JP2009038313A - 積層型フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】ワンセグ放送に対応した携帯電話等の通信端末に好適な減衰特性を有する積層フィルタを提供すること。
【解決手段】コイル部１０は、非磁性体層１１と、非磁性体層１１を少なくとも挟むように配置された磁性体層１３と、非磁性体層１１内に配置されると共に互いに磁気的に結合する第１及び第２のコイル導体１５，１７と、を有している。容量発生部２０は、誘電特性を有する機能層２１と、機能層２１内に配置されると共に、互いに対向する複数の内部電極２３，２５，２７と、を有している。磁性体層１３の比透磁率が３５〜１２０の範囲であり、コイル部１０の共振周波数が４７０〜７７０ＭＨｚの範囲であり、容量発生部２０の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上である。
【選択図】図２

Description

本発明は、コイル部と容量発生部とを備える積層型フィルタに関する。

非磁性体層と、非磁性体層を少なくとも挟むように配置された磁性体層と、非磁性体層内に配置されると共に互いに磁気的に結合する第１及び第２のコイル導体と、を有する積層型コモンモードチョークコイルが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−２６８４５５号公報

日本の地上デジタルテレビジョン放送（ＩＳＤＢ−Ｔ）では、１３のセグメントのうちの１つのセグメントのみを部分受信することが可能であり、１セグメントデジタル放送、いわゆるワンセグ放送として携帯電話向けや移動体端末向けにサービス（携帯電話・移動体端末向けの１セグメント部分受信サービス）が開始されている。

したがって、ワンセグ放送に対応した携帯電話等の通信端末にＥＭＣ対策部品等として搭載される積層型フィルタには、ワンセグ放送での搬送周波数である４７０〜７７０ＭＨｚでのコモンモードノイズの減衰特性を高く設計する必要がある。また、携帯電話等の通信端末での通信周波数である８００〜９５０ＭＨｚ及び１．８〜２．３ＧＨｚでの減衰特性も必要とされる。

また、韓国やヨーロッパの一部の国で採用されている地上デジタルメディア放送（Ｔ−ＤＭＢ）に対応させるためには、１７４〜２４５ＭＨｚでのコモンモードノイズの減衰特性を高く設計する必要がある。

本発明は、ワンセグ放送又は地上デジタルメディア放送に対応した携帯電話等の通信端末に好適な減衰特性を有する積層フィルタを提供することを目的とする。

本発明は、コイル部と容量発生部とを備えた積層型フィルタであって、コイル部は、非磁性体層と、非磁性体層を少なくとも挟むように配置された磁性体層と、非磁性体層内に配置されると共に、該非磁性体層内において互いに磁気的に結合する第１及び第２のコイル導体と、を有し、容量発生部は、誘電特性を有する機能層と、機能層内に配置されると共に、互いに対向する複数の内部電極と、を有し、磁性体層の比透磁率が３５〜１２０の範囲であり、コイル部の共振周波数が４７０〜７７０ＭＨｚの範囲であり、容量発生部の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上であることを特徴とする。

本発明では、磁性体層の比透磁率が３５〜１２０の範囲であり、コイル部の共振周波数が４７０〜７７０ＭＨｚの範囲であり、容量発生部の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上であるので、ワンセグ放送に対応した携帯電話等の通信端末に好適な減衰特性を有する積層フィルタを実現することができる。

また、本発明は、コイル部と容量発生部とを備えた積層型フィルタであって、コイル部は、非磁性体層と、非磁性体層を少なくとも挟むように配置された磁性体層と、非磁性体層内に配置されると共に、該非磁性体層内において互いに磁気的に結合する第１及び第２のコイル導体と、を有し、容量発生部は、誘電特性を有する機能層と、機能層内に配置されると共に、互いに対向する複数の内部電極と、を有し、磁性体層の比透磁率が３８０〜７５５の範囲であり、コイル部の共振周波数が１７４〜２４５ＭＨｚの範囲であり、容量発生部の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上であることを特徴とする。

本発明では、磁性体層の比透磁率が３８０〜７５５の範囲であり、コイル部の共振周波数が１７４〜２４５ＭＨｚの範囲であり、容量発生部の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上であるので、地上デジタルメディア放送に対応した携帯電話等の通信端末に好適な減衰特性を有する積層フィルタを実現することができる。

