JP2009056706A - Metal mask plate and its manufacturing method - Google Patents

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Kazuyuki Tanikoshi
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metal mask plate, which can prevent the degradation of printing accuracy or the degradation of conductive ball loading position accuracy at the solder paste printing time or the conductive ball loading time caused by the secular deformation of the metal mask plate, can enhance durability, and is composed of chemical fiber screen fabric or stainless steel screen fabric being conventional supporter screens. <P>SOLUTION: The metal mask 2 whose inner stress is tensile stress, formed on a metallic base material 1 is joined on the support screen 4 stretched on a plate frame 3 without peering off the metallic base material 1. In the metal mask plate, the metal mask 2 is joined to the supporter screen 4 at the outer peripheral part of the metal mask 2 on the contact side with a printed matter at the conductive paste printing time, and at the outer peripheral part of the metal mask 2 on the contact side with a loaded matter at the conductive ball loading time. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明はシリコンウェーハ、プリント配線基板等に高精度に半田ペーストを印刷する場合や、導電性ボールを搭載する場合に使用するメタルマスク版及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a metal mask plate used when a solder paste is printed with high accuracy on a silicon wafer, a printed wiring board or the like, or when a conductive ball is mounted, and a method for manufacturing the same.

半導体素子の電極と外部端子との接続方式には、大別して金属細線を用いるボンディングワイヤ方式と、半導体素子の電極上に形成された半田バンプを用いて接続するフィリップチップ方式とがあるが、近年の高密度化、多ピン化には、フィリップチップ方式が有利であるとされている。近年、半導体パッケージの実装密度を向上させるために、端子ピッチを広く保ちつつ多ピン化に対応できる技術として外部端子に半田バンプを形成したボール・グリッド・アレイ(Ball Grid Array、以下「BGA」と略す。)型の半導体装置が多用されている。BGAタイプの半導体装置においては、パッケージの面積が半導体チップの面積にほぼ等しい、いわゆるチップスケールパッケージ(以下、CSPと略す。)と呼ばれる構造が、前述のBGAの電極配置構造とともに開発され、電子機器の小型軽量化に大きく貢献している。CSPは、回路を形成したシリコンウェーハを切断し、個々の半導体チップに対して個別にパッケージ工程を施し、パッケージを完成するものである。
これに対し、一般的に「ウェーハレベルCSP」と呼ばれる製造方法においては、このシリコンウェーハ上に、絶縁層、再配線層、封止層などを形成し、半田バンプを形成する。半田バンプを形成する方法としては、電気めっき法、半田ペースト印刷法、導電性ボール搭載供給方法等の各種方法により半田を供給し、フラックスを用いてリフローすることで半球状のバンプを形成するのが一般的である。半田バンプ形成後、最終工程においてウェーハを所定のチップ寸法に切断することで、パッケージ構造を具備した半導体チップを得ることができる。ウェーハ全面にこれらの回路を積層し、最終工程においてウェーハをダイシングすることから、切断したチップそのものの大きさが、パッケージの施された半導体チップとなり、実装基板に対して最小投影面積を有する半導体チップを得ることが可能となる。
The connection method between the electrode of the semiconductor element and the external terminal is roughly classified into a bonding wire method using a fine metal wire and a Philip chip method for connection using a solder bump formed on the electrode of the semiconductor element. It is said that the Philip chip method is advantageous for increasing the density and the number of pins. In recent years, in order to improve the mounting density of semiconductor packages, a ball grid array (hereinafter referred to as “BGA”) in which solder bumps are formed on external terminals as a technology that can accommodate a large number of pins while maintaining a wide terminal pitch. Abbreviated) type semiconductor devices are widely used. In a BGA type semiconductor device, a so-called chip scale package (hereinafter abbreviated as CSP), in which the area of the package is approximately equal to the area of the semiconductor chip, has been developed together with the above-described BGA electrode arrangement structure. Greatly contributes to the reduction of size and weight. The CSP cuts a silicon wafer on which a circuit is formed, and individually performs a packaging process on each semiconductor chip to complete a package.
On the other hand, in a manufacturing method generally called “wafer level CSP”, an insulating layer, a rewiring layer, a sealing layer, and the like are formed on this silicon wafer, and solder bumps are formed. As a method for forming solder bumps, solder is supplied by various methods such as electroplating, solder paste printing, and conductive ball mounting and supply methods, and hemispherical bumps are formed by reflowing using flux. Is common. After the solder bumps are formed, the semiconductor chip having the package structure can be obtained by cutting the wafer into a predetermined chip size in the final process. Since these circuits are stacked on the entire surface of the wafer and the wafer is diced in the final process, the size of the cut chip itself becomes a packaged semiconductor chip, which has a minimum projected area with respect to the mounting substrate. Can be obtained.

前述したように、半田バンプ形成方法は、電気めっき法、半田ペースト印刷法、導電性ボール搭載供給方法等の各種方法があるが、こののち、半田ペースト印刷法、導電性ボール搭載法においては、金属板に所定のパターン開口を形成したメタルマスク版が使用される。半田ペースト印刷法では、半田ペーストを通過させる所望の開口を有したメタルマスク版が用いられ、ボール搭載法では、導電性ボールを吸着保持、もしくは通過させる所望の開口を有したメタルマスク版が用いられる。   As described above, the solder bump forming method includes various methods such as an electroplating method, a solder paste printing method, and a conductive ball mounting supply method. After that, in the solder paste printing method and the conductive ball mounting method, A metal mask plate in which a predetermined pattern opening is formed on a metal plate is used. In the solder paste printing method, a metal mask plate having a desired opening through which the solder paste passes is used, and in the ball mounting method, a metal mask plate having a desired opening through which the conductive ball is sucked and held or used is used. It is done.

