JP2009032930A - Wafer carrier and wafer-backside inspection method using this - Google Patents
Wafer carrier and wafer-backside inspection method using this Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009032930A JP2009032930A JP2007195847A JP2007195847A JP2009032930A JP 2009032930 A JP2009032930 A JP 2009032930A JP 2007195847 A JP2007195847 A JP 2007195847A JP 2007195847 A JP2007195847 A JP 2007195847A JP 2009032930 A JP2009032930 A JP 2009032930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- foup
- semiconductor
- wafer carrier
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
Description
本発明は半導体ウエハの搬送および保管に用いられるウエハキャリアに関し、特に、FOUPと呼ばれる密閉型ウエハキャリアに関する。尚、「FOUP」とはFront Open Unified Pod(前面開放一体式ポッド)の略称であり、SEMI(Semiconductor Equipment and Materials Institute)規格に準拠している300ミリウエハー用のウエハキャリアを指す。さらに本発明は、ウエハの被処理面とは反対側の面を検査するウエハ裏面検査方法に関する。 The present invention relates to a wafer carrier used for transporting and storing semiconductor wafers, and more particularly to a hermetic wafer carrier called FOUP. “FOUP” is an abbreviation for Front Open Unified Pod (front open integrated pod), and refers to a wafer carrier for 300 mm wafers conforming to the SEMI (Semiconductor Equipment and Materials Institute) standard. Furthermore, the present invention relates to a wafer back surface inspection method for inspecting a surface opposite to a surface to be processed of a wafer.
半導体デバイスの製造過程において、集積回路を形成するウエハ表面については異物などの欠陥が歩留りに直接関係してくるため、ウエハ表面欠陥検査装置により高頻度で検査を行い集積回路部の欠陥を管理している。しかし、ウエハ裏面については、表面に集積回路が形成されたウエハの裏面を直接検査する検査装置が普及していない。そのため、裏面欠陥に起因する歩留りの問題を診断するには、表裏面が鏡面に仕上げてあるシリコンウエハを評価用ウエハとして用意し、その評価用ウエハを手作業で表裏を裏返しにしてウエハキャリアに装填しておく。そして、前記評価用ウエハを、不良発生原因の疑いのある半導体生産設備で処理した後、再び手作業で評価用ウエハの表裏を元に戻してウエハ検査装置で検査・分析するといった手法が一般に用いられている。 In the semiconductor device manufacturing process, defects such as foreign matter are directly related to the yield on the wafer surface that forms the integrated circuit, so the wafer surface defect inspection system is used to inspect the integrated circuit part defects frequently. ing. However, an inspection apparatus that directly inspects the back surface of a wafer having an integrated circuit formed on the front surface is not widely used. Therefore, in order to diagnose yield problems due to backside defects, prepare a silicon wafer with a mirror-finished front and back surface as an evaluation wafer, and turn the evaluation wafer manually and turn it over to the wafer carrier. Load it. Then, after processing the evaluation wafer in a semiconductor production facility suspected of causing the defect, a technique is generally used in which the front and back sides of the evaluation wafer are manually returned again and inspected and analyzed by a wafer inspection apparatus. It has been.
また、上記の手法によるウエハ裏面の検査や金属汚染分析は、生産設備の立上げ時やメンテナンス直後など、半導体生産設備側からウエハ裏面への異物汚染や金属汚染の可能性がある場合に主に行われている。 Also, wafer backside inspection and metal contamination analysis by the above methods are mainly used when there is a possibility of foreign matter contamination or metal contamination from the semiconductor production equipment side to the wafer backside, such as when starting up production equipment or immediately after maintenance. Has been done.
