 10. By providing 20 and comprising a plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces 11, thermal stress can be released at the cutting line 20, and warpage of the entire multilayer wiring board 100 can be reduced.

熱ストレスが生じるのは、金属と樹脂の熱膨張係数の大きさの相違により、樹脂が熱硬化すると、金属よりも樹脂の方が大きく収縮し、樹脂の絶縁層50上に形成された金属の配線層40が、絶縁層50に引っ張られるように収縮するからである。例えば、配線層40上の電源プレーン及び/又はグランドプレーン10が銅であり、絶縁層50がエポキシ樹脂の場合には、銅の熱膨張係数は17〜18〔1/K〕であり、エポキシ樹脂の熱膨張係数は30〜40〔1/K〕であるので、エポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数の2倍前後あることになる。この場合に、150℃程度の製造工程では多層配線基板100が反っていなかった場合でも、製造工程が一通り終了して温度が下がった場合には、多層配線基板100に上述のような熱膨張係数の違いによる変形ストレスが生じてしまう。   The thermal stress is caused by the difference in thermal expansion coefficient between the metal and the resin, and when the resin is thermally cured, the resin contracts more than the metal, and the metal formed on the insulating layer 50 of the resin This is because the wiring layer 40 contracts so as to be pulled by the insulating layer 50. For example, when the power plane and / or the ground plane 10 on the wiring layer 40 is copper and the insulating layer 50 is an epoxy resin, the thermal expansion coefficient of copper is 17 to 18 [1 / K]. Therefore, the thermal expansion coefficient of the epoxy resin is about twice the thermal expansion coefficient of copper. In this case, even when the multilayer wiring board 100 is not warped in the manufacturing process of about 150 ° C., if the manufacturing process is completed and the temperature is lowered, the thermal expansion as described above is caused in the multilayer wiring board 100. Deformation stress occurs due to the difference in coefficients.

そこで、多層配線基板10の電源プレーン及び/又はグランドプレーン10が形成された配線層40において、切断ライン20により電源プレーン及び/又はグランドプレーン10が小片の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11に分割されていれば、切断ライン20が変形ストレスの逃げ道となり、多層配線基板100全体の変形度合を小さくすることができる。   Therefore, in the wiring layer 40 in which the power plane and / or the ground plane 10 of the multilayer wiring board 10 is formed, the power plane and / or the ground plane 10 is changed into a small power plane piece and / or ground plane piece 11 by the cutting line 20. If it is divided, the cutting line 20 becomes an escape path for deformation stress, and the degree of deformation of the entire multilayer wiring board 100 can be reduced.

図1において、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10は、中央部30から4隅に延在する4本のスリット状の切断ラインにより、4つの合同かつ対称な電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11に分割されている。切断ライン20は、種々の任意の位置に設けられてよいが、例えば、図1に示すように、中央部から外側に延在する放射状の切断ラインであってもよい。例えば、半導体素子90が多層配線基板100の中央部に搭載される場合には、半導体素子90に対して、多層配線基板100の反りの方向が対称となるように構成されるので、搭載される半導体素子90への影響を小さくすることができる。   In FIG. 1, a power plane and / or ground plane 10 is divided into four congruent and symmetric power plane pieces and / or ground plane pieces 11 by four slit-like cutting lines extending from the central portion 30 to four corners. It is divided into The cutting line 20 may be provided at various arbitrary positions. For example, as shown in FIG. 1, the cutting line 20 may be a radial cutting line extending outward from the central portion. For example, when the semiconductor element 90 is mounted in the central portion of the multilayer wiring substrate 100, the warp direction of the multilayer wiring substrate 100 is configured to be symmetric with respect to the semiconductor element 90. The influence on the semiconductor element 90 can be reduced.

また、図1に示すように、切断ライン20は、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10を、線対称に分割する位置に設けられてもよい。これにより、切断ライン20により分割される個々の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11が合同となり、かつ隣接する電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11が切断ライン20に関して対称となるので、切断ライン20に両側から逃げ込む応力が、左右で等しくなり、左右均等にバランスよく応力を開放することができる。   Further, as shown in FIG. 1, the cutting line 20 may be provided at a position where the power plane and / or the ground plane 10 is divided line-symmetrically. As a result, the individual power plane pieces and / or ground plane pieces 11 divided by the cutting line 20 are congruent, and the adjacent power plane pieces and / or ground plane pieces 11 are symmetric with respect to the cutting line 20. The stress escaping from both sides to the line 20 is equal on the left and right, and the stress can be released in a balanced manner on the left and right.

なお、配線層40に形成された電源プレーン及び/又はグランドプレーン10は、電源プレーンのみで構成されてもよいし、グランドプレーンのみで構成されてもよいし、更には両者の組み合わせであってもよい。配線層40に電源プレーン及びグランドプレーンの双方が形成される場合には、電源プレーン10とグランドプレーン10は最初から分割されており、2つの配線パターン片から構成された状態となっている。この場合であっても、2つの配線パターン片がベタ膜で構成された場合には、2つの配線パターン片で配線層40全体を覆うことになるので、やはり基板の反りは大きくなってしまう。従って、図1に示すように、電源プレーン及びグランドプレーン10を各々2つずつの電源プレーン片及びグランドプレーン片11で構成するようにすれば、やはり本実施例により多層配線基板100の反りを低減することができる。   The power plane and / or the ground plane 10 formed in the wiring layer 40 may be composed of only the power plane, may be composed of only the ground plane, or may be a combination of both. Good. When both the power plane and the ground plane are formed in the wiring layer 40, the power plane 10 and the ground plane 10 are divided from the beginning, and are formed of two wiring pattern pieces. Even in this case, when the two wiring pattern pieces are formed of a solid film, the entire wiring layer 40 is covered with the two wiring pattern pieces, so that the warpage of the substrate also increases. Therefore, as shown in FIG. 1, if the power plane and the ground plane 10 are each composed of two power plane pieces and ground plane pieces 11, warpage of the multilayer wiring board 100 is also reduced by this embodiment. can do.

また、切断ライン20の位置や数は任意に設定することができ、例えば、もっと細かく分割して、個々の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11の大きさを小さくするとともに、切断ライン20の数を増やせば、個々の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11の変形が小さくなるとともに、応力の逃げ道の数は増加するので、更に多層配線基板100の反りを抑制することができる。   Further, the position and number of the cutting lines 20 can be arbitrarily set. For example, the cutting lines 20 can be divided more finely to reduce the size of the individual power plane pieces and / or ground plane pieces 11 and the cutting lines 20. If the number is increased, the deformation of the individual power plane pieces and / or ground plane pieces 11 is reduced, and the number of stress escape paths is increased, so that the warpage of the multilayer wiring board 100 can be further suppressed.

