JP2009043315A - 光記録再生装置及び信号検出方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】多層型の光ディスクより反射した光ビームの迷光成分による影響を抑える。
【解決手段】複数の記録層を有する光記録媒体に対して情報信号の記録及び/又は再生を行う光記録再生装置において、複数の記録層の一に焦点を合わせてレーザ光を照射する発光素子と、複数の記録層からの戻り光を受光する複数の受光素子25a,25bと、複数の受光素子25a,25bのうち、焦点を合わせた記録層以外の記録層で反射された迷光成分の入射量が少ない受光素子を判別する判別手段41と、判別手段41の判別結果に応じて複数の受光素子25a,25bのいずれか一を選択する選択手段40とを備える。
【選択図】図4

Description

本発明は、光記録再生装置及び光記録再生装置における信号検出方法に関する。
一般に、CD、DVD、BD等の光学的に情報を記録する光記録媒体(以下、光ディスクとも称する)に記録された情報の読み取り(再生)、あるいはこれらに情報の書き込み(記録)を行う装置には、光ピックアップ装置が内蔵されている。
図16は従来の光ピックアップ装置の概略構成図である。光ピックアップ装置100は、それぞれ個々に、すなわちディスクリートに構成された、例えば発光素子としてレーザ光を出射するレーザダイオード101、回折格子102、ビームスプリッタ103、対物レンズ104および例えばフォトダイオードからなる受光素子105がそれぞれ所定の位置に配設されることにより構成される。上記構成の光ピックアップ装置100では、レーザダイオード101からのレーザ光Lが、回折格子102を通過して回折し、3本のレーザ光に分割される(図16においては1本のレーザ光のみを示している)。各レーザ光は、ビームスプリッタ103によって反射され、対物レンズ104により光ディスク106上に集光される。そして、光ディスク106からの反射光が、対物レンズ104を介して、ビームスプリッタ103を透過して受光素子105上に投光される。受光素子105においては、レーザ光のスポット径、位置変化等を検出し、トラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FE、および光ディスク106に記録された情報信号RFの読み取りが行われる。
また、図16に示すような光ピックアップ装置100は、複数の部品の組立品からなるため、構成部品点数が多くなり、装置全体としてサイズの縮小化を図ることが困難であり、また、部品の単価、組み立て調整の関係等で、コスト低減を図ることが困難であることから、近年、光ピックアップ装置の小型化、及びコストの低減化を図るために、ハイブリット構成の光ピックアップ装置を可能とする、いわゆるレーザカプラと呼ばれる半導体集積発光素子が提供されている。
図17(a)は上記のレーザカプラのパッケージ形態の概略構成を示す斜視図であり、図17(b)は上記レーザカプラの斜視図である。図17(a),(b)に示すレーザカプラ110においては、例えば、シリコンからなる集積回路基板111上に、シリコンブロック113が配置され、さらに、このシリコンブロック113上に、レーザダイオード114が配置されている。また集積回路基板111には、例えばフォトダイオードからなるそれぞれ4分割構成を有する2組の受光素子115a,115bが形成され、この受光素子115a,115b上に、プリズム116が搭載されて、全体として、一体化されたレーザカプラ110を構成している。
レーザカプラ110は、図17(a)および図18(a)に示すように、例えばセラミックを母材とした偏平な第1パッケージ117に収納されている。第1パッケージ117は、その上面が開口した箱型をしており、開口部は透明板ガラスなどの第2パッケージ118により封止されている。
図17(a),(b),および図18(a)に示したレーザカプラ110では、レーザダイオード114から出射されたレーザ光Lは、プリズム116の斜面116aで反射し、パッケージ117の透明板ガラスなどの第2のパッケージ118を透過して、図示しない対物レンズにより光ディスク上に集光され、この光ディスクから反射したレーザ光Lが、プリズム116内に入り、プリズム116の上面に焦点を結んで、各受光素子115a,115bに図18(b)に示すようなレーザ光のスポットS1およびS2として入射する。
受光素子115a,115bにおいては、レーザ光のスポット径、位置変化等を検出し、トラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FE、および光ディスクに記録された情報信号RFの読み取りが行われる。