ところで、１７４〜２４５ＭＨｚや４７０〜７７０ＭＨｚといった周波数帯域において減衰特性を良好なものとするためには、コイル部のインダクタンス値を高くする必要がある。コイル部が非磁性体層のみを有する場合、インダクタンス値を高くするためには、コイル導体の巻数を増やすという手法が考えられる。しかしながら、この場合には、コイル導体の直流抵抗の増加や、積層型フィルタのコストが嵩む、外形寸法が大きくなるといった問題点が生じてしまう。一方、コイル部が磁性体のみを有する場合、インダクタンス値が高くなるものの、漏れ磁束が増加してしまうという問題点が生じてしまう。

これらに対して、本発明のいずれも、コイル部が、非磁性体層と、非磁性体層を少なくとも挟むように配置された磁性体層と、を有し、第１及び第２のコイル導体が非磁性体層内に配置されるので、上述したような問題点が生じることなく、インダクタンス値を高く設定することが可能となる。また、第１及び第２のコイル導体が磁性体層に接していないので、コイル部に発生する渦電流損を低減することができる。

好ましくは、第１及び第２のコイル導体が、積層された複数の渦巻状の導体パターンが電気的に接続されることにより構成されている。

好ましくは、機能層が、誘電材料又はバリスタ材料からなる。

好ましくは、複数の内部電極が、第１の内部電極と、第１の内部電極に対向する第２及び第３の内部電極と、を含んでおり、第１のコイル導体の両端に接続される第１及び第２の端子電極と、第２のコイル導体の両端に接続される第３及び第４の端子電極と、第１の内部電極に接続される第５の端子電極と、を更に備え、第２の内部電極が、第１の端子電極に接続され、第３の内部電極が、第３の端子電極に接続されている。

好ましくは、コイル部が、第１及び第２のコイル導体を複数対有し、容量発生部が、複数の内部電極を複数対有している。この場合、積層型フィルタのアレイ化を図ることができる。

好ましくは、磁性体層は、第１及び第２のコイル導体の内側に配置されている。

好ましくは、磁性体層は、非磁性体層を覆うように配置されている。

本発明によれば、ワンセグ放送又は地上デジタルメディア放送に対応した携帯電話等の通信端末に好適な減衰特性を有する積層フィルタを提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１〜４を参照して、本実施形態に係る積層型フィルタＭＦ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層型フィルタの斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層型フィルタを構成する素体の分解斜視図である。図３は、本実施形態に係る積層型フィルタを構成する素体の断面構成を示す模式図である。図４は、本実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を示す図である。

積層型フィルタＭＦ１は、コモンモードフィルタ機能および容量発生機能を備えるアレイタイプの積層型複合電子部品であって、略直方体形状を呈した素体ＥＢ１と、第１〜第５の端子電極１〜５を備えている。第１及び第３の端子電極１，３は、素体ＥＢ１の長手方向に伸びる一方の側面側に配置され、第２及び第４の端子電極２，４は、素体ＥＢ１の長手方向に伸び且つ一方の側面に対向する他方の側面側に配置されている。第５の端子電極は、素体ＥＢ１の長手方向における両端部に配置されている。第１〜第４の端子電極１〜４は、入出力端子として機能し、第５の端子電極は、グランド端子として機能する。

素体ＥＢ１は、コイル部１０と、容量発生部２０と、中間部３０と、を含んでいる。

コイル部１０は、非磁性体層１１と、一対の磁性体層１３と、それぞれ複数対（本実施形態では、２対）の第１及び第２のコイル導体１５，１７と、を有している。

非磁性体層１１は、非磁性体からなる複数の層１２ａ〜１２ｆが積層されてなる部分であり、容量発生部２０及び中間部３０と一体的に焼成されることにより形成されている。第１及び第２のコイル導体１５，１７は、複数の層１２ａ〜１２ｆの間、すなわち非磁性体層１１内に配置されている。非磁性体層１１（複数の層１２ａ〜１２ｆ）は、例えばＣｕ−Ｚｎ系のフェライト材料からなる。

