JP2009060025A - Method for evaluating cleanliness in wafer-transfer system - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve at a low cost the evaluation efficiency of cleanliness resulting from dust in a wafer-transfer system installed between a semiconductor production device and a wafer carrier to transfer a wafer into the semiconductor production device from the wafer carrier. <P>SOLUTION: One end of the wafer carrier is opened, and the wafer carrier is made to communicate with the wafer-transfer system. Dust in the wafer-transfer system is sucked through the wafer carrier to measure the concentration of dust. Cleanliness in the wafer-transfer system is evaluated from the measured concentration of dust. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。   The present invention relates to a cleanliness evaluation method in a wafer transfer system provided between a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer carrier for transferring a wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus.

半導体デバイスの微細化が進むにつれて、ウエハに付着する塵埃が前記半導体デバイスの製造歩留まりや品質、信頼性に対して高い影響を及ぼすようになってきている。したがって、前記半導体デバイスを製造するための半導体製造装置のクリーン化が重要な課題となってきている。   As semiconductor devices are miniaturized, dust adhering to a wafer has a high influence on the manufacturing yield, quality, and reliability of the semiconductor devices. Therefore, it is an important issue to clean a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing the semiconductor device.

前記半導体製造装置内には、所定のウエハキャリアから前記半導体デバイスの基板となるべきウエハが随時搬入されることになるが、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内に直接ウエハを搬入すると、前記半導体製造装置の内部が一旦外気に晒されることになる。したがって、前記半導体製造装置がクリーンルーム内に設置されているとしても、前記半導体製造装置内にウエハを搬入する際に、前記半導体製造装置内が汚染されてしまうことになる。結果として、上述した半導体製造装置のクリーン化の要請に反することになる。   In the semiconductor manufacturing apparatus, a wafer to be a substrate of the semiconductor device is loaded as needed from a predetermined wafer carrier. When a wafer is directly loaded into the semiconductor manufacturing apparatus from the wafer carrier, the semiconductor The inside of the manufacturing apparatus is once exposed to the outside air. Therefore, even if the semiconductor manufacturing apparatus is installed in a clean room, the semiconductor manufacturing apparatus is contaminated when a wafer is carried into the semiconductor manufacturing apparatus. As a result, this is contrary to the above-described demand for cleaning the semiconductor manufacturing apparatus.

このような問題に鑑み、近年では前記ウエハキャリアと前記半導体製造装置との間に、比較的高いクリーン度に保持されたウエハ移送システムを配置し、前記ウエハキャリアからのウエハを前記ウエハ移送システム内に搬送して収納した後、前記ウエハ移送システムから前記半導体製造装置内へ前記ウエハを移送するような構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０００−１８８３２０号公報 In view of such problems, in recent years, a wafer transfer system maintained at a relatively high degree of cleanness is disposed between the wafer carrier and the semiconductor manufacturing apparatus, and the wafer from the wafer carrier is placed in the wafer transfer system. After the wafer is transferred and stored, the wafer is transferred from the wafer transfer system into the semiconductor manufacturing apparatus (see, for example, Patent Document 1).
JP 2000-188320 A

しかしながら、上記ウエハ移送システムを用いた場合においても、前記ウエハキャリアの蓋を開にして前記ウエハ移送システムと連通させて、所定のウエハを前記ウエハキャリアから前記ウエハ移送システム内に移送する際に、前記蓋の開動作に伴って多量の塵埃が生じてしまう。したがって、ウエハキャリアの所定のバッチにおいては、前記蓋の開動作に伴って、内部のウエハに多量の塵埃が付着してしまい、最終的に得る半導体デバイスの製造歩留まりや品質、信頼性を劣化させてしまうことになる。   However, even when the wafer transfer system is used, when the predetermined wafer is transferred from the wafer carrier into the wafer transfer system by opening the lid of the wafer carrier and communicating with the wafer transfer system, A large amount of dust is generated with the opening operation of the lid. Therefore, in a given batch of wafer carriers, with the opening operation of the lid, a large amount of dust adheres to the internal wafer, degrading the manufacturing yield, quality and reliability of the finally obtained semiconductor device. It will end up.

かかる観点より、上記ウエハ移送システム内の清浄度を適宜モニタリングし、清浄度が劣化した場合は、前記ウエハ移送システム内を適宜清浄する必要がある。   From this point of view, it is necessary to appropriately monitor the cleanliness in the wafer transfer system and to clean the interior of the wafer transfer system appropriately when the cleanliness deteriorates.

従来、前記ウエハ移送システム内の清浄度のモニタリングは、例えば清浄度測定用のウエハを別途用意し、このウエハを前記ウエハ移送システム内に複数回出し入れし、前記ウエハに付着した塵埃を前記ウエハ移送システム内に出し入れした回数で除し、前記ウエハ移送システム内への１回当たりの移送において付着した塵埃の量（濃度）を計測することにより実施していた。なお、このような操作は一般にＰＷＰ（Particle Wafer per Pass）と称される。   Conventionally, the cleanliness monitoring in the wafer transfer system is performed by, for example, separately preparing a wafer for measuring cleanliness, taking this wafer into and out of the wafer transfer system a plurality of times, and removing dust adhering to the wafer. Dividing by the number of times of putting in and out of the system, the amount (concentration) of dust adhering in one transfer into the wafer transfer system was measured. Such an operation is generally referred to as PWP (Particle Wafer per Pass).