近年のフィリップチップ方式は高密度化、多ピン化が進み、半田バンプのバンプ径自体が小径化し、半田バンプ同士の間隔も非常に狭くなっている。それに伴い、半田バンプ形成に用いるメタルマスク版も、開口部の小径化及び開口間隔の狭小化が進み、同時にメタルマスク版の開口の位置精度向上及び全長精度向上が求められるようになってきている。例えば、その要求精度は、8インチのウェーハの全長寸法要求精度において、全長寸法約203.200mmに対して±15μm以内といったものになってきており、なおかつその全長寸法精度を経時的に満たすことが要求されている。   In recent years, the Philip chip system has been increased in density and increased in number of pins, the bump diameter of the solder bump itself has been reduced, and the distance between the solder bumps has become very narrow. Along with this, the metal mask plate used for forming solder bumps has also been required to reduce the opening diameter and the opening interval, and at the same time to improve the position accuracy and the overall length accuracy of the opening of the metal mask plate. . For example, the required accuracy has become within ± 15 μm with respect to the overall length dimension of about 203.200 mm in the overall length dimension accuracy of an 8-inch wafer, and the full length dimension accuracy can be satisfied over time. It is requested.

そこでパターン位置精度やパターンピッチ精度、及び経時的な印刷精度を向上させる従来技術として、蒸着マスクにおいて約50cm角大でパターン位置精度±10μmを達成するメタルマスク版の製造方法(例えば、特許文献1を参照)や、所定のパターンが形成されているパターン領域と、前記パターン領域より外周に形成されている外周部パターンとを有するマスク本体の電鋳面側の外周縁に補強枠を一体的に形成した、パターンのピッチ精度が良好なメタルマスク及びその製造方法(例えば、特許文献2を参照)や、経時的な印刷精度を維持するために、支持体スクリーンに化繊紗ではなく、ステンレススチール繊維を編組したスクリーンメッシュの編組部表面にめっき皮膜を被覆したリジダイズドスクリーンを使用したメタルマスク版(例えば、特許文献3を参照)が存在している。
特開2005−158319号公報(特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄における{発明を実施するための最良の形態}の段落{0040}〜{0061}、及び図1、図2を参照) 特開2007−83411号公報(特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄における{発明を実施するための最良の形態}の段落{0017}〜{0051}、及び図1〜図34を参照) 特開2007−62225号公報(特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄における{実施例}の段落{0008}〜{0016}、及び図1、図2を参照)
Therefore, as a conventional technique for improving pattern position accuracy, pattern pitch accuracy, and time-lapse printing accuracy, a metal mask plate manufacturing method that achieves pattern position accuracy of ± 10 μm with a deposition mask of about 50 cm square (for example, Patent Document 1). And a reinforcing frame integrally with the outer peripheral edge on the electroformed surface side of the mask body having a pattern area in which a predetermined pattern is formed and an outer peripheral pattern formed on the outer periphery from the pattern area. In order to maintain the formed metal mask with good pattern pitch accuracy and its manufacturing method (see, for example, Patent Document 2) and printing accuracy over time, the support screen is made of stainless steel fibers instead of chemical fibers. Metal mask using a rigidized screen in which the surface of the braided part of the screen mesh braided is coated with a plating film There is a version (see, for example, Patent Document 3).
JP-A-2005-158319 (paragraphs {0040} to {0061} of {Best Mode for Carrying Out the Invention} in the claims section and the detailed description section, and FIGS. See Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-83411 (paragraphs {0017} to {0051} of {Best Mode for Carrying Out the Invention} in the claims section and the detailed description section, and FIGS. See JP 2007-62225 A (refer to paragraphs {0008} to {0016} of {Examples} in the claims section and detailed description section of the invention, and FIGS. 1 and 2)

