JP2009053197A - Pattern inspection method and apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To detect images without detection image errors due to the effects of ions implanted to wafers, the presence of pattern connections, the shapes of pattern edges, etc. <P>SOLUTION: In a pattern inspection method, an object substrate is imaged to acquire its digital images. The digital images are used to mask patterns matched with a region previously registered on the basis of coordinate data or patterns matched with a pre-registered pattern, detect defects, and display detected defects. In the pattern inspection method, an object substrate is imaged to acquire its digital images. The digital images are used to detect defects. Defects matched with registered characteristics among detected defects are changed over between display and non-display or displayed in such a way as to be distinguishable from others. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は半導体装置や液晶などの回路パターンを有する基板製造装置にかかわり、特に製造途中の基板のパターンを検査する技術に関する。   The present invention relates to a substrate manufacturing apparatus having a circuit pattern such as a semiconductor device or a liquid crystal, and more particularly to a technique for inspecting a pattern of a substrate being manufactured.

従来の光学式、又は電子線式パターン検査装置は特許文献1(特開平5−258703号公報)、特許文献2(特開平11−160247号公報)、特許文献3(特開昭61−278706号公報)、特許文献4(特開平7−5116号公報)、特許文献5(特開平2−146682号公報)、特許文献6(特開平9−312318号公報)、特許文献7(特開平3−85742号公報)等に記述されている。   Conventional optical or electron beam pattern inspection apparatuses are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-258703, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-160247, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-278706. Gazette), patent document 4 (JP-A-7-5116), patent document 5 (JP-A-2-146682), patent document 6 (JP-A-9-312318), patent document 7 (JP-A-3-31516). 85742) and the like.

電子線式パターン検査装置の例として、特許文献1(特開平5−258703号公報)の構成を図1に示す。電子線源1からの電子線2を偏向器3でX方向に偏向し、対物レンズ4を介して対象物基板5に照射し、同時にステージ6をY方向に連続で移動させながら、対象物基板5からの二次電子等7を検出器8で検出し、検出信号をA/D変換器9でA/D変換し、デジタル画像とし、画像処理回路10で本来同一である事が期待できる場所のデジタル画像と比較し、差がある場所をパターン欠陥11として検出し、欠陥位置を確定するものである。   As an example of an electron beam pattern inspection apparatus, the configuration of Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 5-258703) is shown in FIG. The electron beam 2 from the electron beam source 1 is deflected in the X direction by the deflector 3, irradiated onto the object substrate 5 through the objective lens 4, and simultaneously moving the stage 6 continuously in the Y direction, 5 where secondary electrons and the like 7 from 5 are detected by the detector 8, and the detection signal is A / D converted by the A / D converter 9 to be a digital image, which can be expected to be essentially the same in the image processing circuit 10. Compared with the digital image, a place where there is a difference is detected as a pattern defect 11, and the defect position is determined.

光学式の検査装置の例として、特許文献2(特開平11−160247号公報)に開示されている装置構成を図2に示す。光源21よりの光を対物レンズ22を介して対象物基板5に照射し、その時の反射光をイメージセンサ23で検出する。ステージ6を一定速度で移動しながら検出を繰返すことで画像を検出画像24として検出し、メモリ25に記憶する。検出画像24と同一のパターンであることが期待できるメモリ25上の記憶画像27と比較し、同一のパターンであれば正常部、パターンが異なればパターン欠陥11として検出し、欠陥位置を確定するものである。一例として、対象物基板5がウェーハ31の場合のレイアウトを図3に示す。   As an example of the optical inspection apparatus, an apparatus configuration disclosed in Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 11-160247) is shown in FIG. The object substrate 5 is irradiated with light from the light source 21 via the objective lens 22, and reflected light at that time is detected by the image sensor 23. By repeating detection while moving the stage 6 at a constant speed, an image is detected as a detected image 24 and stored in the memory 25. Compared with the stored image 27 on the memory 25 which can be expected to be the same pattern as the detected image 24, if the same pattern is detected, it is detected as a normal part, and if the pattern is different, it is detected as a pattern defect 11 and the defect position is determined. It is. As an example, FIG. 3 shows a layout when the object substrate 5 is a wafer 31.

ウェーハ31上に最終的に切離されて同一品種の個別の製品になるダイ32が形成されている。ステージ6を走査線33に沿って移動し、ストライプ領域34の画像を検出する。現在、検出位置Aが35の場合に、メモリ25上の検出位置B36の画像を記憶画像27として取出し、比較する。これにより、同一パターンであることが期待できるパターンと比較する。ここで、メモリ25は同一パターンであることが期待できる画像を保持可能な容量を持ち、リング状に使いまわすことで実際の回路を構成する。
以下に述べる2つの例は、2値画像で欠陥判定をする対象物に対してパターンの検出に同期してパターンが欠陥かどうかを判定すると共に特定のマスク領域の欠陥を無視して検査している。
Dies 32 are formed on the wafer 31 to be finally separated and become individual products of the same type. The stage 6 is moved along the scanning line 33 and an image of the stripe region 34 is detected. If the detection position A is currently 35, the image of the detection position B36 on the memory 25 is taken out as a stored image 27 and compared. This compares with the pattern which can be expected to be the same pattern. Here, the memory 25 has a capacity capable of holding an image that can be expected to have the same pattern, and configures an actual circuit by reusing it in a ring shape.
In the following two examples, an object for which a defect is determined in a binary image is determined by checking whether the pattern is defective in synchronization with the detection of the pattern and ignoring a defect in a specific mask area. Yes.

特許文献3(特開昭61−278706号公報)にはプリント板のスルーホールの検査の例が開示されている。予め、非検査領域にすべき領域のみに穿孔したプリント板を用意し、そのプリント板の画像を検査に先立って検出し、穿孔有り無しの2値画像にすることでマスキングの要否を検知し、マスキングデータ記憶部に画像データとして記憶する。検査時に2値画像に差異を生じている場所がマスキングデータ記憶部に記憶している画像領域である場合に差異を無視することで非検査にする。   Patent Document 3 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-278706) discloses an example of inspection of through holes in a printed board. Prepare a printed board that is perforated only in the area that should be the non-inspection area, detect the image of the printed board prior to inspection, and detect the necessity of masking by making a binary image with and without perforation. The image data is stored in the masking data storage unit. When the location where the difference is generated in the binary image at the time of inspection is the image region stored in the masking data storage unit, the difference is ignored and the inspection is not performed.

特許文献4(特開平7−5116号公報)には、プリント基板の検査の例が開示されている。パターン形状を検出して2値化し、検出パターンより正常/異常を判定し、検出したパターンが規則パターン中にあるかどうかを判定し、不適合パターンが規則パターン中にある場合のみに異常と判定するものである。
以下に述べる2つの例は、パターン情報よりパターン境界部分の誤差を許容する目的で境界部分に不感帯を設けて検査している。
Patent Document 4 (Japanese Patent Laid-Open No. 7-5116) discloses an example of printed circuit board inspection. Pattern shape is detected and binarized, normal / abnormal is determined from the detected pattern, it is determined whether the detected pattern is in the regular pattern, and it is determined as abnormal only when the nonconforming pattern is in the regular pattern Is.
In the two examples described below, a dead zone is provided at the boundary for the purpose of allowing an error at the pattern boundary from the pattern information.

特許文献5(特開平2−146682号公報)には、マスクパターンを設計情報と比較する検出の例が開示されている。設計情報からパターンを一定の幅だけ縮小して得られた縮小画像と、一定の幅だけ拡大して得られた拡大画像を計算、その共通部分を取出すことで、一定の幅の不感帯を設ける。つまり、設計情報よりパターン境界部分の一定幅の誤差は無視するようにマスク領域を設定して検査している。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-146682 discloses an example of detection in which a mask pattern is compared with design information. By calculating a reduced image obtained by reducing the pattern by a certain width from the design information and an enlarged image obtained by enlarging the pattern by a certain width, and extracting the common part, a dead band having a certain width is provided. In other words, the mask area is set and inspected so as to ignore an error of a certain width at the pattern boundary portion from the design information.

特許文献6(特開平9−312318号公報)には、走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope ; 以下、SEMと記す)を用いてパターンを検査する例である。予め取得している参照画像より、パターンエッジの微細なずれは欠陥ではないのでパターンエッジ近傍を致命な欠陥の生じない領域として設定し、致命的な欠陥の生じない領域の画像を取得しない。画像を取得した領域で参照画像との差異が認められた場合に欠陥として判定している。   Patent Document 6 (Japanese Patent Laid-Open No. 9-312318) is an example of inspecting a pattern using a scanning electron microscope (hereinafter referred to as SEM). Since the fine shift of the pattern edge is not a defect from the reference image acquired in advance, the vicinity of the pattern edge is set as a region where a fatal defect does not occur, and an image of a region where a fatal defect does not occur is not acquired. When a difference from the reference image is recognized in the area where the image is acquired, it is determined as a defect.

特許文献7(特開平3−85742号公報)には、プリント基板のパターンを比較検査する装置の例が開示されている。比較検査で得られた欠陥候補の画像をメモリに記憶し、記憶画像を基に検査と非同期で真の欠陥かどうかを判定するものである。   Patent Document 7 (Japanese Patent Laid-Open No. 3-85742) discloses an example of an apparatus for comparatively inspecting a pattern on a printed circuit board. The defect candidate image obtained by the comparison inspection is stored in the memory, and it is determined whether the defect is a true defect asynchronously with the inspection based on the stored image.

特開平5−258703号公報、JP-A-5-258703, 特開平11−160247号公報、JP-A-11-160247, 特開昭61−278706号公報、JP-A 61-278706, 特開平7−5116号公報、JP-A-7-5116, 特開平2−146682号公報、JP-A-2-146682, 特開平9−312318号公報、JP-A-9-312318, 特開平3−85742号公報JP-A-3-85742

対象物上には、正常部であっても検出されたパターンに大きな誤差を持つ場所がある。例えば、トランジスタを形成するためにイオンを打ち込んだ領域である。トランジスタ部ではイオンを打ち込んだ場所とそうでない場所は意味を持つが、それ以外の配線部分ではイオン打ち込みの有無は特性には影響しない。従って、イオン打ち込みはラフなマスクで打ち込み領域を作成する。ところが、電子線で検査すると、配線部であっても打ち込みの有無が大きな検出画像誤差となって検出され、欠陥と誤判定される。
また、例えば冗長配線のされている電源配線層では配線の一部に接続が無くてもその他の場所で接続があれば正常である。この為、ラフにパターンを形成し、接続の無いパターンが数多く存在する場合がある。接続の有り無しで検出画像誤差が検出され、欠陥と誤判定される。
There is a place on the object having a large error in the detected pattern even in the normal part. For example, a region where ions are implanted to form a transistor. In the transistor portion, the location where ions are implanted and the location where they are not significant are significant, but the presence or absence of ion implantation in other wiring portions does not affect the characteristics. Therefore, ion implantation creates an implantation region with a rough mask. However, when an inspection is performed with an electron beam, the presence or absence of implantation is detected as a large detected image error even in the wiring portion, and it is erroneously determined as a defect.
Further, for example, in a power supply wiring layer in which redundant wiring is provided, even if there is no connection in a part of the wiring, it is normal if there is connection in another place. For this reason, there are cases where a rough pattern is formed and there are many unconnected patterns. A detected image error is detected with or without connection, and it is erroneously determined as a defect.

また、例えばパターンエッジは膜厚、傾きによって検出される信号量が異なる。多少異なっていても正常であるが、大きな検出信号量誤差となり欠陥と誤検出されてしまう。これら誤検出は、誤検出ではあるが、製品のレベルを知るための1つの指標にもなる。まず、どの種類の誤検出が有るかどうかを認識し、認識した上でこれらを除外してその他の欠陥について調査することが好ましい。
特開平5−258703号公報、特開平11−160247号公報に開示されている従来の光学式、又は電子線式パターン検査装置では、非検査領域が設定できない。
Further, for example, the amount of signal detected by the pattern edge differs depending on the film thickness and inclination. Although it is normal even if it is slightly different, it becomes a large detection signal amount error and is erroneously detected as a defect. Although these false detections are false detections, they also serve as an index for knowing the product level. First, it is preferable to recognize whether there is any type of false detection, and then to recognize other defects by excluding them.
In the conventional optical or electron beam pattern inspection apparatus disclosed in JP-A-5-258703 and JP-A-11-160247, a non-inspection area cannot be set.

特開昭61−278706号公報、特開平7−5116号公報に開示されている技術では、非検査領域を設定しているが、特開昭61−278706号公報に開示されている例では、非常に大きい検査面積中の非検査領域をビットパターンで設定する必要がある。ウェーハ検査に適用する場合には、直径300mmの検査面積を0.1μm画素で検査することを考えると、7兆画素(7Tbit)であり、実質上不可能である。また、特開平7−5116号公報に開示されている発明では、規則パターン部以外は非検査領域となるが、ウェーハパターンの場合には非常に複雑なパターンで構成されているため、単純な規則性を利用するのみでは非検査領域を設定することは出来ない。   In the technique disclosed in JP-A-61-278706 and JP-A-7-5116, a non-inspection area is set, but in the example disclosed in JP-A-61-278706, It is necessary to set a non-inspection area in a very large inspection area with a bit pattern. When it is applied to wafer inspection, it is 7 trillion pixels (7 Tbit), which is practically impossible, considering that the inspection area with a diameter of 300 mm is inspected with 0.1 μm pixels. Further, in the invention disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-5116, except for the regular pattern portion, it is a non-inspection area. However, in the case of a wafer pattern, since it is composed of a very complicated pattern, a simple rule is used. The non-inspection area cannot be set only by using the property.

特開平2−146682号公報、特開平9−312318号公報等に記述されている非検査領域はパターンエッジに限定されるため必要な場所に非検査領域を設定することは出来ない。   The non-inspection areas described in JP-A-2-146682, JP-A-9-312318 and the like are limited to the pattern edges, and therefore, the non-inspection areas cannot be set at necessary places.

特開平3−85742号公報に記述されている方式では欠陥候補部の画像情報を保存し、保存した画像情報を基に詳細に検査をし、真の欠陥かどうかを判定するもので複雑なパターン形状に対応することが出来る。しかしながら、一律の基準で欠陥かどうかを判定し、欠陥でないものは正常部と考えている。つまり、一旦正常部と考えられたものは情報が失われている。   In the method described in Japanese Patent Laid-Open No. 3-85742, the image information of the defect candidate portion is stored, and a detailed inspection is performed based on the stored image information to determine whether or not the defect is a true pattern. It can correspond to the shape. However, it is determined whether or not the defect is a uniform standard, and those that are not defective are considered normal parts. That is, information once lost to the normal part is lost.

以上より、従来の検査ではウェーハなどの複雑で、大きな領域を検査する装置に対して有効な非検査領域をユーザが設定することはできず、正常部であっても検出画像に大きな誤差を持ち、欠陥と誤検出されることに対する配慮をしつつ、しかも安定な微細欠陥の検出に配慮することが充分に行われているとはいえなかった。   As described above, in conventional inspection, the user cannot set a non-inspection area that is effective for an apparatus that inspects a complicated and large area such as a wafer, and even a normal part has a large error in the detected image. However, it cannot be said that sufficient consideration has been given to the detection of stable fine defects while giving consideration to erroneous detection of defects.

本発明の目的は、上記した従来の技術の課題を解決して、大きな領域を検査する装置に対して有効な、非検査領域をユーザが容易に設定できるようにしたパターン検査方法およびその装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pattern inspection method and apparatus that solves the above-described problems of the prior art and that enables a user to easily set a non-inspection area, which is effective for an apparatus for inspecting a large area. It is to provide.