第１のコイル導体１５は、積層された導体パターン１６ａ，１６ｂを含んでいる。導体パターン１６ａは層１２ａと層１２ｂとの間に位置し、導体パターン１６ｂは層１２ｂと層１２ｃとの間に位置している。導体パターン１６ａ，１６ｂは、中心から縁に向かって渦巻状に形成されている。導体パターン１６ａは、その外側端部が素体ＥＢ１の上記一方の側面に引き出され、第１の端子電極１に接続されている。導体パターン１６ｂは、その外側端部が素体ＥＢ１の上記他方の側面に引き出され、第２の端子電極２に接続されている。導体パターン１６ａの内側端部と導体パターン１６ｂの内側端部とは、層１２ｂを貫通して配置されたビア導体１６ｃを通して電気的に接続されている。

第２のコイル導体１７は、積層された導体パターン１８ａ，１８ｂを含んでいる。導体パターン１８ａは層１２ｅと層１２ｆとの間に位置し、導体パターン１８ｂは層１２ｄと層１２ｅとの間に位置している。導体パターン１８ａ，１８ｂは、中心から縁に向かって渦巻状に形成されている。導体パターン１８ａは、その外側端部が素体ＥＢ１の上記一方の側面に引き出され、第３の端子電極３に接続されている。導体パターン１８ｂは、その外側端部が素体ＥＢ１の上記他方の側面に引き出され、第４の端子電極４に接続されている。導体パターン１８ａの内側端部と導体パターン１８ｂの内側端部とは、層１２ｅを貫通して配置されたビア導体１８ｃを通して電気的に接続されている。

第１及び第２のコイル導体１５，１７は、層１２ｃ，１２ｄを介して積層されている。これにより、第１及び第２のコイル導体１５，１７は、非磁性体層１１内において、互いに磁気的に結合する。本実施形態では、第１及び第２のコイル導体１５，１７の結合係数は、０．６以上に設定されている。また、コイル部１０のインダクタンス値は、１０〜２００ｎＨに設定されている。

導体パターン１６ａ，１６ｂ，１８ａ，１８ｂ及びビア導体１６ｃ，１８ｃに用いる導電材料は、非磁性体層１１と同時焼成できる金属材料を用いる。すなわち、フェライトの焼成温度は通常８００℃〜１４００℃程度であるため、その温度で融解しない金属材料を用いる。例えば、Ａｇ、Ｐｄこれらの合金等を好適に使用することができる。

一対の磁性体層１３は、非磁性体層１１を少なくとも挟むように配置されている。すなわち、一対の磁性体層１３は、複数の層１２ａ〜１２ｆの積層方向で、非磁性体層１１を挟んでいる。各磁性体層１３は、磁性体からなる複数の層１４ａ，１４ｂが積層されてなる部分であり、非磁性体層１１と一体的に焼成されることにより形成されている。磁性体層１３（複数の層１４ａ，１４ｂ）は、例えばＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系のフェライト材料からなる。磁性体層１３の比透磁率は、３５〜１２０の範囲に設定されている。

容量発生部２０は、誘電特性を有する機能層２１と、第１〜第３の内部電極２３，２５，２７と、を有している。容量発生部２０は、第２及び第３の内部電極２５，２７を複数対（本実施形態では、２対）有している。第１の内部電極２３は、グランド電極として機能し、第２及び第３の内部電極２５，２７は、ホット電極として機能する。

機能層２１は、誘電体からなる複数の層２２ａ〜２２ｉが積層されてなる部分である。第１〜第３の内部電極２３，２５，２７は、複数の層２２ｂ〜２２ｇの間、すなわち機能層２１内に配置されている。機能層２１（複数の層２２ａ〜２２ｉ）は、例えば誘電体セラミック（ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系等の誘電体セラミック）材料からなる。

第１の内部電極２３は、層２２ｂと層２２ｃとの間、層２２ｄと層２２ｅとの間、及び層２２ｆと層２２ｈとの間に、それぞれ位置している。第１の内部電極２３は、素体ＥＢ１の長手方向に伸びる主電極部２３ａと、主電極部２３ａと一体に形成された引き出し部２３ｂを含んでいる。引き出し部２３ｂは、素体ＥＢ１の長手方向における端面に引き出され、第５の端子電極５にそれぞれ接続されている。

第２の内部電極２５は、層２２ｃと層２２ｄとの間に位置している。第２の内部電極２５は、第１の内部電極２３の主電極部２３ａと層２２ｃ，２２ｄをそれぞれ挟んで対向する主電極部２５ａと、主電極部２５ａと一体に形成された引き出し部２５ｂを含んでいる。引き出し部２５ｂは、素体ＥＢ１の上記他方の側面に引き出され、第２の端子電極２に接続されている。

