JP2009071237A - インダクタタンス素子、その製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】熱収縮チューブを用いて、磁心の絶縁と、リード部および磁心の固定と、磁心の確実な被覆とを行え、製造歩留が高いインダクタンス素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係るインダクタンス素子１は、リード挿通孔１２が設けられたドーナツ型磁心１０と、ドーナツ型磁心１０のリード挿通孔１２に挿通され、ドーナツ型磁心１０の両端側に屈曲部１７、１８が設けられた導電性のリード１５と、ドーナツ型磁心１０を収容した第１の熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる第１の収縮後絶縁部材２５と、第１の収縮後絶縁部材２５で被覆されたドーナツ型磁心１０を収容した第２の熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる第２の収縮後絶縁部材３５とを備え、第１および第２の熱収縮絶縁チューブのうち、一方は軸方向がドーナツ型磁心１０の軸方向に略一致する軸方向チューブであり、他方は軸方向がドーナツ型磁心１０の径方向に略一致する径方向チューブである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、主に電子機器に搭載されるスィッチング電源等に用いられるインダクタンス素子およびこれを用いた電子機器の技術に関し、特に半導体素子のノイズ抑制・保護に用いられるインダクタンス素子、その製造方法および前記インダクタンス素子を用いた電子機器に関する。

主に電子機器に搭載されるスイッチング電源には、ＦＣＣＩ（米国連邦通信委員会）等のクラス別のノイズ規制がある。電源のノイズは、様々な要因で発生するが、主に大きな電力のオンオフを行う半導体周辺で発生する。電源のノイズのうち特に高周波成分は、空中を伝わって放射ノイズとなり、各種電子機器の誤動作を招く。このため、各周波数帯にノイズの規制値が設けられている。半導体素子周辺、主にＭＯＳ−ＦＥＴやダイオードへのノイズ対策としては、従来、ＣＲスナバやフェライトビーズが用いられている。

ノイズ対策の手段は、効果とコスト、搭載スペースの兼ね合いにより使い分けられるが、ノイズ対策性能に優れた素子として、たとえば特許第２６０２８４３号公報（特許文献１）に示されるようなＣｏ系アモルファス薄帯から作製されたインダクタンス素子が知られている。

上記インダクタンス素子は、Ｃｏ系アモルファスが磁気特性に優れるためフェライトビーズよりノイズ低減効果が優れる。しかし、Ｃｏ系アモルファスはフェライト材と異なり導電性を有することから、上記インダクタンス素子には、周囲との絶縁を図るため、絶縁外装が必要になるという問題がある。

なお、上記インダクタンス素子は、トロイダルコア全体を樹脂で覆って絶縁性を向上させることができるが、この場合は樹脂が磁性薄帯の層間に侵入し、乾燥後の樹脂の収縮によりトロイダルコアに応力がかかるため、インダクタンス素子の磁気特性が低下する。

また、特開平１１−３４５７１４号公報（特許文献２）や特開２００１−３１９８１４号公報（特許文献３）には、有底型容器に磁心を挿入し蓋を固定することにより容器内に磁心を収納する発明が開示されている。これらの発明によれば、Ｃｏ系アモルファス薄帯から作製されたインダクタンス素子は、樹脂の収縮の問題が無くなり、磁気特性の低下を抑制することができる。

しかし、特許文献２や特許文献３に開示された発明のように蓋付きの容器を用いる場合は、蓋部と容器本体を製造する金型が別々に必要になるため設備・製造コストの負担が大きい上、蓋部の取り付け工程が必要であるため量産性が低いという問題があった。たとえば、特許文献２に開示された発明では容器本体と蓋部を熱溶着等により固定する工程、特許文献３に開示された発明では本体容器に蓋部を挿入する工程がそれぞれ必要であり、蓋部を取付ける工程が必要である点で量産性が低くなる。

また、特許文献２や特許文献３に開示された発明のように容器本体に磁心を挿入する場合、小型化のため磁性薄帯と容器とのクリアランスを狭めると、容器への磁心の挿入性が悪くなり歩留低下や磁心の破損が生じたり、さらにはインダクタンスの低下を招いたりするおそれがあった。

これに対し、樹脂や容器本体や蓋を用いずにインダクタンス素子の磁心を絶縁する方法として、特開平５−２５１２４５号公報（特許文献４）、特開２０００−２５１５４５号公報（特許文献５）や特開２００２−２９９１２４号公報（特許文献６）には、熱収縮チューブを用いる方法が開示されている。
特許第２６０２８４３号公報 特開平１１−３４５７１４号公報 特開２００１−３１９８１４号公報 特開平５−２５１２４５号公報 特開２０００−２５１５４５号公報 特開２００２−２９９１２４号公報

特許文献４〜６に開示された発明は、磁心の絶縁性を保持することを目的としているため、１層の熱収縮チューブで磁心の被覆が行われている。このため、上記発明では、磁心の収納を１層の熱収縮チューブで行った場合に、リード部と磁心の固定につき別途接着剤や固定部材を用いて行う必要があった。

なお、１層の熱収縮チューブを用いて、磁心の絶縁に加えて、リード部と磁心との固定を行うことも考えられる。しかし、熱収縮チューブは、通常、熱収縮率が５０〜６０％程度であるため、リード外径に対する磁心外径の比率が大きいと、磁心とリードとを挿通した熱収縮チューブを加熱してもチューブが収縮しきらず、磁心とリードとの固定が不完全になるおそれがある。

すなわち、加熱しても熱収縮チューブの端部がリードに接触するまで収縮せず、磁心とリードとが固定されないおそれがあった。また、このように熱収縮チューブの端部の収縮が不十分で端部に隙間が生じると、インダクタンス素子の取り付け工程等で磁心が破損した場合に隙間から破損した金属片がはみ出したり、インダクタンス素子が振動したりする場合があり、他部品と電気的にショートしやすいという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、熱収縮チューブを用いて、磁心の絶縁と、リード部および磁心の固定と、磁心の確実な被覆とを行え、製造歩留が高いインダクタンス素子、その製造方法および前記インダクタンス素子を用いた電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係るインダクタンス素子は、上記問題点を解決するものであり、軸方向にリード挿通孔が設けられたドーナツ型磁心と、このドーナツ型磁心のリード挿通孔に挿通されるとともに、前記ドーナツ型磁心の両端側から突出した部分にそれぞれ屈曲部が設けられた導電性のリードと、前記ドーナツ型磁心を収容した第１の熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる第１の収縮後絶縁部材と、前記第１の収縮後絶縁部材で被覆されたドーナツ型磁心を収容した第２の熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる第２の収縮後絶縁部材と、を備え、前記第１および第２の熱収縮絶縁チューブのうち、一方は、前記ドーナツ型磁心を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心の軸方向に略一致するとともに前記ドーナツ型磁心の周側面を収容する軸方向チューブであり、他方は、前記ドーナツ型磁心を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心の径方向に略一致するとともに前記リードの２個の屈曲部と前記ドーナツ型磁心の少なくとも一部とを収容する径方向チューブであることを特徴とする。