レーザカプラ110は、受光素子と発光素子とを一体的に構成としたこと、及び第1,第2のパッケージ117,118内に収納したことによって、光ピックアップ装置100のサイズの縮小化および各部品間の相対位置精度の向上を図ることができる。
特開2003−323736号公報
ところで、多層型の光ディスクは、例えば図19に概略を示すような積層構造となっている。この例は、DVD再生専用ディスクであって片面に記録層を2層形成した例で、基板120上に第1の記録層122が形成されており、その上に、接合層124を介して第2の記録層126が形成されている。第2の記録層126上には、保護層128が形成されている。光ピックアップ装置100からのレーザ光は、基板120側から第1の記録層122あるいは第2の記録層126に入射する。
このような多層型の光ディスクに対して、上述した光ピックアップ装置100によりレーザ光を照射し情報信号の読み取りを行うと、レーザ光入射側のディスク表面から各記録層122,126に至る厚みが異なるため、球面収差が発生して第1、第2の受光素子115a,115bの検出信号が劣化してしまう。また、目的とする記録層以外の記録層からの戻り光が、迷光となって目的とする記録層からの戻り光に混じって各受光素子115a,115bに入射する層間クロストークが発生し、これも検出信号の劣化の要因となり、安定性について十分なマージンが取れない可能性がある。
さらに、近年の多層型の光ディスクにおいては、各記録層122,126の層間距離が狭小化していること、及びピックアップベースの小型化、薄型化に伴い、光ピックアップ装置100の薄型化が図られ、ピックアップ光学系の光路長も短小化されていることから、迷光成分が信号検出に与える影響も大きくなっている。
ここで、かかる迷光成分による影響を除去するために、ピックアップ光学系内にピンホールを配設する方法が提案されている(特許文献1)。しかし、光学系内にピンホールを配設することは光路長の短小化を阻害しかねず、また、レーザカプラを用いた光学系においては、パッケージ内にピンホールを設けることは困難である。
そこで、本発明は、多層型の光ディスクより反射した光ビームの迷光成分による影響を抑えることができる光記録再生装置及び信号検出方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明に係る光記録再生装置は、複数の記録層を有する光記録媒体に対して情報信号の記録及び/又は再生を行う光記録再生装置において、上記複数の記録層の一に焦点を合わせてレーザ光を照射する発光素子と、上記複数の記録層からの戻り光を受光する複数の受光素子と、上記複数の受光素子のうち、上記焦点を合わせた記録層以外の記録層で反射された迷光成分の入射量が少ない受光素子を判別する判別手段と、上記判別手段の判別結果に応じて上記複数の受光素子のいずれか一を選択する選択手段とを備えるものである。
また、本発明に係る信号検出方法は、複数の記録層を有する光記録媒体の上記記録層の一に焦点を合わせてレーザ光を照射し、上記光記録媒体からの戻り光を複数の受光素子で受光し、上記複数の受光素子のうち、上記焦点を合わせた記録層以外の記録層で反射された迷光成分の入射量が少ない受光素子を判別し、判別結果に応じて上記複数の受光素子のいずれか一を選択するものである。
本発明に係る光記録再生装置及び信号検出方法によれば、焦点を合わせた記録層以外の記録層で反射された迷光成分の入射量が少ない受光素子を判別し、この受光素子を選択するように切り替えるため、迷光成分のよりすくない受光素子によって情報信号RFを生成することができ、信号検出の信頼性を向上させることができる。
以下、本発明に係る光記録再生装置及び信号検出方法が適用された光ディスク装置1について、図面を参照しながら詳細に説明する。この光ディスク装置1は、図1に示すように、光ディスク2に対して情報信号の記録及び/又は再生を行う記録再生装置である。
この光ディスク装置1で記録及び/又は再生を行う光ディスク2として、例えば、CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)、情報の追記が可能とされるCD−R(Recordable)及びDVD−R(Recordable)、情報の書換えが可能とされるCD−RW(ReWritable)、DVD−RW(ReWritable)、DVD+RW(ReWritable)等の光ディスクや、さらに発光波長が短い405nm程度(青紫色)の半導体レーザを用いた高密度記録が可能な光ディスクや、光磁気ディスク等が用いられる。
光ディスク装置1は、図1に示すように、光ディスク2を回転駆動する駆動手段としてのスピンドルモータ3と、光ディスク2に対して情報信号の記録及び/又は再生を行う光ピックアップ装置4と、光ピックアップ装置4を光ディスク2の半径方向に移動させる駆動手段としての送りモータ5とを備えている。ここで、スピンドルモータ3は、システムコントローラ7及び制御回路部9により所定の回転数で駆動するように制御されている。
