JP2009054758A - Optical communication apparatus and its shielding structure - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical communication apparatus suppressing transmission of high frequency noise to a photoelectric conversion circuit and transmitting data with high reliability, and also to provide its shielding structure. <P>SOLUTION: The apparatus is provided with an FG pattern 3, and a photoelectric conversion module 2 and control IC are loaded. The photoelectric conversion module 2 converting an optical signal into an electric signal and having a sub-shielding case 28 are loaded on a base substrate 1 fixed to a housing 7. The FG pattern 3 is ground-connected to the photoelectric conversion module 2 through wiring patterns 4A and 4B and resistance chips 27A and 27B. Skin effect attenuation members 8A and 8B constituted by applying an adhesion material containing metallic particles to a conductive tape are formed in the wiring patterns 4A and 4B, and they suppress high frequency current conducting the wiring patterns 4A and 4B by a skin effect. A skin effect attenuation member 13 is formed in a place where the FG pattern 3 is connected to the housing 7. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、光通信装置及びそのシールド構造に関する。   The present invention relates to an optical communication device and a shield structure thereof.

近年、デジタル情報処理技術の飛躍的な進歩に伴い高速、大容量、高信頼性のデジタル通信技術が求められている。プリント配線板や金属電線を用いた信号伝送は、信号品質の劣化や電磁ノイズの影響により、データ転送速度、伝送距離に限界がある。そこで、画像データ等を光信号にして伝送することが行われている。   In recent years, with rapid progress of digital information processing technology, high-speed, large-capacity, high-reliability digital communication technology is required. Signal transmission using printed wiring boards and metal wires has limitations in data transfer speed and transmission distance due to signal quality degradation and electromagnetic noise. Therefore, image data or the like is transmitted as an optical signal.

光信号にして伝送する場合、送信側では電気信号を半導体レーザ等の電気−光変換デバイスで光信号に変換して光ファイバ、光導波路等の光伝送媒体の一端に入射し、光伝送媒体の他端に光結合されたフォトダイオード(PD)等の光−電気変換デバイスや光電変換回路により光信号を電気信号に戻す方法がとられている。   When transmitting as an optical signal, on the transmission side, the electrical signal is converted into an optical signal by an electro-optical conversion device such as a semiconductor laser and incident on one end of an optical transmission medium such as an optical fiber or an optical waveguide. A method is used in which an optical signal is returned to an electrical signal by a photoelectric conversion device such as a photodiode (PD) optically coupled to the other end or a photoelectric conversion circuit.

光電変換回路は、例えば、光信号をフォトダイオードで受光して電流に変換し、更に電流をTIA(Transfer Impedance Amplifier)で差動電気信号に変換し、さらにLA(limiting Amplifier)で増幅し、差動信号を出力する構成になっている。   For example, the photoelectric conversion circuit receives an optical signal with a photodiode and converts it into a current, further converts the current into a differential electrical signal with a TIA (Transfer Impedance Amplifier), further amplifies it with an LA (limiting Amplifier), It is configured to output a dynamic signal.

TIAの入力はハイインピーダンスであり、また、光学系は全体を覆うシールドが施せない開口部を有するため、空間を伝搬してノイズが侵入する。また、筐体が受けた外乱ノイズが、GND(グランド)を伝達して侵入するノイズもある。   The input of the TIA is high impedance, and the optical system has an opening that cannot be shielded to cover the whole, so that noise propagates through the space. In addition, there is noise that disturbance noise received by the housing enters through transmission of GND (ground).

一般に、外来ノイズを防止する手段として、基板上の電子回路を覆う金属製のシールドケースが知られている(特許文献1参照)。また、高透磁率の導電性軟磁性体膜からなる高周波抑制体をリードフレームの外周に設け、表皮効果によりノイズを抑制する配線基板及び電子機器(特許文献2参照)や、ピンコンタクト及びソケットコンタクトを保持するインシュレータの表面に高周波電流抑制体を設けて高周波伝導ノイズを抑制するコネクタ(特許文献3参照)が知られている。   In general, a metal shield case that covers an electronic circuit on a substrate is known as means for preventing external noise (see Patent Document 1). In addition, a high-frequency suppressor made of a high-permeability conductive soft magnetic film is provided on the outer periphery of the lead frame to suppress noise by the skin effect (see Patent Document 2), pin contact, and socket contact. There is known a connector (see Patent Document 3) that suppresses high-frequency conduction noise by providing a high-frequency current suppressing body on the surface of an insulator that holds the coil.

また、電子機器においては、ESD(electrostatic discharge:静電気放電)に対する対策が要求されている。ESDは、帯電した人体、絶縁物等の導電性の物体が、他の導電性の物体(電子機器等)に接触または接近した際に高電圧の放電が生じる現象である。ESDが電子機器に生じると、誤動作や半導体素子の損傷等を招くことがある。
実開昭60−190097号公報 特開2007−43096号公報 特開2001−283986号公報
Further, in electronic devices, countermeasures against ESD (electrostatic discharge) are required. ESD is a phenomenon in which a high-voltage discharge occurs when a conductive object such as a charged human body or insulator comes into contact with or approaches another conductive object (such as an electronic device). When ESD occurs in an electronic device, it may cause a malfunction or damage to a semiconductor element.
Japanese Utility Model Publication No. 60-190097 JP 2007-43096 A JP 2001-283986 A

本発明の目的は、高周波ノイズが光電変換回路に伝達するのを抑制し、信頼性の高いデータ伝送を行えるようにした光通信装置及びそのシールド構造を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an optical communication apparatus and its shield structure capable of suppressing transmission of high-frequency noise to a photoelectric conversion circuit and performing highly reliable data transmission.