また、本発明に係るインダクタンス素子の製造方法は、上記問題点を解決するものであり、ドーナツ型磁心のリード挿通孔に導電性のリードを挿通するリード挿通工程と、前記ドーナツ型磁心に挿通したリードのうち前記ドーナツ型磁心の両端側から突出した部分にそれぞれ屈曲部を形成するリード屈曲工程と、第１の熱収縮絶縁チューブの中空部内に、前記リードが挿通されたドーナツ型磁心のうち少なくともドーナツ型磁心を収容する第１の収容工程と、第２の熱収縮絶縁チューブの中空部内に、前記第１の熱収縮絶縁チューブとこの第１の熱収縮絶縁チューブの中空部内に収容されたドーナツ型磁心とを収容する第２の収容工程と、加熱により、前記第１の熱収縮絶縁チューブと第２の熱収縮絶縁チューブとを熱収縮させる熱収縮工程と、を具備することを特徴とする。

さらに、本発明に係るインダクタンス素子の製造方法は、上記問題点を解決するものであり、ドーナツ型磁心のリード挿通孔に導電性のリードを挿通するリード挿通工程と、前記ドーナツ型磁心に挿通したリードのうち前記ドーナツ型磁心の両端側から突出した部分にそれぞれ屈曲部を形成するリード屈曲工程と、第１の熱収縮絶縁チューブの中空部内に、前記リードが挿通されたドーナツ型磁心のうち少なくともドーナツ型磁心を収容する第１の収容工程と、加熱により、前記第１の熱収縮絶縁チューブを熱収縮させる第１の熱収縮工程と、第２の熱収縮絶縁チューブの中空部内に、前記第１の熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる第１の収縮後絶縁部材で被覆されたドーナツ型磁心を収容する第２の収容工程と、加熱により、前記第２の熱収縮絶縁チューブを熱収縮させる第２の熱収縮工程と、を具備することを特徴とする。

また、本発明に係る電子機器は、上記問題点を解決するものであり、上記インダクタンス素子を用いたことを特徴とする。この電子機器としては、スイッチング電源が挙げられる。

本発明に係るインダクタンス素子によれば、熱収縮チューブを用いて、磁心の絶縁と、リード部および磁心の固定と、磁心の確実な被覆とを行え、製造歩留が高い。

本発明に係るインダクタンス素子の製造方法によれば、上記インダクタンス素子を効率よく製造することができる。

本発明に係る電子機器によれば、電子機器が低ノイズ化されるため、シールド部材の使用を抑制することができる。また、振動にも強いため自動車等の振動の激しい分野に搭載される電子機器にも適用可能である。

［インダクタンス素子］
本発明に係るインダクタンス素子について、図面を参照して説明する。図１は、本発明に係るインダクタンス素子を示す斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図３〜図１２は、本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図である。

図１および図２に示すように、インダクタンス素子１は、ドーナツ型磁心１０と、導電性のリード１５と、第１の収縮後絶縁部材２５と、第２の収縮後絶縁部材３５とを備える。

ドーナツ型磁心１０にはリード挿通孔１２が設けられ、リード挿通孔１２には導電性のリード１５が挿通されている。ドーナツ型磁心１０は、第１の収縮後絶縁部材２５で被覆された後、さらに第２の収縮後絶縁部材３５で被覆され、多層被覆構造になっている。第２の収縮後絶縁部材３５は、ドーナツ型磁心１０に加え、リード１５の第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８を被覆している。

（ドーナツ型磁心）
図１および図２に示すように、ドーナツ型磁心１０には、外形が略円柱状で、端面１１、１１間を軸方向に貫通するリード挿通孔１２が設けられる。リード挿通孔１２は、導電性のリード１５が挿通される孔である。

ドーナツ型磁心１０は、軟磁性体を用いて上記のドーナツ形状、いわゆるトロイダル形状に形成したものである。ドーナツ形状とは、外形が略円柱状で、貫通する中空部を有するものをいう。ドーナツ形状には、トーラス形状、スリーブ形状等と称されるものも含まれる。

ドーナツ型磁心１０は、たとえば、軟磁性体の粉末の焼結体、軟磁性体の磁性薄帯の巻回体や積層体、軟磁性体の粉末を樹脂で固めたものとすることにより形成される。ここで、磁性薄帯の巻回体とはリード挿通孔１２を有するように磁性薄帯を巻回したものであり、磁性薄帯の積層体とはリード挿通孔１２を有するように円筒状の磁性薄帯を周方向に積層したものである。磁性薄帯の積層体は、たとえば磁性薄帯を所定の長さで切断して作製した磁性薄帯片を周方向に積層することにより作製される。磁性薄帯の巻回数または積層数は所望の磁気特性に応じて適宜決定すればよい。また、磁性薄帯は、表面に絶縁層を設けたものであっても良い。

本発明で用いられる軟磁性体としては、たとえば、フェライト、アモルファス合金、微細結晶を有するＦｅ系磁性合金、パーマロイが挙げられる。

なお、フェライト材は一般的に絶縁体であるため、絶縁性を有するフェライト材からなるドーナツ型磁心１０を絶縁する必要はなく、絶縁のためにドーナツ型磁心１０を第１の収縮後絶縁部材２５や第２の収縮後絶縁部材３５で被覆する必要はない。しかし、ドーナツ型磁心１０を第１の収縮後絶縁部材２５等で被覆することにより、ドーナツ型磁心１０の耐衝撃性や耐振動性を高くすることができるため、インダクタンス素子１を車載用等の用途に好適なものとすることができる。

アモルファス合金としては、たとえばＣｏ系アモルファス合金、Ｆｅ系アモルファス合金が挙げられる。

Ｃｏ系アモルファス合金とはＣｏを原子比で最も多く含むアモルファス合金をいい、Ｆｅ系アモルファス合金とはＦｅを原子比で最も多く含むアモルファス合金をいう。ＣｏおよびＦｅを含むアモルファス合金は、Ｃｏ系アモルファス合金およびＦｅ系アモルファス合金のいずれにも該当するが、ＣｏとＦｅを両方含む場合、原子比で多く含む方の材料系で呼ぶものとする。例えば、ＣｏとＦｅを両方含み、Ｃｏの含有量（原子比）がＦｅの含有量（原子比）より多い場合はＣｏ系アモルファス合金と呼ぶものとする。