第３の内部電極２７は、層２２ｅと層２２ｆとの間に位置している。第３の内部電極２７は、第１の内部電極２３の主電極部２３ａと層２２ｅ，２２ｆをそれぞれ挟んで対向する主電極部２７ａと、主電極部２７ａと一体に形成された引き出し部２７ｂを含んでいる。引き出し部２７ｂは、素体ＥＢ１の上記他方の側面に引き出され、第４の端子電極４に接続されている。

層２２ｃ〜２２ｆのうち、第１の内部電極２３の主電極部２３ａと、第２及び第３の内部電極２５，２７の主電極部２５ａ，２７ａとに重なる部分は、それぞれが静電容量成分を実質的に発生させる領域である。したがって、第１の内部電極２３の主電極部２３ａと、第２の内部電極２５の主電極部２５ａとにより、静電容量成分が形成される。また、第１の内部電極２３の主電極部２３ａと、第３の内部電極２７の主電極部２７ａとにより、静電容量成分が形成される。容量発生部２０の静電容量は、４〜１００ｐＦに設定されている。

第１〜第３の内部電極２３，２５，２７に用いる導電材料は、機能層２１を構成するセラミックス材料と同時焼成できる金属材料を用いる。すなわち、誘電体セラミックの焼成温度は通常８００℃〜１４００℃程度であるため、その温度で融解しない金属材料を用いる。例えば、Ａｇ、Ｐｄこれらの合金等を好適に使用することができる。

中間部３０は、コイル部１０と容量発生部２０との間に位置しており、層３１からなっている。中間部３０は、コイル部１０と容量発生部２０との縮率を調整する目的で設けられた部分である。層３１は、例えば、Ｆｅ_２Ｏ_３及び上記誘電体セラミックを主成分としたセラミックス材料からなる。

実際の積層型フィルタＭＦ１では、各層１２ａ〜１２ｆ，１４ａ，１４ｂ，２２ａ〜２２ｉ，３１は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。

次に、上述した積層型フィルタＭＦ１の製造方法について説明する。

まず、層１２ａ〜１２ｆを構成することとなる非磁性体グリーンシートを用意する。非磁性体グリーンシートは、例えば、Ｃｕ−Ｚｎ系のフェライト粉末を原料としたスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。

また、層１４ａ，１４ｂを構成することとなる磁性体グリーンシートを用意する。磁性体グリーンシートは、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系のフェライト粉末を原料としたスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。

また、層２２ａ〜２２ｉを構成することとなる誘電体グリーンシートを用意する。誘電体グリーンシートは、例えば、ＢａＴｉＯ_３系の誘電体セラミック粉末を原料としたスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。

また、層３１を構成することとなる絶縁体グリーンシートを用意する。絶縁体グリーンシートは、例えば、Ｆｅ_２Ｏ_３及び上記誘電体セラミック粉末の混合粉末を原料としたスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。

次に、層１２ｂ，１２ｅを構成することとなる各非磁性体グリーンシートの所定の位置、すなわちビア導体１６ｃ，１８ｃを形成する予定位置に、スルーホールを形成する。スルーホールはレーザー加工機等により形成することができる。

次に、層１２ｂ，１２ｃ，１２ｅ，１２ｆを構成することとなる各グリーンシートに、導体パターン１６ａ，１６ｂ，１８ａ，１８ｂに対応するペーストパターンを形成する。各ペーストパターンは、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、これらの合金等を主成分として含む導体ペースト（導電体材料）をスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各ペーストパターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。

また、層２２ｃ〜２２ｇを構成することとなる各誘電体グリーンシートに、第１〜第３の内部電極２３，２５，２７に対応するペーストパターンを形成する。各ペーストパターンは、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、これらの合金等を主成分として含む導体ペースト（導電体材料）をスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。

次に、所定のペーストパターンが形成された非磁性体グリーンシートと、所定のペーストパターンが形成されていない非磁性体グリーンシートと、所定のペーストパターンが形成された誘電体グリーンシートと、所定のペーストパターンが形成されていない誘電体グリーンシートと、絶縁体グリーンシートと、を所望の順序にて積層し、更にプレスした後に、所定形状に切断してグリーン積層体を得る。その後、グリーン積層体を所定の条件（例えば、大気中で１１００℃〜１２００℃）で焼成を行うことで、素体ＥＢ１を得る。