しかしながら、上述したＰＷＰにおいては、その操作に対して専用のウエハを準備する必要があるとともに、通常の半導体製造工程とは別にＰＷＰ専用の工程を設ける必要があり、実質的な半導体デバイスの製造時間が長時間化してしまうという問題があった。このような観点から、従来のＰＷＰでは前記半導体デバイスの製造コストを必然的に押上げてしまう結果となっていた。   However, in the above-described PWP, it is necessary to prepare a dedicated wafer for the operation, and it is necessary to provide a process dedicated to PWP in addition to the normal semiconductor manufacturing process. There was a problem that would be prolonged. From this point of view, the conventional PWP inevitably increases the manufacturing cost of the semiconductor device.

本発明は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の、塵埃に起因した清浄度の評価効率を低コストで向上させることを目的とする。   The present invention provides low evaluation efficiency of cleanliness due to dust in a wafer transfer system provided between a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer carrier for transferring a wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus. The purpose is to improve the cost.

上記目的を達成すべく、本発明の一態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システム内の塵埃を前記ウエハキャリアを介して吸引し、前記塵埃の濃度を計測する工程とを具え、計測された前記塵埃の濃度から前記ウエハ移送システム中の清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。   In order to achieve the above object, one aspect of the present invention provides a cleanliness in a wafer transfer system provided between a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer carrier for transferring a wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus. An evaluation method comprising: opening one end of the wafer carrier to communicate the wafer carrier with the wafer transfer system; sucking dust in the wafer transfer system through the wafer carrier; A cleanliness evaluation method in the wafer transfer system, comprising: measuring a concentration; and evaluating the cleanliness in the wafer transfer system from the measured dust concentration.

また、本発明の他の態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記塵埃からの散乱光の光量を計測する工程とを具え、計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。   Another aspect of the present invention is a cleanliness evaluation method in a wafer transfer system provided between a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer carrier for transferring a wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus. A step of opening one end of the wafer carrier to allow the wafer carrier to communicate with the wafer transfer system, and irradiating the dust that has flowed into the wafer carrier from the wafer transfer system with light. Measuring the amount of scattered light from the wafer, quantifying the concentration of dust in the wafer transfer system from the measured amount of light, and evaluating the cleanliness of the wafer transfer system The present invention relates to a cleanliness evaluation method in a transfer system.

さらに、本発明のその他の態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記光の前記塵埃を介して透過した成分の光量を計測する工程とを具え、計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。   Furthermore, another aspect of the present invention is a cleanliness evaluation method in a wafer transfer system that is provided between a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer carrier and transfers a wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus. Opening one end of the wafer carrier and communicating the wafer carrier with the wafer transfer system; and irradiating the dust flowing into the wafer carrier from the wafer transfer system with light, Measuring the amount of light transmitted through the dust, quantifying the concentration of dust in the wafer transfer system from the measured amount of light, and evaluating the cleanliness of the wafer transfer system. The present invention relates to a cleanliness evaluation method in a wafer transfer system.

上記態様によれば、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の、塵埃に起因した清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。   According to the above aspect, the evaluation efficiency of cleanliness due to dust in the wafer transfer system provided between the semiconductor manufacturing apparatus and the wafer carrier for transferring the wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus. Can be improved at low cost.

以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described.

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。図１に示すように、ウエハキャリア１０と半導体製造装置３０との間には、ウエハ移送システム２０が設けられている。ウエハキャリア１０は、特に明示していないものの、複数のウエハが所定の間隔で上下方向に積層されて収納されるようにして構成されている。また、その一端には、開閉自在な蓋１１が設けられている。半導体製造装置３０は、製造しようとする半導体デバイスの種類などに応じて適宜に設計され、例えばエッチング室や成膜室などの複数の処理室を有する。また、必要に応じて、ロード室及び／又はアンロード室を有することができる。 (First embodiment)
FIG. 1 is a diagram for explaining a cleanliness evaluation method in the wafer transfer system according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, a wafer transfer system 20 is provided between the wafer carrier 10 and the semiconductor manufacturing apparatus 30. The wafer carrier 10 is configured such that a plurality of wafers are stacked in a vertical direction at a predetermined interval and stored, although not particularly specified. Moreover, the lid | cover 11 which can be opened and closed freely is provided in the end. The semiconductor manufacturing apparatus 30 is appropriately designed according to the type of semiconductor device to be manufactured, and has a plurality of processing chambers such as an etching chamber and a film forming chamber. Moreover, it can have a load chamber and / or an unload chamber as needed.

ウエハ移送システム２０は、通称ミニエンバイロンメントと呼ばれるウエハ搬送室２１と、その上部に設けられた清浄空気供給ユニット２２とを有している。この清浄空気供給ユニット２２は、上側にファン２２１が設けられ、下側に設けられた吹出し口２２２を介してウエハ搬送室２１内に矢印で示す方向に清浄空気が供給されるように構成されている。なお、ウエハ搬送室２１内に供給された前記清浄空気は、図示しない排気ファンを介して外部に放出されるようになっている。   The wafer transfer system 20 includes a wafer transfer chamber 21 commonly called a mini-environment, and a clean air supply unit 22 provided on the upper portion thereof. This clean air supply unit 22 is configured such that a fan 221 is provided on the upper side and clean air is supplied into the wafer transfer chamber 21 in the direction indicated by the arrow through a blowout port 222 provided on the lower side. Yes. The clean air supplied into the wafer transfer chamber 21 is discharged to the outside through an exhaust fan (not shown).