軟磁性体のうち、アモルファス合金や微細結晶を有するＦｅ系磁性合金は磁気特性に優れる点に加え、厚さ３０μｍ以下の磁性薄帯を製造し易いため好ましい。また、アモルファス合金の磁性薄帯を用いる場合は、Ｃｏ系アモルファス合金の磁性薄帯がより可飽和特性に優れるため好ましい。

Ｃｏ系アモルファス合金やＦｅ系アモルファス合金等のアモルファス合金としては下記式（１）を満たすものが好ましい。下記式（１）で示される合金は、ＦｅおよびＣｏから選ばれる少なくとも１種の元素を含むため、Ｃｏ系アモルファス合金およびＦｅ系アモルファス合金の少なくともいずれかに該当する。
［化１］
（Ｍ_１−ａＭ’_ａ）_{１００−ｂ}Ｘ_ｂ ・・・（１）
式（１）中、ＭはＦｅおよびＣｏから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｍ’はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＷから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ＸはＢ、Ｓｉ、ＣおよびＰから選ばれる少なくとも１種の元素を示す。また、ａおよびｂは、０≦ａ≦０．５、１０≦ｂ≦３５である（各数字は原子比）。

Ｍで表される元素は、式（１）で表されるアモルファス合金の磁束密度や鉄損等の磁気特性を左右するものである。なお、Ｍで表される元素がＦｅおよびＣｏの両方からなる場合は、アモルファス合金が所望の磁気特性になるようにＦｅとＣｏとの組成比率を適宜調整する。

Ｍ’で表される元素は、式（１）で表されるアモルファス合金の熱安定性、耐食性、結晶化温度等を制御するものである。Ｍ’で表される元素は、好ましくはＣｒ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏである。これらの元素は、特に熱安定性の改善を図れるため好ましい。熱安定性が向上すると熱収縮時に特性が劣化し難くなる。

Ｘで表される元素は、ＭやＭ’で表される元素とともに合金化することにより、式（１）で表される合金をアモルファス化（非晶質化）するものである。

Ｘで表される元素のうち、Ｂは式（１）で表される合金の非晶質化に特に有効であり、Ｓｉは合金中の非晶質形成を助成するとともに合金の結晶化温度を上昇させるものである。

アモルファス合金薄帯は、液体急冷法により製造することができる。具体的には、所定の組成比に調整した合金素材を溶融状態から１０⁵ ℃／秒以上の冷却速度で急冷することにより得られる。アモルファス合金薄帯の厚みは好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは８〜２０μｍである。薄帯の厚さを制御することにより低損失の磁心を得ることが可能になる。

微細結晶を有するＦｅ系磁性合金としては、下記式（２）を満たすものが好ましい。
［化２］
Ｆｅ_aＣｕ_bＭ_cＳｉ_dＢ_e ・・・（２）
式（２）中、ＭはＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の周期律表４ａ族元素、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等の５ａ族元素、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等の６ａ族元素、Ｍｎ、Ｎｉ、ＣｏおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素を示す。

また、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、ａ＝１００−（ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）、０．０１≦ｂ≦４、０．０１≦ｃ≦１０、１０≦ｄ≦２５、３≦ｅ≦１２、１７≦ｄ＋ｅ≦３０である（各数字は原子比）。

Ｃｕは、式（２）で表されるＦｅ系磁性合金の耐食性を高め、結晶粒の粗大化を防ぐと共に、鉄損や透磁率等の軟磁気特性を改善するものである。

Ｍで表される元素は、式（２）で表されるＦｅ系磁性合金の結晶径を均一化すると共に、磁歪及び磁気異方性の低減、温度変化に対する磁気特性の改善等を行うものである。

Ｆｅ系磁性合金は、微細結晶を有するものであることが好ましい。具体的には、５０〜３００オングストロームの結晶粒を合金中に面積比で５０％以上、好ましくは９０％以上含むことが望ましい。ここで、面積比とは、合金の断面写真で観察される結晶粒の面積の合金の全面積に対する比率を意味する。

微細結晶を有するＦｅ系磁性合金の薄帯は、液体急冷法により式（２）に示すＦｅ系磁性合金の薄帯を得た後、このＦｅ系磁性合金の結晶化温度に対して−５０℃〜＋１２０℃の温度、すなわち結晶化温度−５０℃〜結晶化温度＋１２０℃の範囲内で１分〜５時間の熱処理を行い微細結晶を析出させる方法や、液体急冷法の急冷温度を制御して微細結晶を直接析出させる方法等により得られる。微細結晶を有するＦｅ系磁性合金の薄帯の厚みは好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは８〜２０μｍである。

ドーナツ型磁心１０は、外径Ｄ１が２〜５ｍｍの範囲内であることが好ましい。外径Ｄ１が２ｍｍ未満であると磁性薄帯等の磁性材料の量が少ないため磁気特性が低くなるおそれがあるため好ましくない。一方、外径Ｄ１が５ｍｍを超えるとドーナツ型磁心１０を大きくしてもこれ以上磁気特性が向上しないため経済的でなく、またインダクタンス素子１が大型化するため好ましくない。

（リード）
導電性のリード１５は、ドーナツ型磁心１０のリード挿通孔１２に挿通される。リード１５は、ドーナツ型磁心１０の一方端側から突出した部分に第１の屈曲部１７を有し、ドーナツ型磁心１０の他方端側から突出した部分に第２の屈曲部１８を有し、第１の屈曲部１７と第２の屈曲部１８との間に挿通部１６を有する。

第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８の屈曲形状は特に限定されないが、実質的に直角に折り曲げられた折曲形状になっているとインダクタンス素子１のプリント配線板等への実装が容易になるため好ましい。

また、第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８は、略同じ方向に屈曲することにより、挿通部１６、第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８により形成される形状がコ字状であると、インダクタンス素子１のプリント配線板等への実装が容易になるため好ましい。

リード１５としては、たとえば、錫めっきされた銅線が用いられる。

リード１５の外径Ｄ２は、０．５〜１．２ｍｍの範囲が好ましい。ここでリード１５の外径Ｄ２とは、リード１５のうち、挿通部１６の外径を示す。

外径Ｄ２が０．５ｍｍ未満であると強度が不十分になるおそれがあり、配線基板に実装する際にリード１５が折れる不具合が生じる可能性が高くなる。一方、外径Ｄ２が１．２ｍｍを超えるとリード１５に第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８を形成することが困難になる。

