JP2009042645A

JP2009042645A - 液晶表示装置およびその製造方法

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Publication number: JP2009042645A
Application number: JP2007209747A
Authority: JP
Inventors: Takenori Hirota; 武徳廣田
Original assignee: Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2007-08-10
Filing date: 2007-08-10
Publication date: 2009-02-26

Abstract

【課題】光硬化性を有するシールを十分に硬化可能であるとともに周辺領域での光漏れを防止可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置５０は、表示領域５２の外側の周辺領域５４に配線１５０，１７０を有する第１基板１００と、第１基板１００に対向する第２基板２００とを含んでいる。液晶表示装置５０の製造方法は、配線１５０の少なくとも一部分に透明導電材料によって透明部分を形成して配線１５０を形成する配線形成工程と、光硬化性を有するシール３５０を介して第１基板１００と第２基板２００とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、シール３５０に配線１５０の上記透明部分を介して光照射を行ってシール３５０を硬化するシール硬化工程と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は液晶表示装置およびその製造方法に係り、特に一対の基板が光硬化性を有するシールで貼り合わされた構造に対して好適な液晶表示装置およびその製造方法に関する。

従来の液晶表示装置は、素子基板と対向基板とが液晶層を挟持し両基板が周辺領域においてシールで接着された構造を有している。両基板間に液晶を配置する方法として真空注入法や液晶滴下（One Drop Fill：ＯＤＦ）法が知られている。また、シールとして紫外線硬化型や、紫外線硬化と熱硬化との併用型が知られている。

紫外線硬化性を有するシールの場合、上記両基板をシールを介して貼り合わせた後に当該シールに紫外線を照射する。しかし、従来の液晶表示装置では素子基板の周辺領域に金属配線が設けられ、対向基板の周辺領域には遮光膜が設けられているので、金属配線または遮光膜によって紫外線が遮られ、シールを十分に硬化させることが難しかった。

シールが十分に硬化されていないと、シールの成分が液晶へ溶出して液晶を変質させる場合がある。また、十分に硬化していないシール中へ液晶がしみ込むと、シールの接着強度や耐湿性が低下する場合がある。これらの問題は真空注入法、液晶滴下法を問わず発生しうる。

下記の特許文献１および特許文献２には、対向基板の遮光膜をシールが形成される部分には形成しない液晶表示装置が記載され、これによればシールを十分に硬化させることができると述べられている。

特開２００２−３３３６１１号公報特開平８−１０６１０１号公報

しかし、対向基板の遮光膜をシールの形成部分に設けない場合、当該部分においてバックライト光等の光漏れが発生して表示品質が低下するという別個の問題が発生してしまう。かかる光漏れは周辺領域におけるものであるが、狭額縁化が進む液晶表示装置では周辺領域における光漏れを防止する必要性は高いと考えられる。

本発明の目的は、光硬化性を有するシールを十分に硬化可能であるとともに周辺領域での光漏れを防止可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、表示領域の外側の周辺領域に配線を有する第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記配線の少なくとも一部分に透明導電材料によって透明部分を形成して前記配線を形成する配線形成工程と、光硬化性を有するシールを介して前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記シールに前記配線の前記透明部分を介して光照射を行って前記シールを硬化するシール硬化工程と、を含むことを特徴とする。上記構成によれば、第１基板の配線が透明部分を有し、当該透明部分を介してシール硬化のための光照射を行うので、シールを十分に硬化することができる。かかる効果は第２基板が周辺領域に遮光膜を有する場合であっても得られるので、当該遮光膜を設けることによって周辺領域での光漏れを防止して良好な表示品質を得ることができる。

ここで、前記配線形成工程では、前記透明部分を有する前記配線を１０μｍ以上５００μｍ以下の線幅で形成することが好ましい。上記構成によれば、配線が透明部分を有さない場合にはシールの硬化が不十分になりやすい構造に対しても、シールを十分に硬化することができる。