次に、素体ＥＢ１の長手方向における端部及び長手方向における両側面中央に導電ペーストを塗布し、所定の条件（例えば、大気中で７００℃〜８００℃）にて熱処理を行い、外部電極を焼き付ける。導電ペーストは、Ａｇを主成分とする粉末を含むものを用いることができる。その後、外部電極表面にめっきを施し、第１〜第５の端子電極１〜５が形成された積層型フィルタＭＦ１を得ることができる。なお、めっきは電解めっきが好ましく、その材料は、例えばＮｉ／Ｓｎ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｇ等を用いることができる。

続いて、図５及び図６を参照して、積層型フィルタＭＦ１のコモンモードノイズ及びノーマルモードノイズに対する減衰特性について説明する。

図５に示される特性は、磁性体層１３の比透磁率を８３に設定し、コイル部１０のインダクタンス値を７２ｎＨに設定し、容量発生部２０の静電容量を２２ｐＦに設定し、結合係数を０．８５に設定したときの減衰特性である。図６に示される特性は、磁性体層１３の比透磁率を８３に設定し、コイル部１０のインダクタンス値を７２ｎＨに設定し、容量発生部２０の静電容量を３５ｐＦに設定し、結合係数を０．８５に設定したときの減衰特性である。特性ｃｃがコモンモードノイズに対する減衰特性を示し、特性ｄｄがノーマルモードノイズに対する減衰特性を示す。

図５及び図６から分かるように、積層型フィルタＭＦ１では、コイル部１０の共振周波数が４７０〜７７０ＭＨｚの範囲にあり、容量発生部２０の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲にある。また、ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数（挿入損失が−３ｄＢとなる周波数）が１００ＭＨｚ以上である。

以上のように、本実施形態によれば、磁性体層１３（複数の層１４ａ，１４ｂ）の比透磁率が３５〜１２０の範囲であり、コイル部の共振周波数が４７０〜７７０ＭＨｚの範囲であり、容量発生部の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上であるので、ワンセグ放送に対応した携帯電話等の通信端末に好適な減衰特性を有する積層型フィルタＭＦ１を実現することができる。

本実施形態においては、コイル部１０が、非磁性体層１１と、非磁性体層１１を少なくとも挟むように配置された磁性体層１３と、を有し、第１及び第２のコイル導体１５，１７が非磁性体層１１内に配置されるので、コイル導体の直流抵抗の増加や、積層型フィルタのコストが嵩む、外形寸法が大きくなるといった問題点が生じることなく、インダクタンス値を高く設定することが可能となる。また、第１及び第２のコイル導体１５，１７が磁性体層１３に接していないので、コイル部１０に発生する渦電流損を低減することができる。

本実施形態においては、コイル部１０が、第１及び第２のコイル導体１５，１７を複数対有し、容量発生部２０が、複数の内部電極２３，２５，２７を複数対有している。この場合、積層型フィルタＭＦ１のアレイ化を図ることができる。

本実施形態の変形例に係る積層型フィルタとして、磁性体層１３の比透磁率が３８０〜７５５の範囲であり、コイル部１０の共振周波数が１７４〜２４５ＭＨｚの範囲であり、容量発生部２０の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上であってもよい。この場合、地上デジタルメディア放送に対応した携帯電話等の通信端末に好適な減衰特性を有する積層フィルタを実現することができる。

本実施形態の変形例に係る積層型フィルタとして、図７に示されるように、磁性体層１３が第１及び第２のコイル導体１５，１７の内側に配置されると共に、非磁性体層１１を覆うように配置されていてもよい。なお、変形例として、磁性体層１３が非磁性体層１１を覆うことなく、第１及び第２のコイル導体１５，１７の内側に配置されていてもよく、また、磁性体層１３が第１及び第２のコイル導体１５，１７の内側に配置されることなく非磁性体層１１を覆うように配置されていてもよい。