本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光通信装置を提供する。   In order to achieve the above object, one embodiment of the present invention provides the following optical communication device.

[1]光信号を電気信号に変換する光電変換モジュールと、前記光電変換モジュールから導出され、グランドに接続された導電体と、前記導電体に設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、を備えたことを特徴とする光通信装置。 [1] A photoelectric conversion module that converts an optical signal into an electric signal, a conductor that is derived from the photoelectric conversion module and connected to the ground, and a high frequency that is provided on the conductor and that conducts the conductor by a skin effect An optical communication device comprising: a skin effect attenuation member that suppresses current.

[2]前記光電変換モジュールは、シールドケースを備え、前記導電体は、前記シールドケースに接続されていることを特徴とする前記[1]に記載の光通信装置。 [2] The optical communication device according to [1], wherein the photoelectric conversion module includes a shield case, and the conductor is connected to the shield case.

[3]前記光電変換モジュールは、基板に搭載され、前記導電体は、前記基板上に形成され、前記表皮効果減衰部材は、前記基板上に前記導電体を覆うように設けられていることを特徴とする前記[1]に記載の光通信装置。 [3] The photoelectric conversion module is mounted on a substrate, the conductor is formed on the substrate, and the skin effect attenuation member is provided on the substrate so as to cover the conductor. The optical communication device according to [1], which is characterized in that

[4]前記表皮効果減衰部材は、導電性テープと、前記導電性テープに塗布されると共に金属粒子が分散された粘着材とを備えたことを特徴とする前記[1]に記載の光通信装置。 [4] The optical communication according to [1], wherein the skin effect attenuation member includes a conductive tape and an adhesive material applied to the conductive tape and having metal particles dispersed therein. apparatus.

[5]前記表皮効果減衰部材は、前記導電体の前記光電変換モジュール側の端部に設けられていることを特徴とすることを特徴とする前記[1]に記載の光通信装置。 [5] The optical communication device according to [1], wherein the skin effect attenuating member is provided at an end of the conductor on the photoelectric conversion module side.

[6]前記表皮効果減衰部材は、前記光電変換モジュールを搭載している基板が前記グランドにネジで固定される部位に設けられていることを特徴とする前記[1]に記載の光通信装置。 [6] The optical communication device according to [1], wherein the skin effect attenuating member is provided at a portion where a substrate on which the photoelectric conversion module is mounted is fixed to the ground with a screw. .

また、本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下のシールド構造を提供する。   One embodiment of the present invention provides the following shield structure in order to achieve the above object.

[7]微弱な電気信号を出力するモジュールを搭載すると共に、前記モジュールに接続されるグランド用の導電体を有した基板と、前記基板上に前記グランド用の導電体を覆うように設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、を備えたことを特徴とするシールド構造。 [7] A module that outputs a weak electrical signal is mounted, a substrate having a ground conductor connected to the module, and a ground conductor on the substrate are provided so as to cover the substrate, And a skin effect attenuating member that suppresses a high-frequency current conducted through the conductor by a skin effect.

請求項1の光通信装置によれば、高周波ノイズが光電変換回路に伝達するのを抑制し、信頼性の高いデータ伝送を行えるようにすることができる。   According to the optical communication device of the first aspect, it is possible to suppress high-frequency noise from being transmitted to the photoelectric conversion circuit and to perform highly reliable data transmission.

請求項2の光通信装置によれば、シールドケースを備えた光電変換モジュールに対する高周波ノイズを抑制することができる。   According to the optical communication device of the second aspect, it is possible to suppress high frequency noise for the photoelectric conversion module including the shield case.

請求項3の光通信装置によれば、光電変換モジュール及び導電体が基板に設けられた構成における高周波ノイズを抑制することができる。   According to the optical communication device of the third aspect, it is possible to suppress high-frequency noise in the configuration in which the photoelectric conversion module and the conductor are provided on the substrate.

請求項4の光通信装置によれば、簡単かつ安価に表皮効果減衰部材を構成することができる。   According to the optical communication device of the fourth aspect, the skin effect attenuation member can be configured easily and inexpensively.

請求項5の光通信装置によれば、ノイズを抑制するのに最適な場所を特定することができる。   According to the optical communication apparatus of the fifth aspect, it is possible to identify the optimum place for suppressing noise.

請求項6の光通信装置によれば、ノイズを抑制するのに最適な場所を特定することができる。   According to the optical communication device of the sixth aspect, it is possible to identify the optimum place for suppressing noise.

請求項7のシールド構造によれば、外来ノイズ及びESD試験時のノイズが光電変換回路に伝達するのを抑制し、データ伝送が高信頼に行えるようにすることができる。   According to the shield structure of the seventh aspect, it is possible to suppress the transmission of the external noise and the noise during the ESD test to the photoelectric conversion circuit, so that the data transmission can be performed with high reliability.

[第1の実施の形態]
(光通信装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。また、図2は、図1の光通信装置のA−A線の断面図である。
[First Embodiment]
(Configuration of optical communication device)
FIG. 1 is a plan view showing an optical communication apparatus according to the first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the optical communication apparatus of FIG.

光通信装置100は、ベース基板1と、ベース基板1上に搭載された光電変換モジュール2と、ベース基板1上に設けられたFG(フレームグランド)パターン3と、ベース基板1に設けられて光電変換モジュール2のグランドとFGパターン3とを電気的に接続する導電体としての配線パターン4A,4Bと、受信信号を処理する制御LSI5と、光電変換モジュール2に光コネクタ62を介して接続された光伝送媒体6と、ベース基板1及び光電変換モジュール2を収容する金属製の筐体7とを備えて構成されている。   The optical communication apparatus 100 includes a base substrate 1, a photoelectric conversion module 2 mounted on the base substrate 1, an FG (frame ground) pattern 3 provided on the base substrate 1, and a photoelectric conversion provided on the base substrate 1. The wiring patterns 4A and 4B as conductors for electrically connecting the ground of the conversion module 2 and the FG pattern 3, the control LSI 5 for processing the received signal, and the photoelectric conversion module 2 are connected via the optical connector 62. An optical transmission medium 6 and a metal housing 7 that houses the base substrate 1 and the photoelectric conversion module 2 are provided.