上記目的を達成するために、本発明では、パターン検査装置を、例えば図4に示すような構成とした。ここでは電子線を用いた構成を示すが、本質的には光学式と同一である。電子線2を発生させる電子線源1、及び電子線2を偏向させる偏向器3、及び電子線2を対象物基板5上に収束させる対物レンズ4、及び対象物基板5を保持し、走査又は位置決めをするステージ6、及び対象物基板5からの二次電子等7を検出する検出器8、及び検出信号をA/D変換しデジタル画像にするA/D変換器9、及びデジタル画像より本来同一である事が期待できる場所のデジタル画像と比較し、差がある場所を欠陥候補40として検出する画像処理回路10、欠陥候補40の座標、投影長、画像情報等の特徴量を記憶する欠陥候補記憶部41、欠陥候補記憶部41に記憶されたパターン欠陥11の内、予め座標情報として指定されたマスク領域42(図5に表示)上に有るものをマスク欠陥43(図5に表示)としてフラグを立てるマスク設定部44、マスク設定部44よりのパターン欠陥11の表示と特定のパターン欠陥11の位置の画像表示とマスク領域42を表示または編集を行う操作画面45よりなる。   In order to achieve the above object, in the present invention, the pattern inspection apparatus is configured as shown in FIG. 4, for example. Here, a configuration using an electron beam is shown, but it is essentially the same as the optical type. An electron beam source 1 that generates an electron beam 2, a deflector 3 that deflects the electron beam 2, an objective lens 4 that converges the electron beam 2 on the object substrate 5, and the object substrate 5 are held, scanned, or Originally based on the stage 6 for positioning, the detector 8 for detecting secondary electrons 7 from the object substrate 5, the A / D converter 9 for A / D converting the detection signal into a digital image, and the digital image Image processing circuit 10 that detects a place where there is a difference as a defect candidate 40 compared with a digital image at a place where it can be expected to be the same, a defect that stores feature quantities such as coordinates, projection length, and image information of the defect candidate 40 Of the pattern defects 11 stored in the candidate storage unit 41 and the defect candidate storage unit 41, those on the mask region 42 (displayed in FIG. 5) designated in advance as coordinate information are mask defects 43 (displayed in FIG. 5). Mask as flag An operation screen 45 for displaying or editing the pattern defect 11 from the setting unit 44 and the mask setting unit 44, the image display of the position of the specific pattern defect 11, and the mask area 42 is provided.

次に、上記した構成の動作を説明する。まず、マスク領域42について図5を用いて説明する。   Next, the operation of the above configuration will be described. First, the mask region 42 will be described with reference to FIG.

対象物基板5上にはイオン打ち込み領域50のように正常部であっても大きな誤差を持った領域がある。イオンを打ち込むべきパターン51以外にずれた打ち込み部52にイオンが打ち込まれる。ずれた打ち込み部52はずれていても特性には影響が無い正常部であるが、パターン欠陥11として検出される。そこで、イオン打ち込み領域50を含む領域をマスク領域42に設定し、その中の欠陥をマスク欠陥43として扱う。尚、ウェーハ31では同一ダイが繰り返されているので、領域判定をする場合の座標はダイ内座標を用い、異なるダイであってもダイ内座標が同一であれば同一とみなし、ダイ内座標が指定領域に含まれていれば領域に含まれていると考える。ウェーハ31の場合には繰り返し性はダイ以外にショットがある。ショットは製造装置である露光装置の描画単位である。対象とする誤検出によってはダイではなく、ショットのほうが適切な場合がある。以降の説明ではダイのみで説明するがショットに置き換えても、ショットとダイを切り替えることのできる構成にすることに関しても記述しないが自明のことと考える。   On the target substrate 5, there is a region having a large error even in a normal portion, such as the ion implantation region 50. Ions are implanted into the implantation portion 52 other than the pattern 51 to be implanted with ions. Even if the shifted driving portion 52 is shifted, it is a normal portion that does not affect the characteristics even if it is shifted, but is detected as the pattern defect 11. Therefore, a region including the ion implantation region 50 is set as the mask region 42, and a defect therein is handled as the mask defect 43. In addition, since the same die is repeated on the wafer 31, the coordinates in determining the area are the coordinates in the die, and even if different dies, if the coordinates in the die are the same, they are regarded as the same. If it is included in the specified area, it is considered to be included in the area. In the case of the wafer 31, the repeatability includes shots other than the die. A shot is a drawing unit of an exposure apparatus that is a manufacturing apparatus. Depending on the target false detection, a shot may be more appropriate than a die. In the following description, only the die will be described. However, it is obvious that it is not described with respect to a configuration in which a shot and a die can be switched even if it is replaced with a shot.

マスク領域42を確定させる条件出しと、検出した欠陥候補40の中でマスク領域42以外で発生した欠陥をパターン欠陥として検出する検査がある。   There are a condition setting for determining the mask area 42 and an inspection for detecting a defect generated outside the mask area 42 among the detected defect candidates 40 as a pattern defect.

条件出しはマスク領域42をクリアし、電子線源1からの電子線2を偏向器3でX方向に偏向し、対物レンズ4を介して対象物基板5に照射し、同時にステージ6をY方向に連続で移動させながら、対象物基板5からの二次電子等7を検出器8で検出し、検出信号をA/D変換器9でA/D変換し、デジタル画像とし、画像処理回路10で本来同一であることが期待出来る場所のディジタル画像と比較し、差が有る場所を欠陥候補40とし、その座標、投影長、画像情報などの特徴量、又は画像データを欠陥候補記憶部41に記憶し、それらをマスク設定部44で全てパターン欠陥11として確定し、パターン欠陥11を対象物基板5の表示と重ねて図6で示した操作画面45上のマップ表示部55に表示し、操作画面45上のパターン欠陥11(図6では真の欠陥57と検出したくない欠陥58の両方)を選択し、選択したパターン欠陥11の画像を操作画面45上の画像表示部56に表示し、画像表示部56に表示された画像に基づき、ユーザがパターン欠陥11を真の欠陥57、検出したくない欠陥58とに分類し、その結果をマップ表示部55上に記号情報として表示する。   Conditioning clears the mask area 42, deflects the electron beam 2 from the electron beam source 1 in the X direction by the deflector 3, irradiates the target substrate 5 through the objective lens 4, and simultaneously irradiates the stage 6 in the Y direction. , The secondary electrons 7 from the object substrate 5 are detected by the detector 8, and the detection signal is A / D converted by the A / D converter 9 to obtain a digital image. In comparison with a digital image of a place where it can be expected to be the same, a place where there is a difference is defined as a defect candidate 40, and its feature amount such as coordinates, projection length, image information, or image data is stored in the defect candidate storage unit 41. All of them are determined as pattern defects 11 by the mask setting unit 44, and the pattern defects 11 are displayed on the map display unit 55 on the operation screen 45 shown in FIG. Pattern defect 11 on screen 45 (FIG. 6 Then, both the true defect 57 and the defect 58 not to be detected are selected, and the image of the selected pattern defect 11 is displayed on the image display unit 56 on the operation screen 45, and the image displayed on the image display unit 56 is displayed. Based on this, the user classifies the pattern defect 11 into the true defect 57 and the defect 58 that the user does not want to detect, and displays the result as symbol information on the map display unit 55.

分類終了後に、図7で示した真の欠陥57と検出したくない欠陥58と現在位置59を拡大したマップ表示部55、現在位置59の画像を画像表示部56に表示するマスク領域42を指定する画面に切り替える。マップ表示部55上にパターン欠陥11の位置を表示する。表示されたパターン欠陥11の分類情報と現在位置の表示画像を参照しながら、検出したくない欠陥51を検出しないようマスク領域42の座標を設定する。必要に応じて、再度条件出しを行い、より細かくマスク領域42の座標を設定する。   After classification, the true defect 57 shown in FIG. 7, the defect 58 not to be detected, the map display unit 55 in which the current position 59 is enlarged, and the mask area 42 for displaying the image of the current position 59 on the image display unit 56 are designated. Switch to the screen you want to use. The position of the pattern defect 11 is displayed on the map display unit 55. The coordinates of the mask region 42 are set so as not to detect the defect 51 that is not desired to be detected while referring to the displayed classification information of the pattern defect 11 and the display image at the current position. If necessary, the conditions are set again, and the coordinates of the mask area 42 are set more finely.

検査は、電子線源1からの電子線2を偏向器3でX方向に偏向し、対物レンズ4を介して対象物基板5に照射し、同時にステージ6をY方向に連続で移動させながら、対象物基板5からの二次電子等7を検出器8で検出し、検出信号をA/D変換器9でA/D変換し、デジタル画像とし、画像処理回路10で本来同一であることが期待出来る場所のディジタル画像と比較し、差が有る場所を欠陥候補40とし、その座標、投影長、画像情報などの特徴量、又は画像データを欠陥候補記憶部41に記憶し、それらを欠陥確定部43でマスク領域42の座標に指定されていない場合にパターン欠陥11として確定し、パターン欠陥11を対象物基板5の表示と重ねてマップ表示部55上に表示する。確定されなかった欠陥も保持しておき、表示を切替えることで再度表示させることを可能とする。これにより、大きな誤差を持つ正常部であっても欠陥と誤検出されることなく検査することが出来る。   In the inspection, the electron beam 2 from the electron beam source 1 is deflected in the X direction by the deflector 3 and irradiated onto the target substrate 5 through the objective lens 4, and at the same time the stage 6 is continuously moved in the Y direction, Secondary electrons 7 from the target substrate 5 are detected by the detector 8, and the detection signal is A / D converted by the A / D converter 9 to be a digital image, which is essentially the same in the image processing circuit 10. Compared with a digital image of a place that can be expected, a place having a difference is set as a defect candidate 40, and its coordinates, projection length, image information and other feature quantities or image data are stored in the defect candidate storage unit 41, and the defect is determined. When the coordinates of the mask area 42 are not specified in the part 43, the pattern defect 11 is confirmed and the pattern defect 11 is displayed on the map display part 55 so as to overlap the display of the target substrate 5. Defects that have not been confirmed are also retained and can be displayed again by switching the display. Thereby, even a normal part having a large error can be inspected without being erroneously detected as a defect.

構成、及び作用では検出したくない欠陥の判断はマスク設定部44で行っている。マスク設定部44では座標を用いた例を示したが、欠陥部画像のパターン情報、特徴量を用いた識別も同様の効果が期待できる。解決すべき課題のエッジの信号量は特定の座標で発生するものではなく、パターンがエッジである特徴があるため、特徴量を用いた識別をする。   The mask setting unit 44 determines a defect that is not to be detected by the configuration and the action. Although an example using coordinates is shown in the mask setting unit 44, the same effect can be expected from the identification using the pattern information and feature amount of the defect portion image. The signal amount of the edge to be solved does not occur at a specific coordinate, and there is a feature in which the pattern is an edge. Therefore, identification using the feature amount is performed.

また、マスクする方式で説明したが、単純な欠陥を検査しないマスクでなく、マスク領域相当の箇所を別の検査方式で検査する、又は別の基準で検査する方式も考えられる。この場合には、欠陥候補機億部41に記憶している欠陥候補40に対してユーザが検査後に指定した条件で再度欠陥判定を行うこともできる。   Further, although the masking method has been described, a method of inspecting a portion corresponding to the mask region by another inspection method or an inspection by another standard, instead of a mask that does not inspect a simple defect. In this case, the defect determination can be performed again on the defect candidate 40 stored in the defect candidate machine unit 41 under the conditions specified by the user after the inspection.

これらにより、ウェーハなどの複雑で、大きな領域を検査する装置に対して有効な非検査領域をユーザが設定することが出来、正常部であっても検出画像に大きな誤差を持ち、欠陥と誤検出されることに対する配慮をしつつ、しかも微細な欠陥の検出できる。   As a result, the user can set a non-inspection area that is effective for a device that inspects a complex and large area such as a wafer, and even a normal part has a large error in the detected image and is erroneously detected as a defect. In addition, it is possible to detect minute defects while giving consideration to what is done.

本発明によると、ウェーハなどの複雑で、大きな領域を検査する装置に対して有効な非検査領域をユーザが設定することが出来、正常部であっても検出画像に大きな誤差を持ち、欠陥と誤検出されることに対する配慮をしつつ、しかも微細な欠陥の検出できる特徴がある。   According to the present invention, a user can set an effective non-inspection area for a device that inspects a complicated and large area such as a wafer, and even a normal part has a large error in a detected image, There is a feature that fine defects can be detected while giving consideration to erroneous detection.

以下に、本発明の実施の形態を、具体的な図を用いて説明する。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態を説明する。図8に第1の実施の形態の構成を示す。電子線2を発生させる電子線源1、及び電子線源1からの電子線2を電極で加速して取出し静電又は磁界重畳レンズで一定場所に仮想光源101を作る電子銃102と仮想光源101よりの電子線2を一定場所に収束させるコンデンサレンズ103と電子銃102で収束した位置の近傍に設置し電子線2のON/OFFを制御をするブランキングプレート104と電子線2をXY方向に偏向する偏向器105と電子線2を対象物基板5上に収束させる対物レンズ4よりなる電子光学系106、及び対象物基板であるウェーハ31を真空に保持する試料室107、及びウェーハ31を搭載し任意の位置の画像検出を可能とするリターディング電圧108を印可したステージ6、及び対象物基板5からの二次電子等7を検出する検出器8、及び検出器8で検出した検出信号をA/D変換器しデジタル画像を得るA/D変換器9、及びデジタル画像を記憶しておくメモリ109、及びメモリ109に記憶した記憶画像とA/D変換したデジタル画像を比較して、差がある場所を欠陥候補40として検出する画像処理回路10、欠陥候補40の座標、投影長、画像情報等の特徴量を記憶する欠陥候補記憶部41、装置全体の制御と欠陥候補記憶部41に記憶されたパターン欠陥11の特徴量を受け取り、マスク領域42を領域情報として持ち、マスク領域42(図5に表示)上に有るものをマスク欠陥43(図5に表示)としてフラグを立てる全体制御部110(全体制御部110からの制御線は図上では省略)、及びパターン欠陥11の表示と特定のパターン欠陥11の位置の画像表示とマスク領域42を表示または編集を行う操作画面45、及び操作を指示するキーボード120とマウス121とつまみ122(いずれも非表示)、及びウェーハ31の高さを測定し対物レンズ4の電流値をオフセット112を加算して制御することで検出されるディジタル画像の焦点位置を一定に保つZセンサ113、及びカセット114内のウェーハ31を試料室107に出し入れするローダ116(図示せず)、及びウェーハ31の外形形状を基準にウェーハ31を位置決めするオリフラ検出器117(図示せず)、及びウェーハ31上のパターンを観察する為の光学式顕微鏡118、及びステージ6上に設けた標準試料片119よりなる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific drawings.
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 shows the configuration of the first embodiment. Electron beam source 1 for generating electron beam 2, electron beam 2 from electron beam source 1 is accelerated by an electrode and taken out, and an electron gun 102 and virtual light source 101 that make virtual light source 101 at a fixed place by an electrostatic or magnetic field superimposing lens A blanking plate 104 for controlling ON / OFF of the electron beam 2 and the electron beam 2 in the XY directions are installed in the vicinity of the position converged by the condenser lens 103 and the electron gun 102 for converging the electron beam 2 to a certain place. An electron optical system 106 composed of a deflector 105 for deflecting and an objective lens 4 for converging the electron beam 2 on the target substrate 5, a sample chamber 107 for holding the wafer 31 as the target substrate in a vacuum, and the wafer 31 are mounted. A stage 6 to which a retarding voltage 108 that enables detection of an image at an arbitrary position is applied, a detector 8 that detects secondary electrons 7 from the object substrate 5, and the detector 8. An A / D converter 9 that obtains a digital image by A / D converting the output detection signal, a memory 109 that stores the digital image, and a stored image stored in the memory 109 and a digital image that has undergone A / D conversion In comparison, the image processing circuit 10 that detects a place where there is a difference as the defect candidate 40, the defect candidate storage unit 41 that stores the feature amount such as coordinates, projection length, and image information of the defect candidate 40, control of the entire apparatus and the defect The feature amount of the pattern defect 11 stored in the candidate storage unit 41 is received, the mask area 42 is included as area information, and the mask defect 42 (displayed in FIG. 5) is present on the mask area 42 (displayed in FIG. 5). An overall control unit 110 for setting a flag (control lines from the overall control unit 110 are omitted in the drawing), display of a pattern defect 11, an image display of a position of a specific pattern defect 11, and a mask area 42 The operation screen 45 for displaying or editing, the keyboard 120 for instructing the operation, the mouse 121, the knob 122 (all not shown), the height of the wafer 31 are measured, and the current value of the objective lens 4 is added with the offset 112. The Z sensor 113 that keeps the focal position of the detected digital image constant by controlling the load, the loader 116 (not shown) that moves the wafer 31 in the cassette 114 in and out of the sample chamber 107, and the outer shape of the wafer 31 An orientation flat detector 117 (not shown) for positioning the wafer 31 with respect to a reference, an optical microscope 118 for observing a pattern on the wafer 31, and a standard sample piece 119 provided on the stage 6.