また、ウエハ搬送室２１内には、図示しないウエハ搬送ロボットが配置され、ウエハキャリア１０から供給されたウエハを随時半導体製造装置３０内に搬入するようになっている。さらに、ウエハ移送システム２０は、ウエハ搬送室２１の外部においてウエハキャリア１０を載置するための台２３を有している。   A wafer transfer robot (not shown) is disposed in the wafer transfer chamber 21 so that the wafer supplied from the wafer carrier 10 is carried into the semiconductor manufacturing apparatus 30 as needed. Further, the wafer transfer system 20 has a table 23 for placing the wafer carrier 10 outside the wafer transfer chamber 21.

さらに、ウエハキャリア１０の蓋１１側と対向する位置には、吸引チューブ１２が取り付けられ、その一端には塵埃濃度測定装置１３が取り付けられている。さらに、ウエハキャリア１０の上面には開口部１０Ａが形成され、ウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１と連通したチューブ１４が設けられている。   Further, a suction tube 12 is attached to a position facing the lid 11 side of the wafer carrier 10, and a dust concentration measuring device 13 is attached to one end thereof. Further, an opening 10 </ b> A is formed on the upper surface of the wafer carrier 10, and a tube 14 communicating with the wafer transfer chamber 21 of the wafer transfer system 20 is provided.

本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、塵埃濃度測定装置１３を駆動させ、吸引チューブ１２を介してウエハキャリア１０内の空気を常に吸引した状態としておく。ウエハキャリア１０内の体積は数十リットルであり、塵埃濃度測定装置１３による吸引量も数十リットル／分であるので、通常はウエハキャリア１０内の圧力は吸引と同時に負圧になる。一方、ウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１内は、清浄空気が常に供給されていることから常に加圧の状態にある。   The cleanliness evaluation of the wafer transfer system 20 in the present embodiment is performed as follows. First, the dust concentration measuring device 13 is driven, and the air in the wafer carrier 10 is always sucked through the suction tube 12. Since the volume in the wafer carrier 10 is several tens of liters, and the amount of suction by the dust concentration measuring device 13 is also several tens of liters / minute, the pressure in the wafer carrier 10 usually becomes negative simultaneously with the suction. On the other hand, the inside of the wafer transfer chamber 21 of the wafer transfer system 20 is always in a pressurized state since clean air is always supplied.

したがって、このままではウエハキャリア１０内の圧力とウエハ搬送室２１内の圧力との差が大きくなって、ウエハキャリア１０の蓋１１を開にすることができず、ウエハ移送システム２０内の塵埃を計測し、その清浄度を評価することができない。   Therefore, in this state, the difference between the pressure in the wafer carrier 10 and the pressure in the wafer transfer chamber 21 becomes large, the lid 11 of the wafer carrier 10 cannot be opened, and the dust in the wafer transfer system 20 is measured. However, the cleanliness cannot be evaluated.

しかしながら、本実施形態では、ウエハキャリア１０とウエハ搬送室２１とがチューブ１４で連通しているので、ウエハキャリア１０内の吸引による圧力低下はチューブ１４を介してウエハ搬送室２１から供給される清浄空気で補償されることになる。したがって、ウエハキャリア１０内の圧力は大きな負圧となることがなく、ウエハキャリア１０内の圧力とウエハ搬送室２１内の圧力との差が小さくなって、ウエハキャリア１０の蓋１１の開動作を容易に行うことができるようになる。   However, in this embodiment, since the wafer carrier 10 and the wafer transfer chamber 21 communicate with each other through the tube 14, the pressure drop due to the suction in the wafer carrier 10 is cleaned from the wafer transfer chamber 21 through the tube 14. It will be compensated with air. Therefore, the pressure in the wafer carrier 10 does not become a large negative pressure, and the difference between the pressure in the wafer carrier 10 and the pressure in the wafer transfer chamber 21 is reduced, and the opening operation of the lid 11 of the wafer carrier 10 is performed. It can be done easily.

上述のような構成に基づき、ウエハキャリア１０内の吸引を開始した後、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に吸い込まれ、さらに吸引チューブ１２を介して塵埃濃度測定装置１３内に吸い込まれるようになる。したがって、前記塵埃ｄの量を塵埃濃度測定装置１３で計測することによって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度を評価することができる。   Based on the configuration as described above, after the suction in the wafer carrier 10 is started, the lid 11 of the wafer carrier 10 is opened. Then, the dust d in the wafer transfer system 20, that is, the wafer transfer chamber 21 is sucked into the wafer carrier 10 and further sucked into the dust concentration measuring device 13 through the suction tube 12. Therefore, the cleanness of the wafer transfer chamber 21, that is, the wafer transfer system 20 can be evaluated by measuring the amount of the dust d with the dust concentration measuring device 13.