図2は、図1に係る多層配線基板100の配線層40及び絶縁層50を、A−A'断面で切った断面構成図である。   FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram in which the wiring layer 40 and the insulating layer 50 of the multilayer wiring board 100 according to FIG. 1 are cut along the AA ′ section.

図2(a)は、温度が150℃程度の、多層配線基板100製造中の状態を示した断面図である。なお、図1とは、若干電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11の長さの比率が異なるが、理解の容易のために、略3等分した図で説明する。図2(a)において、絶縁層50の上に配線層40が形成されており、配線層40には、電源プレーン及び/グランドプレーン10が形成されているが、1つの連続して繋がった状態のいわゆるベタ膜ではなく、切断ライン20により空隙が形成されている。この多層配線基板100の製造中の温度150℃程度の状態においては、絶縁層50及び配線層40の双方に収縮は発生せず、両者は平行な層として形成されている。   FIG. 2A is a cross-sectional view showing a state in which the multilayer wiring board 100 is being manufactured at a temperature of about 150.degree. Although the length ratio of the power plane piece and / or the ground plane piece 11 is slightly different from that shown in FIG. In FIG. 2A, the wiring layer 40 is formed on the insulating layer 50, and the power supply plane and / the ground plane 10 are formed on the wiring layer 40. A gap is formed by the cutting line 20 instead of the so-called solid film. In a state where the temperature is about 150 ° C. during the production of the multilayer wiring substrate 100, both the insulating layer 50 and the wiring layer 40 are not contracted, and both are formed as parallel layers.

図2(b)は、温度が下がった状態における多層配線基板100の断面構成図である。図2(b)において、金属と樹脂の熱膨張係数は異なるので、樹脂が硬化した状態では、絶縁層50の方の収縮量が配線層40より大きくなるが、図2(b)に示すように、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10が、スリット状の切断ライン20により3つの電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11に分割されているため、配線層40及び絶縁層50は3つの変形を生じるが、個々の変形は小さくなり、多層配線基板100全体としての反りは、小さく抑えられる。   FIG. 2B is a cross-sectional configuration diagram of the multilayer wiring board 100 in a state where the temperature is lowered. In FIG. 2B, since the thermal expansion coefficients of the metal and the resin are different, the shrinkage amount of the insulating layer 50 is larger than that of the wiring layer 40 when the resin is cured, but as shown in FIG. In addition, since the power plane and / or ground plane 10 is divided into three power plane pieces and / or ground plane pieces 11 by the slit-shaped cutting line 20, the wiring layer 40 and the insulating layer 50 are deformed in three ways. However, the individual deformation is reduced, and the warpage of the multilayer wiring board 100 as a whole is suppressed to a small level.

このように、本実施例に係る多層配線基板100によれば、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10を所定の切断ライン20でより小さな単位に分割したことにより、個々の反りの大きさを小さくし、多層配線基板100全体としての反りを小さくすることができる。   As described above, according to the multilayer wiring board 100 according to the present embodiment, the power plane and / or the ground plane 10 is divided into smaller units by the predetermined cutting line 20, thereby reducing the size of each warp. The warpage of the multilayer wiring board 100 as a whole can be reduced.

図3は、本発明を適用した実施例2に係る多層配線基板100aの電源プレーン及び/又はグランドプレーン10aが形成された配線層40aの平面構成図である。図3において、絶縁層50上に配線層40aが形成され、配線層40a上には、中央部30から4隅に延在する4本の放射状の切断ライン20aにより形成された4つの電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11aからなる電源プレーン及び/又はグランドプレーン10aが形成されている点で、実施例1に係る電源プレーン及び/グランドプレーン10と同様であるが、所定の切断ライン20aが、直線的なスリットではなく、ジグザグのラインを含んでいる点で、実施例1の態様とは異なっている。そして、所定の切断ライン20aのジグザグラインを形成する部分には、配線層40の上層又は下層に存在するビア55の存在が示されている。なお、ジグザグに形成された切断ライン20aは、角部を有さない曲線状ラインに形成してもよい。この場合、角部への応力集中が無いため、より好適に応力を分散させて逃がすことができる。   FIG. 3 is a plan configuration diagram of a wiring layer 40a formed with a power plane and / or a ground plane 10a of a multilayer wiring board 100a according to a second embodiment to which the present invention is applied. In FIG. 3, a wiring layer 40a is formed on an insulating layer 50, and four power plane pieces formed on the wiring layer 40a by four radial cutting lines 20a extending from the central portion 30 to four corners. And / or is the same as the power plane and / ground plane 10 according to the first embodiment in that the power plane and / or the ground plane 10a formed of the ground plane piece 11a is formed. This embodiment is different from the first embodiment in that it includes a zigzag line instead of a straight slit. The presence of the via 55 existing in the upper layer or the lower layer of the wiring layer 40 is shown in the portion of the predetermined cutting line 20a where the zigzag line is formed. In addition, you may form the cutting line 20a formed in the zigzag in the curved line which does not have a corner | angular part. In this case, since there is no stress concentration at the corner, it is possible to disperse the stress more suitably and release it.

このように、ビア55の配置位置と、配線層40の配線パターンとの関係により、所定の切断ライン20aは、ビア55と所望の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11aとの接続がなされるような形状に構成してよい。実施例2によれば、所定の切断ライン20aのライン形状は、配線パターンに応じて、所望のライン形状とすることができ、かかる配線層40の平面構成によっても、切断ライン20aに応力を開放し、多層配線基板100aの反りを低減することができる。   As described above, the predetermined cutting line 20a is connected to the via 55 and the desired power plane piece and / or ground plane piece 11a depending on the relationship between the arrangement position of the via 55 and the wiring pattern of the wiring layer 40. You may comprise in such a shape. According to the second embodiment, the line shape of the predetermined cutting line 20a can be a desired line shape according to the wiring pattern, and the stress is released to the cutting line 20a even by the planar configuration of the wiring layer 40. And the curvature of the multilayer wiring board 100a can be reduced.