一方、半導体デバイスの製造工程は高い清浄度をもつクリーンルーム内で進行され、ウエハの保管および運搬のためにオープン型ウエハキャリアが一般に普及していた。しかし最近のクリーンルームでは、クリーンルームの維持費用を減らすために工程設備の内部、および工程設備と関わる一部設備の内部でのみ高い清浄度が維持され、その他の区域では比較的低い清浄度が維持されている。こうした低い清浄度が維持される区域においては大気中の異物や化学的な汚染からウエハを保護するために密閉型ウエハキャリアが使用されている。このような密閉型ウエハキャリアの代表的な例として、FOUPと呼ばれるものがある(特許文献1,2等)。
On the other hand, the semiconductor device manufacturing process proceeds in a clean room with high cleanliness, and an open-type wafer carrier has been widely used for storing and transporting wafers. However, in recent clean rooms, high cleanliness is maintained only inside the process equipment and some equipment related to the process equipment in order to reduce cleanroom maintenance costs, and relatively low cleanliness is maintained in other areas. ing. In areas where such low cleanliness is maintained, hermetic wafer carriers are used to protect the wafers from atmospheric contaminants and chemical contamination. As a typical example of such a sealed wafer carrier, there is one called FOUP (
FOUPを使用しているミニ・エンバイロメント方式の半導体生産ラインにおける従来のウエハ裏面検査および裏面分析の手法について以下説明する。 A conventional wafer backside inspection and backside analysis method in a mini-environment semiconductor production line using FOUP will be described below.
図10はウエハ裏面検査・分析の作業フローを示し、図11から図14に図10の主要な作業の詳細を図示する。 FIG. 10 shows a work flow of wafer back surface inspection / analysis, and FIGS. 11 to 14 show details of main operations of FIG.
まず、表裏面を鏡面に仕上げてあるシリコンウエハ1が装填されたFOUP12を、作業者がクリーンルーム内のウエハ移載可能エリアへ運搬する(図10のステップS1)。ここでいう「ウエハ移載可能エリア」とは、クリーンルーム内の一部区域をFOUP内部と同程度の清浄度に維持させたエリアのことをいう。つまり、FOUP内部がクリーンルーム内雰囲気よりも高い清浄度であるため、FOUPからウエハを移載するにはFOUP内部と同程度の清浄度をもつ環境下で移載作業を行なう必要がある。このため、クリーンルーム内にウエハ移載可能エリアが設けられている。
First, the operator carries the
次に、ウエハ移載可能エリアにて作業者は、図11に示すように、FOUP12からウエハ1を真空ピンセットなどのウエハ取り扱い治具により取り出し、ウエハ1の表裏を反転させて再びFOUP12に装填させる(図10のステップS2)。つまり、図11のようにウエハ裏面1aを上に向けてFOUP12内にウエハ1を装填する。次に作業者はFOUP12をウエハ移載可能エリアから点検対象の半導体生産設備へ運搬する(図10のステップS3)。
Next, as shown in FIG. 11, an operator takes out the
そして、図12に示すように、点検対象の半導体生産設備にてウエハ1の被処理面(ウエハ裏面1a)が処理され(図10のステップS4)、その後、作業者はFOUP12を再びウエハ移載可能エリアへ運搬する(図10のステップS5)。次に、ウエハ移載可能エリアにて作業者は、図13に示すようにFOUP12からウエハ1を真空ピンセットなどウエハ取り扱い治具により取り出し、表裏を元に戻して再びFOUP12に装填させる(図10のステップS6)。つまり、図13のようにウエハ表面1bを上に向けてFOUP12内にウエハ1を装填する。
Then, as shown in FIG. 12, the surface to be processed (wafer
次に作業者はFOUP12をウエハ移載可能エリアからウエハ表面評価用の検査・分析装置に運搬し、図14に示すように、ウエハ表面評価用の検査・分析装置にてウエハ1の被処理面とは反対側の面(ウエハ表面1b)を評価する(図10のステップS7)。以上により、点検対象の半導体生産設備によるウエハ裏面(被処理面とは反対側の面)への汚染転写や該ウエハ裏面の欠陥発生などの影響を調査することができる。
しかしながら、従来のウエハ裏面検査・分析の手法では真空ピンセットなどを用い手作業で評価用ウエハを裏返しにする必要があることから、ウエハ取り扱いの際にウエハを落下させ破壊することや、ウエハをFOUP外壁に接触させて評価前のウエハに余計なパーティクルが付着させること、またウエハに傷をつけることなどの不具合が生じ易くなる。このような不具合は、ウエハサイズが大口径化するにつれて真空ピンセットなど手動でのウエハの取り扱いが困難になるので、増大する傾向にある。 However, since the conventional wafer backside inspection / analysis method requires the wafer for evaluation to be turned upside down manually using vacuum tweezers, the wafer can be dropped and destroyed during wafer handling, or the wafer can be FOUPed. Problems such as excessive particles adhering to the wafer before evaluation due to contact with the outer wall and damage to the wafer are likely to occur. Such a defect tends to increase as the wafer size becomes larger because it becomes difficult to manually handle the wafer such as vacuum tweezers.
