JP2009067025A - Ink jet head and manufacturing method for ink jet head - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin-film piezoelectric ink jet head that has a high performance actuator. <P>SOLUTION: A substrate and a passage formation member are integrated by a conductive layer. A portion for forming a liquid chamber by anodization is made porous. After a vibrating plate and an actuator are formed on this portion, a nozzle portion is cut, and the porous portion is etched. Thereby a head is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、複数の流路基板を接合して構成されたインクジェットヘッド及びその製造方法に関し、特に産業用途に好適な薄膜圧電アクチュエータを用いたインクジェットヘッド及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an ink jet head configured by joining a plurality of flow path substrates and a method for manufacturing the same, and more particularly to an ink jet head using a thin film piezoelectric actuator suitable for industrial use and a method for manufacturing the same.

微少な液滴を噴射させるインクジェットヘッドはプリンターなどの民生用のみならず、配線パターンの直描装置や液晶のカラーフィルタ製造などの産業用途への展開が行われつつある。インクジェットヘッドは様々なタイプが実用化されているが、産業用途に於いてはインクに対する許容度の大きさから圧電素子を用いたタイプの開発が進んでいる。例えば特許文献1に於いて、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電薄膜を形成し、この圧電薄膜をリソグラフィー法により圧力発生室に対応する形状に分割して各圧力発生室毎に独立するようにアクチュエータを形成したものが提案されている。これによればアクチュエータを振動板に貼付ける作業が不要となって、リソグラフィー法という精密で、かつ簡便な手法でアクチュエータを薄膜振動板上に作り付けることができるばかりでなく、振動板及びアクチュエータの厚みを薄くできて高速駆動が可能になるという利点がある。前記公報では液滴を基板面と平行な方向に吐出させるように吐出口を形成する、所謂エッジシュータータイプがある。サイドシュータータイプのインクジェットヘッドは一般的にはアクチュエータを備えた流路基板と、微細な吐出口を有するノズルプレートを接合して構成される。   Ink-jet heads for ejecting minute droplets are being developed not only for consumer use such as printers, but also for industrial uses such as wiring pattern direct drawing devices and liquid crystal color filter manufacturing. Various types of ink-jet heads have been put into practical use, but in industrial applications, development of types using piezoelectric elements is progressing due to the large tolerance for ink. For example, in Patent Document 1, a uniform piezoelectric thin film is formed by the film forming technique over the entire surface of the diaphragm, and this piezoelectric thin film is divided into shapes corresponding to the pressure generating chambers by lithography to generate each pressure. An actuator in which an actuator is formed so as to be independent for each chamber has been proposed. This eliminates the need for attaching the actuator to the diaphragm, and allows the actuator to be formed on the thin film diaphragm by a precise and simple technique called a lithography method. There is an advantage that the thickness can be reduced and high-speed driving becomes possible. In the above publication, there is a so-called edge shooter type in which a discharge port is formed so that droplets are discharged in a direction parallel to the substrate surface. A side shooter type ink jet head is generally configured by joining a flow path substrate having an actuator and a nozzle plate having fine discharge ports.

流路基板とノズルプレートとの接合手法としては接着剤を用いる手法や、Auなどを用いて固相で接合する方法があるが、特に後者の固相で接合する手法は接着剤の流路への流れ込みなどが無いなど、インクジェットヘッドの接合方法として優れた特徴を備えている。   There are two methods for bonding the flow path substrate and the nozzle plate: one using an adhesive and the other using a solid phase bonding using Au or the like. It has excellent characteristics as a method for joining ink jet heads, such as no inflow of ink.