ベース基板1は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁基板からなり、ネジ11及び導電性のスペーサ12によって筐体7に固定されており、ベース基板1のFGパターン3と筐体7とは、電気的に接続されている。ネジ11は、リング状の表皮効果減衰部材13を介してスペーサ12に螺子止めされている。表皮効果減衰部材13の構成については図3を示して後記する。なお、ベース基板1は、更に複数組のネジ11及びスペーサ12によって筐体7に固定されている。   The base substrate 1 is made of an insulating substrate such as glass epoxy resin, and is fixed to the housing 7 with screws 11 and conductive spacers 12. The FG pattern 3 and the housing 7 of the base substrate 1 are electrically connected to each other. It is connected. The screw 11 is screwed to the spacer 12 via a ring-shaped skin effect attenuation member 13. The structure of the skin effect attenuating member 13 will be described later with reference to FIG. The base substrate 1 is further fixed to the housing 7 by a plurality of sets of screws 11 and spacers 12.

光電変換モジュール2は、ベース基板1の下側に配置されると共に光伝送媒体6の光コネクタ62が挿入されるホルダ21と、光伝送媒体6の光コネクタ62に対向配置された受光デバイス22と、受光デバイス22が実装されたリジット基板23と、リジット基板23に接続されたフレキシブル基板24と、フレキシブル基板24に接続されたリジット基板25と、リジット基板25に接続された基板コネクタ26と、配線パターン4A,4Bの端部に一端が接続された抵抗チップ27A,27Bと、抵抗チップ27A,27Bの他端に接続されたグランド接続部28a,28bを有するサブシールドケース28と、を備えて構成されている。   The photoelectric conversion module 2 is disposed on the lower side of the base substrate 1, and the holder 21 into which the optical connector 62 of the optical transmission medium 6 is inserted, and the light receiving device 22 disposed to face the optical connector 62 of the optical transmission medium 6. A rigid board 23 on which the light receiving device 22 is mounted, a flexible board 24 connected to the rigid board 23, a rigid board 25 connected to the flexible board 24, a board connector 26 connected to the rigid board 25, and wiring Resistor chips 27A and 27B having one ends connected to the ends of the patterns 4A and 4B, and a sub-shield case 28 having ground connection portions 28a and 28b connected to the other ends of the resistor chips 27A and 27B. Has been.

受光デバイス22は、図示しないフォトダイオード等の受光素子と、受光素子からの微小な電流変化を電圧変化の差動電気信号に変換するTIA(Transfer Impedance Amplifier)と、さらにTIAの差動出力信号を増幅するLA(Limiting Amplifier)と、を備えて構成されている。TIAは、その入力部が、ノイズの影響を受けやすいハインピーダンスの構成になっている。   The light receiving device 22 includes a light receiving element such as a photodiode (not shown), a TIA (Transfer Impedance Amplifier) that converts a minute current change from the light receiving element into a differential electric signal of a voltage change, and a TIA differential output signal. LA (Limiting Amplifier) to be amplified. The TIA has a high-impedance configuration in which its input section is susceptible to noise.

リジット基板23は、受光デバイス22とフレキシブル基板24とを接続するもので、ホルダ21に取り付けられている。   The rigid substrate 23 connects the light receiving device 22 and the flexible substrate 24 and is attached to the holder 21.

リジット基板25は、フレキシブル基板24を基板コネクタ26に接続するもので、基板コネクタ26に取り付けられている。   The rigid board 25 connects the flexible board 24 to the board connector 26 and is attached to the board connector 26.

基板コネクタ26は、ベース基板1の下面(裏面)に設けられた図示しない配線パターンにより、リジット基板25からの信号を制御LSI5へ出力している。   The board connector 26 outputs a signal from the rigid board 25 to the control LSI 5 by a wiring pattern (not shown) provided on the lower surface (back surface) of the base substrate 1.

抵抗チップ27A,27Bは、サブシールドケース28のグランド基準電位の設定、放射ノイズ抑制対策を目的として設けられており、例えば、5〜10Ωである。   The resistor chips 27A and 27B are provided for the purpose of setting the ground reference potential of the sub-shield case 28 and suppressing radiation noise, for example, 5 to 10Ω.

サブシールドケース28は、例えば真鍮等の金属板を箱型に加工したものであり、ホルダ21、受光デバイス22、リジット基板23、フレキシブル基板24、リジット基板25及び光コネクタ62を覆って外来ノイズを抑制する形状を有すると共に、上記グランド接続部28a,28bを備えている。   The sub shield case 28 is formed by processing a metal plate such as brass into a box shape, and covers the holder 21, the light receiving device 22, the rigid substrate 23, the flexible substrate 24, the rigid substrate 25, and the optical connector 62, and prevents external noise. While having a shape to suppress, the ground connection portions 28a and 28b are provided.