図4は、本発明を適用した実施例3に係る多層配線基板100bの電源プレーン及び/又はグランドプレーン10bが形成された配線層40bの平面構成図である。   FIG. 4 is a plan configuration diagram of a wiring layer 40b formed with a power plane and / or a ground plane 10b of a multilayer wiring board 100b according to a third embodiment to which the present invention is applied.

図4において、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10bが、4つの切断ライン20bにより4つの電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片40bに分割されている点では、実施例1及び実施例2と同様であるが、切断ライン20bが、中央部30から配線層40を形成する4辺の中点に延在している点で、実施例1及び実施例2とは異なっている。   In FIG. 4, the power plane and / or ground plane 10b is divided into four power plane pieces and / or ground plane pieces 40b by four cutting lines 20b, which is the same as in the first and second embodiments. However, the cutting line 20 b is different from the first and second embodiments in that the cutting line 20 b extends from the central portion 30 to the midpoint of the four sides forming the wiring layer 40.

このように、切断ライン20bは、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10bを、4つの長方形の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11bに分割するラインであってもよい。この場合も、切断ライン20bは隣接する電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11bを線対称に分割するラインとなっており、かつ4つの電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片10bは総て合同である。従って、個々の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片10bに加わる応力は等しくなり、切断ライン40bに逃げる応力も総て左右等しくなりバランスするので、多層配線基板100bの反りを適切に抑制することができる。   Thus, the cutting line 20b may be a line that divides the power plane and / or the ground plane 10b into four rectangular power plane pieces and / or ground plane pieces 11b. Also in this case, the cutting line 20b is a line that divides the adjacent power plane pieces and / or ground plane pieces 11b symmetrically, and the four power plane pieces and / or ground plane pieces 10b are all congruent. is there. Therefore, the stress applied to each power plane piece and / or ground plane piece 10b is equal, and the stresses escaping to the cutting line 40b are all equal and balanced, so that the warpage of the multilayer wiring board 100b can be appropriately suppressed. it can.

図5は、本発明を適用した実施例4に係る多層配線基板100cの電源プレーン及び/又はグランドプレーン10cが形成された配線層40cの平面構成図である。   FIG. 5 is a plan configuration diagram of a wiring layer 40c formed with a power plane and / or a ground plane 10c of a multilayer wiring board 100c according to a fourth embodiment to which the present invention is applied.

図5において、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10cが、8本の切断ライン20cにより切断され、8つの電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11cに分割されている点で、実施例1〜3とは異なっている。このように、切断ライン20cの数を増やし、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10cをより多くの電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11cに分割するようにしても良い。個々の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11cの大きさを小さくできるので、個々の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11cに加わる応力及び変形の大きさを更に小さくすることができる。また、応力の逃げ道となる切断ライン20cの数が増加するので、熱ストレスの開放がより細かな単位で行うことができ、多層配線基板100cの全体の反り量を減少させることができる。   In FIG. 5, the power plane and / or ground plane 10c is cut by eight cutting lines 20c, and is divided into eight power plane pieces and / or ground plane pieces 11c. Is different. Thus, the number of cutting lines 20c may be increased, and the power plane and / or ground plane 10c may be divided into more power plane pieces and / or ground plane pieces 11c. Since the size of each power plane piece and / or ground plane piece 11c can be reduced, the magnitude of stress and deformation applied to each power plane piece and / or ground plane piece 11c can be further reduced. Further, since the number of cutting lines 20c serving as stress escape paths increases, the thermal stress can be released in finer units, and the overall warpage amount of the multilayer wiring board 100c can be reduced.

なお、図5において、切断ライン20cは、実施例1で示した中央部30から配線層40の4隅に延在する切断ライン20と、実施例3で示した中央部30から配線層40の4辺の中点に延在する切断ライン20bとの組み合わせとなっている。このように、総ての切断ライン20cは同一でなくてもよく、複数のライン形状の組み合わせであってもよい。所望の切断ライン20、20bを組み合わせることにより、用途に応じて適切な電源プレーン及び/又はグランドプレーン10cの配線パターンを構成することができる。   In FIG. 5, the cutting line 20 c includes the cutting line 20 extending from the central portion 30 shown in the first embodiment to the four corners of the wiring layer 40 and the cutting portion 20 extending from the central portion 30 shown in the third embodiment. It is a combination with a cutting line 20b extending to the midpoint of the four sides. Thus, all the cutting lines 20c may not be the same, and may be a combination of a plurality of line shapes. By combining the desired cutting lines 20 and 20b, it is possible to configure a wiring pattern of an appropriate power plane and / or ground plane 10c according to the application.

また、図5において、所定の切断ライン20cは、総て隣接する電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11cを線対称に分割しており、個々の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11cは総て合同な形状となっている。これにより、切断ライン20cに向かう応力を、切断ライン20cの両側で等しくすることができ、多層配線基板100cの反りをバランスよく均等に抑制することができる。   In FIG. 5, the predetermined cutting lines 20 c divide all adjacent power plane pieces and / or ground plane pieces 11 c in line symmetry, and the individual power plane pieces and / or ground plane pieces 11 c are totally divided. And have a congruent shape. Thereby, the stress which goes to the cutting line 20c can be made equal on both sides of the cutting line 20c, and the curvature of the multilayer wiring board 100c can be suppressed equally in a balanced manner.

このように、実施例1〜4で説明したように、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10、10a〜10c及び所定の切断ライン20、20a〜20cは、用途に応じて種々の態様を適用することが可能である。また、実施例1〜4においては、電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11、11a〜11cが合同となる態様を説明したが、これに制限されることはなく、これも用途に応じて種々の態様を適用してよい。例えば、電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11、11a〜11cは、異なる形状や大きさの電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11、11a〜11cを含んでもよい。また、配線層40、40a〜40cは、必ずしも電源プレーン及び/又はグランドプレーン10、10a〜10cのみで形成される必要は無く、他に信号用の配線パターン等が形成されている部分を含んでもよい。   Thus, as described in the first to fourth embodiments, the power plane and / or the ground planes 10, 10a to 10c and the predetermined cutting lines 20, 20a to 20c apply various modes depending on the application. Is possible. In the first to fourth embodiments, the mode in which the power plane pieces and / or the ground plane pieces 11 and 11a to 11c are congruent has been described. The embodiment may be applied. For example, the power plane pieces and / or ground plane pieces 11, 11a to 11c may include power plane pieces and / or ground plane pieces 11, 11a to 11c having different shapes and sizes. Further, the wiring layers 40 and 40a to 40c are not necessarily formed only by the power plane and / or the ground planes 10, 10a to 10c, and may include portions where signal wiring patterns and the like are formed. Good.