なお、ウエハ搬送室２１内で発生する塵埃ｄは、そのほとんどがウエハキャリア１０の蓋１１の開動作に伴って、蓋１１の近傍から発生するものであるので、上述した吸引による塵埃ｄの濃度計測によって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度をほぼ正確に評価することができる。   Since most of the dust d generated in the wafer transfer chamber 21 is generated from the vicinity of the lid 11 when the lid 11 of the wafer carrier 10 is opened, the concentration of the dust d due to the suction described above. By measuring, the cleanliness of the wafer transfer chamber 21, that is, the wafer transfer system 20, can be evaluated almost accurately.

また、塵埃濃度測定装置１３は、質量法、比色法、計数法などを利用した汎用の濃度測定装置を用いることができる。   The dust concentration measuring device 13 may be a general-purpose concentration measuring device using a mass method, a colorimetric method, a counting method, or the like.

本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。   According to the present embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus 30 is not prepared from a wafer carrier 10 via a wafer transfer system 20 in the actual semiconductor device manufacturing process without preparing a separate dust concentration measuring wafer as in PWP. Since the cleanliness in the wafer transfer system 20 can be evaluated by directly using the wafer constituting the semiconductor device when the wafer is transferred into the wafer, the evaluation efficiency of the cleanliness in the wafer transfer system 20 can be reduced. Can be improved.

（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図２において、図１に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。 (Second Embodiment)
FIG. 2 is a diagram for explaining a cleanliness evaluation method in the wafer transfer system according to the second embodiment. In FIG. 2, the same or similar components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

本実施形態は、上記第１の実施形態の変形例に相当するものであって、塵埃濃度測定装置１３がウエハキャリア１０内に直接配置されている点において、上記第１の実施形態と相違する。また、以下に説明するように、塵埃濃度測定装置１３がウエハキャリア１０内に配置されているので、装置による吸引及び排気を同じウエハキャリア１０内で行うようになる。したがって、上記第１の実施形態のようにウエハキャリア１０内が負圧になって蓋１１の開動作を実施できなくなることがない。このような観点から、本実施形態においては、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。   The present embodiment corresponds to a modification of the first embodiment, and is different from the first embodiment in that the dust concentration measuring device 13 is directly disposed in the wafer carrier 10. . Further, as will be described below, since the dust concentration measuring device 13 is disposed in the wafer carrier 10, suction and evacuation by the device are performed in the same wafer carrier 10. Therefore, unlike in the first embodiment, the inside of the wafer carrier 10 does not become negative pressure and the lid 11 cannot be opened. From this point of view, in this embodiment, the tube 14 that connects the wafer carrier 10 that compensates for the negative pressure and the wafer transfer chamber 21 of the wafer transfer system 20 is not provided.

なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。   Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、塵埃濃度測定装置１３を駆動させ、吸引チューブ１２を介してウエハキャリア１０内の空気を常に吸引した状態としておく。この際、吸引した空気は図示しない所定のフィルターを介して同じウエハキャリア１０内に排出される。この結果、ウエハキャリア１０内の圧力変化をほとんど生じることなく、上述した吸引操作を行うことができる。   The cleanliness evaluation of the wafer transfer system 20 in the present embodiment is performed as follows. First, the dust concentration measuring device 13 is driven, and the air in the wafer carrier 10 is always sucked through the suction tube 12. At this time, the sucked air is discharged into the same wafer carrier 10 through a predetermined filter (not shown). As a result, the above-described suction operation can be performed with almost no pressure change in the wafer carrier 10.

次に、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に吸い込まれ、さらに吸引チューブ１２を介して塵埃濃度測定装置１３内に吸い込まれるようになる。したがって、前記塵埃ｄの量を塵埃濃度測定装置１３で計測することによって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度を評価することができる。   Next, the lid 11 of the wafer carrier 10 is opened. Then, the dust d in the wafer transfer system 20, that is, the wafer transfer chamber 21 is sucked into the wafer carrier 10 and further sucked into the dust concentration measuring device 13 through the suction tube 12. Therefore, by measuring the amount of dust d with the dust concentration measuring device 13, the cleanliness of the wafer transfer chamber 21, that is, the wafer transfer system 20, can be evaluated.

なお、この場合においても、ウエハ搬送室２１内で発生する塵埃ｄは、そのほとんどがウエハキャリア１０の蓋１１の開動作に伴って、蓋１１の近傍から発生するものであるので、上述した吸引による塵埃ｄの濃度計測によって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度をほぼ正確に評価することができる。   Even in this case, most of the dust d generated in the wafer transfer chamber 21 is generated from the vicinity of the lid 11 when the lid 11 of the wafer carrier 10 is opened. By measuring the concentration of the dust d, the cleanliness of the wafer transfer chamber 21, that is, the wafer transfer system 20, can be evaluated almost accurately.

また、塵埃濃度測定装置１３は、質量法、比色法、計数法などを利用した汎用の濃度測定装置を用いることができるが、ウエハキャリア１０内に設置する観点から小型のものを選択する。   As the dust concentration measuring device 13, a general-purpose concentration measuring device using a mass method, a colorimetric method, a counting method, or the like can be used, but a small one is selected from the viewpoint of installation in the wafer carrier 10.

