JP2009049063A

JP2009049063A - Substrate processing device

Info

Publication number: JP2009049063A
Application number: JP2007211421A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Sawada; 敦史澤田; Koji Hasegawa; 公二長谷川; Katsuyuki Miyake; 克之三宅
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2007-08-14
Filing date: 2007-08-14
Publication date: 2009-03-05

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device satisfactorily providing a processing using a high-temperature processing solvent to a substrate. <P>SOLUTION: A first cooling pipe 38 for cooling an SPM liquid attached to an outside wall surface 37 of the substrate processing device is arranged on an attachment position of the SPM liquid on the outside wall surface 37 of a guiding part 24 of an inside constructional member 20. A first cooling pipe 38 is formed in helical shape centering around a rotational axis line C. A second cooling pipe 48 for cooling the SPM liquid attached to the inside wall surface 47 is arranged in the attachment position of the SPM liquid of the inside wall surface 47 of the outside constructional member 30. The second cooling pipe 48 is formed in helical shape centering around the rotational axis line C. the deformation of the inside constructional member 20 and the outside constructional member 30 are, therefore, respectively prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、基板を処理するための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, glass substrates for plasma displays, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, A photomask substrate or the like is included.

半導体装置の製造工程には、半導体ウエハなどの基板の表面に薬液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板に処理液を供給するためのノズルと、基板から飛散する処理液を捕獲して回収／廃棄するための処理カップとを備えている。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one in order to perform treatment with a chemical solution on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer may be used. This single-wafer type substrate processing apparatus includes, for example, a spin chuck that rotates while holding the substrate substantially horizontal, a nozzle for supplying a processing liquid to the substrate rotated by the spin chuck, and a process that scatters from the substrate And a processing cup for capturing and collecting / disposing the liquid.

処理カップは、たとえば、スピンチャックによる基板の回転軸線を中心軸線とする同軸略円筒状の複数の側壁を有した樹脂（ポリプロピレン樹脂やフッ素樹脂）製のものである。各側壁の上端部は、上方ほど各側壁の中心軸線（基板の回転軸線）に近づくように傾斜して、互いに間隔を空けてほぼ平行をなし、スピンチャックから飛散する処理液を導入するためのポートを形成している。 The processing cup is made of, for example, a resin (polypropylene resin or fluororesin) having a plurality of coaxially cylindrical side walls whose central axis is the rotation axis of the substrate by a spin chuck. The upper end portion of each side wall is inclined so as to approach the central axis (substrate rotation axis) of each side wall upward, so as to introduce a processing solution that is substantially parallel to each other and scattered from the spin chuck. Forming a port.

スピンチャックによって基板を回転させつつ、ノズルから基板の表面に処理液を供給することにより、基板の表面に処理液による処理が施される。基板の表面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁部から側方へ飛散する。基板から飛散する処理液は、処理カップの壁面に受け止められて捕獲され、この壁面を伝って処理カップの下部に導かれて廃棄等される。
特開２００４−１５３０７８号公報 By supplying the processing liquid from the nozzle to the surface of the substrate while rotating the substrate by the spin chuck, the surface of the substrate is processed with the processing liquid. The processing liquid supplied to the surface of the substrate receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate and scatters laterally from the peripheral edge of the substrate. The processing liquid splashed from the substrate is received and captured by the wall surface of the processing cup, is guided to the lower part of the processing cup through this wall surface, and is discarded.
JP 2004-153078 A

枚葉式の基板処理装置において、高温（約１５０℃以上）の処理液を用いた処理が基板に施される場合がある。この場合、ノズルから基板の表面に高温の処理液が供給される。
しかしながら、基板から飛散する高温の処理液が処理カップの壁面に捕獲されると、その処理液の着液位置付近の回収カップに変形を生じるおそれがある。回収カップが変形すると、基板の処理に影響を与えたり、回収カップの部材同士が干渉したりするおそれがある。 In a single-wafer type substrate processing apparatus, a substrate may be processed using a high-temperature (about 150 ° C. or higher) processing solution. In this case, a high-temperature processing liquid is supplied from the nozzle to the surface of the substrate.
However, when the high-temperature processing liquid that scatters from the substrate is captured on the wall surface of the processing cup, the recovery cup near the liquid deposition position of the processing liquid may be deformed. If the recovery cup is deformed, the processing of the substrate may be affected, or the members of the recovery cup may interfere with each other.

このような事態を防止するために、高温の処理液を用いた処理では、その処理時間に制約を設けることが考えられるが、かかる制約の下では、基板に良好に処理を施すことができないことがある。
そこで、この発明の目的は、基板に対して、高温の処理液を用いた処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供することである。 In order to prevent such a situation, it may be possible to place a restriction on the treatment time in the treatment using a high-temperature treatment solution, but under such a restriction, the substrate cannot be processed satisfactorily. There is.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can satisfactorily perform processing using a high-temperature processing liquid on a substrate.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させる基板回転手段（２）と、前記基板回転手段により回転される基板に対して、常温よりも高温の処理液を供給する処理液供給手段（４）と、前記基板回転手段による基板の回転軸線（Ｃ）を取り囲むように形成され、基板から飛散する処理液を受け止めて捕獲する壁面（３７，４７）を有した処理液捕獲部材（２４，３０）と、基板からの処理液が前記壁面に着液する着液位置付近の処理液捕獲部材、および、前記壁面に着液する処理液のうち少なくとも一方を冷却するための冷却手段（３８，４８，６１，６２）とを含む、基板処理装置である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is directed to a substrate rotating means (2) for rotating the substrate (W) while holding the substrate (W), and a substrate rotated by the substrate rotating means, at room temperature. A processing liquid supply means (4) for supplying a high-temperature processing liquid, and a wall surface (37,) that receives and captures the processing liquid scattered from the substrate, formed so as to surround the rotation axis (C) of the substrate by the substrate rotating means. 47) a processing liquid capturing member (24, 30), a processing liquid capturing member in the vicinity of a landing position where the processing liquid from the substrate lands on the wall surface, and a processing liquid that lands on the wall surface A substrate processing apparatus including cooling means (38, 48, 61, 62) for cooling at least one.

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、高温の処理液が処理液捕獲部材の壁面に捕獲されるとき、着液位置付近の処理液捕獲部材および高温の処理液のうちの少なくとも一方が、冷却手段により冷却される。このため、着液位置付近の処理液捕獲部材における温度上昇を抑えることができる。したがって、壁面に高温の処理液が着液した場合であっても、処理液捕獲部材の変形を防止することができる。これにより、処理液捕獲部材の変形を防止しつつ、高温の処理液を用いた処理を基板に施すことができることができる。 In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this configuration, when the high temperature processing liquid is captured on the wall surface of the processing liquid capturing member, at least one of the processing liquid capturing member near the landing position and the high temperature processing liquid is cooled by the cooling unit. . For this reason, the temperature rise in the treatment liquid capture member near the liquid deposition position can be suppressed. Therefore, even when a high-temperature processing liquid has landed on the wall surface, deformation of the processing liquid capturing member can be prevented. Thereby, the process using a high temperature process liquid can be performed to a board | substrate, preventing a deformation | transformation of a process liquid capture member.

請求項２記載の発明は、前記壁面は、前記基板回転手段による基板の回転軸線を中心とする回転対称形状に形成されていて、前記冷却手段は、前記回転軸線を中心軸線とする螺旋形状の冷却管（３８，４８，６１，６２）を含む、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、管状に形成されている冷却管は、放熱効果を有している。そのため、この冷却管によって、着液位置付近の処理液捕獲部材の熱、および／または処理液の熱が逃がされる。したがって、着液位置付近の処理液捕獲部材および／または処理液を冷却することができる。これにより、着液位置付近の処理液捕獲部材および／または処理液の冷却を、簡単な構成で実現することができる。 According to a second aspect of the present invention, the wall surface is formed in a rotationally symmetric shape centered on the rotation axis of the substrate by the substrate rotating means, and the cooling means has a spiral shape having the rotation axis as the central axis. The substrate processing apparatus according to claim 1, comprising a cooling pipe (38, 48, 61, 62).
According to this structure, the cooling pipe formed in the tubular shape has a heat dissipation effect. Therefore, the heat of the treatment liquid capturing member near the liquid deposition position and / or the heat of the treatment liquid is released by this cooling pipe. Therefore, the treatment liquid capturing member and / or the treatment liquid in the vicinity of the landing position can be cooled. Thereby, cooling of the treatment liquid capture member and / or the treatment liquid in the vicinity of the landing position can be realized with a simple configuration.

また、螺旋形状に形成された冷却管が、処理液捕獲部材の壁面の着液位置に配置されているので、壁面における全周の着液位置で、その付近の処理液捕獲部材および／または処理液を冷却することができる。このため、着液位置付近の処理液捕獲部材における温度上昇を、処理液捕獲部材の全周にわたって抑えることができる。これにより、処理液捕獲部材の変形をより一層防止することができる。 In addition, since the cooling pipe formed in a spiral shape is disposed at the liquid landing position on the wall surface of the processing liquid capturing member, the processing liquid capturing member and / or the processing in the vicinity thereof at the liquid landing position on the entire wall surface. The liquid can be cooled. For this reason, the temperature rise in the treatment liquid capture member near the landing liquid position can be suppressed over the entire circumference of the treatment liquid capture member. Thereby, a deformation | transformation of a process liquid capture member can be prevented further.