しかしながら、特許文献1ではパターン位置精度、特許文献2に関しては、パターンとピッチ精度の初期寸法精度の安定性に関しては開示されているものの、経時的な寸法安定性という点に関してはなんら開示がなされていない。
また、特許文献3に関しては、初期寸法精度の安定性に加えて経時的な寸法安定性に関して開示されているが、支持体スクリーンに一般的に使用される化繊紗や金属紗ではなく、ステンレススチール繊維を編組したスクリーンメッシュの編組部表面にめっき皮膜を被覆したリジダイズドスクリーンを使用するという方法を解決手段としている。
さらに、特許文献1〜3の何れに関しても言えることは、メタルマスク版として通常使用されている形態、つまり化繊紗、あるいは金属紗を支持体スクリーンとして、メタルマスクを支持体スクリーンに接合して使用するメタルマスク版という形態をとっていないことである。
その理由としては、例えばメタルマスクを支持する支持体スクリーンを化繊紗として張力を高くした場合、メタルマスクにかかる負荷が増加し、メタルマスクの経時的変形が発生し、印刷位置精度低下、すなわちメタルマスク版の耐久性の低下を招くという問題が発生するからである。
また、電鋳メタルマスクでメタルマスク版を作製する場合において、メタルマスク版の所望の開口の位置精度を向上させるために、内部応力を持たず、歪みのないメタルマスクを支持体スクリーンに貼り付けてメタルマスク版を作製した場合、例えば支持体スクリーンが高張力であると、メタルマスク自身が張力に耐える力が低下してメタルマスクの経時的変形が発生し、印刷位置精度低下、すなわちメタルマスク版の耐久性低下を招くという問題が発生するからである。
つまり、支持体スクリーンに化繊紗や金属紗を使用したメタルマスク版の場合、全長寸法精度の向上を図るのは非常に困難であるとされていた。
However, Patent Document 1 discloses the pattern position accuracy and Patent Document 2 discloses the stability of the initial dimensional accuracy of the pattern and pitch accuracy, but does not disclose anything about the dimensional stability over time. Absent.
In addition, Patent Document 3 discloses dimensional stability over time in addition to the stability of initial dimensional accuracy, but it is not a synthetic fiber or metal cage generally used for a support screen, but stainless steel. The solution is to use a rigidized screen in which the surface of the braided portion of the screen mesh braided fiber is coated with a plating film.
Furthermore, what can be said with respect to any of Patent Documents 1 to 3 is a form usually used as a metal mask plate, that is, a synthetic fiber or a metal cage as a support screen and a metal mask joined to the support screen. It does not take the form of a metal mask version.
The reason is that, for example, when the tension is increased by using the support screen supporting the metal mask as a synthetic fiber, the load applied to the metal mask increases, the metal mask undergoes deformation over time, and the printing position accuracy decreases, that is, the metal This is because a problem of reducing the durability of the mask plate occurs.
In addition, when producing a metal mask plate with an electroformed metal mask, in order to improve the position accuracy of the desired opening of the metal mask plate, a metal mask having no internal stress and having no distortion is applied to the support screen. When the metal mask plate is manufactured, for example, if the support screen has a high tension, the strength of the metal mask itself is reduced, and the metal mask is deformed over time. This is because the problem of reducing the durability of the plate occurs.
That is, in the case of a metal mask plate using a chemical fiber or a metal rod for the support screen, it has been considered extremely difficult to improve the overall length dimensional accuracy.

上記の目的を達成することができる本発明の第1発明は、請求項1に記載された通りのメタルマスク版であり、次のようなものである。
内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクと、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクの外周部と重なるように接合される支持体スクリーンと、前記支持体スクリーンを張設する版枠とを有するメタルマスク版において、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクは、導電性ペースト印刷時においては被印刷体と接する側のメタルマスクの外周部において、導電性ボール搭載時においては被搭載物と接する側のメタルマスクの外周部において、前記支持体スクリーンと接合されている構成である。
A first invention of the present invention capable of achieving the above object is a metal mask plate as described in claim 1, and is as follows.
Metal having a metal mask whose internal stress is tensile stress, a support screen bonded so as to overlap an outer peripheral portion of the metal mask whose internal stress is tensile stress, and a plate frame on which the support screen is stretched In the mask plate, the metal mask whose internal stress is tensile stress is the outer peripheral portion of the metal mask that is in contact with the substrate when the conductive paste is printed, and the side that is in contact with the substrate when the conductive ball is mounted. The outer periphery of the metal mask is joined to the support screen.

上記の目的を達成することができる本発明の第2発明は、請求項2に記載された通りのメタルマスク版であり、次のようなものである。
請求項1に記載の発明に加えて、クエン酸を含むスルファミン酸ニッケル浴を用いた電気めっき法で作製した、内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクを使用する構成である。
A second invention of the present invention capable of achieving the above object is a metal mask plate as described in claim 2, and is as follows.
In addition to the invention described in claim 1, a metal mask produced by electroplating using a nickel sulfamate bath containing citric acid and having an internal stress of tensile stress is used.

上記の目的を達成することができる本発明の第3発明は、請求項3に記載された通りのメタルマスク版であり、次のようなものである。
請求項2に記載の発明に加えて、電気めっき条件が、電流密度1.0A/dm超であるという構成である。
A third invention of the present invention capable of achieving the above object is a metal mask plate as described in claim 3, which is as follows.
In addition to the invention described in claim 2, the electroplating condition is a current density exceeding 1.0 A / dm 2 .

上記の目的を達成することができる本発明の第4発明は、請求項4に記載された通りのメタルマスク版であり、次のようなものである。
請求項1〜請求項3のうち、いずれか1項に記載の発明に加えて、メタルマスクの表面硬度がビッカース硬さでHV200〜800の範囲であるという構成である。
A fourth invention of the present invention capable of achieving the above object is a metal mask plate as described in claim 4, and is as follows.
In addition to the invention described in any one of claims 1 to 3, the surface hardness of the metal mask is in the range of HV200 to 800 in terms of Vickers hardness.

上記の目的を達成することができる本発明の第5発明は、請求項5に記載された通りのメタルマスク版の製造方法であり、次のようなものである。
金属母材上に電鋳法で内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクを形成する工程と、前記金属母材と一体になったままの状態の前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクを、版枠に張設された支持体スクリーンに対して前記支持体スクリーンが版枠と接合している側から配置し、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクの外周部と前記支持体スクリーンとを接合する工程と、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクとの接合部より内側にある支持体スクリーンを切断除去する工法と、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクから前記金属母材を剥離する工程を備える構成である。
A fifth invention of the present invention capable of achieving the above object is a method for producing a metal mask plate as described in claim 5, and is as follows.
A step of forming a metal mask having an internal stress of tensile stress on a metal base material by electroforming, and a metal mask having a tensile stress of internal stress while being integrated with the metal base material, The support screen stretched on the frame is arranged from the side where the support screen is bonded to the plate frame, and the outer periphery of the metal mask whose internal stress is tensile stress is bonded to the support screen. And a method of cutting and removing the support screen inside the joint with the metal mask whose internal stress is tensile stress, and peeling the metal base material from the metal mask whose internal stress is tensile stress It is the structure provided with a process.