またウエハキャリアにFOUPを採用している半導体生産ラインでは、上記の手作業でのウエハ取り扱いが、FOUP内と同程度の空気清浄度に維持管理された特定のウエハ移載可能エリア内に限られてしまう。そのため、点検対象の半導体生産設備およびウエハ検査・分析装置と、ウエハ移載可能エリアとの間でFOUPを運搬し、手動でウエハの表裏を反転させる作業が不可欠であり、その結果、裏面検査・分析の作業に時間や手間がかかるといった課題があった。 Also, in semiconductor production lines that employ FOUP as a wafer carrier, the above-mentioned manual wafer handling is limited to a specific wafer transferable area that is maintained and managed at the same level of air cleanliness as in FOUP. End up. Therefore, it is indispensable to transport the FOUP between the semiconductor production equipment and wafer inspection / analysis equipment to be inspected and the wafer transferable area, and to manually reverse the front and back of the wafer. There was a problem that the analysis work took time and labor.
そこで本発明は、上記背景技術が有する課題の少なくとも1つを解決することにある。すなわち本発明の目的の一つは、ウエハ裏面検査および裏面分析に際し、ウエハ取り扱い時のウエハの破損、パーティクル付着、汚染などいった不具合を解消することにある。また更なる目的は、裏面検査・分析の作業にかかる時間や手間を軽減することにある。 Therefore, the present invention is to solve at least one of the problems of the background art. That is, one of the objects of the present invention is to eliminate problems such as wafer breakage, particle adhesion, and contamination during wafer handling during wafer backside inspection and backside analysis. A further object is to reduce the time and labor required for back surface inspection and analysis.
本発明は、半導体ウエハを水平に収容するウエハキャリアであって半導体生産設備に設置固定する構造を底面に有する、FOUPと呼ばれるウエハキャリアにおいて、該ウエハキャリアの上面に前記底面の構造と上下対称な構造を有することを特徴とする。 The present invention relates to a wafer carrier called FOUP, which is a wafer carrier that horizontally accommodates semiconductor wafers and has a structure that is installed and fixed in a semiconductor production facility, and is symmetrical with the structure of the bottom surface on the upper surface of the wafer carrier. It has a structure.
また本発明は、半導体ウエハを水平に収容するFOUPと呼ばれるウエハキャリアを使用する半導体生産設備およびウエハ検査装置を用い、点検対象の前記半導体生産設備にて処理された半導体ウエハの被処理面とは反対側の面を前記ウエハ検査装置で検査するウエハ裏面検査方法であって、次のように検査することを特徴とする。 Further, the present invention uses a semiconductor production facility and a wafer inspection apparatus that use a wafer carrier called FOUP that horizontally accommodates semiconductor wafers, and a processing surface of a semiconductor wafer processed in the semiconductor production facility to be inspected. A wafer back surface inspection method in which the opposite surface is inspected by the wafer inspection apparatus, wherein the inspection is performed as follows.