請求項３記載の発明は、前記冷却管に対し、前記処理液供給手段からの処理液よりも低温の流体を供給する低温流体供給手段（４０，５０）をさらに含む、請求項２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、冷却管の内部を低温の流体が流通する。このとき、着液位置付近の処理液捕獲部材および／または高温の処理液と、冷却管の内部を流通する低温の流体との間で熱交換が行われ、着液位置付近の処理液捕獲部材および／または処理液から熱が奪われる。これにより、処理液捕獲部材および／または処理液を、簡単な構成で冷却することができる。 The invention according to claim 3 further includes a low-temperature fluid supply means (40, 50) for supplying a fluid having a temperature lower than that of the processing liquid from the processing liquid supply means to the cooling pipe. It is a processing device.
According to this configuration, the low-temperature fluid flows through the inside of the cooling pipe. At this time, heat exchange is performed between the treatment liquid capture member and / or the high-temperature treatment liquid in the vicinity of the landing liquid position and the low-temperature fluid that circulates inside the cooling pipe, and the treatment liquid capture member in the vicinity of the liquid deposition position And / or heat is removed from the processing solution. Thereby, the processing liquid capturing member and / or the processing liquid can be cooled with a simple configuration.

前記低温流体供給手段により供給される低温流体は、冷却水のような液体であってもよいし、Ｎ₂ガスや空気のような気体であってもよい。
請求項４記載の発明は、前記処理液捕獲部材の前記壁面の前記着液位置に、前記冷却手段が露出して配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 The low-temperature fluid supplied by the low-temperature fluid supply means may be a liquid such as cooling water, or a gas such as N ₂ gas or air.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing according to any one of the first to third aspects, wherein the cooling means is exposed at the liquid landing position on the wall surface of the processing liquid capturing member. Device.

この構成によれば、基板から飛散した高温の処理液は、冷却手段に着液して、この冷却手段により冷却される。そのため、処理液を直ちに冷却することができる。また、処理液捕獲部材に高温の処理液が直接着液しないので、着液位置付近の処理液捕獲部材にダメージを与えることがほとんどない。
請求項５記載の発明は、前記処理液捕獲部材の前記壁面には、前記着液位置に溝部（３９，４９）が形成されており、前記溝部に前記冷却手段が収容されている、請求項４記載の基板処理装置である。 According to this configuration, the high-temperature processing liquid scattered from the substrate is deposited on the cooling means and cooled by the cooling means. Therefore, the treatment liquid can be cooled immediately. In addition, since the high-temperature processing liquid does not directly land on the processing liquid capturing member, the processing liquid capturing member near the landing position is hardly damaged.
According to a fifth aspect of the present invention, a groove (39, 49) is formed at the liquid deposition position on the wall surface of the processing liquid capturing member, and the cooling means is accommodated in the groove. 4. The substrate processing apparatus according to 4.

この構成によれば、冷却手段の露出部と処理液捕獲部材の壁面との段差を小さくすることができる。このため、冷却手段の露出部に着液した処理液を、処理液捕獲部材の壁面へとスムーズに導くことができる。
請求項６記載の発明は、前記処理液捕獲部材の内部には、前記着液位置付近に前記冷却手段（６１，６２）が配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 According to this structure, the level | step difference between the exposed part of a cooling means and the wall surface of a process liquid capture member can be made small. For this reason, the processing liquid that has landed on the exposed portion of the cooling means can be smoothly guided to the wall surface of the processing liquid capturing member.
A sixth aspect of the present invention is the method according to any one of the first to third aspects, wherein the cooling means (61, 62) is disposed in the vicinity of the liquid deposition position inside the processing liquid capturing member. This is a substrate processing apparatus.

この構成によれば、着液位置付近の処理液捕獲部材には高温の処理液から熱が与えられるが、その一方で、冷却手段は、着液位置付近の処理液捕獲部材から熱を奪う。このため、着液位置付近の処理液捕獲部材における温度上昇を抑えることができる。これにより、処理液捕獲部材の変形を防止することができる。
請求項７記載の発明は、前記処理液供給手段は、基板の表面に対し、レジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給手段（４）を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 According to this configuration, heat is applied from the high-temperature processing liquid to the processing liquid capturing member near the liquid landing position, while the cooling unit takes heat away from the processing liquid capturing member near the liquid landing position. For this reason, the temperature rise in the treatment liquid capture member near the liquid deposition position can be suppressed. Thereby, a deformation | transformation of a process liquid capture member can be prevented.
The invention described in claim 7 is characterized in that the processing liquid supply means includes a resist stripping liquid supply means (4) for supplying a resist stripping liquid for stripping the resist to the surface of the substrate. It is a substrate processing apparatus as described in any one.

この構成によれば、レジスト剥離液を用いて、基板の表面からレジストが剥離される。レジスト剥離液としては、たとえば、硫酸と過酸化水素水とを混合させた硫酸過酸化水素水混合液が用いられる。硫酸過酸化水素水混合液は、その液温が高くなるにつれてレジスト剥離能力が向上するため、高温（約２００℃）の硫酸過酸化水素水混合液を基板の表面に供給することにより、その表面に形成されているレジストを良好に剥離することができる。 According to this configuration, the resist is stripped from the surface of the substrate using the resist stripping solution. As the resist stripping solution, for example, a sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixed solution in which sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed is used. Since the resist stripping ability improves as the liquid temperature rises, the sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture is supplied with a high temperature (about 200 ° C.) sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture on the surface of the substrate. The resist formed in the step can be peeled off satisfactorily.

そして、基板の周縁から側方へ飛散する高温のレジスト剥離液が、処理液捕獲部材の壁面に捕獲される。着液位置付近の処理液捕獲部材および高温のレジスト剥離液のうちの少なくとも一方が冷却手段により冷却される。このため、着液位置付近において処理液捕獲部材の温度上昇を抑えることができ、これにより、処理液捕獲部材の変形を防止することができる。ゆえに、処理液捕獲部材の変形を防止しつつ、基板の表面に形成されているレジストを良好に剥離することができる。 Then, the high-temperature resist stripping solution scattered from the peripheral edge of the substrate to the side is captured on the wall surface of the processing liquid capturing member. At least one of the treatment liquid capturing member near the landing position and the high-temperature resist stripping liquid is cooled by the cooling means. For this reason, the temperature rise of the processing liquid capturing member can be suppressed in the vicinity of the liquid landing position, and thus the deformation of the processing liquid capturing member can be prevented. Therefore, the resist formed on the surface of the substrate can be satisfactorily peeled while preventing the processing liquid capturing member from being deformed.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
基板処理装置は、たとえば、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗの表面に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを剥離するためのレジスト剥離処理に用いられる枚葉式の装置である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus is unnecessary from the surface of the wafer W after ion implantation processing or dry etching processing for injecting impurities into the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W, which is an example of a substrate. It is a single wafer type apparatus used for resist stripping processing for stripping off the resist.

この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線ＣまわりにウエハＷを回転させるスピンチャック２と、このスピンチャック２を収容する処理カップ３と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対してレジスト剥離液としてのＳＰＭ液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）を供給するためのＳＰＭノズル４と、ウエハＷの表面にＤＩＷ（脱イオン化された純水）を供給するためのＤＩＷノズル５とを備えている。 The substrate processing apparatus includes a spin chuck 2 that holds the wafer W substantially horizontally and rotates the wafer W about a substantially vertical rotation axis C that passes through the center thereof; a processing cup 3 that accommodates the spin chuck 2; An SPM nozzle 4 for supplying an SPM solution (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) as a resist stripping solution to the surface of the wafer W held on the spin chuck 2; A DIW nozzle 5 for supplying DIW (deionized pure water) to the surface is provided.

スピンチャック２は、モータ６と、このモータ６の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース７と、スピンベース７の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材８とを備えている。これにより、スピンチャック２は、複数個の挟持部材８によってウエハＷを挟持した状態で、モータ６の回転駆動力によってスピンベース７を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース７とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。 The spin chuck 2 is provided at substantially equal intervals at a plurality of locations on the periphery of the motor 6, a disc-shaped spin base 7 that is rotated around the vertical axis by the rotational driving force of the motor 6, and the wafer. And a plurality of clamping members 8 for clamping W in a substantially horizontal posture. Thus, the spin chuck 2 keeps the wafer W in a substantially horizontal posture by rotating the spin base 7 by the rotational driving force of the motor 6 in a state where the wafer W is held by the plurality of holding members 8. In this state, it can be rotated around the vertical axis together with the spin base 7.

モータ６の周囲は、筒状のカバー部材１７によって包囲されている。カバー部材１７は、水平に延びるベース９上にその下端が固定され、その上端がスピンベース７の近傍にまで及んでいる。カバー部材１７の上端部には、カバー部材１７から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材１８が取り付けられている。
ＳＰＭノズル４は、スピンチャック２の上方でほぼ水平に延びるＳＰＭアーム１０の先端に取り付けられている。このＳＰＭアーム１０は、スピンチャック２の側方でほぼ鉛直に延びた図示しないＳＰＭアーム支持軸に支持されている。また、ＳＰＭアーム１０には、ＳＰＭノズル駆動機構１２が結合されており、このＳＰＭノズル駆動機構１２の駆動力によって、ＳＰＭアーム１０を揺動させることができるようになっている。 The periphery of the motor 6 is surrounded by a cylindrical cover member 17. The lower end of the cover member 17 is fixed on the horizontally extending base 9, and the upper end extends to the vicinity of the spin base 7. At the upper end of the cover member 17, a hook-like member 18 is attached that protrudes almost horizontally outward from the cover member 17 and bends and extends downward.
The SPM nozzle 4 is attached to the tip of an SPM arm 10 that extends substantially horizontally above the spin chuck 2. The SPM arm 10 is supported by an SPM arm support shaft (not shown) extending substantially vertically on the side of the spin chuck 2. An SPM nozzle driving mechanism 12 is coupled to the SPM arm 10, and the SPM arm 10 can be swung by the driving force of the SPM nozzle driving mechanism 12.