上記の目的を達成することができる本発明の第6発明は、請求項6に記載された通りのメタルマスク版の製造方法であり、次のようなものである。
請求項5に記載の発明に加えて、クエン酸を含むスルファミン酸ニッケル浴を用いた電気めっき法で、内部応力が引っ張り応力であるメタルマスク版を作製する構成である。
A sixth invention of the present invention capable of achieving the above object is a method for producing a metal mask plate as described in claim 6, and is as follows.
In addition to the invention described in claim 5, a metal mask plate whose internal stress is tensile stress is produced by electroplating using a nickel sulfamate bath containing citric acid.

上記の目的を達成することができる本発明の第7発明は、請求項7に記載された通りのメタルマスク版の製造方法であり、次のようなものである。
請求項6に記載の発明に加えて、電気めっき条件が電流密度1.0A/dm超であるという構成である。
A seventh invention of the present invention capable of achieving the above object is a method for producing a metal mask plate as described in claim 7, and is as follows.
In addition to the invention of claim 6, the electroplating condition is a current density exceeding 1.0 A / dm 2 .

上記の目的を達成することができる本発明の第8発明は、請求項8に記載された通りのメタルマスク版の製造方法であり、次のようなものである。
請求項5〜請求項7のうち、いずれか1項に記載の発明に加えて、内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクの表面硬度がビッカース硬さでHV200〜800の範囲である構成である。
An eighth invention of the present invention capable of achieving the above object is a method for producing a metal mask plate as described in claim 8, and is as follows.
In addition to the invention according to any one of claims 5 to 7, the surface hardness of the metal mask whose internal stress is tensile stress is in the range of HV200 to 800 in terms of Vickers hardness.

本発明に係るメタルマスク版及びその製造方法は、上記説明のような構成を有するので、以下に記載する効果を奏する。
(1)内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクは縮む方向の特性を持つため、支持体スクリーンに接合された場合でも、支持体スクリーンのメタルマスクを伸ばそうとする張力の特性と打ち消し合う方向の力が働くため、寸法の経時変化が少ないメタルマスク版を得ることができる。
(2)内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクを金属母材から剥がしてから支持体スクリーンに接合しようとすると、メタルマスクを金属母材から剥がした瞬間にめっき成長面を内側にしてメタルマスクが丸まってしまい、支持体スクリーンとの接合作業が困難になってしまう。本発明は、金属母材からメタルマスクを剥がすことなく支持体スクリーンに接合することで、メタルマスクを歪みなく支持体スクリーンに接合することができる。
(3)メタルマスクのめっき成長面が凹凸となっている、つまり、めっき表面が無光沢めっきや半光沢めっきとなっている場合、金属母材から前記メタルマスクを剥がすことなく、被印刷体と接する側のメタルマスクの外周部にて支持体スクリーンに接合することで、めっき成長面が前記被印刷体に接する面として支持体スクリーンと接合することができる。このめっき成長面の凹凸が、導電性ペースト印刷時において空気抜き等の役目を果たすことになり、その結果、導電性ペーストの印刷性が向上する。
(4)支持体スクリーンとして、一般的に使用されている化繊紗や金属紗を使用するので、特に製造工程が増えるわけでもなく、また余分な設備投資を行うこともなく、経時変化の少ないメタルマスク版を作製することができる。
(5)pH緩衝剤をクエン酸とすることで、ホウ素規制を回避することができる。
Since the metal mask plate and the manufacturing method thereof according to the present invention have the configuration as described above, the following effects can be obtained.
(1) Since the metal mask whose internal stress is tensile stress has the property of shrinking, even when it is joined to the support screen, the tension property to stretch the metal mask of the support screen and the force to counteract each other Therefore, it is possible to obtain a metal mask plate with little dimensional change over time.
(2) When the metal mask whose internal stress is tensile stress is peeled off from the metal base material and then an attempt is made to join the support screen, the metal mask is placed with the plating growth surface inside when the metal mask is peeled off from the metal base material. It will be rounded and it will be difficult to join the support screen. In the present invention, the metal mask can be bonded to the support screen without distortion by bonding the metal mask to the support screen without removing the metal mask from the metal base material.
(3) If the plating growth surface of the metal mask is uneven, that is, if the plating surface is matte plating or semi-gloss plating, the metal mask is not peeled off from the metal base material. By joining to a support body screen in the outer peripheral part of the metal mask of the contact side, a plating growth surface can be joined to a support body screen as a surface which contacts the said to-be-printed body. The unevenness of the plating growth surface plays a role such as air bleeding during printing of the conductive paste, and as a result, the printability of the conductive paste is improved.
(4) As the support screen, generally used synthetic fiber and metal cocoons are used, so there is no particular increase in manufacturing process, and there is no extra capital investment, and metal with little change over time. A mask plate can be produced.
(5) Boron regulation can be avoided by using citric acid as the pH buffering agent.