図2に示すように、光ピックアップ装置4は、光ディスク2に対して所定の波長の光ビームを出射する発光素子と光ディスク2の信号記録面から反射される戻り光を検出する受光素子としてのフォトダイオードとが一対の光学ブロックとしてパッケージ封入されたレーザカプラ20と、発光素子からの光ビームを光ディスク2の信号記録面に収束合焦して照射する対物レンズ17と、レーザ光の発散角を変換するコリメータレンズ18と、対物レンズ17をフォーカス方向及びトラッキング方向に駆動する対物レンズ駆動機構等が設けられている。
発光素子及び受光素子が一体の光学ブロックとしてパッケージ封入されているレーザカプラ20は、図3(a)に示すように、シリコンからなる集積回路基板21上に、モニター用の光検出素子としてのPINダイオード22が形成されたシリコンブロック23が配置され、さらに、このシリコンブロック23上に、レーザダイオード24が配置されている。PINダイオード22においては、レーザダイオード24のリア側に出射されたレーザ光を検知し、レーザ光の強度を測定して、レーザ光の強度が一定となるようにレーザダイオード24の駆動電流を制御する、いわゆるAPC(Automatic Power Control )制御が行われる。
一方、集積回路基板21には、例えばフォトダイオードからなるそれぞれ4分割構成を有する第1,第2の受光素子25a,25bが形成され、これら第1,第2の受光素子25a,25b上に、プリズム26が搭載されて、全体として、一体化されたレーザカプラ20を構成している。
プリズム26は、例えば光学ガラス、一軸性結晶LN(LiNbO)、二軸性結晶KTP(KTiOPO)、また一軸性結晶YVO等の複屈折性材料を用いて形成され、レーザダイオード24側に略45°に傾いた光路分岐面27が形成されている。光路分岐面27は、例えば誘電体多層膜が形成されることにより、光分離機能を備え、ビームスプリッタとして用いられることにより、レーザダイオード24から出射される光ビームを反射し、また光ディスク2に反射された戻り光を透過する。
プリズム26の下面には、第2の受光素子25bと重ならない位置に半透過膜が形成され、この半透過膜の下方に第1の受光素子25aが形成されている。なお、以下では第1の受光素子25aと第2の受光素子25bとの入射光量が等しくなるように透過、反射の分割比が50:50に設計された半透過膜が用いられているものとして説明する。
図3(b)に示すように、光路分岐面27を透過した戻り光は、プリズム26の下面に達し、第1の受光素子25aに入射するとともに、半透過膜に反射されプリズム26の上面に達し、光反射ミラー膜が形成されたプリズム上面に反射されることにより再びプリズム26の下面に達して第2の受光素子25bに入射する。
ここで、第1、第2の受光素子25a,25bは、プリズム26に入射した戻り光のプリズム26の上面における焦点、すなわちレーザダイオード24と共役となる点の前後等距離の位置に形成されている。
レーザカプラ20は、例えばセラミックを母材とした偏平な第1パッケージ28に収納されている。第1パッケージ28は、その上面が開口した箱型をしており、開口部は透明板ガラスなどの第2パッケージ29により封止されている。
レーザカプラ20は、レーザダイオード24から出射されたレーザ光Lが、プリズム26の光路分岐面27で反射し、第1パッケージ28の透明板ガラスなどの第2パッケージ29を透過して、対物レンズ17により光ディスク2上に集光され、この光ディスク2から反射したレーザ光Lが、光路分岐面27よりプリズム26内に入射し、プリズム26の上面に焦点を結んで、各受光素子25a,25bに図4に示すようなレーザ光のスポットS1およびS2として入射する。
受光素子25aおよび25bにおいては、レーザ光のスポット径、位置変化等を検出し、トラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FE、及び光ディスク2に記録された情報信号RFの読み取りが行われる。トラッキングエラー信号TE、フォーカスエラー信号FEの取り出しは、信号処理部10において、以下のようにそれぞれ周知の方法により行なわれる。
すなわち、図4に示すように、それぞれ4分割された2組の受光素子25a,25bのそれぞれにおいて得られた信号a,b,c,d,i,j,kおよびlを用いて、次式(1)によって、いわゆる1ビーム法によりトラッキングエラー信号TEを得ることができる。
TE=〔(a+b)−(c+d)〕+〔(k+l)−(i+j)〕…(1)
また、図4に示すように、上記の信号a,b,c,d,i,j,kおよびlを用いて次式(2)によって、いわゆるスポットサイズ検出法によりフォーカスエラー信号FEを得ることができる。
FE=〔(a+d)−(b+c)〕−〔(i+l)−(j+k)〕…(2)