すなわち、上記のウエハキャリアとして、半導体生産設備に設置固定する構造を底面に有するとともに、該底面の構造と上下対称な構造を上面に有するウエハキャリアを用意する。次に、半導体ウエハが収容された上記ウエハキャリアの上下を反転させる。さらに、その反転させたウエハキャリアから半導体ウエハをその表裏を変えずに点検対象の半導体生産設備に導入し、当該半導体生産設備にて当該半導体ウエハの被処理面を処理する。さらに、その処理された半導体ウエハを当該半導体ウエハの表裏を変えずに、反転された状態のウエハキャリア内に収容した後、該ウエハキャリアの上下を元に戻す。その後、上下を元に戻したウエハキャリアから半導体ウエハをその表裏を変えずにウエハ検査装置に導入し、当該ウエハ検査装置にて当該半導体ウエハの被処理面とは反対側の面を検査する。 That is, as the wafer carrier, a wafer carrier having a structure that is installed and fixed on a semiconductor production facility on the bottom surface and a structure that is vertically symmetrical with the structure of the bottom surface is prepared. Next, the wafer carrier containing the semiconductor wafer is turned upside down. Further, a semiconductor wafer is introduced from the inverted wafer carrier into a semiconductor production facility to be inspected without changing the front and back sides, and the surface to be processed of the semiconductor wafer is processed in the semiconductor production facility. Further, the processed semiconductor wafer is accommodated in an inverted wafer carrier without changing the front and back of the semiconductor wafer, and the wafer carrier is then turned upside down. Thereafter, the semiconductor wafer is introduced into the wafer inspection apparatus from the wafer carrier whose upper and lower sides are returned to the original state without changing the front and back surfaces, and the surface opposite to the surface to be processed of the semiconductor wafer is inspected by the wafer inspection apparatus.
このように本発明では、半導体生産設備に設置固定するFOUP底面の構造と同じ構造をFOUP上面に設けて、上下対称構造のFOUPとしたことにより、ウエハの処理過程でウエハの表裏反転が必要なときに、FOUPの天地を逆にするだけでウエハの表裏を反転させることができる。よって、真空ピンセットを用いた手作業でのウエハ反転作業が不要となり、ウエハ取り扱い時のウエハの破損、パーティクル付着、汚染などいった不具合が解消される。さらに、ウエハ移載可能エリアと、半導体生産設備およびウエハ表面検査・分析装置との頻繁な往復運搬作業を不要とすることができるので、裏面検査・分析の作業にかかる時間や手間が軽減される。 As described above, in the present invention, the same structure as that of the bottom surface of the FOUP that is installed and fixed in the semiconductor production facility is provided on the top surface of the FOUP to form a vertically symmetrical FOUP. Sometimes, the front and back of the wafer can be reversed simply by reversing the top and bottom of the FOUP. Therefore, manual wafer reversing work using vacuum tweezers is not necessary, and problems such as wafer breakage, particle adhesion, and contamination during wafer handling are solved. In addition, frequent reciprocal transportation between the wafer transfer area and the semiconductor production equipment and wafer surface inspection / analysis equipment can be eliminated, reducing the time and labor required for backside inspection / analysis. .
以上説明したように本発明によれば、ウエハ裏面検査および裏面分析に際し、ウエハ裏面検査および裏面分析に際し、ウエハ取り扱い時のウエハの破損、パーティクル付着、汚染などいった不具合を解消することが出来る。さらに、裏面検査・分析の作業にかかる時間や手間を軽減することが出来る。 As described above, according to the present invention, in wafer backside inspection and backside analysis, in wafer backside inspection and backside analysis, problems such as wafer breakage, particle adhesion, and contamination during wafer handling can be solved. Furthermore, the time and labor required for the backside inspection and analysis work can be reduced.
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1、図2、図3、図4は本発明のウエハキャリアの実施例を示す外観図であり、図1は正面図、図2は側面図、図3は上面図、図4は底面図を示している。また図5は、本実施例のウエハキャリアにおける最上段と最下段のウエハ装填位置についての説明図である。 1, 2, 3, and 4 are external views showing an embodiment of the wafer carrier of the present invention. FIG. 1 is a front view, FIG. 2 is a side view, FIG. 3 is a top view, and FIG. Is shown. FIG. 5 is an explanatory diagram of the uppermost and lowermost wafer loading positions in the wafer carrier of this embodiment.