図1に示すように、金属母材1上に電鋳法で内部応力が引っ張り応力であるメタルマスク2を形成する工程と、前記金属母材1と一体になったままの状態の前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスク2を、版枠3に張設された支持体スクリーン4に対して前記支持体スクリーン4が版枠3と接合している側から配置し、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスク2の外周部と前記支持体スクリーン4とを接合する工程と、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスク2との接合部より内側にある支持体スクリーン4を切断除去する工程と、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスク2から前記金属母材1を剥離する工程を備えるメタルマスク版の製造方法及びメタルマスク版。   As shown in FIG. 1, a process of forming a metal mask 2 whose internal stress is a tensile stress by electroforming on a metal base material 1, and the internal stress in a state of being integrated with the metal base material 1 The metal mask 2 having a tensile stress is arranged from the side of the support screen 4 stretched on the plate frame 3 from the side where the support screen 4 is joined to the plate frame 3, and the internal stress is the tensile stress. A step of bonding the outer periphery of the metal mask 2 and the support screen 4, and a step of cutting and removing the support screen 4 inside the bonding portion of the metal mask 2 where the internal stress is a tensile stress. A metal mask plate manufacturing method and a metal mask plate comprising a step of peeling the metal base material 1 from the metal mask 2 in which the internal stress is a tensile stress.

以下、本発明のメタルマスク版について詳細に説明する。
本発明のメタルマスクは、電鋳法により作られたニッケル、またはニッケル合金から成り、ニッケル合金としてはニッケルを主成分とした、コバルト、鉄、クロム、タングステン、錫、銅、バナジウム、リン、ホウ素等との合金が挙げられる。
もちろん、本発明のメタルマスクには、電鋳の際にめっき浴に添加した光沢剤、高硬度化剤、緩衝剤、錯化剤等の諸添加剤の成分を含有していても構わないものである。
Hereinafter, the metal mask plate of the present invention will be described in detail.
The metal mask of the present invention is composed of nickel or a nickel alloy made by electroforming, and the nickel alloy is mainly composed of nickel, cobalt, iron, chromium, tungsten, tin, copper, vanadium, phosphorus, boron. And the like.
Of course, the metal mask of the present invention may contain components of various additives such as a brightener, a hardener, a buffering agent and a complexing agent added to the plating bath during electroforming. It is.

ここで、本発明の第一実施例について詳細に説明する。
板厚0.25mm、500×620mmのSUS材の表面をバフ研磨によって整面したものを金属母材として、前記金属母材整面上に40μmt厚のドライフィルムレジストを2回ラミネートし、80μmt厚のドライフィルムレジスト膜を形成した。
次に、シリコンウェーハへ半田バンプを形成するパターンとして、直径150μmの円が繰り返しピッチ200μmで648,891個からなるパターンを、紫外線を光源とした直描法によって前記ドライフィルムレジスト膜に露光した。露光後、1.0%の炭酸ナトリウム水溶液で現像し、水洗工程を経て、金属母材上にドライフィルムレジスト膜を半田バンプパターンを形成した。
Here, the first embodiment of the present invention will be described in detail.
A surface of a SUS material having a plate thickness of 0.25 mm and 500 × 620 mm is prepared by buffing as a metal base material, and a dry film resist having a thickness of 40 μmt is laminated twice on the surface of the metal base material to obtain a thickness of 80 μmt. A dry film resist film was formed.
Next, as a pattern for forming solder bumps on the silicon wafer, a pattern consisting of 648,891 circles having a diameter of 150 μm and a repetition pitch of 200 μm was exposed on the dry film resist film by a direct drawing method using ultraviolet light as a light source. After the exposure, development was performed with a 1.0% sodium carbonate aqueous solution, followed by a water washing step, and a dry film resist film was formed on the metal base material to form a solder bump pattern.

次に、スルファミン酸ニッケル450g/L、クエン酸適量、添加剤A適量、添加剤B適量、pH4.2、浴温45℃からなるめっき浴に前記半田バンプパターンを形成した金属母材を入れて、電流密度4.0A/dmで前記金属母材上に厚さ65μmのニッケル膜を電着させた。
該ニッケル膜を電着させた金属母材を、水酸化ナトリウム水溶液に浸漬してドライフィルムレジスト膜の半田バンプパターンを除去し、直径150μmの開口で繰り返しピッチが200μmの648,891個からなるパターンが形成された金属母材付きメタルマスクを得た。
前記金属母材付きメタルマスクには、引っ張り応力によってニッケル側に反った歪みが確認された。内部応力評価は、ストリップ電着応力測定器(Specialty Testing And Development Co,Inc.製)によるストリップ電着応力測定法にて行った。本測定器において、測定結果が“+(正)”の値ならば引っ張り応力を示し、“−(負)”の値ならば圧縮応力を示し、“0”ならば、応力がゼロであることを示す。皮膜応力の測定値は+60Mpaであった。
また、前記金属母材付きメタルマスクにおけるメタルマスク部のビッカース硬さはHV333(MXT−30、松沢精機株式会社製)であった。
Next, the metal base material in which the solder bump pattern is formed is put in a plating bath composed of nickel sulfamate 450 g / L, citric acid appropriate amount, additive A appropriate amount, additive B appropriate amount, pH 4.2, bath temperature 45 ° C. A nickel film having a thickness of 65 μm was electrodeposited on the metal base material at a current density of 4.0 A / dm 2 .
The metal base material on which the nickel film is electrodeposited is immersed in an aqueous sodium hydroxide solution to remove the solder bump pattern of the dry film resist film, and a pattern consisting of 648,891 pieces having a diameter of 150 μm and an opening pitch of 200 μm. As a result, a metal mask with a metal base material was obtained.
The metal mask with the metal base material was confirmed to be warped toward the nickel side due to tensile stress. The internal stress was evaluated by a strip electrodeposition stress measurement method using a strip electrodeposition stress measuring instrument (Specialty Testing And Development Co, Inc.). In this measuring instrument, if the measurement result is a value of “+ (positive)”, it indicates a tensile stress, if it is a value of “− (negative)”, it indicates a compressive stress, and if it is “0”, the stress is zero. Indicates. The measured value of the film stress was +60 Mpa.
Moreover, the Vickers hardness of the metal mask part in the metal mask with a metal base material was HV333 (MXT-30, manufactured by Matsuzawa Seiki Co., Ltd.).