一方、本願発明においては、情報信号RFの取り出しは、読み出しを行う光ディスク2の信号記録層や、当該信号記録層より反射する戻り光及び迷光の量に応じて第1の受光素子25a又は第2の受光素子25bのいずれか一方に照射されたレーザ光を検出することにより行う。かかる情報信号RFの検出方法については、後に詳述する。
光ピックアップ装置4を内蔵する光ディスク装置1においては、信号処理部10において、光ディスク2の上下の振れによるフォーカスエラー信号の生成をレーザ光のスポットサイズの検出によって行い、また、トラッキングエラー信号の生成をプッシュプル法によって行い、制御回路部9に供給する。制御回路部9は、対物レンズ駆動機構に、フォーカスエラー信号に従ってフォーカシングサーボをかけ、また、トラッキングエラー信号に従ってトラッキングサーボをかけ、対物レンズを移動操作する。
信号処理部10は、各光ビームを検出して得られる検出信号に基づいて各種のサーボ用信号、すなわち、フォーカスエラー信号FE、トラッキングエラーTE信号を生成し、さらに、光ディスクに記録された情報信号である情報信号RFを生成する。これらフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及びRF信号は、制御回路部9や信号変調部及びECCブロック8へ供給され、再生対象とされる記録媒体の種類に応じて、これらの信号に基づく復調及び誤り訂正処理等の所定の処理が行われる。
また、信号処理部10は、情報信号RFを生成する受光素子を選択する選択手段40を有する。選択手段40は、システムコントローラ7により情報信号RF生成用の受光素子が判別されると、システムコントローラ7の指示を受けて、第1の受光素子25a又は第2の受光素子25bのいずれか一方のみから情報信号RFを得るように切り替え、信号変復調部及びECCブロック8へ供給する。
信号変復調部及びECCブロック8は、信号処理部10から出力される信号の変調、復調及びECC(エラー訂正符号)の付加を行う。光ピックアップ装置4は、システムコントローラ7及び制御回路部9からの指令に従って回転する光ディスク2の信号記録面に対して光ビームを照射する。このような光ビームの照射により光ディスク2に対する情報信号の記録が行われ、光ディスク2に記録された情報信号の再生が行われる。
ここで、信号変調部及びECCブロック8により復調された記録信号が、例えばコンピュータのデータストレージ用であれば、インタフェース11を介して外部コンピュータ12等に送出される。これにより、外部コンピュータ12等は光ディスク2に記録された信号を再生信号として受け取ることができるように構成されている。
また、信号変調部及びECCブロック8により復調された記録信号がオーディオ・ビジュアル用であれば、D/A、A/D変換器13のD/A変換部でデジタル/アナログ変換され、オーディオ・ビジュアル処理部14に供給される。そして、このオーディオ・ビジュアル処理部14でオーディオ・ビデオ信号処理が行われ、オーディオ・ビジュアル信号入出力部15を介して外部の撮像・映写機器に伝送される。
光ピックアップ装置4には、送りモータ5が接続されている。送りモータ5は、光ピックアップ装置4を光ディスク2の径方向に亘って送り操作するものであり、制御回路部9のサーボ信号に基づき、光ディスク2上の所定の記録トラックへ移動する。
制御回路部9は、信号処理部10から入力されるフォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TE、情報信号RFなどに基づいて、光ピックアップ装置4に設けられたトラッキングコイル及びフォーカスコイルに供給するための駆動信号(駆動電流)をそれぞれ生成し、光ピックアップ装置4の対物レンズをその光軸方向のフォーカス方向及び光軸方向と直交するトラッキング方向へ移動変位させる対物レンズ駆動機構の制御を行う。そのほか、制御回路部9は、スピンドルモータ3の制御と、送りモータ5の制御を行う。
レーザ制御部16は、光ピックアップ装置4におけるレーザ光源を制御するものであり、光ディスク装置1内に装着された光ディスク2の種別に応じて、照射する発光素子や、レーザ光の波長及び強度を選択する。
尚、ここでフォーカス方向Fとは、光ピックアップ装置4の対物レンズ23,24の光軸方向をいい、タンジェンシャル方向Tzとはフォーカス方向Fと直交する方向であって光ディスク装置1の円周のタンジェンシャル方向Tzと平行する方向をいい、トラッキング方向Tとはフォーカス方向F及びタンジェンシャルTz方向と直交する方向をいう。