本実施例ではφ300mmウエハ用FOUP11を例示している。このFOUP11はウエハを水平に収容する容器と、該容器の前面に設けられた前面ドア2とを有する。FOUP11の底面は、ウエハを処理する半導体生産設備に設けられたロードポートに設置可能であり、FOUP11の前面ドア2は該ロードポートのポートドア(不図示)と嵌め合うことが可能になっている。そのため、前面ドア2にはドアオープンキースロット(Door Open Key Slots)3、およびドアインターフェイスホール(Door Interface Halls)4が形成されている。上記ロードポートには、FOUP11の設置・位置決めの為のカップリングピンが設けられており、FOUP11の底面には図4に示すように、当該カップリングピンに嵌め合うための溝(Kinematic Coupling Grooves)5が形成されている。
In this embodiment, a φ300
上記ドアオープンキースロット3、ドアインターフェイスホール4および溝5はSEMI規格を準拠している。さらに、FOUP11内のウエハ装填位置についてもSEMI規格を準拠した位置に設けられており、特に図5に示すように最下段ウエハ21の装填位置はFOUP11底面から44mmの高さに定められている。ここでいうSEMI規格は主に、SEMI-E1.9、SEMI-E15.1、SEMI-E47.1、SEMI-E57、SEMI-E62のことを指す。従って、FOUP11を手動で半導体生産設備のロードポートに設置すれば、半導体生産設備内へのウエハ自動搬送およびウエハ処理が可能である。
The door open key slot 3, the
図3と図4から分かるように、FOUP11の上面についてはFOUP11の底面と上下対称な構造であり、上記ロードポートに設けられたカップリングピンと嵌め合うため、SEMI規格に準拠させて設けた溝(Kinematic Coupling Grooves)5を有する。
As can be seen from FIGS. 3 and 4, the top surface of the
さらに、図5に示すように、最上段ウエハ22の装填位置はFOUP上面から44mmの高さに設定されており、図5の範囲Bで示すFOUP11下面から最下段ウエハ21の装填位置までの構造と、図5の範囲Aで示すFOUP11上面から最上段ウエハ22の装填位置までの構造がちょうど上下対称になっている。つまり、FOUP11の外部構造だけでなく、FOUP11の内部構造も上下対称である。
Further, as shown in FIG. 5, the loading position of the uppermost wafer 22 is set to a height of 44 mm from the upper surface of the FOUP, and the structure from the lower surface of the
また図2に示すように、FOUP11の背面にはカーブ6を設けており、カーブ6によりFOUP11を上下反転させる作業を容易に行うことができる。その為にFOUP11の背面のカーブ6は、FOUP11の外側に向かって張り出すとともにFOUP11の上下方向に弧を描くように曲がっている形状からなる。
As shown in FIG. 2, a curve 6 is provided on the back surface of the
次に、FOUP11を使用したウエハ裏面検査および裏面分析の手法について説明する。図6は本実施例のFOUP11を使用した裏面検査・分析の作業フローを示し、図7から図9に図6の主要な作業の詳細を図示する。
Next, a method for wafer backside inspection and backside analysis using the
まず、表裏面が鏡面に仕上げられているシリコンウエハ1を予め自動ウエハ移載機を用いて装填したFOUP11について、作業者はFOUP11の上下を反転させる(図6のステップS11)。このFOUP11の上下反転作業については、図7に示すように、FOUP11の背面に設けてあるカーブ6を利用してFOUP11を転がすように動かし、FOUP11の上下を反転させる。これにより、FOUP11に装填されてあるウエハ1はウエハ裏面1aが上を向く。
First, the operator flips the
そして、上記のようにFOUP11を上下反転させた状態にて、図8に示すように点検対象の半導体生産設備のロードポートに設置し、その半導体生産設備にてウエハ1の被処理面(ウエハ裏面1a)が処理される(図6のステップS12)。すなわち、ウエハ搬送用ロボットアーム23でFOUP11内からウエハ1を、その裏面1aを上に向けたままプロセスエリアに搬送して処理した後、処理したウエハ1を、その裏面1aを上に向けたままFOUP11内に戻す。