ＳＰＭノズル４には、ＳＰＭ供給管１３が接続されており、ＳＰＭ液がＳＰＭ供給管１３を通して供給されるようになっている。ＳＰＭ供給管１３の途中部には、ＳＰＭノズル４へのＳＰＭ液の供給および供給停止を切り換えるためのＳＰＭバルブ１４が介装されている。このＳＰＭノズル４から、たとえば約２００℃のＳＰＭ液が吐出されるようになっている。 An SPM supply pipe 13 is connected to the SPM nozzle 4 so that an SPM liquid is supplied through the SPM supply pipe 13. An SPM valve 14 for switching between supply and stop of supply of SPM liquid to the SPM nozzle 4 is interposed in the middle of the SPM supply pipe 13. For example, an SPM liquid of about 200 ° C. is discharged from the SPM nozzle 4.

ＤＩＷノズル５は、スピンチャック２の上方で、その吐出口をウエハＷの中央部に向けて配置されている。このＤＩＷノズル５には、ＤＩＷ供給管１５が接続されており、リンス液としてのＤＩＷがＤＩＷ供給管１５を通して供給されるようになっている。ＤＩＷ供給管１５の途中部には、ＤＩＷノズル５へのＤＩＷの供給および供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ１６が介装されている。 The DIW nozzle 5 is disposed above the spin chuck 2 with its discharge port directed toward the center of the wafer W. A DIW supply pipe 15 is connected to the DIW nozzle 5, and DIW as a rinsing liquid is supplied through the DIW supply pipe 15. A DIW valve 16 for switching between supply and stop of DIW supply to the DIW nozzle 5 is interposed in the middle portion of the DIW supply pipe 15.

処理カップ３は、レジスト剥離処理に用いられた後のＳＰＭ液およびＤＩＷを捕獲して廃棄するためのものであり、互いに独立して昇降可能な内構成部材２０および外構成部材３０を備えている。図２は、図１の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。以下、図１および図２を参照して、処理カップ３について説明する。
内構成部材２０は、スピンチャック２の周囲を取り囲み、スピンチャック２によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状を有している。内構成部材２０は、フッ素系樹脂（たとえば、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene）樹脂）製であり、平面視円環状の底部２１と、この底部２１の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部２２と、底部２１の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部２３と、内壁部２２と外壁部２３との間から立ち上がる案内部２４とを一体的に備えている。案内部２４は、内壁部２２と外壁部２３との間から立ち上がる円筒状の本体部２４ｂと、その本体部２４ｂの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線に近づく方向）斜め上方に延びる上端部２４ａとを備えている。 The processing cup 3 is for capturing and discarding the SPM liquid and DIW after being used in the resist stripping process, and includes an inner component member 20 and an outer component member 30 that can be raised and lowered independently of each other. . FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the section line AA of FIG. Hereinafter, the processing cup 3 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The inner constituent member 20 surrounds the periphery of the spin chuck 2 and has a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis C of the wafer W by the spin chuck 2. The inner component member 20 is made of a fluorine-based resin (for example, PCTFE (Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene) resin), and has an annular bottom portion 21 in plan view and a cylindrical inner wall portion that rises upward from the inner peripheral edge of the bottom portion 21. 22, a cylindrical outer wall portion 23 that rises upward from the outer peripheral edge of the bottom portion 21, and a guide portion 24 that rises from between the inner wall portion 22 and the outer wall portion 23. The guide unit 24 has a cylindrical main body part 24b rising from between the inner wall part 22 and the outer wall part 23, and a center side while drawing a smooth arc from the upper end of the main body part 24b (direction approaching the rotation axis of the wafer W). And an upper end 24a extending obliquely upward.

内壁部２２は、内構成部材２０が上方位置にある状態（図１に仮想線で示す状態）で、カバー部材１７と鍔状部材１８との間に隙間を保って、そのカバー部材１７と鍔状部材１８との間に収容されるような長さに形成されている。
内壁部２２と案内部２４との間は、ウエハＷのレジスト剥離処理に使用されたＤＩＷ（ＳＰＭ液を含むＤＩＷ）を集めて廃棄するための内側廃液溝２５とされている。また、案内部２４と外壁部２３との間は、ウエハＷのレジスト剥離処理に使用されたＳＰＭ液を集めて廃棄するための外側廃液溝２６とされている。内側廃液溝２５には、図外の廃液処理設備へと導くための第１廃液路２７が接続されている。外側廃液溝２６には、図外の廃液処理設備へと導くための第２廃液路２８が接続されている。案内部２４の内側壁面３６は、ウエハＷから飛散するＤＩＷ（ＳＰＭ液を含むＤＩＷ）を受け止めて捕獲し、内側廃液溝２５へと案内するためのものである。案内部２４の外側壁面３７は、ウエハＷから飛散するＳＰＭ液を受け止めて、外側廃液溝２６へと案内するためのものである。 The inner wall portion 22 is in a state where the inner component member 20 is in the upper position (indicated by a phantom line in FIG. 1), and a gap is maintained between the cover member 17 and the bowl-shaped member 18, It is formed in such a length as to be accommodated between the cylindrical member 18.
Between the inner wall portion 22 and the guide portion 24 is an inner waste liquid groove 25 for collecting and discarding DIW (DIW containing SPM liquid) used for resist removal processing of the wafer W. Further, an outer waste liquid groove 26 for collecting and discarding the SPM liquid used for the resist peeling process of the wafer W is formed between the guide part 24 and the outer wall part 23. Connected to the inner waste liquid groove 25 is a first waste liquid path 27 for leading to a waste liquid treatment facility (not shown). A second waste liquid path 28 is connected to the outer waste liquid groove 26 for leading to a waste liquid treatment facility (not shown). The inner wall surface 36 of the guide portion 24 is for receiving and capturing DIW (DIW containing SPM liquid) scattered from the wafer W and guiding it to the inner waste liquid groove 25. The outer wall surface 37 of the guide portion 24 is for receiving the SPM liquid scattered from the wafer W and guiding it to the outer waste liquid groove 26.

外構成部材３０は、内構成部材２０の案内部２４の外側において、スピンチャック２の周囲を取り囲み、スピンチャック２によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状を有している。外構成部材３０は、フッ素系樹脂（たとえば、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene）樹脂）製であり、案内部２４と同軸円筒状をなす下端部３１と、下端部３１の上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（ウエハＷの回転軸線に近づく方向）斜め上方に延びる上端部３２と、上端部３２の先端部を下方に折り返して形成される折返し部３３とを有している。 The outer component member 30 surrounds the periphery of the spin chuck 2 on the outside of the guide portion 24 of the inner component member 20 and has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis C of the wafer W by the spin chuck 2. The outer component member 30 is made of a fluorine-based resin (for example, PCTFE (Poly Chloro Tri Fluoro Ethylene) resin), and forms a smooth arc from the lower end portion 31 that is coaxial with the guide portion 24 and from the upper end of the lower end portion 31. It has an upper end 32 extending obliquely upward (in the direction approaching the rotation axis of the wafer W) while drawing, and a folded portion 33 formed by folding the tip of the upper end 32 downward.

下端部３１は、内側廃液溝２５上に位置し、内構成部材２０と外構成部材３０とが最も近接した状態で、内側廃液溝２５に収容されるような長さに形成されている。
上端部３２は、内構成部材２０の案内部２４の上端部２４ａと上下方向に重なるように設けられ、内構成部材２０と外構成部材３０とが最も近接した状態で、案内部２４の上端部２４ａに対してごく微小な隙間を保って近接するように形成されている。 The lower end portion 31 is positioned on the inner waste liquid groove 25 and is formed in such a length as to be accommodated in the inner waste liquid groove 25 in a state where the inner component member 20 and the outer component member 30 are closest to each other.
The upper end portion 32 is provided so as to overlap with the upper end portion 24a of the guide portion 24 of the inner component member 20 in the vertical direction, and the upper end portion of the guide portion 24 in a state where the inner component member 20 and the outer component member 30 are closest to each other. It is formed so as to be close to 24a with a very small gap.

折返し部３３は、内構成部材２０と外構成部材３０とが最も近接した状態で、案内部２４の上端部２４ａと水平方向に重なるように形成されている。
外構成部材３０の内側壁面４７は、ウエハＷから飛散するＳＰＭ液を受け止めて捕獲し、外側廃液溝２６へと案内するためのものである。
後述するように、ウエハＷの周縁から飛散するＳＰＭ液は、内構成部材２０の案内部２４の上端部２４ａと外構成部材３０の上端部３２との間に形成される開口に飛入する。開口に飛び入りしたＳＰＭ液は、外構成部材３０の内側壁面４７の所定の着液位置に着液し、内側壁面４７で跳ね返って、案内部２４の外側壁面３７の着液位置に着液する。この実施形態では、案内部２４の外側壁面３７における着液位置は、外側壁面３７のうち内側壁面４７のうち上端部２４ａの下部から本体部２４ｂの上部にわたって形成されている。また、外構成部材３０の内側壁面４７における着液位置は、内側壁面４７のうち上端部３２の下部から下端部３１の上部にわたって形成されている。 The folded portion 33 is formed to overlap the upper end portion 24a of the guide portion 24 in the horizontal direction in a state where the inner component member 20 and the outer component member 30 are closest to each other.
The inner wall surface 47 of the outer component member 30 is for receiving and capturing the SPM liquid scattered from the wafer W and guiding it to the outer waste liquid groove 26.
As will be described later, the SPM liquid scattered from the periphery of the wafer W enters an opening formed between the upper end portion 24 a of the guide portion 24 of the inner component member 20 and the upper end portion 32 of the outer component member 30. The SPM liquid that has entered the opening arrives at a predetermined landing position on the inner wall surface 47 of the outer component member 30, rebounds on the inner wall surface 47, and reaches the landing position on the outer wall surface 37 of the guide portion 24. In this embodiment, the liquid landing position on the outer wall surface 37 of the guide portion 24 is formed from the lower portion of the upper end portion 24 a to the upper portion of the main body portion 24 b of the inner wall surface 47 of the outer wall surface 37. The liquid landing position on the inner wall surface 47 of the outer component member 30 is formed from the lower portion of the upper end portion 32 to the upper portion of the lower end portion 31 of the inner wall surface 47.

