JP2009032621A - 光電陰極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電陰極E1の支持基板2側から被検出光が入射すると、光吸収層3がこの検出光を吸収して光電子を発生する。しかしながら、光吸収層3の厚さ等に因っては、被検出光は光吸収層3で十分に吸収されることなく、かかる光吸収層3を透過してしまうことがある。光吸収層3を透過した被検出光は、電子放出層4に達する。電子放出層4に達した検出光の一部は、コンタクト層5の貫通孔5aに向かって進む。貫通孔5aの対角線の長さd1は被検出光の波長よりも短くなっているので、被検出光が貫通孔5aを通り抜けて外部に放出されてしまうことを抑制できる。外部放出が抑制された被検出光は、電子放出層4の露出表面で反射し、光吸収層3に再び入射して吸収される。
【選択図】図1
Description
Claims (3)
- 被検出光の入射に応じて光電子を放出する光電陰極であって、
第1導電型の支持基板と、
前記支持基板上に形成された第1導電型の光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された第1導電型の電子放出層と、
前記電子放出層上に形成され、複数の貫通孔を有する第2導電型のコンタクト層と、
前記コンタクト層上に形成された表面電極と、
前記コンタクト層の貫通孔から露出した前記電子放出層の表面を覆うように形成され、前記電子放出層の仕事関数を低下させる活性層と、
前記支持基板に設けられた裏面電極と、
を備え、
前記被検出光の偏光方向における前記貫通孔の幅が、前記被検出光の波長よりも短いことを特徴とする光電陰極。 - 被検出光の入射に応じて光電子を放出する光電陰極であって、
支持基板と、
前記支持基板上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された電子放出層と、
前記電子放出層とショットキー接合するように形成され、複数の貫通孔を有する表面電極と、
前記表面電極の貫通孔から露出した前記電子放出層の表面を覆うように形成され、前記電子放出層の仕事関数を低下させる活性層と、
前記支持基板に設けられた裏面電極と、
を備え、
前記被検出光の偏光方向における前記貫通孔の幅が、前記被検出光の波長よりも短いことを特徴とする光電陰極。 - 前記貫通孔の最長幅が、前記被検出光の波長よりも短いことを特徴とする請求項1又は2に記載の光電陰極。
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