本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。   According to the present embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus 30 is not prepared from a wafer carrier 10 via a wafer transfer system 20 in the actual semiconductor device manufacturing process without preparing a separate dust concentration measuring wafer as in PWP. Since the cleanliness in the wafer transfer system 20 can be evaluated by directly using the wafer constituting the semiconductor device when the wafer is transferred into the wafer, the evaluation efficiency of the cleanliness in the wafer transfer system 20 can be reduced. Can be improved.

（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図３において、図１に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。 (Third embodiment)
FIG. 3 is a diagram for explaining a cleanliness evaluation method in the wafer transfer system according to the third embodiment. In FIG. 3, the same or similar components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

第１の実施形態では、塵埃濃度測定装置１３を用い、ウエハキャリア１０内の空気を吸引して直接的に塵埃ｄの濃度を計測してウエハ移送システム２０の清浄度を評価したが、本実施形態では、塵埃ｄの濃度を光学的手法を用いて間接的に計測し、ウエハ移送システム２０の清浄度を評価するようにしている。   In the first embodiment, the dust concentration measuring device 13 is used to suck the air in the wafer carrier 10 and directly measure the concentration of the dust d to evaluate the cleanliness of the wafer transfer system 20. In the embodiment, the density of the dust d is indirectly measured using an optical method, and the cleanliness of the wafer transfer system 20 is evaluated.

上記観点から、本実施形態では、ウエハキャリア１０の蓋１１と対向する側に開口部１０Ｂを形成するとともに、その後方にレーザ光源２３を配置している。なお、レーザ光源２３から発せられたレーザ光Ｌ１は開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入されるようになっている。また、ウエハキャリア１０の上面には開口部１０Ｃが形成されるとともに、開口部１０Ｃには受光素子２４が連結されている。さらに、受光素子２４の後方には光計測器２５が連結されており、受光素子２４で受光した光の量を計測するように構成されている。   From the above viewpoint, in this embodiment, the opening 10B is formed on the side facing the lid 11 of the wafer carrier 10, and the laser light source 23 is disposed behind the opening 10B. The laser light L1 emitted from the laser light source 23 is introduced into the wafer carrier 10 through the opening 10B. An opening 10C is formed on the upper surface of the wafer carrier 10, and a light receiving element 24 is connected to the opening 10C. Further, an optical measuring instrument 25 is connected behind the light receiving element 24 and is configured to measure the amount of light received by the light receiving element 24.

本実施形態においては、第１の実施形態のように、吸引による塵埃ｄの直接的な計測を目的としているものではないので、ウエハキャリア１０内が吸引によって負圧となるようなことがない。したがって、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。   In the present embodiment, unlike the first embodiment, it is not intended for the direct measurement of the dust d by suction, so that the inside of the wafer carrier 10 does not become negative pressure by suction. Therefore, the tube 14 that connects the wafer carrier 10 and the wafer transfer chamber 21 of the wafer transfer system 20 that compensate for the negative pressure is not provided.

なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。   Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、レーザ光源２３を駆動させ、レーザ光Ｌ１を、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入する。次いで、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に流入するようになる。このとき、ウエハキャリア１０内にはレーザ光Ｌ１が導入されているので、レーザ光Ｌ１は流入した塵埃ｄによって反射され、散乱される。   The cleanliness evaluation of the wafer transfer system 20 in the present embodiment is performed as follows. First, the laser light source 23 is driven, and the laser light L1 is introduced into the wafer carrier 10 through the opening 10B. Next, the lid 11 of the wafer carrier 10 is opened. Then, the dust d in the wafer transfer system 20, that is, the wafer transfer chamber 21 flows into the wafer carrier 10. At this time, since the laser beam L1 is introduced into the wafer carrier 10, the laser beam L1 is reflected and scattered by the dust d flowing in.

したがって、レーザ光Ｌ１から塵埃ｄによって生成された散乱光Ｌ２を受光素子２４で受光し、電気信号に変換した後光計測器２５に送信することにより、光計測器２５では散乱光Ｌ２の光量に応じた強度の電気信号を受信することになる。すなわち、受光素子２４及び光計測器２５によって、散乱光Ｌ２の光量を計測できることになる。一方、散乱光Ｌ２の光量は、ウエハキャリア１０内に流入した塵埃ｄ、すなわちウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度に応じて変化し、塵埃ｄの濃度が増大するにつれて散乱光Ｌ２の光量も増大する。   Therefore, the scattered light L2 generated by the dust d from the laser light L1 is received by the light receiving element 24, converted into an electrical signal, and then transmitted to the optical measuring instrument 25, so that the optical measuring instrument 25 changes the light quantity of the scattered light L2. An electric signal having a corresponding strength is received. That is, the light quantity of the scattered light L2 can be measured by the light receiving element 24 and the optical measuring instrument 25. On the other hand, the light amount of the scattered light L2 changes according to the concentration of the dust d flowing into the wafer carrier 10, that is, the dust d in the wafer transfer system 20, and the light amount of the scattered light L2 increases as the concentration of the dust d increases. Increase.