また、実施例1〜4に係る多層配線基板100、100a〜100cは、反りの問題を生じ易いコアレスの多層配線基板に適用するのが最適であるが、コア基板を有する多層配線基板であっても、好適に適用可能である。本発明は、コア基板を有しないコアレスの多層配線基板のみならず、コア基板を有する多層配線基板にも好適に適用することができる。   In addition, the multilayer wiring boards 100 and 100a to 100c according to the first to fourth embodiments are optimally applied to a coreless multilayer wiring board that easily causes warpage problems, but are multilayer wiring boards having a core board. Is also preferably applicable. The present invention can be suitably applied not only to a coreless multilayer wiring board having no core substrate but also to a multilayer wiring board having a core substrate.

図6は、本発明を適用した実施例5に係る多層配線基板100dを説明するための図である。実施例5においては、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10d、10eが形成された配線層40d、40eを含む多層配線基板100dの断面構成の例について説明する。   FIG. 6 is a diagram for explaining a multilayer wiring board 100d according to a fifth embodiment to which the present invention is applied. In the fifth embodiment, an example of a cross-sectional configuration of a multilayer wiring board 100d including wiring layers 40d and 40e on which power planes and / or ground planes 10d and 10e are formed will be described.

図6(a)は、実施例5に係る多層配線基板100dの断面構成を示した図である。図6(a)において、多層配線基板100dは、表面に半導体素子搭載用の端子パッド60を備え、反対面には、外部端子接続用の端子パッド61を備えており、半導体パッケージとして構成されている。また、多層配線基板100dの半導体素子搭載面の端子パッド60以外の部分は、ソルダレジスト70で覆われており、同様に、外部端子接続面の端子パッド61以外の部分も、ソルダレジスト71で覆われている。   FIG. 6A is a diagram illustrating a cross-sectional configuration of a multilayer wiring board 100d according to the fifth embodiment. In FIG. 6A, the multilayer wiring board 100d has a terminal pad 60 for mounting a semiconductor element on the surface and a terminal pad 61 for connecting an external terminal on the opposite surface, and is configured as a semiconductor package. Yes. Further, the portion other than the terminal pads 60 on the semiconductor element mounting surface of the multilayer wiring board 100d is covered with the solder resist 70, and similarly, the portions other than the terminal pads 61 on the external terminal connection surface are also covered with the solder resist 71. It has been broken.

半導体素子搭載用の端子パッド60には、プリソルダ80が形成され、半導体素子90の電極端子に形成されたバンプ91と半田接合され、半導体素子90が多層配線基板100dに搭載されている。半導体素子90と多層配線基板100dとの間には、アンダーフィル樹脂95が充填されている。一方、多層配線基板100dの反対面の外部端子接続用の端子パッド61には、外部接続端子として半田ボール81が形成され、マザーボード等に接続可能に構成されている。なお、半田ボール81は、半田バンプであってもよいし、ピンやランド形状であってもよい。   A pre-solder 80 is formed on the terminal pad 60 for mounting the semiconductor element and soldered to the bump 91 formed on the electrode terminal of the semiconductor element 90, and the semiconductor element 90 is mounted on the multilayer wiring board 100d. An underfill resin 95 is filled between the semiconductor element 90 and the multilayer wiring board 100d. On the other hand, solder balls 81 are formed as external connection terminals on the terminal pads 61 for external terminal connection on the opposite surface of the multilayer wiring board 100d, and are configured to be connectable to a mother board or the like. The solder ball 81 may be a solder bump, a pin or a land shape.

本実施例に係る多層配線基板100dは、このような半導体パッケージとして適用されてもよい。次に、多層配線基板100dの多層配線構造について説明する。   The multilayer wiring board 100d according to the present embodiment may be applied as such a semiconductor package. Next, the multilayer wiring structure of the multilayer wiring board 100d will be described.

図6において、半導体素子搭載用の端子パッド60の下層には、第1層目絶縁層50が形成されており、第1層目絶縁層50の端子パッド60の直下には、ビア55が形成され、金属が充填されている。そして、ビア55を充填した金属と同一層に、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10dが形成された配線層40dが形成されている。   In FIG. 6, a first insulating layer 50 is formed below the terminal pad 60 for mounting a semiconductor element, and a via 55 is formed immediately below the terminal pad 60 of the first insulating layer 50. And filled with metal. A wiring layer 40d in which a power plane and / or a ground plane 10d is formed in the same layer as the metal filled with the via 55 is formed.

また、配線層40dは、第2層目絶縁層51で覆われるとともに、配線層40dと電気的接続を図るためのビア56が第2層目絶縁層51の配線層40dの直下に形成され、これに金属が充填されて形成された金属層と同一層に、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10eが形成された配線層40eが形成されている。そして、配線層40eは、第3層目絶縁層52に覆われ、第3層目絶縁層52に形成されたビア57により、外部端子接続用の端子パッド61との電気的接続がなされている。また、ビア56及びビア57を通すため、配線層40eには、開口31が形成されている。   The wiring layer 40d is covered with the second insulating layer 51, and a via 56 for electrical connection with the wiring layer 40d is formed immediately below the wiring layer 40d of the second insulating layer 51. A wiring layer 40e in which a power plane and / or a ground plane 10e is formed is formed in the same layer as the metal layer formed by filling the metal. The wiring layer 40e is covered with the third insulating layer 52, and is electrically connected to the terminal pads 61 for connecting external terminals by vias 57 formed in the third insulating layer 52. . In addition, an opening 31 is formed in the wiring layer 40e for passing the via 56 and the via 57.

このように、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10d、10eは、多層配線基板100dの基板内層に設けるようにしてよい。多層配線基板100dの反りの発生は、上述のように金属と樹脂との熱膨張率の相違で生じるが、多層配線基板100dの基板内層に金属のベタ膜のパターンが存在する方が、多層配線基板100dの厚み方向(積層方向)での対称性が良くなるため、基板の反りを低減することができる。   As described above, the power and / or ground planes 10d and 10e may be provided in the inner layer of the multilayer wiring board 100d. The occurrence of warpage of the multilayer wiring board 100d is caused by the difference in the thermal expansion coefficient between the metal and the resin as described above. However, when the pattern of the solid metal film is present in the inner layer of the multilayer wiring board 100d, the multilayer wiring Since the symmetry in the thickness direction (stacking direction) of the substrate 100d is improved, the warpage of the substrate can be reduced.