また、前記配線形成工程では、前記透明部分を前記表示領域に設けられた画素電極よりも厚く形成することが好ましい。上記構成によれば、配線の低抵抗化を図ることができる。

また、前記配線形成工程では、前記透明導電材料よりも導電率が高い材料によって前記配線に高導電率部分を形成することが好ましい。上記構成によれば、配線の全体を透明部分で構成する場合に比べて、配線の低抵抗化を図ることができる。

また、前記配線形成工程では、前記導電率が高い材料が前記透明導電材料よりも遮光性が高く、前記高導電率部分の幅を１０μｍ以下で形成することが好ましい。上記構成によれば、シールのうちで高導電率部分に重なった部分にもシール硬化工程での照射光が回り込み、当該部分を十分に硬化することができる。

また、前記配線形成工程では、隣接する前記高導電率部分の間隔が前記高導電率部分の幅以上であることが好ましい。上記構成によれば、シールのうちで高導電率部分に重なった部分にもシール硬化工程での照射光が回り込み、当該部分を十分に硬化することができる。

本発明に係る液晶表示装置は、表示領域の外側の周辺領域に配線を有する第１基板と、前記第１基板に対向して設けられ、前記周辺領域に遮光膜を有する第２基板と、前記遮光膜と前記配線との間に設けられ、光硬化性を有するシールと、を備え、前記配線は少なくとも前記シールと重なる一部分に透明導電材料によって構成された透明部分を含むことを特徴とする。上記構成によれば、シールへの光照射を第１基板の配線の透明部分を介して行うことが可能である。このため、シールが第１基板の配線と第２基板の遮光膜との間に設けられていても、シールを十分に硬化することができる。したがって、第２基板の遮光膜によって周辺領域の光漏れを防止可能であるとともにシールを十分に硬化可能な液晶表示装置を提供することができる。

ここで、前記配線は、前記透明導電材料よりも導電率が高い材料によって構成された高導電率部分をさらに含むことが好ましい。上記構成によれば、配線の全体を透明部分で構成する場合に比べて、配線の低抵抗化を図ることができる。

以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。

図１に実施の形態に係る液晶表示装置５０を説明する断面図を示す。図１には液晶表示装置５０の周縁部付近の構造を例示しており、後述のシール３５０の延在方向に直交する断面を例示している。

液晶表示装置５０は、第１基板１００と、第１基板１００に対向する第２基板２００と、両基板１００，２００に挟持された液晶層３００とを含んでいる。さらに、液晶表示装置５０は、両基板１００，２００の間に設けられ両基板１００，２００を互いに固定するシール３５０を含んでいる。シール３５０は表示領域５２の周辺の（すなわち外側の）領域である周辺領域５４に設けられている。シール３５０は光硬化性を有するシール材を光照射によって硬化して形成されている。ここで、光硬化性を有するシール材とは、少なくとも光硬化性を有していればよく、例えば光硬化性と熱硬化性との併用型のシール材もこれに含まれる。また、当該シール材を硬化させる光（以下、シール硬化光と呼ぶ）として例えば紫外線を含む光が挙げられるが、これに限定されるものではない。シール３５０の幅（図１の場合、図面左右方向の寸法）は例えば５００μｍ〜１ｍｍである。

第１基板１００は、図１の例示では、透明基板１０２と、配線１５０，１７０と、絶縁膜１０４とを含んでいる。透明基板１０２は例えばガラス板等で構成可能である。

配線１５０，１７０は周辺領域５４内に設けられており、ここでは透明基板１０２上に配置されている。配線１５０，１７０は例えば各種の信号線、電源線、周辺回路中の配線等である。

周辺領域５４内に配置される配線１５０，１７０の合計本数は図１に例示の３本に限定されるものではない。また、図１では、第１基板１００の周縁側の２本の配線１５０はシール３５０に対向し（重なっており）、配線１５０よりも表示領域５２側の配線１７０はシール３５０に対向していない場合を例示しているが、各配線１５０，１７０の本数はこの例示に限定されるものではない。

シール３５０に対向する配線１５０のうちで少なくとも１本は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成されている。他方、シール３５０に対向しない配線１７０は例えばアルミニウム、モリブデン、チタン等の金属で構成可能である。