システムコントローラ7は、光ディスク装置1の全体の動作を制御するものであり、光ディスク2の記録及び/又は再生に必要な動作を、光ピックアップ装置4、信号処理部10、信号変調部&ECCブロック8、制御回路部9及びレーザ制御部16に指示する。また、システムコントローラ7は、第1、第2の受光素子25a,25bのいずれを用いて情報信号RFを生成するのかを判別する判別部41を有する。判別部41は、光ディスク2の信号記録面で反射した戻り光を受光する第1、第2の受光素子25a,25bのうち、迷光成分の入射が少ない方の受光素子を判別し、信号処理部10に形成されている選択手段40に、この判別結果に応じた一方の受光素子を選択するように指示する。
次いで、かかる光ディスク装置1における情報信号RFの検出方法について説明する。上述したように、光ディスク装置1は、再生する記録再生層からの戻り光を検出する第1,第2の受光素子25a,25bのうち、ノイズ成分の少ない一方を選択し、情報信号RFを得る。すなわち、光ディスク装置1は、多層型の光ディスク2として、例えば片面2層の信号記録層を備える光ディスク2が装着される場合がある。
この片面2層記録型の光ディスク2は、概略図5に示すような積層構造を有しており、レーザダイオード24より出射されたレーザ光が上側又は下側のいずれか一方の信号記録層に焦点を定め照射された場合に、当該一方の信号記録層からの戻り光のほかに、他方の信号記録層からの戻り光も生じる。かかる他方の信号記録層からの戻り光は、第1,第2の受光素子25a,25bに検出されると、迷光成分となり層間クロストークを発生させ、検出信号の劣化を引き起こす。
そこで、光ディスク装置1では、第1,第2の受光素子25a,25bに入射する戻り光のうち、迷光成分の少ない一方のみから情報信号RFを生成することとしている。まず、片面2層記録型の光ディスク2にレーザ光を照射した場合の戻り光の光路について説明する。
図6及び図7に示すように、片面2層記録型の光ディスク2の下側記録層B1に焦点を合わせてレーザ光を照射すると、下側記録層B1で反射した戻り光L1は、プリズム26の上面に設けられた共役点に焦点を結び、その前後に等距離で配設されている第1、第2の受光素子25a,25bに入射する。このとき、図8(a)に示すように、下側記録層B1からの戻り光L1のスポット面積及び強さは等しく、第1、第2の受光素子25a,25bに入射する光量は等しくなる。
一方、図6中、上側記録層B2で反射した迷光L2は、下側記録層B1からの戻り光L1よりも手前で焦点を結び、拡散しながらプリズム26内を進行する。そして、上側記録層B2で反射した迷光L2は、図8(b)に示すように、第1、第2の受光素子25a,25bを含む周辺領域まで照射することとなり、ロスが生じるが、このロス分は第1の受光素子25a側照射分よりも第2の受光素子25b側照射分の方が多くなる。すなわち、この場合、迷光L2は、第1の受光素子25aで検出される光量よりも、第2の受光素子25bで検出される光量が少なくなる。
したがって、第1、第2の受光素子25a,25bには、図8(c)に示すように戻り光L1及び迷光L2が重畳して入射するため、片面2層記録型の光ディスク2のうち、下側記録層B1に記録された情報を再生する場合は、第2の受光素子25bで検出したRF信号の方が、第1の受光素子25aで検出したRF信号よりも迷光成分が少なく、記録された情報の再現性に優れている。
同様に、図9及び図10に示すように、片面2層記録型の光ディスク2の上側記録層B2に焦点を合わせてレーザ光を照射すると、上側記録層B2で反射した戻り光L2は、プリズム26の上面に設けられた共役点に焦点を結び、その前後に等距離で配設されている第1、第2の受光素子25a,25bに入射する。このとき、図11(a)に示すように、上側記録層B2からの戻り光L2のスポット面積及び強さは等しく、第1、第2の受光素子25a,25bに入射する光量は等しくなる。
一方、図9中、下側記録層B1で反射した迷光L1は、戻り光L2よりも奥で焦点を結び、収束しながらプリズム26内を進行する。そして、下側記録層B1で反射した迷光L1は、図11(b)に示すように、第1、第2の受光素子25a,25bを含む周辺領域まで照射することとなり、ロスが生じるが、このロス分は第2の受光素子25b側照射分よりも第1の受光素子25a側照射分の方が多くなる。すなわち、この場合、迷光L1は、第2の受光素子25bで検出される光量よりも、第1の受光素子25aで検出される光量が少なくなる。
したがって、第1、第2の受光素子25a,25bには、図11(c)に示すように迷光L1及び戻り光L2が重畳して入射するため、片面2層記録型の光ディスク2のうち、上側記録層B2に記録された情報を再生する場合は、第1の受光素子25aで検出したRF信号の方が、第2の受光素子25bで検出したRF信号よりも迷光成分が少なく、記録された情報の再現性に優れている。
