JP2009054916A - Noise generating circuit, semiconductor integrated circuit, and method of evaluating noise resistance - Google Patents
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Description
本発明は、ノイズ発生回路及び半導体集積回路に関し、更に詳しくは、動作ノイズを発生するノイズ発生回路、及び、そのようなノイズ発生回路を有する半導体集積回路に関する。また、本発明は、半導体装置におけるノイズ耐性評価方法に関する。 The present invention relates to a noise generation circuit and a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a noise generation circuit that generates operation noise and a semiconductor integrated circuit having such a noise generation circuit. The present invention also relates to a noise tolerance evaluation method in a semiconductor device.
デジタル回路とアナログ回路とを混載した半導体集積回路(LSI)がある。デジタル・アナログ混載のLSIでは、デジタル回路が発生する電気的ノイズに起因して、アナログ回路に動作不良や特性不良が発生することがあり、このような動作不良や特性不良をいかに抑制するかは、デジタル・アナログ混載のLSIを開発する上での重要な課題になっている。特に、近年では、回路の高速化や低電圧化などにより、高速インターフェース回路や高速SRAM、PLL回路になどにアナログ回路を採用するケースが増えてきており、アナログ回路の動作不良等を抑制する必要性は、ますます加速すると考えられる。このような事情により、周辺ロジックからのノイズに対するアナログ回路のノイズ耐性の評価が重要である。 There is a semiconductor integrated circuit (LSI) in which a digital circuit and an analog circuit are mixedly mounted. In a digital / analog mixed LSI, an operation failure or characteristic failure may occur in the analog circuit due to electrical noise generated by the digital circuit. How to suppress such operation failure or property failure? This is an important issue in developing digital / analog mixed LSI. In particular, in recent years, analog circuits have been increasingly used for high-speed interface circuits, high-speed SRAMs, PLL circuits, etc. due to high-speed and low-voltage circuits, and it is necessary to suppress malfunctions in analog circuits. Sex is thought to accelerate more and more. Under such circumstances, it is important to evaluate the noise resistance of an analog circuit against noise from peripheral logic.
デジタル・アナログ混載のLSIにて、アナログ回路のノイズ耐性テストを行う技術としては、例えば特許文献1に記載されたものがある。特許文献1には、リングオシレータをノイズ源としたデジタルノイズ発生回路と、それを利用した評価方法とが記載されている。特許文献1では、半導体集積回路は、複数のリングオシレータを搭載しており、稼動するリングオシレータ数を任意に切り替えることで、ノイズ量を定量的にコントロールし、アナログ回路のノイズ耐性を定量的に評価する。
特許文献1に記載の技術の問題点としては、ノイズ発生の仕方が、一般的なデジタル回路からのノイズ発生の仕方と異なることが挙げられる。すなわち、一般的なデジタル回路は、クロック信号に基づいて動作するが、リングオシレータによるノイズ波形は極大点/極小点を持つものではない。また、リングオシレータは、定常的に同量のノイズを発生させるものであり、ノイズ発生の仕方は、一般的なデジタル回路が発生するノイズとは異なる。従って、評価時に問題がなくても、実際にクロック同期のLSIに搭載した際に、特性不良が現れる可能性がある。 A problem of the technique described in Patent Document 1 is that the method of generating noise is different from the method of generating noise from a general digital circuit. That is, a general digital circuit operates based on a clock signal, but a noise waveform generated by a ring oscillator does not have a maximum / minimum point. Further, the ring oscillator constantly generates the same amount of noise, and the method of noise generation is different from the noise generated by a general digital circuit. Therefore, even if there is no problem at the time of evaluation, a characteristic defect may appear when it is actually mounted on a clock synchronous LSI.