案内部２４の外側壁面３７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その外側壁面３７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第１冷却管３８が露出して配設されている。第１冷却管３８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。
具体的には、案内部２４の外側壁面３７には、ＳＰＭ液の着液位置に、円環状の第１冷却管収容溝部３９が形成されている。この第１冷却管収容溝部３９に第１冷却管３８が収容されている。第１冷却管３８は、たとえば接着剤などを用いて第１冷却管収容溝部３９の底部に貼り付けられている。第１冷却管３８は、その外側の周面を露出させた状態で第１冷却管収容溝部３９に収容されており、その収容状態において、その外側の周面が案内部２４の外側壁面３７とほぼ面一になっている。この第１冷却管３８は、フッ素系樹脂（たとえば、ＰＦＡ（Per Fluoro Alkoxy Fluoroplastics）樹脂）製であり、外径６ｍｍ、肉厚１ｍｍの円筒管である。 A first cooling pipe 38 for cooling the SPM liquid that has landed on the outer wall surface 37 is exposed and disposed at the SPM liquid landing position on the outer wall surface 37 of the guide portion 24. The first cooling pipe 38 is formed in a spiral shape with the rotation axis C as the central axis.
Specifically, an annular first cooling pipe housing groove 39 is formed on the outer wall surface 37 of the guide portion 24 at the liquid deposition position of the SPM liquid. The first cooling pipe 38 is accommodated in the first cooling pipe accommodation groove 39. The 1st cooling pipe 38 is affixed on the bottom part of the 1st cooling pipe accommodation groove part 39, for example using an adhesive agent. The first cooling pipe 38 is accommodated in the first cooling pipe accommodation groove 39 with its outer peripheral surface exposed, and in the accommodated state, the outer peripheral surface is connected to the outer wall surface 37 of the guide portion 24. It is almost the same. The first cooling pipe 38 is made of a fluorine-based resin (for example, PFA (Per Fluoro Alkoxy Fluoroplastics) resin), and is a cylindrical pipe having an outer diameter of 6 mm and a wall thickness of 1 mm.

第１冷却管３８の一端部には、第１冷却管３８に冷却水を供給するための第１冷却水供給管４０が接続されている。第１冷却管３８には、第１冷却水供給管４０から、たとえば、２０℃に温度調節された冷却水が供給される。第１冷却水供給管４０から第１冷却管３８の一端部に供給された冷却水は、第１冷却管３８の内部を流通して、第１冷却管３８の他端部に達する。第１冷却管３８の他端部には、第１冷却管３８の他端部に到達した冷却水を図外の冷却水回収設備へと導くための第１回収管４１が接続されており、第１冷却管３８を流通し終えた冷却水は、第１回収管４１を流通して回収される。 A first cooling water supply pipe 40 for supplying cooling water to the first cooling pipe 38 is connected to one end of the first cooling pipe 38. The first cooling pipe 38 is supplied with cooling water whose temperature is adjusted to 20 ° C., for example, from the first cooling water supply pipe 40. The cooling water supplied from the first cooling water supply pipe 40 to one end of the first cooling pipe 38 flows through the inside of the first cooling pipe 38 and reaches the other end of the first cooling pipe 38. Connected to the other end of the first cooling pipe 38 is a first recovery pipe 41 for guiding the cooling water that has reached the other end of the first cooling pipe 38 to a cooling water recovery facility (not shown). The cooling water that has passed through the first cooling pipe 38 is recovered through the first recovery pipe 41.

外構成部材３０の内側壁面４７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その内側壁面４７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第２冷却管４８が露出して配設されている。第２冷却管４８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。
具体的には、外構成部材３０の内側壁面４７には、ＳＰＭ液の着液位置に、円環状の第２冷却管収容溝部４９が形成されている。この第２冷却管収容溝部４９に第２冷却管４８が収容されている。第２冷却管４８は、たとえば接着剤などを用いて第２冷却管収容溝部４９の底部に貼り付けられている。第２冷却管４８は、その内側の周面を露出させた状態で第２冷却管収容溝部４９に収容されており、その収容状態において、その内側の周面が外構成部材３０の内側壁面４７とほぼ面一になっている。この第２冷却管４８は、フッ素系樹脂（たとえば、ＰＦＡ（Per Fluoro Alkoxy Fluoroplastics）樹脂）製であり、外径６ｍｍ、肉厚１ｍｍの円筒管である。 A second cooling pipe 48 for cooling the SPM liquid deposited on the inner wall surface 47 is exposed and disposed at the position where the SPM liquid is deposited on the inner wall surface 47 of the outer component member 30. The second cooling pipe 48 is formed in a spiral shape with the rotation axis C as the central axis.
Specifically, an annular second cooling pipe housing groove 49 is formed on the inner wall surface 47 of the outer component member 30 at the position where the SPM liquid is deposited. The second cooling pipe 48 is accommodated in the second cooling pipe accommodation groove 49. The 2nd cooling pipe 48 is affixed on the bottom part of the 2nd cooling pipe accommodation groove part 49, for example using an adhesive agent. The second cooling pipe 48 is accommodated in the second cooling pipe accommodation groove 49 with the inner peripheral surface exposed, and in the accommodated state, the inner peripheral surface is the inner wall surface 47 of the outer component member 30. It is almost the same. The second cooling pipe 48 is made of a fluororesin (for example, PFA (Per Fluoro Alkoxy Fluoroplastics) resin), and is a cylindrical pipe having an outer diameter of 6 mm and a wall thickness of 1 mm.

第２冷却管４８の一端部には、第２冷却管４８に冷却水を供給するための第２冷却水供給管５０が接続されている。第２冷却管４８には、第２冷却水供給管５０から、たとえば、２０℃に温度調節された冷却水が供給される。第２冷却水供給管５０から第２冷却管４８の一端部に供給された冷却水は、第２冷却管４８の内部を流通して、第２冷却管４８の他端部に達する。第２冷却管４８の他端部には、第２冷却管４８の他端部に到達した冷却水を図外の冷却水回収設備へと導くための第２回収管５１が接続されており、第２冷却管３８を流通し終えた冷却水は、第２回収管５１を流通して回収される。 A second cooling water supply pipe 50 for supplying cooling water to the second cooling pipe 48 is connected to one end of the second cooling pipe 48. For example, cooling water whose temperature is adjusted to 20 ° C. is supplied to the second cooling pipe 48 from the second cooling water supply pipe 50. The cooling water supplied from the second cooling water supply pipe 50 to one end of the second cooling pipe 48 flows through the second cooling pipe 48 and reaches the other end of the second cooling pipe 48. Connected to the other end of the second cooling pipe 48 is a second recovery pipe 51 for guiding the cooling water reaching the other end of the second cooling pipe 48 to a cooling water recovery facility (not shown). The cooling water that has been distributed through the second cooling pipe 38 is recovered through the second recovery pipe 51.

また、処理カップ３は、内構成部材２０を昇降させるための第１昇降駆動機構３４と、外構成部材３０を昇降させるための第２昇降駆動機構３５とを備えている。
この基板処理装置により実施されるレジスト剥離処理は、ウエハＷの表面にＳＰＭ液を供給するＳＰＭ工程と、ＳＰＭ処理後のウエハＷにＤＩＷを供給してウエハＷに付着したＳＰＭ液を洗い流すリンス工程とを含む。 Further, the processing cup 3 includes a first elevating drive mechanism 34 for elevating the inner component member 20 and a second elevating drive mechanism 35 for elevating the outer component member 30.
The resist stripping process performed by the substrate processing apparatus includes an SPM process for supplying the SPM liquid to the surface of the wafer W, and a rinsing process for supplying DIW to the wafer W after the SPM process and washing away the SPM liquid adhering to the wafer W. Including.

ウエハＷの搬入前は、第１昇降駆動機構３４が駆動されて内構成部材２０が下方位置（図１に実線で示す状態）まで下げられているとともに、第２昇降駆動機構３５が駆動されて外構成部材３０が下方位置（図１に仮想線で示す状態）まで下げられている。
レジスト剥離処理に際しては、図示しない搬送ロボットによって、処理室内にイオン注入処理後のウエハＷが搬入されてくる。このウエハＷは、レジストをアッシング（灰化）するための処理を受けておらず、その表面にはレジストが存在している。 Before the loading of the wafer W, the first elevating drive mechanism 34 is driven to lower the internal component member 20 to the lower position (the state indicated by the solid line in FIG. 1), and the second elevating drive mechanism 35 is driven. The outer structural member 30 is lowered to a lower position (a state indicated by an imaginary line in FIG. 1).
During the resist stripping process, the wafer W after the ion implantation process is carried into the processing chamber by a transfer robot (not shown). This wafer W has not undergone a process for ashing the resist, and the resist is present on the surface thereof.