配線パターン4A,4Bは、銅箔等による導電体であり、表皮効果減衰部材13と同様な構成の表皮効果減衰部材8A,8Bが貼着されている。表皮効果減衰部材8A,8Bは、配線パターン4A,4Bを覆う様にして配線パターン4A,4Bの所定位置に貼着される。表皮効果減衰部材8A,8Bの構成については、図3を示して後で説明する。   The wiring patterns 4A and 4B are conductors made of copper foil or the like, and skin effect attenuation members 8A and 8B having the same configuration as the skin effect attenuation member 13 are attached. The skin effect attenuation members 8A and 8B are attached to predetermined positions of the wiring patterns 4A and 4B so as to cover the wiring patterns 4A and 4B. The structure of the skin effect attenuation members 8A and 8B will be described later with reference to FIG.

光伝送媒体6は、例えば光ファイバであり、端部に光プラグアダプタ61が接続されており、更に光プラグアダプタ61には上記光コネクタ62が接続され、この光コネクタ62が光電変換モジュール2に光結合される。   The optical transmission medium 6 is, for example, an optical fiber, and an optical plug adapter 61 is connected to an end of the optical transmission medium 6. Further, the optical connector 62 is connected to the optical plug adapter 61, and the optical connector 62 is connected to the photoelectric conversion module 2. Photocoupled.

筐体7は、光通信装置100の本体となるもので、図示しない電源装置等を備えて構成されている。   The housing 7 serves as a main body of the optical communication device 100, and includes a power supply device (not shown).

(表皮効果減衰部材の構成)
図3は、表皮効果減衰部材を示す断面図である。表皮効果減衰部材8A,8Bと表皮効果減衰部材13は、外形は異なるが断面構造は同じであり、導電性テープ201と、金属粒子202が分散された状態で導電性テープ201の片面に粘着された粘着材203とを備えて構成されており、所望の形状に裁断して使用する。
(Structure of skin effect damping member)
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the skin effect attenuation member. The skin effect attenuating members 8A and 8B and the skin effect attenuating member 13 have different external shapes but the same cross-sectional structure, and are adhered to one surface of the conductive tape 201 in a state where the conductive tape 201 and the metal particles 202 are dispersed. The adhesive material 203 is used and cut into a desired shape for use.

表皮効果減衰部材8A,8B,13は、筐体7と光電変換モジュール2のサブシールドケース28の間に貼付する。表皮効果減衰部材8A,8Bの大きさ(表面積)は、例えば、20×20mmであり、また、表皮効果減衰部材13の外径は、例えば、直径20mm(この場合、スペーサ12は直径6mm)である。   The skin effect attenuation members 8 </ b> A, 8 </ b> B, and 13 are attached between the housing 7 and the subshield case 28 of the photoelectric conversion module 2. The size (surface area) of the skin effect attenuation members 8A and 8B is, for example, 20 × 20 mm, and the outer diameter of the skin effect attenuation member 13 is, for example, 20 mm in diameter (in this case, the spacer 12 has a diameter of 6 mm). is there.

表皮効果減衰部材8A,8B,13の厚みは、表皮深さ(skin depth:表皮効果によって導電体を流れる電流の深さを言う)以上とする。表皮深さは、材料、使用周波数等によって異なるが、例えば、アルミニウムの場合、300MHzにおいて4.6μmである。   The thickness of the skin effect attenuating members 8A, 8B, 13 is not less than the skin depth (skin depth: the depth of current flowing through the conductor due to the skin effect). The skin depth varies depending on the material, operating frequency, and the like, but is, for example, 4.6 μm at 300 MHz in the case of aluminum.

導電性テープ201は、例えば、厚みが250μmであり、金属箔、金属薄板、導電性布等を用いることができる。具体的には、竹内工業株式会社製「TRシリーズ」、北川工業株式会社製「CSTK」等の「導電布テープ」が最適である。   For example, the conductive tape 201 has a thickness of 250 μm, and a metal foil, a metal thin plate, a conductive cloth, or the like can be used. Specifically, “conductive cloth tape” such as “TR series” manufactured by Takeuchi Kogyo Co., Ltd. and “CSTK” manufactured by Kitagawa Kogyo Co., Ltd. is optimal.

粘着材203は、例えば、厚みが50μmである。この場合、金属粒子202は、直径50μm以下のものを用いる。   The adhesive material 203 has a thickness of 50 μm, for example. In this case, the metal particles 202 having a diameter of 50 μm or less are used.

金属粒子202は、導電性を有し、且つ粘着材203との結合度に優れる形状を有するもの、例えば、銅製で、表面に凹凸や刺状物を有する粒状体を用いる。金属粒子202を設けたことにより、表皮効果で流れる電流は、導電性テープ201に流れると共に、金属粒子202の表面にも分散して伝導し、高周波電流を減衰させる効果を高めることができる。   The metal particles 202 are conductive and have a shape excellent in the degree of bonding with the adhesive material 203, for example, a copper-made granular material having irregularities and stabs on the surface. By providing the metal particles 202, the current flowing by the skin effect flows to the conductive tape 201 and is also dispersed and conducted on the surface of the metal particles 202, thereby enhancing the effect of attenuating the high-frequency current.

(光通信装置の動作)
次に、図1に示す光通信装置100の動作を説明する。図示しない送信側から光信号が光伝送媒体6に入射すると、その光信号は、光伝送媒体5を伝搬し、図2に示す光プラグアダプタ61及び光コネクタ62を介して受光デバイス22に入射する。
(Operation of optical communication device)
Next, the operation of the optical communication apparatus 100 shown in FIG. 1 will be described. When an optical signal enters the optical transmission medium 6 from the transmission side (not shown), the optical signal propagates through the optical transmission medium 5 and enters the light receiving device 22 via the optical plug adapter 61 and the optical connector 62 shown in FIG. .