第1の実施の形態の動作を説明する。動作にはマスク領域42を確定させる条件出しと、検出した欠陥候補40の中でマスク領域42以外で発生した欠陥をパターン欠陥として検出する検査がある。   The operation of the first embodiment will be described. The operation includes a condition determination for determining the mask region 42 and an inspection for detecting a defect generated in a detected defect candidate 40 other than the mask region 42 as a pattern defect.

条件出しは操作画面45に図9で示した開始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ31の存在する棚番を棚番選択部品130で選択し、レシピ選定部品131で対象となるウェーハ31の品種、工程を指定し、レシピ作成開始ボタン132を押すことで条件出しを開始する。条件出しには電子光学系の条件を設定するコントラスト設定、ウェーハ31のパターンレイアウト設定、ウェーハ31のパターンの位置決めをするアライメント、ウェーハ31の信号量を的確に表現する場所で信号量の確認をするキャリブレーション、検査の各条件の設定、及びマスク領域の設定、試し検査での設定条件の確認がある。ここでは関連するコントラストの設定、マスク領域の設定、試し検査の3点について説明する。   In the condition setting, the start screen shown in FIG. 9 is displayed on the operation screen 45, the user selects the shelf number where the target wafer 31 exists with the shelf number selection component 130, and the target wafer 31 with the recipe selection component 131. When the recipe creation start button 132 is pressed, the condition setting is started. For condition determination, contrast setting for setting the conditions of the electron optical system, pattern layout setting for the wafer 31, alignment for positioning the pattern of the wafer 31, and signal amount confirmation at a place where the signal amount of the wafer 31 is accurately expressed. There are calibration, inspection condition setting, mask area setting, and setting condition confirmation in trial inspection. Here, three points of related contrast setting, mask area setting, and trial inspection will be described.

全体制御部110は、以下の手順で各部に動作を指示する。
まず、ローダ116(図示せず)に指示を出し、ローダ116はウェーハ31をカセット114から取出し、オリフラ検出器117(図示せず)で外形形状を基準にウェーハを位置決めし、ステージ6にウェーハ31を搭載し、試料室107内を真空にする。搭載と共に、電子光学系106とリターディング電圧108の条件を設定し、ブランキングプレート104に電圧を印可して電子線2をOFFする。ステージを標準試料片119に移動し、Zセンサ113の出力を有功にして、電子光学系106による電子線2の焦点位置をZセンサ113の検出値+オフセット112の一定に保ち、偏向器105をラスタスキャンし、スキャンに同期してブランキングプレート104の電圧を切り、電子線2を必要なときのみウェーハ31に照射し、その時ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でデジタル画像とする。オフセット112を変更してデジタル画像を複数枚検出し、検出毎に全体制御部110で最も画像の微分値の画像内総和が最高となる最適オフセット111を、現在のオフセット値として設定する。
The overall control unit 110 instructs each unit to operate according to the following procedure.
First, an instruction is given to a loader 116 (not shown). The loader 116 takes out the wafer 31 from the cassette 114, positions the wafer with an orientation flat detector 117 (not shown) on the basis of the outer shape, and places the wafer 31 on the stage 6. And the inside of the sample chamber 107 is evacuated. Along with the mounting, conditions for the electron optical system 106 and the retarding voltage 108 are set, and a voltage is applied to the blanking plate 104 to turn off the electron beam 2. The stage is moved to the standard sample piece 119, the output of the Z sensor 113 is made effective, the focal position of the electron beam 2 by the electron optical system 106 is kept constant at the detected value of the Z sensor 113 + the offset 112, and the deflector 105 is The raster scanning is performed, the voltage of the blanking plate 104 is turned off in synchronization with the scan, and the electron beam 2 is irradiated to the wafer 31 only when necessary, and the reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 at that time are detected by the detector 8. The A / D converter 9 generates a digital image. A plurality of digital images are detected by changing the offset 112, and the optimum offset 111 that gives the highest sum of the differential values of the images in the overall control unit 110 for each detection is set as the current offset value.

オフセット値を設定後、Zセンサ113の出力を無効にし、画面を図10で示したコントラスト調整画面に遷移する。コントラスト調整画面は、マップ表示とウェーハ全体又はダイ全体等とマップの表示方法を制御するボタンとマウス(図には非表示)で選択した時そこに移動する又そこの項目を選択するという動作を指示するマウス動作指示ボタン140とを備えたマップ表示部55、及び画像を表示する部分と画像の倍率と光顕118での光顕画像又は電子光学系106でのSEM画像と画像の種類を指定する画像切替ボタン141を備えた画像表示部56、及びレシピ作成項目選択ボタン142、及びレシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134より構成される。コントラスト調整画面ではマウス動作指示ボタン140を移動モードにし、マウス121クリックでマップ上を移動し、その場所の画像を画像表示部に表示する。つまみ122に電子光学系調整項目を割り当て、電子光学系106の各部を調整して適切なコントラストを得る。   After setting the offset value, the output of the Z sensor 113 is invalidated, and the screen is changed to the contrast adjustment screen shown in FIG. The contrast adjustment screen moves the map display and the entire wafer or die, etc., and the button that controls the map display method and the mouse (not shown in the figure). A map display unit 55 having a mouse operation instruction button 140 for instructing, an image display part, an image magnification, an optical microscope image on the optical microscope 118, or an SEM image on the electron optical system 106, and an image for designating an image type The image display unit 56 includes a switching button 141, a recipe creation item selection button 142, a recipe creation end button 133, and a recipe save button 134. On the contrast adjustment screen, the mouse operation instruction button 140 is set to the movement mode, and the mouse 121 is clicked to move on the map, and an image of the place is displayed on the image display unit. An electron optical system adjustment item is assigned to the knob 122 and each part of the electron optical system 106 is adjusted to obtain an appropriate contrast.

レシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134、及びレシピ作成項目選択ボタン142はそれぞれレシピ作成の終了、及びレシピ条件の保存、及び別の条件の設定と画面遷移を指示するボタンで全画面共通である。レシピ作成項目選択ボタン142を試し検査に切り替えることで図11に示す試し検査開始画面に遷移する。   The recipe creation end button 133, the recipe save button 134, and the recipe creation item selection button 142 are buttons common to all screens for instructing recipe creation end, recipe condition saving, setting of another condition and screen transition, respectively. is there. By switching the recipe creation item selection button 142 to the trial inspection, a transition is made to the trial inspection start screen shown in FIG.

試し検査開始画面は、マップ表示部55、及びレシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134、及びレシピ作成項目選択ボタン142、及び検査開始ボタン143、及び検査終了ボタン144より構成される。マウス動作選択ボタン140は選択モードにしてある。ユーザがマップ表示部のダイをクリックすることで、試しに検査の対象となるダイの選択/非選択を切り替え、検査対象とするダイを選択する。検査対象のダイを選定後、検査開始ボタン143で試し検査の開始を指示する。試し検査を開始するとステージ6を移動し、搭載したウェーハ31の検査すべき領域の走査開始位置に移動する。オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有効にし、図3に示した走査線33に沿ってステージ6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器105をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート104の電圧を切り電子線2をウェーハ31に照射、走査する。ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でストライプ領域34のデジタル画像を得、メモリ109に記憶する。ステージ6の走査終了後Zセンサ113を無効とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をする。ウェーハ31の全面を検査する場合には図12に示した順で検査する。   The trial inspection start screen includes a map display unit 55, a recipe creation end button 133, a recipe storage button 134, a recipe creation item selection button 142, an inspection start button 143, and an inspection end button 144. The mouse operation selection button 140 is in a selection mode. When the user clicks a die on the map display unit, the selection / non-selection of the die to be inspected is switched as a trial, and the die to be inspected is selected. After selecting the die to be inspected, the start of trial inspection is instructed by the inspection start button 143. When the trial inspection is started, the stage 6 is moved and moved to the scanning start position of the area to be inspected of the mounted wafer 31. The offset 112 is set by adding an offset specific to the wafer measured in advance, the Z sensor 113 is enabled, the stage 6 is scanned in the Y direction along the scanning line 33 shown in FIG. 3, and is synchronized with the stage scanning. Then, the deflector 105 is scanned in the X direction, the voltage of the blanking plate 104 is turned off during the effective scanning, and the electron beam 2 is irradiated and scanned on the wafer 31. Reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 are detected by the detector 8, and a digital image of the stripe region 34 is obtained by the A / D converter 9 and stored in the memory 109. After the scanning of the stage 6 is completed, the Z sensor 113 is invalidated. By repeating the stage scanning, the entire necessary area is inspected. When the entire surface of the wafer 31 is inspected, the inspection is performed in the order shown in FIG.

画像処理回路10で検出位置A 35を検出している場合には、メモリ109に記憶した検出位置B 36の画像と比較して差がある場所を欠陥候補40として抽出し、パターン欠陥11のリストを作成し、全体制御部110に送信する。全体制御部110では欠陥候補記憶部41からのパターン欠陥11の特徴量を受け取り、レシピに登録されているマスク領域42上に有るパターン欠陥11をマスク欠陥43として特徴量にフラグを立てる。必要な領域の検査終了後に、図13に示した欠陥確認画面を表示する。   When the detection position A 35 is detected by the image processing circuit 10, a place that is different from the image of the detection position B 36 stored in the memory 109 is extracted as the defect candidate 40, and the list of pattern defects 11 is extracted. Is transmitted to the overall control unit 110. The overall control unit 110 receives the feature amount of the pattern defect 11 from the defect candidate storage unit 41, and sets a flag on the feature amount with the pattern defect 11 on the mask area 42 registered in the recipe as the mask defect 43. After the inspection of the necessary area, the defect confirmation screen shown in FIG. 13 is displayed.

欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分類を編集できる欠陥表示編集部品150、及び現在位置を示す現在位置表示59と分類番号を記号表示したパターン欠陥11をウェーハ31のレイアウト情報とともに表示したマップ表示部55、及び現在の位置の画像を表示した画像表示部56、及びマスク欠陥43の表示/非表示を切り替える表示切替ボタン151、及びすでに説明した各種ボタンで構成されている。マウス動作指示ボタン140を選択モードとし、パターン欠陥11をクリックすることでその画像を画像表示部56、特徴量を欠陥表示編集部品150に表示する。画像と特徴量を基にパターン欠陥11を分類し、欠陥表示編集部品150で分類番号をそのパターン欠陥11の特徴量に付与する。この時、マスク対象にしたい欠陥には特定の分類番号を付与し、マップ上で識別可能なよ
うにしておく。分類終了後に、レシピ作成項目選択ボタンで図14に示したマスク領域の設定画面に遷移させる。また、検査終了ボタンで試し検査初期画面に戻る。
The defect confirmation screen displays the defect feature quantity, the defect display editing component 150 that can edit the classification, and the current position display 59 that indicates the current position and the pattern defect 11 that displays the classification number as a symbol together with the layout information of the wafer 31. The map display unit 55, the image display unit 56 displaying an image at the current position, the display switching button 151 for switching display / non-display of the mask defect 43, and the various buttons described above. When the mouse operation instruction button 140 is set to the selection mode and the pattern defect 11 is clicked, the image is displayed on the image display unit 56 and the feature amount is displayed on the defect display editing component 150. The pattern defect 11 is classified based on the image and the feature amount, and the defect display editing component 150 assigns a classification number to the feature amount of the pattern defect 11. At this time, a specific classification number is assigned to the defect to be masked so that it can be identified on the map. After the classification is completed, the screen is changed to the mask area setting screen shown in FIG. 14 by the recipe creation item selection button. In addition, the test end button returns to the trial test initial screen.

マスク領域設定画面は、現在位置を示す現在位置表示59と分類番号を記号表示したパターン欠陥11とマスク領域42をウェーハ31のレイアウト情報とともに表示したマップ表示部55、及び現在の位置の画像を表示した画像表示部56、及びマスク欠陥43の表示/非表示を切り替える表示切替ボタン151、及び新規のマスク領域作成を指示する新規領域ボタン160、及び領域作成の終了を指示する完了ボタン161、及びすでに説明した各種ボタンで構成されている。尚、マップ表示部55はダイ領域全体を表示し、全ダイのパターン欠陥11と現在位置表示59をダイ内の座標で表示している。   The mask area setting screen displays a current position display 59 indicating the current position, a map display unit 55 displaying the pattern defect 11 and the mask area 42 with the classification number symbolized together with the layout information of the wafer 31, and an image of the current position. The image display unit 56, the display switching button 151 for switching display / non-display of the mask defect 43, the new region button 160 for instructing the creation of a new mask region, the completion button 161 for instructing the end of the region creation, and already It consists of the various buttons described. The map display unit 55 displays the entire die area, and displays the pattern defects 11 and the current position display 59 of all the dies in coordinates within the die.

マウス動作指示ボタン140を移動モードにし、マスクすべき欠陥の分類番号の近傍をクリックすることで、その点に移動し、画像を画像表示部56に表示する。マスクすべき領域と判断した場合には新規作成ボタン160を押し、領域作成モードとし、画像表示領域上で領域の左上と右下をクリックすることで領域を確定する。確定した領域はマップ表示部55上にマスク領域42として表示する。領域作成後、表示切替ボタン151でマスク欠陥43の表示/非表示を切り替え、マスクすべき欠陥が非表示になったことを確認する。必要なマスク領域42が設定されたらレシピ保存ボタン134を押すことでレシピにマスク領域42の情報を保存する。   When the mouse operation instruction button 140 is set to the movement mode and the vicinity of the classification number of the defect to be masked is clicked, the mouse moves to that point and the image is displayed on the image display unit 56. If it is determined that the area is to be masked, the new creation button 160 is pressed to enter the area creation mode, and the area is determined by clicking the upper left and lower right of the area on the image display area. The determined area is displayed as a mask area 42 on the map display unit 55. After the area is created, display / non-display of the mask defect 43 is switched by the display switching button 151 to confirm that the defect to be masked is not displayed. When the necessary mask area 42 is set, information on the mask area 42 is stored in the recipe by pressing a recipe storage button 134.