ウエハＷは、その表面を上方に向けて、スピンチャック２の上面に保持される。ウエハＷがスピンチャック２に保持された後、第２昇降駆動機構３５が駆動されて外構成部材３０が上方位置（図１に仮想線で示す状態）まで上げられる。これにより、内構成部材２０の案内部２４の上端部２４ａと、外構成部材３０の上端部３２との間に、ウエハＷの端面に対向する開口が形成される。 The wafer W is held on the upper surface of the spin chuck 2 with its surface facing upward. After the wafer W is held by the spin chuck 2, the second elevating drive mechanism 35 is driven to raise the outer component member 30 to the upper position (the state indicated by the phantom line in FIG. 1). As a result, an opening facing the end surface of the wafer W is formed between the upper end portion 24 a of the guide portion 24 of the inner component member 20 and the upper end portion 32 of the outer component member 30.

その後、モータ６が駆動されて、スピンチャック２が所定の回転速度で等速回転される。また、ＳＰＭノズル駆動機構１２が駆動されて、ＳＰＭノズル４がスピンチャック２の側方に設定された待機位置から、ウエハＷの上方に移動される。そして、ＳＰＭバルブ１４が開かれて、ＳＰＭノズル４から回転中のウエハＷの表面に向けてＳＰＭ液が供給される。 Thereafter, the motor 6 is driven and the spin chuck 2 is rotated at a constant speed at a predetermined rotation speed. Further, the SPM nozzle driving mechanism 12 is driven, and the SPM nozzle 4 is moved above the wafer W from the standby position set on the side of the spin chuck 2. Then, the SPM valve 14 is opened, and the SPM liquid is supplied from the SPM nozzle 4 toward the surface of the rotating wafer W.

このＳＰＭ工程においては、ＳＰＭノズル駆動機構１２が駆動されて、ＳＰＭアーム１０が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ＳＰＭノズル４からのＳＰＭ液が導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハＷの表面に供給されたＳＰＭ液は、ウエハＷの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハＷの表面に対するＳＰＭ液による処理が達成される。ＳＰＭ液は、ウエハＷの回転による遠心力により、ウエハＷの周縁から側方に向けて飛散する。 In this SPM process, the SPM nozzle drive mechanism 12 is driven, and the SPM arm 10 is swung within a predetermined angle range. Thereby, the supply position on the surface of the wafer W to which the SPM liquid from the SPM nozzle 4 is guided is in an arc shape intersecting with the rotation direction of the wafer W within a range from the rotation center of the wafer W to the periphery of the wafer W. Move back and forth while drawing a trajectory. Further, the SPM liquid supplied to the surface of the wafer W spreads over the entire surface of the wafer W. Thereby, the process by the SPM liquid with respect to the surface of the wafer W is achieved. The SPM liquid is scattered from the periphery of the wafer W to the side by centrifugal force generated by the rotation of the wafer W.

ウエハＷの周縁から飛散するＳＰＭ液は、内構成部材２０の案内部２４の上端部２４ａと外構成部材３０の上端部３２との間に飛入して、外構成部材３０の内側壁面４７および案内部２４の外側壁面３７に受け止められて捕獲される。
ＳＰＭ液は、案内部２４の外側壁面３７の着液位置に配置された第１冷却管３８に着液する。第１冷却管３８が円筒管からなるので、ＳＰＭ液は、第１冷却管３８の周面に着液する。このとき、案内部２４の外側壁面３７に捕獲されるＳＰＭ液と、第１冷却管３８の内部を流通する冷却水との間で熱交換が行われ、ＳＰＭ液から熱が奪われる。ＳＰＭ液が第１冷却管３８の周面に着液するので、ＳＰＭ液と第１冷却管３８との接触面積が比較的大きい。したがって、ＳＰＭ液をより効果的に冷却することができる。 The SPM liquid scattered from the periphery of the wafer W jumps between the upper end portion 24a of the guide portion 24 of the inner component member 20 and the upper end portion 32 of the outer component member 30, and the inner wall surface 47 of the outer component member 30 and It is received and captured by the outer wall surface 37 of the guide portion 24.
The SPM liquid is deposited on the first cooling pipe 38 disposed at the landing position on the outer wall surface 37 of the guide portion 24. Since the first cooling pipe 38 is a cylindrical pipe, the SPM liquid is deposited on the peripheral surface of the first cooling pipe 38. At this time, heat exchange is performed between the SPM liquid captured on the outer wall surface 37 of the guide portion 24 and the cooling water flowing through the first cooling pipe 38, and heat is taken away from the SPM liquid. Since the SPM liquid is deposited on the peripheral surface of the first cooling pipe 38, the contact area between the SPM liquid and the first cooling pipe 38 is relatively large. Therefore, the SPM liquid can be cooled more effectively.

そして、熱を奪われたＳＰＭ液が、第１冷却管３８の周面から案内部２４の外側壁面３７に移動し、この外側壁面３７を伝って流下して、外側廃液溝２６に集められる。第１冷却管３８の周面が案内部２４の外側壁面３７とほぼ面一であるので、第１冷却管３８の周面から案内部２４の外側壁面３７へとＳＰＭ液をスムーズに移動させることができる。
また、ＳＰＭ液は、外構成部材３０の内側壁面４７の着液位置に配置された第２冷却管４８に着液する。第２冷却管４８が円筒管からなるので、ＳＰＭ液は、第２冷却管４８の周面に着液する。このとき、外構成部材３０の内側壁面４７に捕獲されるＳＰＭ液と、第２冷却管４８の内部を流通する冷却水との間で熱交換が行われ、ＳＰＭ液から熱が奪われる。ＳＰＭ液が第２冷却管４８の周面に着液するので、ＳＰＭ液と第２冷却管４８との接触面積が比較的大きい。したがって、ＳＰＭ液をより効果的に冷却することができる。 Then, the SPM liquid deprived of heat moves from the peripheral surface of the first cooling pipe 38 to the outer wall surface 37 of the guide portion 24, flows down along the outer wall surface 37, and is collected in the outer waste liquid groove 26. Since the peripheral surface of the first cooling pipe 38 is substantially flush with the outer wall surface 37 of the guide part 24, the SPM liquid can be smoothly moved from the peripheral surface of the first cooling pipe 38 to the outer wall surface 37 of the guide part 24. Can do.
Further, the SPM liquid is deposited on the second cooling pipe 48 disposed at the liquid deposition position on the inner wall surface 47 of the outer component member 30. Since the second cooling pipe 48 is a cylindrical pipe, the SPM liquid is deposited on the peripheral surface of the second cooling pipe 48. At this time, heat is exchanged between the SPM liquid captured on the inner wall surface 47 of the outer component member 30 and the cooling water flowing through the second cooling pipe 48, and heat is taken away from the SPM liquid. Since the SPM liquid is deposited on the peripheral surface of the second cooling pipe 48, the contact area between the SPM liquid and the second cooling pipe 48 is relatively large. Therefore, the SPM liquid can be cooled more effectively.

そして、熱を奪われたＳＰＭ液が、第２冷却管４８の周面から外構成部材３０の内側壁面４７に移動し、この内側壁面４７を伝って流下して、外側廃液溝２６に集められる。第２冷却管４８の周面が外構成部材３０の内側壁面４７とほぼ面一であるので、第２冷却管４８の内側端部から外構成部材３０の内側壁面４７へとＳＰＭ液をスムーズに移動させることができる。外構成部材３０の内側壁面４７を伝って流下し、外側廃液溝２６に集められる。外側廃液溝２６に集められたＳＰＭ液は、第２廃液路２８を通して図示しない廃液設備に導かれる。 Then, the SPM liquid deprived of heat moves from the peripheral surface of the second cooling pipe 48 to the inner wall surface 47 of the outer component member 30, flows down along the inner wall surface 47, and is collected in the outer waste liquid groove 26. . Since the peripheral surface of the second cooling pipe 48 is substantially flush with the inner wall surface 47 of the outer component member 30, the SPM liquid can be smoothly transferred from the inner end portion of the second cooling pipe 48 to the inner wall surface 47 of the outer component member 30. Can be moved. It flows down along the inner wall surface 47 of the outer component member 30 and is collected in the outer waste liquid groove 26. The SPM liquid collected in the outer waste liquid groove 26 is guided to a waste liquid facility (not shown) through the second waste liquid path 28.

ウエハＷへのＳＰＭ液の供給が所定時間にわたって行われると、ＳＰＭバルブ１４が閉じられてＳＰＭノズル４からのＳＰＭ液の供給が停止される。そして、第１昇降駆動機構３４が駆動されて内構成部材３０が上方位置（図１に仮想線で示す状態）まで上げられて、内構成部材２０の案内部２４の上端部２４ａが、スピンチャック２に保持されたウエハＷよりも上方に配置される。 When the supply of the SPM liquid to the wafer W is performed for a predetermined time, the SPM valve 14 is closed and the supply of the SPM liquid from the SPM nozzle 4 is stopped. And the 1st raising / lowering drive mechanism 34 is driven, the internal structural member 30 is raised to an upper position (state shown by the virtual line in FIG. 1), and the upper end part 24a of the guide part 24 of the internal structural member 20 is spin chuck. 2 is disposed above the wafer W held on the substrate 2.