本実施形態の変形例に係る積層型フィルタとして、容量発生部２０の機能層２１（複数の層２２ａ〜２２ｉ）は、ＺｎＯを主成分とするセラミックス材料により構成されていてもよい。このセラミックス材料中には、添加成分としてＰｒ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ａｌ等を含んでいてもよい。Ｐｒに加えてＣｏを含むと、優れたバリスタ特性を有するものとなるほか、高い誘電率（ε）を有するものとなる。また、Ａｌを更に含むと低抵抗となる。また、必要に応じて他の添加物、例えば、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ等の元素が含まれてもよい。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

各層１２ａ〜１２ｆ，１４ａ，１４ｂ，２２ａ〜２２ｉ，３１の積層数、第１及び第２のコイル導体１５，１７のターン数及び形状、第１〜第３の内部電極２３，２５，２７の形状及び積層数等は、上述した実施形態のものに限られない。

本実施形態に係る積層型フィルタの斜視図である。 本実施形態に係る積層型フィルタを構成する素体の分解斜視図である。 本実施形態に係る積層型フィルタを構成する素体の断面構成を示す模式図である 本実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を示す図である。 本実施形態に係る積層型フィルタの減衰特性を示す線図である。 本実施形態に係る積層型フィルタの減衰特性を示す線図である。 本実施形態の変形例に係る積層型フィルタを構成する素体の分解斜視図である。

符号の説明

１〜５…第１〜第５の端子電極、１０…コイル部、１１…非磁性体層、１３…磁性体層、１５…第１のコイル導体、１６ａ，１６ｂ…導体パターン、１７…第２のコイル導体、１８ａ，１８ｂ…導体パターン、２０…容量発生部、２１…機能層、２３…第１の内部電極、２５…第２の内部電極、２７…第３の内部電極、ＥＢ１…素体、ＭＦ１…積層型フィルタ。

Claims (8)

1. コイル部と容量発生部とを備えた積層型フィルタであって、
   前記コイル部は、
   非磁性体層と、
   前記非磁性体層を少なくとも挟むように配置された磁性体層と、
   前記非磁性体層内に配置されると共に、該非磁性体層内において互いに磁気的に結合する第１及び第２のコイル導体と、を有し、
   前記容量発生部は、
   誘電特性を有する機能層と、
   前記機能層内に配置されると共に、互いに対向する複数の内部電極と、を有し、
   前記磁性体層の比透磁率が３５〜１２０の範囲であり、
   前記コイル部の共振周波数が４７０〜７７０ＭＨｚの範囲であり、
   前記容量発生部の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、
   ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上であることを特徴とする積層型フィルタ。
2. コイル部と容量発生部とを備えた積層型フィルタであって、
   前記コイル部は、
   非磁性体層と、
   前記非磁性体層を少なくとも挟むように配置された磁性体層と、
   前記非磁性体層内に配置されると共に、該非磁性体層内において互いに磁気的に結合する第１及び第２のコイル導体と、を有し、
   前記容量発生部は、
   誘電特性を有する機能層と、
   前記機能層内に配置されると共に、互いに対向する複数の内部電極と、を有し、
   前記磁性体層の比透磁率が３８０〜７５５の範囲であり、
   前記コイル部の共振周波数が１７４〜２４５ＭＨｚの範囲であり、
   前記容量発生部の共振周波数が０．８〜２．３ＧＨｚの範囲であり、
   ノーマルモードノイズに対するカットオフ周波数が１００ＭＨｚ以上であることを特徴とする積層型フィルタ。
3. 前記第１及び第２のコイル導体が、積層された複数の渦巻状の導体パターンが電気的に接続されることにより構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型フィルタ。
4. 前記機能層が、誘電材料又はバリスタ材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層型フィルタ。
5. 前記複数の内部電極が、第１の内部電極と、前記第１の内部電極に対向する第２及び第３の内部電極と、を含んでおり、
   前記第１のコイル導体の両端に接続される第１及び第２の端子電極と、前記第２のコイル導体の両端に接続される第３及び第４の端子電極と、前記第１の内部電極に接続される第５の端子電極と、を更に備え、
   前記第２の内部電極が、前記第２の端子電極に接続され、
   前記第３の内部電極が、前記第４の端子電極に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層型フィルタ。
6. 前記コイル部が、前記第１及び第２のコイル導体を複数対有し、
   前記容量発生部が、前記複数の内部電極を複数対有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層型フィルタ。
7. 前記磁性体層は、前記第１及び第２のコイル導体の内側に配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層型フィルタ。
8. 前記磁性体層は、前記非磁性体層を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層型フィルタ。
   

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