なお、本実施例においては、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10d、10eを有する配線層40d、40eが2層設けられている例について説明さたが、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10d、10eが形成された配線層40d、40eは、1層であっても、複数層であってもよい。多層配線基板100dの用途と態様により、電源プレーン及びグランドプレーン10d、10eを有する配線層40d、40eは、種々の態様とすることができる。   In the present embodiment, an example in which two wiring layers 40d and 40e having power planes and / or ground planes 10d and 10e are provided has been described. However, power planes and / or ground planes 10d and 10e are provided. The formed wiring layers 40d and 40e may be a single layer or a plurality of layers. The wiring layers 40d and 40e having the power planes and the ground planes 10d and 10e can be in various modes depending on the use and mode of the multilayer wiring board 100d.

次に、本実施例に係る多層配線基板100dの電源プレーン及び/又はグランドプレーン10d、10eが形成された配線層40d、40eの平面構成例について説明する。   Next, a planar configuration example of the wiring layers 40d and 40e formed with the power plane and / or the ground planes 10d and 10e of the multilayer wiring board 100d according to the present embodiment will be described.

図6(b)は、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10dが形成された配線層40dの平面構成例を示した図である。図6(b)において、配線層40dは、中央部30の周囲を囲む電源プレーン及び/又はグランドプレーン10dを有しており、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10dは、配線層40dの対角線上にある4本の切断ライン20dにより4個の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11dに分割されている。   FIG. 6B is a diagram illustrating a planar configuration example of the wiring layer 40d on which the power plane and / or the ground plane 10d is formed. In FIG. 6B, the wiring layer 40d has a power plane and / or a ground plane 10d surrounding the periphery of the central portion 30, and the power plane and / or the ground plane 10d is on a diagonal line of the wiring layer 40d. It is divided into four power plane pieces and / or ground plane pieces 11d by four cutting lines 20d.

このように構成することにより、配線層40dと上下の絶縁層50、51との間で熱膨張係数が異なっていても、発生する応力を逃がして多層配線基板10dの反りを低減することができる。   With this configuration, even if the thermal expansion coefficient is different between the wiring layer 40d and the upper and lower insulating layers 50 and 51, the generated stress can be released and the warpage of the multilayer wiring board 10d can be reduced. .

図6(c)は、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10eが形成された配線層40eの平面構成例を示した図である。配線層40eにおいては、ビア56が形成される複数の開口31の周囲の各々を囲むように、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10eが形成されている。そして、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10eは、配線層40eの対角線上に形成された2本の切断ライン20eにより、4個の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11eに分割されている。   FIG. 6C is a diagram illustrating a planar configuration example of the wiring layer 40e on which the power plane and / or the ground plane 10e is formed. In the wiring layer 40e, a power plane and / or a ground plane 10e is formed so as to surround each of the periphery of the plurality of openings 31 in which the vias 56 are formed. The power plane and / or ground plane 10e is divided into four power plane pieces and / or ground plane pieces 11e by two cutting lines 20e formed on the diagonal line of the wiring layer 40e.

このように、配線層40eの平面構成は、中央部30が開いた場合だけではなく、複数のビア56の周囲に開口31が複数設けられた態様の場合もあり得るが、このような態様の配線層40eにおいても、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10eを所定の切断ライン20eで切断することにより、小さな面積の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11eに分割し、多層配線基板100dの反りを低減することができる。   As described above, the planar configuration of the wiring layer 40e is not limited to the case where the central portion 30 is opened, but may be a mode in which a plurality of openings 31 are provided around the plurality of vias 56. Also in the wiring layer 40e, the power plane and / or the ground plane 10e is cut by a predetermined cutting line 20e, so that the wiring plane 40e is divided into a power plane piece and / or a ground plane piece 11e having a small area, and warping of the multilayer wiring board 100d is performed. Can be reduced.

また、上述のように、実施例5においては、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10d、10eが形成された配線層40d、40eは、ともに多層配線基板100dの内層に厚み方向に略対称に配置されているので、多層配線基板100dの反りは、効果的に相殺される。   As described above, in the fifth embodiment, the wiring layers 40d and 40e on which the power planes and / or the ground planes 10d and 10e are formed are both arranged substantially symmetrically in the thickness direction on the inner layer of the multilayer wiring board 100d. Therefore, the warp of the multilayer wiring board 100d is effectively offset.

なお、実施例5において、電源プレーン及び/又はグランドプレーン10d、10eが形成された配線層40d、40eは、一方の配線層40d、40eが電源プレーン層として用いられ、他方の配線層40d、40eがグランドプレーン層として用いられるように構成してもよいし、電源プレーンと電源プレーンが混在した配線層40d、40eとして形成されてもよい。その組み合わせは、用途に応じて種々の態様とすることができる。   In the fifth embodiment, the wiring layers 40d and 40e on which the power plane and / or the ground planes 10d and 10e are formed use one wiring layer 40d and 40e as a power plane layer and the other wiring layers 40d and 40e. May be used as a ground plane layer, or may be formed as wiring layers 40d and 40e in which a power plane and a power plane are mixed. The combination can be in various modes depending on the application.

また、実施例5において、配線層40d、40e以外に配線層を設けていないが、他の配線層を設け、これとビアを用いて、同一配線層40e、40d内に形成された電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11d、11e同士の電気的接続を図るようにしてもよい。例えば、配線層40dの4個の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11dの総てを同一電位に接続したい場合には、ビアと他の配線層を介してこれらを接続するようにしてもよい。   In the fifth embodiment, no wiring layer is provided in addition to the wiring layers 40d and 40e, but another wiring layer is provided and a power plane piece formed in the same wiring layer 40e and 40d using this and a via. And / or the electrical connection between the ground plane pieces 11d and 11e may be achieved. For example, when it is desired to connect all four power plane pieces and / or ground plane pieces 11d of the wiring layer 40d to the same potential, they may be connected via vias and other wiring layers. .

また、同一配線層40d、40e上に形成された複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11d、11eのうち、任意の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11d、11e同士で電気的接続を図りたい場合には、電気的接続を図りたい電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11d、11eの間の切断ライン20d、20eの一部を未切断として残しておき、電気的接続を図るようにしてもよい。   In addition, among the plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces 11d and 11e formed on the same wiring layer 40d and 40e, any power supply plane piece and / or ground plane pieces 11d and 11e are electrically connected. In order to achieve electrical connection, leave a part of the cut lines 20d, 20e between the power plane piece and / or the ground plane pieces 11d, 11e to be electrically connected, so as to make electrical connection. May be.