以上のことから、光ディスク装置1は、予め下側あるいは上側の信号記録層に応じた受光素子を定めておき、再生を行う信号記録層を判別することにより第1の受光素子25a又は第2の受光素子25bを切り替える。具体的に、図4に示すように、光ディスク装置1は、再生指示のあった信号記録層あるいは現在再生中の信号記録層が、下側記録層B1なのか、あるいは上側記録層B2なのかを、システムコントローラ7の判別部41によって判別する。
判別部41は、レジスタに登録されたアドレスを読み取ることによって再生を行う信号記録層を判別し、片面2層記録型の光ディスク2のうち、下側記録層B1に記録された情報を再生する場合は第2の受光素子25bを選択するように選択手段40に対して指示し、上側記録層B2に記録された情報を再生する場合は第1の受光素子25aを選択するように選択手段40に対して指示する。選択手段40は、判別部41からの指示を受けて第1の受光素子25a又は第2の受光素子25bを切り替える。
これにより、光ディスク装置1は、迷光成分の入射量が少ない受光素子によって検出した情報信号RFを用いて再生を行うことができる。光ディスク装置1は、第1の受光素子25aの4分割された領域において得られた信号a,b,c,d又は第2の受光素子25bの4分割された領域において得られた信号i,j,k,lを用いて、次式(3)又は(4)によって光ディスク2に記録された情報信号RFを求める。
RF=a+b+c+d …(3)
RF=i+j+k+l …(4)
次いで、迷光成分の入射量が少ない受光素子を選択する他の方法について説明する。上述したように、再生を行う一の信号記録層からの戻り光の、第1、第2の受光素子25a,25bに入射する光量はそれぞれ等しい。また、他の信号記録層からの戻り光の第1、第2の受光素子25a,25bに入射する光量は差が生じる。すなわち、第1、第2の受光素子25a,25bの各信号電圧を比較すると、迷光成分の入射が多い方の受光素子の信号電圧は、迷光成分の入射が少ない方の受光素子の信号電圧に比して高くなる。したがって、光ディスク装置1は、第1、第2の受光素子25a,25bの各信号電圧を比較し、少ない方の受光素子を選択することで、迷光成分の入射量が少ない受光素子によって検出した情報信号RFを用いて再生を行うことができる。
例えば、図6に示すように、片面2層記録型の光ディスク2の下側記録層B1に焦点を合わせてレーザ光を照射すると、下側記録層B1で反射した戻り光L1は、プリズム26の上面に設けられた共役点に焦点を結び、その前後に等距離で配設されている第1、第2の受光素子25a,25bに入射する。このとき、下側記録層B1からの戻り光L1の、第1、第2の受光素子25a,25bに入射する光量は等しくなることから、上記式(3)及び(4)の演算結果により、図12に示すように、戻り光L1分の信号電圧も等しくなる。
一方、図6中、上側記録層B2で反射した迷光L2は、下側記録層B1からの戻り光L1よりも手前で焦点を結び、拡散しながらプリズム26内を進行するため、第1の受光素子25aで検出される光量が、第2の受光素子25bで検出される光量よりも多くなる。このため、第1、第2の受光素子25a,25bは、下側記録層B1からの戻り光L1の光量と上側記録層B2からの迷光L2とを加えた光量の信号電圧を比べると、図13に示すように、第1の受光素子25aでの信号電圧が、第2の受光素子25bでの信号電圧よりも高くなる。したがって、この場合、第2の受光素子25bを、より迷光成分の入射が少ない受光素子として選択し、第2の受光素子25bから情報信号RFを得る。
また、図9に示すように、片面2層記録型の光ディスク2の上側記録層B2に焦点を合わせてレーザ光を照射すると、上側記録層B2で反射した戻り光L2は、プリズム26の上面に設けられた共役点に焦点を結び、その前後に等距離で配設されている第1、第2の受光素子25a,25bに入射する。このとき、上側記録層B2からの戻り光L2の第1、第2の受光素子25a,25bに入射する光量は等しくなることから、上記式(3)及び(4)の演算結果により、図12に示すように、戻り光L2の信号電圧も等しくなる。
一方、図9中、下側記録層B1で反射した迷光L1は、上側記録層B2よりも奥で焦点を結び、収束しながらプリズム26内を進行するため、第2の受光素子25bで検出される光量が、第1の受光素子25aで検出される光量よりも多くなる。このため、第1、第2の受光素子25a,25bは、上側記録層B2からの戻り光L2の光量と下側記録層B1からの迷光L1とを加えた光量の信号電圧を比べると、図14に示すように、第2の受光素子25bでの信号電圧が第1の受光素子25aでの信号電圧よりも高くなる。したがって、この場合、第1の受光素子25aを、より迷光成分の入射が少ない受光素子として選択し、第1の受光素子25aから情報信号RFを得る。
