JP2009033126A5 - - Google Patents

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上記課題を達成するために、本発明は下記の構成からなる。
（１）単層カーボンナノチューブおよび有機半導体材料を含む有機トランジスタ材料であって、前記単層カーボンナノチューブから得られる膜の波長１０００ｎｍにおける吸光度（Ａ）に対する波長１２００ｎｍにおける吸光度（Ｂ）の比（Ｂ／Ａ）が１．０未満である有機トランジスタ材料。
（２）前記単層カーボンナノチューブの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着している上述（１）記載の有機トランジスタ材料。
（３）前記有機半導体材料がチオフェン骨格を含有する分子量３０００以下の有機低分子半導体である上述（１）または（２）に記載の有機トランジスタ材料。
（４）有機半導体材料１００重量部に対して０．０１〜３重量部の単層カーボンナノチューブを含む上記（１）〜（３）のいずれか記載の有機トランジスタ材料。
（５）ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する有機電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が上記（１）〜（４）のいずれか記載の有機トランジスタ材料を用いてなる有機電界効果型トランジスタ。

Claims (5)

  1. 単層カーボンナノチューブおよび有機半導体材料を含む有機トランジスタ材料であって、前記単層カーボンナノチューブから得られる膜の波長１０００ｎｍにおける吸光度（Ａ）に対する波長１２００ｎｍにおける吸光度（Ｂ）の比（Ｂ／Ａ）が１．０未満である有機トランジスタ材料。
  2. 前記単層カーボンナノチューブの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着している請求項１に記載の有機トランジスタ材料。
  3. 前記有機半導体材料がチオフェン骨格を含有する分子量３０００以下の有機低分子半導体である請求項１または２に記載の有機トランジスタ材料。
  4. 有機半導体材料１００重量部に対して０．０１〜３重量部の単層カーボンナノチューブを含む請求項１〜３のいずれか記載の有機トランジスタ材料。
  5. ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する有機電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が請求項１〜４のいずれか記載の有機トランジスタ材料を用いてなる有機電界効果型トランジスタ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2556515A4 (en) * 2010-04-06 2015-03-25 Univ Rice William M PRODUCTION OF HIGHLY CONDUCTIVE COMPOSITES OF CARBON-POLYMER NANOTUBES
JP5648799B2 (ja) * 2010-12-09 2015-01-07 独立行政法人理化学研究所 単層カーボンナノチューブを用いる熱測定装置
WO2014133029A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 ドーパントの選択方法、ドーパント組成物、カーボンナノチューブ－ドーパント複合体の製造方法、シート状材料およびカーボンナノチューブ－ドーパント複合体
JP6459385B2 (ja) * 2014-10-23 2019-01-30 日本電気株式会社 半導体素子、及び半導体装置
KR102456902B1 (ko) * 2018-09-25 2022-10-21 도레이 카부시키가이샤 카본 나노튜브 복합체 및 그것을 사용한 분산액, 반도체 소자 및 그의 제조 방법, 그리고 반도체 소자를 사용한 무선 통신 장치 및 상품 태그
JP7325084B2 (ja) * 2019-03-25 2023-08-14 国立大学法人長岡技術科学大学 有機半導体素子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3993126B2 (ja) * 2003-04-08 2007-10-17 独立行政法人科学技術振興機構 ナノデバイス材料及びそれを用いたナノデバイス
WO2005045946A1 (ja) * 2003-11-10 2005-05-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子機能材料の配向処理方法と薄膜トランジスタ
CA2600922C (en) * 2005-03-04 2013-06-04 Northwestern University Separation of carbon nanotubes in density gradients
JP4982980B2 (ja) * 2005-07-29 2012-07-25 ソニー株式会社 金属的カーボンナノチューブの分離方法、半導体的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法および電子素子の製造方法
JP4899368B2 (ja) * 2005-07-29 2012-03-21 ソニー株式会社 金属的単層カーボンナノチューブの破壊方法、半導体的単層カーボンナノチューブ集合体の製造方法、半導体的単層カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、半導体的単層カーボンナノチューブの破壊方法、金属的単層カーボンナノチューブ集合体の製造方法、金属的単層カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、電子素子の製造方法およびカーボンナノチューブｆｅｔの製造方法
JP2007103625A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Sony Corp 機能性デバイス及びその製造方法
KR101425690B1 (ko) * 2006-08-30 2014-08-06 노쓰웨스턴유니버시티 단분산 단일벽 탄소 나노튜브 군집 및 그를 제공하는 관련된 방법

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