配線１５０，１７０の線幅（図１の場合、図面左右方向の寸法）は例えば数μｍ〜５００μｍであり、例えば電源線は信号線よりも太く形成される。なお、図１では各配線１５０，１７０の幅が同じ場合を例示しているが、これらは異なっていてもよい。

絶縁膜１０４は配線１５０を覆って透明基板１０２上に配置されている。絶縁膜１０４は、図１に例示するように１層であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１０４は例えば酸化シリコン、アクリル樹脂等で構成可能である。

第２基板２００は、図１の例示では、透明基板２０２と、遮光膜２０４とを含んでいる。透明基板２０２は例えばガラス板等で構成可能である。遮光膜２０４は透明基板２０２上に配置されており、表示領域５２および周辺領域５４に設けられている。遮光膜２０４は例えばクロム膜、クロム膜と酸化クロム膜との積層膜、黒色顔料を含有した樹脂等で構成可能である。遮光膜２０４は周辺領域５４においてシール３５０と対向している（重なっている）。なお、上記のように配線１５０がシール３５０に対向しているので、配線１５０と遮光膜２０４との間にシール３５０が設けられている。

液晶表示装置５０の他の構成は種々の構成可能である。例えば表示領域５２をＴＮ（Twisted Nematic）、ＶＡ（Vertical Alignment）、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）、ＩＰＳ（In-Plane Switching）等の各種方式で構成することが可能である。なお、ＴＮ方式、ＶＡ方式等では第１基板１００に画素電極が設けられ第２基板２００に共通電極が設けられる。他方、ＦＦＳ方式、ＩＰＳ方式等では第１基板１００に画素電極と共通電極との両方が設けられる。また、液晶表示装置５０は透過型、反射型、半透過型のいずれであってもよい。

図２および図３に液晶表示装置５０の製造方法を説明するフローチャートおよび断面図をそれぞれ示す。ここでは液晶滴下法によって液晶表示装置５０を製造する場合を例示するが、真空注入法によって製造することも可能である。

図２に例示の製造方法では、第１基板１００の形成工程Ｓ１１と、洗浄工程Ｓ１４と、対極コンタクトの形成工程Ｓ１５とがこの順序で行われる。また、第２基板２００の形成工程Ｓ２１と、洗浄工程Ｓ２３と、シール３５０の形成工程Ｓ２４と、液晶滴下工程Ｓ２５とがこの順序で行われる。さらに、対極コンタクト形成工程Ｓ１５および液晶滴下工程Ｓ２５の後に、貼り合わせ工程Ｓ３１と、シール３５０の硬化工程Ｓ３２と、加熱工程Ｓ３３と、洗浄工程Ｓ３４とがこの順序で行われる。

第１基板形成工程Ｓ１１は、配線１５０，１７０の形成工程Ｓ１２と、絶縁膜１０４の形成工程Ｓ１３とを含んでいる。

配線形成工程Ｓ１２では、ＩＴＯ等の透明導電膜を形成しパターニングすることによって配線１５０を形成し、アルミニウム等の金属膜を形成しパターニングすることによって配線１７０を形成する。配線１５０の形成と配線１７０の形成はいずれを先に行ってもよい。なお、シール３５０に対向しない配線１７０も透明導電材料で構成してもよく、これによれば上記の金属膜の形成およびパターニングの工程が不要になり、配線形成工程Ｓ１２を簡略にすることができる。

絶縁膜形成工程Ｓ１３では、例えば酸化シリコン、アクリル樹脂等によって絶縁膜１０４を形成する。

洗浄工程Ｓ１４では、上記工程Ｓ１１で形成された第１基板１００を洗浄する。なお、洗浄工程Ｓ１４の後に、第１基板１００を例えば加熱し、これにより有機溶剤、ガス等を除去するデガス工程を行ってもよい。