受光デバイス22は、光伝送媒体6からの光信号を受光素子で電気信号に変換し、更に増幅処理した信号を受信信号としてリジット基板23へ出力する。受信信号は、リジット基板23、フレキシブル基板24及びリジット基板25を介して基板コネクタ26に伝送され、更に、ベース基板1の裏面の配線パターン(図示せず)を介して制御LSI5に伝送される。制御LSI5は、受信信号に基づいて、例えば画像信号を生成する。   The light receiving device 22 converts the optical signal from the optical transmission medium 6 into an electric signal by the light receiving element, and outputs the amplified signal to the rigid substrate 23 as a received signal. The received signal is transmitted to the board connector 26 via the rigid board 23, the flexible board 24, and the rigid board 25, and further transmitted to the control LSI 5 via a wiring pattern (not shown) on the back surface of the base board 1. The control LSI 5 generates, for example, an image signal based on the received signal.

一方、筐体7からのノイズは、スペーサ12、FGパターン3、配線パターン4A,4B及び抵抗チップ27A,27Bを介して光電変換モジュール2に侵入しようとするが、高周波数のノイズは導体の表面に集中する表皮効果が顕著になるため、ネジ11に設けられた表皮効果減衰部材13、及び配線パターン4A,4Bに設けられた表皮効果減衰部材8A,8Bによってノイズの伝導が阻止され、光電変換モジュール2への伝達が抑制される。本発明者らの検討によれば、300MHz以上まで表皮効果の減衰を確認することができた。   On the other hand, noise from the housing 7 tries to enter the photoelectric conversion module 2 through the spacer 12, the FG pattern 3, the wiring patterns 4A and 4B, and the resistance chips 27A and 27B, but high frequency noise is generated on the surface of the conductor. Since the skin effect concentrated on the surface becomes remarkable, noise conduction is blocked by the skin effect attenuation member 13 provided on the screw 11 and the skin effect attenuation members 8A and 8B provided on the wiring patterns 4A and 4B. Transmission to the module 2 is suppressed. According to the study by the present inventors, it was possible to confirm the attenuation of the skin effect up to 300 MHz or more.

(ESD試験)
次に、ESD試験について説明する。ESD試験は、例えば、「IEC61000−4−2」等で、金属などの導電部に対して接触放電試験、非導電部に対して気中放電試験が適用される。試験条件は既定レベルにより設定されるが、接触放電で2〜8kV、気中放電で2〜15kVの高電圧が印加される。
(ESD test)
Next, the ESD test will be described. The ESD test is, for example, “IEC61000-4-2” or the like, and a contact discharge test is applied to a conductive part such as metal and an air discharge test is applied to a non-conductive part. The test conditions are set according to a predetermined level, but a high voltage of 2 to 8 kV for contact discharge and 2 to 15 kV for air discharge is applied.

放電電流の立ち上がり時間は0.7〜1nsで極めて高速であり、その放電期間は、数十nsの短時間である。電子機器の動作に影響を及ぼす場合、正常動作が一時的に損なわれても、再び正常状態に復帰すればよい場合もあるが、データ伝送では一時的に乱れた場合、致命的な伝送エラーとなる場合がある。   The rise time of the discharge current is 0.7 to 1 ns, which is extremely fast, and the discharge period is as short as several tens of ns. If the operation of the electronic device is affected, even if the normal operation is temporarily lost, it may be necessary to return to the normal state again, but if the data transmission is temporarily disturbed, a fatal transmission error will occur. There is a case.

光電変換モジュール2に対するESD試験の影響は、光電変換モジュール2の受光素子からの微少電流信号に対して現れる。このため、正常な差動信号がESDの印加期間に対応して逆相の信号乱れを生じる。しかし、ESD試験時にスペーサ12からFGパターン3に流れた放電電流は、通常のノイズと同様に表皮効果減衰部材8A,8B,13によって阻止され、放電電流の光電変換モジュール2への伝達が抑制される。   The influence of the ESD test on the photoelectric conversion module 2 appears on a minute current signal from the light receiving element of the photoelectric conversion module 2. For this reason, a normal differential signal causes signal disturbance in the opposite phase corresponding to the ESD application period. However, the discharge current that flows from the spacer 12 to the FG pattern 3 during the ESD test is blocked by the skin effect attenuation members 8A, 8B, and 13 in the same manner as normal noise, and the transmission of the discharge current to the photoelectric conversion module 2 is suppressed. The

[第2の実施の形態]
(光通信装置の構成)
図4は、本発明の第2の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。
[Second Embodiment]
(Configuration of optical communication device)
FIG. 4 is a plan view showing an optical communication apparatus according to the second embodiment of the present invention.

光通信装置100は、ベース基板80と、ベース基板80上に設けられたIC81A,81B,81Cと、ベース基板80の一辺に所定間隔に設けられた光電変換モジュール82A,82B,82C,82Dと、光電変換モジュール82Aに接続された配線パターン83A、光電変換モジュール82Bと光電変換モジュール82Cとを接続する配線パターン83B及び光電変換モジュール82Dに接続された配線パターン83Cと、配線パターン83A〜83Dに設けられていると共に筐体7に接地された複数のスタッド84と、配線パターン83A〜83Dの所定の位置に設けられた表皮効果減衰部材85A,85B,85C,85D,13と、光電変換モジュール82A〜82Dと配線パターン83A,83B,83Cの各端部との間に設けられた抵抗チップ87A,87B,87C,87Dと、光電変換モジュール82A〜82Dに接続された光ファイバ等による光伝送媒体88A,88B,88C,88Dと、を備えて構成されている。   The optical communication device 100 includes a base substrate 80, ICs 81A, 81B, 81C provided on the base substrate 80, photoelectric conversion modules 82A, 82B, 82C, 82D provided on one side of the base substrate 80 at predetermined intervals, Wiring pattern 83A connected to photoelectric conversion module 82A, wiring pattern 83B connecting photoelectric conversion module 82B and photoelectric conversion module 82C, wiring pattern 83C connected to photoelectric conversion module 82D, and wiring patterns 83A to 83D are provided. And a plurality of studs 84 grounded to the housing 7, skin effect attenuation members 85A, 85B, 85C, 85D, 13 provided at predetermined positions of the wiring patterns 83A to 83D, and photoelectric conversion modules 82A to 82D. Between the wiring patterns 83A, 83B and 83C. Vignetting resistor chips 87A, 87B, 87C, and 87D, the photoelectric conversion module 82A~82D optical transmission medium by an optical fiber connected like in 88A, 88B, 88C, is configured to include a 88D, a.

