JP2009040656A - 炭酸水の製造装置、製造方法及び電子材料部材の洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原水を、原水配管11を経由して脱気膜モジュール1の液相室1bに供給する。真空ポンプ3を作動させて気相室1c内を減圧する。原水に溶解している溶存ガスが、気体透過膜1aを透過し、気相室及び排気配管13を経由して系外に排出される。脱気水は、脱気水配管12を経由して炭酸ガス溶解膜モジュール2の液相室2b内に流入する。また、炭酸ガス供給器4から、炭酸ガス配管15を経由して気相室1cに炭酸ガスを供給する。所定量の炭酸ガスが、気体透過膜2aを透過し、液相室2b内の脱気水に溶解する。この炭酸ガスを溶解させた脱気水は、炭酸水配管14から流出する。
【選択図】図1
Description
図1の装置を用いて炭酸水を製造した。装置及び測定条件の詳細は以下の通りである。
溶解膜(気体透過膜2a):セルガード(株)製「リキセル G284」
原水:窒素ガスを飽和濃度まで溶解した超純水
原水送水量:20L/min
水温:25℃
脱気室の気相室の圧力:2kPa(98%脱気に相当)
炭酸ガス供給量:15.3L(標準状態)/min
ここで、この炭酸ガス供給量は、上記原水送水量の原水から溶存炭酸ガス濃度1500mg/Lの炭酸水を製造するのに必要な炭酸ガス供給量を計算によって求めた値である。
脱気膜モジュールによる原水の脱気を省略したこと以外は実施例1と同様にして、実験を行った。
2 炭酸ガス溶解膜モジュール
1a,2a 気体透過膜
1b,2b 液相室
1c,2c 気相室
3 真空ポンプ
4 炭酸ガス供給器
11a 流量計
Claims (9)
- 水に溶解している溶存ガスを脱気する溶存ガス脱気部と、
この脱気された水に炭酸ガスを溶解させる炭酸ガス溶解部と
を有することを特徴とする炭酸水の製造装置。 - 請求項1において、前記炭酸ガス溶解部は、内部が気体透過膜によって気相室と液相室に区画された膜モジュールを有しており、
該膜モジュールは、該液相室に前記脱気部で脱気された脱気水を供給すると共に、該気相室に前記炭酸ガスを供給し、該炭酸ガスを該気体透過膜を介して該脱気水に供給することにより、該炭酸ガスを該脱気水に溶解させるものであることを特徴とする炭酸水の製造装置。 - 請求項1又は2において、前記溶存ガス脱気部は、内部が気体透過膜によって気相室と液相室に区画された膜モジュールを有しており、
該膜モジュールは、該液相室に前記水を供給し、該水に溶解している溶存ガスを該気体透過膜を介して該気相室に排出することにより、該溶存ガスを脱気するものであることを特徴とする炭酸水の製造装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項の炭酸ガスの製造装置を用いて炭酸水を製造することを特徴とする炭酸水の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項の炭酸ガスの製造装置を用いて炭酸水を製造し、該炭酸水を用いて電子材料部材の表面を洗浄することを特徴とする電子材料部材の洗浄方法。
- 請求項5において、前記電子材料部材の表面の一部又は全部がシリコンよりなることを特徴とする電子材料部材の洗浄方法。
- 請求項6において、前記電子材料部材は、フッ酸含有液で表面処理した後のシリコンウェハであることを特徴とする電子材料部材の洗浄方法。
- 請求項7において、前記フッ酸含有液は、フッ酸とフッ酸以外の酸を含有する水溶液であることを特徴とする電子材料部材の洗浄方法。
- 請求項5ないし8のいずれか1項において、前記炭酸水の溶存炭酸ガス濃度が500mg/L以上であることを特徴とする電子材料部材の洗浄方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011088799A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびレーザー加工装置 |
JP2015180500A (ja) * | 2015-05-29 | 2015-10-15 | 栗田工業株式会社 | ガス溶解水供給装置及びガス溶解水の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0459700A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-26 | Nippon Steel Corp | シリコンウエハの洗浄方法 |
JPH11186207A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料用洗浄水 |
JP2002058725A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Mitsubishi Rayon Eng Co Ltd | 炭酸水製造方法 |
JP2003088738A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-25 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 炭酸温水製造装置 |
JP2003334433A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-25 | Kurita Water Ind Ltd | 連続溶解装置、連続溶解方法及び気体溶解水供給装置 |
JP2004313749A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 炭酸水製造装置及び炭酸水製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0459700A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-26 | Nippon Steel Corp | シリコンウエハの洗浄方法 |
JPH11186207A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料用洗浄水 |
JP2002058725A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Mitsubishi Rayon Eng Co Ltd | 炭酸水製造方法 |
JP2003088738A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-25 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 炭酸温水製造装置 |
JP2003334433A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-25 | Kurita Water Ind Ltd | 連続溶解装置、連続溶解方法及び気体溶解水供給装置 |
JP2004313749A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 炭酸水製造装置及び炭酸水製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011088799A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびレーザー加工装置 |
JP2015180500A (ja) * | 2015-05-29 | 2015-10-15 | 栗田工業株式会社 | ガス溶解水供給装置及びガス溶解水の製造方法 |
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