その後、ウエハＷ（スピンチャック２）の回転が継続されたまま、ＤＩＷバルブ１６が開かれる。これにより、回転中のウエハＷの表面の中央部に向けてＤＩＷノズル５からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面上に供給されたＤＩＷにより、ウエハＷの表面のＳＰＭ液が洗い流される。そして、ＳＰＭ液を含むＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力により、ウエハＷの周縁から側方に向けて飛散する。 Thereafter, the DIW valve 16 is opened while the rotation of the wafer W (spin chuck 2) is continued. Thereby, DIW is discharged from the DIW nozzle 5 toward the center of the surface of the rotating wafer W. With the DIW supplied onto the surface of the wafer W, the SPM liquid on the surface of the wafer W is washed away. Then, the DIW containing the SPM liquid is scattered from the peripheral edge of the wafer W toward the side due to the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W.

ウエハＷの周縁から飛散するＤＩＷ（ＳＰＭ液を含むＤＩＷ）は、内構成部材２０の案内部２４の内側壁面３６に捕獲され、内構成部材２０の案内部２４の内側壁面３６を伝って流下し、内側廃液溝２５に集められ、第１廃液路２７を通して図示しない廃液設備に導かれる。このとき、内構成部材２０の案内部２４の上端部２４ａおよび外構成部材３０の上端部３２がごく微小な隙間を保った状態で近接し、さらに、外構成部材３０の折返し部３３が内構成部材２０の案内部２４の上端部２４ａと水平方向において重なる。したがって、案内部２４と外構成部材３０との間へのＤＩＷの進入が防止される。これにより、ＳＰＭ液とＤＩＷとの混触を防止することができる。 DIW (DIW containing SPM liquid) scattered from the periphery of the wafer W is captured by the inner wall surface 36 of the guide portion 24 of the inner component member 20 and flows down along the inner wall surface 36 of the guide portion 24 of the inner component member 20. The liquid is collected in the inner waste liquid groove 25 and led to a waste liquid facility (not shown) through the first waste liquid path 27. At this time, the upper end portion 24a of the guide portion 24 of the inner component member 20 and the upper end portion 32 of the outer component member 30 are close to each other with a very small gap therebetween, and further, the folded portion 33 of the outer component member 30 is the inner component. It overlaps with the upper end part 24a of the guide part 24 of the member 20 in a horizontal direction. Accordingly, the DIW is prevented from entering between the guide unit 24 and the outer component member 30. Thereby, the contact with SPM liquid and DIW can be prevented.

ウエハＷへの純水の供給が所定時間にわたって行われると、ＤＩＷバルブ１６が閉じられて、ＤＩＷノズル５からのＤＩＷの供給が停止される。そして、第１昇降駆動機構３４が駆動されて内構成部材２０が下方位置（図１に実線で示す状態）まで下げられるとともに、第２昇降駆動機構３５が駆動されて外構成部材３０が下方位置（図１に仮想線で示す状態）まで下げられる。その後、ウエハＷ（スピンチャック２）の回転速度が予め定める高回転速度に上げられて、リンス工程後のウエハＷの表面に付着しているリンス液を遠心力で振り切って乾燥させる乾燥工程が所定時間にわたって行われる。乾燥工程が終了すると、スピンチャック２によるウエハＷの回転が止められて、スピンチャック２から処理後のウエハＷが搬出されていく。 When the pure water is supplied to the wafer W over a predetermined time, the DIW valve 16 is closed and the supply of DIW from the DIW nozzle 5 is stopped. Then, the first elevating drive mechanism 34 is driven to lower the inner component member 20 to the lower position (the state indicated by the solid line in FIG. 1), and the second elevating drive mechanism 35 is driven to move the outer component member 30 to the lower position. (The state indicated by the phantom line in FIG. 1). Thereafter, the rotation speed of the wafer W (spin chuck 2) is increased to a predetermined high rotation speed, and a drying process is performed in which the rinsing liquid adhering to the surface of the wafer W after the rinsing process is spun off with a centrifugal force and dried. Done over time. When the drying process is completed, the rotation of the wafer W by the spin chuck 2 is stopped, and the processed wafer W is unloaded from the spin chuck 2.

以上により、この実施形態によれば、ウエハＷから飛散した高温のＳＰＭ液は、第１冷却管３８に着液して、第１冷却管３８によって冷却される。そして、第１冷却管３８によって熱を奪われたＳＰＭ液が、案内部２４の外側壁面３７を流下し、廃液される。このため、着液位置付近の案内部２４における温度上昇を抑えることができる。これにより、案内部２４（内構成部材２０）の変形を防止することができる。 As described above, according to this embodiment, the high-temperature SPM liquid scattered from the wafer W reaches the first cooling pipe 38 and is cooled by the first cooling pipe 38. Then, the SPM liquid deprived of heat by the first cooling pipe 38 flows down the outer wall surface 37 of the guide portion 24 and is discarded. For this reason, the temperature rise in the guide part 24 near the liquid landing position can be suppressed. Thereby, a deformation | transformation of the guide part 24 (internal component member 20) can be prevented.

また、ウエハＷから飛散した高温のＳＰＭ液は、第２冷却管４８に着液して、第２冷却管４８によって冷却される。そして、第２冷却管４８によって熱を奪われたＳＰＭ液が、外構成部材３０の内側壁面４７を流下し、廃液される。このため、着液位置付近の外構成部材３０における温度上昇を抑えることができる。これにより、外構成部材３０の変形を防止することができる。 Further, the high-temperature SPM liquid scattered from the wafer W reaches the second cooling pipe 48 and is cooled by the second cooling pipe 48. Then, the SPM liquid deprived of heat by the second cooling pipe 48 flows down the inner wall surface 47 of the outer component member 30 and is discarded. For this reason, the temperature rise in the outer component 30 near the liquid landing position can be suppressed. Thereby, a deformation | transformation of the outer structural member 30 can be prevented.

したがって、処理カップ３の変形を防止しつつ、高温（約２００℃）のＳＰＭ液を用いたレジスト剥離処理をウエハＷに施すことができる。ゆえに、ウエハＷの表面に形成されているレジストを良好に剥離することができる。
また、螺旋形状に形成された第１冷却管３８が、案内部２４の外側壁面３７の着液位置に配置されているので、外側壁面３７における全周の着液位置でＳＰＭ液を冷却することができる。これにより、着液位置付近の案内部２４における温度上昇を、案内部２４の全周にわたって抑えることができる。 Accordingly, the wafer W can be subjected to a resist stripping process using a high-temperature (about 200 ° C.) SPM solution while preventing the processing cup 3 from being deformed. Therefore, the resist formed on the surface of the wafer W can be peeled off satisfactorily.
In addition, since the first cooling pipe 38 formed in a spiral shape is disposed at the liquid deposition position on the outer wall surface 37 of the guide portion 24, the SPM liquid is cooled at the liquid deposition position on the entire circumference of the outer wall surface 37. Can do. Thereby, the temperature rise in the guide part 24 near the liquid landing position can be suppressed over the entire circumference of the guide part 24.

さらに、螺旋形状に形成された第２冷却管４８が、外構成部材３０の内側壁面４７の着液位置に配置されているので、内側壁面４７における全周の着液位置でＳＰＭ液を冷却することができる。これにより、着液位置付近の案内部２４における温度上昇を、案内部２４の全周にわたって抑えることができる。
また、第１冷却管３８および第２冷却管４８が、それぞれ、案内部２４の外側壁面３７および外構成部材３０の内側壁面４７に露出して配置されているので、ウエハＷから飛散したＳＰＭ液は、第１冷却管３８および第２冷却管４８に着液し、第１冷却管３８および第２冷却管４８により冷却される。そのため、ＳＰＭ液を直ちに冷却することができる。さらに、案内部２４および外構成部材３０に、ＳＰＭ液が直接着液しないので、案内部２４および外構成部材３０にダメージを与えることがほとんどない。 Furthermore, since the second cooling pipe 48 formed in a spiral shape is disposed at the liquid landing position on the inner wall surface 47 of the outer component member 30, the SPM liquid is cooled at the liquid landing positions on the entire inner wall surface 47. be able to. Thereby, the temperature rise in the guide part 24 near the liquid landing position can be suppressed over the entire circumference of the guide part 24.
In addition, since the first cooling pipe 38 and the second cooling pipe 48 are disposed so as to be exposed on the outer wall surface 37 of the guide portion 24 and the inner wall surface 47 of the outer component member 30, respectively, the SPM liquid scattered from the wafer W is disposed. Reaches the first cooling pipe 38 and the second cooling pipe 48 and is cooled by the first cooling pipe 38 and the second cooling pipe 48. Therefore, the SPM liquid can be immediately cooled. Further, since the SPM liquid does not directly land on the guide portion 24 and the outer component member 30, the guide portion 24 and the outer component member 30 are hardly damaged.

さらにまた、第１冷却管３８および第２冷却管４８が、それぞれ円筒管からなるので、ＳＰＭ液と第１冷却管３８および第２冷却管４８との接触面積が比較的大きい。したがって、ＳＰＭ液をより効果的に冷却することができる。
したがって、内構成部材２０および外構成部材３０の変形を、より一層防止することができる。 Furthermore, since the first cooling pipe 38 and the second cooling pipe 48 are respectively cylindrical tubes, the contact area between the SPM liquid and the first cooling pipe 38 and the second cooling pipe 48 is relatively large. Therefore, the SPM liquid can be cooled more effectively.
Therefore, deformation of the inner component member 20 and the outer component member 30 can be further prevented.