Then, in the state where the
次いで作業者は、ステップS11と同様なFOUP11の上下反転作業を行い、FOUP11の上下を元に戻す(図6のステップS13)。こうしてウエハ1の表面1bが上向きとなったFOUP11を作業者はウエハ表面評価用の検査・分析装置に設置する(図6のステップS14)。その後、図9に示すように、ウエハ搬送用ロボットアーム24でFOUP11内からウエハ1を、その表面1bを上に向けたまま検査・分析エリアに搬送して評価する。これにより、点検対象の半導体生産設備によるウエハ裏面(被処理面とは反対側の面)への汚染転写や該ウエハ裏面の欠陥発生などの影響を調査する。
Next, the worker performs the upside down operation of the
以上のように本実施例のFOUP11を用いたウエハ裏面検査方法によれば、ウエハ裏面検査・分析の作業において真空ピンセットなどを用いた手作業でのウエハ裏返し作業が不要となる。したがって、真空ピンセットなどでのウエハ取り扱い時にウエハ1を落下させ破壊してしまう問題や、ウエハ1をFOUP11外壁に接触させて評価前のウエハ1を汚染させてしまう問題が解消される。また、FOUP11をクリーンルーム内の特定されたウエハ移載可能エリアまで運搬する必要が無くなることから、裏面検査・分析の準備作業に対する時間や手間が軽減できる。
As described above, according to the wafer back surface inspection method using the
尚、本実施例のウエハキャリアとしてFOUPを例にして説明したが、本発明の技術思想はFOSB(Front Opening Shipping Box)に適用することも可能である。 In addition, although FOUP was demonstrated as an example as a wafer carrier of a present Example, the technical idea of this invention can also be applied to FOSB (Front Opening Shipping Box).
1 シリコンウエハ
2 FOUPの前面ドア
3 ドアオープンキースロット(Door Open Key Slots)
4 ドアインターフェイスホール(Door Interface Halls)
5 半導体生産設備側のFOUP設置位置決め用カップリングピンと嵌め合うための溝(Kinematic Coupling Grooves)
6 FOUPの上下反転作業用カーブ
11 FOUP
21 FOUP内に装填された最下段ウエハ
22 FOUP内に装填された最上段ウエハ
1 Silicon wafer 2 FOUP front door 3 Door Open Key Slots
4 Door Interface Halls
5 Kinematic Coupling Grooves for mating with FOUP installation positioning coupling pins on the semiconductor production facility side
6 FOUP upside down
21 Lowermost wafer loaded in FOUP 22 Uppermost wafer loaded in FOUP
Claims (3)
前記ウエハキャリアの上面に前記底面の構造と上下対称な構造を有することを特徴とするウエハキャリア。 In a wafer carrier called FOUP, which is a wafer carrier that horizontally accommodates semiconductor wafers and has a structure that is installed and fixed in a semiconductor production facility on the bottom surface,
A wafer carrier characterized in that a top surface of the wafer carrier is vertically symmetrical with the bottom surface structure.