ここで、光ディスク装置1は、図15に示すように、信号処理部10とシステムコントローラ7の判別部41とが接続されており、第1の受光素子25a及び第2の受光素子25bの各信号電圧は、信号処理部10によって、上記式(3)及び(4)に基づきそれぞれ4分割された各領域において得られた信号を加算することにより検出され、システムコントローラ7に供給される。次いで、システムコントローラ7は、判別部41において、第1の受光素子25a及び第2の受光素子25bの各信号電圧を比較し、より信号電圧の低い受光素子を判別すると、当該受光素子を選択するように選択手段40に対して指示する。選択手段40は、判別部41からの指示を受けて第1の受光素子25a又は第2の受光素子25bを切り替える。信号変調部及びECCブロック8は、選択手段40に選択された側の受光素子から情報信号RFの供給を受け、再生対称対される記録媒体の種類に応じて、情報信号RFに基づく復調及び誤り訂正処理等の所定の処理を行うと、外部コンピュータ12あるいは外部の撮像・映写機器に伝送する。
これにより、光ディスク装置1は、迷光成分の入射量が少ない受光素子によって検出した情報信号RFを用いて再生を行うことができる。また、情報信号RFの再生に先立って第1、第2の受光素子25a,25bの各信号電圧を測定、比較し、信号電圧の低い受光素子を選択することから、再生を行う光ディスク2の層構造にかかわらず、迷光成分の入射量の少ない受光素子を選択することができる。
なお、第1の受光素子25aの上部に形成され、第1の受光素子25a及び第2の受光素子25bへの光路を分離する半透過膜は、入射・反射の分割比が50:50でない場合もある。その場合は、例えば予め片面1層記録型の光ディスクを用いたときの各受光素子25a,25bの信号比を保管しておき、その情報に基づき各受光素子25a,25bからの信号を補正し、この補正された信号量で上述した比較を行うことにより、情報信号RFを検出する受光素子を選択する。具体的に、第1の受光素子25aの信号量に対する第2の受光素子25bの信号量の信号比をFとすると、第1の受光素子25aの信号量と、1/Fを乗じた第2の受光素子25bの信号量とを比較する。以上の方法により各受光素子25a,25bの迷光成分の比較を正確に行うことができる。
また、第1、第2の受光素子25a,25bにおける信号電圧レベルのうち、再生を行う記録層からの戻り光成分と迷光成分の占める割合(SN比)を検出し、この迷光成分の入射割合が少ない受光素子を選択することもできる。
各受光素子におけるSN比は、RF信号変調度(AC振幅÷最大電圧レベル)を観測することにより検出、比較することができる。AC振幅は、各受光素子において検出される、戻り光の電圧レベルの周期的な変化量である。また最大電圧レベルは、各受光素子において検出される、戻り光及び迷光の総和を電圧レベルとして表した量である。かかる各受光素子におけるSN比は、受光素子に入射する迷光成分が少ないほど、高い値を示し、迷光成分が多いほど低い値を示す。
以上のことから、光ディスク装置1は、信号処理部10によってRF信号変調度(AC振幅÷最大電圧レベル)が検出され、システムコントローラ7に供給される。次いで、システムコントローラ7は、判別部41において、第1の受光素子25a及び第2の受光素子25bの各RF信号変調度を比較し、よりRF信号変調度の高い受光素子を判別すると、当該受光素子を選択するように選択手段40に対して指示する。選択手段40は、判別部41からの指示を受けて第1の受光素子25a又は第2の受光素子25bを切り替える。信号変調部及びECCブロック8は、選択手段40に選択された側の受光素子から情報信号RFの供給を受け、再生対称対される記録媒体の種類に応じて、情報信号RFに基づく復調及び誤り訂正処理等の所定の処理を行うと、外部コンピュータ12あるいは外部の撮像・映写機器に伝送する。
これにより、光ディスク装置1は、迷光成分の入射割合が少ない受光素子によって検出した情報信号RFを用いて再生を行うことができる。また、情報信号RFの再生に先だって第1、第2の受光素子25a,25bの各RF信号変調度を測定、比較し、迷光成分の入射割合の低い受光素子を選択することから、再生を行う光ディスク2の層構造にかかわらず、迷光成分の入射割合の少ない受光素子を選択することができる。
以上、本発明が適用された光ディスク装置1及び信号検出方法について説明したが、本発明は、光ピックアップ装置4として、レーザカプラ20を用いる構成の他に、発光素子や受光素子が個別に配設されたディスクリート型の光ピックアップ装置として構成することもできる。