しかし、これら接合工程を必要とするサイドシュータータイプでは、接合時に液室とオリフィスプレートとの位置ずれが生じるためにノズルごとの吐出性能にバラツキが生じるという問題があった。
特開平5-286131号公報
However, in the side shooter type that requires these joining steps, there is a problem in that the discharge performance of each nozzle varies because the positional displacement between the liquid chamber and the orifice plate occurs during joining.
Japanese Patent Laid-Open No. 5-286131

本発明の課題は液室とノズルの位置ずれが生じない薄膜圧電インクジェットヘッドを提供する事である。さらに本発明の別の課題は、オリフィスプレート接合工程のない高性能なアクチュエータを有する薄膜圧電インクジェットヘッドの製造方法を提供する事である。また、本発明の別の課題は精度の高い加工が可能なシリコン基板を用いていても、工程中での破損や貼り合わせによるロスによるコスト高を低減できる薄膜圧電インクジェットヘッドの製造方法を提供する事である。   An object of the present invention is to provide a thin-film piezoelectric ink jet head in which the liquid chamber and the nozzle are not displaced. Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a thin film piezoelectric ink jet head having a high performance actuator without an orifice plate bonding process. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thin film piezoelectric ink jet head that can reduce the high cost due to damage in the process or loss due to bonding even when a silicon substrate capable of high-precision processing is used. It is a thing.

本発明は上記問題点を鑑みて為されたものであり、本発明によるインクジェットヘッドはシリコン基板に流路が形成された基板を含み、該流路が形成されたシリコン基板と他の部材とが金属を介して一体化されていることを特徴とする。また、本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、シリコン基板に流路が形成された基板を含み、該流路が形成されたシリコン基板と他の部材とが金属を介して一体化されているインクジェットヘッドの製造方法に於いて、シリコン基板に陽極化成用の金属膜を設けるステップと、その後に金属膜の上にシリコン膜を成膜するステップと、該シリコン膜に流路およびノズルとなる部分を形成するステップと、さらにその上に振動板となるシリコン膜を成膜するステップおよび各振動板上にアクチュエータを作成するステップと、ノズルとなる部分を切断し、エッチングにより流路を形成するステップとを含むことを特徴とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an ink jet head according to the present invention includes a substrate in which a flow path is formed on a silicon substrate, and the silicon substrate on which the flow path is formed and another member are provided. It is characterized by being integrated through a metal. The inkjet head manufacturing method of the present invention includes a substrate having a channel formed on a silicon substrate, and the silicon substrate on which the channel is formed and another member are integrated via a metal. In the method of manufacturing a head, a step of providing a metal film for anodization on a silicon substrate, a step of forming a silicon film on the metal film, and a portion serving as a flow path and a nozzle on the silicon film. A step of forming a silicon film as a vibration plate thereon, a step of creating an actuator on each vibration plate, a step of cutting a nozzle portion and forming a flow path by etching It is characterized by including.

本発明のインクジェットヘッド及びその製造方法によれば、接合工程なしにインクジェットヘッドを作製できかつ作製プロセスダメージによる特性劣化の少ない薄膜圧電アクチュエータを有する薄膜圧電インクジェットヘッドを得る事が出来る。   According to the ink jet head and the manufacturing method thereof of the present invention, it is possible to produce a thin film piezoelectric ink jet head having a thin film piezoelectric actuator that can produce an ink jet head without a bonding step and has little characteristic deterioration due to damage in the production process.

以上説明したように本発明によれば、接合工程なしに高性能なアクチュエータを有する薄膜圧電インクジェットヘッドを得る事が出来る。又、シリコン基板を用いていても工程中での破損が少ない、薄膜圧電インクジェットヘッドを得る事が出来る。   As described above, according to the present invention, a thin film piezoelectric ink jet head having a high performance actuator can be obtained without a bonding step. Further, even if a silicon substrate is used, a thin film piezoelectric ink jet head that is less damaged during the process can be obtained.

次に、本発明の詳細を実施例の記述に従って説明する。   Next, details of the present invention will be described in accordance with the description of the embodiments.

以下に本発明を図面に基づいて説明する。   The present invention will be described below with reference to the drawings.

図1aは、本発明によって作製されたインクジェットヘッドの断面図である。   FIG. 1a is a cross-sectional view of an inkjet head made according to the present invention.

図1bは、本発明のインクジェットヘッド製造方法の一例を示す工程図である。   FIG. 1B is a process diagram showing an example of the inkjet head manufacturing method of the present invention.