図３は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の要部構成を示す断面図である。この図３において、前述の実施形態で示された各部に対応する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
前述の実施形態では、案内部２４の外側壁面３７および外構成部材３０の内側壁面４７に、それぞれ、露出して配置される第１冷却管３８および第２冷却管４８を例にとって説明したが、この実施形態では、第１冷却管３８および第２冷却管４８に代えて、案内部２４および外構成部材３０の内部に配置される第３冷却管６１および第４冷却管６２を設けている。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing the main configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In FIG. 3, portions corresponding to the respective portions shown in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1, and description thereof is omitted.
In the above-described embodiment, the first cooling pipe 38 and the second cooling pipe 48 that are disposed to be exposed on the outer wall surface 37 of the guide portion 24 and the inner wall surface 47 of the outer component member 30 have been described as examples. In this embodiment, instead of the first cooling pipe 38 and the second cooling pipe 48, a third cooling pipe 61 and a fourth cooling pipe 62 that are disposed inside the guide portion 24 and the outer structural member 30 are provided.

案内部２４の内部には、外側壁面３７におけるＳＰＭ液の着液位置（図中に×印で示す。）の近傍位置に（着液位置よりも、ウエハＷの回転半径方向の内方位置に）、着液位置付近の案内部２４を冷却するための第３冷却管６１が配設されている。第３冷却管６１は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。第３冷却管６１は、フッ素系樹脂（たとえば、ＰＦＡ（Per Fluoro Alkoxy Fluoroplastics）樹脂）製であり、外径６ｍｍ、肉厚１ｍｍの円筒管である。第３冷却管６１の一端部には、前述の第１冷却水供給管４０が接続されており、第３冷却管６１の他端部には、前述の第１回収管４１が接続されている。第１冷却水供給管４０から第３冷却管６１の一端部に供給された冷却水は、第３冷却管６１の内部を流通して、第３冷却管６１の他端部から、第１回収管４１を通して回収される。 Inside the guide portion 24, it is located at a position in the vicinity of the SPM liquid landing position (indicated by x in the figure) on the outer wall surface 37 (in the inner position in the rotational radius direction of the wafer W from the liquid landing position). ), A third cooling pipe 61 for cooling the guide portion 24 near the liquid landing position is provided. The third cooling pipe 61 is formed in a spiral shape with the rotation axis C as the central axis. The third cooling pipe 61 is made of a fluorine-based resin (for example, PFA (Per Fluoro Alkoxy Fluoroplastics) resin), and is a cylindrical pipe having an outer diameter of 6 mm and a wall thickness of 1 mm. The first cooling water supply pipe 40 is connected to one end of the third cooling pipe 61, and the first recovery pipe 41 is connected to the other end of the third cooling pipe 61. . The cooling water supplied from the first cooling water supply pipe 40 to the one end portion of the third cooling pipe 61 flows through the inside of the third cooling pipe 61, and is first recovered from the other end portion of the third cooling pipe 61. It is collected through the tube 41.

外構成部材３０の内部には、内側壁面４７におけるＳＰＭ液の着液位置（図中に×印で示す。）の近傍に（着液位置よりも、ウエハＷの回転半径方向の外方位置に）、着液位置付近の外構成部材３０を冷却するための第４冷却管６２が配設されている。第４冷却管６２は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。第４冷却管６２は、フッ素系樹脂（たとえば、ＰＦＡ（Per Fluoro Alkoxy Fluoroplastics）樹脂）製であり、外径６ｍｍ、肉厚１ｍｍの円筒管である。第４冷却管６２の一端部には、前述の第２冷却水供給管５０が接続されており、第４冷却管６２の他端部には、前述の第２回収管５１が接続されている。第２冷却水供給管５０から第４冷却管６２の一端部に供給された冷却水は、第４冷却管６２の内部を流通して、第４冷却管６２の他端部から、第２回収管５１を通して回収される。 Inside the outer component member 30, in the vicinity of the SPM liquid landing position (indicated by x in the drawing) on the inner wall surface 47 (at an outer position in the rotational radius direction of the wafer W than the liquid landing position). ), A fourth cooling pipe 62 for cooling the outer constituent member 30 in the vicinity of the landing position is provided. The fourth cooling pipe 62 is formed in a spiral shape with the rotation axis C as the central axis. The fourth cooling pipe 62 is made of a fluorine-based resin (for example, PFA (Per Fluoro Alkoxy Fluoroplastics) resin), and is a cylindrical pipe having an outer diameter of 6 mm and a wall thickness of 1 mm. The aforementioned second cooling water supply pipe 50 is connected to one end of the fourth cooling pipe 62, and the aforementioned second recovery pipe 51 is connected to the other end of the fourth cooling pipe 62. . The cooling water supplied from the second cooling water supply pipe 50 to one end portion of the fourth cooling pipe 62 flows through the inside of the fourth cooling pipe 62 and is recovered from the other end portion of the fourth cooling pipe 62. It is collected through the tube 51.

ＳＰＭ工程においては、ＳＰＭ液は、ウエハＷの回転による遠心力により、ウエハＷの周縁から側方に向けて飛散する。
ウエハＷの周縁から飛散するＳＰＭ液は、内構成部材２０の案内部２４の上端部２４ａと外構成部材３０の上端部３２との間に飛入して、外構成部材３０の内側壁面４７および案内部２４の外側壁面３７に受け止められて捕獲される。このとき、案内部２４の外側壁面３７の着液位置に着液する高温のＳＰＭ液と、着液位置付近の案内部２４との間で熱交換が行われ、ＳＰＭ液から熱が奪われるとともに、着液位置付近の案内部２４に熱が与えられる。同時に、着液位置付近の案内部２４と、第３冷却管６１の内部を流通する冷却水との間で熱交換が行われ、着液位置付近の案内部２４から熱が奪われる。このため、着液位置付近の案内部２４における温度上昇を抑えることができる。そして、熱を奪われたＳＰＭ液が、案内部２４の外側壁面３７を伝って流下して、外側廃液溝２６（図１参照。）に集められる。 In the SPM process, the SPM liquid is scattered from the peripheral edge of the wafer W toward the side due to the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W.
The SPM liquid scattered from the periphery of the wafer W jumps between the upper end portion 24a of the guide portion 24 of the inner component member 20 and the upper end portion 32 of the outer component member 30, and the inner wall surface 47 of the outer component member 30 and It is received and captured by the outer wall surface 37 of the guide portion 24. At this time, heat is exchanged between the high-temperature SPM liquid that is deposited on the liquid deposition position on the outer wall surface 37 of the guide section 24 and the guide section 24 near the liquid deposition position, and heat is taken away from the SPM liquid. Then, heat is applied to the guide portion 24 near the liquid landing position. At the same time, heat is exchanged between the guide portion 24 near the liquid landing position and the cooling water flowing through the third cooling pipe 61, and heat is taken from the guide portion 24 near the liquid landing position. For this reason, the temperature rise in the guide part 24 near the liquid landing position can be suppressed. Then, the SPM liquid deprived of heat flows down the outer wall surface 37 of the guide portion 24 and is collected in the outer waste liquid groove 26 (see FIG. 1).

また、外構成部材３０の内側壁面４７の着液位置に着液する高温のＳＰＭ液と、着液位置付近の外構成部材３０との間で熱交換が行われ、ＳＰＭ液から熱が奪われるとともに、着液位置付近の外構成部材３０に熱が与えられる。同時に、着液位置付近の外構成部材３０と、第４冷却管６２の内部を流通する冷却水との間で熱交換が行われ、着液位置付近の外構成部材３０から熱が奪われる。このため、着液位置付近の外構成部材３０における温度上昇を抑えることができる。そして、熱を奪われたＳＰＭ液が、外構成部材３０の内側壁面４７を伝って流下して、外側廃液溝２６（図１参照。）に集められる。 In addition, heat exchange is performed between the high-temperature SPM liquid that is deposited on the liquid deposition position on the inner wall surface 47 of the outer structural member 30 and the outer structural member 30 in the vicinity of the liquid deposition position, and heat is removed from the SPM liquid. At the same time, heat is applied to the outer component member 30 near the landing position. At the same time, heat exchange is performed between the outer structural member 30 near the liquid landing position and the cooling water flowing through the fourth cooling pipe 62, and heat is taken away from the outer structural member 30 near the liquid landing position. For this reason, the temperature rise in the outer component 30 near the liquid landing position can be suppressed. Then, the SPM liquid deprived of heat flows down along the inner wall surface 47 of the outer component member 30 and is collected in the outer waste liquid groove 26 (see FIG. 1).

以上により、この実施形態では、着液位置付近の案内部２４および着液位置付近の外構成部材３０には、高温のＳＰＭ液から熱が与えられ、一方で、第３冷却管６１および第４冷却管６２は、着液位置付近の案内部２４および着液位置付近の外構成部材３０から熱を奪う。このため、着液位置付近の案内部２４および着液位置付近の外構成部材３０における温度上昇を抑えることができる。これにより、内構成部材２０および外構成部材３０の変形をそれぞれ防止することができる。 As described above, in this embodiment, heat is applied from the high-temperature SPM liquid to the guide portion 24 near the liquid landing position and the outer structural member 30 near the liquid landing position, while the third cooling pipe 61 and the fourth The cooling pipe 62 removes heat from the guide portion 24 near the liquid landing position and the outer structural member 30 near the liquid landing position. For this reason, the temperature rise in the guide part 24 near the liquid landing position and the outer structural member 30 near the liquid landing position can be suppressed. Thereby, the deformation | transformation of the internal structural member 20 and the external structural member 30 can be prevented, respectively.