このように、本来はベタ膜である電源プレーン及び/又はグランドプレーン10d、10eを面積の小さい複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片11d、11eに分割するとともに、これらを電気的に接続する電気接続手段を設けることにより、従来のままの電気的接続関係は維持しつつ、多層配線基板100dの反りを抑制した構成とすることができる。   As described above, the power plane and / or the ground planes 10d and 10e, which are originally solid films, are divided into a plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces 11d and 11e having a small area, and these are electrically connected. By providing the electrical connection means, it is possible to obtain a configuration in which warpage of the multilayer wiring board 100d is suppressed while maintaining the conventional electrical connection relationship.

なお、実施例5における電気的接続の説明は、今まで説明した実施例1〜4の多層配線基板100、100a〜100cに総て適用することができる。   In addition, description of the electrical connection in Example 5 can be applied to the multilayer wiring boards 100 and 100a to 100c of Examples 1 to 4 described so far.

また、実施例1〜4に係る配線層40、40a〜40cの平面構成も、総て実施例5に係る多層配線基板100dの断面構成に適用してよい。   The planar configurations of the wiring layers 40 and 40a to 40c according to the first to fourth embodiments may also be applied to the cross-sectional configuration of the multilayer wiring board 100d according to the fifth embodiment.

図7は、本発明を適用した実施例6に係る大判基板200を説明するための図面である。図7(a)は、実施例6に係る大判基板200を示した平面構成図である。大判基板200は、複数の多層配線基板100eの集合体であって、大判状の基板200に、個々の多層配線基板100eとなる配線層が形成された集合基板である。   FIG. 7 is a view for explaining a large substrate 200 according to a sixth embodiment to which the present invention is applied. FIG. 7A is a plan view showing a large-sized substrate 200 according to the sixth embodiment. The large size substrate 200 is an aggregate of a plurality of multilayer wiring substrates 100e, and is an aggregate substrate in which wiring layers to be the individual multilayer wiring substrates 100e are formed on the large size substrate 200.

実施例1〜5において説明した多層配線基板100、100a〜100dの製造においては、このような大判状の基板200上に個々の多層配線基板100、100a〜100dとなる配線層を形成し、最後に大判状の基板200を切断し、個々の多層配線基板100、100a〜100dを得ている場合がある。実施例6においては、このような製造方法による場合に、本発明を大判基板200に適用する例について説明する。なお、大判基板200に適用される個々の多層配線基板は、種々の態様が適用可能であるので、以後統一的に、多層配線基板100eと参照符号を付することとする。   In the manufacture of the multilayer wiring boards 100 and 100a to 100d described in the first to fifth embodiments, the wiring layers to be the individual multilayer wiring boards 100 and 100a to 100d are formed on the large-sized substrate 200, and finally In some cases, the large-sized substrate 200 is cut to obtain individual multilayer wiring boards 100, 100a to 100d. In the sixth embodiment, an example in which the present invention is applied to the large format substrate 200 in the case of such a manufacturing method will be described. In addition, since various aspects can be applied to each multilayer wiring board applied to the large-sized board 200, the multilayer wiring board 100e and the reference numeral will be collectively referred to hereinafter.

図7(a)において、大判基板200は、中央の多層配線基板100eが形成されている部分と、これを外側から枠状に支持する枠部110を有する。個々の多層配線基板100eは、例えば半導体素子搭載用の半導体パッケージであってもよく、その配線構造部分には、電源プレーン及び/又はグランドプレーンを含む配線層が形成されている。また、枠部110は、個々の多層配線基板100eを外側から支持する支持体である。このような大判基板200において、個々の多層配線基板100eの配線層中に電源プレーン及び/又はグランドプレーンを形成する場合、枠部110に金属部材が被着されたベタ状の配線パターンが形成される。   In FIG. 7A, a large substrate 200 has a portion where a central multilayer wiring substrate 100e is formed, and a frame portion 110 that supports this from the outside in a frame shape. The individual multilayer wiring board 100e may be, for example, a semiconductor package for mounting a semiconductor element, and a wiring layer including a power plane and / or a ground plane is formed in the wiring structure portion. The frame 110 is a support that supports each multilayer wiring board 100e from the outside. In such a large substrate 200, when a power plane and / or a ground plane is formed in the wiring layer of each multilayer wiring substrate 100e, a solid wiring pattern in which a metal member is attached to the frame portion 110 is formed. The

図7(b)は、大判基板200の枠部110の表面に金属部材が被着し、ベタ状の配線パターンが形成された状態を示した図である。図7(b)のように、大判基板200の枠部110のベタ状の配線パターンが形成されたまま多層配線基板100eを製造してゆくと、樹脂と金属の熱膨張係数の差により、製造中に大判基板200が反りを生じてしまう。   FIG. 7B is a diagram showing a state in which a metal member is deposited on the surface of the frame portion 110 of the large-sized substrate 200 and a solid wiring pattern is formed. As shown in FIG. 7B, when the multilayer wiring board 100e is manufactured while the solid wiring pattern of the frame portion 110 of the large-sized board 200 is formed, the manufacturing is performed due to the difference in the thermal expansion coefficient between the resin and the metal. The large substrate 200 is warped inside.

そこで、本実施例に係る大判基板200は、図7(a)に示すように、大判基板200の周囲に配置された枠部110に切断ライン120によるスリットを設け、応力を緩和するようにしている。   Therefore, as shown in FIG. 7A, the large substrate 200 according to the present embodiment is provided with slits by the cutting line 120 in the frame portion 110 arranged around the large substrate 200 so as to relieve stress. Yes.

つまり、図7(a)においては、大判基板200の外枠を形成する外側の枠部110に、所定の切断ライン120を形成している。本実施例に係る大判基板200においては、かかる枠部110に、各多層配線基板100eの縦横の配列ラインを外側に延長するように、縦横の配列ラインの延長線上に切断ライン120を入れている。なお、縦横の配列ラインは、個々の多層配線基板100eの四辺を延長したものと考えてもよい。   That is, in FIG. 7A, a predetermined cutting line 120 is formed in the outer frame portion 110 that forms the outer frame of the large-sized substrate 200. In the large-sized substrate 200 according to the present embodiment, the cutting line 120 is provided on the extended portion of the vertical and horizontal array lines in the frame portion 110 so as to extend the vertical and horizontal array lines of each multilayer wiring substrate 100e outward. . The vertical and horizontal array lines may be considered as extending four sides of each multilayer wiring board 100e.