まず、平坦な基板を用意し、その表面に導電体を成膜する(1)。基板には、比較的安価で平坦製の優れているシリコン基板や研磨したガラス、金属板、セラミックスなど耐熱性のあるものを使用することができる。本実施例では、625μm厚みの6インチシリコンウェハー(熱酸化膜1μm付き)を用いた。   First, a flat substrate is prepared, and a conductor is formed on the surface (1). As the substrate, a silicon substrate that is relatively inexpensive and excellent in flatness, a heat-resistant material such as polished glass, a metal plate, and ceramics can be used. In this example, a 6-inch silicon wafer (with a thermal oxide film of 1 μm) having a thickness of 625 μm was used.

基板の上に成膜する導電体としては、金属、特に金や白金等の貴金属やITOなどの酸化物導電膜などがよい。本実施例では、密着層にTiを30nm成膜し、その上に導電層として白金を100nm成膜した。この上に、シリコンをCVD成膜により所定の厚さ分成膜する(2)。この厚みは液室の高さを決めるものであるので、成膜の均一性が必要であり、チップ内での膜厚バラツキは10%以内である必要がある。本実施例では、厚みを25μmとした。一般に、液室の高さは20〜200μm程度が好適に用いられる。こうして得られた基板の成膜したシリコン面にフォトレジストを塗布しマスク露光&現像によりインク流路パターンを形成する。(3)   As the conductor formed on the substrate, a metal, particularly a noble metal such as gold or platinum, or an oxide conductive film such as ITO is preferable. In this example, a 30 nm thick Ti film was formed on the adhesion layer, and a 100 nm thick platinum film was formed thereon as a conductive layer. On this, a predetermined thickness of silicon is deposited by CVD (2). Since this thickness determines the height of the liquid chamber, it is necessary for the film formation to be uniform, and the film thickness variation within the chip needs to be within 10%. In this example, the thickness was 25 μm. Generally, the height of the liquid chamber is preferably about 20 to 200 μm. A photoresist is applied to the silicon surface of the substrate thus obtained, and an ink flow path pattern is formed by mask exposure & development. (3)

この基板の導電体を電極として用い、成膜したシリコンのインク流路部分を陽極化成して多孔質シリコン層にした。化成液としてフッ酸10%、イソプロピルアルコール8%の水溶液中に化成マスクを形成したシリコン基板を設置し、両側にプラチナ電極を対向配置して多孔質シリコンを形成する面を陰極になるよう、プラチナ電極間に80mA/cm2の電流密度で15分間通電する。(その後、この多孔質シリコンを熱酸化してもよい)この上にさらにシリコンをCVD成膜により成膜する。(4)これは、振動板となる部分であり、膜厚は、2〜10μm程度が好適に用いられる。 The conductive material of this substrate was used as an electrode, and an ink flow path portion of the formed silicon was anodized to form a porous silicon layer. As a chemical conversion solution, a silicon substrate with a chemical conversion mask formed in an aqueous solution of 10% hydrofluoric acid and 8% isopropyl alcohol is installed, and platinum electrodes are placed opposite to each other so that the surface on which porous silicon is formed becomes the cathode. A current is applied between the electrodes at a current density of 80 mA / cm 2 for 15 minutes. (Then, this porous silicon may be thermally oxidized.) Further, silicon is formed thereon by CVD film formation. (4) This is a portion that becomes a diaphragm, and a film thickness of about 2 to 10 μm is suitably used.