保存終了後に、完了ボタン161で試し検査の欠陥確認画面に戻る。更に、欠陥確認画面の検査終了ボタン144で試し検査初期画面に戻る。再度試し検査の検査ダイを設定し、試し検査を行うこともできる。確認が終了で、レシピ終了ボタン133を押してレシピ作成を終了する。作成終了でウェーハ31をアンロードして元のカセット114に戻す。   After the saving is completed, the completion button 161 is used to return to the test inspection defect confirmation screen. Furthermore, the inspection end button 144 on the defect confirmation screen returns to the trial inspection initial screen. It is also possible to set a test inspection die again and perform a test inspection. When the confirmation is completed, the recipe end button 133 is pressed to complete the recipe creation. At the end of production, the wafer 31 is unloaded and returned to the original cassette 114.

次に、マスク領域42以外で発生した欠陥をパターン欠陥として検出する検査について説明する。検査は操作画面45に図9で示した開始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ31の存在する棚番を棚番選択部品130で選択し、レシピ選定部品131で対象となるウェーハ31の品種、工程を指定し、検査開始ボタン330を押すことで検査を開始する。検査はウェーハのロード、アライメント、キャリブレーションを行った後、検査処理を行い、欠陥確認、欠陥出力後、ウェーハをアンロードして終了する。ここでは、本発明に関連のある検査処理と 欠陥確認について説明する。   Next, an inspection for detecting a defect occurring outside the mask region 42 as a pattern defect will be described. In the inspection, the start screen shown in FIG. 9 is displayed on the operation screen 45, the user selects the shelf number where the target wafer 31 exists by the shelf number selection component 130, and the recipe selection component 131 sets the target wafer 31. An inspection is started by designating a product type and a process and pressing an inspection start button 330. The inspection is performed after loading, alignment, and calibration of the wafer, and then performing inspection processing. After defect confirmation and defect output, the wafer is unloaded and terminated. Here, inspection processing and defect confirmation related to the present invention will be described.

検査開始ボタン330で検査の開始を指示する。検査を開始するとステージ6を移動し、搭載したウェーハ31の検査すべき領域の走査開始位置に移動する。オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有効にし、図3に示した走査線33に沿ってステージ6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器105をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート104の電圧を切り電子線2をウェーハ31に照射、走査する。ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でストライプ領域34のデジタル画像を得、メモリ109に記憶する。ステージ6の走査終了後Zセンサ113を無効とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をする。ウェーハ31の全面を検査する場合には図12に示した順で検査する。   The start of inspection is instructed by the inspection start button 330. When the inspection is started, the stage 6 is moved and moved to the scanning start position of the region to be inspected of the mounted wafer 31. The offset 112 is set by adding an offset specific to the wafer measured in advance, the Z sensor 113 is enabled, the stage 6 is scanned in the Y direction along the scanning line 33 shown in FIG. 3, and is synchronized with the stage scanning. Then, the deflector 105 is scanned in the X direction, the voltage of the blanking plate 104 is turned off during the effective scanning, and the electron beam 2 is irradiated and scanned on the wafer 31. Reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 are detected by the detector 8, and a digital image of the stripe region 34 is obtained by the A / D converter 9 and stored in the memory 109. After the scanning of the stage 6 is completed, the Z sensor 113 is invalidated. By repeating the stage scanning, the entire necessary area is inspected. When the entire surface of the wafer 31 is inspected, the inspection is performed in the order shown in FIG.

画像処理回路10で検出位置A 35を検出している場合にはメモリ109に記憶した検出位置B 36の画像と比較し差がある場所を欠陥候補40として抽出し、パターン欠陥11のリストを作成し、全体制御部110に送信する。全体制御部110では欠陥候補記憶部41からのパターン欠陥11の特徴量を受け取り、レシピに登録されているマスク領域42上に有るパターン欠陥11をマスク欠陥43として特徴量にフラグを立てる。必要な領域の検査終了後に図15に示した欠陥確認画面を表示する。   When the detection position A 35 is detected by the image processing circuit 10, a place having a difference is extracted as a defect candidate 40 by comparing with the image of the detection position B 36 stored in the memory 109, and a list of pattern defects 11 is created. And transmitted to the overall control unit 110. The overall control unit 110 receives the feature amount of the pattern defect 11 from the defect candidate storage unit 41, and sets a flag on the feature amount with the pattern defect 11 on the mask area 42 registered in the recipe as the mask defect 43. After the inspection of the necessary area, the defect confirmation screen shown in FIG. 15 is displayed.

欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分類を編集できる欠陥表示編集部品150、及び現在位置を示す現在位置表示59と分類番号を記号表示したパターン欠陥11をウェーハ31のレイアウト情報とともに表示したマップ表示部55、及び現在の位置の画像を表示した画像表示部56、及びマスク欠陥43の表示/非表示を切り替える表示切替ボタン151、及び検査終了を指示する検査終了ボタン144より構成されている。   The defect confirmation screen displays the defect feature quantity, the defect display editing component 150 that can edit the classification, and the current position display 59 that indicates the current position and the pattern defect 11 that displays the classification number as a symbol together with the layout information of the wafer 31. The map display unit 55 includes an image display unit 56 that displays an image at the current position, a display switching button 151 that switches between display and non-display of the mask defect 43, and an inspection end button 144 that instructs the end of the inspection. .

マウス動作指示ボタン140を選択モードとし、パターン欠陥11をクリックすることでその画像を画像表示部56、特徴量を欠陥表示編集部品150に表示する。画像と特徴量を基にパターン欠陥11を分類し、欠陥表示編集部品150で分類番号をそのパターン欠陥11の特徴量に付与する。マスク欠陥43の表示/非表示を切り替える表示切替ボタン151で切り替えることにより、マスク領域42内のパターン欠陥11を非表示にすることができる。検査終了ボタン144により欠陥確認のステップを終了し、分類したパターン欠陥11とその特徴量とを全体制御部内の記憶手段(図示せず)に記憶するとともに、通信回線(図示せず)を介して外部記憶手段(図示せず)や、他の検査または観察手段(何れも図示せず)へ出力して初期画面に戻る。   When the mouse operation instruction button 140 is set to the selection mode and the pattern defect 11 is clicked, the image is displayed on the image display unit 56 and the feature amount is displayed on the defect display editing component 150. The pattern defect 11 is classified based on the image and the feature amount, and the defect display editing component 150 assigns a classification number to the feature amount of the pattern defect 11. By switching with the display switching button 151 for switching display / non-display of the mask defect 43, the pattern defect 11 in the mask region 42 can be hidden. The defect confirmation step is terminated by the inspection end button 144, and the classified pattern defects 11 and their feature quantities are stored in storage means (not shown) in the overall control unit, and via a communication line (not shown). Output to an external storage means (not shown) or other inspection or observation means (none shown) to return to the initial screen.

本実施の形態によると、SEM画像を用いてマスク領域42内のパターン欠陥11に惑わされること無くウェーハ全面を検査して真のパターン欠陥57のみを検出し、それらをユーザに提示できる特徴がある。   According to the present embodiment, there is a feature that the entire surface of the wafer is inspected by using the SEM image without being confused by the pattern defect 11 in the mask region 42 to detect only the true pattern defect 57 and present them to the user. .

また、本実施の形態によると、マスク領域42内にある欠陥も表示することができるため、例えば、解決すべき課題で示したラフに形成された冗長な電源配線層のような場合であっても、表示に切り替えることにより、ラフさを判定することができる特徴がある。   Further, according to the present embodiment, since defects in the mask region 42 can be displayed, for example, in the case of a redundant power supply wiring layer formed roughly as shown in the problem to be solved. Also, there is a feature that the roughness can be determined by switching to the display.

また、本実施の形態によると実際の検査の条件で得られた誤検出をマスクするようにマスク領域42を設定するために必要な場所のみを確実にマスクできる特徴がある。   Further, according to the present embodiment, there is a feature that only a place necessary for setting the mask area 42 can be surely masked so as to mask erroneous detection obtained under actual inspection conditions.

また、本実施の形態によると、マスク領域42を追加することができるため、偶然誤差の小さい対象物で条件を決めた場合であっても、再度マスク領域42を追加設定することで必要な場所を確実にマスクできる。   Further, according to the present embodiment, since the mask area 42 can be added, even if the condition is determined by an object with a small accidental error, a necessary place can be obtained by setting the mask area 42 again. Can be reliably masked.

本実施の形態の第1変形はマスク領域の管理、マスクは全体制御を行う計算機システムで構成する代わりに、画像処理機能の一部としてハードウェアで実施する。本変形によると、本質的には同一であるが、一般にハードウェアから出力される欠陥数の制限で検査が制限される。画像処理ハードウェアでマスクをすることによりその制限を取り除くことができる特徴がある。   The first modification of the present embodiment is implemented by hardware as a part of an image processing function, instead of being configured by a computer system that performs mask area management and overall control. According to this modification, although it is essentially the same, the inspection is generally limited by the limit of the number of defects output from the hardware. There is a feature that the restriction can be removed by masking with image processing hardware.

本実施の形態の第2変形はマスク領域の種類は1種類のみで説明したが複数種類のマスク領域を設定することができる。本変形によると、複数種類の要因で発生する誤検出を分別管理することができ、要因別に表示の有り無しを切り替え、各要因がどのように発生しているかを認識でき、そのときの検査にとって必要最低限の誤検出のみを取り除くことができる特徴がある。   Although the second modification of the present embodiment has been described with only one type of mask region, a plurality of types of mask regions can be set. According to this modification, it is possible to separately manage false detections that occur due to multiple types of factors, switch between displaying and not displaying for each factor, and recognizing how each factor is occurring. There is a feature that can eliminate only the minimum necessary false detection.

本実施の形態の第3変形はマスクの設定はマスク領域設定画面でユーザが行うのではなく、検出したくないパターン欠陥58の投影長の2倍程度の大きさの長方形として自動で定義し、近接するマスク領域はマージすることでユーザの介在無しに分類されたパターン欠陥11の情報よりマスク領域を生成する。本変形によると、自動で生成できるのでよりきめこまかい指定ができる。例えば数百箇所に及ぶマスク領域の設定であっても自動設定であれば容易な特徴がある。また、本変形の更なる変形として自動で設定した領域を再定義、編集する構成も考えられる。   In the third modification of the present embodiment, the mask is not set by the user on the mask area setting screen, but is automatically defined as a rectangle having a size about twice the projection length of the pattern defect 58 that is not desired to be detected. The adjacent mask regions are merged to generate a mask region from information on the pattern defects 11 classified without user intervention. According to this modification, it can be generated automatically and can be specified more finely. For example, even in the case of setting several hundred mask regions, there is an easy feature if automatic setting is performed. In addition, as a further modification of this modification, a configuration in which an automatically set area is redefined and edited can be considered.

本実施の形態の第3の変形はマスク領域は電源配線、インプラのマスク等既知のラフパターンは設計情報から得る。本変形によればユーザは入力の手間が省け、全ての誤検出の可能性のあるラフパターンを抜けなく設定できる。   In a third modification of the present embodiment, a known rough pattern such as a mask region for power supply wiring and an implantation mask is obtained from design information. According to this modification, the user can save the input effort and can set all the rough patterns with the possibility of erroneous detection without omission.

本実施の形態の第4の変形はパターン欠陥11を検査装置内に持っているレイアウト情報にオーバラップ表示するのではなく、ネットワークで接続したCAD端末上にオーバラップ表示する。本変形によるとラフパターンなのかファインパターンなのか、どの層の問題なのかを容易に知ることができる特徴がある。   In the fourth modification of the present embodiment, the pattern defect 11 is not displayed on the layout information held in the inspection apparatus, but is displayed on a CAD terminal connected via a network. According to this modification, there is a feature that it is possible to easily know which layer is a problem, which is a rough pattern or a fine pattern.

(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態を説明する。図16に第2の実施の形態の構成を示す。電子線2を発生させる電子線源1、及び電子線源1からの電子線2を電極で加速して取出し静電又は磁界重畳レンズで一定場所に仮想光源101を作る電子銃102と仮想光源101よりの電子線2を一定場所に収束させるコンデンサレンズ103と電子銃102で収束した位置の近傍に設置し電子線2のON/OFFを制御をするブランキングプレート104と電子線2をXY方向に偏向する偏向器105と電子線2を対象物基板5上に収束させる対物レンズ4よりなる電子光学系106、及び対象物基板であるウェーハ31を真空に保持する試料室107、及びウェーハ31を搭載し任意の位置の画像検出を可能とするリターディング電圧108を印可したステージ6、及び対象物基板5からの二次電子等7を検出する検出器8、及び検出器8で検出した検出信号をA/D変換器しデジタル画像を得るA/D変換器9、及びデジタル画像を記憶しておくメモリ109、及びメモリ109に記憶した記憶画像とA/D変換したデジタル画像を比較して、指定された画像処理領域200毎に画像処理条件201を変更して差がある場所をパターン欠陥11として検出する画像処理回路202、パターン欠陥11の座標、投影長、画像情報等の特徴量203を受け取る全体制御部110(全体制御部110からの制御線は図上では省略)、及びパターン欠陥11の表示と特定のパターン欠陥11の位置の画像表示と画像処理領域200を表示または編集等を行う操作画面45、及び操作を指示するキーボード120とマウス121とつまみ122(いずれも非表示)、及びウェーハ31の高さを測定し対物レンズ4の電流値をオフセット112を加算して制御することで検出されるディジタル画像の焦点位置を一定に保つZセンサ113、及びカセット114内のウェーハ31を試料室107に出し入れするローダ116(図示せず)、及びウェーハ31の外形形状を基準にウェーハ31を位置決めするオリフラ検出器117(図示せず)、及びウェーハ31上のパターンを観察する為の光学式顕微鏡118、及びステージ6上に設けた標準試料片119よりなる。
(Second embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. FIG. 16 shows the configuration of the second embodiment. Electron beam source 1 for generating electron beam 2, electron beam 2 from electron beam source 1 is accelerated by an electrode and taken out, and an electron gun 102 and virtual light source 101 that make virtual light source 101 at a fixed place by an electrostatic or magnetic field superimposing lens A blanking plate 104 for controlling ON / OFF of the electron beam 2 and the electron beam 2 in the XY directions are installed in the vicinity of the position converged by the condenser lens 103 and the electron gun 102 for converging the electron beam 2 to a certain place. An electron optical system 106 composed of a deflector 105 for deflecting and an objective lens 4 for converging the electron beam 2 on the target substrate 5, a sample chamber 107 for holding the wafer 31 as the target substrate in a vacuum, and the wafer 31 are mounted. A stage 6 to which a retarding voltage 108 that enables detection of an image at an arbitrary position is applied, a detector 8 that detects secondary electrons 7 from the object substrate 5, and the detector 8. An A / D converter 9 that obtains a digital image by A / D converting the output detection signal, a memory 109 that stores the digital image, and a stored image stored in the memory 109 and a digital image that has undergone A / D conversion In comparison, the image processing circuit 201 for changing the image processing condition 201 for each designated image processing area 200 and detecting a place where there is a difference as the pattern defect 11, coordinates of the pattern defect 11, projection length, image information, etc. An overall control unit 110 that receives the feature amount 203 (control lines from the overall control unit 110 are not shown in the drawing), and displays the pattern defect 11 and the image display of the position of the specific pattern defect 11 and the image processing area 200 or Measure the height of the operation screen 45 for editing, the keyboard 120 for instructing the operation, the mouse 121, the knob 122 (all not shown), and the wafer 31. A Z sensor 113 that keeps the focal position of the detected digital image constant by controlling the current value of the objective lens 4 by adding the offset 112, and a loader 116 that takes the wafer 31 in the cassette 114 into and out of the sample chamber 107 ( (Not shown), an orientation flat detector 117 (not shown) for positioning the wafer 31 with reference to the outer shape of the wafer 31, an optical microscope 118 for observing a pattern on the wafer 31, and the stage 6 It consists of a provided standard sample piece 119.