これにより、大判基板200の製造中に熱膨張係数の差により変形が生じても、これに起因する応力は切断ライン120に逃げて開放され、大判基板200全体の反りを抑制することができる。   As a result, even if deformation occurs due to the difference in thermal expansion coefficient during the manufacture of the large substrate 200, the stress caused by this escapes to the cutting line 120 and is released, so that warpage of the entire large substrate 200 can be suppressed.

なお、本実施例においては、切断ライン120は、多層配線基板100eの縦横の配列ラインの延長線上に設けているが、これにより、応力の開放位置が、各多層配線基板100eに最も影響が少ない位置となる。つまり、各多層配線基板100eの辺の途中ではなく、多層配線基板100eが隣接する切れ目に応力の逃げ道ができるので、多層配線基板100e自体には応力が加わり難くなる。   In the present embodiment, the cutting line 120 is provided on an extension line of the vertical and horizontal array lines of the multilayer wiring board 100e, so that the stress release position has the least influence on each multilayer wiring board 100e. Position. In other words, stress can be escaped not only in the middle of the side of each multilayer wiring board 100e but also in the notch where the multilayer wiring board 100e is adjacent, so that it is difficult to apply stress to the multilayer wiring board 100e itself.

但し、切断ライン120の位置は、本実施例に限定されるものではなく、態様に応じて、適切な位置に設けるようにしてよい。   However, the position of the cutting line 120 is not limited to the present embodiment, and may be provided at an appropriate position depending on the mode.

なお、大判基板200の中央に形成された個々の多層配線基板100eの電源プレーン及び/又はグランドプレーンには、例えば実施例1〜4において説明したような、スリット状の切断ライン20、20a〜20eが形成されていてよい。また、この場合、大判基板200の枠部110への切断ライン120の形成は、個別の多層配線基板100eの配線層に設けられた電源プレーン及び/又はグランドプレーンに切断ライン20、20a〜20eを設ける際に同時に行ってもよい。   For example, the slit-like cutting lines 20 and 20a to 20e as described in the first to fourth embodiments are provided on the power plane and / or the ground plane of each multilayer wiring board 100e formed at the center of the large-sized substrate 200. May be formed. In this case, the cutting line 120 is formed on the frame portion 110 of the large-sized substrate 200 by connecting the cutting lines 20, 20a to 20e to the power plane and / or the ground plane provided in the wiring layer of the individual multilayer wiring board 100e. You may carry out simultaneously when providing.

図8は、大判基板200を、短冊状に切断した状態を示した図である。図8(a)は、実施例6に係る大判基板200を、短冊状に切断した状態を示した短冊状基板150を示した平面構成図である。一例として、図8(a)に示した短冊状基板150の状態で、半導体素子90の実装を行い、その後、個々の多層配線基板100eに切断し、半導体パッケージが完成する。   FIG. 8 is a view showing a state in which the large substrate 200 is cut into a strip shape. FIG. 8A is a plan configuration diagram showing a strip-shaped substrate 150 in which the large-sized substrate 200 according to the sixth embodiment is cut into strips. As an example, the semiconductor element 90 is mounted in the state of the strip-shaped substrate 150 shown in FIG. 8A, and then cut into individual multilayer wiring boards 100e to complete the semiconductor package.

図8(b)は、枠部110がベタ状の配線パターンに形成された短冊状基板150aを示した図である。この状態で、個々の多層配線基板100eに対して半導体素子90の実装を行うと、実装時の加熱により短冊状基板150aが反ってしまい、半導体素子90の実装が良好に実施できない。   FIG. 8B is a diagram showing a strip-shaped substrate 150a in which the frame part 110 is formed in a solid wiring pattern. If the semiconductor element 90 is mounted on each multilayer wiring board 100e in this state, the strip-shaped substrate 150a is warped by heating during mounting, and the semiconductor element 90 cannot be mounted satisfactorily.

一方、図8(a)は、本実施例に係る短冊状基板150を示した平面構成図であるが、枠部110に切断ライン120が入っているため、応力を逃がすことができ、半導体素子90の実装を良好に行える。そして、半導体素子90実装後は、個々の多層配線基板100eに切断し、半導体素子90の実装が良好になされた半導体パッケージとすることができる。   On the other hand, FIG. 8A is a plan view showing the strip-shaped substrate 150 according to the present embodiment. Since the cutting line 120 is included in the frame portion 110, the stress can be released, and the semiconductor element 90 can be mounted satisfactorily. Then, after mounting the semiconductor element 90, the semiconductor package can be cut into individual multilayer wiring boards 100e to obtain a semiconductor package in which the semiconductor element 90 is well mounted.

このように、本発明は、個々の多層配線基板100、100a〜100eのみならず、大判基板200及び短冊状基板150にも好適に適用可能である。   As described above, the present invention can be suitably applied not only to the individual multilayer wiring boards 100 and 100a to 100e but also to the large-sized board 200 and the strip-shaped board 150.

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions can be made to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention. Can be added.