対極コンタクト形成工程Ｓ１５では、第１基板１００上に、両基板１００，２００を電気的に接続するための対極コンタクト（図１等において図示せず）を形成する。例えば、導電性粒子が混練されたペーストをディスペンス法によって第１基板１００の所定電極上に塗布する。対極コンタクトは第２基板２００または両基板１００，２００に形成してもよい。なお、対極コンタクト形成工程Ｓ１５の後にプリベーク工程を行ってもよい。ここで、第２基板２００が電極を有さず両基板１００，２００間で電気的接続が必要ない場合、例えば液晶表示装置５０がＦＦＳ方式、ＩＰＳ方式等の場合には、対極コンタクト形成工程Ｓ１５は不要である。

第２基板形成工程Ｓ２１は、遮光膜２０４の形成工程Ｓ２２を含んでいる。遮光膜形成工程Ｓ２２では、例えばクロム膜等を形成することによって、遮光膜２０４を形成する。

洗浄工程Ｓ２３では、上記工程Ｓ２１で形成された第２基板２００を洗浄する。なお、洗浄工程Ｓ２３の後にデガス工程を行ってもよい。

シール形成工程Ｓ２４では、第２基板２００上にシール３５０を形成する。例えば、ペースト状のシール材をディスペンス法や印刷法によって第２基板２００上に配置する。このとき、シール３５０を第２基板２００の周縁に沿った閉ループのパターンに形成する。上記シール材として、少なくとも光硬化性を有する材料を用い、ここでは光硬化性と熱硬化性とを有する材料を用いる場合を例示する。シール３５０は第１基板１００または両基板１００，２００に形成してもよい。この場合、シール３５０と対極コンタクトとの両方を基板１００，２００の一方に形成してもよい。なお、シール形成工程Ｓ２４の後にプリベーク工程を行ってもよい。

液晶滴下工程Ｓ２５では、第２基板２００上に液晶を滴下する。液晶の滴下は第１基板１００上に行ってもよいし、両基板１００，２００上に行ってもよい。

貼り合わせ工程Ｓ３１では、基板１００，２００をシール３５０を介して対向させ、貼り合わせる。貼り合わせは大気圧よりも低い環境下で行い、貼り合わせ後に大気圧に開放する。

シール硬化工程Ｓ３２では、図３に示すように、シール３５０に第１基板１００を介して、すなわち透明導電材料で構成された配線１５０を介してシール硬化光３７０を照射し、これによりシール３５０を硬化する。このとき、例えばシール３５０に対向する部分に開口３６２を有する保護マスク３６０を用い、当該保護マスク３６０を介してシール硬化光３７０を照射することが好ましい。これにより、例えば液晶３００にシール硬化光３７０が照射されるのが回避され、液晶３００の変質を防止することができる。

加熱工程Ｓ３３では、貼り合わせた状態の基板１００，２００を加熱する。この加熱により、例えば、シール３５０をさらに硬化させ、液晶３００を所定状態に配向させる（等方性処理）。洗浄工程Ｓ３４では以上の工程を経て得られた液晶表示装置５０を洗浄する。なお、いわゆる多数個取り基板を用いる場合、洗浄工程Ｓ３４の前に個々の液晶表示装置５０に分断する。

上記のように遮光膜２０４が周辺領域５４に設けられているので、当該遮光膜２０４によって周辺領域５４の光漏れを防止できる。その結果、良好な表示品質が得られる。また、透明導電材料で構成された配線１５０を介してシール３５０へシール硬化光を照射するので、シール３５０が第１基板１００の配線１５０と第２基板２００の遮光膜２０４との間に設けられていても、シール３５０を十分に硬化することができる。その結果、未硬化状態のシールに起因した不具合が防止され、かかる点からも良好な表示品質が得られる。