（第１の収縮後絶縁部材）
本発明において、収縮後絶縁部材とは、熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなるものを意味する。

第１の収縮後絶縁部材２５とは、収縮後絶縁部材のうち、ドーナツ型磁心１０を収容した第１の熱収縮絶縁チューブ２０が熱収縮してなるものを意味する。

第１の熱収縮絶縁チューブ２０とは、ドーナツ型磁心１０を収容する熱収縮絶縁チューブのうちドーナツ型磁心１０の周側面１３側から数えて１層目のものを意味する。図７に第１の熱収縮絶縁チューブ２０を示す。

図７に示すように、第１の熱収縮絶縁チューブ２０は、端部２１、２１間を結ぶ軸方向がドーナツ型磁心１０のリード挿通孔１２の形成方向である軸方向に略一致した状態でドーナツ型磁心１０の周側面１３を収容している。

第１の熱収縮絶縁チューブ２０のように、ドーナツ型磁心１０を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心１０の軸方向に略一致し、ドーナツ型磁心１０の周側面１３を収容する熱収縮絶縁チューブを、軸方向チューブと称する。

図２に示すように、第１の収縮後絶縁部材２５は、軸方向チューブである第１の熱収縮絶縁チューブ２０を熱収縮してなるものであるから、ドーナツ型磁心１０を収容したときの端部２６、２６間を結ぶ軸方向がドーナツ型磁心１０の軸方向に略一致し、かつドーナツ型磁心１０の周側面１３全体を被覆している。

第１の収縮後絶縁部材２５のように、収縮後絶縁部材の軸方向がドーナツ型磁心１０の軸方向に略一致し、ドーナツ型磁心１０の周側面１３全体を被覆する収縮後絶縁部材を、軸方向収縮後絶縁部材と称する。

本発明において、熱収縮絶縁チューブとは、所定温度で加熱することにより収縮するとともに絶縁性を有する材質で作製されたチューブを意味する。

熱収縮絶縁チューブは、たとえば８０℃以上に加熱することにより熱収縮して収縮後絶縁部材を形成する。熱収縮温度は、熱収縮絶縁チューブの種類により異なる。

熱収縮絶縁チューブは、熱収縮チューブの熱収縮率が、通常４０〜７０％、好ましくは５０〜６０％である。ここで熱収縮率とは、内径収縮率を意味し、収縮前内径と収縮後内径との差分を収縮後内径で除した値である。

熱収縮率が４０％未満であると、熱収縮率が小さすぎて、ドーナツ型磁心１０とリード１５とを固定するときに、ドーナツ型磁心１０の外径Ｄ１と軸方向チューブの内径Ｄ３と後述の径方向チューブの内径Ｄ４との間のサイズ制御が難しくなりやすい。

一方、熱収縮率が７０％を超えると、ドーナツ型磁心１０とリード１５との固定は強固になるが熱収縮時にドーナツ型磁心１０への応力負荷が大きくなるため磁気特性が低下しやすい。

熱収縮絶縁チューブは、体積抵抗率が、通常１０^１２Ω・ｃｍ以上、好ましくは１０^１４〜１０^１５Ω・ｃｍである。体積抵抗率が、この範囲内にあると、熱収縮絶縁チューブを熱収縮して形成した収縮後絶縁部材が、ドーナツ型磁心１０の絶縁性が十分に高いため好ましい。

熱収縮絶縁チューブの材質としては、たとえば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ポリオレフィン、シリコーンゴム、ポリフッ化ビニリデン、エチレンプロピレンゴムが挙げられる。

熱収縮絶縁チューブの具体的な製品名としては、たとえば住友電工株式会社製のスミチューブ（登録商標）、三菱樹脂株式会社製のヒシチューブ（登録商標）、西日本電線株式会社製のニシチューブ（登録商標）、信越化学工業株式会社製のＳＴシリーズが挙げられる。

第１の収縮後絶縁部材２５の厚さは、通常０．１〜０．４ｍｍである。厚さが０．１ｍｍ未満であると強度が不十分になりやすいため好ましくない。また、厚さが０．４ｍｍを超えると第１の収縮後絶縁部材２５が厚すぎてドーナツ型磁心１０への応力負荷が大きくなりやすいため好ましくない。

（第２の収縮後絶縁部材）
第２の収縮後絶縁部材３５とは、収縮後絶縁部材のうち、第２の熱収縮絶縁チューブ３０が熱収縮してなるものを意味する。

ここで第２の熱収縮絶縁チューブ３０とは、ドーナツ型磁心１０を収容する熱収縮絶縁チューブのうちドーナツ型磁心１０の周側面１３側から数えて２層目のものを意味する。図８に第２の熱収縮絶縁チューブ３０を示す。

第２の熱収縮絶縁チューブ３０に用いられる熱収縮絶縁チューブの材質は、第１の熱収縮絶縁チューブ２０に用いられるものと同じであるため、説明を省略する。

図８に示すように、第２の熱収縮絶縁チューブ３０は、端部３１、３１間を結ぶ軸方向がドーナツ型磁心１０の軸方向に垂直な径方向に略一致した状態で、リード１５の第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８と、ドーナツ型磁心１０の軸方向の端面１１、１１とを収容している。

第２の熱収縮絶縁チューブ３０のように、ドーナツ型磁心１０を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心１０の径方向に略一致し、リード１５の第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８と、ドーナツ型磁心１０の軸方向の少なくとも一部とを収容する熱収縮絶縁チューブを、径方向チューブと称する。

図２に示すように、第２の収縮後絶縁部材３５は、径方向チューブである第２の熱収縮絶縁チューブ３０を熱収縮してなるものであるから、ドーナツ型磁心１０を収容したときの端部３６、３６間を結ぶ軸方向がドーナツ型磁心１０の径方向に略一致し、かつリード１５の第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８と、第１の収縮後絶縁部材２５で被覆されたドーナツ型磁心１０の軸方向の端面１１、１１とを被覆している。

第２の収縮後絶縁部材３５のように、収縮後絶縁部材の軸方向がドーナツ型磁心１０の径方向に略一致し、リード１５の第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８と、ドーナツ型磁心１０の少なくとも一部とを被覆する収縮後絶縁部材を、径方向収縮後絶縁部材と称する。

径方向収縮後絶縁部材である第２の収縮後絶縁部材３５は、軸方向の長さがドーナツ型磁心１０の径方向の長さよりも長くなっており、ドーナツ型磁心１０の全体が第２の収縮後絶縁部材３５で被覆されている。