また、デジタル・アナログ混載のLSIでは、クロック信号はクロックツリーなどでLSI全体に分配されるため、LSI全体が一斉に動作する。しかし、リングオシレータが発生するノイズは、局所的なものであり、LSI全体に対して有効なものではない。従って、リングオシレータを用いた評価時と、デジタル・アナログ混載のLSIへの搭載時とで、アナログ回路へのノイズ到達経路は全く異なり、正しい評価ができないことが考えられる。 Also, in a digital / analog mixed LSI, the clock signal is distributed to the entire LSI by a clock tree or the like, and therefore the entire LSI operates at the same time. However, the noise generated by the ring oscillator is local and is not effective for the entire LSI. Therefore, it is conceivable that the noise arrival path to the analog circuit is completely different between the evaluation using the ring oscillator and the digital / analog mixed LSI, and correct evaluation cannot be performed.
上記したように、リングオシレータを使用したノイズ発生回路は、同期クロックを使用したデジタル回路には適用できない。特に、昨今の高速で、かつ、10mmを超えるような大規模なLSIに搭載されるノイズ発生回路とアナログ回路の評価には、これまでとは異なる手法が提案されるべき状況にある。これは、リングオシレータを用いた方式では、評価では発生しないが、製品版のLSIの評価や、製品上で実際に動作させたときに、問題が起こるといった事態が発生するためである。 As described above, a noise generation circuit using a ring oscillator cannot be applied to a digital circuit using a synchronous clock. In particular, there is a situation in which a different method should be proposed for evaluation of a noise generation circuit and an analog circuit mounted on a large-scale LSI of recent high speed and exceeding 10 mm. This is because, in the method using the ring oscillator, it does not occur in the evaluation, but a situation occurs in which a problem occurs when the product version of the LSI is evaluated or actually operated on the product.
本発明は、製品版の半導体集積回路がデジタル回路を含むときに、製品版の半導体集積回路で発生するノイズに近いノイズを発生させることができるノイズ発生回路を提供することを目的とする。また、本発明は、そのようなノイズ発生回路を搭載する半導体集積回路、及び、半導体集積回路におけるノイズ耐性評価方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a noise generation circuit capable of generating noise close to noise generated in a product version of a semiconductor integrated circuit when the product version of the semiconductor integrated circuit includes a digital circuit. Another object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit on which such a noise generating circuit is mounted, and a noise tolerance evaluation method in the semiconductor integrated circuit.
上記目的を達成するために、本発明のノイズ発生回路は、クロック信号に同期して、所定のノイズパターンデータNDATAをラッチする複数のフリップフロップを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a noise generating circuit according to the present invention includes a plurality of flip-flops that latch predetermined noise pattern data NDATA in synchronization with a clock signal.
本発明の半導体集積回路は、半導体集積回路内のエリアを領域分割した複数の小エリアに対応して、クロック信号に同期して、所定のノイズパターンデータNDATAをラッチする複数のラッチ回路を有するノイズ発生回路を複数備えることを特徴とする。 The semiconductor integrated circuit according to the present invention has a plurality of latch circuits that latch predetermined noise pattern data NDATA in synchronization with a clock signal corresponding to a plurality of small areas obtained by dividing an area in the semiconductor integrated circuit. A plurality of generation circuits are provided.
本発明のノイズ耐性評価方法は、半導体集積回路内のエリアを領域分割した複数の小エリアに対応して、クロック信号に同期して、所定のノイズパターンデータNDATAをラッチする複数のラッチ回路を有するノイズ発生回路を複数備える半導体集積回路を用いたノイズ耐性評価方法であって、前記各小エリアに対応するノイズ発生回路のうちで所望のノイズ発生回路を動作状態に制御し、ノイズ耐性評価を行うことを特徴とする。 The noise tolerance evaluation method of the present invention has a plurality of latch circuits that latch predetermined noise pattern data NDATA in synchronization with a clock signal, corresponding to a plurality of small areas obtained by dividing an area in a semiconductor integrated circuit. A noise tolerance evaluation method using a semiconductor integrated circuit including a plurality of noise generation circuits, wherein a desired noise generation circuit among the noise generation circuits corresponding to each small area is controlled to be in an operating state, and noise tolerance evaluation is performed. It is characterized by that.