本発明が適用された光ディスク装置を示すブロック図である。 光ピックアップを示す概略構成図である。 レーザカプラを示す側面図及び平面図である。 情報信号を生成する受光素子を選択する選択手段及び判別部を示す構成図である。 多層型の光ディスクの積層構造を示す断面図である。 下側記録層を読み出す際の光路図である。 下側記録層を読み出す際の光路図である。 下側記録層を読み出す際の各受光素子に入射するスポットを示す図であり、(a)は戻り光のスポット、(b)は迷光のスポット、(c)は戻り光及び迷光が重なって入射したスポットを示す。 上側記録層を読み出す際の光路図である。 上側記録層を読み出す際の光路図である。 上側記録層を読み出す際の各受光素子に入射するスポットを示す図であり、(a)は戻り光のスポット、(b)は迷光のスポット、(c)は戻り光及び迷光が重なって入射したスポットを示す。 第1及び第2の受光素子に入射する戻り光の光量を比較したグラフである。 下側記録層に対してレーザ光を照射する際における、第1、第2の受光素子で検出する信号電圧を対比して示すグラフである。 上側記録層に対してレーザ光を照射する際における、第1、第2の受光素子で検出する信号電圧を対比して示すグラフである。 情報信号を生成する受光素子を選択する選択手段及び判別部を示す構成図である。 ディスクリート型の光ピックアップを示す図である。 レーザカプラの構成を示す図であり、(a)はレーザカプラが収納されたパッケージの斜視図、(b)はレーザカプラの斜視図である。 レーザカプラの構成を示す図であり、(a)はレーザカプラの断面図、(b)は光スポットが入射される受光素子を示す平面図である。 多層型の光ディスクの積層構造を示す断面図である。
符号の説明
1 光ディスク装置、2 光ディスク、4 光ピックアップ装置、7 システムコントローラ、10 信号処理部、20 レーザカプラ、24 レーザダイオード、25 受光素子、26 プリズム、27 光路分岐面、40 選択手段、41 判別部

Claims (13)

  1. 複数の記録層を有する光記録媒体に対して情報信号の記録及び/又は再生を行う光記録再生装置において、
    上記複数の記録層の一に焦点を合わせてレーザ光を照射する発光素子と、
    上記複数の記録層からの戻り光を受光する複数の受光素子と、
    上記複数の受光素子のうち、上記焦点を合わせた記録層以外の記録層で反射された迷光成分の入射量が少ない受光素子を判別する判別手段と、
    上記判別手段の判別結果に応じて上記複数の受光素子のいずれか一を選択する選択手段とを備える光記録再生装置。
  2. 上記発光素子と、上記発光素子から出射されたレーザ光及び上記光記録媒体からの戻り光が入射するとともに、上記レーザ光と上記戻り光とを分岐する光路分岐面が形成されたプリズムと、上記プリズムの光路分岐面に入射した上記戻り光の焦点から等距離に形成された上記複数の受光素子とを備えた基台が、上記レーザ光が入出される入出部が形成されたチップに収納されていることを特徴とする請求項1記載の光記録再生装置。
  3. 2つの上記受光素子が、上記戻り光の焦点の前後において、該焦点から等距離に形成されていることを特徴とする請求項2記載の光記録再生装置。
  4. 上記選択手段は、上記複数の受光素子で検出された各情報信号RFの信号電圧レベルに基づいて、上記複数の受光素子のいずれか一を選択することを特徴とする請求項1記載の光記録再生装置。
  5. 片面2層記録型の光記録媒体に対して情報信号RFの再生を行う請求項4記載の光記録再生装置。
  6. 上記選択手段は、上記戻り光が入射する上記複数の受光素子のうち、情報信号RF変調度が高い方を選択することを特徴とする請求項1記載の光記録再生装置。
  7. 上記選択手段は、上記レーザ光を照射する上記光記録媒体の記録層に応じて、上記複数の受光素子のいずれか一を選択すること特徴とする請求項1記載の光記録再生装置。
  8. 複数の記録層を有する光記録媒体の上記記録層の一に焦点を合わせてレーザ光を照射し、
    上記光記録媒体からの戻り光を複数の受光素子で受光し、
    上記複数の受光素子のうち、上記焦点を合わせた記録層以外の記録層で反射された迷光成分の入射量が少ない受光素子を判別し、
    判別結果に応じて上記複数の受光素子のいずれか一を選択する信号検出方法。
  9. 2つの受光素子が、上記戻り光の焦点の前後において、該焦点から等距離に形成されていることを特徴とする請求項8記載の信号検出方法。
  10. 上記選択工程では、上記複数の受光素子で検出された各情報信号RFの信号電圧レベルに基づいて、上記複数の受光素子のいずれか一を選択することを特徴とする請求項8記載の信号検出方法。
  11. 片面2層記録型の光記録媒体に対して情報信号RFの再生を行う請求項10記載の信号検出方法。
  12. 上記選択工程では、上記戻り光が入射する上記複数の受光素子のうち、情報信号RF変調度が高い方を選択することを特徴とする請求項8記載の信号検出方法。
  13. 上記選択工程では、上記レーザ光を照射する上記光記録媒体の記録層に応じて、上記複数の受光素子のいずれか一を選択することを特徴とする請求項8記載の信号検出方法。
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