インダクタンス素子１は、図９に示すように、ドーナツ型磁心１０の外径Ｄ１（ｍｍ）と、リード１５の外径Ｄ２（ｍｍ）とが、Ｄ１／Ｄ２が２以上であることが好ましい。この理由を以下に説明する。

熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる収縮後絶縁部材は、ドーナツ型磁心１０を被覆することによりドーナツ型磁心１０に絶縁性を付与し破片が放出されることを防止するとともに、ドーナツ型磁心１０とドーナツ型磁心１０に挿通されたリード１５とを固定する。

しかし、熱収縮絶縁チューブは一般的に熱収縮の度合いが小さいため、ドーナツ型磁心１０の外径がリード１５の外径に対して大きい場合において、熱収縮絶縁チューブを１層だけしか用いないときは、ドーナツ型磁心１０に絶縁性を付与したり破片の放出を防止したりすることや、ドーナツ型磁心１０とリード１５とを固定することが不十分になりやすい。

すなわち、熱収縮絶縁チューブが軸方向チューブであるときは、軸方向チューブを熱収縮しても軸方向収縮後絶縁部材の端部がリード１５に密着するまで収縮せずに端部とリード１５との間に隙間が生じドーナツ型磁心１０が露出しやすい。このため、インダクタンス素子は、ドーナツ型磁心１０とリード１５との固定が不十分になるとともに、ドーナツ型磁心１０の絶縁性が不十分になり、隙間からドーナツ型磁心１０の破片が放出されるおそれがある。

また、熱収縮絶縁チューブが径方向チューブであるときは、径方向チューブを熱収縮しても径方向収縮後絶縁部材の端部の重ね合い部分に隙間が生じてドーナツ型磁心１０の絶縁性が不十分になったり、隙間からドーナツ型磁心１０の破片が放出されたりするおそれがある。

インダクタンス素子は、上記のようにドーナツ型磁心１０とリード１５との固定が不十分であると、車載用等のように振動が大きい場所で使用されるときに強度が不足するおそれがあるため好ましくない。

また、インダクタンス素子は、上記のようにドーナツ型磁心１０の絶縁性が不十分だったりドーナツ型磁心１０の破片が放出されたりすると、回路がショートするおそれがあるため好ましくない。

これに対し、本発明のインダクタンス素子１は、軸方向チューブと径方向チューブとを組み合わせて用いることにより、ドーナツ型磁心１０の絶縁性の確保や破片の放出の防止や、ドーナツ型磁心１０とリード１５との固定等が十分に行われるため、Ｄ１／Ｄ２が２以上であるような、ドーナツ型磁心１０の外径がリード１５の外径に対して大きい場合に、特に有用性が高い。また、Ｄ１／Ｄ２比の上限は特に限定されるものではないが、Ｄ１／Ｄ２比が１０以下である方が好ましい。Ｄ１／Ｄ２比があまり大きいとドーナツ型磁心が必要以上に大きいかリードが必要以上に細いかのどちらかになる。ドーナツ型磁心が必要以上に大きいと素子が大型化し、リードが必要以上に細いとリードの強度が低下するおそれがある。

なお、従来、ドーナツ型磁心１０をプラスチック等の容器に収納したインダクタンス素子が知られている。しかし、容器を用いたインダクタンス素子は、製造時に容器にドーナツ型磁心１０を装入する際に、ドーナツ型磁心１０が容器に接触して破損する等により歩留まりが低かった。

従来の容器を用いるインダクタンス素子に比べ、本発明のインダクタンス素子１は、容器よりも軟らかい熱収縮絶縁チューブを用いるため、ドーナツ型磁心１０の破損等が生じにくく歩留まりが高い。

インダクタンス素子１によれば、第１の収縮後絶縁部材２５と第２の収縮後絶縁部材３５とによりドーナツ型磁心１０を略直交する２方向から被覆しているため、容器や接着剤を用いずにドーナツ型磁心１０とリード１５とを固定することができるとともに、ドーナツ型磁心１０の絶縁性が良好に保たれ、ドーナツ型磁心１０の破片が生じてもこの破片が収縮後絶縁部材から外部に放出されることが実質的にない。

また、インダクタンス素子１によれば、第１の収縮後絶縁部材２５が軸方向収縮後絶縁部材であるため、第１の収縮後絶縁部材２５の形成に用いる第１の熱収縮絶縁チューブ２０を、ドーナツ型磁心１０の周側面１３を被覆可能な程度の小さなものとすることができ、経済的である。

本発明のインダクタンス素子は、インダクタンス素子１と異なる実施形態として、第１の収縮後絶縁部材を径方向収縮後絶縁部材とし、第２の収縮後絶縁部材を軸方向収縮後絶縁部材としてもよい。

この実施形態のインダクタンス素子によれば、インダクタンス素子１と同様に、第１の収縮後絶縁部材と第２の収縮後絶縁部材とによりドーナツ型磁心１０を方向を変えて２重に被覆しているため、容器や接着剤を用いずにドーナツ型磁心１０とリード１５とを固定することができるとともに、ドーナツ型磁心１０の絶縁性が良好に保たれ、ドーナツ型磁心１０の破片が第２の収縮後絶縁部材から外部に放出されることが実質的にない。

また、この実施形態のインダクタンス素子によれば、第１の収縮後絶縁部材２５が径方向収縮後絶縁部材であるため、製造の際に第１の収縮後絶縁部材だけでドーナツ型磁心１０とリード１５とをある程度固定することができ、製造しやすい。

また、本発明に係るインダクタンス素子は、リード１５の第１の屈曲部１７および第２の屈曲部１８と、リード１５の挿通部１６が挿通されるドーナツ型磁心１０の周側面１３とが径方向収縮後絶縁部材で被覆されている限り、ドーナツ型磁心１０の周側面１３の径方向の一部が径方向収縮後絶縁部材で被覆されていなくてもよい。ドーナツ型磁心１０は、周側面１３の径方向の一部が径方向収縮後絶縁部材で被覆されていなくても、軸方向収縮後絶縁部材で周側面１３の全体が被覆されるため、露出することはない。

この実施形態のインダクタンス素子によれば、径方向収縮後絶縁部材の軸方向の長さを短くすることができるため、製造コストが低くなる。

本発明に係るインダクタンス素子は、たとえば、下記方法により製造することができる。

［インダクタンス素子の製造方法］
本発明に係るインダクタンス素子の製造方法について、図面を参照して説明する。

本発明に係るインダクタンス素子の製造方法は、熱収縮絶縁チューブを熱収縮させる熱収縮工程として、第１の熱収縮絶縁チューブと第２の熱収縮絶縁チューブとを同時に熱収縮させる熱収縮工程を有する第１の製造方法と、第１の熱収縮絶縁チューブを熱収縮させる熱収縮工程と第２の熱収縮絶縁チューブを熱収縮させる熱収縮工程を別々に行う第２の製造方法と、がある。