第2の実施の形態の動作を説明する。動作には画像処理領域200とその領域の画像処理条件201を確定させる条件出しと、パターン欠陥11を検出する検査がある。   The operation of the second embodiment will be described. The operation includes a condition determination for determining the image processing area 200 and the image processing condition 201 of the area, and an inspection for detecting the pattern defect 11.

条件出しは操作画面45に図9で示した開始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ31の存在する棚番を棚番選択部品130で選択し、レシピ選定部品131で対象となるウェーハ31の品種、工程を指定し、レシピ作成開始ボタン132を押すことで条件出しを開始する。条件出しには電子光学系の条件を設定するコントラスト設定、ウェーハ31のパターンレイアウト設定、ウェーハ31のパターンの位置決めをするアライメント、ウェーハ31の信号量を的確に表現する場所で信号量の確認をするキャリブレーション、検査の各条件の設定、及び画像処理領域200とその領域の画像処理条件201を設定するの画像処理領域設定204、試し検査での設定条件の確認がある。ここでは関連するコントラストの設定、画像処理領域設定、試し検査の3点について説明する。   In the condition setting, the start screen shown in FIG. 9 is displayed on the operation screen 45, the user selects the shelf number where the target wafer 31 exists with the shelf number selection component 130, and the target wafer 31 with the recipe selection component 131. When the recipe creation start button 132 is pressed, the condition setting is started. For condition determination, contrast setting for setting the conditions of the electron optical system, pattern layout setting for the wafer 31, alignment for positioning the pattern of the wafer 31, and signal amount confirmation at a place where the signal amount of the wafer 31 is accurately expressed. There are settings for calibration and inspection conditions, image processing area 200 for setting the image processing area 200 and the image processing condition 201 for the area, and confirmation of setting conditions for trial inspection. Here, three points of related settings of contrast, image processing area setting, and trial inspection will be described.

開始すると全体制御部110は各部に動作を以下の手順で指示する。ローダ116(図示せず)に指示を出し、ローダ116はウェーハ31をカセット114から取出し、オリフラ検出器117(図示せず)で外形形状を基準にウェーハを位置決めし、ステージ6にウェーハ31を搭載し、試料室107内を真空にする。搭載と共に、電子光学系106とリターディング電圧108の条件を設定し、ブランキングプレート104に電圧を印可して電子線2をOFFする。ステージを標準試料片119に移動し、Zセンサ113有効として焦点をZセンサ113の検出値値+オフセット112の一定に保ち、偏向器105をラスタスキャンし、スキャンに同期してブランキングプレート104の電圧を切り、電子線2を必要なときのみウェーハ31に照射し、その時ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でデジタル画像とする。オフセット112を変更してデジタル画像を複数枚検出し、検出毎に全体制御部110で最も画像の微分値の画像内総和が最高となる最適オフセット111を現在のオフセット値として設定する。   When started, the overall control unit 110 instructs each unit to operate according to the following procedure. An instruction is given to a loader 116 (not shown), and the loader 116 takes out the wafer 31 from the cassette 114, positions the wafer based on the outer shape by an orientation flat detector 117 (not shown), and mounts the wafer 31 on the stage 6. Then, the sample chamber 107 is evacuated. Along with the mounting, conditions for the electron optical system 106 and the retarding voltage 108 are set, and a voltage is applied to the blanking plate 104 to turn off the electron beam 2. The stage is moved to the standard sample piece 119, the Z sensor 113 is enabled and the focus is kept constant at the detected value value of the Z sensor 113 + the offset 112, the deflector 105 is raster scanned, and the blanking plate 104 is synchronized with the scan. The voltage is turned off, and the electron beam 2 is irradiated onto the wafer 31 only when necessary. At that time, reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 are detected by the detector 8 and converted into a digital image by the A / D converter 9. A plurality of digital images are detected by changing the offset 112, and for each detection, an optimum offset 111 that maximizes the sum of the differential values of the images in the image is set as the current offset value.

設定後Zセンサ113を無効にし、画面を図10で示したコントラスト調整画面に遷移する。コントラスト調整画面はマップ表示とウェーハ全体又はダイ全体等とマップの表示方法を制御するボタンとマウス(図には非表示)で選択した時そこに移動する又そこの項目を選択するという動作を指示するマウス動作指示ボタン140を備えたマップ表示部55、及び画像を表示する部分と画像の倍率と光顕118での光顕画像又は電子光学系106でのSEM画像と画像の種類を指定する画像切替ボタン141を備えた画像表示部56、及びレシピ作成項目選択ボタン142、及びレシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134より構成される。コントラスト調整画面ではマウス動作指示ボタン140を移動モードにし、マウス121クリックでマップ上を移動し、その場所の画像を画像表示部に表示する。つまみ122に電子光学系調整項目を割り当て、電子光学系106の各部を調整して適切なコントラストを得る。レシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134、及びレシピ作成項目選択ボタン142はそれぞれレシピ作成の終了、及びレシピ条件の保存、及び別の条件の設定と画面遷移を指示するボタンで全画面共通である。レシピ作成項目選択ボタン142を試し検査に切り替えることで図11に示す試し検査開始画面に遷移する。   After the setting, the Z sensor 113 is invalidated, and the screen is changed to the contrast adjustment screen shown in FIG. The contrast adjustment screen instructs the operation to move the map display and select the item when it is selected with the mouse and the button (not shown in the figure) that controls the map display method and the map display method. Map display unit 55 having a mouse operation instruction button 140 for performing image switching, and an image switching button for designating a portion for displaying an image, a magnification of the image, an optical microscope image on the optical microscope 118 or an SEM image on the electron optical system 106, and an image type The image display unit 56 includes a recipe creation item selection button 142, a recipe creation end button 133, and a recipe save button 134. On the contrast adjustment screen, the mouse operation instruction button 140 is set to the movement mode, and the mouse 121 is clicked to move on the map, and an image of the place is displayed on the image display unit. An electron optical system adjustment item is assigned to the knob 122 and each part of the electron optical system 106 is adjusted to obtain an appropriate contrast. The recipe creation end button 133, the recipe save button 134, and the recipe creation item selection button 142 are buttons common to all screens for instructing recipe creation end, recipe condition saving, setting of another condition and screen transition, respectively. is there. By switching the recipe creation item selection button 142 to the trial inspection, a transition is made to the trial inspection start screen shown in FIG.

試し検査開始画面はマップ表示部55、及びレシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134、及びレシピ作成項目選択ボタン142、及び検査開始ボタン143、及び検査終了ボタン144より構成される。マウス動作選択ボタン140は選択モードにしてある。ユーザがマップ表示部のダイをクリックすることで試しに検査の対象となるダイの選択/非選択を切り替え、検査対象とするダイを選択する。検査対象のダイを選定後、検査開始ボタン143で試し検査の開始を指示する。試し検査を開始するとステージ6を移動し、搭載したウェーハ31の検査すべき領域の走査開始位置に移動する。
オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有効にし、図3に示した走査線33に沿ってステージ6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器105をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート104の電圧を切り電子線2をウェーハ31に照射、走査する。ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でストライプ領域34のデジタル画像を得、メモリ109に記憶する。ステージ6の走査終了後Zセンサ113を無効とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をする。ウェーハ31の全面を検査する場合には図12に示した順で検査する。
The trial inspection start screen includes a map display unit 55, a recipe creation end button 133, a recipe storage button 134, a recipe creation item selection button 142, an inspection start button 143, and an inspection end button 144. The mouse operation selection button 140 is in a selection mode. When the user clicks a die on the map display section, the selection / non-selection of the die to be inspected is switched as a trial, and the die to be inspected is selected. After selecting the die to be inspected, the start of trial inspection is instructed by the inspection start button 143. When the trial inspection is started, the stage 6 is moved and moved to the scanning start position of the area to be inspected of the mounted wafer 31.
The offset 112 is set by adding an offset specific to the wafer measured in advance, the Z sensor 113 is enabled, the stage 6 is scanned in the Y direction along the scanning line 33 shown in FIG. 3, and is synchronized with the stage scanning. Then, the deflector 105 is scanned in the X direction, the voltage of the blanking plate 104 is turned off during the effective scanning, and the electron beam 2 is irradiated and scanned on the wafer 31. Reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 are detected by the detector 8, and a digital image of the stripe region 34 is obtained by the A / D converter 9 and stored in the memory 109. After the scanning of the stage 6 is completed, the Z sensor 113 is invalidated. By repeating the stage scanning, the entire necessary area is inspected. When the entire surface of the wafer 31 is inspected, the inspection is performed in the order shown in FIG.

画像処理回路200で検出位置A 35を検出している場合にはメモリ109に記憶した検出位置B 36の画像と比較し差がある場所をパターン欠陥11として抽出し、パターン欠陥11のリストを作成し、全体制御部110に送信する。必要な領域の検査終了後に図13に示した欠陥確認画面を表示する。   When the detection position A 35 is detected by the image processing circuit 200, a place where there is a difference is extracted as the pattern defect 11 compared with the image of the detection position B 36 stored in the memory 109, and a list of the pattern defects 11 is created. And transmitted to the overall control unit 110. After the inspection of the necessary area, the defect confirmation screen shown in FIG. 13 is displayed.

欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分類を編集できる欠陥表示編集部品150、及び現在位置を示す現在位置表示59と分類番号を記号表示したパターン欠陥11をウェーハ31のレイアウト情報とともに表示したマップ表示部55、及び現在の位置の画像を表示した画像表示部56、及びマスク欠陥43の表示/非表示を切り替える表示切替ボタン151、及びすでに説明した各種ボタンで構成されている。   The defect confirmation screen displays the defect feature quantity, the defect display editing component 150 that can edit the classification, and the current position display 59 that indicates the current position and the pattern defect 11 that displays the classification number as a symbol together with the layout information of the wafer 31. The map display unit 55, the image display unit 56 displaying an image at the current position, the display switching button 151 for switching display / non-display of the mask defect 43, and the various buttons described above.

マウス動作指示ボタン140を選択モードとし、パターン欠陥11をクリックすることでその画像を画像表示部56、特徴量を欠陥表示編集部品150に表示する。画像と特徴量を基にパターン欠陥11を分類し、欠陥表示編集部品150で分類番号をそのパターン欠陥11の特徴量に付与する。この時、マスク対象にしたい欠陥には特定の分類番号を付与し、マップ上で識別可能なようにしておく。分類終了後に、レシピ作成項目選択ボタンで図17に示した画像処理領域設定画面に遷移させる。また、検査終了ボタンで試し検査初期画面に戻る。   When the mouse operation instruction button 140 is set to the selection mode and the pattern defect 11 is clicked, the image is displayed on the image display unit 56 and the feature amount is displayed on the defect display editing component 150. The pattern defect 11 is classified based on the image and the feature amount, and the defect display editing component 150 assigns a classification number to the feature amount of the pattern defect 11. At this time, a specific classification number is assigned to the defect to be masked so that it can be identified on the map. After the classification is completed, the screen is changed to the image processing area setting screen shown in FIG. 17 using the recipe creation item selection button. In addition, the test end button returns to the trial test initial screen.

画像処理領域設定画面205は、現在位置を示す現在位置表示59と分類番号を記号表示したパターン欠陥11と画像処理領域200をウェーハ31のレイアウト情報とともに表示したマップ表示部55、及び現在の位置の画像を表示した画像表示部56、及びパターン欠陥11の特徴量203の画像データを用いて欠陥再表示ボタン207、及び新規のマスク領域作成を指示する新規領域ボタン160、及び領域作成の終了を指示する完了ボタン161、及びすでに説明した各種ボタンで構成されている。尚、マップ表示部55はダイ領域全体を表示し、全ダイのパターン欠陥11と現在位置表示59をダイ内の座標で表示している。マウス動作指示ボタン140を移動モードにし、画像処理条件を201を変更すべき欠陥の分類番号の近傍をクリックすることで、その点に移動し、画像を画像表示部56に表示する。   The image processing area setting screen 205 includes a current position display 59 indicating the current position, a pattern defect 11 displaying a classification number as a symbol, and a map display section 55 displaying the image processing area 200 together with layout information of the wafer 31, and the current position. Using the image display unit 56 displaying the image, the image data of the feature amount 203 of the pattern defect 11, the defect redisplay button 207, the new region button 160 for instructing creation of a new mask region, and the end of region creation are instructed The completion button 161 and the various buttons already described. The map display unit 55 displays the entire die area, and displays the pattern defects 11 and the current position display 59 of all the dies in coordinates within the die. The mouse operation instruction button 140 is set to the movement mode, and the image processing condition 201 is clicked in the vicinity of the defect classification number to be changed to move to that point, and the image is displayed on the image display unit 56.

画像処理条件201を変更すべき領域と判断した場合には新規作成ボタン160を押し、領域作成モードとし、画像表示領域上で領域の左上と右下をクリックすることで領域を確定し、その領域の画像処理条件番号206を分類番号に一致させる。画像処理条件番号206に一致する分類番号のパターン欠陥11の特徴量203の中の画像情報を参照し、画像処理回路を用いる、又は全体制御部内の計算機上のソフトウェアにて全てを欠陥として検出しないようにその画像処理条件番号206の画像処理条件201を設定する。必要に応じて手動で条件を調整する。また、検査時に画像処理条件201を適用するかどうかを特殊条件有効/無効ボタン208で指定する。確定した領域はマップ表示部55上に画像処理条件番号206とともに画像処理領域200として表示する。領域作成後、欠陥再表示ボタン207で各画像処理領域200に属するパターン欠陥11が非表示になったことを確認する。必要な画像処理領域200が設定されたらレシピ保存ボタン134を押すことでレシピに画像処理領域200、領域に対応した画像処理条件番号206、画像処理番号毎の画像処理条件201の情報を保存する。   When it is determined that the image processing condition 201 is an area to be changed, a new creation button 160 is pressed to enter the area creation mode, and the area is determined by clicking the upper left and lower right of the area on the image display area. The image processing condition number 206 is matched with the classification number. The image information in the feature amount 203 of the pattern defect 11 with the classification number matching the image processing condition number 206 is referred to, and the image processing circuit is used or software on the computer in the overall control unit does not detect all as defects. In this way, the image processing condition 201 of the image processing condition number 206 is set. Manually adjust conditions as needed. Also, the special condition valid / invalid button 208 is used to specify whether or not to apply the image processing condition 201 at the time of inspection. The determined area is displayed on the map display unit 55 as the image processing area 200 together with the image processing condition number 206. After the area is created, it is confirmed with the defect redisplay button 207 that the pattern defect 11 belonging to each image processing area 200 is not displayed. When the necessary image processing area 200 is set, the recipe storage button 134 is pressed to save the information on the image processing area 200, the image processing condition number 206 corresponding to the area, and the image processing condition 201 for each image processing number.