IC81A〜81Cは、光電変換モジュール82A〜82Dからの電気信号を処理する回路からなる半導体デバイスである。   The ICs 81A to 81C are semiconductor devices including circuits that process electric signals from the photoelectric conversion modules 82A to 82D.

光電変換モジュール82A〜82Dは、同一仕様であり、第1の実施の形態における光電変換モジュール2と同様の構成を有している。従って、構成の詳細については説明を省略する。   The photoelectric conversion modules 82A to 82D have the same specifications, and have the same configuration as the photoelectric conversion module 2 in the first embodiment. Therefore, description of the details of the configuration is omitted.

配線パターン83A〜83Dは、スタッド84を介して筐体7に接地されている。従って、配線パターン83A〜83Dは、グランド用である。   The wiring patterns 83A to 83D are grounded to the housing 7 via the studs 84. Accordingly, the wiring patterns 83A to 83D are for the ground.

表皮効果減衰部材85A〜85Dは、表皮効果減衰部材8A,8Bと同様の構成を有している。表皮効果減衰部材85Aは、配線パターン83Aの光電変換モジュール82A側の端部に設けられ、表皮効果減衰部材85B,85Cは、配線パターン83Bの光電変換モジュール82B,82C側の両端部に設けられ、表皮効果減衰部材85Dは、配線パターン83Cの光電変換モジュール82D側の端部に設けられ、表皮効果減衰部材13は、配線パターン83Aの他端に設けられている。   The skin effect attenuation members 85A to 85D have the same configuration as the skin effect attenuation members 8A and 8B. The skin effect attenuation member 85A is provided at the end of the wiring pattern 83A on the photoelectric conversion module 82A side, and the skin effect attenuation member 85B, 85C is provided at both ends of the wiring pattern 83B on the photoelectric conversion module 82B, 82C side, The skin effect attenuation member 85D is provided at the end of the wiring pattern 83C on the photoelectric conversion module 82D side, and the skin effect attenuation member 13 is provided at the other end of the wiring pattern 83A.

(光通信装置の動作)
次に、図4に示す光通信装置100の動作を説明する。図示しない送信側から、光信号が光伝送媒体88A〜88Dに同時に伝送されたとすると、4つの光信号は、光伝送媒体88A〜88Dから光電変換モジュール82A〜82Dに入射する。
(Operation of optical communication device)
Next, the operation of the optical communication apparatus 100 shown in FIG. 4 will be described. Assuming that optical signals are simultaneously transmitted to the optical transmission media 88A to 88D from the transmission side (not shown), the four optical signals enter the photoelectric conversion modules 82A to 82D from the optical transmission media 88A to 88D.

光電変換モジュール82A〜82Dは、入射した光信号を電気信号に変換し、これを受信信号として基板コネクタ26から制御LSI5へ出力する。制御LSI5は、受信信号に基づいて、例えば画像信号を生成する。このとき、光電変換モジュール82A〜82Dのサブシールドケース(28)は、抵抗チップ87A〜87D、配線パターン83A〜83C及びスタッド84を介して接地される。   The photoelectric conversion modules 82 </ b> A to 82 </ b> D convert the incident optical signal into an electrical signal, and output this as a received signal from the board connector 26 to the control LSI 5. The control LSI 5 generates, for example, an image signal based on the received signal. At this time, the sub-shield cases (28) of the photoelectric conversion modules 82A to 82D are grounded via the resistor chips 87A to 87D, the wiring patterns 83A to 83C, and the stud 84.

一方、筐体7からのノイズは、スタッド84、配線パターン83A〜83C及び抵抗チップ87A〜87Dを介して光電変換モジュール82A〜82Dに侵入しようとするが、高周波数のノイズは導体の表面に集中する表皮効果が顕著になるため、抵抗チップ87A〜87Dの近傍に設けられた表皮効果減衰部材85A〜85Dによって阻止され、光電変換モジュール2への伝達が抑制される。また、長さのある配線パターン83Aにおいては、表皮効果減衰部材85Aに加え、表皮効果減衰部材13が筐体7からのノイズを抑制する。   On the other hand, noise from the housing 7 tries to enter the photoelectric conversion modules 82A to 82D via the studs 84, the wiring patterns 83A to 83C and the resistor chips 87A to 87D, but high frequency noise is concentrated on the surface of the conductor. Therefore, the skin effect is suppressed by the skin effect attenuation members 85A to 85D provided in the vicinity of the resistor chips 87A to 87D, and the transmission to the photoelectric conversion module 2 is suppressed. In the long wiring pattern 83 </ b> A, the skin effect attenuation member 13 suppresses noise from the housing 7 in addition to the skin effect attenuation member 85 </ b> A.

ESD試験に対しても、第1の実施の形態と同様に、ESD試験時にスタッド84から配線パターン83A〜83Cに流れた放電電流は、表皮効果減衰部材85A〜85Dによって阻止され、放電電流の光電変換モジュール82A〜82Dへの伝達が抑制される。   Also in the ESD test, as in the first embodiment, the discharge current flowing from the stud 84 to the wiring patterns 83A to 83C during the ESD test is blocked by the skin effect attenuation members 85A to 85D. Transmission to the conversion modules 82A to 82D is suppressed.