実施例1に係る多層配線基板100の配線層40の平面構成図である。1 is a plan configuration diagram of a wiring layer 40 of a multilayer wiring board 100 according to Example 1. FIG. 図1に係る配線層40及び絶縁層50をA−A'断面で切った断面構成図である。図2(a)は、多層配線基板100製造中の状態を示した断面図である。図2(b)は、反りが生じた状態の多層配線基板100の断面図である。It is the cross-sectional block diagram which cut the wiring layer 40 and the insulating layer 50 which concern on FIG. 1 in the AA 'cross section. FIG. 2A is a cross-sectional view showing a state in which the multilayer wiring board 100 is being manufactured. FIG. 2B is a cross-sectional view of the multilayer wiring board 100 in a state where warpage has occurred. 実施例2に係る多層配線基板100aの配線層40aの平面構成図である。6 is a plan configuration diagram of a wiring layer 40a of a multilayer wiring board 100a according to Example 2. FIG. 実施例3に係る多層配線基板100bの配線層40bの平面構成図である。FIG. 6 is a plan configuration diagram of a wiring layer 40b of a multilayer wiring board 100b according to a third embodiment. 実施例4に係る多層配線基板100cの配線層40cの平面構成図である。FIG. 6 is a plan configuration diagram of a wiring layer 40c of a multilayer wiring board 100c according to a fourth embodiment. 実施例5に係る多層配線基板100dの説明図である。図6(a)は、実施例5に係る多層配線基板100dの断面構成図である。図6(b)は、配線層40dの平面構成図である。図6(c)は、配線層40eの平面構成図である。It is explanatory drawing of the multilayer wiring board 100d which concerns on Example 5. FIG. FIG. 6A is a cross-sectional configuration diagram of a multilayer wiring board 100d according to the fifth embodiment. FIG. 6B is a plan view of the wiring layer 40d. FIG. 6C is a plan configuration diagram of the wiring layer 40e. 実施例6に係る大判基板200を説明するための図面である。図7(a)は、実施例6に係る大判基板200を示した平面構成図である。図7(b)は、大判基板200の枠部110にベタ状の配線パターンが形成された状態を示した図である。10 is a diagram for explaining a large-sized substrate 200 according to Example 6; FIG. 7A is a plan view showing a large-sized substrate 200 according to the sixth embodiment. FIG. 7B is a diagram illustrating a state in which a solid wiring pattern is formed on the frame portion 110 of the large substrate 200. 大判基板200を、短冊状に切断した状態を示した図である。図8(a)は、実施例6に係る大判基板200を、短冊状に切断した短冊状基板150を示した平面構成図である。図8(b)は、枠部110がベタ状の配線パターンに形成された短冊状基板150aを示した図である。It is the figure which showed the state which cut | disconnected the large format board | substrate 200 in strip shape. FIG. 8A is a plan configuration diagram showing a strip-shaped substrate 150 obtained by cutting the large substrate 200 according to the sixth embodiment into a strip shape. FIG. 8B is a diagram showing a strip-shaped substrate 150a in which the frame part 110 is formed in a solid wiring pattern. 従来の多層配線基板300の配線層240の平面構成図である。It is a plane block diagram of the wiring layer 240 of the conventional multilayer wiring board 300. 従来の配線基板300の配線層240と絶縁層250の断面構成図である。図10(a)は、配線基板300製造時の配線層240及び絶縁層250の断面構成図である。図10(b)は、温度が下がった状態の配線層240及び絶縁層250の断面構成図である。It is a cross-sectional block diagram of the wiring layer 240 and the insulating layer 250 of the conventional wiring board 300. FIG. 10A is a cross-sectional configuration diagram of the wiring layer 240 and the insulating layer 250 when the wiring board 300 is manufactured. FIG. 10B is a cross-sectional configuration diagram of the wiring layer 240 and the insulating layer 250 in a state where the temperature is lowered.

符号の説明Explanation of symbols

10、10a〜10e 電源プレーン、グランドプレーン
11、11a〜11e 電源プレーン片、グランドプレーン片
20、20a〜20e、120 切断ライン
30 中央部
31 開口部
40、40a〜40e 配線層
50、51、52 絶縁層
55、56、57 ビア
60、61 端子パッド
70、71 ソルダレジスト
80 プリソルダ
81 半田ボール
90 半導体素子
91 バンプ
95 アンダーフィル樹脂
100、100a〜100e 多層配線基板
110 枠部
150 短冊状基板
200 大判基板
10, 10a to 10e Power plane, ground plane 11, 11a to 11e Power plane piece, ground plane piece 20, 20a to 20e, 120 Cutting line 30 Center part 31 Opening part 40, 40a to 40e Wiring layer 50, 51, 52 Insulation Layer 55, 56, 57 Via 60, 61 Terminal pad 70, 71 Solder resist 80 Pre-solder 81 Solder ball 90 Semiconductor element 91 Bump 95 Underfill resin 100, 100a to 100e Multilayer wiring board 110 Frame part 150 Strip board 200 Large format board

Claims (9)

電源プレーン及び/又はグランドプレーンが形成された配線層を含む多層配線基板であって、
前記電源プレーン及び/又は前記グランドプレーンは、所定の切断ラインで切断され、複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片に分割されていることを特徴とする多層配線基板。
A multilayer wiring board including a wiring layer in which a power plane and / or a ground plane is formed,
The multilayer wiring board, wherein the power plane and / or the ground plane is cut along a predetermined cutting line and divided into a plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces.
前記所定の切断ラインは、前記配線層の中心から外側に延在する放射状のラインであることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the predetermined cutting line is a radial line extending outward from the center of the wiring layer. 前記所定の切断ラインは、隣接する前記電源プレーン片及び/又は前記グランドプレーン片を略線対称に分割するラインを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の多層配線基板。   3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the predetermined cutting line includes a line that divides the adjacent power plane piece and / or the ground plane piece into substantially line symmetry. 4. 前記複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片は、略合同であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces are substantially congruent. 前記複数の電源プレーン片及び/又はグランドプレーン片のうち、所定の電源プレーン片同士及び/又はグランドプレーン片同士を電気的に接続する電気接続手段を更に有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の多層配線基板。   5. The apparatus further comprises electrical connection means for electrically connecting predetermined power plane pieces and / or ground plane pieces among the plurality of power plane pieces and / or ground plane pieces. The multilayer wiring board according to any one of the above. 前記電気接続手段は、前記切断ラインの一部を未切断として形成した配線パターンであることを特徴とする請求項5に記載の多層配線基板。   6. The multilayer wiring board according to claim 5, wherein the electrical connection means is a wiring pattern formed by cutting a part of the cutting line. 前記電気接続手段は、前記配線層とは異なる配線層を含むことを特徴とする請求項5又は6に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 5, wherein the electrical connection means includes a wiring layer different from the wiring layer. 配列された複数の多層配線基板と、該複数の多層配線基板を囲む枠部を備えた基板であって、
該枠部の表面には金属部材が被着されており、
該金属部材は、所定の切断ラインにより切断されて分割されていることを特徴とする基板。
A plurality of multilayer wiring boards arranged, and a board having a frame portion surrounding the plurality of multilayer wiring boards,
A metal member is attached to the surface of the frame portion,
The metal member is cut and divided by a predetermined cutting line.
前記所定の切断ラインは、前記基板の配列ラインを外側に延長したものであることを特徴とする請求項8に記載の基板。   9. The substrate according to claim 8, wherein the predetermined cutting line is an extension of an array line of the substrate.
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