保存終了後に完了ボタン161で試し検査の欠陥確認画面に戻る。更に、欠陥確認画面の検査終了ボタン144で試し検査初期画面に戻る。再度試し検査の検査ダイを設定し、試し検査を行うこともできる。確認が終了で、レシピ終了ボタン133を押してレシピ作成を終了する。作成終了でウェーハ31をアンロードして元のカセット114に戻す。   After the saving is completed, the completion button 161 is used to return to the test inspection defect confirmation screen. Furthermore, the inspection end button 144 on the defect confirmation screen returns to the trial inspection initial screen. It is also possible to set a test inspection die again and perform a test inspection. When the confirmation is completed, the recipe end button 133 is pressed to complete the recipe creation. At the end of production, the wafer 31 is unloaded and returned to the original cassette 114.

次に、検査について説明する。検査は操作画面45に図9で示した開始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ31の存在する棚番を棚番選択部品130で選択し、レシピ選定部品131で対象となるウェーハ31の品種、工程を指定し、検査開始ボタン330を押すことで検査を開始する。検査はウェーハのロード、アライメント、キャリブレーションを行った後、検査処理を行い、欠陥確認、欠陥出力後、ウェーハをアンロードして終了する。ここでは、本発明に関連のある検査処理と 欠陥確認について説明する。   Next, the inspection will be described. In the inspection, the start screen shown in FIG. 9 is displayed on the operation screen 45, the user selects the shelf number where the target wafer 31 exists by the shelf number selection component 130, and the recipe selection component 131 sets the target wafer 31. An inspection is started by designating a product type and a process and pressing an inspection start button 330. The inspection is performed after loading, alignment, and calibration of the wafer, and then performing inspection processing. After defect confirmation and defect output, the wafer is unloaded and terminated. Here, inspection processing and defect confirmation related to the present invention will be described.

検査開始ボタン330で検査の開始を指示する。検査を開始するとステージ6を移動し、搭載したウェーハ31の検査すべき領域の走査開始位置に移動する。オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有効にし、図3に示した走査線33に沿ってステージ6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器105をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート104の電圧を切り電子線2をウェーハ31に照射、走査する。ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でストライプ領域34のデジタル画像を得、メモリ109に記憶する。ステージ6の走査終了後Zセンサ113を無効とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をする。ウェーハ31の全面を検査する場合には図12に示した順で検査する。   The start of inspection is instructed by the inspection start button 330. When the inspection is started, the stage 6 is moved and moved to the scanning start position of the region to be inspected of the mounted wafer 31. The offset 112 is set by adding an offset specific to the wafer measured in advance, the Z sensor 113 is enabled, the stage 6 is scanned in the Y direction along the scanning line 33 shown in FIG. 3, and is synchronized with the stage scanning. Then, the deflector 105 is scanned in the X direction, the voltage of the blanking plate 104 is turned off during the effective scanning, and the electron beam 2 is irradiated and scanned on the wafer 31. Reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 are detected by the detector 8, and a digital image of the stripe region 34 is obtained by the A / D converter 9 and stored in the memory 109. After the scanning of the stage 6 is completed, the Z sensor 113 is invalidated. By repeating the stage scanning, the entire necessary area is inspected. When the entire surface of the wafer 31 is inspected, the inspection is performed in the order shown in FIG.

画像処理回路202で検出位置A 35を検出している場合にはメモリ109に記憶した検出位置B 36の画像と比較し差がある場所をパターン欠陥11として抽出し、パターン欠陥11のリストを作成し、全体制御部110に送信する。必要な領域の検査終了後に図15に示した欠陥確認画面を表示する。   When the detection position A 35 is detected by the image processing circuit 202, a place having a difference is extracted as a pattern defect 11 by comparing with the image of the detection position B 36 stored in the memory 109, and a list of the pattern defects 11 is created. And transmitted to the overall control unit 110. After the inspection of the necessary area, the defect confirmation screen shown in FIG. 15 is displayed.

欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分類を編集できる欠陥表示編集部品150、及び現在位置を示す現在位置表示59と分類番号を記号表示したパターン欠陥11をウェーハ31のレイアウト情報とともに表示したマップ表示部55、及び現在の位置の画像を表示した画像表示部56、及びマスク欠陥43の表示/非表示を切り替える表示切替ボタン151、及び検査終了を指示する検査終了ボタン144より構成されている。マウス動作指示ボタン140を選択モードとし、パターン欠陥11をクリックすることでその画像を画像表示部56、特徴量を欠陥表示編集部品150に表示する。画像と特徴量を基にパターン欠陥11を分類し、欠陥表示編集部品150で分類番号をそのパターン欠陥11の特徴量に付与する。   The defect confirmation screen displays the defect feature quantity, the defect display editing component 150 that can edit the classification, and the current position display 59 that indicates the current position and the pattern defect 11 that displays the classification number as a symbol together with the layout information of the wafer 31. The map display unit 55 includes an image display unit 56 that displays an image at the current position, a display switching button 151 that switches between display and non-display of the mask defect 43, and an inspection end button 144 that instructs the end of the inspection. . When the mouse operation instruction button 140 is set to the selection mode and the pattern defect 11 is clicked, the image is displayed on the image display unit 56 and the feature amount is displayed on the defect display editing component 150. The pattern defect 11 is classified based on the image and the feature amount, and the defect display editing component 150 assigns a classification number to the feature amount of the pattern defect 11.

画像処理領域200での画像処理条件201の表示有効/無効を切り替える表示切替ボタン209で画像処理領域200内のパターン欠陥11について画像処理条件201を適用した場合としない場合の表示を切り替えることができる。但し、検査時に画像処理条件201を適用するかどうかを特殊条件有効/無効ボタン208で有効とした領域については検査時に既に適用されているため表示状態に変化は無い。検査終了ボタン144により欠陥確認のステップを終了し、分類したパターン欠陥11とその特徴量とを全体制御部内の記憶手段(図示せず)に記憶するとともに、通信回線(図示せず)を介して外部記憶手段(図示せず)や、他の検査または観察手段(何れも図示せず)へ出力して初期画面に戻る。   The display switching button 209 for switching display validity / invalidity of the image processing condition 201 in the image processing area 200 can switch the display when the image processing condition 201 is applied to the pattern defect 11 in the image processing area 200 or not. . However, there is no change in the display state because the area in which whether or not the image processing condition 201 is applied at the time of inspection is enabled by the special condition enable / disable button 208 has already been applied at the time of inspection. The defect confirmation step is terminated by the inspection end button 144, and the classified pattern defects 11 and their feature quantities are stored in storage means (not shown) in the overall control unit, and via a communication line (not shown). Output to an external storage means (not shown) or other inspection or observation means (none shown) to return to the initial screen.

本実施の形態によると、SEM画像を用いて画像処理領域200内のパターン欠陥11に惑わされること無くウェーハ全面を検査して真のパターン欠陥57のみを検出し、それらをユーザに提示できる特徴がある。   According to the present embodiment, the SEM image is used to inspect the entire surface of the wafer without being confused by the pattern defects 11 in the image processing area 200, detect only the true pattern defects 57, and present them to the user. is there.

また、本実施の形態によると、画像処理領域200内にある欠陥も表示することができるため、例えば、解決すべき課題で示したラフに形成された冗長な電源配線層のような場合であっても、表示に切り替えることにより、ラフさを判定することができる特徴がある。   Further, according to the present embodiment, since defects in the image processing area 200 can be displayed, for example, in the case of a redundant power supply wiring layer formed roughly as shown in the problem to be solved. However, there is a feature that the roughness can be determined by switching to the display.

また、本実施の形態によると実際の検査の条件で得られた誤検出を誤検出しないように画像処理条件を設定するために必要な場所のみの閾値を確実に設定できる特徴がある。   Further, according to the present embodiment, there is a feature that it is possible to reliably set a threshold only for a place necessary for setting image processing conditions so as not to erroneously detect erroneous detection obtained under actual inspection conditions.

また、本実施の形態によると、画像処理領域200を追加することができるため、偶然誤差の小さい対象物で条件を決めた場合であっても、画像処理領域200を追加設定することで必要な場所の画像処理条件を確実に設定できる。   In addition, according to the present embodiment, since the image processing area 200 can be added, even if the condition is determined by an object with a small chance of error, it is necessary to additionally set the image processing area 200. The image processing conditions for the place can be set reliably.

また、本実施の形態によると、画像処理領域200のパターン欠陥11を完全に消すのではなく、画像処理条件201を変更するため、明らかな欠陥については検査を可能としながら必要な場所のみの誤検出を防止するように画像処理条件を設定できる。   In addition, according to the present embodiment, the pattern defect 11 in the image processing area 200 is not completely erased, but the image processing condition 201 is changed. Image processing conditions can be set to prevent detection.

また、本実施の形態によると、検査時に画像処理条件201をしないように特殊条件有効/無効ボタン208で指定した場合には、画像処理領域200とその画像処理条件201を変更できるため、製造プロセスが変動し適切な画像処理条件が変動した場合であっても再度画像処理条件201を変更するのみで既に取得した特徴量203より再度検査が可能である。   In addition, according to the present embodiment, when the special condition valid / invalid button 208 is specified so that the image processing condition 201 is not used at the time of inspection, the image processing area 200 and the image processing condition 201 can be changed. Even if the appropriate image processing conditions change, it is possible to inspect again from the already acquired feature amount 203 only by changing the image processing conditions 201 again.

(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態を説明する。
図18に第3の実施の形態の構成を示す。電子線2を発生させる電子線源1、及び電子線源1からの電子線2を電極で加速して取出し静電又は磁界重畳レンズで一定場所に仮想光源101を作る電子銃102と仮想光源101よりの電子線2を一定場所に収束させるコンデンサレンズ103と電子銃102で収束した位置の近傍に設置し電子線2のON/OFFを制御をするブランキングプレート104と電子線2をXY方向に偏向する偏向器105と電子線2を対象物基板5上に収束させる対物レンズ4よりなる電子光学系106、及び対象物基板であるウェーハ31を真空に保持する試料室107、及びウェーハ31を搭載し任意の位置の画像検出を可能とするリターディング電圧108を印可したステージ6、及び対象物基板5からの二次電子等7を検出する検出器8、及び検出器8で検出した検出信号をA/D変換器しデジタル画像を得るA/D変換器9、及びデジタル画像を記憶しておくメモリ109、及びメモリ109に記憶した記憶画像とA/D変換したデジタル画像を比較して、差がある場所を欠陥候補40として検出する画像処理回路10、欠陥候補40の座標、投影長、画像情報等の特徴量203を記憶しておく欠陥候補記憶部41、及び欠陥候補40の特徴量203を受け取り、予め指定された指定特徴量250に一致する欠陥候補40であるかどうかを判定する特徴量確認部251、及び特徴量確認部251で一致すると判定された欠陥候補40について特徴量毎に指定された画像処理条件201で欠陥判定を行い、パターン欠陥11を判定する詳細画像処理部252、及び詳細画像処理部252よりのパターン欠陥11を受け取る全体制御部110(全体制御部110からの制御線は図上では省略)、及びパターン欠陥11の表示と特定のパターン欠陥11の位置の画像表示と画像処理領域200を表示または編集等を行う操作画面45、及び操作を指示するキーボード120とマウス121とつまみ122(いずれも非表示)、及びウェーハ31の高さを測定し対物レンズ4の電流値をオフセット112を加算して制御することで検出されるディジタル画像の焦点位置を一定に保つZセンサ113、及びカセット114内のウェーハ31を試料室107に出し入れするローダ116(図示せず)、及びウェーハ31の外形形状を基準にウェーハ31を位置決めするオリフラ検出器117(図示せず)、及びウェーハ31上のパターンを観察する為の光学式顕微鏡118、及びステージ6上に設けた標準試料片119よりなる。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 18 shows the configuration of the third embodiment. Electron beam source 1 for generating electron beam 2, electron beam 2 from electron beam source 1 is accelerated by an electrode and taken out, and an electron gun 102 and virtual light source 101 that make virtual light source 101 at a fixed place by an electrostatic or magnetic field superimposing lens A blanking plate 104 for controlling ON / OFF of the electron beam 2 and the electron beam 2 in the XY directions are installed in the vicinity of the position converged by the condenser lens 103 and the electron gun 102 for converging the electron beam 2 to a certain place. An electron optical system 106 composed of a deflector 105 for deflecting and an objective lens 4 for converging the electron beam 2 on the target substrate 5, a sample chamber 107 for holding the wafer 31 as the target substrate in a vacuum, and the wafer 31 are mounted. A stage 6 to which a retarding voltage 108 that enables detection of an image at an arbitrary position is applied, a detector 8 that detects secondary electrons 7 from the object substrate 5, and the detector 8. An A / D converter 9 that obtains a digital image by A / D converting the output detection signal, a memory 109 that stores the digital image, and a stored image stored in the memory 109 and a digital image that has undergone A / D conversion In comparison, the image processing circuit 10 that detects a place where there is a difference as the defect candidate 40, the defect candidate storage unit 41 that stores the feature amount 203 such as the coordinates, projection length, and image information of the defect candidate 40, and the defect candidate 40 feature amounts 203 are received, a feature amount confirmation unit 251 that determines whether or not a defect candidate 40 matches a designated feature amount 250 specified in advance, and a defect candidate 40 that is determined to match by the feature amount confirmation unit 251 The defect determination is performed with the image processing condition 201 specified for each feature amount, and the pattern image from the detailed image processing unit 252 and the detailed image processing unit 252 for determining the pattern defect 11 is determined. An overall control unit 110 that receives the image defect 11 (control lines from the overall control unit 110 are omitted in the figure), a display of the pattern defect 11, an image display of the position of the specific pattern defect 11, and an image processing area 200. Alternatively, the operation screen 45 for editing and the like, the keyboard 120 for instructing the operation, the mouse 121 and the knob 122 (all not shown), the height of the wafer 31 are measured, and the current value of the objective lens 4 is added with the offset 112. The Z sensor 113 that keeps the focal position of the detected digital image constant by controlling the load, the loader 116 (not shown) that moves the wafer 31 in the cassette 114 in and out of the sample chamber 107, and the outer shape of the wafer 31 An orientation flat detector 117 (not shown) for positioning the wafer 31 with respect to a reference, and a pattern for observing the pattern on the wafer 31 Manabu microscope 118, and consists of a standard sample piece 119 provided on the stage 6.

第3の実施の形態の動作を説明する。動作には指定特徴量250とその特徴量に対する画像処理条件201を確定させる条件出しと、パターン欠陥11を検出する検査がある。   The operation of the third embodiment will be described. The operation includes a condition determination for determining the designated feature amount 250 and the image processing condition 201 for the feature amount, and an inspection for detecting the pattern defect 11.

条件出しは操作画面45に図9で示した開始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ31の存在する棚番を棚番選択部品130で選択し、レシピ選定部品131で対象となるウェーハ31の品種、工程を指定し、レシピ作成開始ボタン132を押すことで条件出しを開始する。条件出しには電子光学系の条件を設定するコントラスト設定、ウェーハ31のパターンレイアウト設定、ウェーハ31のパターンの位置決めをするアライメント、ウェーハ31の信号量を的確に表現する場所で信号量の確認をするキャリブレーション、検査の各条件の設定、及び指定特徴量250とその画像処理条件201を設定するの画像処理特徴量設定253、試し検査での設定条件の確認がある。ここでは関連するコントラストの設定、画像処理特徴量設定、試し検査の3点について説明する。   In the condition setting, the start screen shown in FIG. 9 is displayed on the operation screen 45, the user selects the shelf number where the target wafer 31 exists with the shelf number selection component 130, and the target wafer 31 with the recipe selection component 131. When the recipe creation start button 132 is pressed, the condition setting is started. For condition determination, contrast setting for setting the conditions of the electron optical system, pattern layout setting for the wafer 31, alignment for positioning the pattern of the wafer 31, and signal amount confirmation at a place where the signal amount of the wafer 31 is accurately expressed. There are settings of calibration and inspection conditions, image processing feature amount setting 253 for setting the designated feature amount 250 and its image processing condition 201, and confirmation of setting conditions in the trial inspection. Here, the three points of the related contrast setting, image processing feature amount setting, and trial inspection will be described.