前記ウエハキャリアとして、前記半導体生産設備に設置固定する構造を底面に有するとともに、該底面の構造と上下対称な構造を上面に有するウエハキャリアを用意する段階と、
前記半導体ウエハが収容された前記ウエハキャリアの上下を反転させる工程と、
その反転させた前記ウエハキャリアから前記半導体ウエハをその表裏を変えずに点検対象の前記半導体生産設備に導入し、当該半導体生産設備にて当該半導体ウエハの被処理面を処理する工程と、
その処理された前記半導体ウエハを当該半導体ウエハの表裏を変えずに、反転された状態の前記ウエハキャリア内に収容した後、該ウエハキャリアの上下を元に戻す工程と、
上下を元に戻した前記ウエハキャリアから前記半導体ウエハをその表裏を変えずに前記ウエハ検査装置に導入し、当該ウエハ検査装置にて当該半導体ウエハの被処理面とは反対側の面を検査する工程と、を有するウエハ裏面検査方法。 Using a semiconductor production facility using a wafer carrier called FOUP that horizontally accommodates semiconductor wafers and a wafer inspection apparatus, the surface opposite to the surface to be processed of the semiconductor wafer processed in the semiconductor production facility to be inspected A wafer back surface inspection method for inspecting with the wafer inspection apparatus,
As the wafer carrier, having a structure on the bottom surface that is installed and fixed to the semiconductor production facility, and preparing a wafer carrier having a structure that is vertically symmetrical with the bottom surface structure on the top surface;
Reversing the wafer carrier containing the semiconductor wafer upside down;
Introducing the semiconductor wafer from the inverted wafer carrier into the semiconductor production facility to be inspected without changing the front and back, and processing the surface to be processed of the semiconductor wafer in the semiconductor production facility;
The process of storing the processed semiconductor wafer in the wafer carrier in an inverted state without changing the front and back of the semiconductor wafer, and then returning the wafer carrier upside down;
The semiconductor wafer is introduced into the wafer inspection apparatus from the wafer carrier that has been turned upside down without changing the front and back surfaces, and the wafer inspection apparatus inspects the surface opposite to the surface to be processed. And a wafer back surface inspection method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007195847A JP2009032930A (en) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | Wafer carrier and wafer-backside inspection method using this |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007195847A JP2009032930A (en) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | Wafer carrier and wafer-backside inspection method using this |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009032930A true JP2009032930A (en) | 2009-02-12 |
Family
ID=40403124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007195847A Pending JP2009032930A (en) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | Wafer carrier and wafer-backside inspection method using this |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009032930A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045823A (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社ディスコ | Housing cassette |
CN115274483A (en) * | 2022-08-03 | 2022-11-01 | 立川(无锡)半导体设备有限公司 | Wafer electrical property detection equipment |
-
2007
- 2007-07-27 JP JP2007195847A patent/JP2009032930A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045823A (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社ディスコ | Housing cassette |
CN115274483A (en) * | 2022-08-03 | 2022-11-01 | 立川(无锡)半导体设备有限公司 | Wafer electrical property detection equipment |
CN115274483B (en) * | 2022-08-03 | 2024-01-23 | 立川(无锡)半导体设备有限公司 | Wafer electrical property detection equipment |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6517304B1 (en) | Method for transporting substrates and a semiconductor manufacturing apparatus using the method | |
JP2003045933A (en) | Load port, substrate processing unit, and method for replacing atmosphere | |
KR101565091B1 (en) | Wafer Transfer Apparatus for Monitoring Contamination of Semiconductor Processes | |
JP4966693B2 (en) | Sample conveying apparatus and method | |
US7428850B2 (en) | Integrated in situ scanning electronic microscope review station in semiconductor wafers and photomasks optical inspection system | |
US10871722B2 (en) | Photomask purging system and method | |
JP2009032930A (en) | Wafer carrier and wafer-backside inspection method using this | |
CN109300828B (en) | Wafer transmission system and transmission method | |
US20220367223A1 (en) | Substrate transport apparatus and substrate transport method | |
US11581204B2 (en) | Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device | |
KR100717988B1 (en) | A Loader Having Function For Carrying Out Semiconductor Material | |
CN110379753B (en) | Substrate transfer system, storage medium, and substrate transfer method | |
JP2003315197A (en) | Inspection method and inspection device for wafer storage device, and manufacturing method of semiconductor device | |
US5868803A (en) | Method for mounting a wafer loading device to a process machine | |
US20230375945A1 (en) | Workpiece support | |
KR102388390B1 (en) | Load port unit, storage apparatus comprising the same and exhaust method | |
JP3035436B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP5547044B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus | |
JP5386137B2 (en) | Sample measuring device | |
JP2002151584A (en) | Wafer carrier, substrate processor, substrate processing system, substrate processing method, and semiconductor device | |
KR100648279B1 (en) | Wafer transfer module and wafer transfer method using the module | |
TW202125682A (en) | Conveyance system | |
KR100567869B1 (en) | Wafer stage of the apparatus for inspecting the defect of a semiconductor wafer | |
JP2004253507A (en) | Locally cleaned wafer processing apparatus | |
TWM647816U (en) | Substrate storage and transportation carrier |