このように液晶表示装置５０およびその製造方法によれば、周辺領域５４の光漏れを防止できるとともにシール３５０を十分に硬化することができる。

ここで、種々の実験、調査から、仮にシール３５０に対向する配線１５０の全体をアルミニウム等の遮光性材料で形成した場合であっても、シール硬化光の回り込みによって、当該配線１５０で遮光された部分のシール３５０を硬化可能であることが分かった。その一方で、遮光性の配線１５０の線幅が１０μｍ以上の場合、当該配線の中心線付近ではシール３５０が十分に硬化しない部分が発生することも分かった。このとき、配線１５０が長い場合、例えば配線１５０が第１基板１００の周縁に沿って延在する場合（換言すればシール３５０の延在方向に延在する場合）、上記の硬化が不十分な部分は線状に発生しシール３５０全体において大きな割合を占めることになる。

さらに、遮光性の配線１５０の線幅が１０μｍ未満の場合でも、隣接する配線間の距離（間隔）が、配線幅よりも小さい場合には、シール硬化光が十分に当たらない部分が発生することが分かった。

かかる点に鑑みれば、線幅が１０μｍ以上の配線１５０を透明導電材料で構成することが好ましく、これによりシール３５０を十分に硬化できるという上記効果がより確実に得られる。線幅が１０μｍ以上の配線１５０として各種の電源線（例えば接地電位線（いわゆるＣＯＭ配線）を含む）が挙げられる。なお、上記のように配線１５０の線幅は例えば５００μｍ以下である。

また、配線幅が１０μｍ未満の配線であっても、隣接する配線間の距離が配線幅より小さい場合には透明導電材料で構成することが好ましい。

一般にＩＴＯ等の透明導電材料はアルミニウム等の金属材料よりも導電率が低いので、配線１５０は厚く形成するのが好ましい。例えば表示領域５２に設けられた画素電極よりも厚いことが好ましい。かかる点に鑑みれば、透明導電材料で構成される配線１５０の厚さ（図１の場合、図面上下方向の寸法）は０．０５μｍ以上であることが好ましく、これにより配線抵抗の低減化を図ることができる。その一方で過度に厚いと、絶縁膜１０４による被覆性（カバレッジ）が低下する場合があるので、配線１５０の厚さは０．２μｍ以下であることが好ましい。

上記ではシール３５０に重なった配線１５０の全体を透明導電材料で構成する場合を例示したが、図４〜図６に例示する配線１５０Ｂ〜１５０Ｄのように構成してもよい。なお、図４および図５において（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であり、図６は平面図である。

図４に例示の配線１５０Ｂは、透明導電性部分１５２と、高導電率部分１５４とを含んでいる。透明導電性部分１５２は例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電材料で構成され、高導電率部分１５４は上記透明導電材料よりも導電率が高い材料、例えばアルミニウム、モリブデン、チタン等の金属で構成されている。

配線１５０Ｂの場合、高導電率部分１５４は透明基板１０２上に配置され透明導電性部分１５２で覆われている。なお、図５に例示する配線１５０Ｃのように、透明基板１０２上に透明導電性部分１５２を配置し、透明導電性部分１５２上に高導電率部分１５４を配置してもよい。

配線１５０Ｂ，１５０Ｃにおいて、透明導電性部分１５２のうちで高導電率部分１５４と重なっていない部分が、シール硬化光を透過可能な透明部分１５６を構成する。これに対して、一般にアルミニウム等の金属材料はＩＴＯ等の透明導電材料よりも遮光性が高いので、図４（ａ）および図５（ａ）の平面視において高導電率部分１５４が配置された部分はシール硬化光に対して遮光性を呈する。このため、当該部分を遮光性部分、不透明部分等と呼んでもよい。

配線１５０Ｂ，１５０Ｃにおいて高導電率部分１５４は配線１５０Ｂ，１５０Ｃの延在方向に延在している。高導電率部分１５４の数は図示の例示に限られるものではない。なお、図６の平面図に例示する配線１５０Ｄのように高導電率部分１５４と透明部分１５６とを配線１５０Ｄの延在方向に交互に並べることも可能である。配線１５０Ｄにおける透明導電性部分１５２と高導電率部分１５４との積層順は、配線１５０Ｂと同じであってもよいし、配線１５０Ｃと同じであってもよい。