以上、本発明の２つの実施形態を説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前記の各実施形態では、内構成部材２０および外構成部材３０の双方に冷却管３８，４８，６１，６２を設ける構成について説明したが、冷却管は、ウエハＷからのＳＰＭ液が着液する側の構成部材にだけ設けられていればよい。したがって、たとえば、ウエハＷから飛散する高温のＳＰＭ液が、外構成部材３０の内側壁面４７にだけ着液し、案内部２４の外側壁面３７に着液しない場合には、外構成部材３０にだけ冷却管３８，６１が設けられていればよい。また、たとえば、ウエハＷから飛散する高温のＳＰＭ液が、案内部２４の外側壁面３７にだけ着液し、外構成部材３０の内側壁面４７に着液しない場合には、内構成部材２０にだけ冷却管が設けられていればよい。 As mentioned above, although two embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
For example, in each of the embodiments described above, the configuration in which the cooling pipes 38, 48, 61, 62 are provided on both the inner structural member 20 and the outer structural member 30 has been described. It suffices to be provided only on the component on the liquid side. Therefore, for example, when the high-temperature SPM liquid scattered from the wafer W is deposited only on the inner wall surface 47 of the outer component member 30 and is not deposited on the outer wall surface 37 of the guide portion 24, only the outer component member 30 is deposited. The cooling pipes 38 and 61 should just be provided. Further, for example, when the high-temperature SPM liquid scattered from the wafer W is deposited only on the outer wall surface 37 of the guide portion 24 and does not land on the inner wall surface 47 of the outer component member 30, it is only applied to the inner component member 20. A cooling pipe may be provided.

第１〜第４冷却管３８，４８，６１，６２の内部に冷却水を流通させるとして説明したが、第１〜第４冷却管３８，４８，６１，６２の内部に、冷却水に代えて他の低温の液体を流通させてもよいし、Ｎ₂ガスや空気のような気体を流通させてもよい。
また、第１〜第４冷却管３８，４８，６１，６２の内部に液体または気体を流通させない構成であってもよい。管状に形成されている第１〜第４冷却管３８，４８，６１，６２は、それぞれ放熱効果を有している。その放熱効果によって、ＳＰＭ液や、着液位置付近の案内部２４および外構成部材３０を、冷却することができる。 Although it demonstrated that cooling water was distribute | circulated inside the 1st-4th cooling pipe 38,48,61,62, it replaced with a cooling water inside the 1st-4th cooling pipe 38,48,61,62. Another low-temperature liquid may be circulated, or a gas such as N ₂ gas or air may be circulated.
Moreover, the structure which does not distribute | circulate a liquid or gas inside the 1st-4th cooling pipe 38,48,61,62 may be sufficient. The first to fourth cooling pipes 38, 48, 61, 62 formed in a tubular shape have a heat dissipation effect. Due to the heat dissipation effect, the SPM liquid, the guide portion 24 near the landing position, and the outer component member 30 can be cooled.

冷却管の内部に液体または気体を流通させない場合には、冷却管が、案内部２４の外側壁面３７の着液位置および外構成部材３０の内側壁面４７の着液位置の少なくとも一方に露出して配置されていることが好ましい。この場合、ＳＰＭ液の熱を冷却管によって直接逃がすことができるので、ＳＰＭ液をより良好に冷却することができる。
さらに、処理カップ３は、内構成部材２０の案内部２４と、外構成部材３０とが互いに独立して昇降可能な構成を例にとって説明したが、案内部が、内構成部材（有底円筒容器状の下容器）２０とは別体に設けられて、外構成部材３０と一体的に構成されていてもよい。また、内構成部材（有底円筒容器状の下容器）２０と外構成部材３０とが一体化されて、案内部だけが、その内構成部材２０および外構成部材３０に対して昇降可能な構成であってもよい。 When liquid or gas is not circulated inside the cooling pipe, the cooling pipe is exposed to at least one of the liquid landing position on the outer wall surface 37 of the guide portion 24 and the liquid landing position on the inner wall surface 47 of the outer component member 30. It is preferable that they are arranged. In this case, since the heat of the SPM liquid can be directly released by the cooling pipe, the SPM liquid can be cooled more favorably.
Further, the processing cup 3 has been described by taking as an example a configuration in which the guide portion 24 of the inner component member 20 and the outer component member 30 can be raised and lowered independently of each other. It may be provided separately from the lower container 20) and may be configured integrally with the outer component member 30. Further, the inner component member (lower container with a bottomed cylindrical container) 20 and the outer component member 30 are integrated, and only the guide portion can be raised and lowered with respect to the inner component member 20 and the outer component member 30. It may be.

また、前記の実施形態では、レジスト剥離液としてＳＰＭ液を例示したが、ＳＰＭ液以外の高温液に代えられる。たとえば硫酸とオゾン水との混合液を用いることもできる。また、基板処理装置の処理に用いられる処理液はレジスト剥離液に限られない。処理液として、たとえば窒化膜用のエッチング液としての熱燐酸等を例示することができる。
さらに、螺旋形状に形成された第１〜第４冷却管３８，４８，６１，６２を用いる構成について説明したが、第１〜第４冷却管３８，４８，６１，６２の形状は螺旋形状に限られない。たとえば、回転軸線Ｃを中心とする管状の円筒管を、回転軸線Ｃに沿う方向に複数個配置した構成であってもよい。 In the above-described embodiment, the SPM liquid is exemplified as the resist stripping liquid. For example, a mixed solution of sulfuric acid and ozone water can be used. Further, the processing liquid used for the processing of the substrate processing apparatus is not limited to the resist stripping liquid. Examples of the treatment liquid include hot phosphoric acid as an etching liquid for a nitride film.
Furthermore, although the structure using the 1st-4th cooling pipes 38, 48, 61, 62 formed in the spiral shape was demonstrated, the shape of the 1st-4th cooling pipes 38, 48, 61, 62 was a spiral shape. Not limited. For example, a configuration may be adopted in which a plurality of tubular cylindrical tubes centering on the rotation axis C are arranged in a direction along the rotation axis C.

また、第１冷却管３８および第２冷却管４８が、それぞれ、第１冷却管収容溝部３９および第２冷却管収容溝部３９に収容されている構成を例示したが、案内部２４の外側壁面３７の平坦面上、および、外構成部材の内側壁面４７の平坦面上に、それぞれ、第１冷却管３８および第２冷却管４８が配置されていてもよい。
さらにまた、冷却管３８，４８，６１，６２以外に、案内部２４や外構成部材３０に冷却水が流通することのできる空洞部を設けて、処理液や着液位置付近の案内部２４、外構成部材３０を冷却することができる。 Moreover, although the 1st cooling pipe 38 and the 2nd cooling pipe 48 illustrated the structure accommodated in the 1st cooling pipe accommodation groove part 39 and the 2nd cooling pipe accommodation groove part 39, respectively, the outer side wall surface 37 of the guide part 24 is shown. The first cooling pipe 38 and the second cooling pipe 48 may be disposed on the flat surface and the flat surface of the inner wall surface 47 of the outer component member, respectively.
Furthermore, in addition to the cooling pipes 38, 48, 61, 62, a hollow part through which cooling water can flow is provided in the guide part 24 and the outer component member 30, so that the guide part 24 in the vicinity of the processing liquid and the landing position, The outer component member 30 can be cooled.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。It is sectional drawing seen from the cut surface line AA of FIG. この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の要部構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part structure of the substrate processing apparatus which concerns on other embodiment of this invention.

Explanation of symbols

２スピンチャック（基板回転手段）
３処理カップ
４ＳＰＭノズル（レジスト剥離液供給手段）
２４案内部（処理液捕獲部材）
３０外構成部材（処理液捕獲部材）
３７外側壁面
３８第１冷却管
３９第１冷却管収容溝部（溝部）
４０第１冷却水供給管（低温流体供給手段）
４７内側壁面
４８第２冷却管
４９第２冷却管収容溝部（溝部）
５０第２冷却水供給管（低温流体供給手段）
６１第３冷却管
６２第４冷却管
Ｃ回転軸線
Ｗウエハ（基板） 2 Spin chuck (substrate rotation means)
3 processing cup 4 SPM nozzle (resist stripping solution supply means)
24 Guide part (Treatment liquid capture member)
30 Outer component (treatment liquid capture member)
37 outer wall surface 38 first cooling pipe 39 first cooling pipe housing groove (groove)
40 1st cooling water supply pipe (low temperature fluid supply means)
47 Inner wall surface 48 Second cooling pipe 49 Second cooling pipe housing groove (groove)
50 Second cooling water supply pipe (low temperature fluid supply means)
61 3rd cooling pipe 62 4th cooling pipe C Axis of rotation W Wafer (substrate)

Claims

Substrate rotating means for rotating while holding the substrate;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid at a temperature higher than room temperature to the substrate rotated by the substrate rotation means;
A processing liquid capturing member having a wall surface that receives and captures the processing liquid scattered from the substrate, and is formed so as to surround the rotation axis of the substrate by the substrate rotating means;
A substrate processing apparatus, comprising: a processing liquid capturing member in the vicinity of a liquid deposition position where a processing liquid from the substrate is deposited on the wall surface; and a cooling means for cooling at least one of the processing liquids deposited on the wall surface. .

The wall surface is formed in a rotationally symmetric shape around the rotation axis of the substrate by the substrate rotating means,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cooling unit includes a spiral cooling pipe having the rotation axis as a central axis.

The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a low-temperature fluid supply unit that supplies a fluid having a temperature lower than that of the processing liquid from the processing liquid supply unit to the cooling pipe.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cooling unit is exposed and disposed at the liquid landing position on the wall surface of the processing liquid capturing member.

A groove is formed at the liquid landing position on the wall surface of the processing liquid capturing member,
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the cooling unit is accommodated in the groove.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cooling unit is disposed in the vicinity of the liquid landing position inside the processing liquid capturing member.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid supply unit includes a resist stripping liquid supply unit that supplies a resist stripping liquid for stripping the resist to the surface of the substrate.