本発明のノイズ発生回路及び半導体集積回路では、製品版の半導体集積回路がデジタル回路を含むときに、製品版の半導体集積回路で発生するノイズに近いノイズを発生させることができる。また、本発明のノイズ耐性評価方法では、製品版の半導体集積回路で発生するノイズに近いノイズを発生させた状態で、ノイズ耐性評価を実施できる。 According to the noise generating circuit and the semiconductor integrated circuit of the present invention, when the product version of the semiconductor integrated circuit includes a digital circuit, noise close to the noise generated in the product version of the semiconductor integrated circuit can be generated. In the noise resistance evaluation method of the present invention, noise resistance evaluation can be performed in a state where noise close to noise generated in a product version of a semiconductor integrated circuit is generated.
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施形態のノイズ発生回路を含む半導体集積回路(LSI)を示している。このLSIは、製品評価用のLSIであり、LSIのサイズや、I/Oバッファの配置などは、製品版の半導体集積回路と同じにする。LSIは、内部エリアのうちで、I/Oバッファ領域を除くエリアが機能的に複数の小エリアに分割されている。図1の例では、LSIは、4×4に分割され、計16個の小エリアに分割されている。半導体装置は、各小エリアにノイズ源(ノイズ発生回路)12を有する。図1の例では、計16個のノイズ源12(ノイズ源#0〜#F)を有する。各ノイズ源12は、小エリア内に、均等に配置された複数のFF(フリップフロップ)を有する。各ノイズ源12は、独立に動作/非動作が制御可能である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a semiconductor integrated circuit (LSI) including a noise generating circuit according to the first embodiment of the present invention. This LSI is a product evaluation LSI, and the size of the LSI, the arrangement of I / O buffers, and the like are the same as those of the product version of the semiconductor integrated circuit. In the LSI, the area excluding the I / O buffer area in the internal area is functionally divided into a plurality of small areas. In the example of FIG. 1, the LSI is divided into 4 × 4, and is divided into a total of 16 small areas. The semiconductor device has a noise source (noise generation circuit) 12 in each small area. In the example of FIG. 1, a total of 16 noise sources 12 (
なお、図1では、小エリアの分割数を4×4の16個としたが、分割数はこれには限定されない。また、図1では、図示を省略しているが、ノイズ耐性を評価するアナログ回路などは、小エリアの中や、小エリア間の境界部分など、任意の場所に配置することが可能である。評価対象がインターフェース回路の場合は、その回路は、I/O領域の中に配置する。また、評価対象の回路ブロックが大きく、ノイズ源12と評価対象の回路とが共存できないときには、いくつかの小エリアではノイズ源12を配置せず、その箇所に、評価対象の回路を配置してもよい。
In FIG. 1, the number of divisions of the small area is 16 (4 × 4), but the number of divisions is not limited to this. Although not shown in FIG. 1, an analog circuit for evaluating noise tolerance can be arranged in an arbitrary place such as in a small area or a boundary portion between small areas. When the evaluation target is an interface circuit, the circuit is arranged in the I / O area. In addition, when the circuit block to be evaluated is large and the