次に、線径45μm、230メッシュのポリエステル製の紗を支持体スクリーンとして、テンション850μm(STG−75B、株式会社プロテック製)で外径550×650mmのアルミ製枠に張り、紗張り枠とした。
前記紗張り枠の略中心部に、前記金属母材付きメタルマスクを、支持体スクリーンが版枠と接合している側から配置し、前記メタルマスクの外周部を接着剤を用いて接合し、接合部の内側にある支持体スクリーンを切除し、前記金属母材をメタルマスクから剥がして、メタルマスク版を作製した。
作製したメタルマスク版を23±1℃、50±10%RHの環境下に静置保管し、作製当日〜35日後までの期間で、直径150μmの開口で繰り返しピッチが200μmの648,891個からなるパターンのX方向最長部の寸法203.200mmと、Y方向最長部の寸法203.200mmを繰り返し測定した。
その結果、寸法の変化は35日経過後もX方向、Y方向とも+10μm未満であった。
Next, a polyester ridge having a wire diameter of 45 μm and a 230 mesh is used as a support screen, and is stretched on an aluminum frame having an outer diameter of 550 × 650 mm with a tension of 850 μm (STG-75B, manufactured by Protec Co., Ltd.) did.
The metal mask with the metal base material is disposed from the side where the support screen is bonded to the plate frame, and the outer periphery of the metal mask is bonded using an adhesive at the substantially central portion of the tension frame, The support screen inside the joint was cut off, and the metal base material was peeled off from the metal mask to produce a metal mask plate.
The produced metal mask plate was stored in an environment of 23 ± 1 ° C. and 50 ± 10% RH, and from 648,891 with a diameter of 150 μm and a repeated pitch of 200 μm in the period from the day of preparation to 35 days later. The dimension 203.200 mm of the longest part in the X direction and the dimension 203.200 mm of the longest part in the Y direction were repeatedly measured.
As a result, the dimensional change was less than +10 μm in both the X and Y directions even after 35 days.

第二実施例として、ドライフィルムレジスト膜に露光する円の直径を90μmにし、ニッケル膜の厚さを20μmにし、紗張り枠のテンションを1250μmにする以外は、前記第一実施例と同じ方法でメタルマスク版を作製した。
その結果、金属母材付きメタルマスクには、引っ張り応力によってニッケル側に反った歪みが確認された。皮膜応力の測定値は+60Mpaであった。また、メタルマスクのビッカース硬さはHV325であった。
前記第一実施例と同様の環境下で同様の測定方法で寸法測定を実施したところ、寸法の変化は、35日経過後もX方向Y方向とも+10μm未満であった。
As a second embodiment, the same method as in the first embodiment except that the diameter of the circle exposed on the dry film resist film is 90 μm, the thickness of the nickel film is 20 μm, and the tension of the tension frame is 1250 μm. A metal mask plate was produced.
As a result, it was confirmed that the metal mask with the metal base material warped toward the nickel side due to the tensile stress. The measured value of the film stress was +60 Mpa. The Vickers hardness of the metal mask was HV325.
When the dimension measurement was performed by the same measurement method under the same environment as the first example, the dimension change was less than +10 μm in both the X direction and the Y direction even after 35 days.

次に、本発明の実施例との比較をするための比較例1として、電流密度を0.2A/dmとする以外は、前記第一実施例と同じ方法でメタルマスク版を作製した。
金属母材付きメタルマスクには、圧縮応力によって基板側に反った歪みが確認された。皮膜応力の測定値は−80Mpaであった。また、メタルマスクのビッカース硬さはHV560であった。
前記第一実施例と同様の環境下で同様の測定方法で寸法測定を実施したところ、寸法の変化は、35日経過後においてX方向に約+40μm、Y方向に約+60μmであった。
Next, as Comparative Example 1 for comparison with the example of the present invention, a metal mask plate was produced by the same method as in the first example except that the current density was 0.2 A / dm 2 .
The metal mask with the metal base material was confirmed to be warped toward the substrate due to the compressive stress. The measured value of the film stress was −80 Mpa. The Vickers hardness of the metal mask was HV560.
When dimensional measurement was performed by the same measurement method under the same environment as in the first example, the change in dimension was about +40 μm in the X direction and about +60 μm in the Y direction after 35 days.