［第１の製造方法］
第１の製造方法について説明する。第１の製造方法は、リード挿通工程と、リード屈曲工程と、第１の収容工程と、第２の収容工程と、熱収縮工程と、を備える。

はじめに、図３に示すようなドーナツ型磁心１０を準備する。ドーナツ型磁心１０には、リード挿通孔１２が設けられる。

（リード挿通工程）
リード挿通工程では、図４に示すように、ドーナツ型磁心１０のリード挿通孔１２に導電性のリード１５を挿通する。

（リード屈曲工程）
リード屈曲工程では、図５に示すように、ドーナツ型磁心１０に挿通したリード１５のうちドーナツ型磁心１０の両端側から突出した部分にそれぞれ屈曲部１７、１８を形成する。

（第１の収容工程）
第１の収容工程では、図６に示すように第１の熱収縮絶縁チューブ２０を矢印Ｂの方向に移動させて、図７に示すように、第１の熱収縮絶縁チューブ２０の中空部２２内に、リード１５が挿通されたドーナツ型磁心１０のうち少なくともドーナツ型磁心１０を収容する。リード１５は第１の熱収縮絶縁チューブ２０の中空部２２内に収容されてもされなくてもよい。

図６および図７に示すように、第１の熱収縮絶縁チューブ２０は、軸方向がドーナツ型磁心１０の軸方向に略一致し、ドーナツ型磁心１０の周側面１３を収容する熱収縮絶縁チューブであり、軸方向チューブになっている。

軸方向チューブである第１の熱収縮絶縁チューブ２０とドーナツ型磁心１０とは、図９に示すように、ドーナツ型磁心１０の外径をＤ１（ｍｍ）、軸方向チューブ（第１の熱収縮絶縁チューブ２０）の内径をＤ３（ｍｍ）としたとき、Ｄ３／Ｄ１が通常１．０以上１．５以下である。ドーナツ型磁心１０の外径Ｄ１とは、ドーナツ型磁心１０の外径の最大値である。

Ｄ３／Ｄ１が上記範囲内にあると、軸方向チューブが熱収縮したときにドーナツ型磁心１０の少なくとも周側面を十分に被覆することができるため好ましい。

Ｄ３／Ｄ１が１．０未満であると軸方向チューブがドーナツ型磁心１０を収容することができないため好ましくない。また、Ｄ３／Ｄ１が１．５を超えると、軸方向チューブの内径が必要以上に大きすぎ、軸方向チューブを熱収縮しても第１の収縮後絶縁部材２５によるドーナツ型磁心１０の被覆が不十分になりやすいため好ましくない。

（第２の収容工程）
第２の収容工程では、図７に示すように第２の熱収縮絶縁チューブ３０を矢印Ｃの方向に移動させて、図８に示すように、第２の熱収縮絶縁チューブ３０の中空部３２内に、第１の熱収縮絶縁チューブ２０と、第１の熱収縮絶縁チューブ２０の中空部２２内に収容されたドーナツ型磁心１０と、リード１５の２個の屈曲部１７、１８間の部分とを収容する。

図７および図８に示すように、第２の熱収縮絶縁チューブ３０は、ドーナツ型磁心１０を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心１０の径方向に略一致し、リード１５の２個の屈曲部１７、１８とドーナツ型磁心１０の少なくとも一部とを収容する径方向チューブになっている。

リード１５の２個の屈曲部１７、１８を収容するドーナツ型磁心１０の軸方向は、ドーナツ型磁心１０の径方向よりも、通常長い。このため、径方向チューブである第２の熱収縮絶縁チューブ３０をリード１５とドーナツ型磁心１０に被せる場合、中空部３２内にリード１５の２個の屈曲部１７、１８を収容することができるように第２の熱収縮絶縁チューブ３０をたとえば断面楕円形になるように変形させてもよい。

径方向チューブである第２の熱収縮絶縁チューブ３０とリード１５とは、図９に示すように、リード１５における２個の屈曲部１７、１８間の距離をＬ１（ｍｍ）、径方向チューブ（第２の熱収縮絶縁チューブ３０）を断面が楕円になるように変形させたときの長径側の内径をＤ４（ｍｍ）としたとき、Ｄ４／Ｌ１が通常１．１を超え１．５未満である。Ｌ１は、リード１５の厚さを含めた屈曲部１７の外側と屈曲部１８の外側との間の距離である。

Ｄ４／Ｌ１が上記範囲内にあると、径方向チューブがリード１５の２個の屈曲部１７、１８間の部分を確実に収容するとともに、径方向チューブが熱収縮したときにドーナツ型磁心１０とリード１５とを十分に固定することができるため好ましい。

Ｄ４／Ｌ１が１．１以下であると、径方向チューブがリード１５の２個の屈曲部１７、１８間の部分を収容しにくいため、また、Ｄ４／Ｌ１が１．５以上であると、径方向チューブの内径が大きすぎてドーナツ型磁心１０とリード１５との固定が不十分になりやすいため、それぞれ好ましくない。

（熱収縮工程）
熱収縮工程では、加熱により第１の熱収縮絶縁チューブ２０と第２の熱収縮絶縁チューブ３０とを熱収縮させ、図１に示すインダクタンス素子１を得る。

第１の熱収縮絶縁チューブ２０および第２の熱収縮絶縁チューブ３０は、熱収縮によりそれぞれ第１の収縮後絶縁部材２５および第２の収縮後絶縁部材３５となる。

加熱温度は第１の熱収縮絶縁チューブ２０および第２の熱収縮絶縁チューブ３０を熱収縮させる温度以上の温度であり、たとえば８０℃以上である。

第１の製造方法によれば、第１の熱収縮絶縁チューブ２０および第２の熱収縮絶縁チューブ３０を一つの熱収縮工程で一括して熱収縮させるため、低コストでインダクタンス素子１を製造することができる。

［第２の製造方法］
第２の製造方法について説明する。第２の製造方法は、リード挿通工程と、リード屈曲工程と、第１の収容工程と、第１の熱収縮工程と、第２の収容工程と、第２の熱収縮工程と、を備える
第２の製造方法は第１の製造方法に対し、リード挿通工程、リード屈曲工程、および第１の収容工程が共通し、その他の工程が異なる。このため、共通する工程については説明を省略し、異なる工程について説明する。