[第3の実施の形態]
(光通信装置の構成)
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。
[Third Embodiment]
(Configuration of optical communication device)
FIG. 5 is a plan view showing an optical communication apparatus according to the third embodiment of the present invention.

本実施の形態における光通信装置100は、上記筐体7と、ベース基板90と、このベース基板90に実装されたIC81A及び上記駆動IC91と、ベース基板90の一辺に所定間隔に設けられた光送信モジュール(TX)92及び光電変換モジュール82A〜82Cと、これらモジュールに接続された上記光伝送媒体88A〜88Dと、光送信モジュール92及び光電変換モジュール82A〜82Cに沿ってベース基板90に設けられた帯状のFGパターン93と、FGパターン93と筐体7とを電気的に接続する上記複数のスタッド84と、FGパターン93と光電変換モジュール82A〜82C及び光送信モジュール92とを接続する配線パターン94A,94B,94C,94Dと、配線パターン94B〜94Dに設けられた上記表皮効果減衰部材85A,85B,85Cと、配線パターン94B〜94Dと光送信モジュール92及び光電変換モジュール82A〜82Cのグランド端子とを接続する上記抵抗チップ87A,87B,87Cと、を備えて構成されている。   The optical communication apparatus 100 according to the present embodiment includes the housing 7, the base substrate 90, the IC 81A and the driving IC 91 mounted on the base substrate 90, and light provided at predetermined intervals on one side of the base substrate 90. A transmission module (TX) 92 and photoelectric conversion modules 82A to 82C, the optical transmission media 88A to 88D connected to these modules, and the optical transmission module 92 and the photoelectric conversion modules 82A to 82C are provided on the base substrate 90. The strip-shaped FG pattern 93, the plurality of studs 84 that electrically connect the FG pattern 93 and the housing 7, and the wiring pattern that connects the FG pattern 93, the photoelectric conversion modules 82A to 82C, and the optical transmission module 92. 94A, 94B, 94C, 94D and the wiring patterns 94B to 94D provided above The skin effect attenuating members 85A, 85B, and 85C, and the resistor chips 87A, 87B, and 87C that connect the wiring patterns 94B to 94D to the ground terminals of the optical transmission module 92 and the photoelectric conversion modules 82A to 82C are configured. ing.

配線パターン94Aは、送信用であり、ノイズの影響を受けないため、表皮効果減衰部材は設ける必要がない。   Since the wiring pattern 94A is for transmission and is not affected by noise, it is not necessary to provide a skin effect attenuation member.

(光通信装置の動作)
次に、図5に示す光通信装置100の動作を説明する。駆動IC91が動作すると、光送信モジュール92は、光信号を光伝送媒体88Aへ出力する。光伝送媒体88Aを伝搬した光信号は、図示しない受信側の基板に設けられた光電変換モジュールによって受信される。
(Operation of optical communication device)
Next, the operation of the optical communication apparatus 100 shown in FIG. 5 will be described. When the drive IC 91 operates, the optical transmission module 92 outputs an optical signal to the optical transmission medium 88A. The optical signal propagated through the optical transmission medium 88A is received by a photoelectric conversion module provided on a reception-side substrate (not shown).

一方、図示しない送信側から、光信号が光伝送媒体88A〜88Cに同時に伝送されたとすると、4つの光信号は、光伝送媒体88A〜88Cから光電変換モジュール82A〜82Cに入射する。   On the other hand, if optical signals are transmitted simultaneously to the optical transmission media 88A to 88C from the transmission side (not shown), the four optical signals enter the photoelectric conversion modules 82A to 82C from the optical transmission media 88A to 88C.

光電変換モジュール82A〜82Cは、入射した光信号を電気信号に変換し、これを受信信号として基板コネクタ26から制御LSI5へ出力する。制御LSI5は、受信信号に基づいて、例えば画像信号を生成する。このとき、光電変換モジュール82A〜82Cのサブシールドケース(28)は、抵抗チップ87A〜87C、配線パターン94A〜94C、FGパターン93及びスタッド84を介して接地される。   The photoelectric conversion modules 82 </ b> A to 82 </ b> C convert the incident optical signal into an electrical signal, and output this as a received signal from the board connector 26 to the control LSI 5. The control LSI 5 generates, for example, an image signal based on the received signal. At this time, the sub-shield cases (28) of the photoelectric conversion modules 82A to 82C are grounded via the resistor chips 87A to 87C, the wiring patterns 94A to 94C, the FG pattern 93, and the stud 84.

一方、筐体7からのノイズは、スタッド84、FGパターン93、配線パターン94A〜94C及び抵抗チップ87A〜87Cを介して光電変換モジュール82A〜82Cに侵入しようとするが、高周波数のノイズは導体の表面に集中する表皮効果が顕著になるため、抵抗チップ87A〜87Cの近傍に設けられた表皮効果減衰部材85A〜85Cによってノイズの伝導が阻止され、光電変換モジュール2への伝達が抑制される。   On the other hand, noise from the housing 7 tries to enter the photoelectric conversion modules 82A to 82C via the stud 84, the FG pattern 93, the wiring patterns 94A to 94C, and the resistor chips 87A to 87C. Since the skin effect concentrated on the surface of the substrate becomes remarkable, noise conduction is blocked by the skin effect attenuation members 85A to 85C provided in the vicinity of the resistor chips 87A to 87C, and transmission to the photoelectric conversion module 2 is suppressed. .