その結果、予め散乱光Ｌ２の光量と塵埃ｄの濃度との相関を求めておくことにより、散乱光Ｌ２の光量を計測することによって、ウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を後に適宜間接的に同定することができるようになる。図４は、塵埃ｄの濃度と散乱光Ｌ２の光量との相関の一例を示すグラフである。図４（ａ）に示すように、ウエハ移送システム２０内に塵埃ｄが存在しない場合は、光計測器２５のノイズ成分のみが観測されるのに対し、図４（ｂ）に示すように、ウエハ移送システム２０内に塵埃ｄが存在する場合は、塵埃ｄに起因した散乱光Ｌ２が、時間の経過とともにランダムに計測されるようになる。   As a result, the correlation between the light amount of the scattered light L2 and the concentration of the dust d is obtained in advance, and the light amount of the scattered light L2 is measured, so that the concentration of the dust d in the wafer transfer system 20 can be indirectly adjusted later. Can be identified. FIG. 4 is a graph showing an example of the correlation between the concentration of dust d and the amount of scattered light L2. As shown in FIG. 4A, when the dust d is not present in the wafer transfer system 20, only the noise component of the optical measuring instrument 25 is observed, whereas as shown in FIG. When the dust d exists in the wafer transfer system 20, the scattered light L2 resulting from the dust d is randomly measured over time.

なお、受光素子２４及び光計測器２５は、ＣＣＤ素子及びそれに付随した計測器を有するＣＣＤイメージセンサなど汎用のものから適宜に選択して用いることができる。   The light receiving element 24 and the optical measuring device 25 can be appropriately selected from general-purpose devices such as a CCD image sensor having a CCD element and a measuring device attached thereto.

また、上述のように散乱光Ｌ２を生成できるものであれば、レーザ光源を用いる必要はなく、任意の光源を使用することができる。   Further, as long as the scattered light L2 can be generated as described above, it is not necessary to use a laser light source, and an arbitrary light source can be used.

本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。   According to the present embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus 30 is not prepared from a wafer carrier 10 via a wafer transfer system 20 in the actual semiconductor device manufacturing process without preparing a separate dust concentration measuring wafer as in PWP. Since the cleanliness in the wafer transfer system 20 can be evaluated by directly using the wafer constituting the semiconductor device when the wafer is transferred into the wafer, the evaluation efficiency of the cleanliness in the wafer transfer system 20 can be reduced. Can be improved.

（第４の実施形態）
図５は、第４の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図５において、図１及び図３に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。 (Fourth embodiment)
FIG. 5 is a diagram for explaining a cleanliness evaluation method in the wafer transfer system according to the fourth embodiment. In FIG. 5, the same or similar components as those shown in FIGS. 1 and 3 are denoted by the same reference numerals.

第１の実施形態では、塵埃濃度測定装置１３を用い、ウエハキャリア１０内の空気を吸引して直接的に塵埃ｄの濃度を計測してウエハ移送システム２０の清浄度を評価したが、本実施形態でも、第３の実施形態と同様に、塵埃ｄの濃度を光学的手法を用いて間接的に計測し、ウエハ移送システム２０の清浄度を評価するようにしている。   In the first embodiment, the dust concentration measuring device 13 is used to suck the air in the wafer carrier 10 and directly measure the concentration of the dust d to evaluate the cleanliness of the wafer transfer system 20. Also in the embodiment, as in the third embodiment, the concentration of the dust d is indirectly measured using an optical method, and the cleanliness of the wafer transfer system 20 is evaluated.

上記観点から、本実施形態では、ウエハキャリア１０の蓋１１と対向する側に開口部１０Ｂを形成するとともに、その後方にレーザ光源２３を配置している。なお、レーザ光源２３から発せられたレーザ光Ｌ１は、レーザ光源２３及びウエハキャリア１０間に設けられた絞り２７によって適宜所定のビーム径にまで絞った後、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入されるようになっている。また、ウエハキャリア１０の蓋１１が設けられた側の側面には、受光素子２４が開口部１０Ｂと対向するようにして配置されている。   From the above viewpoint, in this embodiment, the opening 10B is formed on the side facing the lid 11 of the wafer carrier 10, and the laser light source 23 is disposed behind the opening 10B. The laser light L1 emitted from the laser light source 23 is appropriately reduced to a predetermined beam diameter by a stop 27 provided between the laser light source 23 and the wafer carrier 10, and then the inside of the wafer carrier 10 through the opening 10B. To be introduced. Further, the light receiving element 24 is disposed on the side surface of the wafer carrier 10 on the side where the lid 11 is provided so as to face the opening 10B.

なお、受光素子２４は、レーザ光Ｌ１と干渉しないようにして配置された配線２８によって駆動用電源２６に接続されるとともに光計測器２５に接続されている。   The light receiving element 24 is connected to the driving power supply 26 and to the optical measuring instrument 25 through a wiring 28 arranged so as not to interfere with the laser light L1.

本実施形態においても、第１の実施形態のように、吸引による塵埃ｄの直接的な計測を目的としているものではないので、ウエハキャリア１０内が吸引によって負圧となるようなことがない。したがって、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。   Also in the present embodiment, unlike the first embodiment, it is not intended for direct measurement of the dust d by suction, so that the inside of the wafer carrier 10 does not become negative pressure by suction. Therefore, the tube 14 that connects the wafer carrier 10 and the wafer transfer chamber 21 of the wafer transfer system 20 that compensate for the negative pressure is not provided.

なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。   Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、レーザ光源２３を駆動させ、レーザ光Ｌ１を、絞り２７でビーム径を所定の径にまで絞った後、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入する。次いで、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に流入するようになる。このとき、ウエハキャリア１０内にはレーザ光Ｌ１が導入されているので、レーザ光Ｌ１は流入した塵埃ｄによって反射され、散乱される。   The cleanliness evaluation of the wafer transfer system 20 in the present embodiment is performed as follows. First, the laser light source 23 is driven, and the laser beam L1 is narrowed down to a predetermined diameter by the diaphragm 27 and then introduced into the wafer carrier 10 through the opening 10B. Next, the lid 11 of the wafer carrier 10 is opened. Then, the dust d in the wafer transfer system 20, that is, the wafer transfer chamber 21 flows into the wafer carrier 10. At this time, since the laser beam L1 is introduced into the wafer carrier 10, the laser beam L1 is reflected and scattered by the dust d flowing in.

したがって、ウエハキャリア１０内に配置された受光素子２４では、塵埃ｄの流入前後によってレーザ光源２３からのレーザ光Ｌ１の受光量が異なるようになる。すなわち、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在しない場合は、レーザ光Ｌ１はそのまま受光素子２４で受光されるようになるので、受光する光量は比較的大きくなる。一方、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在する場合、レーザ光Ｌ１は塵埃ｄによって散乱されるので、受光素子２４で受光する光量が減少することになる。結果として、受光素子２４によるレーザ光Ｌ１の受光量の減少度合いから、ウエハキャリア１０内の塵埃ｄ、すなわちウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を間接的に知ることができる。   Therefore, in the light receiving element 24 arranged in the wafer carrier 10, the amount of received light of the laser light L1 from the laser light source 23 varies depending on before and after the inflow of dust d. That is, when there is no dust d in the wafer carrier 10, the laser light L1 is received by the light receiving element 24 as it is, so that the amount of light received is relatively large. On the other hand, when the dust d is present in the wafer carrier 10, the laser light L1 is scattered by the dust d, so that the amount of light received by the light receiving element 24 is reduced. As a result, the concentration of the dust d in the wafer carrier 10, that is, the concentration of the dust d in the wafer transfer system 20 can be indirectly known from the degree of decrease in the amount of light received by the light receiving element 24.

具体的には、受光素子２４の受光量と塵埃ｄの濃度との相関を求めておくことにより、受光素子２４の光量を計測することによって、ウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を後に適宜間接的に同定することができるようになる。図６は、受光素子２４における受光量の測定時間依存性を示すグラフの一例を示すものである。図６から明らかなように、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在しない場合、受光素子２４における受光量はほぼ一定となるが（図６（ａ）参照）、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在する場合、受光素子得２４における受光量は、例えば塵埃ｄによる散乱により所定の測定時間において減少するような傾向を呈する（図６（ｂ）参照）。   Specifically, by determining the correlation between the amount of light received by the light receiving element 24 and the concentration of the dust d, the concentration of the dust d in the wafer transfer system 20 is appropriately adjusted later by measuring the light amount of the light receiving element 24. It becomes possible to identify indirectly. FIG. 6 shows an example of a graph showing the measurement time dependence of the amount of light received by the light receiving element 24. As is apparent from FIG. 6, when no dust d is present in the wafer carrier 10, the amount of light received by the light receiving element 24 is substantially constant (see FIG. 6A), but the dust d is present in the wafer carrier 10. In this case, the amount of light received by the light receiving element 24 tends to decrease in a predetermined measurement time due to scattering by dust d, for example (see FIG. 6B).

なお、受光素子２４及び光計測器２５は、フォトダイオード及びそれに付随した汎用の計測器などから適宜に選択して用いることができる。また、受光素子２４の前面には必要に応じてフィルターを設けることもできる。   The light receiving element 24 and the optical measuring instrument 25 can be appropriately selected from a photodiode and a general-purpose measuring instrument associated therewith. Further, a filter may be provided on the front surface of the light receiving element 24 as necessary.

また、レーザ光源２３の代わりに他の光源をも用いることができるが、上記のようにフォトダイオードなどを受光素子２４として用いる場合は、特定の波長の光しか受光することができないので、上述のようにレーザ光源２３を用いることが好ましい。   In addition, other light sources can be used instead of the laser light source 23. However, when a photodiode or the like is used as the light receiving element 24 as described above, only light having a specific wavelength can be received. Thus, the laser light source 23 is preferably used.

本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。   According to the present embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus 30 is not prepared from a wafer carrier 10 via a wafer transfer system 20 in the actual semiconductor device manufacturing process without preparing a separate dust concentration measuring wafer as in PWP. Since the cleanliness in the wafer transfer system 20 can be evaluated by directly using the wafer constituting the semiconductor device when the wafer is transferred into the wafer, the evaluation efficiency of the cleanliness in the wafer transfer system 20 can be reduced. Can be improved.

以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。   While the present invention has been described in detail based on the above specific examples, the present invention is not limited to the above specific examples, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、上記第１の実施形態では、チューブ１４をウエハキャリア１０の上面に取り付けたが、ウエハ搬送室２１内の清浄な空気を取り込み、吸引による負圧を補償するものであれば、任意の箇所に取り付けることができる。例えば、特に図示しないが、ウエハキャリア１０のブリージングフィルターを介して供給するようにすることもできる。   For example, in the first embodiment, the tube 14 is attached to the upper surface of the wafer carrier 10. However, any location can be used as long as it takes in clean air in the wafer transfer chamber 21 and compensates for negative pressure due to suction. Can be attached to. For example, although not particularly illustrated, the wafer carrier 10 may be supplied via a breathing filter.

