JP2009032998A - 半導体ウエハ加熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体ウエハが保持された状態のウエハ保持具を、内面が反射面とされた処理容器内に収容し、当該処理容器内に設けられたフィラメントランプによって加熱することにより、半導体ウエハの加熱処理を行う半導体ウエハ加熱処理装置において、フィラメントランプがフィラメントの色温度が2000K以下となるよう点灯される。
【選択図】 図1
Description
また、シリコン(Si)に限らず、例えばガリウム砒素(GaAs(図4(ロ)))やゲルマニウム(Ge(図4(ハ)))などについても、同様の傾向が見られ、ガリウム砒素(GaAs)については、例えば0.8μmより長波長側の光の透過率が高くなり、また、ゲルマニウム(Ge)については、例えば1.8μmより長波長側の光の透過率が高くなる。
一方、ハロゲンランプや白熱ランプなどのフィラメントランプは、図5に示すように、フィラメントランプから放射される波長ピークが、点灯時におけるフィラメントの色温度が低くなるに従って、長波長側に移動して長波長側の光の放射強度の割合が大きくなる。 従って、シリコンウエハPWに吸収される、1.1μm以下の短波長の光について高い光出力が得られる状態、すなわちフィラメントの色温度が高い(例えば3000K、波長ピークは0.9〜1μm程度)状態のフィラメントランプ40によって、シリコンウエハPWを加熱した場合には、フィラメントランプ40から放射された光の大部分は、シリコンウエハPWの外縁部において吸収されるために、中央部に到達する光量が小さくなって、シリコンウエハPWの中央部に対する加熱の程度が低くなり、シリコンウエハPW上の面内での温度分布にバラツキが生ずることになる。
具体的には、例えば、シリコンウエハPWの中央部と外縁部との温度差が50℃以上にもなることがあり、このような問題は、例えば直径がφ300mmの大口径のシリコンウエハの処理を行う場合に、顕著になる。
前記フィラメントランプがフィラメントの色温度が2000K以下となるよう点灯されることを特徴とする。
前記フィラメントランプは直管型のものであって、その管軸が垂直方向に伸びる姿勢で、ウエハ保持具の周囲に配置された構成とすることができる。
また、模擬的な半導体ウエハに設けられた熱電対により検出される温度データに基づいて、半導体ウエハが設定された温度状態となるよう、フィラメントランプに対する供給電力の大きさが制御されるので、所望の熱処理を確実に行うことができる。
この半導体ウエハ加熱処理装置は、高さ方向(図1において、上下方向)に伸びるよう配置された、上端が閉塞されると共に下端が開放されている筒状の内管(ベルジャ)11と、その周囲に所定の間隔を隔てて同心状に配置された、上端が閉塞されている筒状の外管12とからなる二重管構造を有する処理容器10を備えている。
内管11および外管12は、いずれも、例えば石英ガラスにより形成されており、外管12の内面には、例えばアルミニウム、金またはステンレス鋼よりなる、例えば波長1.1〜3.0μmの範囲の光を60%以上反射する反射面12Aが形成されている。
また、底板16におけるウエハ保持具20の載置面についても、外管12の内面と同様に反射面16Aが形成されている。
このウエハ保持具20における、製品とされるシリコンウエハPWが載置されるウエハ載置領域の上部および下部に位置されるウエハ保持部、例えば最上部および最下部に位置されるウエハ保持部には、例えば熱電対が接続された模擬的な半導体ウエハであるダミーウエハDWが配置される。
この実施例においては、図2にも示すように、例えば12本の直管型のフィラメントランプ30が、その管軸が垂直方向に伸びる姿勢で、例えば円周方向に沿って等間隔毎に離間して内管の周囲を取り囲むよう設置されている。
各々のフィラメントランプ30は、例えば、両端に封止部が形成された、例えばガラス材料よりなる発光管を備えており、発光管の内部空間に、例えばハロゲンガスが封入されるとともに、例えばタングステン素線がコイル状に巻回されて形成されたコイル状のフィラメント31が、発光管の管軸に沿って伸びるよう配置されている。
フィラメントランプ30の一構成例を示すと、例えば、フィラメント31の長さが40cm、定格電力が1kW、定格電圧が200Vのものである。
シリコンウエハPWが保持された状態のウエハ保持具20が、底板16上に載置された後、昇降機構15により底板16が上方向に駆動されてウエハ保持具20が下端開口から処理容器10(内管11)内に搬入されると共に、底板16により処理容器10の下端開口が気密に閉塞される。上述したように、例えばウエハ保持具20における最上部および最下部のウエハ保持部には、ダミーウエハDWが載置された状態とされている。
そして、処理室S内の雰囲気の不活性ガス置換や真空引きが必要に応じて行われた後、フィラメントランプ30が、被処理体であるシリコンウエハPWを透過する波長の光が主として放射される、フィラメント31の色温度である2000K以下となるよう点灯されることにより、シリコンウエハPWに対して加熱処理が行われる。ここに、「主として放射される」とは、シリコンウエハPWを透過する波長の光の割合が88%以上(シリコンウエハPWに吸収される波長の光が12%以下)であることをいう。
フィラメントランプ30がフィラメント31の色温度が2000Kより大きくなるよう点灯される場合には、シリコンウエハPWに吸収される波長の光の割合が高くなるため、フィラメントランプ30に近いシリコンウエハPWの外縁部において吸収される光量が多くなるため、シリコンウエハPWの温度分布にバラツキが生ずる。
また、所望の熱処理について要求される温度範囲に応じてフィラメントランプ30の点灯制御が行われてもよい。例えば温度範囲が比較的広い場合には、フィラメントランプ30に対する電力供給が停止され、一方、温度範囲が比較的狭い場合は、シリコンウエハPWを所定の温度状態に維持するのに必要な電力が供給される。
すなわち、フィラメントランプ30からの光(図1において二点鎖線で示す。)は、処理容器10を構成する内管11を透過してシリコンウエハPWに入射されるが、その大部分の光は当該シリコンウエハPWを透過して、他のシリコンウエハPWへの入射および透過を繰り返しながら、内管11を透過し、その後、外管12の内面に形成された反射面12A、または底板16の内面上に形成された反射面16Aによって反射されて、再び、処理室S内に導入される。