（第１の熱収縮工程）
第１の熱収縮工程は、第１の収容工程の後に行われる。第１の収容工程の後は、図１０に示すように、第１の熱収縮絶縁チューブ２０の中空部２２内に、リード１５が挿通されたドーナツ型磁心１０のうち少なくともドーナツ型磁心１０が収容された状態になっている。また、第１の熱収縮絶縁チューブ２０は、軸方向チューブになっている。

第１の熱収縮工程では、図１０に示す第１の熱収縮絶縁チューブ２０を、加熱により熱収縮させて、図１１に示すように第１の収縮後絶縁部材２５を形成する。加熱温度等は、第１の方法の熱収縮工程と同じであるため説明を省略する。

（第２の収容工程）
第２の収容工程では、図１１に示すように第２の熱収縮絶縁チューブ３０を矢印Ｄの方向に移動させて、図１２に示すように、第２の熱収縮絶縁チューブ３０の中空部３１内に、第１の収縮後絶縁部材２５で被覆されたドーナツ型磁心１０と、リード１５の２個の屈曲部１７、１８間の部分とを収容する。また、第２の熱収縮絶縁チューブ３０は、径方向チューブになっている。

（第２の熱収縮工程）
第２の熱収縮工程では、加熱により、第２の熱収縮絶縁チューブ３０を熱収縮させ、図１に示すインダクタンス素子１を得る。

第２の熱収縮絶縁チューブ３０は、熱収縮により第２の収縮後絶縁部材３５となる。

加熱温度等は、第１の方法の熱収縮工程と同じであるため説明を省略する。

第２の製造方法によれば、第１の熱収縮絶縁チューブ２０を熱収縮させてから第２の熱収縮絶縁チューブ３０を被せるため、製造の際に第１の収縮後絶縁部材２５で被覆されたドーナツ型磁心１０に第２の熱収縮絶縁チューブ３０を被せやすく、インダクタンス素子１の製造が容易である。また、第１の製造方法に比べて、製造の際に第１の熱収縮絶縁チューブ２０と第２の熱収縮絶縁チューブ３０とが干渉しにくいため、第１の熱収縮絶縁チューブ２０および第２の熱収縮絶縁チューブ３０の大きさの選択の自由度が高い。

［電子機器］
本発明に係る電子機器は、上記インダクタンス素子を用いたものである。電子機器としては、たとえば、電子レンジ、テレビ、ビデオ、複写機、パソコン、スイッチング電源、車載用電子機器が挙げられる。車載用電子機器としては、カーオーディオ、カーナビゲーション等が挙げられる。本発明に係る電子機器は振動に強いため、車載用電子機器等の振動が激しい状況で使用される電子機器にも好適である。

以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されて解釈されるものではない。

［実施例１〜６、比較例１〜３］
磁性薄帯としてＣｏ_６８Ｃｒ_２Ｆｅ_４Ｓｉ_１４Ｂ_１２アモルファス薄帯（板厚１８μｍ）を巻回することによりドーナツ型磁心を製造した。その後、ドーナツ型磁心の軸方向の中心に設けたリード挿通孔に、錫めっき加工された銅線を挿通し、ドーナツ型磁心の両端側から突出した部分にそれぞれ１箇所ずつ折曲部を形成した。

製造条件を表１に示す。

熱収縮チューブを、ドーナツ型磁心の軸方向、径方向またはこれら両方から被せて、熱収縮チューブ内にドーナツ型磁心を収納した。なお、熱収縮チューブとして、実施例１〜３、比較例２および３ではポリオレフィン製チューブ（住友電気工業株式会社製スミチューブＦ２(Ｚ)）、実施例４〜６ではシリコーンゴム製チューブ（信越化学工業株式会社製ＳＴ−ＤＧ）を用いた。

実施例１〜６は同じ材質で大きさの異なる熱収縮チューブを２個用い、熱収縮チューブをドーナツ型磁心の軸方向および径方向から被せた後、熱収縮チューブを８０℃で熱収縮させたものである。

比較例１はドーナツ型磁心を容器（ウィンテックポリマー株式会社製ＰＢＴ２０１６）に装入し、リードと容器とを接着剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製ＴＳＥ−３８２Ｃ）で固定したものである。

比較例２は、熱収縮チューブを１個用い、熱収縮チューブをドーナツ型磁心の軸方向から被せた後、熱収縮チューブを８０℃で熱収縮させたものである。

比較例３は、熱収縮チューブを１個用い、熱収縮チューブをドーナツ型磁心の径方向から被せた後、熱収縮チューブを８０℃で熱収縮させたものである。

各実施例、比較例で作製されたインダクタンス素子に対し、磁気特性、歩留、振動特性を調べた。結果を表２に示す。なお、磁気特性は、ＬＣＲメーターにてＬ値：５０ｋＨｚ、１Ｖ、１ｔｕｒｎ、室温の条件で測定した(試験数は５個としその平均値を算出した)。

歩留は、完成品の外観を観察して合否を判定し、合格品の個数を完成品の個数で除して（割って）算出した。完成品の作製個数は１００個とし、完成品の外観にドーナツ型磁心が露出したり、ドーナツ型磁心の破片が付着したりしているものを不合格品と判定し、残りを合格品と判定した。

振動特性は、各実施例、比較例で作製されたインダクタンス素子の合格品をはんだでガラスエポキシ基板に固定し、基板のＸ、Ｙ、Ｚ軸に対して２時間ずつ振動を与えて測定した。基板の振動条件は、変位を１．５５ｍｍｐ−ｐとし、振動数を１０〜５５Ｈｚの範囲内で連続的に変化させた。振動数の連続的な変化は、３０秒で１０Ｈｚから５５Ｈｚに徐々に増加させ、さらに３０秒で５５Ｈｚから１０Ｈｚに徐々に減少させる工程を１サイクルとし、このサイクルを繰り返した。

振動特性の試験終了後、各インダクタンス素子について磁気特性の変化率を測定し、外観を観察して歩留を調べた。振動特性の試験は、各実施例、比較例について５個ずつ行い、磁気特性の変化率（Ｌ値変化率）は、５個の平均値とした。また、外観不良発生率として振動特性の試験により破損したものの割合を算出した。たとえば、振動特性の試験で破損したものがない場合は、外観不良発生率は０である。

以上のように本実施例にかかるインダクタンス素子は優れた磁気特性を示し、振動試験にも強いことが分かる。

本発明に係るインダクタンス素子は、電子レンジ、テレビ、ビデオ、複写機、パソコン、スイッチング電源が挙げられる。また、振動に強いため、車載機器等の自動車等の振動が激しい分野に搭載される電子機器にも好適である。

本発明に係るインダクタンス素子を示す斜視図。 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。 本発明に係るインダクタンス素子の製造方法を説明する図。