開始すると全体制御部110は、各部に動作を以下の手順で指示する。ローダ116(図示せず)に指示を出し、ローダ116はウェーハ31をカセット114から取出し、オリフラ検出器117(図示せず)で外形形状を基準にウェーハを位置決めし、ステージ6にウェーハ31を搭載し、試料室107内を真空にする。搭載と共に、電子光学系106とリターディング電圧108の条件を設定し、ブランキングプレート104に電圧を印可して電子線2をOFFする。ステージを標準試料片119に移動し、Zセンサ113有効として焦点をZセンサ113の検出値値+オフセット112の一定に保ち、偏向器105をラスタスキャンし、スキャンに同期してブランキングプレート104の電圧を切り、電子線2を必要なときのみウェーハ31に照射し、その時ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でデジタル画像とする。   When started, the overall control unit 110 instructs each unit to operate according to the following procedure. An instruction is given to a loader 116 (not shown), and the loader 116 takes out the wafer 31 from the cassette 114, positions the wafer based on the outer shape by an orientation flat detector 117 (not shown), and mounts the wafer 31 on the stage 6. Then, the sample chamber 107 is evacuated. Along with the mounting, conditions for the electron optical system 106 and the retarding voltage 108 are set, and a voltage is applied to the blanking plate 104 to turn off the electron beam 2. The stage is moved to the standard sample piece 119, the Z sensor 113 is enabled and the focus is kept constant at the detected value value of the Z sensor 113 + the offset 112, the deflector 105 is raster scanned, and the blanking plate 104 is synchronized with the scan. The voltage is turned off, and the electron beam 2 is irradiated onto the wafer 31 only when necessary. At that time, reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 are detected by the detector 8 and converted into a digital image by the A / D converter 9.

オフセット112を変更してデジタル画像を複数枚検出し、検出毎に全体制御部110で最も画像の微分値の画像内総和が最高となる最適オフセット111を、現在のオフセット値として設定する。設定後Zセンサ113を無効にし、画面を図10で示したコントラスト調整画面に遷移する。コントラスト調整画面はマップ表示とウェーハ全体又はダイ全体等とマップの表示方法を制御するボタンとマウス(図には非表示)で選択した時そこに移動する又そこの項目を選択するという動作を指示するマウス動作指示ボタン140を備えたマップ表示部55、及び画像を表示する部分と画像の倍率と光顕118での光顕画像又は電子光学系106でのSEM画像と画像の種類を指定する画像切替ボタン141を備えた画像表示部56、及びレシピ作成項目選択ボタン142、及びレシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134より構成される。   A plurality of digital images are detected by changing the offset 112, and the optimum offset 111 that gives the highest sum of the differential values of the images in the overall control unit 110 for each detection is set as the current offset value. After the setting, the Z sensor 113 is invalidated, and the screen is changed to the contrast adjustment screen shown in FIG. The contrast adjustment screen instructs the operation to move the map display and select the item when it is selected with the mouse and the button (not shown in the figure) that controls the map display method and the map display method. Map display unit 55 having a mouse operation instruction button 140 for performing image switching, and an image switching button for designating a portion for displaying an image, a magnification of the image, an optical microscope image on the optical microscope 118 or an SEM image on the electron optical system 106, and an image type The image display unit 56 includes a recipe creation item selection button 142, a recipe creation end button 133, and a recipe save button 134.

コントラスト調整画面ではマウス動作指示ボタン140を移動モードにし、マウス121クリックでマップ上を移動し、その場所の画像を画像表示部に表示する。つまみ122に電子光学系調整項目を割り当て、電子光学系106の各部を調整して適切なコントラストを得る。レシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134、及びレシピ作成項目選択ボタン142はそれぞれレシピ作成の終了、及びレシピ条件の保存、及び別の条件の設定と画面遷移を指示するボタンで全画面共通である。レシピ作成項目選択ボタン142を試し検査に切り替えることで図11に示す試し検査開始画面に遷移する。   On the contrast adjustment screen, the mouse operation instruction button 140 is set to the movement mode, and the mouse 121 is clicked to move on the map, and an image of the place is displayed on the image display unit. An electron optical system adjustment item is assigned to the knob 122 and each part of the electron optical system 106 is adjusted to obtain an appropriate contrast. The recipe creation end button 133, the recipe save button 134, and the recipe creation item selection button 142 are buttons common to all screens for instructing recipe creation end, recipe condition saving, setting of another condition and screen transition, respectively. is there. By switching the recipe creation item selection button 142 to the trial inspection, a transition is made to the trial inspection start screen shown in FIG.

試し検査開始画面はマップ表示部55、及びレシピ作成終了ボタン133、及びレシピ保存ボタン134、及びレシピ作成項目選択ボタン142、及び検査開始ボタン143、及び検査終了ボタン144より構成される。マウス動作選択ボタン140は選択モードにしてある。ユーザがマップ表示部のダイをクリックすることで試しに検査の対象となるダイの選択/非選択を切り替え、検査対象とするダイを選択する。検査対象のダイを選定後、検査開始ボタン143で試し検査の開始を指示する。試し検査を開始するとステージ6を移動し、搭載したウェーハ31の検査すべき領域の走査開始位置に移動する。オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有効にし、図3に示した走査線33に沿ってステージ6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器105をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート104の電圧を切り電子線2をウェーハ31に照射、走査する。ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でストライプ領域34のデジタル画像を得、メモリ109に記憶する。ステージ6の走査終了後Zセンサ113を無効とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をする。ウェーハ31の全面を検査する場合には図12に示した順で検査する。   The trial inspection start screen includes a map display unit 55, a recipe creation end button 133, a recipe storage button 134, a recipe creation item selection button 142, an inspection start button 143, and an inspection end button 144. The mouse operation selection button 140 is in a selection mode. When the user clicks a die on the map display section, the selection / non-selection of the die to be inspected is switched as a trial, and the die to be inspected is selected. After selecting the die to be inspected, the start of trial inspection is instructed by the inspection start button 143. When the trial inspection is started, the stage 6 is moved and moved to the scanning start position of the area to be inspected of the mounted wafer 31. The offset 112 is set by adding an offset specific to the wafer measured in advance, the Z sensor 113 is enabled, the stage 6 is scanned in the Y direction along the scanning line 33 shown in FIG. 3, and is synchronized with the stage scanning. Then, the deflector 105 is scanned in the X direction, the voltage of the blanking plate 104 is turned off during the effective scanning, and the electron beam 2 is irradiated and scanned on the wafer 31. Reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 are detected by the detector 8, and a digital image of the stripe region 34 is obtained by the A / D converter 9 and stored in the memory 109. After the scanning of the stage 6 is completed, the Z sensor 113 is invalidated. By repeating the stage scanning, the entire necessary area is inspected. When the entire surface of the wafer 31 is inspected, the inspection is performed in the order shown in FIG.

画像処理回路10で検出位置A 35を検出している場合にはメモリ109に記憶した検出位置B 36の画像と比較し差がある場所を欠陥候補40として抽出し、欠陥候補40の特徴量203を欠陥候補記憶部41に記憶する。同時に、欠陥候補40が指定特徴量250を持っているかどうかを指定特徴量確認部251で確認し、指定特徴量を持っている欠陥候補40を詳細画像処理部252に送る。詳細画像処理部252では指定特徴量毎に設定された画像処理条件201で画像処理してパターン欠陥11であるかどうかを判定する。パターン欠陥11である場合にはその欠陥候補記憶部41内の識別番号253を全体制御部110に送信する。必要な領域の検査終了後に図19に示した欠陥確認画面を表示する。   When the detection position A 35 is detected by the image processing circuit 10, a place having a difference is extracted as a defect candidate 40 compared with the image of the detection position B 36 stored in the memory 109, and the feature amount 203 of the defect candidate 40 is detected. Is stored in the defect candidate storage unit 41. At the same time, the designated feature quantity confirmation unit 251 confirms whether the defect candidate 40 has the designated feature quantity 250, and sends the defect candidate 40 having the designated feature quantity to the detailed image processing unit 252. The detailed image processing unit 252 performs image processing with the image processing condition 201 set for each designated feature amount, and determines whether or not the pattern defect 11 is present. In the case of the pattern defect 11, the identification number 253 in the defect candidate storage unit 41 is transmitted to the overall control unit 110. After the inspection of the necessary area, the defect confirmation screen shown in FIG. 19 is displayed.

欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分類を編集できる欠陥表示編集部品150、及び現在位置を示す現在位置表示59と分類番号を記号表示したパターン欠陥11をウェーハ31のレイアウト情報とともに表示したマップ表示部55、及び現在の位置の画像を表示した画像表示部56、及び実画像とメモリ画像表示を切り替える実/メモリ画像切替ボタン255、及びすでに説明した各種ボタンで構成されている。マウス動作指示ボタン140を選択モードとし、パターン欠陥11をクリックすることで実/メモリ画像切替ボタン255で実画像が選択されている場合にはそのパターン欠陥11の座標に移動して画像を取得し、メモリ画像が選択されている場合にはそのパターン欠陥11の画像情報を画像表示部56に表示し、特徴量を欠陥表示編集部品150に表示する。画像と特徴量を基にパターン欠陥11を分類し、欠陥表示編集部品150で分類番号をそのパターン欠陥11の特徴量に付与する。この時、検出したくない欠陥58については特定の分類番号を付与し、マップ上で識別可能なようにしておく。分類終了後に、レシピ作成項目選択ボタンで図20に示した画像処理特徴量設定画面に遷移させる。また、検査終了ボタンで試し検査初期画面に戻る。   The defect confirmation screen displays the defect feature quantity, the defect display editing component 150 that can edit the classification, and the current position display 59 that indicates the current position and the pattern defect 11 that displays the classification number as a symbol together with the layout information of the wafer 31. The map display unit 55 includes an image display unit 56 that displays an image at the current position, a real / memory image switching button 255 that switches between an actual image and a memory image display, and various buttons that have already been described. When the mouse operation instruction button 140 is set to the selection mode and the actual image is selected by the real / memory image switching button 255 by clicking the pattern defect 11, the image is moved to the coordinates of the pattern defect 11 and the image is acquired. When the memory image is selected, the image information of the pattern defect 11 is displayed on the image display unit 56, and the feature amount is displayed on the defect display editing component 150. The pattern defect 11 is classified based on the image and the feature amount, and the defect display editing component 150 assigns a classification number to the feature amount of the pattern defect 11. At this time, the defect 58 that is not desired to be detected is assigned a specific classification number so that it can be identified on the map. After the classification is completed, the screen is switched to the image processing feature amount setting screen shown in FIG. 20 by the recipe creation item selection button. In addition, the test end button returns to the trial test initial screen.

画像処理特徴量設定画面260は、着目する着目分類番号261を指定する分類番号指定部品262、及び着目分類番号261を持つ欠陥を順次選択する欠陥選択部品263、及び選択された欠陥の特徴量とその選択基準である指定特徴量250を指定する特徴量指定部品264、及びマップ表示部55、及び欠陥部の画像を表示する画像表示部56、及び特徴量指定部品264で選択された画像に対して適用する画像処理条件201を決める画像処理条件番号207を設定する画像処理条件設定部品265、及び欠陥候補部41の画像に対して評価画像処理部252でパターン欠陥11であるかどうかを判定し、マップ表示部55に結果を表示させる欠陥再表示ボタン207、及び指定特徴量250と対応する画像処理条件番号207の新規作成を指示する新規特徴量作成ボタン266、及び作成の終了を指示する完了ボタン161、及びすでに説明した各種ボタンで構成されている。レシピ保存ボタン134を押すことでレシピに情報を保存する。   The image processing feature quantity setting screen 260 includes a classification number designation part 262 for designating a target class number 261 of interest, a defect selection part 263 for sequentially selecting defects having a target class number 261, and feature quantities of selected defects. The feature quantity designation component 264 that designates the designated feature quantity 250 that is the selection criterion, the map display section 55, the image display section 56 that displays the image of the defective portion, and the image selected by the feature quantity designation component 264. The image processing condition setting component 265 for setting the image processing condition number 207 for determining the image processing condition 201 to be applied and the image of the defect candidate unit 41 are determined by the evaluation image processing unit 252 to determine whether or not the pattern defect 11 is present. , A defect redisplay button 207 for displaying the result on the map display unit 55, and a new image processing condition number 207 corresponding to the designated feature amount 250. It is composed of various buttons completion button 161, and already described to indicate the end of the new feature quantity creation button 266, and creates an instruction to create. Information is saved in the recipe by pressing the recipe save button 134.

保存終了後に完了ボタン161で試し検査の欠陥確認画面に戻る。更に、欠陥確認画面の検査終了ボタン144で試し検査初期画面に戻る。再度試し検査の検査ダイを設定し、試し検査を行うこともできる。確認が終了で、レシピ終了ボタン133を押してレシピ作成を終了する。作成終了でウェーハ31をアンロードして元のカセット114に戻す。   After the saving is completed, the completion button 161 is used to return to the test inspection defect confirmation screen. Furthermore, the inspection end button 144 on the defect confirmation screen returns to the trial inspection initial screen. It is also possible to set a test inspection die again and perform a test inspection. When the confirmation is completed, the recipe end button 133 is pressed to complete the recipe creation. At the end of production, the wafer 31 is unloaded and returned to the original cassette 114.

次に、検査について説明する。検査は操作画面45に図9で示した開始画面を表示し、ユーザが対象となるウェーハ31の存在する棚番を棚番選択部品130で選択し、レシピ選定部品131で対象となるウェーハ31の品種、工程を指定し、検査開始ボタン330を押すことで検査を開始する。検査はウェーハのロード、アライメント、キャリブレーションを行った後、検査処理を行い、欠陥確認、欠陥出力後、ウェーハをアンロードして終了する。ここでは、本発明に関連のある検査処理と 欠陥確認について説明する。   Next, the inspection will be described. In the inspection, the start screen shown in FIG. 9 is displayed on the operation screen 45, the user selects the shelf number where the target wafer 31 exists by the shelf number selection component 130, and the recipe selection component 131 sets the target wafer 31. An inspection is started by designating a product type and a process and pressing an inspection start button 330. The inspection is performed after loading, alignment, and calibration of the wafer, and then performing inspection processing. After defect confirmation and defect output, the wafer is unloaded and terminated. Here, inspection processing and defect confirmation related to the present invention will be described.