そして、フィラメントランプ30から放射される光が処理室S内で多重反射される過程において、すべてのシリコンウエハPWについて、シリコンウエハPWの面内およびシリコンウエハPW間で実質的に均一な条件で光照射が行われて、シリコンウエハPWに徐々に吸収されることとなる結果、後述する実験例の結果にも示されているように、各シリコンウエハPWについて、所望の加熱処理を温度分布が均一となる状態、例えば半導体を製造する最先端ラインでの許容範囲である、シリコンウエハPW上の温度分布における温度差が2%以下となる状態で行うことができる。
また、ダミーウエハDWに設けられた熱電対により検出される温度データに基づいて、シリコンウエハPWが設定された温度状態となるよう、予め設定された温度プロファイルに従って、フィラメントランプ30に対する供給電力の大きさが制御されるので、所望の熱処理を確実に、かつ、容易に行うことができる。
図1および図2に示す構成の半導体ウエハ加熱処理装置を用い、ウエハ保持具に対して、直径φ300mmであるシリコンウエハ(製品ウエハ)14枚を載置すると共に、最上部および最下部に位置されるウエハ保持部にダミーウエハを載置した状態(満載状態)において、ウエハ保持具を処理室内に搬入し、製品ウエハの温度が200℃となるよう加熱処理を行った。ここに、各フィラメントランプは、定格電力が1kW、定格電圧が200Vであるものであり、ランプ点灯時におけるフィラメントの色温度が2400Kとなる条件で点灯した。
加熱処理時におけるシリコンウエハの特定の測定箇所の温度が200℃に達したときの、シリコンウエハ上の最大温度と最小温度との温度差を測定し、シリコンウエハの面内での温度均一性を調べた。結果を下記表1に示す。
下記表1において、例えば、温度差が「4℃」とあるのは、シリコンウエハにおける特定の測定箇所の温度が200℃に達したときの、最大温度が202℃、最小温度が198℃である状態であることを示し、温度差(処理温度に対する誤差)〔%〕は、2/200×100(%)より、「1%」と記載してある。
また、ウエハ保持具における高さ方向における位置に関わらず、すべてのシリコンウエハについて同様の結果が得られた。すなわち、シリコンウエハ間での均一性が高い状態で所望の加熱処理を行うことができることが確認された。
例えば、フィラメントランプは、処理室内に配置されていれば、フィラメントランプから放射される光を処理室内で多重反射させることができるので、複数本である必要はなく、例えば1本でもよく、また、シリコンウエハの外周に配置されていなくてもよい。さらに、フィラメントランプは、両端封止型のものであっても、一端封止型のものであってもよい。
また、加熱処理中の温度制御は、例えば放射温度計などの温度測定手段を用い、この温度測定手段により得られる温度情報をフィードバック制御することにより、行われてもよい。
さらに、本発明は、いわゆる縦型熱処理装置に限定されるものではなく、処理容器が水平方向に伸びるよう配置され、半導体ウエハが垂直となる状態で水平方向に並ぶよう保持された状態で処理容器内に収容される横型熱処理装置にも適用することができる。
11 内管(ベルジャ)
12 外管
12A 反射面
15 昇降機構
16 底板
16A 反射面
20 ウエハ保持具
30 フィラメントランプ
31 フィラメント
40 光放射加熱用ヒータ
45 処理室
PW シリコンウエハ
DW ダミーウエハ
S 処理室
Claims (3)
- 半導体ウエハが保持された状態のウエハ保持具を、内面が反射面とされた処理容器内に収容し、当該処理容器内に設けられたフィラメントランプによって加熱することにより、半導体ウエハの加熱処理を行う半導体ウエハ加熱処理装置において、
前記フィラメントランプがフィラメントの色温度が2000K以下となるよう点灯されることを特徴とする半導体ウエハ加熱処理装置。 - 前記ウエハ保持具は、複数の半導体ウエハを互いに垂直方向に離間した状態で保持する多数のウエハ保持部を有し、
前記フィラメントランプは直管型のものであって、その管軸が垂直方向に伸びる姿勢で、ウエハ保持具の周囲に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ加熱処理装置。 - 加熱処理が行われるに際して、前記ウエハ保持具における、処理すべき半導体ウエハが載置されるウエハ載置領域の上部および下部に位置されるウエハ保持部には、熱電対が接続された模擬的な半導体ウエハが配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体ウエハ加熱処理装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110552A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理装置用制御装置 |
JP2005183823A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2006093411A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2006222327A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002110552A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理装置用制御装置 |
JP2005183823A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2006093411A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2006222327A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019176148A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 基材ラックならびに基材処理システムおよび方法 |
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