図2に、半導体集積回路の回路構成を示す。各ノイズ源12には、共通のノイズパターンデータNDATA及びクロック信号CLKが入力される。クロック信号CLKは、LSI全体に分配されるシステムクロックである。また、各ノイズ源12には、個別に、ノイズ源12を活性化させるためのノイズイネーブル信号EN0〜ENFが入力される。各ノイズ源12は、対応するノイズイネーブル信号ENによって、動作/非動作を制御する。クロック信号CLKの分配方式(分配配線のルートなど)は、製品LSIと同等のノイズで評価することを考え、製品版のLSIとできるだけ同じにする。また、クロック信号CLKの周波数も、製品版のLSIと同じ周波数とする。
FIG. 2 shows a circuit configuration of the semiconductor integrated circuit. Each
図3に、各ノイズ源の回路構成を示す。ノイズ源12は、複数のFF11(ラッチ回路)と、AND回路13とを有する。各FF11のデータ入力端子には、ノイズパターンデータNDATAが入力される。ノイズパターンデータNDATAは、例えばLSIの外部入力ピンから入力される、所定パタン/ランダムパターンのデータである。ノイズパターンデータNDATAを外部入力ピンから入力するのに代えて、LSI内部に、所定パタン/ランダムパターンを発生するジェネレータを用意しておき、そのジェネレータにより与えてもよい。半導体集積回路が有するFFの総数(16個のノイズ源12が有するFFの総数)は、製品版のLSIに搭載されるFFの数やゲート数などから換算して決定する。すなわち、評価版のLSIで、製品版のLSIにて発生するノイズに相当するノイズを発生させるために必要な数のFFを搭載する。
FIG. 3 shows the circuit configuration of each noise source. The
AND回路13は、クロック信号CLKと、ノイズイネーブル信号ENとの論理積をとる。各FF11のクロック端子には、AND回路13が出力するクロック信号CLKとノイズイネーブル信号ENとの論理積の結果が入力される。ノイズ源12を活性化させる際は、ノイズイネーブル信号ENを“1”とする。ノイズイネーブル信号ENが“1”のときは、クロック信号CLKは、AND回路13を介して、各FF11のクロック入力端子に入力される。FF11は、AND回路13を介して入力するクロック信号CLKに従って、ノイズパターンデータNDATAを取り込み、ノイズパターンデータNDATAに沿ったノイズを発生する。すなわち、ノイズ源12は、活性化状態となる。
The
ノイズ源12が活性化状態にあるときで、ノイズパターンデータNDATAが“0”に固定される場合は、FF11は、クロック信号CLKに従って“0”を取り込むことになる。この場合は、FF11内でデータ反転がなく、ノイズ源12が発生するノイズは小さい。FF11内部でデータ反転がないときに、ノイズ源12が発生するノイズが0にならないのは、FF11の内部に、クロック信号CLKをFF内に分配する部分があり、その部分がクロック信号CLKに同期して動作するためである。ノイズパターンデータNDATAが“1”に固定される場合も、ノイズパターンデータNDATAが“0”に固定される場合と同様である。
When the
ノイズ源12が活性化状態にあるときで、ノイズパターンデータNDATAが“0”と“1”とで変化するときは、FF11の取り込み値が変化し、FF11内でデータ反転が起こる。このときFFが発生するノイズは、データ反転が起きない場合に比して大きくなる。ノイズ源12は、複数のFF11を有しており、各FF11がクロック信号CLKに同期して一斉に動作するので、回路全体では、クロック信号CLKに同期して大きなノイズを発生する。ノイズ源12が発生するノイズの量は、ノイズパターンデータNDATAの供給パターンを変えることで制御可能である。従って、ある期間では、ノイズ源12が発生する単位時間当たりのノイズ量を大きくし、別の期間では、ノイズ源12が発生する単位時間当たりのノイズ量を小さくするという制御が可能である。
When the
ノイズイネーブル信号ENが“0”のときは、AND回路13の出力はLレベルに固定され、FF11へのクロック信号CLKの供給が停止される。このとき、FF11は動作保持状態となり、FF11は動作していないとみなすことができる。すなわち、ノイズ源12は、非動作状態となる。ノイズ源12が非活性化状態にあるときは、ノイズパターンデータNDATAが“0”と“1”との間で変化したとしても、FF11が発生するノイズは小さく、ノイズ源12は、ノイズをほとんど発生しない。
When the noise enable signal EN is “0”, the output of the AND
半導体集積回路では、図2に示すように、各ノイズ源12に、個別に、ノイズイネーブル信号EN0〜ENFが入力されており、各ノイズ源12の動作/非動作を個別に設定可能である。評価対象の回路のノイズ耐性試験では、全てのノイズ源12を動作状態にした試験、及び、計16個のノイズ源12のうちの所望の箇所のノイズ源を動作状態にした試験が可能である。
In the semiconductor integrated circuit, as shown in FIG. 2, noise enable signals EN0 to ENF are individually input to each
図4に、小エリアごとに動作/非動作を選択した例を示す。この例では、ノイズイネーブル信号EN0〜4、7、8、B〜Fを“1”にして、ノイズ源#0〜#4、#7、#8、#B〜#Fの計12個のノイズ源12を動作状態としている、また、ノイズイネーブル信号EN5、6、9、Aを“0”にして、ノイズ源#5、#6、#9、#Aの4つのノイズ源を非動作状態としている。小エリアのうちのどのエリアのノイズ源12を動作状態にし、どのエリアのノイズ源を非動作状態とするかは、評価の目的などに応じて、適宜選択すればよい。