また、比較例2として、電流密度を1.0A/dmとする以外は、前記第一実施例と同じ方法でメタルマスク版を作製した。
金属母材付きメタルマスクには、引っ張り応力によるニッケル側に反った歪み及び圧縮応力によって基板側に反った歪みを確認できなかった。皮膜応力の測定値は0Mpaであった。また、メタルマスクのビッカース硬さはHV437であった。
前記第一実施例と同様の環境下で同様の測定方法で寸法測定を実施したところ、寸法の変化は、35日経過後において、X方向に約+20μm、Y方向に約+30μmであった。
Further, as Comparative Example 2, a metal mask plate was produced by the same method as in the first example except that the current density was 1.0 A / dm 2 .
In the metal mask with a metal base material, the distortion warped to the nickel side due to the tensile stress and the distortion warped toward the substrate side due to the compressive stress could not be confirmed. The measured value of the film stress was 0 Mpa. The Vickers hardness of the metal mask was HV437.
When dimensional measurement was performed by the same measurement method in the same environment as in the first example, the change in dimension was about +20 μm in the X direction and about +30 μm in the Y direction after 35 days.

また、比較例3として電流密度を0.2A/dmとする以外は、前記第二実施例と同じ方法でメタルマスク版を作製した。
金属母材付きメタルマスクには、圧縮応力によって基板側に反った歪みが確認された。皮膜応力の測定値は−80Mpaであった。また、メタルマスクのビッカース硬さはHV560であった。
前記第一実施例と同様の環境下で同様の測定方法で寸法測定を実施したところ、寸法の変化は、30日経過後において、X方向に約+40μm、Y方向に約+50μmであった。
Further, as Comparative Example 3, a metal mask plate was produced in the same manner as in the second example except that the current density was 0.2 A / dm 2 .
The metal mask with the metal base material was confirmed to be warped toward the substrate due to the compressive stress. The measured value of the film stress was −80 Mpa. The Vickers hardness of the metal mask was HV560.
When the dimension measurement was performed by the same measurement method in the same environment as the first embodiment, the dimension change was about +40 μm in the X direction and about +50 μm in the Y direction after 30 days.

次に、比較例4として紗張り枠のテンションを850に電流密度を0.2A/dmとする以外は、前記第二実施例と同じ方法でメタルマスク版を作製した。
金属母材付きメタルマスクには、圧縮応力によって基板側に反った歪みが確認された。皮膜応力の測定値は−80Mpaであった。また、メタルマスクのビッカース硬さはHV560であった。
前記第一実施例と同様の環境下で同様の測定方法で寸法測定を実施したところ、寸法の変化は、35日経過後において、X方向に約+60μm、Y方向に約+70μmであった。
Next, as Comparative Example 4, a metal mask plate was produced in the same manner as in the second example except that the tension of the tension frame was 850 and the current density was 0.2 A / dm 2 .
The metal mask with the metal base material was confirmed to be warped toward the substrate due to the compressive stress. The measured value of the film stress was −80 Mpa. The Vickers hardness of the metal mask was HV560.
When the dimension measurement was performed by the same measurement method under the same environment as the first embodiment, the dimension change was about +60 μm in the X direction and about +70 μm in the Y direction after 35 days.

以上で説明した第一実施例、第二実施例、比較例1、比較例2、比較例3、比較例4の諸条件を表1、各条件から得られたメタルマスク版の経時的変形の測定結果を表2〜表5に示す。

Figure 2009056706
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Table 1 shows the conditions of the first example, the second example, the comparative example 1, the comparative example 2, the comparative example 3, and the comparative example 4 described above, and the time-dependent deformation of the metal mask plate obtained from each condition. The measurement results are shown in Tables 2 to 5.
Figure 2009056706
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上記表1〜表5から明らかなように、皮膜の内部応力がほとんどない比較例2、及び皮膜の内部応力が圧縮応力である比較例1、及び比較例3、及び比較例4は、30日経過後において、すでに+20μm以上の寸法変化量となっているのに対し、皮膜の内部応力が引っ張り応力である第一実施例、及び第二実施例のメタルマスク版は、35日経過後も寸法変化量が+10μm未満と非常に小さいことがわかる。
電流密度に関しては、内部応力が引っ張り応力となる1.0A/dm超が好ましく、4.0A/dm以上がさらに好ましい。また、表面硬度については、メタルマスクの耐久性を得ることができるビッカース硬さでHV200〜800が好ましく、その中でもHv250〜500がさらに好ましい。
なお、第一実施例及び第二実施例、比較例1〜比較例4における作業例は、一つの作業例にすぎず、限定するものではない。
例えば、露光方法はフォトマスクを使用した密着露光でパターンを形成しても良いし、半導体レーザを光源とした直描機にてパターンを形成しても良いことはいうまでもない。
As is apparent from Tables 1 to 5, Comparative Example 2 having almost no internal stress of the film, Comparative Example 1, and Comparative Example 3 and Comparative Example 4 in which the internal stress of the film is a compressive stress are as follows. In the past, the dimensional change amount is already +20 μm or more, whereas the metal mask plate of the first example and the second example whose tensile stress is the internal stress of the film is the dimensional change amount even after 35 days. Is very small, less than +10 μm.
The current density is preferably more than 1.0 A / dm 2 where the internal stress becomes tensile stress, and more preferably 4.0 A / dm 2 or more. Moreover, about surface hardness, HV200-800 are preferable at the Vickers hardness which can obtain the durability of a metal mask, and Hv250-500 is more preferable among these.
The work examples in the first and second examples and Comparative Examples 1 to 4 are only one work example and are not limited.
For example, as an exposure method, a pattern may be formed by contact exposure using a photomask, or a pattern may be formed by a direct drawing machine using a semiconductor laser as a light source.