例えば配線１５０Ｂは、上記の配線形成工程Ｓ１２（図２参照）として図７のフローチャートに例示した工程手順を適用することによって、形成可能である。すなわち、高導電率部分１５４の形成工程Ｓ５１では、アルミニウム等の高導電率膜を形成し（工程Ｓ５２）、所定の形状にパターニングする（工程Ｓ５３）。その後の透明導電性部分１５２の形成工程Ｓ５４では、ＩＴＯ等の透明導電膜を形成し（工程Ｓ５５）、所定の形状にパターニングする（工程Ｓ５６）。なお、配線１５０Ｃの場合（図５参照）、透明導電性部分１５２の形成工程Ｓ５４の後に、高導電率部分１５４の形成工程Ｓ５１を行えばよい。

配線１５０Ｂ〜１５０Ｄによれば、高導電率部分１５４を含むので、配線１５０（図１参照）と比較して配線抵抗を低減することができる。もちろん、シール３５０と重なる部分には透明部分１５６も含むので、配線１５０Ｂ〜１５０Ｄによってもシール３５０を十分に硬化することができる。

ここで、上記のように遮光性の配線の線幅が１０μｍ以上である場合、当該配線の中心線付近にシール３５０が十分に硬化しない部分が発生する。かかる点に鑑みれば、遮光性を呈する高導電率部分１５４の幅を（０μｍよりも大きく）１０μｍ以下で形成することが好ましい。さらに、上記のように遮光性の配線の線幅が１０μｍ未満の場合であってもシール硬化光が十分に当たらない部分が発生するので、隣接する遮光性の高導電率部分１５４間の距離（間隔）を遮光性の高導電率部分１５４の幅以上とすることが好ましい。その結果、シール３５０のうちで高導電率部分１５４に重なった部分にもシール硬化光が回り込み、当該部分を十分に硬化することができる。

実施の形態に係る液晶表示装置を説明する断面図である。実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図である。実施の形態に係る液晶表示装置の配線の第２例を説明する図である。実施の形態に係る液晶表示装置の配線の第３例を説明する図である。実施の形態に係る液晶表示装置の配線の第４例を説明する平面図である。実施の形態に係る液晶表示装置の配線の形成方法を説明するフローチャートである。

符号の説明

５０液晶表示装置、５２表示領域、５４周辺領域、１００第１基板、１５０，１５０Ｂ〜１５０Ｄ配線、１５２透明導電性部分、１５４高導電率部分、１５６透明部分、２００第２基板、２０４遮光膜、３５０シール、Ｓ１２配線形成工程、Ｓ３１貼り合わせ工程、Ｓ３２シール硬化工程。

Claims

表示領域の外側の周辺領域に配線を有する第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記配線の少なくとも一部分に透明導電材料によって透明部分を形成して前記配線を形成する配線形成工程と、
光硬化性を有するシールを介して前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記シールに前記配線の前記透明部分を介して光照射を行って前記シールを硬化するシール硬化工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記配線形成工程では、前記透明部分を有する前記配線を１０μｍ以上５００μｍ以下の線幅で形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記配線形成工程では、前記透明部分を前記表示領域に設けられた画素電極よりも厚く形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記配線形成工程では、前記透明導電材料よりも導電率が高い材料によって前記配線に高導電率部分を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記配線形成工程では、前記導電率が高い材料が前記透明導電材料よりも遮光性が高く、前記高導電率部分の幅を１０μｍ以下で形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記配線形成工程では、隣接する前記高導電率部分の間隔が前記高導電率部分の幅以上であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
表示領域の外側の周辺領域に配線を有する第１基板と、
前記第１基板に対向して設けられ、前記周辺領域に遮光膜を有する第２基板と、
前記遮光膜と前記配線との間に設けられ、光硬化性を有するシールと、
を備え、
前記配線は少なくとも前記シールと重なる一部分に透明導電材料によって構成された透明部分を含むことを特徴とする液晶表示装置。
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記配線は、前記透明導電材料よりも導電率が高い材料によって構成された高導電率部分をさらに含むことを特徴とする液晶表示装置。