FIG. 4 shows an example in which operation / non-operation is selected for each small area. In this example, the noise enable signals EN0 to 4, 7, 8, and B to F are set to “1”, and the
本実施形態では、ノイズ源12を、クロック信号CLKに同期して動作するFFを用いて構成する。ノイズ源12内のFF11は、クロック信号の遷移時に最も電流変化が激しく、クロック信号に同期する形でノイズを発生する。このため、ノイズ源12により、クロック信号CLKに同期したノイズを発生することができ、このようなノイズ源12を用いることで、デジタル回路が含まれるLSIに特有のノイズを再現できる。
In the present embodiment, the
本実施形態では、ノイズ源12が有するFFの総数を、製品版のLSIに搭載されるFFの数やゲート数などから換算して決定する。このようにすることで、ノイズ源12を搭載する評価用のLSIにて、製品版のLSIと同等なノイズを発生することができる。従って、評価用のLSIにて、製品版のLSIのノイズ相当量で評価が可能となり、製品搭載前に、アナログ回路などのノイズ耐性を、本番並みのノイズで評価することができる。
In the present embodiment, the total number of FFs included in the
本実施形態では、ノイズイネーブル信号ENを用いて、ノイズ源12を動作状態にする小エリアと、非動作状態にする小エリアとを任意に設定でき、細かなノイズ評価が可能である。例えば、評価対象の回路に対して、動作させるノイズ源12のエリアを変更しつつ評価を行うことで、ノイズ源12との距離や方向と、ノイズ耐性との関係を調べることができる。このような評価は、製品版のLSIでの回路搭載位置の検討に有効である。
In the present embodiment, by using the noise enable signal EN, a small area where the
図5は、本発明の第2実施形態のノイズ発生回路の構成を示す。本実施形態におけるノイズ源12aは、図3に示す構成に、インバータ14とセレクタ15とが追加された構成である。インバータ14は、ノイズパターンデータNDATAを反転して出力する。セレクタ15は、セレクト信号SELに基づいて、NDATA、又は、NDATAをインバータ14で反転した信号/NDATAを、各FF11に出力する。
FIG. 5 shows a configuration of a noise generating circuit according to the second embodiment of the present invention. The
本実施形態では、セレクタ15に入力するセレクト信号SELに応じて、動作時にFF11が取り込むデータを、ノイズパターンデータNDATAと、その反転パターンデータ/NDATAとの間で切り換えることができる。セレクト信号SELは、小エリアごとに、個別に設定可能とする。このようにすることで、あるノイズ源12aではノイズパターンデータNDATAに基づくノイズを発生させつつ、別のノイズ源12aでは反転パターンデータ/NDATAに基づくノイズを発生させることができる。
In the present embodiment, the data captured by the
図6に、ノイズパターンデータNDATAに従ったノイズを発生させる小エリアと、反転パターンデータ/NDATAに従ったノイズを発生させる小エリアとを組み合わせた例を示す。この例では、ノイズイネーブル信号EN0〜3及びC〜Fを“1”として、ノイズ源#0〜#3及び#C〜#Fを動作状態にし、ノイズイネーブル信号EN4〜Bを“0”として、ノイズ源#4〜#Bを非動作状態としている。
FIG. 6 shows an example in which a small area that generates noise according to the noise pattern data NDATA and a small area that generates noise according to the inverted pattern data / NDATA are combined. In this example, the noise enable signals EN0 to EN3 and C to F are set to “1”, the
また、動作状態のノイズ源12aのうちのノイズ源#0〜#3とノイズ源#C〜#Fとに供給するセレクト信号を互いに反転した信号とし、ノイズ源#0〜#3ではノイズパターンデータNDATAに従ったノイズを発生させ、ノイズ源#C〜#Fでは反転パターンデータ/NDATAに従ったノイズを発生させている。このように、本実施形態では、ノイズ源12aの動作/非動作に加えて、ノイズパターンデータNDATAの反転/非反転を選択することができ、より多くのバリエーションで、ノイズを発生させることができる。
In addition, the select signals supplied to the