次にこの上に、薄膜圧電体アクチュエータを作製した。(5)図3は薄膜圧電体アクチュエータの製造工程を説明する図である。簡略化のために図1における薄膜振動板3より下の部分は省略してある。図3(A)に示すように薄膜振動板3上の絶縁膜4の上にチタン30nm、Pt300nmを順次スパッタ法にて成膜し、下電極5を形成した。次にジルコン酸鉛(PZT)をスパッタ法にて3μmの厚さに成膜し、酸素雰囲気中で700℃の熱処理を行い、薄膜圧電体6を形成した。さらに薄膜圧電体6の上にチタン30nm、Pt300nmをスパッタ法にて成膜し、上電極7とした。上電極7を成膜した後に、図3(B)に示すように上電極用のエッチングマスク18を形成する。エッチングマスク18を用いてPt、チタンのドライエッチングを行い、上電極7を形成する。(図3(C))次に図3(D)のようにエッチングマスク18を除去し、PZT用のエッチングマスク19を図3(E)のように形成する。このエッチングマスク19を用い、PZTのエッチングを行う(図3(F))。最後にエッチングマスク19を除去し、薄膜圧電体アクチュエータ8を完成する(図3(G))。これを電気炉に投入し、700℃でPZTを5時間焼成した。   Next, a thin film piezoelectric actuator was fabricated thereon. (5) FIG. 3 is a diagram for explaining the manufacturing process of the thin film piezoelectric actuator. For simplification, the portion below the thin film diaphragm 3 in FIG. 1 is omitted. As shown in FIG. 3A, titanium 30 nm and Pt 300 nm were sequentially formed on the insulating film 4 on the thin film diaphragm 3 by a sputtering method to form the lower electrode 5. Next, lead zirconate (PZT) was formed to a thickness of 3 μm by sputtering and heat-treated at 700 ° C. in an oxygen atmosphere to form a thin film piezoelectric body 6. Further, titanium 30 nm and Pt 300 nm were formed on the thin film piezoelectric body 6 by the sputtering method to form the upper electrode 7. After the upper electrode 7 is formed, an upper electrode etching mask 18 is formed as shown in FIG. The upper electrode 7 is formed by dry etching of Pt and titanium using the etching mask 18. (FIG. 3C) Next, the etching mask 18 is removed as shown in FIG. 3D, and an etching mask 19 for PZT is formed as shown in FIG. 3E. PZT is etched using this etching mask 19 (FIG. 3F). Finally, the etching mask 19 is removed to complete the thin film piezoelectric actuator 8 (FIG. 3G). This was put into an electric furnace, and PZT was fired at 700 ° C. for 5 hours.

次に、ウェハーから個別チップを切り出し、ノズルとなる部分を切断し、(6)陽極化成で多孔質となった部分をウェットエッチングして液流路を完成させた。((7)) この後、流路内をよく洗浄し、インク供給管を取り付け、FPCを実装してインクジェットヘッドを得た。   Next, individual chips were cut out from the wafer, the portion to be the nozzle was cut, and (6) the portion that became porous by anodization was wet etched to complete the liquid flow path. ((7)) Thereafter, the inside of the flow path was thoroughly washed, an ink supply pipe was attached, and an FPC was mounted to obtain an ink jet head.

こうして本実施例に於いて作製された薄膜圧電体インクジェットヘッドは、薄膜圧電体の熱工程の700℃を通っているが、その後の熱履歴はないために劣化は見られず、安定した吐出特性が得られた。   In this way, the thin film piezoelectric ink jet head manufactured in this example passed through 700 ° C of the thermal process of the thin film piezoelectric material, but since there was no subsequent thermal history, no deterioration was seen, and stable ejection characteristics was gotten.

また、接合工程がないため、10ウェハーを試作ラインに流したが、基板に625μm厚みの6インチシリコンウェハーを用いたので破損もなく、貼り合わせ工程がないのでノズル位置ずれで不良となるものはなかった。   In addition, since there was no bonding process, 10 wafers were flowed to the prototype line. However, because a 6-inch silicon wafer with a thickness of 625 μm was used for the substrate, there was no damage, and there was no bonding process, so there was a problem due to nozzle misalignment. There wasn't.

(比較例)
一方、図2は従来の方法によって作製されたインクジェットヘッドの断面図である。
(Comparative example)
On the other hand, FIG. 2 is a cross-sectional view of an inkjet head manufactured by a conventional method.