ESD試験に対しては、第2の実施の形態と同様に、ESD試験時にスタッド84からFGパターン93を経て配線パターン94B〜94Dに流れた放電電流は、表皮効果減衰部材85A〜85Cによって阻止され、放電電流の光電変換モジュール82A〜82Cへの伝達が抑制される。   For the ESD test, as in the second embodiment, the discharge current flowing from the stud 84 to the wiring patterns 94B to 94D through the FG pattern 93 during the ESD test is blocked by the skin effect attenuation members 85A to 85C. The transmission of the discharge current to the photoelectric conversion modules 82A to 82C is suppressed.

[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、各実施の形態間の構成要素の組合せは任意に行うことができる。
[Other embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. For example, the combination of the components between the embodiments can be arbitrarily performed.

図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an optical communication apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図2は、図1の光通信装置のA−A線の断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line AA of the optical communication apparatus of FIG. 図3は、表皮効果減衰部材を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the skin effect attenuation member. 図4は、本発明の第2の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing an optical communication apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第3の実施の形態に係る光通信装置を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing an optical communication apparatus according to the third embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 ベース基板
2 光電変換モジュール
3 FGパターン
4A,4B 配線パターン
5 制御LSI
6 光伝送媒体
7 筐体
8A,8B,13 表皮効果減衰部材
11 ネジ
12 スペーサ
21 ホルダ
22 受光デバイス
23 リジット基板
24 フレキシブル基板
25 リジット基板
26 基板コネクタ
27A,27B 抵抗チップ
28 サブシールドケース
28a,28b グランド接続部
61 光プラグアダプタ
62 光コネクタ
80 ベース基板
81A,81B,81C IC
82A,82B,82C,82D 光電変換モジュール
83A,83B,83C 配線パターン
84 スタッド
85A,85B,85C,85D 表皮効果減衰部材
87A,87B,87C,87D 抵抗チップ
88A,88B,88C,88D 光伝送媒体
90 ベース基板
91 駆動IC
92 光送信モジュール
93 FGパターン
94A,94B,94C,94D 配線パターン
100 光通信装置
201 導電性テープ
202 金属粒子
203 粘着材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base substrate 2 Photoelectric conversion module 3 FG patterns 4A and 4B Wiring pattern 5 Control LSI
6 Optical transmission medium 7 Case 8A, 8B, 13 Skin effect attenuation member 11 Screw 12 Spacer 21 Holder 22 Light receiving device 23 Rigid substrate 24 Flexible substrate 25 Rigid substrate 26 Substrate connector 27A, 27B Resistor chip 28 Sub shield case 28a, 28b Ground Connection part 61 Optical plug adapter 62 Optical connector 80 Base substrate 81A, 81B, 81C IC
82A, 82B, 82C, 82D Photoelectric conversion module 83A, 83B, 83C Wiring pattern 84 Stud 85A, 85B, 85C, 85D Skin effect attenuation member 87A, 87B, 87C, 87D Resistance chips 88A, 88B, 88C, 88D Optical transmission medium 90 Base substrate 91 Drive IC
92 Optical transmission module 93 FG patterns 94A, 94B, 94C, 94D Wiring pattern 100 Optical communication device 201 Conductive tape 202 Metal particle 203 Adhesive

Claims (7)

光信号を電気信号に変換する光電変換モジュールと、
前記光電変換モジュールから導出され、グランドに接続された導電体と、
前記導電体に設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、
を備えたことを特徴とする光通信装置。
A photoelectric conversion module that converts an optical signal into an electrical signal;
A conductor derived from the photoelectric conversion module and connected to the ground;
A skin effect attenuating member that is provided on the conductor and suppresses a high-frequency current conducted through the conductor by a skin effect;
An optical communication device comprising:
前記光電変換モジュールは、シールドケースを備え、
前記導電体は、前記シールドケースに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の光通信装置。
The photoelectric conversion module includes a shield case,
The optical communication device according to claim 1, wherein the conductor is connected to the shield case.
前記光電変換モジュールは、基板に搭載され、
前記導電体は、前記基板上に形成され、
前記表皮効果減衰部材は、前記基板上に前記導電体を覆うように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光通信装置。
The photoelectric conversion module is mounted on a substrate,
The conductor is formed on the substrate;
The optical communication device according to claim 1, wherein the skin effect attenuation member is provided on the substrate so as to cover the conductor.
前記表皮効果減衰部材は、導電性テープと、前記導電性テープに塗布されると共に金属粒子が分散された粘着材とを備えたことを特徴とする請求項1に記載の光通信装置。   2. The optical communication apparatus according to claim 1, wherein the skin effect attenuating member includes a conductive tape and an adhesive material applied to the conductive tape and dispersed with metal particles. 前記表皮効果減衰部材は、前記導電体の前記光電変換モジュール側の端部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光通信装置。   The optical communication device according to claim 1, wherein the skin effect attenuating member is provided at an end of the conductor on the photoelectric conversion module side. 前記表皮効果減衰部材は、前記光電変換モジュールを搭載している基板が前記グランドにネジで固定される部位に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光通信装置。   2. The optical communication apparatus according to claim 1, wherein the skin effect attenuating member is provided at a portion where a substrate on which the photoelectric conversion module is mounted is fixed to the ground with a screw. 微弱な電気信号を出力するモジュールを搭載すると共に、前記モジュールに接続されるグランド用の導電体を有した基板と、
前記基板上に前記グランド用の導電体を覆うように設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、を備えたことを特徴とするシールド構造。
A board having a module for outputting a weak electric signal and having a ground conductor connected to the module,
A shield structure comprising a skin effect attenuating member provided on the substrate so as to cover the conductor for ground and suppressing a high-frequency current conducted through the conductor by a skin effect.
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