また、本発明は、ウエハ移送システム２０内に清浄度を評価する場合の他、その他の密閉容器であって、塵埃の発生が問題となるようなあらゆる製品及び装置の清浄度評価に対しても用いることができる。   The present invention is not limited to the case where the cleanliness is evaluated in the wafer transfer system 20, but is also applicable to the cleanliness evaluation of any other sealed container, in which dust generation is a problem. Can be used.

第１の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cleanliness evaluation method in the wafer transfer system in 1st Embodiment. 第２の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cleanliness evaluation method in the wafer transfer system in 2nd Embodiment. 第３の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cleanliness evaluation method in the wafer transfer system in 3rd Embodiment. 塵埃ｄの濃度と散乱光Ｌ２の光量との相関の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the correlation with the density | concentration of the dust d, and the light quantity of the scattered light L2. 第４の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cleanliness evaluation method in the wafer transfer system in 4th Embodiment. 受光素子２４における受光量の測定時間依存性を示すグラフの一例を示すものである。An example of the graph which shows the measurement time dependence of the light reception amount in the light receiving element 24 is shown.

符号の説明Explanation of symbols

１０ ウエハキャリア
１１ ウエハキャリアの蓋
１２ 吸引チューブ
１３ 塵埃濃度測定装置
１４ チューブ
２０ ウエハ移送システム
２１ ウエハ搬送室
２２ 清浄空気供給ユニット
２３ レーザ光源
２４ 受光素子
２５ 光計測器
２６ 駆動用電源
２７ 絞り
２８ 配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer carrier 11 Wafer carrier lid 12 Suction tube 13 Dust concentration measuring device 14 Tube 20 Wafer transfer system 21 Wafer transfer chamber 22 Clean air supply unit 23 Laser light source 24 Light receiving element 25 Optical measuring instrument 26 Driving power supply 27 Aperture 28 Wiring

Claims (5)

半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システム内の塵埃を前記ウエハキャリアを介して吸引し、前記塵埃の濃度を計測する工程とを具え、
計測された前記塵埃の濃度から前記ウエハ移送システム中の清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。 A cleanliness evaluation method in a wafer transfer system provided between a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer carrier for transferring a wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus,
Opening one end of the wafer carrier and communicating the wafer carrier with the wafer transfer system;
Sucking the dust in the wafer transfer system through the wafer carrier and measuring the concentration of the dust,
A cleanliness evaluation method in a wafer transfer system, wherein the cleanliness in the wafer transfer system is evaluated from the measured dust concentration. 前記吸引は、前記ウエハキャリアの前記一端と対向する他端側から行うとともに、前記ウエハキャリアの、前記一端と異なる所定の位置に設けられた開口部を介して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと再度連通させ、前記吸引に伴う前記ウエハキャリア内の圧力減少を抑制することを特徴とする、請求項１に記載のウエハ移送システム中の清浄度評価方法。   The suction is performed from the other end opposite to the one end of the wafer carrier, and the wafer carrier is transferred to the wafer transfer system through an opening provided at a predetermined position different from the one end of the wafer carrier. 2. The cleanliness evaluation method in a wafer transfer system according to claim 1, wherein a reduction in pressure in the wafer carrier due to the suction is suppressed. 前記吸引は前記ウエハキャリア内で行い、前記塵埃の濃度を計測した後、前記吸引に伴う排気を前記ウエハキャリア内で行うことを特徴とする、請求項１に記載のウエハ移送システム中の清浄度評価方法。   2. The cleanliness in the wafer transfer system according to claim 1, wherein the suction is performed in the wafer carrier, and after the concentration of the dust is measured, the exhaust accompanying the suction is performed in the wafer carrier. Evaluation methods. 半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記塵埃からの散乱光の光量を計測する工程とを具え、
計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。 A cleanliness evaluation method in a wafer transfer system provided between a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer carrier for transferring a wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus,
Opening one end of the wafer carrier and communicating the wafer carrier with the wafer transfer system;
Irradiating the dust flowing into the wafer carrier from the wafer transfer system with light, and measuring the amount of scattered light from the dust,
A method for evaluating cleanliness in a wafer transfer system, wherein the concentration of dust in the wafer transfer system is quantified from the measured light quantity and the cleanliness of the wafer transfer system is evaluated. 半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記光の前記塵埃を介して透過した成分の光量を計測する工程とを具え、
計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。 A cleanliness evaluation method in a wafer transfer system provided between a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer carrier for transferring a wafer from the wafer carrier into the semiconductor manufacturing apparatus,
Opening one end of the wafer carrier and communicating the wafer carrier with the wafer transfer system;
Irradiating the dust flowing into the wafer carrier from the wafer transfer system with light, and measuring the amount of light transmitted through the dust of the light,
A method for evaluating cleanliness in a wafer transfer system, wherein the concentration of dust in the wafer transfer system is quantified from the measured light quantity and the cleanliness of the wafer transfer system is evaluated.
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