シリコン基板2に圧力発生室9が形成された流路基板15と、シリコン基板1にインク吐出口11及び圧力発生室9への連通路10が形成されたノズルプレート16とをAu-Au接合によって接合し、インクジェットヘッドを形成している。流路基板15は薄膜振動板3、絶縁膜4と、共通電極5、圧電体薄膜6、個別電極7から構成される薄膜圧電アクチュエータ8を備えている。Au-Au接合層12と、流路基板15のシリコン基板2、また、ノズルプレートのシリコン基板との間にはAuとシリコンとの下引き層としてチタン薄膜13a及び13bが設けてある。   The flow path substrate 15 in which the pressure generating chamber 9 is formed in the silicon substrate 2 and the nozzle plate 16 in which the ink discharge port 11 and the communication path 10 to the pressure generating chamber 9 are formed in the silicon substrate 1 are bonded by Au-Au bonding. The ink jet head is formed by bonding. The flow path substrate 15 includes a thin film diaphragm 3, an insulating film 4, a thin film piezoelectric actuator 8 including a common electrode 5, a piezoelectric thin film 6, and individual electrodes 7. Titanium thin films 13a and 13b are provided as an undercoat layer of Au and silicon between the Au—Au bonding layer 12, the silicon substrate 2 of the flow path substrate 15, and the silicon substrate of the nozzle plate.

これを実施例と同様にヘッド化したところ、アクチュエータの特性が10%程度劣化していた。   When this was converted into a head in the same manner as in the example, the characteristics of the actuator deteriorated by about 10%.

また、10ウェハーを試作ラインに流したが、基板に200μm厚みのSOIウェハーを用いたため、3枚は加工途中で割れてしまった。   Moreover, although 10 wafers were flowed to the trial production line, since an SOI wafer having a thickness of 200 μm was used for the substrate, three of them were broken during the processing.

また、全工程を完了したもののうち一枚は接合時に目標位置から10μmほどのずれが生じていた。   In addition, one of all the completed steps had a deviation of about 10 μm from the target position during bonding.

本発明によるインクジェットヘッドの模式図。1 is a schematic diagram of an inkjet head according to the present invention. 従来のインクジェットヘッドの例を示す模式図。Schematic diagram showing an example of a conventional inkjet head. 薄膜圧電アクチュエータの作製工程図。Manufacturing process drawing of a thin film piezoelectric actuator.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 シリコン膜
3 薄膜振動板(シリコン膜)
4 絶縁層
5 下電極
6 薄膜圧電体
7 上電極
8 薄膜圧電アクチュエータ
9 圧力発生室
10 下地層
11 金属層
12 連通部
13 ノズル
14 下地層
15 接合層
16 ノズルプレート
18 上電極形成用エッチングマスク
19 薄膜圧電体部形成用エッチングマスク
1 Substrate
2 Silicon film
3 Thin film diaphragm (silicon film)
4 Insulating layer
5 Lower electrode
6 Thin film piezoelectric
7 Upper electrode
8 Thin film piezoelectric actuator
9 Pressure generation chamber
10 Underlayer
11 Metal layer
12 Communication part
13 nozzles
14 Underlayer
15 Bonding layer
16 Nozzle plate
18 Etching mask for upper electrode formation
19 Etching mask for forming thin film piezoelectric part

Claims (2)

シリコン基板に流路が形成された基板を含み、該流路が形成されたシリコン基板と他の部材とが導電体を介して一体化されていることを特徴とするインクジェットヘッド。   An ink jet head comprising: a substrate having a channel formed on a silicon substrate; and the silicon substrate on which the channel is formed and another member are integrated via a conductor. シリコン基板に流路が形成された基板を含み、該流路が形成されたシリコン基板と他の部材とが導電体を介して一体化されているインクジェットヘッドの製造方法に於いて、シリコン基板に陽極化成用の導電体膜を設けるステップと、その後に導電体膜の上にシリコン膜を成膜するステップと、該シリコン膜に流路およびノズルとなる部分を形成するステップと、さらにその上に振動板となるシリコン膜を成膜するステップおよび各振動板上にアクチュエータを作成するステップと、ノズルとなる部分を切断し、エッチングにより流路形成するステップとを含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。   In a method of manufacturing an inkjet head, which includes a substrate having a channel formed on a silicon substrate, and the silicon substrate on which the channel is formed and another member are integrated via a conductor, A step of providing a conductor film for anodization, a step of forming a silicon film on the conductor film, a step of forming a portion to be a flow path and a nozzle in the silicon film, and a step thereof An inkjet head comprising: a step of forming a silicon film to be a vibration plate; a step of creating an actuator on each vibration plate; and a step of cutting a portion to be a nozzle and forming a flow path by etching. Production method.
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