符号の説明

１ インダクタンス素子
１０ ドーナツ型磁心
１１ ドーナツ型磁心の端面
１２ リード挿通孔
１３ ドーナツ型磁心の周側面
１５ リード
１６ リードの挿通部
１７ リードの第１の屈曲部
１８ リードの第２の屈曲部
２０ 第１の熱収縮絶縁チューブ
２１ 第１の熱収縮絶縁チューブの端部
２２ 第１の熱収縮絶縁チューブの中空部
２５ 第１の収縮後絶縁部材
２６ 第１の収縮後絶縁部材の端部
２７ 第１の収縮後絶縁部材の端部の隙間
３０ 第２の熱収縮絶縁チューブ
３１ 第２の熱収縮絶縁チューブの端部
３２ 第２の熱収縮絶縁チューブの中空部
３５ 第２の収縮後絶縁部材

Claims (16)

1. 軸方向にリード挿通孔が設けられたドーナツ型磁心と、
   このドーナツ型磁心のリード挿通孔に挿通されるとともに、前記ドーナツ型磁心の両端側から突出した部分にそれぞれ屈曲部が設けられた導電性のリードと、
   前記ドーナツ型磁心を収容した第１の熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる第１の収縮後絶縁部材と、
   前記第１の収縮後絶縁部材で被覆されたドーナツ型磁心を収容した第２の熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる第２の収縮後絶縁部材と、
   を備え、
   前記第１および第２の熱収縮絶縁チューブのうち、一方は、前記ドーナツ型磁心を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心の軸方向に略一致するとともに前記ドーナツ型磁心の周側面を収容する軸方向チューブであり、他方は、前記ドーナツ型磁心を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心の径方向に略一致するとともに前記リードの２個の屈曲部と前記ドーナツ型磁心の少なくとも一部とを収容する径方向チューブであることを特徴とするインダクタンス素子。
2. 前記ドーナツ型磁心の外径をＤ１（ｍｍ）、前記リードの外径をＤ２（ｍｍ）としたとき、Ｄ１／Ｄ２が２以上であることを特徴とする請求項１記載のインダクタンス素子。
3. 前記第１の熱収縮絶縁チューブは前記軸方向チューブであり、前記第２の熱収縮絶縁チューブは前記径方向チューブであることを特徴とする請求項１記載のインダクタンス素子。
4. 前記第１の収縮後絶縁部材は、少なくとも前記ドーナツ型磁心の周側面を被覆することを特徴とする請求項３に記載のインダクタンス素子。
5. 前記第１および第２の熱収縮絶縁チューブは、それぞれポリ塩化ビニル、ポリオレフィンまたはシリコーンゴムからなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のインダクタンス素子。
6. 前記第１および第２の熱収縮絶縁チューブは、それぞれ熱収縮率が４０〜７０％であることを特徴とする請求項５に記載のインダクタンス素子。
7. 前記第１および第２の収縮後絶縁部材は、それぞれ厚さが０．１〜０．４ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のインダクタンス素子。
8. 前記リードは、前記ドーナツ型磁心の一方端側から突出した部分に設けられた第１の屈曲部と、前記ドーナツ型磁心の他方端側から突出した部分に設けられた第２の屈曲部とが、略同じ方向に屈曲していることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のインダクタンス素子。
9. 前記ドーナツ型磁心の外径Ｄ１が２〜５ｍｍ、かつ前記リードの外径Ｄ２が０．５〜１．２ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載のインダクタンス素子。
10. ドーナツ型磁心のリード挿通孔に導電性のリードを挿通するリード挿通工程と、
    前記ドーナツ型磁心に挿通したリードのうち前記ドーナツ型磁心の両端側から突出した部分にそれぞれ屈曲部を形成するリード屈曲工程と、
    第１の熱収縮絶縁チューブの中空部内に、前記リードが挿通されたドーナツ型磁心のうち少なくともドーナツ型磁心を収容する第１の収容工程と、
    第２の熱収縮絶縁チューブの中空部内に、前記第１の熱収縮絶縁チューブとこの第１の熱収縮絶縁チューブの中空部内に収容されたドーナツ型磁心とを収容する第２の収容工程と、
    加熱により、前記第１の熱収縮絶縁チューブと第２の熱収縮絶縁チューブとを熱収縮させる熱収縮工程と、
    を具備することを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
11. ドーナツ型磁心のリード挿通孔に導電性のリードを挿通するリード挿通工程と、
    前記ドーナツ型磁心に挿通したリードのうち前記ドーナツ型磁心の両端側から突出した部分にそれぞれ屈曲部を形成するリード屈曲工程と、
    第１の熱収縮絶縁チューブの中空部内に、前記リードが挿通されたドーナツ型磁心のうち少なくともドーナツ型磁心を収容する第１の収容工程と、
    加熱により、前記第１の熱収縮絶縁チューブを熱収縮させる第１の熱収縮工程と、
    第２の熱収縮絶縁チューブの中空部内に、前記第１の熱収縮絶縁チューブが熱収縮してなる第１の収縮後絶縁部材で被覆されたドーナツ型磁心を収容する第２の収容工程と、
    加熱により、前記第２の熱収縮絶縁チューブを熱収縮させる第２の熱収縮工程と、
    を具備することを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
12. 前記第１の熱収縮絶縁チューブは、前記ドーナツ型磁心を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心の軸方向に略一致し、前記ドーナツ型磁心の周側面を収容する軸方向チューブであり、
    前記第２の熱収縮絶縁チューブは、前記ドーナツ型磁心を収容したときの軸方向がドーナツ型磁心の径方向に略一致し、前記リードの２個の屈曲部と前記ドーナツ型磁心の少なくとも一部とを収容する径方向チューブであることを特徴と請求項１０または１１記載のインダクタンス素子の製造方法。
13. 前記ドーナツ型磁心の外径をＤ１（ｍｍ）、前記軸方向チューブの内径をＤ３（ｍｍ）としたとき、Ｄ３／Ｄ１が１．０以上１．５以下であることを特徴とする請求項１２記載のインダクタンス素子の製造方法。
14. 前記リードにおける２個の屈曲部間の距離をＬ１（ｍｍ）、前記径方向チューブを断面が楕円になるように変形させたときの長径側の内径をＤ４（ｍｍ）としたとき、Ｄ４／Ｌ１が１．１を超え１．５未満であることを特徴とする請求項１２または１３記載のインダクタンス素子の製造方法。
15. 請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のインダクタンス素子を用いたことを特徴とする電子機器。
16. 前記電子機器がスイッチング電源であることを特徴とする請求項１５記載の電子機器。

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