検査開始ボタン330で検査の開始を指示する。検査を開始するとステージ6を移動し、搭載したウェーハ31の検査すべき領域の走査開始位置に移動する。オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有効にし、図3に示した走査線33に沿ってステージ6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器105をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレート104の電圧を切り電子線2をウェーハ31に照射、走査する。ウェーハ31より発生する反射電子又は二次電子を検出器8で検出、A/D変換器9でストライプ領域34のデジタル画像を得、メモリ109に記憶する。ステージ6の走査終了後Zセンサ113を無効とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検査をする。ウェーハ31の全面を検査する場合には図12に示した順で検査する。   The start of inspection is instructed by the inspection start button 330. When the inspection is started, the stage 6 is moved and moved to the scanning start position of the region to be inspected of the mounted wafer 31. The offset 112 is set by adding an offset specific to the wafer measured in advance, the Z sensor 113 is enabled, the stage 6 is scanned in the Y direction along the scanning line 33 shown in FIG. 3, and is synchronized with the stage scanning. Then, the deflector 105 is scanned in the X direction, the voltage of the blanking plate 104 is turned off during the effective scanning, and the electron beam 2 is irradiated and scanned on the wafer 31. Reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer 31 are detected by the detector 8, and a digital image of the stripe region 34 is obtained by the A / D converter 9 and stored in the memory 109. After the scanning of the stage 6 is completed, the Z sensor 113 is invalidated. By repeating the stage scanning, the entire necessary area is inspected. When the entire surface of the wafer 31 is inspected, the inspection is performed in the order shown in FIG.

画像処理回路202で検出位置A 35を検出している場合にはメモリ109に記憶した検出位置B 36の画像と比較し差がある場所を欠陥候補40として抽出し、欠陥候補記憶部41に記憶するとともに、指定特徴量に一致する欠陥候補を特徴量確認部251で選定し、指定特徴量に対応する画像処理条件番号207で決まる画像処理条件201を用いて詳細画像処理部252でパターン欠陥11かどうかを判断し、パターン欠陥11のリストを作成し、全体制御部110に送信する。必要な領域の検査終了後に図15に示した欠陥確認画面を表示する。   When the detection position A 35 is detected by the image processing circuit 202, a place where there is a difference compared with the image of the detection position B 36 stored in the memory 109 is extracted as the defect candidate 40 and stored in the defect candidate storage unit 41. At the same time, a defect candidate that matches the designated feature value is selected by the feature value confirmation unit 251, and the pattern defect 11 is selected by the detailed image processing unit 252 using the image processing condition 201 determined by the image processing condition number 207 corresponding to the designated feature value. Whether or not, a list of pattern defects 11 is created and transmitted to the overall control unit 110. After the inspection of the necessary area, the defect confirmation screen shown in FIG. 15 is displayed.

欠陥確認画面は、欠陥の特徴量を表示、分類を編集できる欠陥表示編集部品150、及び現在位置を示す現在位置表示59と分類番号を記号表示したパターン欠陥11をウェーハ31のレイアウト情報とともに表示したマップ表示部55、及び現在の位置の画像を表示した画像表示部56、及びパターン欠陥11以外に欠陥候補41を表示するかどうかの表示/非表示を切り替える表示切替ボタン151、及び検査終了を指示する検査終了ボタン144より構成されている。マウス動作指示ボタン140を選択モードとし、パターン欠陥11をクリックすることでその画像を画像表示部56、特徴量を欠陥表示編集部品150に表示する。画像と特徴量を基にパターン欠陥11を分類し、欠陥表示編集部品150で分類番号をそのパターン欠陥11の特徴量に付与する。画像処理領域200での画像処理条件201の表示有効/無効を切り替える表示切替ボタン209で画像処理領域200内のパターン欠陥11について画像処理条件201を適用した場合としない場合の表示を切り替えることができる。但し、検査時に画像処理条件201を適用するかどうかを特殊条件有効/無効ボタン208で有効とした領域については検査時に既に適用されているため表示状態に変化は無い。検査終了ボタン144により欠陥確認のステップを終了し、分類したパターン欠陥11とその特徴量とを全体制御部内の記憶手段(図示せず)に記憶するとともに、通信回線(図示せず)を介して外部記憶手段(図示せず)や、他の検査または観察手段(何れも図示せず)へ出力して初期画面に戻る。   The defect confirmation screen displays the defect feature quantity, the defect display editing component 150 that can edit the classification, and the current position display 59 that indicates the current position and the pattern defect 11 that displays the classification number as a symbol together with the layout information of the wafer 31. A map display unit 55, an image display unit 56 that displays an image at the current position, a display switching button 151 for switching display / non-display of whether or not to display the defect candidate 41 in addition to the pattern defect 11, and an instruction to end the inspection It is comprised from the inspection end button 144 to perform. When the mouse operation instruction button 140 is set to the selection mode and the pattern defect 11 is clicked, the image is displayed on the image display unit 56 and the feature amount is displayed on the defect display editing component 150. The pattern defect 11 is classified based on the image and the feature amount, and the defect display editing component 150 assigns a classification number to the feature amount of the pattern defect 11. The display switching button 209 for switching display validity / invalidity of the image processing condition 201 in the image processing area 200 can switch the display when the image processing condition 201 is applied to the pattern defect 11 in the image processing area 200 or not. . However, there is no change in the display state because the area in which whether or not the image processing condition 201 is applied at the time of inspection is enabled by the special condition enable / disable button 208 has already been applied at the time of inspection. The defect confirmation step is terminated by the inspection end button 144, and the classified pattern defects 11 and their feature quantities are stored in storage means (not shown) in the overall control unit, and via a communication line (not shown). Output to an external storage means (not shown) or other inspection or observation means (none shown) to return to the initial screen.

本実施の形態によると、SEM画像を用いてウェーハ全面を検査して真のパターン欠陥57のみを検出し、それらをユーザに提示できる特徴がある。   According to the present embodiment, there is a feature that the entire wafer surface is inspected using the SEM image to detect only the true pattern defects 57 and present them to the user.

また、本実施の形態によると、例えば、解決すべき課題で示したラフに形成された冗長な電源配線層やパターンエッジのような場合であっても、表示に切り替えることにより、ラフさを判定することができる特徴がある。   In addition, according to the present embodiment, for example, even in the case of a redundant power supply wiring layer or pattern edge formed roughly in the problem to be solved, the roughness is determined by switching to the display. There are features that can be done.

また、本実施の形態によると実際の検査の条件で得られた誤検出を誤検出しないように画像処理条件を設定するために必要な場所のみの閾値を確実に設定できる特徴がある。   Further, according to the present embodiment, there is a feature that it is possible to reliably set a threshold only for a place necessary for setting image processing conditions so as not to erroneously detect erroneous detection obtained under actual inspection conditions.

また、本実施の形態によると、画像処理領域200のパターン欠陥11を完全に消すのではなく、画像処理条件201を変更するため、明らかな欠陥については検査を可能としながら必要な誤検出を防止するように画像処理条件を設定できる。   Further, according to the present embodiment, the pattern defect 11 in the image processing region 200 is not completely erased, but the image processing condition 201 is changed, so that it is possible to inspect for obvious defects while preventing necessary erroneous detection. The image processing conditions can be set to

従来の電子線式パターン検査装置の概略構成を示す正面図である。It is a front view which shows schematic structure of the conventional electron beam type pattern inspection apparatus. 従来の光学式パターン検査装置の概略構成を示す正面図である。It is a front view which shows schematic structure of the conventional optical pattern inspection apparatus. ウェーハのレイアウトを示すウェハの平面図である。It is a top view of the wafer which shows the layout of a wafer. 本発明の第1の解決手段の構成を示す電子線式パターン検査装置の正面図である。It is a front view of the electron beam type pattern inspection apparatus which shows the structure of the 1st solution means of this invention. 本発明の第1の解決手段の作用を説明するウェハの平面図である。It is a top view of the wafer explaining the effect | action of the 1st solving means of this invention. 欠陥確認画面を説明する表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen explaining a defect confirmation screen. マスク領域設定画面を説明する表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen explaining a mask area | region setting screen. 第1の実施の形態の構成を示す電子線式パターン検査装置の正面図である。It is a front view of the electron beam type pattern inspection apparatus which shows the structure of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の開始画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the start screen of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のレシピ作成のコントラスト設定画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the contrast setting screen of the recipe preparation of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のレシピ作成の試し検査初期画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the trial test | inspection initial screen of the recipe preparation of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の走査順を示すウェハの平面図である。It is a top view of the wafer which shows the scanning order of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のレシピ作成の試し検査の欠陥確認画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the defect confirmation screen of the trial inspection of the recipe preparation of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のレシピ作成のマスク領域設定画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the mask area setting screen of the recipe preparation of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の検査の欠陥確認画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the defect confirmation screen of the test | inspection of 1st Embodiment. 第2の実施の形態の電子線式パターン検査装置の正面図である。It is a front view of the electron beam type pattern inspection apparatus of a 2nd embodiment. 第2の実施の形態の構成を示すレシピ作成の画像処理領域設定画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the image processing area | region setting screen of the recipe preparation which shows the structure of 2nd Embodiment. 第3の実施の形態の構成を示す電子線式パターン検査装置の正面図である。It is a front view of the electron beam type pattern inspection apparatus which shows the structure of 3rd Embodiment. 第3の実施の形態のレシピ作成の欠陥確認画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the defect confirmation screen of the recipe preparation of 3rd Embodiment. 第3の実施の形態のレシピ作成の画像処理特徴量設定画面を示す表示画面の正面図である。It is a front view of the display screen which shows the image processing feature-value setting screen of the recipe preparation of 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1・・電子線源 2・・電子線 3・・偏向器 4・・対物レンズ 5・・対象物基板 6・・ステージ 7・・二次電子等 8・・検出器 9・・A/D変換器 10・・画像処理回路 11・・パターン欠陥候補 21・・光源 22・・対物レンズ 23・・イメージセンサ 24・・検出画像 25・・メモリ
27・・記憶画像 31・・ウェーハ 32・・ダイ 33・・走査線 40・・欠陥候補 41・・欠陥候補記憶部 42・・マスク領域 43・・マスク欠陥 44・・マスク設定部 45・・操作画面 55・・マップ表示部 56・・画像表示部 57・・真の欠陥 101・・仮想光源 102・・電子銃 106・・電子光学系 107・・試料室 108・・リターディング電圧 110・・全体制御部 113・・Zセンサ 118・・光学式顕微鏡 119・・標準試料片 120・・キーボード 130・・棚番選択部品 131・・レシピ選定部品 132・・レシピ作成開始部品 133・・レシピ作成終了ボタン 134・・レシピ保存ボタン 141・・画像切替ボタン 142・・レシピ作成項目選択ボタン 143・・検査開始ボタン 144・・検査終了ボタン 150・・欠陥表示編集部品 151・・表示切替ボタン 160・・新領域作成ボタン 161・・完了ボタン 200・・画像処理領域 201・・画像処理条件 205・・画像処理領域設定画面 207・・欠陥再表示ボタン 208・・特殊条件有効/無効ボタン 250・・指定特徴量 251・・特徴量確認部 252・・詳細画像処理部 255・・実/メモリ画像切り替えボタン 260・・画像処理特徴量設定画面 261・・着目分類番号 264・・特徴量指定部品 265・・画像処理条件設定部品 266・・新規特徴量作成ボタン 330・・検査開始ボタン。
1 .... Electron beam source 2 .... Electron beam 3 .... Deflector 4 .... Objective lens 5 .... Substrate substrate 6..Stage 7 .... Secondary electron etc. 8 .... Detector 9 .... A / D conversion Device 10 Image processing circuit 11 Pattern defect candidate 21 Light source 22 Objective lens 23 Image sensor 24 Detection image 25 Memory 27 Memory image 31 Wafer 32 Die 33 Scan line 40 Defect candidate 41 Defect candidate storage unit 42 Mask area 43 Mask defect 44 Mask setting unit 45 Operation screen 55 Map display unit 56 Image display unit 57 .. True defect 101 .. Virtual light source 102 .. Electron gun 106 .. Electron optical system 107 .. Sample chamber 108 .. Retarding voltage 110 .. Overall control unit 113 .. Z sensor 118 .. Optical microscope 119・・ Standard specimen 120 ・ ・ Keyboard 130 ・ ・ Storage number selection part 131 ・ ・ Recipe selection part 132 ・ ・ Recipe creation start part 133 ・ ・ Recipe creation end button 134 ・ ・ Recipe creation button 141 ・ ・ Image switching button 142 ・ ・Recipe creation item selection button 143 .. Inspection start button 144 .. Inspection end button 150 .. Defect display edit part 151 .. Display switching button 160 .. New area creation button 161 .. Complete button 200 .. Image processing area 201.・ Image processing conditions 205 ・ ・ Image processing area setting screen 207 ・ ・ Defect redisplay button 208 ・ ・ Special condition valid / invalid button 250 ・ ・ Specified feature amount 251 ・ ・ Feature amount confirmation unit 252 ・ ・ Detailed image processing unit 255 ・Real / memory image switch button 260 Image processing feature amount setting screen 261 Class number 264 .. Feature amount designation part 265 .. Image processing condition setting part 266 .. New feature creation button 330 .. Inspection start button.

Claims (4)

対象物基板を撮像して該対象物基板のディジタル画像を得、該得たディジタル画像から欠陥を検出し、該検出した欠陥の情報を画面上に表示する検査方法であって、前記検出した欠陥に関する情報を出力する際に、該検出した欠陥のうち予め登録した領域の内部に存在する欠陥に関する情報、または、予め登録した形状と一致するパターンまたは予め登録した特徴量と一致するパターンの欠陥に関する情報を、他の欠陥に関する情報と区別して出力することを特徴とするパターン検査方法。   An inspection method for imaging a target substrate to obtain a digital image of the target substrate, detecting defects from the obtained digital image, and displaying information on the detected defects on a screen, wherein the detected defects Information related to defects existing in a pre-registered area among the detected defects, or a pattern that matches a pre-registered shape or a pattern that matches a pre-registered feature amount A pattern inspection method characterized in that information is output separately from information on other defects. 前記他の欠陥の前記対象物基板の位置情報を、該他の欠陥の画像とともに画面上に表示することを特徴とする請求項1記載のパターン検査方法。   The pattern inspection method according to claim 1, wherein position information of the target substrate of the other defect is displayed on a screen together with an image of the other defect. 対象物基板を撮像して該対象物基板のディジタル画像を得る撮像手段と、該撮像手段で撮像して得たディジタル画像から欠陥候補を検出する欠陥候補検出手段と、該欠陥候補検出手段で検出した欠陥候補の中から欠陥を抽出して該抽出した欠陥の情報を画面上に表示する欠陥抽出手段とを備えた検査装置であって、前記欠陥抽出手段は、前記欠陥候補検出手段で検出した欠陥候補のうち該欠陥抽出手段に予め登録した特徴に一致する特徴を有する欠陥を除いて画面上に表示するか、又は前記検出した欠陥候補のうち前記欠陥抽出手段に予め登録した特徴に一致する特徴を有する欠陥を他の欠陥と識別可能なように表示することを特徴とするパターン検査装置。   An imaging unit that captures an image of an object substrate and obtains a digital image of the object substrate, a defect candidate detection unit that detects a defect candidate from a digital image obtained by imaging with the imaging unit, and a detection by the defect candidate detection unit A defect extraction unit that extracts a defect from the defect candidates and displays information on the extracted defect on a screen, wherein the defect extraction unit is detected by the defect candidate detection unit The defect candidate is displayed on the screen except for the defect having the feature that matches the feature registered in advance in the defect extracting unit, or the detected defect candidate matches the feature registered in the defect extracting unit in advance. A pattern inspection apparatus for displaying a defect having a feature so as to be distinguishable from other defects. 前記欠陥抽出手段は、欠陥の画像と該欠陥の前記対象物基板上の位置情報とを画面上に表示することを特徴とする請求項3記載のパターン検査装置。   The pattern inspection apparatus according to claim 3, wherein the defect extraction unit displays a defect image and position information of the defect on the target substrate on a screen.
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