図7は、本発明の第3実施形態のノイズ発生回路の構成を示している。本実施形態のノイズ源12bでは、セレクタ17を用い、FF11の入力データを、ノイズパターンデータNDATAと前段のFF11とで切り換え可能に構成する。セレクタ17は、ノイズパターンデータNDATAと、前段のFF11の出力データを入力する。セレクタ17は、データセレクト信号SPSELに基づいて、ノイズパターンデータNDATA又は前段のFF11の出力データの何れかを選択して出力する。初段のFF11のデータ入力端子には、ノイズパターンデータNDATAを入力する。2段目以降のFF11のデータ入力端子には、バッファ16を介して、セレクタ17が選択したデータを入力する。
FIG. 7 shows a configuration of a noise generation circuit according to the third embodiment of the present invention. In the
複数のノイズ源12bについて、各ノイズ源12bの動作/非動作を個別に設定可能な点は、第1実施形態と同様である。本実施形態では、ノイズイネーブル信号ENにより、各ノイズ源12bの動作/非動作を選択できると共に、データセレクト信号SPSELにより、ノイズ源12bを構成する各FF11に入力するデータを、ノイズパターンデータNDATAと前段のFF11の出力とで切り換え可能である。従って、本実子形態では、第1実施形態に比して、より多くのバリエーションで、ノイズを発生させることができる。
The point that the operation / non-operation of each
なお、上記各実施形態では、クロック信号CLK及びノイズパターンデータNDATAを1つの信号とし、これを各ノイズ源12に分配したが、これら信号をそれぞれ複数用意して、各ノイズ源に分配する構成も可能である。また、上記各実施形態では、各ノイズ源12に個別にノイズイネーブル信号ENを入力したが、これには限られない。例えば、いくつかのノイズ源12でグループを構成し、グループごとに個別にノイズイネーブル信号ENを入力する構成でもよい。例えば、図6で、各行を1まとめにして、行ごとにノイズイネーブル信号ENを入力し、行ごとに動作/非動作を制御する構成としてもよい。図7では、入力データを反転させずに出力するバッファ16を用いる例を示したが、バッファ16にてデータを反転して出力してもよい。評価対象の回路は、アナログ回路には限らず、デジタル回路であってもよい。
In each of the above embodiments, the clock signal CLK and the noise pattern data NDATA are set as one signal and distributed to each
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明のノイズ発生回路、半導体集積回路、及び、ノイズ耐性評価方法は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。 Although the present invention has been described based on the preferred embodiments, the noise generation circuit, the semiconductor integrated circuit, and the noise tolerance evaluation method of the present invention are not limited to the above embodiments, and Those in which various modifications and changes are made from the configuration of the embodiments are also included in the scope of the present invention.
11:フリップフロップ(ラッチ回路)
12:ノイズ源(ノイズ発生回路)
13:AND回路
14:インバータ
15、17:セレクタ
16:バッファ
11: Flip-flop (latch circuit)
12: Noise source (noise generation circuit)
13: AND circuit 14:
Claims (12)
前記各小エリアに対応するノイズ発生回路のうちで所望のノイズ発生回路を動作状態に制御し、ノイズ耐性評価を行うことを特徴とするノイズ耐性評価方法。 A semiconductor integrated circuit comprising a plurality of noise generating circuits having a plurality of latch circuits for latching predetermined noise pattern data NDATA in synchronization with a clock signal corresponding to a plurality of small areas obtained by dividing an area in the semiconductor integrated circuit A noise tolerance evaluation method using
A noise immunity evaluation method, wherein a noise immunity evaluation is performed by controlling a desired noise generation circuit among the noise generation circuits corresponding to each of the small areas to an operating state.
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