以上の結果により、本発明の内部応力が引っ張り応力のメタルマスク版は、経時的変形が少なく、印刷位置精度低下を抑えることができ、メタルマスク版の耐久性低下を抑えることができる。すなわち、半田ペースト印刷時や導電性ボール搭載時にメタルマスク版の経時的変形を原因とする、印刷精度の低下の防止や導電性ボール搭載位置精度の低下を防止し、耐久性を向上し得るメタルマスク版を、従来の構成である支持体スクリーンに化繊紗や金属紗を使用したメタルマスク版の形態で提供することができるものである。   Based on the above results, the metal mask plate having an internal stress of tensile stress according to the present invention is less likely to be deformed with time, can suppress the printing position accuracy degradation, and can suppress the durability degradation of the metal mask plate. That is, the metal that can prevent the deterioration of printing accuracy and the accuracy of mounting position of the conductive ball due to the temporal deformation of the metal mask plate during solder paste printing or mounting of the conductive ball, and improve the durability. The mask plate can be provided in the form of a metal mask plate using a synthetic fiber or a metal rod on a support screen having a conventional structure.

エレクトロニクス関連の精密なパターン形成プロセスの分野でも利用されるスクリーン印刷版に使用するメタルマスク版にも利用することができる。   It can also be used for metal mask plates used for screen printing plates which are also used in the field of precision pattern formation processes related to electronics.

本発明に係るメタルマスク版の断面図である。It is sectional drawing of the metal mask plate which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・・金属母材
2・・・・メタルマスク
3・・・・版枠
4・・・・支持体スクリーン
1 .... Metal base material 2 .... Metal mask 3 .... Plate frame 4 .... Support screen

Claims (8)

内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクと、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクの外周部と重なるように接合される支持体スクリーンと、前記支持体スクリーンを張設する版枠とを有するメタルマスク版において、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクは、導電性ペースト印刷時においては被印刷体と接する側のメタルマスクの外周部において、導電性ボール搭載時においては被搭載物と接する側のメタルマスクの外周部において、前記支持体スクリーンと接合されていることを特徴とするメタルマスク版。 Metal having a metal mask whose internal stress is tensile stress, a support screen bonded so as to overlap an outer peripheral portion of the metal mask whose internal stress is tensile stress, and a plate frame on which the support screen is stretched In the mask plate, the metal mask whose internal stress is tensile stress is the outer peripheral portion of the metal mask that is in contact with the substrate when the conductive paste is printed, and the side that is in contact with the substrate when the conductive ball is mounted. A metal mask plate, wherein the metal mask plate is joined to the support screen at an outer periphery of the metal mask. クエン酸を含むスルファミン酸ニッケル浴を用いた電気めっき法で作製した、内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクを使用することを特徴とする請求項1に記載のメタルマスク版。 2. The metal mask plate according to claim 1, wherein a metal mask produced by electroplating using a nickel sulfamate bath containing citric acid and having an internal stress of tensile stress is used. 電気めっき条件が、電流密度1.0A/dm超であることを特徴とする請求項2記載のメタルマスク版。 3. The metal mask plate according to claim 2, wherein the electroplating condition is a current density exceeding 1.0 A / dm 2 . メタルマスクの表面硬度がビッカース硬さでHV200〜800の範囲であることを特徴とする請求項1〜請求項3のうち、いずれか1項に記載のメタルマスク版。 The metal mask plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the surface hardness of the metal mask is in the range of HV200 to 800 in terms of Vickers hardness. 金属母材上に電鋳法で内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクを形成する工程と、前記金属母材と一体になったままの状態の前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクを、版枠に張設された支持体スクリーンに対して前記支持体スクリーンが版枠と接合している側から配置し、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクの外周部と前記支持体スクリーンとを接合する工程と、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクとの接合部より内側にある支持体スクリーンを切断除去する工法と、前記内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクから前記金属母材を剥離する工程を備えることを特徴とするメタルマスク版の製造方法。 A step of forming a metal mask having an internal stress of tensile stress on a metal base material by electroforming, and a metal mask having a tensile stress of internal stress while being integrated with the metal base material, The support screen stretched on the frame is arranged from the side where the support screen is bonded to the plate frame, and the outer periphery of the metal mask whose internal stress is tensile stress is bonded to the support screen. And a method of cutting and removing the support screen inside the joint with the metal mask whose internal stress is tensile stress, and peeling the metal base material from the metal mask whose internal stress is tensile stress A method for producing a metal mask plate, comprising a step. クエン酸を含むスルファミン酸ニッケル浴を用いた電気めっき法で、内部応力が引っ張り応力であるメタルマスク版を作製することを特徴とする請求項5に記載のメタルマスク版の製造方法。 6. The method for producing a metal mask plate according to claim 5, wherein a metal mask plate whose internal stress is tensile stress is produced by electroplating using a nickel sulfamate bath containing citric acid. 電気めっき条件が電流密度1.0A/dm超であることを特徴とする請求項6に記載のメタルマスク版の製造方法。 Method for producing a metal mask plate according to claim 6, wherein the electroplating conditions are current density 1.0A / dm 2 greater. 内部応力が引っ張り応力であるメタルマスクの表面硬度がビッカース硬さでHV200〜800の範囲であることを特徴とする請求項5〜請求項7のうち、いずれか1項に記載のメタルマスク版の製造方法 The surface hardness of the metal mask whose internal stress is tensile stress is in the range of HV200 to 800 in terms of Vickers hardness, and the metal mask plate according to any one of claims 5 to 7, Production method
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